CN101393834A - 等离子体显示器面板及具备该面板的图像显示装置 - Google Patents

Abstract

提供一种等离子体显示器面板及具备该面板的图像显示装置，可抑制寻址放电延迟的随时间的恶化，实现明亮、且保证寿命、可稳定驱动、低功耗、高精细、高画质的PDP。在前面基板上具有沿行方向延伸、形成显示线的维持放电电极对，通过以不通过二等分放电单元的沿列方向延伸的中心线的方式，将不与外部电极连接的浮置电极与维持放电电极对配置在同一基板上，增强寻址放电时未受到MgO表面的维持放电造成的溅射影响的区域的局部电位，促进来自该区域的电子放出，抑制寻址放电延迟的恶化。

Description

等离子体显示器面板及具备该面板的图像显示装置

技术领域

本发明涉及一种等离子体显示器面板(Plasma Display Panel：下面也称为等离子体面板或PDP)，尤其涉及包含可降低寻址放电延迟及其恶化、实现高画质的PDP的等离子体面板构造和驱动装置的等离子体显示器装置。

背景技术

近年来，作为大型且厚度薄的彩色显示装置，等离子体显示器装置受到人们的期待。尤其是使显示放电在设置在同一基板上的电极间发生、且交流驱动的交流(AC)面内放电型PDP，由于构造的单纯与高可靠性，是最推进实用化的方式。下面，说明现有技术的AC面内放电型PDP的实施方式。

图2是表示一般的AC面放电型PDP的构造一部分的分解斜视图的实例。图中示出的PDP使由玻璃基板构成的前面基板21与背面基板28贴合后一体化，是在背面基板28侧形成了红(R)、绿(G)、蓝(B)等各荧光体层32的反射型PDP。前面基板21具有在与背面基板28对置的面上间隔规定距离平行地形成的一对维持放电电极(也称为显示电极)。该一对维持放电电极由透明的共用电极(下面简称为X电极。)(22-1、22-2......)、和透明的独立电极(下面简称为Y电极或扫描电极。)(23-1、23-2......)构成。另外，沿图2的箭头D2的方向(行方向)延长，在X电极(22-1、22-2......)上设置用于补偿透明电极的导电性的不透明的X总线电极(24-1、24-2......)，在Y电极(23-1、23-2......)上设置Y总线电极(25-1、25-2......)。另外，X电极(22-1、22-2......)、Y电极(23-1、23-2......)、X总线电极(24-1、24-2......)和Y总线电极(25-1、25-2......)为了AC驱动而与放电绝缘。即，这些电极由通常由低融点玻璃层构成的电介质层26覆盖，该电介质层26被保护膜27覆盖。

背面基板28在与前面基板21对置的面上，具备与前面基板21的X电极(22-1、22-2......)和Y电极(23-1、23-2......)成直角立体交叉的寻址电极(下面简称为A电极。)29，该A电极29被电介质层30覆盖。该A电极29沿图2的箭头D1方向(列方向)延长设置。在该电介质30上，设置分隔A电极29之间以防止放电拓宽(规定放电的区域)的隔壁(肋)31。以覆盖该隔壁31间的沟面的方式，将发出红、绿、蓝光的各荧光体层32依次涂布成带状。

图3是表示从图2中的箭头D2方向看到的PDP截面构造的主要部分截面图，表示作为象素最小单位的1个放电单元。图中，放电单元的边界大致是由虚线表示的位置。33表示放电空间，填充用于生成等离子体的放电气体。若向电极间施加电压，则因放电气体的电离而发生等离子体10。图3模式地表示发生等离子体10的状态。来自该等离子体的紫外线激励荧光体32使之发光，来自荧光体32的发光透过前面基板21，由来自各个放电单元的发光构成显示器画面。

图4模式地表示图3中的等离子体10中的荷电粒子(具有正或负电荷的粒子)的运动。图4中的3表示具有负电荷的粒子(例如电子)，4表示具有正电荷的粒子(例如正离子)，5表示正壁电荷，6表示负壁电荷。这表示PDP驱动中某个时刻的电荷状态，对电荷配置没有特别意义。

图4中，作为实例，表示向Y电极23-1施加负电压、向A电极29与X电极22-1(相对地)施加正电压后，放电发生、结束的模式图。结果，形成构成用于开始Y电极23-1与X电极22-1之间的放电的辅助的壁电荷(将其称为写入)。在该状态下，若向Y电极23-1与X电极22-1之间施加适当的逆电荷，则经电介质层26(和保护膜27)，在两个电极间的放电空间中引起放电。若在放电结束后使Y电极23-1与X电极22-1的施加电压变为相反的电压，则重新发生放电。通过重复上述动作，可持续地形成放电。将其称为维持放电。

图5是表示在图2所示的PDP中显示1幅画面所需的1TV场期间的动作图。图5(a)是时间图。如(I)所示，1TV场期间40被分割成多个具有不同发光次数的子场41-48。利用每个子场的发光与非发光的选择，表现灰度。各子场如(ID所示，由复位期间49、规定发光单元的寻址放电期间50、维持放电期间51构成。

图5(B)表示在图5(A)的寻址放电期间50中施加于A电极、X电极和Y电极的电压波形。波形52是寻址放电期间50中施加于1条A电极的电压波形，波形53是施加于X电极的电压波形，54、55是施加于Y电极的第i个与第(i+1)个上的电压波形，将各个电压设为V0、V1、V2(V)。图5(B)中将施加于A电极的电压脉冲幅度表示为t_a。根据图5(B)，当向Y电极的第i行施加扫描脉冲56时，在位于与A电极29的交点的单元中引起寻址放电。另外，当向Y电极的第i行施加扫描脉冲56时，若A电极29是接地电位(GND)，则不引起寻址放电。这样，在寻址放电期间50中，向Y电极施加1次扫描脉冲，在A电极29中，对应于扫描脉冲，在发光单元为V0，在非发光单元为接地电位。在引起该寻址放电的放电单元中，放电产生的电荷形成于覆盖Y电极的电介质层和保护膜的表面中。利用由该电荷发生的电场的帮助，可控制后述的维持放电的接通截止。即，引起寻址放电的放电单元变为发光单元，此外的单元变为非发光单元。

图5(C)表示在图5(A)的维持放电期间51期间向作为维持放电电极的X电极与Y电极之间一齐施加的电压脉冲。向X电极施加电压波形58，向Y电极施加电压波形59。通过都交互施加相同极性的电压V3(V)的脉冲，X电极与Y电极之间的相对电压重复反转。将在此期间X电极与Y电极之间的放电气体中引起的放电称为维持放电。这里，脉冲地交互执行维持放电。

另外，就电极构造而言，如专利文献1、专利文献2所示，为了改善亮度、降低放电开始电压、降低制造成本、提高画质，还提议在X电极与Y电极内侧、平行于X电极与Y电极使用浮置电极的构造。并且，如专利文献3所示，为了有效防止邻接的放电单元间的放电干扰、进行稳定的图像显示，还提议在与隔壁对置的部分中使用浮置电极的构造。另外，如专利文献4、专利文献5所示，还提议用作扫描电极的维持放电电极与寻址电极相对置的面积比未用作扫描电极的维持放电电极与寻址电极相对置的面积大的构造。

专利文献1：日本特开2006-216556号公报

专利文献2：日本特开2006-147538号公报

专利文献3：日本特开2001-216902号公报

专利文献4：日本特开2001-6564号公报

专利文献5：日本特开2002-343257号公报

在要实现明亮、且保证寿命、可稳定驱动、低功耗、高精细、高画质的PDP的情况下，寻址放电延迟成为问题。若寻址放电延迟增大，则寻址放电失败，之后不能继续维持放电，产生画面的闪烁。并且，随着长时间的PDP驱动，还产生寻址放电延迟增大等问题(随时间恶化)。即，若使长时间的PDP点亮，则产生画面的闪烁，导致画质下降。

如专利文献1、专利文献2所示，提议在X电极与Y电极内侧、平行于X电极与Y电极地使用浮置电极的构造。但是，在这种构造中，为了辅助维持放电，以横切放电单元中心部的形式配置浮置电极，所以引起维持放电造成的浮置电极上的MgO表面恶化，不能抑制寻址放电延迟的随时间恶化。另外，如专利文献3所示，即便在与隔壁对置的部分中使用浮置电极，也不能改善寻址放电延迟的恶化。并且，如专利文献4、专利文献5所示，即便用作扫描电极的维持放电电极与寻址电极相对置的面积比未用作扫描电极的维持放电电极与寻址电极相对置的面积大，也由于未在适当的场所配置浮置电极，所以得不到浮置电极的效果。

发明内容

本发明鉴于上述情况做出，其目的在于提供一种通过改善寻址放电延迟的随时间恶化，从而实现明亮、且保证寿命、可稳定驱动、低功耗、高精细、高画质的PDP。

如下所示说明本说明书中公开的发明中、代表性的特征的概要。

(1)一种等离子体显示器面板，其特征在于：至少具备多个放电单元和在该多个放电单元之间进行划分的隔壁，该多个放电单元分别至少具备：前面基板；总线电极；维持放电电极对，形成于前面基板上，沿总线电极的短边方向并设，形成显示线；覆盖该维持放电电极对的电介质层；背面基板；和寻址电极，形成于背面基板上，与维持放电电极对相对置，沿总线电极的短边方向延伸，以不通过二等分放电单元的、沿总线电极的短边方向延伸的中心线的方式，将浮置电极与维持放电电极对配置在同一基板上。

(2)在(1)所述的等离子体显示器面板中，其特征在于：上述浮置电极的一个总线电极的长边方向的长度为放电单元去除隔壁后的总线电极长边方向的宽度的20％以下。

(3)在(1)所述的等离子体显示器面板中，其特征在于：上述浮置电极由透明导电膜或金属膜形成。

(4)在(1)所述的等离子体显示器面板中，其特征在于：上述浮置电极与维持放电电极对形成于同一层中。

(5)在(1)所述的等离子体显示器面板中，其特征在于：上述浮置电极与维持放电电极对由相同材料形成。

(6)在(1)所述的等离子体显示器面板中，其特征在于：上述电介质层由玻璃层和覆盖该玻璃层的MgO膜形成。

(7)在(1)所述的等离子体显示器面板中，其特征在于：上述浮置电极向总线电极长边方向上邻接的相邻放电单元连续地形成。

(8)在(1)～(7)之一所述的等离子体显示器面板中，其特征在于：上述维持放电电极对与浮置电极之间的最短距离是电介质层的厚度的一半。

(9)在(1)～(8)之一所述的等离子体显示器面板中，其特征在于：上述电介质层的厚度为25微米以下。

(10)在(1)～(9)之一所述的等离子体显示器面板中，其特征在于：形成寻址电极，以使得上述浮置电极、和上述寻址电极的向上述总线电极的长边方向和与上述总线电极的短边方向垂直的方向的投影分量重合。

(11)一种等离子体显示器面板，其特征在于：至少具备多个放电单元和在该多个放电单元之间进行划分的隔壁，该多个放电单元分别至少具备：前面基板；总线电极；维持放电电极对，形成于前面基板上，沿总线电极的短边方向并设，形成显示线；电介质层，维持放电电极对相互隔着规定间隙相对置，该电介质层覆盖上述维持放电电极对；背面基板；和寻址电极，形成于背面基板上，与维持放电电极对相对置，沿总线电极的短边方向延伸，在上述间隙以外的区域中，形成浮置电极。

(12)在(11)所述的等离子体显示器面板中，其特征在于：上述浮置电极由透明导电膜或金属膜形成。

(13)在(11)所述的等离子体显示器面板中，其特征在于：上述浮置电极与维持放电电极对形成于同一层中。

(14)在(11)所述的等离子体显示器面板中，其特征在于：上述浮置电极与维持放电电极对由相同材料形成。

(15)在(11)所述的等离子体显示器面板中，其特征在于：上述电介质层由玻璃层和覆盖该玻璃层的MgO膜形成。

(16)在(11)所述的等离子体显示器面板中，其特征在于：上述浮置电极向总线电极长边方向上邻接的相邻放电单元连续地形成。

(17)在(11)～(16)之一所述的等离子体显示器面板中，其特征在于：上述维持放电电极对与浮置电极之间的最短距离是电介质层的厚度的一半。

(18)在(11)～(17)之一所述的等离子体显示器面板中，其特征在于：上述电介质层的厚度为25微米以下。

(19)在(11)～(18)之一所述的等离子体显示器面板中，其特征在于：形成寻址电极，以使得上述浮置电极、和上述寻址电极的向与上述总线电极的长边方向和上述总线电极的短边方向垂直的方向的投影分量重合。

(20)一种使用(1)～(19)之一所述的等离子体显示器面板的图像显示系统。

发明效果

通过适用本发明，可提供一种可改善寻址放电延迟的随时间恶化，明亮、且保证寿命、可稳定驱动、低功耗、高精细、高画质的PDP。

附图说明

图1是表示本发明一实施例的PDP的一个放电单元或一个放电单元的一部分的图。

图2是表示现有构造的AC面内放电方式PDP构造的一部分的分解斜视图。

图3是图2的PDP构造的截面图。

图4是模式地表示图3所示的等离子体10中的荷电粒子运动的图。

图5是表示在PDP中显示1幅画面的1TV场期间动作的图。

图6是表示放电延迟的原理的图。

图7是表示放大后观察MgO表面状态的状态结果的图。图7(A)是寿命试验前的MgO表面的状态，图7(B)是寿命试验后恶化的部分的状态。

图8是表示放电单元内的放电痕迹的状态图。图8(A)是寿命试验前的放电单元内的状态，图8(B)是寿命试验后的放电单元内的状态。

图9表示图1的前面基板21中的截面图。图9(A)是由T-T’的点划线表示的截面图，图9(B)是由U-U’的点划线表示的截面图，图9(C)是由V-V’的双点划线表示的截面图，图9(D)是由W-W’的双点划线表示的截面图。

图10是表示本发明一实施例的PDP的一个放电单元或一个放电单元的一部分的图，是表示放电痕迹的状态图。图10(A)是h1为32微米、图10(B)是h1为15微米的情况。

图11是表示保护膜表面上的电位分布的计算结果的图。图11(A)是h1为32微米、图11(B)是h1为15微米的情况。

图12是使h1变化、测定寿命试验后的种电子的个数M₀的结果图。

图13是表示dn_min与h1的最佳关系的图。

图14是表示本发明一实施例的PDP的放电单元或放电单元的一部分的图。

图15是表示本发明一实施例的PDP的放电单元或放电单元的一部分的图。

图16是表示本发明一实施例的PDP的放电单元或放电单元的一部分的图。

图17是表示本发明一实施例的PDP的放电单元或放电单元的一部分的图。

图18是表示本发明一实施例的PDP的放电单元或一个放电单元的放电间隙的图。

图19是表示使用PDP的图像显示系统的图。

符号说明

3...具有负电荷的粒子(例如电子)，4...具有正电荷的粒子(例如正离子)，5...正壁电荷，6...负壁电荷，10...等离子体，21...前面玻璃基板，22-1、22-2...X电极，23-1、23-2...Y电极，24-1、24-2...X总线电极，25-1、25-2...Y总线电极，26...电介质层，27...保护膜，28...背面玻璃基板，29...A电极，30...电介质层，31...隔壁(肋)，32...荧光体，33...放电空间，35...寻址电极，40...TV场，41～48...子场，49...复位期间，50...写入放电期间，51...维持放电期间，52...施加于1条A电极的电压波形，53...施加于X电极的电压波形，54...施加于Y电极第i个上的电压波形，55...施加于Y电极第i+1个上的电压波形，56...施加于Y电极第i个上的扫描脉冲，57...施加于Y电极第i+1个上的扫描脉冲，58...施加于X电极上的电压波形，59...施加于Y电极上的电压波形，60...放电发光波形，61...非放电痕迹部，62...放电痕迹部，65...浮置电极，66...放电间隙，100...等离子体显示器面板或PDP，101...驱动电路，102...等离子体显示器装置(图像显示装置)，103...映像源，104...图像显示系统

具体实施方式

下面，参照附图来详细说明本发明的实施例。在说明实施例的全部图中，具有相同功能的要素附加相同符号，省略其重复说明。

首先，记述寻址放电延迟。图6中示出表示寻址放电延迟的状态的模式图。寻址放电延迟t_d是从施加电压波形到引起寻址放电的时间。另外，将寻址放电延迟分割成形成延迟t_f与统计延迟t_s，如下定义。

[式1]

t_d＝t_f+t_s       (1)

这里，形成延迟t_f是从发生了构成放电种的种电子的时刻至形成放电的时间，统计延迟t_s是从向电极间施加放电开始电压以上的电压的时刻至发生种电子的时间。另外，如图6所示，寻址放电延迟在重复执行同一测定的情况下具有偏差的分布。因此，在根据实验结果求放电延迟的情况下，如下求出。即，若将在时刻t_i引起放电的频度设为n(t_i)，在时刻t之前引起放电的次数设为N(t)，则如下所示。

[式2]

$N\left(t\right)=\underset{t_i}{\overset{t}{\mathrm{\Σ}}}n\left(t_i\right)---\left(2\right)$

这里，若设测定次数为N₀，则形成延迟t_f与统计延迟t_s如下所示。

[式3]

1-N(t)/N₀＝exp(-(t-t_f)/t_s)      (t≥tx_f)    (3)

因此，将取实验得到的1-N(t)/N₀的对数之后的结果绘制成t的函数，可根据该切片与斜率求出形成延迟t_f与统计延迟t_s。如图6所示，形成延迟对应于多次测定中开始放电分布前的时间，统计延迟是对应于放电分布幅度的时间。该形成延迟t_f与统计延迟t_s是为了理解放电延迟现象所需的量。

另外，在(3)式中，在统计延迟t_s充分大的情况下，可求出不取决于形成延迟的摇摆分量、即壁电荷形成的偏差或种电子发生位置的偏差引起的形成延迟的摇摆分量的统计延迟分量。即，若作为

[式4]

H(t)＝1-N(t)/N₀        (4)

H(t)充分大，作为不受形成延迟的摇摆分量影响的时间H(t)为0.6的时间以上，设H(t)为0.6的时间为t_{_0.6}，H(t)为0.99的时间为t_{_0.99}，则统计延迟t_s如下所示。

[式5]

[式6]

[式7]

$t_s=({t\_}_{0.99}-{t\_}_{0.6})/\ln \frac{H\left(t_{\_0.6}\right)}{H{(}_{\_0.99})}---\left(7\right)$

这里，如图6所示，若将施加于寻址电极的电压脉冲的幅度设为t_a，则当多次测定中的放电在t_a时间内完全未引起，则寻址放电失败，会发生显示闪烁，所以必需将全部放电收纳于寻址脉冲内。

并且，在使PDP连续驱动、点亮的寿命试验中，寻址放电延迟、尤其是统计延迟大大地增大。由此，全部放电不会收纳于寻址脉冲内，会发生显示闪烁。

详细研究该寿命试验中的恶化机制。如上所述，统计延迟是从向电极间施加了放电开始电压以上的电压的时刻起、至发生种电子的时间。通过在MgO中的价电子带与传导带之间，存在于比导体稍低的地方的补充到陷阱能级的电子，因电场效应或俄歇过程飞出到放电空间中，发生构成放电种的种电子。通过在寻址放电前的放电中向MgO照射真空紫外线，或向MgO冲击荷电粒子，向陷阱能级补充电子。距该寻址放电前的放电的经过时间越长，则补充到陷阱能级的电子数量越少，从MgO表面发生的种电子数量越少。

该种电子的数量如下求出。若设利用寻址放电前的放电生成的种电子数量为M₀，设单一种电子发生(被陷波的电子减少)的时间常数为τ，则距上次放电的经过时间为t时的种电子的数量M(t)如下所示。

[式8]

M(t)＝M₀exp(-t/τ)        (8)

这里，若使用M(t)与τ，则实验得到的统计延迟t_s如下所示。

[式9]

t_s＝τ/M(t)  (9)

因此，根据式(8)、式(9)，如下所示。

[式10]

1n(1/t_s)＝1n(M₀/τ)-t/τ    (10)

这里，若使距寻址放电前的放电的经过时间t变化后测定并绘制统计延迟t_s，则可根据该切片与斜率求出M₀与τ。

结果，可知由寻址放电前的放电生成的种电子数量M₀为1.0×10⁶，单一种电子发生的时间常数τ为90msec。并且，在1000小时、70kHz连续点亮之后，M₀为5.0×10⁴，τ为90msec。即，可知单一种电子发生的频度1/τ不变，由寻址放电前的放电生成的种电子数量变为1/20。如上所述，种电子通过补充到陷阱能级的电子飞出到放电空间中来发生，电子补充到陷阱能级通过在寻址放电前的放电中向MgO照射真空紫外线或向MgO冲击荷电粒子来进行。这里，即便在1000小时、70kHz连续点亮之后，放电的强度也基本不变，所以可知用于使电子补充到陷阱能级的真空紫外线或荷电粒子的能量强度不会减少。即，放出到放电空间的种电子数量减少是因陷阱能级本身的数量减少引起的。如上所述，可知通过寿命试验统计延迟变大是由于MgO中的陷阱能级的数量减少，从MgO放出的种电子的数量减少。

下面，调查引起MgO中的陷阱能级数量减少的主要原因。图7中表示将寿命试验前后的MgO表面状态的情况放大到5万倍后观察的结果。图7(A)是寿命试验前的MgO表面的状态，图7(B)是寿命试验后恶化的部分的状态。可知图7(A)的表面上残留整齐的MgO的结晶，另一方面，图7(B)的表面变为鳞状，丧失结晶性。如上所述，陷阱能级形成于比MgO结晶的带构造导体稍低的地方，为了存在这种基准，必需MgO变为结晶。寿命试验后丧失结晶性是由于等离子体中的离子冲击MgO表面，结晶被破坏。

图8中表示观察放电单元内的MgO表面状态的分布状态的结果。图8(A)是寿命试验前的放电单元内的状态，图8(B)是寿命试验后的放电单元内的状态。X电极、Y电极形成T字形状，但也可不是T字形。如图所示，一对维持放电电极(X电极22-1与Y电极23-1)夹持规定间隙面对。将夹持在该两个电极间的间隙称为放电间隙66。图18中示出放电间隙66的一例。图中，放电间隙由网纹表示。

在寿命试验后，如图8(B)所示，可知在电极上及其周边，存在称为放电痕迹的痕迹。该部分是图7(B)所示的MgO表面丧失结晶性的部分。设放电单元内未被肋遮蔽、有效发生放电生长的区域为有效放电区域。

在有效放电区域中，生成这种放电痕迹的区域是整体的65％。即，可知剩余的35％残留图7(A)所示的整齐的MgO结晶。

这里，如上所述，根据因寻址放电前的放电生成的来自MgO表面的种电子的数量变为1/20，上述有效放电区域的整齐的MgO结晶残留35％来判断，可知寻址放电时发生的种电子主要从放电痕迹的部分、即电极上及其周边的MgO发生，从未形成电极的部分、即寻址放电时电极上几乎未施加强电场的部分的MgO基本上未放出种电子。

因此，若向形成放电痕迹的部分以外的区域、即残留整齐的MgO结晶的区域有效地施加电场，则可使种电子有效地发生，改善放电延迟。

根据以上考虑，实施以下的实验。

【实施例1】

图1表示涉及本发明的实施方式的一例，是表示1个放电单元的电极构造的图。如图1所示，在放电单元内配置未与电路连接的电极。下面将其称为浮置电极65。该浮置电极还包含仅仅接地(地)电位。制作具有这种电极形状的42型PDP，并将图8(A)所示的电极构造的PDP作为比较对象，进行评价。制作这些PDP的电介质层26的厚度为32微米的PDP。另外，制作X电极22-1和X总线电极24-1、与X电极侧的浮置电极65的最接近的最短距离为16微米、同样Y电极23-1和Y总线电极25-1与Y电极侧的浮置电极65的最接近的最短距离为16微米的PDP。

结果如表1所示。表中所示的寻址放电延迟t_d、形成延迟t_f、统计延迟t_s为距上次放电的经过时间t为16ms的值。另外，是寿命试验的点亮时间为1000小时、70kHz的结果。

[表1]

从表可知，在现有构造中，种电子的数量M₀在1000小时寿命试验后变为1/20，所以统计延迟t_s为4.45μs，非常大，会发生基于寻址错误的显示闪烁。另一方面，根据本发明的电极构造，可知1000小时寿命试验后的种电子的数量M₀仅为1/4，统计延迟t_s大幅度降低为0.88μs。因此，若使用本发明的电极构造，则可充分进行寻址放电，不发生显示闪烁，保证显示性能。这样，若使用本发明的电极构造，则寻址放电延迟、尤其是统计延迟的随时间的变化可降低，其理由如下。

如上所述，寿命试验后种电子的数量M₀减少是由于MgO的结晶被破坏，与电子放出有关系的陷阱能级减少。另外，为了从MgO结晶未被破坏的部分放出电子，必需施加强电场。另外，必需向MgO表面的细微构造的顶端局部施加强电场。根据本发明的电极构造，X电极和Y电极上的MgO因维持放电而被溅射，结晶被破坏，但由于浮置电极上的MgO与电路绝缘，所以不因维持放电而被溅射，寿命试验后也残留整齐的结晶。并且，还因为寻址放电时，因静电感应而在MgO表面感应电场(包含局部强的电场)，促进种电子发生，所以使种电子有效发生，这即便在寿命试验后也维持。

图9表示图1的截面图。图9(A)是由T-T’的点划线表示的截面图，图9(B)是由U-U’的点划线表示的截面图，图9(C)是由V-V’的双点划线表示的截面图，图9(D)是由W-W’的双点划线表示的截面图。这里，dn(n＝1、2...12)如图所示，表示X电极22-1或X总线电极24-1或Y电极23-1或Y总线电极25-1与浮置电极26的最短距离。另外，h1表示电介质层26的厚度。对电介质层的厚度和dn的长度的研究结果在实施例2中说明。

上述浮置电极65由与X电极22-1和Y电极23-1相同的材料形成，但也可是与X总线电极24-1、Y总线电极25-1相同的材料。并且，只要是引起静电感应的材料，则可以是任何材料。如图所示，浮置电极65与X电极22-1和Y电极23-1形成于同一层中，但也可与X总线电极24-1、Y总线电极25-1形成于同一层中。或者，也可以形成于电介质层26与保护膜27之间。

【实施例2】

图10表示本发明实施方式的一例，是表示一个放电单元的电极构造的图。如图所示，在放电单元内将与电路绝缘的电极配置成浮置。表示1000小时、70kHz寿命试验后的放电痕迹部62的状态。图10(A)是h1为32微米的PDP，图10(B)是h1为15微米的PDP情况。

从图可知，在h1为32微米的情况下，放电痕迹部62从电极上染出。另一方面，在h1为15微米的情况下，放电痕迹部62基本重合于电极上。这样，即便电极形状相同，若h1不同，则放电痕迹部的形状不同的理由如下。

若向X电极和Y电极施加电压，则经电介质层26和保护层27在放电空间中形成电位。图11中示出表示保护膜表面上的电位分布的计算结果的图。图11(A)是h1为32微米的情况，图11(B)是h1为15微米的情况。从图中可知，在电介质层26薄的情况下，放电空间(或保护层27表面)的电位分布强烈反映电极形状。由此，等离子体中的离子激烈冲击电极上的MgO表面。另一方面，在电介质层26厚的情况下，放电空间(或保护层27表面)的电位分布在空间上衰减(なまり)，等离子体中的离子冲击电极上及其周边的MgO表面。因此，也产生了放电痕迹部62从电极上稍稍染出的部位。

这里，也可不引起基于浮置电极65上的MgO的离子冲击的溅射。因此，使h1变化，测定寿命试验后的种电子的数量M₀。dn的长度为16微米。图12示出结果。使h1变化为42微米、32微米、25微米、15微米、8微米。若电介质层变薄，则可知种电子的数量M₀增大。另外，从图中可知，若电介质层为25微米以上，则种电子的数量M₀急剧变小。这是因为放电空间(或保护层27表面)的电位分布衰减变大。

这里，设最小的dn为dn_min。研究当使h1变化时的dn_min的最佳范围。如上所述，在电介质层26厚的情况下，放电空间(或保护层27表面)的电位分布在空间上衰减，等离子体中的离子冲击电极上及其周边的MgO表面，放电痕迹部62从电极上染出。调查该染出长度与h1的关系。结果，可知染出长度为h1的一半左右。因此，dn_min最好比h1的一半长，若比h1的一半短，则会强烈受到基于离子冲击的溅射的影响。因此，可知dn_min与h1的最佳关系。即如下式所示。另外，图13中作为斜线部示出。

[式11]

$\begin{array}{cc}{\mathrm{dn}}_{\min }\≥\frac{h1}{2}& (n=\mathrm{1,2},.....12)\end{array}---\left(11\right)$

如图14所示，制作在放电单元内配置浮置电极的PDP。h1为25微米，dn_min为13微米。如图所示，P-P’的虚线平行于隔壁31(垂直于X总线电极24-1和Y总线电极25-1)，Q-Q’的虚线与X总线电极24-1和Y总线电极25-1水平，通过放电单元的中心点。图14(A)制作通过放电单元的中心配置浮置电极65的PDP，图14(B)制作二等分浮置电极65、配置在沿Q-Q’距放电单元的中心有效放电区域的最远位置的PDP。这里，图14(A)的浮置电极65的面积与图14(B)的两个浮置电极65结合后的面积相同。执行1000小时、70kHz的寿命试验。

结果，图14(A)所示的PDP中，在寿命试验后，种电子的数量M₀与无浮置电极65的构造下的结果几乎相同。若仔细观察图14(A)所示的放电单元内的浮置电极65上的MgO表面状态，则发现放电痕迹，MgO表面的状态如图7(B)所示，丧失结晶性。这是由于如图14(A)所示，若在P-P’和Q-Q’的交点、即放电单元的中心配置浮置电极，则维持放电时即便在浮置电极65上也会产生放电，离子冲击，引起MgO表面恶化。

另一方面，在图14(B)所示的PDP中，具有在寿命试验后，种电子的数量M₀是无浮置电极65的构造下的值的3倍的效果。若观察图14(B)所示的放电单元内的浮置电极65上的MgO表面状态，则基本上看不到放电痕迹。MgO表面的状态如图7(A)所示，基本上未丧失结晶性。这是因为如图14(B)所示，通过从P-P’和Q-Q’的交点、即放电单元的中心离开，接近隔壁的位置配置浮置电极，在维持放电时不在浮置电极65上引起放电，可防止MgO表面恶化。但是，与浮置电极位于X电极22-1和Y电极23-1之间的放电间隙之间相比，如图1所示的构造那样，位于放电间隙与X总线电极24-1或Y总线电极25-1之间的该浮置电极65的效果更大。这从上述寿命试验后的种电子的数量M₀的比较可知。

浮置电极65的Q-Q’方向的长度(沿Q-Q’从隔壁31指向放电单元中心的长度)相对于有效放电区域内的Q-Q’方向的长度(有效放电区域内的隔壁31间的长度)，期望分别从两侧为20％。若为20％以上，则会受到维持放电下的放电溅射的影响。另外，图14(B)所示的构造的情况下，上述式(11)也成立。

并且，在本实施例中，设浮置电极65的形状为长方形，但当然也可是图15(A)所示的形状，或是圆形、椭圆、梯形、多边形等形状，效果相同。并且，即便配置在图15(B)所示的位置，效果也相同。并且，如图15(C)和(D)所示，浮置电极也可与邻接的放电单元相连。另外，X电极22-1、Y电极23-1也可以是图15(E)、(F)、(G)、(H)所示的形状。并且，如图13(I)所示，相互邻接的单元也可以是具有共同的X总线电极24-1、Y总线电极25-1的电极构造。另外，也可以是隔壁31划分放电单元这样的具有沿与X总线电极24-1和Y总线电极25-1水平的方向形成的BOX型隔壁构造的放电单元。

【实施例3】

图16表示本发明实施方式的一例，是表示一个放电单元的电极构造的图。该电极构造配置寻址电极，使与Y电极23-1和浮置电极65相对置的寻址电极35的重合变大。图16(A)是在图1中增加了寻址电极的结构。制作具有这种电极构造的42型PDP。电介质层26的厚度为25微米。对该PDP执行1000小时、70kHz的寿命试验。结果，寿命试验后的种电子的数量M₀变为7.3×10⁵。另一方面，图15(B)所示的构造为比较对象，形成寻址电极，使寻址电极与X电极22-1侧的浮置电极65不重合。这种电极构造中的寿命试验后的种电子的数量M₀为4.9×10⁵。根据以上结果，可知对置的浮置电极与寻址电极的重合越大，则寿命试验后的种电子的数量越大。因此，通过增大浮置电极与寻址电极的重合，可降低寻址放电延迟的随时间的变化。

并且，如图17(A)、图17(B)、图17(C)所示(分别对应于图15(E)、图15(G)、图15(H))，可知通过配置寻址电极，使Y电极23-1和浮置电极与寻址电极35的重合变大，从MgO表面产生的种电子的数量增大的效果一样。上述构造是一例，只要配置成Y电极23-1和浮置电极65与寻址电极35的重合变大，则可以是任何形状。

【实施例4】

图19是表示使用上述说明的本发明实施方式所示的PDP的等离子体显示器装置和在其上连接映像源的图像显示系统的一例。驱动电源(也称为驱动电路)接收来自映像源的显示画面的信号，将其变换为PDP的驱动信号后，驱动PDP。

Claims (19)

1、一种等离子体显示器面板，其特征在于：

至少具备多个放电单元和在该多个放电单元之间进行划分的隔壁，该多个放电单元分别至少具备：前面基板；总线电极；维持放电电极对，形成于前面基板上，沿总线电极的短边方向并设，形成显示线；覆盖该维持放电电极对的电介质层；背面基板；和寻址电极，形成于背面基板上，与维持放电电极对相对置，沿总线电极的短边方向延伸，

以不通过二等分放电单元的、沿总线电极的短边方向延伸的中心线的方式，将浮置电极与维持放电电极对配置在同一基板上。

2、根据权利要求1所述的等离子体显示器面板，其特征在于：

上述浮置电极的一个总线电极的长边方向的长度为放电单元去除隔壁后的总线电极长边方向的宽度的20％以下。

3、根据权利要求1所述的等离子体显示器面板，其特征在于：

上述浮置电极由透明导电膜或金属膜形成。

4、根据权利要求1所述的等离子体显示器面板，其特征在于：

上述浮置电极与维持放电电极对形成于同一层中。

5、根据权利要求1所述的等离子体显示器面板，其特征在于：

上述浮置电极与维持放电电极对由相同材料形成。

6、根据权利要求1所述的等离子体显示器面板，其特征在于：

上述电介质层由玻璃层和覆盖该玻璃层的MgO膜形成。

7、根据权利要求1所述的等离子体显示器面板，其特征在于：

上述浮置电极向总线电极长边方向上邻接的相邻放电单元连续地形成。

8、根据权利要求1所述的等离子体显示器面板，其特征在于：

上述维持放电电极对与浮置电极之间的最短距离是电介质层的厚度的一半。

9、根据权利要求1所述的等离子体显示器面板，其特征在于：

上述电介质层的厚度为25微米以下。

10、根据权利要求1所述的等离子体显示器面板，其特征在于：

形成寻址电极，以使得上述浮置电极、和上述寻址电极的向上述总线电极的长边方向和与上述总线电极的短边方向垂直的方向的投影分量重合。

11、一种等离子体显示器面板，其特征在于：

至少具备多个放电单元和在该多个放电单元之间进行划分的隔壁，该多个放电单元分别至少具备：前面基板；总线电极；维持放电电极对，形成于前面基板上，沿总线电极的短边方向并设，形成显示线；电介质层，维持放电电极对相互隔着规定间隙相对置，该电介质层覆盖上述维持放电电极对；背面基板；和寻址电极，形成于背面基板上，与维持放电电极对相对置，沿总线电极的短边方向延伸，

在上述间隙以外的区域中，形成浮置电极。

12、根据权利要求11所述的等离子体显示器面板，其特征在于：

上述浮置电极由透明导电膜或金属膜形成。

13、根据权利要求11所述的等离子体显示器面板，其特征在于：

上述浮置电极与维持放电电极对形成于同一层中。

14、根据权利要求11所述的等离子体显示器面板，其特征在于：

上述浮置电极与维持放电电极对由相同材料形成。

15、根据权利要求11所述的等离子体显示器面板，其特征在于：

上述电介质层由玻璃层和覆盖该玻璃层的MgO膜形成。

16、根据权利要求11所述的等离子体显示器面板，其特征在于：

上述浮置电极向总线电极长边方向上邻接的相邻放电单元连续地形成。

17、根据权利要求11所述的等离子体显示器面板，其特征在于：

上述维持放电电极对与浮置电极之间的最短距离是电介质层的厚度的一半。

18、根据权利要求11所述的等离子体显示器面板，其特征在于：

上述电介质层的厚度为25微米以下。

19、根据权利要求11所述的等离子体显示器面板，其特征在于：

形成寻址电极，以使得上述浮置电极、和上述寻址电极的向与上述总线电极的长边方向和上述总线电极的短边方向垂直的方向的投影分量重合。

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