CN101364049B - 控制系统、光刻投影设备和控制方法 - Google Patents

控制系统、光刻投影设备和控制方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种控制系统、光刻投影设备、控制方法和计算机程序产品，其中所述控制系统包括：设置用于测量由支撑结构所支撑的衬底的位置的第一测量系统，所述位置在第一坐标系中被测量；用于测量支撑结构在第二坐标系中的位置的第二测量系统，第一测量系统具有在第二坐标系中的假定位置；控制器，其配置用于基于第二测量系统的所进行的测量控制支撑结构的位置，用于将衬底的所测量到的位置转换成在第二坐标系中的支撑结构的所转换的位置，用于基于所转换的位置定位支撑结构，用于接收表示第一测量系统在第二坐标系中的假定位置和实际位置之间的差值的位置误差信号，并用于以依赖于所述位置误差信号的方式对支撑结构进行定位。

Description

控制系统、光刻投影设备和控制方法
技术领域
本发明涉及一种用于控制光刻设备中的支撑结构的控制系统、一种光刻投影设备、一种控制光刻设备中的支撑结构的方法以及一种计算机程序产品。 
背景技术
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常到所述衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版(reticle)的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单独的衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。还可以通过将所述图案压印(imprinting)到所述衬底上，将所述图案从所述图案形成装置转移到所述衬底上。 
在生产集成电路以及液晶显示面板的微光刻中最具挑战性的需求之一是结构间的定位。例如，低于100nm的光刻需要在高达3m/s的速度下具有动态精度的衬底定位台和掩模定位台，并且所述衬底定位台和掩模定位台必须在6个自由度(DOF)上实现1nm量级的机器间的配合。 
用于实现这种定位需要的广泛使用的途径是将台定位机构细分为粗定位模块(例如X-Y台或门架台(gantry table))，在所述粗定位模块上级  联精定位模块。所述粗定位模块具有微米精度。所述精定位模块用于将粗定位模块的残余误差修正到最后几纳米。所述粗定位模块覆盖大的工作范围，而精定位模块仅仅需要适用于很有限的移动范围。对于这种纳米定位的、通常使用的致动器包括压电致动器或音圈型电磁致动器。尽管在精定位模块中的定位通常在6个自由度上受到作用，但是大范围的运动几乎不需要超过2个自由度，因此，极大地方便了所述粗定位模块的设计。 
粗定位所需的微米精度可以采用相对简单的位置传感器(例如光学增量编码器或磁性增量编码器)容易地实现。这些可以是在一个自由度上进行测量的单轴装置，或者是更新的多自由度(高达3个自由度)装置，例如由 
Figure S2008101286689D00021
等人在″Integrated electro-dynamic multicoordinate drives″，Proc.ASPE Annual Meeting，California，USA，1996，p.456-461所述的那些装置。类似的编码器也是商业上可获得的，例如由Dr.J.Heidenhain GmbH制造的PP281R型位置测量系统。 
另一方面，在精定位模块的末端处的掩模台和衬底台的位置测量必须以六个自由度在亚纳米分辨率下进行，所述测量具有纳米精度和稳定性。这通常采用多轴干涉仪测量所有6个自由度上的位移来实现，并且为实现附加的校准功能，例如衬底台上的干涉仪反射镜的平坦度的校准，所述干涉仪具有冗余的轴。 
公知地，光学编码器可以与干涉仪结合以作为干涉仪的替代品。例如，这种光学编码器在US2004/0263846A1中公开，所述文献以引用的方式并入本文中。在US2006/0227309中，光学编码器采用在至少一个栅格板上的栅格图案确定它们相对于所述栅格图案的位置。所述光学编码器被安装到衬底台上，而栅格板被安装到光刻设备的框架上。结果，能够知道衬底台相对于栅格板的位置。 
由于对将更小的图案进行成像、以形成具有更高的部件密度的器件的持续需要，同时保持每单位时间制造的图案的数量不变，或甚至增加所述数量，需要将光刻设备内的多个任务进行得更快。结果，衬底台的加速度和减速度也增加，这可能导致振动。由于前述的振动，对准更加困难。即使对准系统和栅格板可能被连接到光刻设备内的同一框架上，它们的相对位置稳定性不足以使衬底相对于衬底台以所需的精度水平进行对准。 
发明内容
本发明提供用于控制光刻设备中的支撑结构的控制系统。所述控制系统包括第一测量系统、第二测量系统和控制器。所述第一测量系统设置用于在第一坐标系中测量由支撑结构支撑的物体的位置。所述第二测量系统设置用于在第二坐标系中测量支撑结构的位置。所述第一测量系统在第二坐标系中具有假定位置。所述控制器配置用于： 
●基于由第二测量系统的测量控制支撑结构的位置； 
●将物体的所测量到的位置转换为在第二坐标系中的支撑结构的所转换的位置；以及 
●基于所转换的位置定位支撑结构。 
所述控制器还配置用于接收位置误差信号，所述位置误差信号表示在第二坐标系中的第一测量系统的假定位置和实际位置之间的差值。所述控制器还设置用于以依赖于位置误差信号的方式控制支撑结构和/或空间图像的位置。 
本发明的实施例涉及用于依赖于位置误差信号定位支撑结构的控制器。本发明的实施例涉及用于相对于空间图像定位支撑结构的控制器。可以相对于包括空间图像和其他物体(MA)的组的元件定位支撑结构。所述空间图像包括在光刻设备的照射状态下的掩模的图像。然后，本发明涉及改善重叠误差。 
其他的物体可能是第一物体应当相对于其进行定位的系统中的另一个物体。根据本发明的误差修正可以通过修正控制系统在控制位置时所针对的两个物体中的一个来实现。在实施例中，在第一坐标系中的物体是衬底。其他物体可以是图案形成装置。所述图案形成装置在照射过程中将具有空间图像。控制系统能够控制衬底相对于所述空间图像的相对位置。 
优选地，将控制器设置用于以依赖于位置误差信号的方式定位支撑结构。 
在实施例中，两个测量系统中的至少一个以及在另一个实施例中的第二测量系统包括第二坐标系所连接的参考结构。 
附加地，在典型的实施例中，本发明提供包括前述控制系统的光刻投  影设备。 
附加地，在典型的实施例中，本发明提供控制光刻设备中的支撑结构的方法，所述方法包括步骤： 
●将物体提供给设置用于支撑物体的支撑结构； 
●采用第一测量系统测量所述物体在第一坐标系中的位置； 
●测量在第二坐标系中的支撑结构的位置，所述第一测量系统在第二坐标系中具有假定位置； 
●将所述物体的所测量到的位置转换为在第二坐标系中的支撑结构的所转换的位置； 
●以依赖于支撑结构的所测量的位置、支撑结构的所转换的位置以及表示在第二坐标系中的第一测量系统的假定位置和实际位置之间的差值的位置误差信号的方式，对支撑结构和/或空间图像进行第一定位。 
本发明的另一个典型的实施例提供在机器可读介质中实现的计算机程序产品。所述计算机程序产品以指令进行编码，所述指令用于在由处理器执行时实现控制光刻设备中的支撑结构的方法。所述方法包括步骤： 
●将物体提供给设置用于支撑物体的支撑结构； 
●采用第一测量系统测量所述物体在第一坐标系中的位置； 
●测量在第二坐标系中的支撑结构的位置，所述第一测量系统在第二坐标系中具有假定位置； 
●将所述物体的所测量到的位置转换为在第二坐标系中的支撑结构的所转换的位置； 
●以依赖于支撑结构的所测量的位置、支撑结构的所转换的位置以及表示在第二坐标系中的第一测量系统的假定位置和实际位置之间的差值的位置误差信号的方式，对支撑结构和/或空间图像进行第一定位。 
附图说明
在此仅借助示例，参照所附示意图对本发明的实施例进行描述，在所附示意图中，相同的附图标记表示相同的部分，且其中： 
图1示出根据本发明的实施例的光刻设备； 
图2示意性示出现有技术的位移测量系统； 
图3示意性地示出根据本发明的第一实施例的控制系统的一部分的剖视图； 
图4示意性地示出根据本发明的第二实施例的控制系统的一部分的剖视图； 
图5示意性地示出根据本发明的实施例的控制系统的一部分的剖视图； 
图6示意性地示出根据本发明的实施例的控制支撑结构的方法的流程图； 
图7示意性地示出计算机组件的实施例，所述实施例由根据本发明的实施例的控制系统所使用；以及 
图8示意性地示出根据本发明的实施例的格栅板的俯视图。 
具体实施方式
图1示意性地示出根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述设备包括： 
●照射系统(照射器)IL，配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或极紫外(EUV)辐射)； 
●支撑结构(例如掩模台)MT，配置用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连； 
●衬底台(例如晶片台)WT，配置用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底W的第二定位装置PW相连；以及 
●投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，所述投影系统PS配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。 
所述照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其他类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。 
支撑结构MT支撑图案形成装置MA，即承担所述图案形成装置MA的重量。其以依赖于图案形成装置的取向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述图案形成装置支撑件可以采用机械的、真空的、静电的或其他夹持技术保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构MT可以确保图案形成装置MA位于所需的位置上(例如相对于投影系统PS)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。 
这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底W的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底W的目标部分C上所需的图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常，被赋予辐射束B的图案将与在目标部分C上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。所述图案形成装置可能是可编程图案形成装置。 
图案形成装置MA可以是透射式的或反射式的。图案形成装置MA的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，可以独立地倾斜每一个小反射镜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。 
应该将这里使用的术语“投影系统”广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的任何术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。 
如这里所示的，所述设备是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述设备可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或采用反射式掩模)。 
所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台或支撑件，或可以在将一个或更多个其他台或支撑件用于曝光的同时，在一个或更多个台或支撑件上执行预备步骤。 
所述光刻设备也可以是其中至少一部分衬底W可以被具有相对高折射率的液体(例如水)覆盖的类型，以便填充投影系统PS和衬底W之间的空隙。浸没液也可以被应用到光刻设备中的其他空隙中(例如在所述掩模和投影系统PS之间)。浸没技术用于增加投影系统的数值孔径是本领域公知的。这里所使用的该术语“浸没”并不意味着结构(例如衬底)必须浸在液体中，而仅仅意味着在曝光过程中，液体位于投影系统和衬底之间。 
参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束B。该源SO和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源SO为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源SO考虑成光刻设备的组成部分，并且通过包括例如合适的引导反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束B从所述源SO传到所述照射器IL。在其他情况下，所述源SO可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源SO是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时的所述束传递系统BD一起称作辐射系统。 
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束B的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其他部件，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器IL用于调节所述辐射束B，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。 
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经穿过掩模MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述PS将辐射束B聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所  述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)用于将掩模MA相对于所述辐射束B的路径精确地定位。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现掩模台MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，所述掩模台MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA和衬底W。尽管所示的衬底对齐标记P1、P2占据了专用目标部分，但是他们可以位于目标部分之间的空隙(这些公知为划线对齐标记)上。类似地，在将多于一个的管芯设置在掩模MA上的情况下，所述掩模对齐标记M1、M2可以位于所述管芯之间。 
本发明涉及将光刻设备的可移动元件中的一个进行定位。优选地，采用控制器定位支撑台MT、WT。根据本发明的定位包括将支撑台相对于所述设备的框架进行定位，或相对于可移动元件或非物质元件进行定位。所述非物质元件可以是空间图像。所述空间图像是图案形成装置在照射过程中在衬底上的图像。 
可以将所述设备用于以下模式的至少一种： 
1.在步进模式中，在将赋予所述辐射束B的整个图案一次投影到目标部分C上的同时，将掩模台MT和所述衬底台WT保持为基本静止(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。 
2.在扫描模式中，在将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上的同时，对掩模台MT和衬底台WT同步地进行扫描(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于掩模台MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一的动态曝光中的所述目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分的高度(沿所述扫描方  向)。 
3.在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的掩模台MT保持为基本静止状态，并且在将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上的同时，对所述衬底台WT进行移动或扫描。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻中。 
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。本发明可以在测量系统中实现，以使得衬底的对准能够以比采用现有系统情况下所能获得的精度更高的精度相对于衬底台进行。 
图2示意性地示出位移测量系统1，所述位移测量系统1设计用于在三个共面的自由度上精确地测量衬底台2的位置，例如在第一方向上的位置，即x位置，在第二方向上的位置，即y位置，以及与围绕垂直于第一和第二方向的轴的旋转相关的位置，即围绕z轴Rz的旋转，所述z轴是垂直于如图2所示的x和y轴的轴。 
在所示的实施例中，位移测量系统1包括四个相邻的栅格板3，所述栅格板3被安装到光刻设备上。每个栅格板3设置有这样的栅格：所述栅格具有足够高的、从而能够获得所需精度的分辨率。在所示的实施例中，四个栅格板3根据栅格板3的物理尺寸的限制而使用。然而，应当理解，也可以使用包括不同数量或形状的栅格板的其它布置。例如，尽管对于生产是昂贵的，但是也可以使用工作面积的尺寸的单块栅格板。 
栅格板3可以被安装到独立的框架(即所谓量测框架)上，或作为投影系统PS的一部分的透镜上。栅格板3是设置在沿着第一和第二方向(即x方向和y方向)延伸的平面中的大致平坦的板。定位栅格板3，以使得每个栅格板3的至少一侧与另一个栅格板3的侧部相邻。同时，栅格板3基本覆盖衬底台2的所有所需位置，以使得测量系统1能够连续地测量衬底台2的位置。 
在所示的实施例中，衬底台2被设置在栅格板3的下面。在衬底台2上，设置两个x传感器4、5和两个y传感器6、7。传感器4、5、6、7设置用于测  量衬底台2相对于各个栅格板3上的栅格的位置。x传感器4、5设置用于测量衬底台2在x方向上的位置。y传感器6、7设置用于测量衬底台2在y方向上的位置。从两个x传感器4、5和两个y传感器6、7中的一对获得的信息(x，x；x，y；y，x或y，y)可以被用于确定围绕z轴的旋转，即在x-y平面中的旋转。借助两个x传感器4、5和两个y传感器6、7中的三个，能够以高精度(纳米或亚纳米的分辨率)在三个共面的自由度(x，y，Rz)连续地确定衬底台2的位置。通常，需要能够确定衬底台2在光刻设备内的、在光刻设备的正常使用过程中可能出现的所有可能的位置上的位置。这些可能的位置可能包括曝光区域、用于朝向和离开所述曝光区域运动的转移区域、对准和调平区域以及衬底交换区域。 
每个x传感器和y传感器可以按照在美国申请US2004/0263846A1中所述来设计，所述文献在此以引用的方式合并入本文。 
四个传感器4、5、6、7的布置和相邻的四个栅格板3的布置的组合能实现从一个栅格板3到另一个栅格板3的传感器接管(sensor take-over)。在传感器接管过程中，即当首先与第一栅格板3共同操作的第一传感器朝向其将与第二栅格板3共同操作所在的位置运动时，第二传感器可能提供信号以确保连续的测量。然后，当所述第一传感器在第二栅格板3的范围中时，能够在重新初始化之后，所述第一传感器再次提供表示衬底台2的位置的信号。 
如上所述，两个x传感器4、5和两个y传感器6、7中的三个使得能够确定衬底台2在三个共面的自由度中的位置。于是，存在一个冗余传感器。所述冗余传感器可以在其它传感器中的一个不能使用的情况下被使用，例如，由于它在栅格板3的范围之外，或在栅格板3中的损坏区域使得在该位置上的传感器不能测量。 
通过选择性地采用一组三个传感器，可以获得连续的控制，所述传感器每个都能够正确地确定用于表示在x方向或y方向上的位置的信号。代表性的x传感器和y传感器的选择可以通过选择装置进行。代表性的栅格板3的选择/挑选依赖于衬底台2的位置。当所有四个传感器4、5、6、7能够传达信号时，由冗余传感器所产生的信号可以被用于校准。 
图3示意性地示出根据本发明的第一实施例的控制系统的一部分的剖  视图。在本发明的第一实施例中，所述控制系统包括用于支撑第一测量系统的框架11。在第一实施例中，第一测量系统包括设置用于测量在第一坐标系中的衬底18的位置的对准模块或对准系统19。对准系统19的可能的测量结果是衬底18位于位置(a1，b1，c1)上，其中下标表示所述坐标处于第一坐标系中。当标记在中心轴的位置上检测到时，对准系统19表示0，0作为所述掩模的对准位置。 
控制系统设置用于控制衬底台12，所述衬底台12设置用于支撑衬底18。控制系统采用第二测量系统(13、14、15、16)控制所述衬底台12的位置。所述第二测量系统(13、14、15、16)测量衬底台12在第二坐标系中的位置。所述第二测量系统(13、14、15、16)包括由框架11支撑的栅格板13。衬底台12以可移动的方式定位在栅格板13下面。通过以下文所解释的方式测量衬底台12相对于栅格板13在第二坐标系中的位置作为时间的函数，来控制衬底台12的位置。对准系统19具有在第二坐标系中的假定位置(k2，l2，m2)。所述假定位置通过校准、设计或参考测量来确定，并存储在控制系统中，或处于所述控制系统可获得的位置。 
栅格板13是第二坐标系所连接到的参考结构的实施例。这种栅格板13是光刻设备中的大物体，同样具有很大的重量。尽管被连接到光刻设备的主框架，但是所述栅格板仍然具有不稳定的位置，至少对于纳米范围内是如此。本发明的实施例目的在于克服该效果并改善衬底和/或衬底台相对于其它物体的定位，例如框架或图案形成装置或图案形成装置的空间图像。 
由于衬底台12处于第二测量系统(13、14、15、16)的控制下，所以在测量衬底18的位置时衬底台12的位置是已知的，且在所述情况下是(x2，y2，z2)，其中下标表示在第二坐标系中的坐标。 
控制系统包括控制器(未示出)，所述控制器将由对准系统19所测量的衬底18相对于第一坐标系的位置(a1，b1，c1)转换成衬底台12在第二坐标系中的位置。依赖于对准系统19在第二坐标系中的假定位置(k2，l2，m2)和衬底18在第一坐标系中的所测量到的位置(a1，b1，c1)，确定衬底18在第二坐标系中的位置。当衬底18的位置被测量时，所述控制器将其连接到衬底台12的位置(x2，y2，z2)上。在所述转换之后，衬底18可以通过定位衬底台  12被定位。 
对衬底台12相对于栅格板13的位置进行测量。栅格14被设置在面对衬底台12的栅格板13的表面侧上。传感器15、16被设置在衬底台12上。传感器15、16可能是类似于参照图2所讨论的x传感器4、5或y传感器6、7的x传感器或y传感器。于是，x传感器被设置用于测量衬底台12在x方向上的位置，而y传感器被设置用于测量所述衬底台在y方向上的位置。传感器15、16设置用于测量衬底台12相对于栅格板13上的栅格14的位置。 
在实施例中，第二测量系统13、14、15、16是增量式位置测量系统。增量式位置测量系统不提供绝对位置测量值，但通过对在从第一位置到第二位置的位移过程中所检测到的增量进行计数而提供关于在第一位置和第二位置之间移动的距离的信息。在该实施例中，栅格板13上的栅格14包括周期结构，例如周期为p的光栅。通过观察在增量内的位置来确定最终位置，即衬底台12已经相对于整个增量的最后段移动了多远，从而在0和1之间取值，也称为“相”。相对于这种增量式位置测量系统的更多细节可以在美国专利申请2007/0052976中找到，该文献以引用的方式合并入本文中。 
上述增量式位置系统可以与用于所谓零位调整的参考系统结合使用。这种参考系统也可能被连接到参考框架11。所述参考系统提供参考位置或零位置，以提供可以进行增量式位置测量的基础。附加地，这种结合使得能够确定绝对位置。毕竟，在实施例中，衬底台12的位置由增量式位置系统通过对增量进行计数进行测量，第二测量系统13、14、15、16能够在增量计数的起始位置被确定时，实现绝对位置的计算。上述参考系统的实施例在美国专利申请2004/0211921中更详细地描述，所述文献以引用的方式合并入本文中。 
所述控制系统还包括位置误差传感器25，所述位置误差传感器25是位移测量模块。位置误差传感器25设置用于将对准系统19和栅格板13之间的相对位置确定为时间的函数。在典型的实施例中的位置误差传感器25包括两个部分，第一传感器部分27和第二传感器部分29，如图3所示。在示例性的实施例中，所述两个传感器部分27、29分别表示检测信号生成和接收单元以及反射元件。检测信号生成和接收单元27设置用于在反射元件29  的方向上生成检测信号，且在从反射元件29的反射之后，检测经过反射的所述检测信号的至少一部分。检测信号从检测信号生成和接收单元27到反射元件29来回移动所花费的时间构成在这两者之间的相对位置的测量。检测信号生成和接收单元27被连接到栅格板13，并因此与栅格板13一起移动。反射元件29连接到对准系统19，并因此与对准系统19一起移动。因此，在对准系统19和栅格板13之间的相对位置可以借助位置误差传感器25进行测量。 
可选地，位置误差传感器25的第一传感器部分27和第二传感器部分29可以分别表示检测信号源和检测信号检测器。所述检测信号源例如可以连接到栅格板13，并设置用于在所述检测信号检测器的方向上提供检测信号。所述检测信号检测器可以连接到对准系统19，并设置用于检测由所述检测信号源生成的检测信号的至少一部分。如果所述检测信号源相对于栅格板13的位置和检测信号检测器相对于对准系统19的位置是已知的，则所述检测信号从所述检测信号源到所述检测信号检测器移动所花费的时间是在对准系统19和栅格板13之间的相对位置的测量。 
本领域的技术人员应当理解，在本发明的实施例中，可以采用与上述传感器25的实施例不同的传感器的类型。替代地，位置误差传感器25可以是包括两个部分27和29的电容传感器或包括两个部分27和29的编码器型传感器。 
传感器25可以设置用于与控制器连通(未示出)。所述控制器可能包括处理器，所述处理器设置用于随时间计算在对准系统19和栅格板13之间的相对位置。 
本领域的技术人员应当理解，即使所述控制系统通过参考具有在x方向和y方向上的栅格14的栅格板13(即两维栅格)来进行描述，也能够提供包括在单一方向上的栅格14的结构的控制系统。在这种情况下，所述控制系统设置用于监测在一维方向上的位置。 
图4示意性地示出根据本发明的第二实施例的控制系统的一部分的剖视图。在控制系统的该实施例中，位置误差传感器25的第一传感器部分31(在图3中表示为传感器部分27)连接到对准系统19，而传感器25的第二传感器部分33(在图3中表示为传感器部分29)连接到栅格板13。在本实  施例中的位置误差传感器25以类似于在图3所述的和参照图3所述的第一实施例的位置误差传感器25的实施例的方式操作。 
图5示意性地示出根据本发明的还一实施例的控制系统的一部分的剖视图。控制系统包括两个子系统，第一子系统和第二子系统。所述第一子系统(例如在图4中所示的第二实施例的子系统)包括栅格板43a和第一对准系统49。第一对准系统49具有中心轴，在图5中由附图标记50表征的虚线所表示。第一对准系统49和栅格板43a都与框架11相连接。第一子系统设置用于确定位于衬底台12上的衬底18的位置，其设置用于在栅格板43a下面移动。在面对衬底台12的栅格板43a的表面侧处，设置栅格44a。类似地，如前所述，衬底台12可能设置有传感器15、16，所述传感器15、16设置用于测量衬底台12相对于栅格板43a上的栅格44a的位置。 
第一子系统还包括第一位置误差传感器45，例如图4所示的位置误差传感器25。第一位置误差传感器45设置用于将第一对准系统49和栅格板43a之间的相对位置确定为时间的函数。第一位置误差传感器45可能包括两个部分，例如分别类似于之前参照图3和图4所描述的第一传感器部分27、31和第二传感器部分29、33。 
第二子系统，也称为另一子系统，包括栅格板43b和第二对准系统59，通常类似于在图5中描述的、结合投影系统PS所设置的实施例。第二对准系统59具有中心轴，在图5中由附图标记60所表征的虚线表示。第二对准系统59和栅格板43b都与框架11连接。第二子系统也设置用于确定位于衬底台12上的衬底18的位置，然而，在这种情况下，相对于在栅格板43b下面的移动来确定。栅格板43b可以仅仅像栅格板43a，设置有栅格44b，以使得衬底台12相对于栅格板43b上的栅格44b的位置可能通过设置在衬底台12上的传感器15、16来确定。 
第二子系统还包括第二位置误差传感器55。第二位置误差传感器55设置用于确定第二对准系统59和栅格板43b之间的相对位置，且在该实施例中，由此也将投影系统PS和栅格板43b之间的相对位置确定为时间的函数。第二位置误差传感器55也可能包括两个部分，例如分别相对于第一和第二实施例以及在图3和图4中描述的第一传感器部分27、31以及第二传感器部分29、33。 
在控制系统的实施例中，第一位置误差传感器45是类似于如图3所示的位置误差传感器25的传感器，即其第一传感器部分连接到栅格结构，例如栅格板43b。在所述实施例中，另一方面，第二位置误差传感器55是类似于如图4所述的位置误差传感器25，即传感器的第一传感器部分连接到投影系统PS。 
第一位置误差传感器45可以设置用于(例如经由控制器(未示出))连通第二位置误差传感器55。相对于前面相联系的形式和内容的其它细节将参照图6进行解释。 
本领域的技术人员应当理解，即使通过参照分别具有栅格44a、44b的栅格板43a、43b描述第一和第二子系统，这两个子系统也能够包括在单个方向上设置有单个栅格的结构。在这种情况下，控制系统设置用于监测在一维方向上的位置。 
应当理解，在图3-5中的X、Y方向的表示意味着描绘出在本发明的实施例中的方向应用，衬底台12能够在第一方向(例如X方向)上移动，以便借助在X方向上的对准系统19、49、59中的一个获得设置在衬底台12上的衬底18的对准位置，同时借助作为第一编码器型传感器(在这种情况下为x传感器)的传感器15、16监测衬底台12相对于栅格板13、43a、43b中的一个的X位置。类似地，衬底台12可以在第二方向(即Y方向)上移动，以便借助在Y方向上的对准系统19、49、59中的一个获得设置在衬底台12上的衬底18的对准位置，同时借助作为第二编码器型传感器(在这种情况下为y传感器)的传感器15、16监测衬底台12相对于栅格板13、43a、43b中的一个的Y位置。所述X位置与所述Y位置垂直。 
类似地，位置误差传感器25、45、55可能包括两个传感器元件，即设置用于在第一方向(例如X方向)上将各个对准系统19、49、59和各个栅格板13、43a、43b之间的相对位置测量为时间的函数的传感器元件，以及设置用于在第二方向(例如Y方向)上将各个对准系统19、49、59和各个栅格板13、43a、43b之间的相对位置测量为时间的函数的传感器元件。然后，每个传感器元件可能包括如前所述的第一传感器部分和第二传感器部分。 
如前所述，在本发明的实施例中，仅仅在单个方向上的测量，例如仅  仅X方向或仅仅Y方向，被测量。在这种情况下，传感器25、45、55可能设置用于仅仅在单个方向上进行测量。 
由于对于为更小的图案成像以形成具有更高的部件密度的器件的持续需求，在保持每单位时间生产的图案的数量恒定或甚至增加所述数量的同时，光刻设备内的多种任务需要更快地进行。结果，衬底台12的加速度和减速度也增加，这可能导致栅格板振动。典型地，栅格板13、43a、43b的振动在100-300Hz之间，尤其对于水平振动(即在具有设置有至少一个栅格14、44a、44b(例如栅格板13、43a、43b)的结构的表面平面中的振动)在160-180Hz之间，对于垂直振动(即垂直于设置有至少一个栅格13、43a、43b(例如栅格板13、43a、43b)的结构的表面的振动)在250-300Hz之间。 
在可选的实施例中，位置误差传感器25测量栅格板13以及栅格14相对于框架11的位置。第一对准系统19相对于框架11的位置被假定为固定的。在所述实施例中，位置误差传感器25测量在第一测量系统(包括例如对准系统19)和第二测量系统(包括例如栅格板13和栅格14)之间的相对距离的仅仅变化的分量。可选地，第一测量系统(包括对准系统19)相对于框架11的位置可以由位置误差传感器25测量，且栅格板13以及栅格14相对于框架11的位置被假定成固定的。 
图6示意性地示出采用如图5所示的另一实施例的控制系统改善位置控制的方法的流程图。所述控制系统的至少一个元件能够与控制器61连通。所述控制器61可能包括处理器63和存储器65。关于处理器63和存储器65的可能的实施例的详细描述将参照图7采用之前的图中的标记进行讨论。 
控制器61设置用于基于由位置误差传感器(例如第一位置误差传感器45和第二位置误差传感器55)所进行的至少一个测量修改确定的控制参数。 
在采用第一位置误差传感器45的情况下，涉及作为时间函数的在第一对准系统49和栅格板43a之间的相对位置的测量数据被在作用71中转移到控制器61。类似地，在采用第二位置误差传感器55的情况下，涉及作为时间函数的在第二对准系统59和栅格板43b之间的相对位置的测量数据被在  作用73中转移到控制器61。控制器61可以采用以下文所述的不同方式来自至少一个位置误差传感器45、55的测量数据。控制器61使用位置误差信号所采取的不同方式可以以从刚刚公开的内容中显而易见的多种方式进行组合。 
在实施例中，控制器61采用由位置误差传感器25得到的测量值，所述位置误差传感器25用于衰减在第一测量系统(例如包括对准系统19、49)和第二测量系统(例如包括栅格板13、43a、43b)之间的相对运动。如前所述，第一测量系统(例如包括对准系统19、49)在第二坐标系中具有假定位置，所述第二坐标系连接到第二测量系统(例如包括栅格板13、43a、43b)。在该实施例中，来自位置误差传感器25的位置误差信号被馈送到致动器(未示出)，以驱动第一测量系统(例如包括对准系统19、49)和/或第二测量系统(例如包括栅格板13、43a、43b)到达假定的相对位置。当第一测量系统和第二测量系统的相对位置被直接测量时，以及当第一测量系统和第二测量系统中的一个假定为固定的且第一测量系统和第二系统中的另一个相对于框架的位置被测量时，可应用该方法。于是，致动器使所述第一测量系统和所述第二测量系统的相对运动衰减。 
在实施例中，控制系统设置用于接收在第二坐标系中的第一测量系统(例如包括对准系统19、49)和衬底台12的目标相对位置。目的在于在第一测量系统和衬底台12处于它们的目标相对位置中时，测量衬底18的位置。因此，给出对于在第二坐标系中的第一测量系统的假定位置的量。因为所述目标相对位置处于第二坐标系中，且所述第一测量系统(例如包括对准系统19、49)的实际位置在其假定位置周围变化，由第一测量系统进行的实际测量包括误差。在该实施例中，当借助第一测量系统测量衬底18的位置时，控制器61依赖于所述位置误差信号和目标相对位置采用来自位置误差传感器25的信号控制支撑结构的位置。更具体地，控制器61调整支撑结构12的位置以补偿在第二坐标系中的第一测量系统的实际位置和假定位置之间的偏差。替代地，所述第一测量系统的位置被控制用于补偿(例如通过阻尼系统)在所述第一测量系统的实际位置和假定位置之间的偏差。哪个测量系统是振动的或者是否两个测量系统都振动是不重要的；被连接到各个测量系统的坐标系的相对位置是受控的。 
尽管附图示出关于衬底台12的本发明，但是衬底台12仅仅是与本发明结合使用的支撑结构的实施例。在实施例中，在第二坐标系中具有假定位置的支撑结构是用于支撑图案形成装置MA的掩模版台。在实施例中，第二测量系统设置用于测量用于保持图案形成装置的支撑结构MT的位置。目的在于，在第一测量系统和支撑结构MT处于所述目标相对位置中时，测量图案形成装置的位置。因此，给出对于在第二坐标系中的第一测量系统的假定位置的量。因为所述目标相对位置处于第二坐标系中，且所述第一测量系统(例如包括图案形成装置对准系统)的实际位置在其假定位置周围变化，所以由第一测量系统进行的实际测量包括误差。且在该实施例中，位置误差传感器可以被用于测量误差信号。当借助第一测量系统测量图案形成装置的位置时，控制器61依赖于所述位置误差信号和目标相对位置采用来自位置误差传感器25的信号控制支撑结构MT的位置。更具体地，控制器61调整支撑结构MT的位置，以补偿在第二坐标系中的第一测量系统的实际位置和假定位置之间的偏差。替代地，所述第一测量系统的位置被控制用于补偿(例如通过阻尼系统)在所述第一测量系统的实际位置和假定位置之间的偏差。哪个测量系统是振动的或者是否两个测量系统都振动是不重要的；被连接到各个测量系统的坐标系的相对位置是受控的。 
在还一个实施例中，控制器61设置用于根据或依赖于用于修正用于测量衬底台18上的衬底W的位置的第一测量系统的假定位置的接收到的误差信号，修正图案形成装置MA的支撑结构MT的位置，同时，采用第二测量系统测量衬底台18的位置。这种修正在图案形成装置和衬底18的组合重要时(例如在照射过程中)是有优势的。图案形成装置将图案的空间图像提供到衬底上。实际上，尽管误差信号对于衬底台18进行测量，但是所述空间图像的位置根据该实施例仍是适配的。通过根据误差信号针对图案形成装置将支撑结构进行定位，适配所述空间图像的位置。在没有根据本发明的修正的条件下，所述空间图像可能依赖于由衬底台承载的衬底的假定的位置进行定位。然而，所述空间图像相对于衬底的位置可以通过依赖于从所述误差传感器接收到的误差信号对图案形成装置的支撑结构MT进行定位来修正。 
在另一个实施例中，控制器61设置用于根据所接收到的误差信号修正  衬底台18的位置，同时采用第二测量系统测量支撑结构MT的位置，其中所述误差信号用于修正用于测量保持在支撑结构MT中的图案形成装置MT的位置的第一测量系统的假定位置。 
在还一个实施例中，从两个独立的第一测量系统(例如用于定位衬底台18和支撑结构MT的测量系统)接收到两个误差信号。所述控制器能够计算来自所接收到的信号的组合误差，并能够采用所计算的误差组合信号修正两个支撑结构18、MT中的一个的定位。 
在实施例中，控制器61设置用于将在第一坐标系中的衬底18的位置转换成在第二坐标系中的衬底台12的所转换的位置，其采用： 
●由所述第一测量系统(例如包括对准系统19、49)测量的衬底的位置 
●在第二坐标系中的第一测量系统的假定位置 
●在第二坐标系中的支撑结构(例如衬底台12)的位置 
并设置用于依赖于位置误差信号修正所转换的位置。这在之前参照如图3所示的示例性实施例进行解释。 
可选地，所转换的位置不像采用图3所述的第一实施例中那样在此后不进行修正。替代地，在第二坐标系(所述第二坐标系连接到可能包括例如栅格板13、43a的第二测量系统)中的第一测量系统(例如包括对准系统19、49)的实际位置被用于将衬底18的位置转换成在第二坐标系中的衬底台12的所转换的位置。通过借助来自位置误差传感器25的位置误差信号修正假定位置，来获得在第二坐标系中的第一测量系统的实际位置。 
在实际中，控制器61可能使用位置误差信号所采取的不同方式可能在为以由图案化的辐射束B所形成的图像照射衬底18而定位衬底台12之后进行。通过采用所转换的位置，衬底18相对于束B中的图案进行定位，以便能够获得良好的重叠。替代地或附加地，第一测量系统包括用于测量面对远离衬底台12的衬底18的表面的位置的水平传感器，且控制系统能够将表面精确地置于焦点，即在图案化的束B中形成清晰图像的位置上。 
在之前的实施例中，不同的传感器(例如传感器45、55和对准系统49、59)的采样矢量，可能需要在根据本发明的测量布置的实施例中被适配，例如被同步或计算。 
应当理解，在全文中所使用的控制器61的处理器63可以在如图7所示的计算机组件100中实现。在根据本发明的所述组件的实施例中，计算机组件100可以是控制器61形式的专用计算机，或者替代地，为用于控制光刻投影设备的中央计算机。连接到处理器63的存储器65可能包括多个存储器部件，例如硬盘111、只读存储器(ROM)112、电可擦除只读存储器(EEPROM)113和随机存储器(RAM)114。并不需要上述所有的存储器部件都存在。进而，上述存储器部件是在物理上位于处理器63附近或者互相邻近并不重要。它们可以位于相互很远的位置上。 
处理器63也可以被连接到某种用户接口，例如键盘115或鼠标116。可以使用触摸屏、轨迹球、语言转换器(speech converter)或本领域的技术人员所公知的其他接口。 
处理器63可以被连接到读取单元117，所述读取单元117设置用于在一定的情况下从数据载体(像软盘118或CDROM119)上读取数据和将数据存储到所述数据载体上。也可以使用DVD等本领域的技术人员所公知的其它数据载体。 
处理器63也可以被连接到用于将输出数据打印到纸上的打印机120以及连接到显示器121，例如监视器或LCD(液晶显示器)，或本领域的技术人员所公知的其它类型的显示器。 
处理器63可以借助能够响应输入/输出(I/O)的发送机和接收机被连接到通信网络122，例如公共开关电话网络(PSTN)、局域网(LAN)、广域网(WAN)等。处理器63能够设置用于经由通信网络122与其他通信系统连通。在本发明的实施例中，外部计算机(未示出)，例如操作者的个人计算机可以经由通信网络122连入处理器63。 
处理器63可以被实现为独立的系统或并行操作的多个处理单元，其中每个处理单元设置用于执行更大程序的子任务。所述处理单元也能够被分成具有多个子处理单元的至少一个主处理单元。处理器63的一些处理单元甚至可以位于远离其它处理单元的位置上，并经由通信网络122连通。 
计算机组件100可以设置用于加载包括计算机可执行代码的计算机可读介质，也被称为计算机程序产品。这可能使得计算机组件100在计算机可读介质上的计算机可执行代码被加载时，执行控制类似光刻设备中的衬  底台12的支撑结构的前述方法的实施例。 
在本发明的实施例中，位置误差传感器25、第一位置误差传感器45或第二位置误差传感器55的测量精度通过降低对于温度的依赖性而得到提高。例如，这可以通过将位置误差传感器25的第一传感器部分27安装到具有低热膨胀系数的元件上，例如具有低于0.1×10-6K-1或低于2×10-8K-1 的值。例如，所述元件由ZerodurTM玻璃陶瓷(由德国美因兹Schott Glas，Hattenbergstraβe 10 55120制造)。所述元件的功能是减小在第一传感器部分27和第二传感器部分29之间的距离，并为第一传感器部分27提供不依赖于温度的位置。 
在实施例中，第一传感器部分27包括激光和检测器，第二传感器部分29包括反射镜，检测信号通过在第一传感器部分27和第二传感器部分29之间的气体传输。第一传感器部分27和第二传感器部分29一起作为用于测量依赖于如前所述的检测信号从第一传感器部分27到第二传感器部分29来回的时间的参数的干涉仪操作。该时间依赖于光学折射率，所述折射率依次依赖于所述气体的温度。在第一传感器部分27和第二传感器部分29之间的距离越大，温度对于时间的绝对影响也越大。减小间距，就减小温度对于绝对时间的影响。应当理解，尽管所述元件可能仍经历膨胀，并因此影响在第一传感器部分27和第二传感器部分29之间的路径长度(由于第一传感器部分27被安装到所述元件上)，通过以合适的低热膨胀系数的材料制作所述元件，所述影响可以远小于温度对所述时间的影响。 
也应当理解，也可以采用其它的实施例，例如，具有用于安装第二传感器部分29的另一元件，仅仅具有用于第二传感器部分29的元件，而没有用于第一传感器部分27的元件。同时，位置误差传感器25应当能够确定第一传感器部分27和第二传感器部分29的位移，并因此可能包括光学编码器系统或可能通常包括作为第一或第二传感器部分27、29的检测信号源、以及作为如之前所述的另一传感器部分的检测信号检测器。而且，位置误差传感器25可能具有第三传感器部分(未示出)，所述第三传感器部分测量在所述元件和另一元件之间的距离，两个原件都包括具有低热膨胀系数的材料，其中所述第三传感器部分位于远离所述元件和所述另一元件的位置上，例如通过被安装在框架11上或甚至被安装在光刻设备的另一个部分上  或其它框架上来实现。 
如上所述，设置用于测量在第二坐标系中的衬底台12的位置的第二测量系统可以是增量式位置测量系统，所述增量式位置测量系统从一定的起始位置(即借助上述参考系统所确定的参考位置或零位置)开始，并沿着从所述起始位置朝向实际位置对增量进行计数。通过采用相位捕捉技术(在美国专利申请2007/0052976中进行了更详细地解释)，衬底台12可以在已知其在第二坐标系中的位置的情况下移动而不产生任何精度损失。 
然而，衬底台12的上述起始位置在光刻设备内的存在漂移的情况下可能不能被很好地定义。因此，由第二测量系统所进行的位置测量可能是不精确的，特别是当偏移超过增量的一半时。 
所述第二测量系统可能提供不精确的结果的另一种情况是栅格板上的栅格的周期结构的周期已经被改变的情况，例如由于温度变化而导致的膨胀或收缩引起。 
在这种情况下，当从一个测量子系统切换到另一个测量子系统时(例如图5)，当从由第二测量子系统相对于具有栅格44a的栅格板43a进行的位置测量移动到由第二测量子系统相对于具有栅格44b的栅格板43b进行的位置测量时，存在产生定位误差的风险。 
漂移可能由于控制系统的温度变化而出现。然而，漂移又不仅仅与温度相关。漂移也可能由材料的张弛或外力引起的变形造成。 
在本发明的实施例中，分别设置有栅格14、44a、44b的栅格板13、43a、43b可能被连接到测量框架11，以使得热中性点可以被限定在由栅格14、44a、44b形成的平面中。所述热中性点是空间中的虚拟点，其不受温度变化的影响，即，不受测量框架11的膨胀和/或收缩的影响。所述热中性点可能与对准系统的中心轴相一致，例如，如图3和图4所示的对准系统19的中心轴20。在实施例中，可能存在多于一个的热中性点。而且，这些热中性点可能与对准系统的中心轴相一致。例如，在采用如图5所示的实施例的情况下，第一热中性点可能与第一对准系统49的中心轴50相一致，且第二热中性点可能与第一对准系统59的中心轴60相一致。替代地，对于所述实施例，第二热中性点可能与投影系统PS的光轴相一致。 
在实施例中，为了获得热中性位置，栅格板13、43a、43b借助多个(优  选是三个)片簧作为连接件21被连接到测量框架11。由附图标记83所表示的栅格板的俯视图，设置有这种实施例，如图8所示。在所述实施例中，采用三个片簧81a、81b、81c。片簧81a、81b、81c位于围绕所述热中性点的一个平面中的栅格板83上，所述热中心点由附图标记85表示，彼此之间成120度角。如前所述，所述热中性点是空间中的虚拟点。结果，如果在栅格板83中设置开口，例如出于定位对准系统或类似物的目的，所述热中性点可能实际上位于不存在栅格板83的位置上。该情况如图8所示，在这种情况下，虚线圆87被考虑为在栅格板83中的开口。 
在实施例中，栅格板13、43a、43b由具有低热膨胀系数(例如具有低于0.1×10-6K-1或低于2×10-8K-1的值)的材料制成。栅格板13、43a、43b例如可以包括ZerodurTM玻璃陶瓷(由德国美因兹Schott Glas，Hattenbergstraβe 10 55120制造)。 
在实施例中，测量框架11包括具有高热传导系数(例如具有大于150Wm-1K-1的值)的材料。测量框架11例如可以由铝制成。测量框架11可以与多个温度传感器连接，在实施例中，所述温度传感器位于测量框架的外边缘上。当制成测量框架11的材料相对于温度变化的行为是已知的时，多个温度传感器相对于所述测量框架11的合适的定位能够实现预见测量框架11响应于温度变化在形状和尺寸方面的行为。这样开发的模型可能依次被用于响应由多个温度传感器所获得的温度测量确定测量框架11的形状和尺寸。如图3和图4所示，对准系统19可以被连接到测量框架11。结果，如果测量框架11改变形状和/或尺寸，对准系统19的位置也能够改变。在此，前述模型可以被用于补偿由因为测量框架的形状和/或尺寸的改变所引起的对准系统19的位置的改变获得的测量误差。替代地，或附加地，所述模型可以被用于修改衬底台的轨道，以补偿前述测量误差。 
如图3、图4和图5所示，多个元件可以被连接到测量框架11。在具有第一对准系统49和第二对准系统59的实施例中，如图5所示，对准系统49、59的中心轴50、60的彼此相对的运动分别可以通过采用上述模型进行监测。如果以通信方式连接到类似参照图6所讨论的控制器61的控制器，衬底台12的运动可以分别针对在第一对准系统49和第二对准系统59的中心轴50、60之间的相互距离的前述变化进行补偿。 
在光刻设备中，工序紧接着将图案曝光在顺序设置的多个衬底上。所述衬底台12的到起始位置的运动、朝向适合于以对准系统49对准的位置的后续运动、以及借助第二对准系统59对准的位置上的曝光这一过程称为衬底循环。由于衬底被顺序地设置，所述过程随后重复。不是由温度造成的漂移，例如由材料的张弛或由外力引起的变形所造成的漂移通常很慢。通过监测相对于所述热中性位置的起始位置，这种非温度相关的漂移可以被补偿。与温度无关的漂移通常是慢的，即获得超过增量一半的漂移要花费多个衬底循环。结果，在实施例中，在从多个衬底周期获得的前述监测测量可以被平均化以提高相对于噪声水平的性能。 
尽管在本文中可以做出具体的参考，将所述光刻设备用于制造IC，但应当理解这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如，集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器、薄膜磁头的制造等。对于普通的技术人员，应该理解的是，在这种替代应用的情况中，可以将其中使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。 
尽管以上已经做出了具体的参考，在光学光刻的情况中使用本发明的实施例，但应该理解的是，本发明可以用于其他应用中，例如压印光刻，并且只要情况允许，不局限于光学光刻。在压印光刻中，图案形成装置中的拓扑限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的拓扑印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图案形成装置从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案。 
这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外辐射(例如具有约365、355、248、193、157或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm范围内的波长)，以及粒子束，例  如离子束或电子束。 
在上下文允许的情况下，所述术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任何一种或它们的组合，包括折射式、反射式、磁性式、电磁式和静电式的光学部件。 
尽管以上已经描述了本发明的特定的实施例，但是应该理解的是本发明可以以与上述不同的形式实现。例如，本发明可以采取包含用于描述上述公开的方法的一个或更多个机器可读指令序列的计算机程序的形式，或者采取具有在其中存储的这种计算机程序的数据存储介质的形式(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)。 
以上的描述是说明性的，而不是限制性的。因此，本领域的技术人员应当理解，在不背离所附的权利要求的保护范围的条件下，可以对本发明进行修改。 

Claims (41)

1.一种用于控制光刻设备中的支撑结构(2，12，MT)的控制系统，所述控制系统包括：
第一测量系统(19，49)，所述第一测量系统设置用于在第一坐标系中测量由支撑结构支撑的物体(W，18，MA)的位置；
第二测量系统(1，3，13，14，15，16，43a，44a)，所述第二测量系统设置用于在第二坐标系中测量支撑结构的位置，所述第一测量系统在第二坐标系中具有假定位置；以及
控制器(61)，所述控制器配置用于：
基于由第二测量系统的测量控制支撑结构的位置，
将物体的所测量到的位置转换为在第二坐标系中的支撑结构的所转换的位置，以及
基于所转换的位置定位支撑结构；
其中，所述控制器还配置用于接收定位误差信号，所述定位误差信号表示在第二坐标系中的第一测量系统(19，49)的假定位置和实际位置之间的差值，且还设置用于以依赖于定位误差信号的方式控制支撑结构和/或空间图像的位置，
其中所述控制器(61)配置用于采用假定位置和定位误差信号确定第一测量系统(19，49)在第二坐标系中的实际位置，且配置用于以依赖于第一测量系统的实际位置和物体(W，18)的所测量的位置的方式确定所转换的位置。
2.根据权利要求1所述的控制系统，其中所述控制器设置用于以依赖于所述定位误差信号的方式定位用于衬底(18)支撑结构(2，12)。
3.根据权利要求1所述的控制系统，其中所述控制器设置用于以依赖于所述定位误差信号的方式定位用于图案形成装置(MA)的支撑结构(MT)。
4.根据权利要求1所述的控制系统，其中所述控制器设置用于通过以依赖于所述定位误差信号的方式定位其它的支撑结构(MT)控制支撑结构(2，12)的相对位置。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的控制系统，其中所述第二测量系统(1，3，13，14，15，16，43a，44a)包括与第二坐标系连接的参考结构(3，14，44a)。
6.根据权利要求5所述的控制系统，其中所述控制器(61)设置用于通过采用所述定位误差信号控制第一测量系统(19，49)和参考结构(3，13，14，44a)的相对位置，衰减所述第一测量系统和所述第二测量系统的相对运动。
7.根据权利要求6所述的控制系统，其中控制器(61)包括阻尼系统，所述阻尼系统用于衰减由定位误差信号所测量的距离的变化。
8.根据权利要求5所述的控制系统，其中所述参考结构包括热膨胀系数小于0.1x10-6K-1和2x10-8K-1中的至少一个的材料。
9.根据权利要求5所述的控制系统，其中所述参考结构包括栅格板(14)。
10.根据权利要求1至4中任一项所述的控制系统，其中所述第二测量系统包括编码器型传感器(15，16)。
11.根据权利要求9所述的控制系统，其中所述第二测量系统是增量式位置测量系统。
12.根据权利要求10所述的控制系统，其中所述控制系统还包括参考系统，所述参考系统设置用于为由所述增量式位置测量系统进行的测量提供起始位置。
13.根据权利要求1至4中任一项所述的控制系统，其中所述控制器(61)配置用于接收第一测量系统和支撑结构(2，12，MT)的目标相对位置，且配置用于在采用第一测量系统(19，49)测量物体(W，18，MA)的位置时，以依赖于定位误差信号和目标相对位置的方式控制支撑结构的位置。
14.根据权利要求1至4中任一项所述的控制系统，其中所述控制器(61)配置用于将物体(W，18，MA)在第一坐标系中的位置转换成支撑结构(2，12，MT)在第二坐标系中的所转换的位置，所述转换基于：
由第一测量系统(19，49)所测量的物体的位置，
所述第一测量系统在第二坐标系中的假定位置，以及
支撑结构在第二坐标系中的位置，
且其中控制器还配置用于以依赖于定位误差信号的方式修正所转换的位置。
15.根据权利要求1至4中任一项所述的控制系统，其中第二测量系统(1，3，13，14，15，16，43a，44a)包括与第二坐标系连接的参考结构(3，14，44a)，其中第一测量系统和参考结构由框架(11)支撑。
16.根据权利要求15所述的控制系统，其中参考结构由框架(11)借助多个连接件(21)支撑，以使得热中性点在所述参考结构的平面中形成。
17.根据权利要求16所述的控制系统，其中所述连接件(21)是片簧。
18.根据权利要求16所述的控制系统，其中连接件(21)的数量等于三，且连接件(21)位于围绕热中性点的一个平面中，所述热中性点相互成120度角。
19.根据权利要求16所述的控制系统，其中框架(11)包括热传导系数大于150Wm-1K-1的材料。
20.根据权利要求16所述的控制系统，其中第二传感器部分连接到框架(11)。
21.根据权利要求1至4中任一项所述的控制系统，还包括定位误差传感器(25，45)，所述定位误差传感器设置用于测量在第一传感器部分(27，29，31，33)和第二传感器部分(27，29，31，33)之间的距离。
22.根据权利要求21所述的控制系统，其中所述第一传感器部分连接到第一测量系统和第二测量系统中的至少一个。
23.根据权利要求22所述的控制系统，其中第二传感器部分连接到第一测量系统和第二测量系统中的一个，以使得可以直接测量在所述第一测量系统和所述第二测量系统之间的距离。
24.根据权利要求23所述的控制系统，其中第二传感器部分连接到框架(11)。
25.根据权利要求24所述的控制系统，其中控制器(61)包括阻尼系统，所述阻尼系统用于衰减由定位误差信号所测量的距离的变化。
26.根据权利要求21所述的控制系统，其中第一传感器部分和第二传感器部分中的至少一个包括热膨胀系数小于0.1x10-6K-1的材料。
27.根据权利要求21所述的控制系统，其中第一传感器部分和第二传感器部分中的至少一个包括热膨胀系数小于2x10-8K-1的材料。
28.根据权利要求21所述的控制系统，其中定位误差传感器包括干涉仪。
29.根据权利要求21所述的控制系统，其中定位误差传感器包括编码器系统。
30.根据权利要求1至4中任一项所述的控制系统，其中定位误差传感器表示在至少两个维度上在第二坐标系中的第一测量系统的假定位置和实际位置之间的差值。
31.根据权利要求1至4中任一项所述的控制系统，其中第一测量系统包括对准传感器。
32.根据权利要求1至4中任一项所述的控制系统，其中第一测量系统包括水平传感器。
33.一种包括根据权利要求1至32中任一项所述的控制系统的光刻投影设备。
34.根据权利要求33所述的光刻投影设备，其中所述设备包括框架，且其中测量系统之一被固定到所述框架上。
35.根据权利要求34所述的光刻投影设备，其中第二测量系统(1，3，13，14，15，16，43a，44a)包括与第二坐标系连接的参考结构(3，14，44a)，其中所述参考结构被固定到所述框架上。
36.根据权利要求33至35中任一项所述的光刻投影设备(PS)，还包括投影系统，且其中控制器(61)还配置用于：
接收其它的定位误差信号，所述定位误差信号表示在第二坐标系中的空间图像或其它物体的假定位置和实际位置之间的差值，以及
以依赖于其他的定位误差信号的方式对用于衬底(W)的支撑结构(2，12)和用于掩模(MA)的支撑结构(MT)或两种支撑结构(2，12，MT)进行定位。
37.根据权利要求36所述的光刻投影设备，其中所述其他物体为用于掩模(MA)的支撑结构(MT)。
38.一种控制在光刻设备中的支撑结构的方法，所述方法包括步骤：
将物体(W，18，MA)提供给支撑结构(2，12，MT)，所述支撑结构(2，12，MT)设置用于支撑所述物体；
采用第一测量系统(19，49)测量所述物体在第一坐标系中的位置；
测量所述支撑结构在第二坐标系中的位置，所述第一测量系统具有在第二坐标系中的假定位置；
将所述物体的所测量到的位置转换成所述支撑结构在第二坐标系中的所转换的位置；
以依赖于所述支撑结构的所测量到的位置、所述支撑结构的所转换的位置和定位误差信号的方式进行支撑结构(2，12，MT)的第一定位，所述定位误差信号表示在第二坐标系中的第一测量系统的假定位置和实际位置之间的差值；
采用假定位置和定位误差信号确定第一测量系统(19，49)在第二坐标系中的实际位置；和
以依赖于第一测量系统的实际位置和物体(W，18)的所测量的位置的方式确定所转换的位置。
39.根据权利要求38所述的方法，其中所述第一定位包括支撑结构(2，12，MT)相对于包括空间图像和其它的物体(MA)的组的成员的相对第一定位。
40.根据权利要求39所述的方法，其中所述第一定位通过将另一个支撑结构(2，12，MT)相对于所测量的支撑结构(2，12，MT)进行定位来实现。
41.根据权利要求38-40中任一项所述的方法，其中所述第一定位以也依赖于投影系统(PS)的像平面在第二坐标系中的位置的方式进行。
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8174671B2 (en) * 2007-06-21 2012-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and method for controlling a support structure
CN104111587B (zh) * 2007-07-18 2017-01-11 株式会社尼康 测量方法、载台装置、及曝光装置
US8194232B2 (en) * 2007-07-24 2012-06-05 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, position control method and position control system, and device manufacturing method
NL1036618A1 (nl) * 2008-03-24 2009-09-25 Asml Netherlands Bv Encoder-type measurement system, lithograpic apparatus and method to detect an error on or in a grid or grating of an encoder-type measurement system.
US8514395B2 (en) * 2009-08-25 2013-08-20 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
NL2005719A (en) * 2009-12-18 2011-06-21 Asml Netherlands Bv Method of measuring properties of dynamic positioning errors in a lithographic apparatus, data processing apparatus, and computer program product.
NL2007633A (en) 2010-11-22 2012-05-23 Asml Netherlands Bv A positioning system, a lithographic apparatus and a method for positional control.
CN102566287B (zh) * 2010-12-16 2014-02-19 上海微电子装备有限公司 光刻机的垂向控制装置及方法
DE102011005885A1 (de) 2011-03-22 2012-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithographievorrichtung
JP5922788B2 (ja) 2011-11-09 2016-05-24 ザイゴ コーポレーションＺｙｇｏ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 熱的に安定な光学センサマウント
CN103185548B (zh) * 2011-12-31 2016-03-09 睿励科学仪器（上海）有限公司 测量半导体机台的平台性能参数的辅助装置及方法
CN103309167B (zh) * 2012-03-09 2015-06-17 上海微电子装备有限公司 运动台定位精度的测量系统及测量方法
DE102012204572A1 (de) 2012-03-22 2013-09-26 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh Positionsmesseinrichtung und Anordnung mit einer derartigen Positionsmesseinrichtung
JP6066592B2 (ja) * 2012-06-12 2017-01-25 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP6069509B2 (ja) * 2012-09-28 2017-02-01 エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． 定量的レチクル歪み測定システム
JP6218459B2 (ja) * 2013-07-02 2017-10-25 キヤノン株式会社 除振装置、除振方法、リソグラフィ装置及びデバイスの製造方法
CN111158220A (zh) 2015-02-23 2020-05-15 株式会社尼康 测量装置及方法、光刻系统、曝光装置及方法
CN107278279B (zh) 2015-02-23 2020-07-03 株式会社尼康 基板处理系统及基板处理方法、以及组件制造方法
KR20230107706A (ko) 2015-02-23 2023-07-17 가부시키가이샤 니콘 계측 장치, 리소그래피 시스템 및 노광 장치, 그리고디바이스 제조 방법
NL2019477A (en) 2016-10-04 2018-04-10 Asml Netherlands Bv Athermalization of an alignment system
NL2020344A (en) * 2017-02-03 2018-08-14 Asml Netherlands Bv Exposure apparatus
EP3418923A1 (en) * 2017-06-19 2018-12-26 Dassault Systèmes Computer-implemented method of designing a supporting structure for the packaging of a solid object
CN112053985B (zh) * 2020-07-03 2024-02-02 北京华卓精科科技股份有限公司 一种晶圆对准装置及其对准方法
CN111766414B (zh) * 2020-08-14 2020-12-25 强一半导体（苏州）有限公司 面向导引板mems探针结构模板烧刻的探针定位方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5751404A (en) * 1995-07-24 1998-05-12 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method wherein alignment is carried out by comparing marks which are incident on both reticle stage and wafer stage reference plates
JP4264676B2 (ja) 1998-11-30 2009-05-20 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
JP4194160B2 (ja) * 1998-02-19 2008-12-10 キヤノン株式会社 投影露光装置
TWI231405B (en) * 1999-12-22 2005-04-21 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus, position detection device, and method of manufacturing a device using a lithographic projection apparatus
JP2001308003A (ja) * 2000-02-15 2001-11-02 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
TW527526B (en) * 2000-08-24 2003-04-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7289212B2 (en) * 2000-08-24 2007-10-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufacturing thereby
KR100555930B1 (ko) * 2001-01-19 2006-03-03 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 그 디바이스
JP2002367878A (ja) 2001-06-04 2002-12-20 Sony Corp アライメント補正方法及び露光装置
EP1265104A1 (en) 2001-06-06 2002-12-11 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP2003022948A (ja) 2001-07-05 2003-01-24 Canon Inc 投影露光装置
US7061579B2 (en) * 2003-11-13 2006-06-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4522142B2 (ja) 2004-05-18 2010-08-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ 露光装置、露光方法、及び基板製造方法
US7515281B2 (en) * 2005-04-08 2009-04-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7348574B2 (en) * 2005-09-02 2008-03-25 Asml Netherlands, B.V. Position measurement system and lithographic apparatus
US7755742B2 (en) * 2005-10-11 2010-07-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus with mounted sensor

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Publication number Publication date
KR100978096B1 (ko) 2010-08-25
TW200907600A (en) 2009-02-16
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