CN107479227A - 一种电路板及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种电路板及其制作方法，该电路板包括：一基板；桥接电路，设置于所述基板上；所述桥接电路包括第一金属层和第二金属层；所述第一金属层和第二金属层的投影交叉部贯穿并耦合有一桥接金属。本发明能够通过桥接金属的设置，取代原有的双过孔配合透明电极的桥接部结构，减少了空间占用，提高了空间利用率，有利于窄边框的设计。

Description

一种电路板及其制作方法
技术领域
本发明涉及一种显示技术领域，特别是涉及一种电路板及其制作方法。
背景技术
随着科技的发展和进步，液晶显示器由于具备机身薄、省电和辐射低等热点而成为显示器的主流产品，得到了广泛应用。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶面板及背光模组(backlightmodule)。液晶面板的工作原理是在两片平行的透明电极基板当中放置液晶分子，并在两片透明电极基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。
其中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay，TFT-LCD)由于具有低的功耗、优异的画面品质以及较高的生产良率等性能，目前已经逐渐占据了显示领域的主导地位。同样，薄膜晶体管液晶显示器包含液晶面板和背光模组，液晶面板包括彩膜基板(Color Filter Substrate，CF Substrate，也称彩色滤光片基板)、薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Substrate，TFT Substrate)和光罩(Mask)，上述基板的相对内侧存在透明电极。两片基板之间夹一层液晶分子(LiquidCrystal，LC)。
而薄膜晶体管层液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)为了凸显出现实画面的一体感，窄边框和无边框逐渐成为液晶显示器重要的发展方向，而在实现窄边框和无边框的时候，能够减少生成成本，则更是本领域技术人员的追求；
在窄边框和无边框的产品设计中，闸端高密度集成线路，实现较少的闸极驱动器(gate driver less，GDL)线路设计，闸端高密度集成线路设计是减少集成电路成本的主要武器，但当分辨率越来越高，闸端高密度集成线路如何缩减有效空间亦延伸出另一个课题，即如何进一步的改善相关电路的利用面积成为本领域技术人员亟待解决的问题。
应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
发明内容
有鉴于现有技术的上述缺陷，本发明所要解决的技术问题是提供能够提高空间利用率的电路板及其制作方法。
为实现上述目的，本发明提供了一种电路板，包括：
一基板；
桥接电路，设置于所述基板上；
所述桥接电路包括第一金属层和第二金属层；
所述第一金属层和第二金属层的投影交叉部贯穿并耦合有一桥接金属。
进一步的，所述桥接金属是第二金属层的延伸部或相对第二金属层独立的连接件；
所述第一金属层下表面与所述电路板上表面的距离小于所述第一金属层下表面与所述第二金属层下表面的距离。本方案中，保留了原来需要考虑的电容值的原定的设计值，但是利用桥接金属改变了电容架构，而由于第一金属层下表面与所述电路板上表面的距离小于所述第一金属层下表面与所述第二金属层下表面的距离，根据电容公式可知，相同电容条件下，需要留出的空间变小了，这进一步提高了本方案的空间利用率。
进一步的，所述第一金属层下表面与所述电路板上表面的距离是所述第一金属层与所述第二金属层下表面的距离的一半。本方案中，保留了原来需要考虑的电容值的原定的设计值，但是利用桥接金属改变了电容架构，而由于第一金属层下表面与所述电路板上表面的距离小于所述第一金属层下表面与所述第二金属层下表面的距离，根据电容公式可知，相同电容条件下，需要留出的空间只需要一半即可，这进一步提高了本方案的空间利用率。
进一步的，所述第一金属层和第二金属层的投影交叉部通过一通孔连通，所述桥接金属设置在所述通孔内，并耦合于所述第一金属层和第二金属层。本方案中，通过通孔设置该桥接金属，保证连通性。
进一步的，所述电路板的上表面，对应第一金属层和第二金属层的投影交叉部其中一部分设置有第一透明电极；
所述第一透明电极避开所述通孔周围预设距离设置。本方案中，保留除了该通孔周围以外的其他位置的第一透明电极，保证其他部位电路的畅通，而在通孔及其周围处，由于桥接金属的存在可以保证耦合，并且，该第一透明电极与需要的电容相关，在此处，在保证相同电容调节下，可以适当的将投影交叉部的第一透明电极的面积进行减少，如此提高空间利用率，而又不担心形成的电容过大。
本发明还公开了一种用于形成如本发明任一公开的电路板的制作方法，包括：
在电路板中分别形成桥接电路的第一金属层和第二金属层；
所述第一金属层和第二金属层的投影交叉部贯穿形成并耦合有一桥接金属；
所述第一金属层、第二金属层和桥接金属构成电路板上的桥接电路。
进一步的，在形成第一金属层和第二金属层时，使得第一金属层下表面与所述电路板上表面的距离小于所述第一金属层下表面与所述第二金属层下表面的距离。本方案中，保留了原来需要考虑的电容值的原定的设计值，但是利用桥接金属改变了电容架构，而由于第一金属层下表面与所述电路板上表面的距离小于所述第一金属层下表面与所述第二金属层下表面的距离，根据电容公式可知，相同电容条件下，需要留出的空间变小了，这进一步提高了本方案的空间利用率。
进一步的，所述桥接金属是第二金属层的延伸部或相对第二金属层独立的连接件；
在形成第一金属层和第二金属层时，使得第一金属层上表面与所述电路板上表面的距离小于等于所述第一金属层与所述第二金属层下表面的距离的一半。本方案中，保留了原来需要考虑的电容值的原定的设计值，但是利用桥接金属改变了电容架构，而由于第一金属层下表面与所述电路板上表面的距离小于所述第一金属层下表面与所述第二金属层下表面的距离，根据电容公式可知，相同电容条件下，需要留出的空间只需要一半即可，这进一步提高了本方案的空间利用率。
进一步的，在所述第一金属层和第二金属层的投影交叉部形成一连通的通孔；
在通孔内形成所述桥接金属，并耦合于第一金属层和第二金属层。本方案中，通过通孔设置该桥接金属，保证连通性。
进一步的，在所述电路板的上表面，对应第一金属层和第二金属层的投影交叉部的其中一部分形成第一透明电极；
该形成的第一透明电极避开所述通孔周围预设距离设置。本方案中，保留除了该通孔周围以外的其他位置的第一透明电极，保证其他部位电路的畅通，而在通孔及其周围处，由于桥接金属的存在可以保证耦合，并且，该第一透明电极与需要的电容相关，在此处，在保证相同电容调节下，可以适当的将投影交叉部的第一透明电极的面积进行减少，如此提高空间利用率，而又不担心形成的电容过大。
传统的闸端高密度集成线路处，特别是其桥接电路处，是通过两个过孔，配合第一透明电极，将位于不同图层的第一金属层和第二金属层桥接在一起的，但是原有的结构由于串联多级，桥接点占用了两个接触过孔的面积，占用的空间太多，空间利用率低；本发明中，由于不再使用两个过孔配合第一透明电极的结构，而是在第一金属层和第二金属层的投影交叉部贯穿耦合一桥接金属，以连通两者，这样一来，在面积上只相当于原有的大约一半即可完成原来的桥接目的，提高了空间利用率，有利于将窄边框做得更窄；而且，周边GDL电路仅使用第一金属层和第二金属层，不再利用第一透明电极桥接，有效减少过孔(Viahole)接触不良问题。
参照后文的说明和附图，详细公开了本申请的特定实施方式，指明了本申请的原理可以被采用的方式。应该理解，本申请的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本申请的实施方式包括许多改变、修改和等同。
针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。
应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。
附图说明
所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
图1所示是采用过孔的电路板的示意图；
图2是图1电路板桥接部的放大示意图；
图3是本发明实施例一种电路板的示意图；
图4所示是范例的电容区和过孔工艺下电容区的示意图；
图5所示是本发明实施例的电容区和过孔工艺电容区的示意图；
图6是本发明实施例一种电路板的制作方法的流程图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请中的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都应当属于本申请保护的范围。
图1是采用过孔的电路板的示意图，其中，椭圆框内即电路板桥接部A，关于该部分电路以及其他电路，在相同设计值下，如何利用有限的空间和面积，作出需要的电路设计是一直存在的问题。
图2是图1电路板桥接部的放大示意图，落到具体的电路板处，随着超高分辨率密集电路的出现，原有的工艺作出的桥接部，即通过两个过孔和透明电极构成的桥接部已经难以满足人们对于窄边框的需要。(图2中的第一层金属10对应本发明中的第一金属层，第二层金属20对应本发明中的第二金属层，通孔40对应过孔、通孔或者说接触孔，另外钝化层(PV)对应第一金属层到电路板上表面的距离，而绝缘层(GI)则对应第一金属层到电路板下表面的距离)。透明电极可采用氧化铟锡(ITO，Indium Tin Oxides)材料制成。
结合图1和图2，从图中，我们可以很清楚的发现，现有的桥接部需要两个过孔，或者说接触孔的面积，这样的面积消耗，在追求窄边框，甚至于无边框显示面板的潮流中，是难以满足需求的。
图3是本发明一种电路板的示意图，其中，图中上部为其线路示意图，而图中下部为其线路图对应的截面视图，参见图2，该电路板，包括：
一基板11；
桥接电路12，设置于所述基板11上；
所述桥接电路包括第一金属层50和第二金属层60；
所述第一金属层50和第二金属层60的投影交叉部贯穿并耦合有一桥接金属80。
传统的闸端高密度集成线路处，特别是其桥接电路处，是通过两个过孔，配合透明电极，将位于不同图层的第一金属层和第二金属层桥接在一起的，但是原有的结构由于串联多级，桥接点占用了两个接触过孔的面积，占用的空间太多，空间利用率低；本发明中，由于不再使用两个过孔配合透明电极的结构，而是在第一金属层和第二金属层的投影交叉部贯穿耦合一桥接金属，以连通两者，这样一来，在面积上只相当于原有的大约一半即可完成原来的桥接目的，提高了空间利用率，有利于将窄边框做得更窄；而且，周边GDL电路仅使用第一金属层和第二金属层，不再利用透明电极桥接，有效减少过孔(Via hole)接触不良问题。
本实施例中，桥接金属80可以是第二金属层60的延伸部或相对第二金属层独立的连接件。
第一金属层50下表面与所述电路板上表面的距离小于所述第二金属层60与所述第二金属层60下表面的距离。本方案中，保留了原来需要考虑的电容值的原定的设计值，但是利用桥接金属改变了电容架构，而由于第一金属层下表面与所述电路板上表面的距离小于所述第一金属层下表面与所述第二金属层下表面的距离，根据电容公式可知，相同电容条件下，需要留出的空间变小了，这进一步提高了本方案的空间利用率。
本实施例中，所述第一金属层50下表面与所述电路板上表面的距离是所述第一金属层50与所述第二金属层60下表面的距离的一半。本方案中，保留了原来需要考虑的电容值的原定的设计值，但是利用桥接金属改变了电容架构，而由于第一金属层下表面与所述电路板上表面的距离小于所述第一金属层下表面与所述第二金属层下表面的距离。电容的计算公式为C＝εS/4πkd。其中，ε是一个常数，S为电容极板的正对面积，d为电容极板的距离，k则是静电力常量。常见的平行板电容器，电容为C＝εS/d(ε为极板间介质的介电常数，S为极板面积，d为极板间的距离。根据电容公式可知，相同电容条件下，需要留出的空间只需要一半即可，这进一步提高了本方案的空间利用率。
本实施例中，第一金属层50和第二金属层60的投影交叉部通过一通孔70连通，所述桥接金属80设置在所述通孔70内，并耦合于所述第一金属层50和第二金属层60。本方案中，通过通孔设置该桥接金属，保证连通性。
参考图4、图5，结合图2和图3可知，其中，钝化层的厚度，即第一金属层到电路板上表面的距离可以为2000埃米，而绝缘层厚度，即第一金属层到电路板下表面的距离可以为4000埃米。本实施例中，电路板的上表面对应第一金属层50和第二金属层60的投影交叉部其中一部分设置有第二透明电极30；
所述第一透明电极90避开所述通孔70周围预设距离设置。本方案中，保留除了该通孔周围以外的其他位置的透明电极，保证其他部位电路的畅通，而在通孔及其周围处，由于桥接金属的存在可以保证耦合，并且，该透明电极与需要的电容区31相关，在此处，在保证相同电容调节下，可以适当的将投影交叉部的透明电极的面积进行减少，如此提高空间利用率，而又不担心形成的电容区31过大。
图5是本发明一种电路板的制作方法的流程图，参考图5，结合图2-图4可知，本发明还公开了一种用于形成如本发明任一公开的电路板的制作方法，该方法包括：
S1:在电路板中分别形成第一金属层50和第二金属层60；
S2:所述第一金属层50和第二金属层60的投影交叉部贯穿形成并耦合有一桥接金属80；
所述第一金属层50、第二金属层60和桥接金属80构成电路板上的桥接电路。传统的闸端高密度集成线路处，特别是其桥接电路处，是通过两个过孔70，配合第一透明电极90，将位于不同图层的第一金属层50和第二金属层60桥接在一起的，但是原有的结构由于串联多级，桥接点占用了两个接触过孔70的面积，占用的空间太多，空间利用率低；本发明中，该制作方法得到的闸端高密度集成线路，由于不再使用两个过孔70配合第一透明电极90的结构，而是在第一金属层50和第二金属层60的投影交叉部贯穿耦合一桥接金属80，以连通两者，这样一来，在面积上只相当于原有的大约一半即可完成原来的桥接目的，提高了空间利用率，有利于将窄边框做得更窄；而且，周边GDL电路仅使用第一金属层50和第二金属层60，不再利用透明电极桥接，有效减少过孔70(Via hole)接触不良问题。
本实施例中，所述桥接金属80可以是第二金属层60的延伸部或相对第二金属层60独立的连接件。
在形成第一金属层50和第二金属层60时，使得第一金属层50下表面与所述电路板上表面的距离小于所述第一金属层50下表面与所述第二金属层60下表面的距离。本方案中，保留了原来需要考虑的电容值的原定的设计值，但是利用桥接金属80改变了电容架构，而由于第一金属层50下表面与所述电路板上表面的距离小于所述第一金属层50下表面与所述第二金属层60下表面的距离，根据电容公式可知，相同电容条件下，需要留出的空间变小了，这进一步提高了本方案的空间利用率。
本实施例中，在形成第一金属层50和第二金属层60时，使得第一金属层50上表面与所述电路板上表面的距离小于等于所述第一金属层50与所述第二金属层60下表面的距离的一半。本方案中，保留了原来需要考虑的电容值的原定的设计值，但是利用桥接金属80改变了电容架构，而由于第一金属层50下表面与所述电路板上表面的距离小于所述第一金属层50下表面与所述第二金属层60下表面的距离，根据电容公式可知，相同电容条件下，需要留出的空间只需要一半即可，这进一步提高了本方案的空间利用率。
本实施例中，在所述第一金属层50和第二金属层60的投影交叉部形成一连通的通孔。
在通孔内形成所述桥接金属80，并耦合于第一金属层50和第二金属层60。本方案中，通过通孔设置该桥接金属80，保证连通性。
本实施例中，在所述电路板的上表面，对应第一金属层50和第二金属层60的投影交叉部的其中一部分形成第一透明电极90。
该形成的第一透明电极90避开所述通孔周围预设距离设置。本方案中，保留除了该通孔周围以外的其他位置的第一透明电极90，保证其他部位电路的畅通，而在通孔及其周围处，由于桥接金属80的存在可以保证耦合，并且，该第一透明电极90与需要的电容相关，在此处，在保证相同电容调节下，可以适当的将投影交叉部的第一透明电极90的面积进行减少，如此提高空间利用率，而又不担心形成的电容过大。
本发明的电路板可以适用于电子装置中，电子装置可以是显示面板，但不限于此。
其中，显示面板包括液晶面板、OLED(Organic Light-Emitting Diode)面板、QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes)面板、等离子面板、平面型面板、曲面型面板等。通过应用本发明的电路板，将能够减少其闸极端的占用空间，提高空间利用率，有利于窄边框等技术的实现；当然，在其他类似的电路中也可以应用该电路板，从而在有限的空间内置入更多的电路、实现更多的功能，有利于显示器功能的提升。
以上详细描述了本发明的较佳具体实施例。应当理解，本领域的普通技术人员无需创造性劳动就可以根据本发明的构思作出诸多修改和变化。因此，凡本技术领域中技术人员依本发明的构思在现有技术的基础上通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案，皆应在由权利要求书所确定的保护范围内。

Claims (10)

1.一种电路板，其特征在于，所述电路板包括：
一基板；
桥接电路，设置于所述基板上；
所述桥接电路包括第一金属层和第二金属层；
所述第一金属层和第二金属层的投影交叉部贯穿并耦合有一桥接金属。
2.如权利要求1所述的电路板，其特征在于，所述桥接金属是第二金属层的延伸部或相对第二金属层独立的连接件；
所述第一金属层下表面与所述电路板上表面的距离小于所述第一金属层下表面与所述第二金属层下表面的距离。
3.如权利要求2所述的电路板，其特征在于，所述第一金属层下表面与所述电路板上表面的距离是所述第一金属层与所述第二金属层下表面的距离的一半。
4.如权利要求1所述的电路板，其特征在于，所述第一金属层和第二金属层的投影交叉部通过一通孔连通，所述桥接金属设置在所述通孔内，并耦合于所述第一金属层和第二金属层。
5.如权利要求4所述的电路板，其特征在于，所述电路板的上表面，对应第一金属层和第二金属层的投影交叉部其中一部分设置有第一透明电极；
所述第一透明电极避开所述通孔周围预设距离设置。
6.一种电路板的制作方法，其特征在于，包括：
在电路板中分别形成桥接电路的第一金属层和第二金属层；
所述第一金属层和第二金属层的投影交叉部贯穿形成并耦合有一桥接金属；
所述第一金属层、第二金属层和桥接金属构成电路板上的桥接电路。
7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述桥接金属是第二金属层的延伸部或相对第二金属层独立的连接件；
在形成第一金属层和第二金属层时，使得第一金属层下表面与所述电路板上表面的距离小于所述第一金属层下表面与所述第二金属层下表面的距离。
8.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在形成第一金属层和第二金属层时，使得第一金属层上表面与所述电路板上表面的距离小于等于所述第一金属层与所述第二金属层下表面的距离的一半。
9.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，在所述第一金属层和第二金属层的投影交叉部形成一连通的通孔；
在通孔内形成所述桥接金属，并耦合于第一金属层和第二金属层。
10.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在所述电路板的上表面，对应第一金属层和第二金属层的投影交叉部的其中一部分形成第一透明电极；
形成的所述第一透明电极避开所述通孔周围预设距离设置。
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