CN101367649A - 一种氧化锌压敏电阻介质材料及电阻器制备方法 - Google Patents

一种氧化锌压敏电阻介质材料及电阻器制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101367649A
CN101367649A CNA2008100462630A CN200810046263A CN101367649A CN 101367649 A CN101367649 A CN 101367649A CN A2008100462630 A CNA2008100462630 A CN A2008100462630A CN 200810046263 A CN200810046263 A CN 200810046263A CN 101367649 A CN101367649 A CN 101367649A
Authority
CN
China
Prior art keywords
percent
zinc oxide
chip
sintering
preparation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2008100462630A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101367649B (zh
Inventor
游钦禄
曾志毅
尉旭波
徐自强
杨邦朝
练马林
唐伟
王浩勤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Electronic Science and Technology of China
Original Assignee
University of Electronic Science and Technology of China
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Electronic Science and Technology of China filed Critical University of Electronic Science and Technology of China
Priority to CN2008100462630A priority Critical patent/CN101367649B/zh
Publication of CN101367649A publication Critical patent/CN101367649A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101367649B publication Critical patent/CN101367649B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

一种氧化锌压敏电阻介质材料及电阻器制备方法,属于电子材料技术领域。所述氧化锌压敏电阻介质材料,其组分包括85%~95%的ZnO、2%~6%的Bi2O3、1%~5%的TiO2、1%~3.5%的Sb2O3、1%~4%的MnCO3、1.2%~5%的Co2O3、0.2%~1%的Cr2O3、0.1%~1%的ZrO2、0.2%~1%的Ni2O3和1.2%~3%的SiO2。所述片式氧化锌电阻器制备方法包括按所述氧化锌电阻介质材料配方配料、混料、磨料、流延浆料配制、流延、内电极印刷、叠片、烘巴、温等静压、切割、排胶、烧结和端电极制作等步骤。本发明所述氧化锌压敏电阻介质材料适合于制作片式压敏电阻器;所制备的片式压敏电阻器具有压敏电压低、非线性系数高和压敏特性稳定的特点,且烧结温度适中、制备工艺简单易控、成本较低。

Description

一种氧化锌压敏电阻介质材料及电阻器制备方法
技术领域
本发明属于电子材料技术领域,涉及一种氧化锌压敏电阻介质材料及氧化锌压敏电阻器制备方法。
背景技术
随着电子工业的飞速发展,尤其是电子集成化和微型化的迫切需要,对压敏电阻电子陶瓷材料提出了更加严格的要求。压敏陶瓷材料的低压化、低漏电流、高非线性系数、低成本和高可靠性的性是压敏陶瓷材料获得广泛应用的大趋势。
在现有技术中,目前压敏电阻陶瓷材料根据烧结温度来区分主要有以下三个系列:
一、高温系列(典型烧结温度为1300℃)。
用该系列材料制备的多层片式压敏电阻器,需要使用30%钯和70%银的内电极浆料,内电极浆料在生产成本中占65%,具有生产成本高、使用含铅配方和非线性系数较低的缺点。用该系列材料所制备的多层片式压敏电阻器压敏特性差,不能起到非常好的过电压保护效果。
二、中温系列(典型烧结温度为1150℃)。
该系列材料制备的多层片式压敏电阻器,需要使用10%钯和90%银的内电极浆料,内电极浆料在生产成本中占40%,生产成本适中、电性能指标稳定,但非线性系数很差、毫安级的漏电流和每毫米500伏的压敏电压,不适合制作低电压压敏电阻。
三、低温系列(典型烧结温度为900℃)。
该系列材料制备的多层片式压敏电阻器,采用100%银的内电极浆料,内电极浆料在生产成本中占30%左右,生产成本低但可靠性差。
以上三类烧结温度系列压敏陶瓷材料在制作多层片式压敏电阻器时,在低电压、漏电流、高非线性系数和稳定性方面不能做到相互兼顾,故而难以满足低电压、高非线性系数的使用要求。
从国外对多层片式压敏电阻器陶瓷材料所进行的研究状况来看,由于不含铅的压敏陶瓷材料在生产和使用中都不会对环境产生污染,制得的压敏陶瓷材料性能优良,因此该种压敏陶瓷材料一直是人们关注的重点,但是,将非线性系数提高到45~48并保持低压敏电压性能和低漏电流,这方面的压敏电阻器陶瓷材料目前还未见报道。
发明内容
本发明提供一种氧化锌压敏电阻介质材料及电阻器制备方法。所述氧化锌压敏电阻介质材料以氧化锌为主原料,采用无铅配方添加Co2O3、MnCO3、Bi2O3、TiO2、Cr2O3等该性剂,适合于制作多层片式压敏电阻器;采用该介质材料所制备的片式压敏电阻器具有压敏电压低、非线性系数高和压敏特性稳定的特点,且烧结温度适中、制备工艺简单易控、成本较低。
本发明技术方案如下:
一种氧化锌压敏电阻介质材料,其组分包括85%~95%的Zn0、2%~6%的Bi2O3、1%~5%的TiO2、1%~3.5%的Sb2O3、1%~4%的MnCO3、1.2%~5%的Co2O3、0.2%~1%的Cr2O3、0.1%~1%的ZrO2、0.2%~1%的Ni2O3和1.2%~3%的SiO2,上述各组分含量均为质量百分比含量。
一种片式氧化锌压敏电阻器制备方法,包括以下步骤:
步骤1.配料:配制氧化锌压敏电阻介质材料,其组分包括85%~95%的ZnO、2%~6%的Bi2O3、1%~5%的TiO2、1%~3.5%的Sb2O3、1%~4%的MnCO3、1.2%~5%的Co2O3、0.2%~1%的Cr2O3、0.1%~1%的ZrO2、0.2%~1%的Ni2O3和1.2%~3%的SiO2,上述各组分含量均为质量百分比含量。
步骤2.混料:将配制好的氧化锌压敏电阻介质材料进行搅拌磨混料、烘干和预收缩烧结。
步骤3.磨料:将步骤2所得的混料搅拌磨超细粉料加工、烘干、过筛80—100目。
步骤4.流延浆料配制:在步骤3所得的磨料中加入粘合剂、甲苯、无水乙醇、分散剂和增塑剂,粉料球磨20~48小时,使其成为介质流延浆料。
步骤5.流延:将步骤4所得的介质流延浆料通过陶瓷膜片流延机制作成介质膜片。
步骤6.内电极印刷:在步骤5所得的介质膜片上印刷内电极浆料,然后烘干。
步骤7.叠片:将多张步骤6印刷了内电极的介质膜片交叉错位叠在一起,即叠片时保证中间所有介质膜片上表面的内电极指向一端,下表面的内电极指向另一端;叠片完成后在叠片上下各加一层步骤5未印刷内电极的介质膜片,叠片后得到巴块。
步骤8.烘巴:将步骤7制作好的巴块在50~85℃条件下烘巴4~12小时。
步骤9.温等静压:将已烘巴的巴块进行温等静压成型。
步骤10.切割:将温等静压成型的巴块根据生坯芯片尺寸进行切割成为生坯芯片。
步骤11.排胶:将切割后的生坯芯片放置在承烧板内进行排胶,去除有机物质。
步骤12.烧结:将排胶后的芯片连同承烧板一起放置在烧结炉内进行烧结。
步骤13.制作端电极:将烧结后的芯片进行端电极涂覆和烧银,最终获得片式氧化锌压敏电阻器。
需要说明的是:1、步骤2、3、6和8中的烘干温度为120~130℃;2、步骤2中的预收缩烧结工艺条件为:升温速度6~10℃/分,烧结温度840℃,保温时间2小时;3、步骤6中的内电极浆料为90%银和10%钯的混合浆料;4、步骤9中的温等静压工艺条件为:压力25MPa,温度55℃,时间10分钟;5、步骤11中的排胶工艺条件为:升温速度1~2℃/分,排胶温度360℃,保温时间4小时;6、步骤12中的烧结工艺条件为:升温速度4~6℃/分,烧结温度900~1100℃,保温时间2小时。
本发明有益技术效果是:
本发明所述氧化锌压敏电阻介质材料以氧化锌为主原料,采用无铅配方添加Co2O3、MnCO3、Bi2O3、TiO2、Cr2O3等该性剂,适合于制作多层片式压敏电阻器;采用该介质材料所制备的片式压敏电阻器具有压敏电压低、非线性系数高和压敏特性稳定的特点,且烧结温度适中、制备工艺简单易控、成本较低。
附图说明
图1是片式氧化锌压敏电阻器结构剖面示意图。
图2是本发明片式氧化锌压敏电阻器的制备方法工艺流程图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步描述。
表一:实施方式一配方表
 
组分 ZnO Bi2O3 TiO2 Sb2O3 MnCO3 Co2O3 Cr2O3 ZrO2 Ni2O3 SiO2
含量(%) 85 5 1.8 1.5 1.5 1.8 0.5 0.4 0.5 2.0
按照表一配方,如图2所示的制作工艺方法流程,制备出片式氧化锌压敏电阻器。经对该片式压敏电阻器测量其压敏电压为5.6V(膜片生坯厚度20微米),非线性系数为52,漏电流小于1.0微安(在80%压敏电压下测量)。
需要说明的是:1、步骤2、3、6和8中的烘干温度为120~130℃;2、步骤2中的预收缩烧结工艺条件为:升温速度6~10℃/分,烧结温度840℃,保温时间2小时;3、步骤6中的内电极浆料为90%银和10%钯的混合浆料;4、步骤9中的温等静压工艺条件为:压力25MPa,温度55℃,时间10分钟;5、步骤11中的排胶工艺条件为:升温速度1~2℃/分,排胶温度360℃,保温时间4小时;6、步骤12中的烧结工艺条件为:升温速度4~6℃/分,烧结温度900~1100℃,保温时间2小时。

Claims (8)

1.一种氧化锌压敏电阻介质材料,其组分包括85%~95%的Zn0、2%~6%的Bi2O3、1%~5%的TiO2、1%~3.5%的Sb2O3、1%~4%的MnCO3、1.2%~5%的Co2O3、0.2%~1%的Cr2O3、0.1%~1%的ZrO2、0.2%~1%的Ni2O3和1.2%~3%的SiO2,上述各组分含量均为质量百分比含量。
2.一种片式氧化锌压敏电阻器制备方法,包括以下步骤:
步骤1.配料:配制氧化锌压敏电阻介质材料,其组分包括85%~95%的ZnO、2%~6%的Bi2O3、1%~5%的TiO2、1%~3.5%的Sb2O3、1%~4%的MnCO3、1.2%~5%的Co2O3、0.2%~1%的Cr2O3、0.1%~1%的ZrO2、0.2%~1%的Ni2O3和1.2%~3%的SiO2,上述各组分含量均为质量百分比含量;
步骤2.混料:将配制好的氧化锌压敏电阻介质材料进行搅拌磨混料、烘干和预收缩烧结;
步骤3.磨料:将步骤2所得的混料搅拌磨超细粉料加工、烘干、过筛80—100目;
步骤4.流延浆料配制:在步骤3所得的磨料中加入粘合剂、甲苯、无水乙醇、分散剂和增塑剂,粉料球磨20~48小时,使其成为介质流延浆料;
步骤5.流延:将步骤4所得的介质流延浆料通过陶瓷膜片流延机制作成介质膜片;
步骤6.内电极印刷:在步骤5所得的介质膜片上印刷内电极浆料,然后烘干;
步骤7.叠片:将多张步骤6印刷了内电极的介质膜片交叉错位叠在一起,即叠片时保证中间所有介质膜片上表面的内电极指向一端,下表面的内电极指向另一端;叠片完成后在叠片上下各加一层步骤5未印刷内电极的介质膜片,叠片后得到巴块;
步骤8.烘巴:将步骤7制作好的巴块在50~85℃条件下烘巴4~12小时;
步骤9.温等静压:将已烘巴的巴块进行温等静压成型;
步骤10.切割:将温等静压成型的巴块根据生坯芯片尺寸进行切割成为生坯芯片;
步骤11.排胶:将切割后的生坯芯片放置在承烧板内进行排胶,去除有机物质;
步骤12.烧结:将排胶后的芯片连同承烧板一起放置在烧结炉内进行烧结;
步骤13.制作端电极:将烧结后的芯片进行端电极涂覆和烧银,最终获得片式氧化锌压敏电阻器。
3.根据权利要求2所述的片式氧化锌压敏电阻器制备方法,其特征在于,步骤2、3、6和8中的烘干温度为120~130℃。
4.根据权利要求2所述的片式氧化锌压敏电阻器制备方法,其特征在于,步骤2中的预收缩烧结工艺条件为:升温速度6~10℃/分,烧结温度840℃,保温时间2小时。
5.根据权利要求2所述的片式氧化锌压敏电阻器制备方法,其特征在于,步骤6中的内电极浆料为90%银和10%钯的混合浆料。
6.根据权利要求2所述的片式氧化锌压敏电阻器制备方法,其特征在于,步骤9中的温等静压工艺条件为:压力25MPa,温度55℃,时间10分钟。
7.根据权利要求2所述的片式氧化锌压敏电阻器制备方法,其特征在于,步骤11中的排胶工艺条件为:升温速度1~2℃/分,排胶温度360℃,保温时间4小时。
8.根据权利要求2所述的片式氧化锌压敏电阻器制备方法,其特征在于,步骤12中的烧结工艺条件为:升温速度4~6℃/分,烧结温度900~1100℃,保温时间2小时。
CN2008100462630A 2008-10-13 2008-10-13 一种氧化锌压敏电阻介质材料及电阻器制备方法 Expired - Fee Related CN101367649B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008100462630A CN101367649B (zh) 2008-10-13 2008-10-13 一种氧化锌压敏电阻介质材料及电阻器制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008100462630A CN101367649B (zh) 2008-10-13 2008-10-13 一种氧化锌压敏电阻介质材料及电阻器制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101367649A true CN101367649A (zh) 2009-02-18
CN101367649B CN101367649B (zh) 2011-08-24

Family

ID=40411680

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008100462630A Expired - Fee Related CN101367649B (zh) 2008-10-13 2008-10-13 一种氧化锌压敏电阻介质材料及电阻器制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101367649B (zh)

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101702358B (zh) * 2009-12-03 2011-03-16 陕西科技大学 一种高压压敏电阻及其制备方法
CN102270531A (zh) * 2011-04-28 2011-12-07 中国科学院新疆理化技术研究所 叠层片式负温度系数热敏电阻的制备方法
CN101759431B (zh) * 2009-12-10 2012-01-25 华中科技大学 一种低电位梯度氧化锌压敏电阻材料及其制备方法
CN102390993A (zh) * 2011-08-16 2012-03-28 广西新未来信息产业股份有限公司 一种无铬无铅中高压氧化锌压敏电阻材料及其制备方法
CN101700975B (zh) * 2009-11-20 2012-06-27 中国西电电气股份有限公司 一种用于氧化锌电阻制造的组合产品
CN102617126A (zh) * 2012-03-31 2012-08-01 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种低温烧结氧化锌压敏电阻材料及其制备方法
CN103011798A (zh) * 2012-12-19 2013-04-03 广西新未来信息产业股份有限公司 一种高焦耳型压敏电阻及其制备方法
CN103058647A (zh) * 2012-12-28 2013-04-24 青岛润鑫伟业科贸有限公司 一种压敏电阻及压敏电阻材料
CN103310928A (zh) * 2013-06-14 2013-09-18 北京捷安通达科贸有限公司 Mov陶瓷片及其电极浆料的印刷方法
CN103632785A (zh) * 2013-12-12 2014-03-12 深圳顺络电子股份有限公司 片式元器件内电极的制作方法
CN104157949A (zh) * 2014-08-20 2014-11-19 苏州艾福电子通讯有限公司 印刷导电银浆的烧结方法及银层表面处理方法
CN105084885A (zh) * 2014-05-06 2015-11-25 游钦禄 一种氧化锌压敏电阻介质材料及片式电阻器制备方法
CN108885929A (zh) * 2016-03-17 2018-11-23 埃普科斯股份有限公司 陶瓷材料、压敏电阻和制备该陶瓷材料和压敏电阻的方法
CN109796202A (zh) * 2019-03-25 2019-05-24 电子科技大学 一种高性能低温烧结叠层片式压敏电阻材料
CN109851351A (zh) * 2018-12-19 2019-06-07 安徽自动化仪表有限公司 一种低温稳定性压力变送器用压敏元件及其制备方法
CN109887694A (zh) * 2019-03-27 2019-06-14 扬州发运电气有限公司 一种中压高能氧化锌电阻片制造方法
CN110310792A (zh) * 2019-05-28 2019-10-08 无锡市开元电子有限公司 一种片式压敏电阻芯片制备方法
CN111517778A (zh) * 2020-05-20 2020-08-11 华南理工大学 一种低温烧结氧化锌压敏陶瓷及其制备方法
CN115073163A (zh) * 2022-07-01 2022-09-20 深圳振华富电子有限公司 片式压敏电阻器及其制备方法和应用
CN115101232A (zh) * 2022-05-17 2022-09-23 华南理工大学 一种用于ZnO压敏电阻的绝缘材料及绝缘处理方法
CN115677340A (zh) * 2021-07-28 2023-02-03 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种ZnO陶瓷线性电阻材料及其制备方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3674451D1 (de) * 1985-04-29 1990-10-31 Bbc Brown Boveri & Cie Verfahren zur herstellung eines spannungsabhaengigen keramischen widerstandes auf der basis von zno.
CN100361238C (zh) * 2004-11-22 2008-01-09 山东大学 防雷用多元掺杂改性氧化锌压敏材料

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101700975B (zh) * 2009-11-20 2012-06-27 中国西电电气股份有限公司 一种用于氧化锌电阻制造的组合产品
CN101702358B (zh) * 2009-12-03 2011-03-16 陕西科技大学 一种高压压敏电阻及其制备方法
CN101759431B (zh) * 2009-12-10 2012-01-25 华中科技大学 一种低电位梯度氧化锌压敏电阻材料及其制备方法
CN102270531A (zh) * 2011-04-28 2011-12-07 中国科学院新疆理化技术研究所 叠层片式负温度系数热敏电阻的制备方法
CN102390993A (zh) * 2011-08-16 2012-03-28 广西新未来信息产业股份有限公司 一种无铬无铅中高压氧化锌压敏电阻材料及其制备方法
CN102617126A (zh) * 2012-03-31 2012-08-01 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种低温烧结氧化锌压敏电阻材料及其制备方法
CN103011798A (zh) * 2012-12-19 2013-04-03 广西新未来信息产业股份有限公司 一种高焦耳型压敏电阻及其制备方法
CN103011798B (zh) * 2012-12-19 2014-03-05 广西新未来信息产业股份有限公司 一种高焦耳型压敏电阻及其制备方法
CN103058647A (zh) * 2012-12-28 2013-04-24 青岛润鑫伟业科贸有限公司 一种压敏电阻及压敏电阻材料
CN103310928A (zh) * 2013-06-14 2013-09-18 北京捷安通达科贸有限公司 Mov陶瓷片及其电极浆料的印刷方法
CN103310928B (zh) * 2013-06-14 2016-03-30 北京捷安通达科贸有限公司 Mov陶瓷片及其电极浆料的印刷方法
CN103632785A (zh) * 2013-12-12 2014-03-12 深圳顺络电子股份有限公司 片式元器件内电极的制作方法
CN105084885A (zh) * 2014-05-06 2015-11-25 游钦禄 一种氧化锌压敏电阻介质材料及片式电阻器制备方法
CN104157949A (zh) * 2014-08-20 2014-11-19 苏州艾福电子通讯有限公司 印刷导电银浆的烧结方法及银层表面处理方法
US11031159B2 (en) 2016-03-17 2021-06-08 Tdk Electronics Ag Ceramic material, varistor and methods of preparing the ceramic material and the varistor
CN108885929A (zh) * 2016-03-17 2018-11-23 埃普科斯股份有限公司 陶瓷材料、压敏电阻和制备该陶瓷材料和压敏电阻的方法
CN109851351A (zh) * 2018-12-19 2019-06-07 安徽自动化仪表有限公司 一种低温稳定性压力变送器用压敏元件及其制备方法
CN109796202A (zh) * 2019-03-25 2019-05-24 电子科技大学 一种高性能低温烧结叠层片式压敏电阻材料
CN109887694A (zh) * 2019-03-27 2019-06-14 扬州发运电气有限公司 一种中压高能氧化锌电阻片制造方法
CN110310792A (zh) * 2019-05-28 2019-10-08 无锡市开元电子有限公司 一种片式压敏电阻芯片制备方法
CN111517778A (zh) * 2020-05-20 2020-08-11 华南理工大学 一种低温烧结氧化锌压敏陶瓷及其制备方法
CN111517778B (zh) * 2020-05-20 2021-07-20 华南理工大学 一种低温烧结氧化锌压敏陶瓷及其制备方法
CN115677340A (zh) * 2021-07-28 2023-02-03 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种ZnO陶瓷线性电阻材料及其制备方法
CN115101232A (zh) * 2022-05-17 2022-09-23 华南理工大学 一种用于ZnO压敏电阻的绝缘材料及绝缘处理方法
CN115073163A (zh) * 2022-07-01 2022-09-20 深圳振华富电子有限公司 片式压敏电阻器及其制备方法和应用
CN115073163B (zh) * 2022-07-01 2023-09-01 深圳振华富电子有限公司 片式压敏电阻器及其制备方法和应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN101367649B (zh) 2011-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101367649B (zh) 一种氧化锌压敏电阻介质材料及电阻器制备方法
CN104795128B (zh) 一种无铅电阻浆料及其制造工艺和应用
CN101136261B (zh) 一种铜电极浆料及其制造方法
CN105788699B (zh) 一种耐高温高湿ZnO压敏电阻用电极银浆及其制备方法
CN101350239B (zh) 一种叠层片式压敏电阻器及其制造方法
CN101350240B (zh) 一种叠层片式压敏电阻器及其制造方法
CN100495594C (zh) 水基流延法制备多层片式ZnO压敏电阻器的方法
CN102633498B (zh) 一种低温烧结氧化锌压敏陶瓷材料及其制备方法
CN102476949A (zh) 一种低温制备电性能可控的氧化锌压敏电阻材料的方法
CN107316744A (zh) 一种片式多层金电极芯片电容器及其制备方法
CN103030390A (zh) 一种氧化锌压敏电阻材料及制备方法
CN103693953A (zh) 一种中低压氧化锌压敏电阻及其制备方法
JPS6036350A (ja) ホウケイ酸ガラス組成物
CN101759431B (zh) 一种低电位梯度氧化锌压敏电阻材料及其制备方法
CN105761775B (zh) 一种片式电感器外电极用导电银浆及其制备方法
CN111517778B (zh) 一种低温烧结氧化锌压敏陶瓷及其制备方法
CN105084885A (zh) 一种氧化锌压敏电阻介质材料及片式电阻器制备方法
KR101138246B1 (ko) 낮은 온도저항계수를 갖는 저항체용 페이스트 조성물의 제조방법, 이를 이용한 후막 저항체 및 그 제조방법
CN110937890A (zh) 一种避雷器用压敏电阻片及其制备方法
CN114751724B (zh) 一种ntc热敏电阻器介质材料及其制备方法
CN102030522A (zh) 一种低平衡温度的ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷介质
CN102320827A (zh) 单层电容器晶界层材料、基片的制作方法、以及单层电容器的方法
US20110319255A1 (en) Varistor ceramic, multilayer component comprising the varistor ceramic, and production method for the varistor ceramic
CN103664160A (zh) 一种氧化锌压敏电阻器及其制备方法
KR101138238B1 (ko) 금속산화물 코팅을 이용한 저항체용 페이스트 조성물의 제조방법, 이를 이용한 후막 저항체 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110824

Termination date: 20141013

EXPY Termination of patent right or utility model