CN101376967A - 有机金属化合物供给容器 - Google Patents
有机金属化合物供给容器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101376967A CN101376967A CNA2008102149354A CN200810214935A CN101376967A CN 101376967 A CN101376967 A CN 101376967A CN A2008102149354 A CNA2008102149354 A CN A2008102149354A CN 200810214935 A CN200810214935 A CN 200810214935A CN 101376967 A CN101376967 A CN 101376967A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- carrier gas
- container
- organometallic compound
- carrier
- organic metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 title claims description 21
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 87
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims abstract description 81
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 5
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 5
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 4
- -1 zn cpds Chemical class 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GFGAOQYLPGMLRJ-UHFFFAOYSA-N CBrC Chemical compound CBrC GFGAOQYLPGMLRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 125000003963 dichloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- DJYALRJDNXBDCR-UHFFFAOYSA-M ethane;iodozinc(1+) Chemical compound [CH2-]C.I[Zn+] DJYALRJDNXBDCR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 150000002259 gallium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011491 glass wool Substances 0.000 description 1
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002472 indium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- RGCLLPNLLBQHPF-HJWRWDBZSA-N phosphamidon Chemical compound CCN(CC)C(=O)C(\Cl)=C(/C)OP(=O)(OC)OC RGCLLPNLLBQHPF-HJWRWDBZSA-N 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- BSRUTWLOBPCVAB-UHFFFAOYSA-N trimethylindigane;trimethylphosphane Chemical class CP(C)C.C[In](C)C BSRUTWLOBPCVAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/28556—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明提供一种有机金属化合物供给容器,在容器上部配设载气导入管的前端部,在底部配设载气导出管的前端部,且在该容器内填充载体担载有机金属化合物而构成,该载体担载有机金属化合物是在相对于有机金属化合物为惰性的载体上被覆常温下固体的有机金属化合物而构成,其特征在于,以由载气导入管的前端部供给的载气在将容器设置为垂直时向相对于其中心轴大致垂直的方向喷出的方式,构成载气导入管的前端部。
Description
技术领域
本发明涉及有机金属化合物供给容器,更详细而言,涉及填充有载体担载有机金属化合物的有机金属化合物供给容器,该载体担载有机金属化合物是在相对于有机金属化合物为惰性的载体上被覆常温下固体的有机金属化合物而构成。
背景技术
有机金属化合物,在电子工业方面,被用作例如化合物半导体的原料。在电子工业中使用有机金属化合物的情况下,通常以与有机金属化合物接触的方式吹出氢气等载气,并将其作为有机金属化合物的饱和蒸汽引入气相生长装置等中来使用。
在常温(室温)下为固体的有机金属化合物的情况下,与液体不同,即使吹入载气,在层压的固体有机金属化合物中也会形成载气通过的流路、或者因气化而成为小粒径的固体有机金属化合物堆积在容器底部,结果是无法得到固体有机金属化合物和载气的充分的接触,而具有不能向气相生长装置供给稳定浓度的有机金属化合物这样的缺陷。
关于这样的在常温下为固体状态的有机金属化合物,作为获得具有一定重现性的有机金属化合物的蒸发量的容器,已知有如下气相生长用有机金属化合物供给容器,其在容器上部垂直地配设载气导入管的前端部,在底部配设载气导出管的前端部,且在容器内部填充在相对于有机金属化合物为惰性的载体上被覆有机金属化合物的载体担载有机金属化合物(参照日本特开平1-265511公报(专利文献1))。
然而,专利文献1中记载的供给容器具有以下问题:虽然获得具有一定重现性的有机金属化合物的蒸发量,但在为了提高气相生长的效率而增加载气流量且增加有机金属化合物的气化量时,填充的有机金属化合物的使用率降低,即在不能获得含有一定浓度的有机金属化合物的气体时,在供给容器内残留的有机金属化合物增多。另外,取出在供给容器内残留的有机金属化合物等,将容器内洗净,将容器进行再利用。
发明内容
本发明的目的在于提供一种有机金属化合物供给容器,其获得具有一定重现性的有机金属化合物的蒸发量,在增加载气流量且增加有机金属化合物的气化量的情况下,能够减少填充的有机金属化合物的使用率的降低。
本发明人为了解决这样的问题,进行了深入的研究,结果发现:以由设置在容器上部的载气导入管的前端部供给的载气在将容器设置为垂直时向相对于其中心轴为大致垂直的方向喷出的方式,构成载气导入管的前端部,并使用在底部配设有载气导出管的前端部的容器,在容器内填充在相对于有机金属化合物为惰性的载体上被覆常温下固体的有机金属化合物而成的载体担载有机金属化合物,从载气导入管的前端部导入载气,从载气导出管射出含有气化后的有机金属化合物的载气,由此获得具有一定重现性的有机金属化合物的蒸发量,在增加载气流量且增加有机金属化合物的气化量的情况下,能够减少填充的有机金属化合物的使用率的降低,从而完成了本发明。
即,本发明为一种有机金属化合物供给容器,其在容器上部配设载气导入管的前端部,在容器底部配设载气导出管的前端部,且在该容器内填充载体担载有机金属化合物而构成,该载体担载有机金属化合物是在相对于有机金属化合物为惰性的载体上被覆有常温下固体的有机金属化合物而构成,其中,以由载气导入管的前端部供给的载气在将容器设置为垂直时向相对于其中心轴大致垂直方向喷出的方式,构成载气导入管的前端部。
通过使用本发明的填充了在相对于有机金属化合物为惰性的载体上被覆有常温下为固体的有机金属化合物的载体担载有机金属化合物的有机金属化合物供给容器,可获得具有一定重现性的有机金属化合物的蒸发量,在增加载气流量且增加有机金属化合物的气化量的情况下,能够减少填充的有机金属化合物的使用率的降低。
附图说明
图1是本发明有机金属化合物供给容器的一个实施方式的截面模式图;
图2(A)和图2(B)是表示载气导入管的前端部的结构的例子的图;
图3是表示载气导入管的前端部的结构的例子的图;
图4是现有的有机金属化合物供给容器的截面模式图。
标号说明
1、容器
2、载气导入管
3、载气导入管的前端部
3'、挡板
4、载气导出管
5、载气导出管的前端部
6、载体担载有机金属化合物
7、容器的顶板
具体实施方式
本发明中的有机金属化合物在室温下为固体,用于气相生长用等,具体可以列举:三甲基铟、二甲基氯铟、茂铟、三甲基铟·三甲基胂加合物、三甲基铟·三甲基膦加合物等铟化合物、乙基碘化锌、乙基茂锌、茂锌等锌化合物、甲基二氯铝等铝化合物、甲基二氯镓、二甲基氯镓、二甲基溴镓等镓化合物、二茂镁等。
另外,作为担载这些金属有机金属化合物的相对于有机金属化合物为惰性的载体,使用氧化铝、二氧化硅、莫来石、玻璃碳、石墨、钛酸钾、石英、氮化硅、氮化硼、碳化硅等陶瓷类、不锈钢、铝、镍、钨等金属类、氟树脂、玻璃等。
载体的形状没有特别的限定,可以使用不定形状、球状、纤维状、网状、线圈状、圆管状等各种形状的载体。
载体优选为比表面积大的载体,优选为载体表面比平滑的载体表面具有约100~2000μm的微细凹凸的载体、或载体自身具有多个气孔(空隙)的载体。作为这样的载体,可以列举:氧化铝球、拉西环、螺旋填料、狄克松填料、不锈钢烧结零件、玻璃绒等。
在载体上担载有机金属化合物的方法,可以采用目前通常实施的方法。可以列举出如下方法:例如按照预定重量比向容器中投入载体和有机金属化合物,接着对其进行加热使有机金属化合物融解,其后,旋转搅拌的同时进行缓慢冷却的方法;在加热溶融有机金属化合物中投入载体,接着取出过剩的溶融有机金属化合物后,进行冷却的方法等。
在进行担载时,有必要预先除去载体中包含的氧气和水分、其他的挥发性杂质。如果载体表面上存在氧气或水分等,则有机金属化合物变质或被污染,因此,在作为气相生长用而使用时,不仅损害所获得的膜的品质,而且不能实现作为本发明目的的原料的稳定供给。为了避免这种不利情况,推荐:载体预先在该材料容许的范围的温度下进行加热,并进行真空脱气,其后,用氮气或氩气等惰性气体置换空隙部。
担载于载体上的有机金属化合物,相对于载体100重量份,通常为约10~100重量份、优选约20~70重量份的范围。在约10重量份以下时,由于有机金属化合物在容器容积中所占有的量少,因此,必须将容器增大至需要以上,这是不经济的。另外,超过约100重量份使其担载的情况,与未担载的情况相比较,每个填充容积的有机金属化合物的表面积不能增大到期望的程度,因此,不能充分获得本发明的目标效果。
图1是本发明的有机金属化合物供给容器的一个实施方式的截面模式图(容器1)。
容器1通常使用具有弯曲状底部的圆筒状的容器。在容器1的上部安装有载气导入管2、以及在导入管的前端部3安装有挡板3',由载气导入管2的前端部3供给的载气,在通过挡板3'将容器设置为垂直时,向相对于其中心轴大致垂直方向、具体而言为90°±5°、优选90°±3°喷出,由以上的方式来进行配设。载气导出管4的前端部5配设在容器的底部。在容器内部填充有被载体担载的有机金属化合物6。
图4是现有的有机金属化合物供给容器的截面模式图。本发明的供给容器与现有的将载气导入管2的前端部3垂直配设的供给容器相比,不同点在于,在载气导入管2的前端部3处设置有挡板3'等,将载气沿水平方向喷出。另外,在容器1中设置有有机金属化合物以及载体、或载体担载有机金属化合物的投入口(未图示)。
在图1中,在容器的上部安装有载气导入管2以及载气导出管4,但如果将载气导入管2的前端部3配设在容器的上部、将载气导出管的前端部5配设在容器的底部,则其安装位置也可以在容器的侧部。
图2(A)和图2(B)是表示载气导入管2的前端部3的结构的例子的图。图2(A)中的结构为:容器的顶板7的部分的开口部成为垂直方向,付着在顶板7的内壁上而设置挡板3'。图2(B)中的结构为:在从顶板7沿垂直方向伸出的载气导入管2的前端3处设置挡板3',在容器内部由顶板7的内壁沿水平方向导入载气。
图3是表示载气导入管2的前端部的结构的其它例子的图,在将容器设置为垂直的情况下,配设在相对于其中心轴大致垂直方向、具体而言向斜下方倾斜0~5°、优选倾斜0~3°的配管,构成前端部。
载体担载有机金属化合物向容器中的填充量,通常以载气导入管2的前端部的更下部为目标,在容器内使载体上担载有机金属化合物时,为容器的约30~70容积%。
在图1中,作为本发明的有机金属化合物供给容器,表示底部为弯曲状的容器,但没有特别地限定于此,也可以使用圆锥状等的容器。从制作的简易度以及能够稳定且高效率地供给一定浓度的气体方面考虑,优选使用具有弯曲状的底部的容器。
容器的底部与载气导出管的前端部5的间隔约为2~15mm,优选约2~10mm,进一步优选2~5mm。当大于约15mm时,有机金属化合物的使用率降低,因此不优选。
将用上述的方法填充载体上担载的有机金属化合物的供给容器1输送至使用位置,并将载气导出管4与气相生长装置等(未图示)连接,另外将载气导入管2与氢气等载气的供给源连接。将供给容器保持在一定温度,供给载气,穿过载体担载有机金属化合物的间隙,同时将载气从容器的上部移至下部,由此,使包含该温度下的一定浓度的有机金属化合物的载气经过载气导出管4供给到气相生长装置中。由此,获得具有一定重现性的有机金属化合物的蒸发量,即使在增大载气流量且增大有机金属化合物的气化量的情况下,也能够减少填充的有机金属化合物的使用率的降低。
(实施例)
下面通过实施例详细地说明本发明,但本发明并不限于这些实施例。
作为有机金属化合物供给容器,使用下述的容器。
(容器A)
使用与图1中模式地表示同样在容器的顶板上配设有载气导入管2、载气导出管4、载体以及有机金属化合物的投入口的内容积为80ml的不锈钢制容器(弯曲状的底部)。载气导入管的前端部的结构如图2(A)所示,在容器顶板7的部分的开口部,将直径18mm的圆盘状的挡板3'???,与顶板的间隔设定为约3mm,相对顶板水平地进行安装。另外,将容器底部和载气导出管的前端部5之间的间隔设定为3mm。
(容器B)
以载气导入管2的前端部3朝向相对于图4所示的容器顶板的垂直方向、载气导入管2的前端部3位于容器顶板内壁面的面位置的方式来进行配设,除此以外,使用与容器A同样的容器。
使用这样的容器A和容器B将容器内以及导管进行氮气置换后,在各容器内进行真空脱气,将空隙部进行氮气置换后的由约4mmφ的氧化铝球435g构成的载体、以及三甲基铟300g在氮气氛围下从投入口填充到容器内。
将填充后的容器加热到三甲基铟的熔点以上,使三甲基铟熔解,接着,使容器旋转的同时缓慢地冷却,使三甲基铟在载体氧化铝球的表面固化而使其担载。
(有机金属化合物的供给)
将氢气高压储气瓶、流量控制装置、填充有上述载体担载有机金属化合物的有机金属化合物供给容器、气体浓度计、三甲基铟捕集用深冷捕集器、压力控制装置以及真空泵依次连接(未图示)。
将供给容器放入恒温槽,保持在25℃。使用エピソン浓度计(ト-マススワンサイエンテイフイシクイクイツプメント社<ThomasSwan Scientific Equipment Ltd>制>作为气体浓度计。
实验1
关于填充有载体担载有机金属化合物的容器A,从载气导入管以900ml/分钟(大气压换算)供给氢气,使三甲基铟气化,用气体浓度计测定三甲基铟浓度。
实验2
关于填充有载体担载有机金属化合物的容器B,从载气导入管以900ml/分钟(大气压换算)供给氢气,与实验1同样地测定三甲基铟浓度。
实验3
关于填充有载体担载有机金属化合物的容器B,从载气导入管以600ml/分钟(大气压换算)供给氢气,与实验1同样地测定三甲基铟浓度。
根据各实验的测定结果,求出使用率(在获得一定浓度的三甲基铟气体时气化的三甲基铟的总重量相对向容器填充的三甲基铟填充量的比率)的比值(以实验1为基准)。在表1中表示其结果。
表1
实验No. | 使用容器 | 载气的流量(ml/分钟) | 使用率的比值 |
1 | A | 900 | 1.0 |
2 | B | 900 | 0.91 |
3 | B | 600 | 1.2 |
如上所述,在使用现有的容器(B)的情况下,当增加氢气流量时,使用率降低,但通过使用本发明的容器(A),即使增加氢气流量,与使用现有的容器的情况相比,也能够提高使用率。
Claims (4)
1.一种有机金属化合物供给容器,在容器上部配设载气导入管的前端部,在容器底部配设载气导出管的前端部,且在该容器内填充载体担载有机金属化合物而构成,该载体担载有机金属化合物是在相对于有机金属化合物为惰性的载体上被覆常温下固体的有机金属化合物而构成,其特征在于,以由载气导入管的前端部供给的载气在将容器设置为垂直时向相对于其中心轴大致垂直的方向喷出的方式,构成载气导入管的前端部。
2.如权利要求1所述的有机金属化合物供给容器,其特征在于,从载气导入管的前端部的喷出角度相对于容器中心轴为90°±5°。
3.如权利要求1~2中任一项所述的有机金属化合物供给容器,其特征在于,有机金属化合物是三甲基铟。
4.一种有机金属化合物的供给方法,其特征在于,输送权利要求1所述的有机金属化合物供给容器,将载气导出管与气相生长装置连接,将载气导入管与载气的供给源连接,将该有机金属化合物供给容器保持在一定温度,供给载气,使载气从该有机金属化合物供给容器的上部移至下部,从载气导出管向气相生长装置供给包含该温度下的一定浓度的有机金属化合物的载气。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007225595 | 2007-08-31 | ||
JP2007225595A JP5050739B2 (ja) | 2007-08-31 | 2007-08-31 | 有機金属化合物供給容器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101376967A true CN101376967A (zh) | 2009-03-04 |
Family
ID=40420702
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNA2008102149354A Pending CN101376967A (zh) | 2007-08-31 | 2008-08-29 | 有机金属化合物供给容器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5050739B2 (zh) |
KR (1) | KR20090023166A (zh) |
CN (1) | CN101376967A (zh) |
TW (1) | TW200920490A (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103518165B (zh) | 2011-05-10 | 2016-06-08 | 株式会社富士金 | 带有流量监测器的压力式流量控制装置 |
JP5755958B2 (ja) | 2011-07-08 | 2015-07-29 | 株式会社フジキン | 半導体製造装置の原料ガス供給装置 |
JP5652960B2 (ja) * | 2011-08-01 | 2015-01-14 | 株式会社フジキン | 原料気化供給装置 |
JP5647083B2 (ja) | 2011-09-06 | 2014-12-24 | 株式会社フジキン | 原料濃度検出機構を備えた原料気化供給装置 |
KR101389011B1 (ko) | 2012-03-28 | 2014-04-24 | 주식회사 유니텍스 | 소스 컨테이너 및 기상 증착용 반응로 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103350905A (zh) * | 2006-05-30 | 2013-10-16 | 宇部兴产株式会社 | 有机金属化合物的供给装置 |
-
2007
- 2007-08-31 JP JP2007225595A patent/JP5050739B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-08-26 KR KR1020080083293A patent/KR20090023166A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-08-28 TW TW097132869A patent/TW200920490A/zh unknown
- 2008-08-29 CN CNA2008102149354A patent/CN101376967A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090023166A (ko) | 2009-03-04 |
TW200920490A (en) | 2009-05-16 |
JP2009059871A (ja) | 2009-03-19 |
JP5050739B2 (ja) | 2012-10-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101376967A (zh) | 有机金属化合物供给容器 | |
US10060030B2 (en) | Evaporation vessel apparatus and method | |
CN103031542B (zh) | 用于递送汽化源材料的装置 | |
EP1242656B1 (en) | Method and apparatus for delivering precursors to a plurality of epitaxial reactor sites | |
JP5257197B2 (ja) | 有機金属化合物供給装置 | |
US20030192471A1 (en) | Method and device for depositing in particular organic layers using organic vapor phase deposition | |
US8758515B2 (en) | Delivery device and method of use thereof | |
CN103906856A (zh) | 用于通过真空蒸发沉积薄膜的装置的喷射系统 | |
RU2010143559A (ru) | Системы и способы распределения газа в реакторе для химического осаждения из паровой фазы | |
KR100767296B1 (ko) | 화학기상증착장치의 소스파우더 공급장치 | |
CN1916233B (zh) | 有机金属化合物供给容器 | |
JP2013028854A (ja) | 固体材料ガスの供給装置および供給方法 | |
WO2012168924A1 (en) | Supply apparatus and method of solid material gas | |
WO2020114580A1 (en) | Evaporation apparatus for evaporating a material and method for evaporating a material with an evaporation apparatus | |
CN101240446B (zh) | 有机金属化合物供给装置 | |
US8021441B2 (en) | Method of vaporizing solid organometallic compound | |
CN208949403U (zh) | 一种mpcvd设备基板台冷却结构 | |
KR101196372B1 (ko) | 반도체 제조설비의 가스공급장치 | |
US20220243320A1 (en) | Precursor source arrangement and atomic layer deposition apparatus | |
KR101060756B1 (ko) | 화학 기상 증착 장치 | |
TW201335974A (zh) | 水浴槽及使用此水浴槽之薄膜沈積裝置 | |
KR20100026883A (ko) | Cvd 장치용 새틀라이트 및 이를 구비하는 cvd 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20090304 |