CN101360843B - 溅射靶结构体 - Google Patents

溅射靶结构体 Download PDF

Info

Publication number
CN101360843B
CN101360843B CN2006800496195A CN200680049619A CN101360843B CN 101360843 B CN101360843 B CN 101360843B CN 2006800496195 A CN2006800496195 A CN 2006800496195A CN 200680049619 A CN200680049619 A CN 200680049619A CN 101360843 B CN101360843 B CN 101360843B
Authority
CN
China
Prior art keywords
sputtering target
backing plate
target structure
strongthener
aluminum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2006800496195A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101360843A (zh
Inventor
国谷勉
铃木信幸
寺师晶
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advanced Material Technology C.
Original Assignee
ADVANCED MATERIAL TECHNOLOGY C
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ADVANCED MATERIAL TECHNOLOGY C filed Critical ADVANCED MATERIAL TECHNOLOGY C
Publication of CN101360843A publication Critical patent/CN101360843A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101360843B publication Critical patent/CN101360843B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
    • B22F7/06—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
    • B22F7/062—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools involving the connection or repairing of preformed parts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C47/00—Making alloys containing metallic or non-metallic fibres or filaments
    • C22C47/08—Making alloys containing metallic or non-metallic fibres or filaments by contacting the fibres or filaments with molten metal, e.g. by infiltrating the fibres or filaments placed in a mould
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C49/00—Alloys containing metallic or non-metallic fibres or filaments
    • C22C49/02—Alloys containing metallic or non-metallic fibres or filaments characterised by the matrix material
    • C22C49/04—Light metals
    • C22C49/06—Aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacture Of Alloys Or Alloy Compounds (AREA)

Abstract

本发明提供1种溅射靶结构体，该溅射靶结构体的机械加工性及热传导性优异，对钎焊材料的润湿性好，而且价格便宜，可长时间反复使用，不产生溅射靶龟裂、剥离的问题。该溅射靶结构体由溅射靶和垫板接合而成，其中，垫板由与溅射靶材料的线膨胀系数之差在2×10-6/K以下的材料构成，在垫板的至少一面配置厚度为0.3～1.5mm的铜板。

Description

溅射靶结构体
技术领域
本发明涉及在液晶显示器、等离子显示器等平面显示元件(平板显示器。以下简称“FPD”。)的硬涂层、装饰用涂层等薄膜的制造中，溅射工序所使用的溅射靶结构体。 
背景技术
通过溅射形成薄膜由如下方式进行：在真空容器中，导入氩气等稀有气体，对溅射靶施加负电压以产生辉光放电，使由此产生的等离子体阳离子撞击溅射靶，将由此放出的溅射靶构成原子沉积到相对基板。 
作为溅射靶，代表性的物质有铝、铝合金、高熔点金属(钨、钼、钛等)及其合金、高熔点硅化物(钼硅化物、钨硅化物等)等，但最近也应用ITO烧成体(铟-锡-氧化物)等。 
垫板在作为支撑体起作用的同时，作为冷却体起到除去在溅射靶中由溅射产生的热的作用。因此，垫板通常在内部具有冷却机构。 
作为垫板可使用无氧铜、铜合金、铝合金、不锈钢、钛合金等。这些当中，铜制垫板由于具有优异的热传导性而被经常使用，但因线膨胀系数较大、为17×10-6/K，所以存在由于反复使用时伸展导致的变形变大、多次使用后不能再利用这样的问题。 
上述溅射工序中使用的溅射靶通常以用低熔点钎焊材料将溅射靶钎焊于垫板上而成的结构体的状态来使用。 
在溅射工序中溅射靶结构体由于等离子体阳离子的撞击而变成高温的情况下，如果在构成该溅射靶结构体的溅射靶与垫 板之间线膨胀系数存在很大的差别的话，溅射靶结构体就会如双金属材料一样变形。这样的变形还会在制造溅射靶结构体时产生。 
如果发生这样的变形，会产生如下问题：在溅射靶中产生龟裂，或者钎焊材料熔解而钎焊部分剥离。 
因此，要求具有如下溅射靶结构体：即使因溅射等而暴露于高温下也不产生双金属材料变形，因而，没有溅射靶龟裂、剥离的问题。 
最近，打算使用钼、钛作为溅射靶材料，但这些金属的线膨胀系数与作为垫板材料而被经常使用的铜的线膨胀系数有很大的不同，因此，强烈要求没有上述那样问题的溅射靶结构体。 
为了得到没有上述那样问题的溅射靶结构体，至今已有各种各样的方案。 
例如，作为在钎焊材料或钎焊方法方面的研究，可列举出如下的方法：将锡合金等片材夹入溅射靶与冷却板(垫板)之间，在该片材与溅射靶和冷却板之间，分别插入铟合金等并熔融粘合的方法(专利文献1)；在溅射靶上进行镀敷或蒸镀等前处理，同时，将缓冲材料插入溅射靶与冷却板(垫板)之间的方法(专利文献2)；在溅射靶与冷却板(垫板)之间插入镶块材料(insert material)的方法(专利文献3)；在溅射靶与垫板之间插入热传导性粘合剂，在该粘合剂与溅射靶和/或垫板之间夹入低熔点金属并粘合的方法(专利文献4)等。 
这些方法是想通过溅射靶与垫板之间的薄钎焊材料层的结构的修饰而获得效果，但难以说得到期望的效果。另外，也不能无视由于在溅射靶和垫板之间夹入各种物质而导致热传导性降低的不利效果。进一步，使用铟时，也有价格方面的问题。 
另一方面，作为从垫板方面的研究，专利文献5提出了将垫板制作成钼-钛-钼等三层结构的方法。该方法使垫板与溅射靶的线膨胀系数一致。 
另外，专利文献6公开了用钼与铜的复合材料构成垫板的方法。 
进一步，专利文献7提出了由铝或铝合金与陶瓷的复合材料制作垫板的方法。 
可是，这些材料机械加工性不好，特别是在溅射靶与垫板的热膨胀差值成为问题的FPD用大型产品中应用有困难。 
另外，专利文献8提出了用钛构成垫板的方法，但钛导热率极其小，所以作为具备冷却结构的溅射靶与垫板的结构体是不适宜的。 
进一步，专利文献9提出了在垫板的与溅射靶的接合面设置槽的方法。该方法虽然通过该槽来达到了吸收热变形的目的，但另一方面，存在难免会有热传导降低的问题。 
专利文献1：日本特开昭61-250167号公报 
专利文献2：日本特开平5-25620号公报 
专利文献3：日本特开平4-365857号公报 
专利文献4：日本特开2000-160334号公报 
专利文献5：日本特开平8-246144号公报 
专利文献6：日本特开昭62-67168号公报 
专利文献7：日本特开2002-161361号公报 
专利文献8：日本特开平6-293963号公报 
专利文献9：日本特开平2-43362号公报 
发明内容
发明要解决的问题
因而，本发明的目的在于提供1种溅射靶结构体，该溅射靶结构体的机械加工性及热传导性优异，对钎焊材料的润湿性好，而且价格便宜，可长期反复使用，不发生溅射靶龟裂、剥离的问题。 
解决问题的方法
本发明人等为了达成上述目的，对溅射靶结构体的结构及构成该溅射靶结构体的各部件材质进行了深入研究，结果发现，可以使用铝与线膨胀系数小的物质的复合材料来作为垫板的主材料，并基于该见解进行了进一步研究，直至完成了本发明。 
这样，根据本发明，提供了1种溅射靶，该溅射靶由溅射靶和垫板接合而成，其中，垫板由与溅射靶材料的线膨胀系数之差在2×10-6/K以下的材料构成，在垫板的至少一面配置厚度为0.3～1.5mm的铜板。 
在本发明的溅射靶结构体中，构成前述垫板的材料优选由复合材料构成，且该材料具有3.5～17×10-6/K的线膨胀系数，所述复合材料如下形成：将铝或铝合金作为基体，在该基体中配合选自炭、碳化硅、氧化铝、氮化硅、多铝红柱石及硼酸铝所组成的组中的1种或2种以上的颗粒状或纤维状的增强材料而成。 
另外，在本发明的溅射靶结构体中，溅射靶和前述垫板优选通过铟、锡或者这些的合金接合。 
进一步，在本发明的溅射靶结构体中，垫板优选在内部存在冷却水路，且该内部存在的水路为铜制或不锈钢制的管。 
发明的效果
本发明的溅射靶结构体中，因为溅射靶与垫板的线膨胀系数之差小，所以溅射时即使为高温，也不产生翘曲，另外，因为溅射靶与垫板没有剥离，所以可进行稳定的溅射。另外，本 发明的溅射靶结构体价格便宜、可多次反复使用，所以经济的优点也很大。 
附图说明
图1是溅射靶结构体的示意图。 
图2是在铁制容器中配置冷却用管的示意图。 
图3是烧成增强材料而得到的成型体的示意图。 
图4是在两面配置铜板的成型体的示意图。 
图5是高压铸造装置的截面图。 
图6是垫板的示意图。 
符号说明 
1溅射靶结构体 
2溅射靶 
3垫板 
30增强材料成型体 
301炭纤维 
302铝熔体 
303铝与炭纤维的复合材料 
31冷却用不锈钢制管 
32铜板 
4铁制容器 
41空间部分 
5高压铸造用模具 
具体实施方式
本发明的溅射靶结构体是由溅射靶与垫板接合而成。 
溅射靶没有特别的限定，可由目前公知的溅射靶材料来形 成，但优选具有3.5～17×10-6/K的线膨胀系数的物质。 
另外，溅射靶的大小也没有特别的限定。 
在本发明中，构成垫板的材料只要是其线膨胀系数与溅射靶材料的线膨胀系数之差在±2×10-6/K以下的材料，就没有特别的限定。 
在本发明中，构成垫板的材料适合为复合材料，且该材料具有3.5～17×10-6/K的线膨胀系数，所述复合材料如下形成：将铝或铝合金作为基体，在该基体中配合选自炭、碳化硅、氧化铝、氮化硅、多铝红柱石及硼酸铝所组成的组中的1种或2种以上的颗粒状或纤维状的增强材料而成。 
通过用上述材料构成的垫板，机械加工性良好，用于将垫板安装在真空槽内的孔加工等容易。 
另外，使用碳化硅等难加工材料作为增强剂时，包含该增强剂的复合材料的机械加工困难，所以用于不需要机械加工的部分是好的。 
在本发明中，用于构成复合材料的增强材料的配合量按照得到上述膨胀率的方式来适宜选择即可。 
例如，使用线膨胀系数为5.1×10-6/K的钼作为溅射靶材料时，使用线膨胀系数为4～5.5×10-6/K的JIS-AC3A合金与炭纤维的复合材料即可。 
另外，使用线膨胀系数为9×10-6/K的钛合金作为溅射靶材料时，使用线膨胀系数为8.5～9.5×10-6/K的、含以体积计为65％的碳化硅粉末的JIS-A1050合金与炭纤维的复合材料即可。 
此外，各种溅射靶材料与适合于该溅射靶材料的复合材料的组合的例子如表1所示。 
表1 
Figure DEST_PATH_GSB00000264666100031
*：根据培风馆“物理学辞典”。 
本发明的构成溅射靶结构体的垫板在其侧面配置铜板而成。 
在垫板的至少一面配置铜板即可，但在垫板的里外两面配置时，对于防止由垫板的双金属材料作用导致的变形是有用。 
铜板的厚度为0.3～1.5mm，优选为0.5～1.2mm。厚度超过1.5mm时，垫板的热膨胀变大，故不优选。相反，厚度不足0.3mm时，制作垫板时的操作性变差，故不优选。 
铜比铝具有更优异的焊料润湿性及热传导性，所以通过在垫板两面配置铜板，可实现优异的焊料润湿性及热传导性。 
在垫板侧面配置铜板的方法没有特别的限定，但用后述的方法在铸造垫板同时进行接合是简便的。 
在本发明中，优选在垫板内部设置冷却水路。 
通过设置冷却用的水路，抑制由被溅射的溅射靶的热导致的垫板膨胀，另外，防止低熔点的钎焊材料的熔解，防止溅射靶从垫板的脱落。 
作为冷却水路的材质，适合为不锈钢及铜。 
冷却水路的形成适合的是在用复合材料制作垫板时，一起连带铸造由这些材料构成的管。 
在水路中使用的管的截面形状没有特别的限定，适宜采用圆形、方形、椭圆形等。 
作为制造垫板的具体方法，可采用以下所示的方法。 
即，例如在铁制模具中设置形成冷却水路的管的状态下，在模具内空间部分填充增强材料。该填充的方法没有特别的限定，优选以二氧化硅浆料等状态浇铸增强材料。 
然后，对该冷却用管及内部装有浆料的模具进行热处理，烧成浆料并从容器中取出增强材料的烧成体。 
用任意的方法将铜板安装在该烧成体上，然后，设置在高压铸造用模具内，在模具内浇铸铝熔体、高压铸造。 
本发明的溅射靶结构体是通过在上述操作得到的垫板上接合溅射靶而成的。 
溅射靶与垫板的接合可使用目前公知的钎焊材料，但合适的为铟、锡或这些的合金。 
在本发明的溅射靶结构体中，用价格便宜的锡合金就可得到充分的接合力，所以在经济上是有利的。 
实施例
以下，基于实施例来更详细地说明本发明，但本发明并不限定于这些实施例。 
(实施例1) 
边参照图边进行说明。 
在长度为2000mm、宽度为400mm、深度为40mm的铁制容器4中，排列5根不锈钢制管31(外径为15mm、壁厚为1mm)，使不锈钢制管的排列为在宽度方向等间隔(从宽方向侧面到最外侧的管距离为30mm)、从底面及上面到管的距离相同(图2)。在空间部分41中，作为增强材料填装将直径为8μm的炭纤维301切断成长度为10mm的物质，使该增强材料在空间部分41中的体积率为30％。然后，浇铸5重量％的硅溶胶溶液并在100℃干燥后，在氮气中、700℃下进行烧成，然后，拆下铁制容器4，得到在内藏不锈钢管31的炭纤维成型体30(图3)。 
在该成型体30的两面，设置厚度为1mm、长度为2000mm、宽度为400mm的铜板32(图4)，并设置在高压铸造用模具5中(图5)，在该模具5中，浇铸在800℃熔解的铝熔体302，并下55Mpa压力下高压铸造。凝固结束后，取出铸造物，除去剩下的仅为铝的部分，得到由铝302与炭纤维301的复合材料303组成的、内藏有不锈钢制管31的、在两面配置铜板而成的垫板3(图6)。 
该垫板3的线膨胀系数为5.6×10-6/K。 
然后，在前述垫板3的一个侧面所配置的铜板32上，在280℃涂布锡作为焊料。接着，在该锡上贴合钼的溅射靶2(厚度为15mm、长度为1900mm、宽度为350mm)，完成本发明的溅射靶结构体1(图1)。此时，焊料润湿性良好。 
使用该溅射靶结构体1进行溅射。溅射靶结构体1可在溅射靶2消耗之前稳定地使用。 
使用该垫板，并重新贴合溅射靶来进行反复溅射。 
即使反复使用垫板3，变形也小，可反复使用20次以上。 
(实施例2) 
在与实施例1所用的同样铁制容器中，与实施例1同样地排列5根铜制管(截面为椭圆状，长径为25mm、短径为8mm、壁厚为1.5mm)。用3％的硅溶胶溶液将混合碳化硅粉末(#120∶#400＝3∶1)的溶液制成浆料，并使混合碳化硅粉末为500g/升，并将浆料浇铸到前述铁容器空间部分。在120℃干燥后，在大气中600℃下烧成，得到在内藏有铜制管的碳化硅成形体。 
与实施例1同样地在该成型体两面配置铜板，同样地使用铝熔体进行高压铸造，得到由铝与碳化硅的复合材料组成的、内藏有铜制管的、在两面配置铜板而成的垫板。 
该垫板的线膨胀系数为8.3×10-6/K。 
然后，在前述垫板的一个侧面所配置的铜板上，在280℃涂 布锡作为焊料。接着，在该焊料上贴合钛的溅射靶(厚度为16mm、长度为1900mm、宽度为350mm)，完成本发明的溅射靶结构体。此时，焊料润湿性良好。 
(比较例1) 
将厚度为1mm、长度为2000mm、宽度为400mm的铜板作为垫板，在该垫板上使用锡作为焊料，并粘合钼的溅射靶，得到溅射靶结构体(内藏有冷却水路)。 
使用此溅射靶进行溅射时，翘曲大，作为溅射靶使用是困难的。 
工业上的可利用性
本发明的溅射靶结构体中，溅射靶和垫板的线膨胀系数之差非常小。因而，用钎焊材料(焊料)贴合时也可没有翘曲地制作。另外，还可使用价格便宜的锡作为焊料。特别地，在液晶制造工序所利用的溅射系统中，由于大面积的溅射，所以可期待线膨胀系数差值小的本发明溅射靶结构体在液晶制造工序的稳定化方面具有极大的贡献。 

Claims (3)

1.溅射靶结构体的制造方法，该溅射靶结构体由溅射靶和垫板接合而成，其中，垫板由与溅射靶材料的线膨胀系数之差在2×10-6/K以下的材料构成，在垫板的至少一面配置厚度为0.3～1.5mm的铜板，
垫板的内部存在冷却水路，且该内部存在的冷却水路为铜制或不锈钢制的管，
其特征在于，垫板通过如下方法制得：将铜板安装在增强材料的烧成体上，将上面安装有铜板的增强材料的烧成体设置在高压铸造用模具内，在该模具内浇铸铝熔体、高压铸造而制得，其中，该增强材料的烧成体是将内部装有冷却水路管及增强材料浆料的模具进行热处理而得到的。
2.根据权利要求1所述的溅射靶结构体的制造方法，构成前述垫板的材料由复合材料形成，且该材料具有3.5～17×10- 6/K的线膨胀系数，所述复合材料如下形成：将铝或铝合金作为基体，在该基体中配合选自炭、碳化硅、氧化铝、氮化硅、多铝红柱石及硼酸铝所组成的组中的1种或2种以上的颗粒状或纤维状的增强材料而成。
3.根据权利要求1所述的溅射靶结构体的制造方法，溅射靶和前述垫板通过铟、锡或这些的合金接合。
CN2006800496195A 2005-12-28 2006-12-27 溅射靶结构体 Expired - Fee Related CN101360843B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP376811/2005 2005-12-28
JP2005376811 2005-12-28
PCT/JP2006/326070 WO2007074872A1 (ja) 2005-12-28 2006-12-27 スパッタリングターゲット構造体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101360843A CN101360843A (zh) 2009-02-04
CN101360843B true CN101360843B (zh) 2013-03-06

Family

ID=38218094

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006800496195A Expired - Fee Related CN101360843B (zh) 2005-12-28 2006-12-27 溅射靶结构体

Country Status (7)

Country Link
US (2) US20090045050A1 (zh)
JP (1) JP5242169B2 (zh)
KR (1) KR101335158B1 (zh)
CN (1) CN101360843B (zh)
DE (1) DE112006003537B4 (zh)
TW (1) TWI404815B (zh)
WO (1) WO2007074872A1 (zh)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5143649B2 (ja) * 2007-07-24 2013-02-13 株式会社コベルコ科研 Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系Ａｌ合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP5057904B2 (ja) * 2007-09-07 2012-10-24 株式会社日本セラテック 温調プレートおよびその製造方法
US20090305489A1 (en) * 2008-06-05 2009-12-10 Fish Roger B Multilayer electrostatic chuck wafer platen
DE102009037328A1 (de) 2009-03-03 2010-09-23 Fhr Anlagenbau Gmbh Indium-Target für Sputtereinrichtungen sowie Anordnung und Verfahren zur Herstellung solcher Indium-Targets
DE102009015737B4 (de) * 2009-03-31 2013-12-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Magnetron-Beschichtungsmodul sowie Magnetron-Beschichtungsverfahren
JPWO2012066764A1 (ja) * 2010-11-17 2014-05-12 株式会社アルバック バッキングプレート、ターゲットアセンブリ及びスパッタリング用ターゲット
GB2486427B (en) * 2010-12-14 2013-08-07 Converteam Technology Ltd A layered material for a vacuum chamber
KR101988391B1 (ko) 2011-06-27 2019-06-12 솔레라스 리미티드 스퍼터링 타겟
US9831073B2 (en) 2012-02-14 2017-11-28 Tosoh Smd, Inc. Low deflection sputtering target assembly and methods of making same
JP5907620B2 (ja) * 2012-04-25 2016-04-26 日本タングステン株式会社 バッキングプレート及びスパッタリングターゲット
CN103726025B (zh) * 2014-01-02 2016-10-05 昆山全亚冠环保科技有限公司 一种靶材组件及其制备方法
US9992917B2 (en) 2014-03-10 2018-06-05 Vulcan GMS 3-D printing method for producing tungsten-based shielding parts
US20160053365A1 (en) * 2014-08-20 2016-02-25 Honeywell International Inc. Encapsulated composite backing plate
CN104862655A (zh) * 2015-04-23 2015-08-26 南京帝优新材料科技有限公司 一种大尺寸溅射硅靶材
CN111455335B (zh) * 2020-04-24 2022-10-21 河北恒博新材料科技股份有限公司 一种平面靶材的绑定方法
KR102701439B1 (ko) * 2020-12-24 2024-09-03 세메스 주식회사 반송 플레이트, 반송 플레이트의 제조 방법 및 기판 처리 장치
CN113263161B (zh) * 2021-04-25 2022-08-26 西安斯瑞先进铜合金科技有限公司 一种烙铁头的制备方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0230382B2 (ja) 1985-04-26 1990-07-05 Mitsubishi Metal Corp Reikyakuitatsukitaagetsutonoseizohoho
JPS6267168A (ja) 1985-09-19 1987-03-26 Toshiba Corp タ−ゲツト部品
JPS62149865A (ja) * 1985-12-24 1987-07-03 Teijin Ltd 対向タ−ゲツト式スパツタ装置
JPH0243362A (ja) 1988-08-03 1990-02-13 Hitachi Metals Ltd スパッターターゲットとバッキングプレートの接合体
JPH04365857A (ja) 1991-06-11 1992-12-17 Vacuum Metallurgical Co Ltd スパッタリング用ターゲットの製造方法
JPH0525620A (ja) 1991-07-18 1993-02-02 Hitachi Ltd スパツタリングターゲツト
JPH06293963A (ja) 1993-04-07 1994-10-21 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd Ｉｔｏスパッタリングターゲット用バッキングプレート
JPH08246144A (ja) * 1995-03-10 1996-09-24 Japan Energy Corp スパッタリングターゲット用バッキングプレート組立部品
US5879524A (en) * 1996-02-29 1999-03-09 Sony Corporation Composite backing plate for a sputtering target
JPH11189870A (ja) * 1997-12-25 1999-07-13 Nisshin Steel Co Ltd スパッタリング用ターゲットおよびその冷却方法
JP3043306B2 (ja) * 1997-12-25 2000-05-22 スガ試験機株式会社 酸素・水素電解ガス発生装置
JPH11200030A (ja) * 1998-01-20 1999-07-27 Sumitomo Chem Co Ltd スパッタリングターゲット用バッキングプレート
KR100291330B1 (ko) * 1998-07-02 2001-07-12 윤종용 반도체장치제조용스퍼터링설비및이를이용한스퍼터링방법
JP2000073164A (ja) * 1998-08-28 2000-03-07 Showa Alum Corp スパッタリング用バッキングプレート
JP4152506B2 (ja) 1998-11-20 2008-09-17 日鉱金属株式会社 スパッタリングターゲット組立体
US6596139B2 (en) * 2000-05-31 2003-07-22 Honeywell International Inc. Discontinuous high-modulus fiber metal matrix composite for physical vapor deposition target backing plates and other thermal management applications
US6619537B1 (en) * 2000-06-12 2003-09-16 Tosoh Smd, Inc. Diffusion bonding of copper sputtering targets to backing plates using nickel alloy interlayers
JP2002161361A (ja) 2000-11-21 2002-06-04 Taiheiyo Cement Corp スパッタリングターゲット用バッキングプレート
US6708870B2 (en) * 2002-05-24 2004-03-23 Praxair S.T. Technology, Inc. Method for forming sputter target assemblies
US20070045108A1 (en) * 2005-08-26 2007-03-01 Demaray Richard E Monolithic sputter target backing plate with integrated cooling passages

Also Published As

Publication number Publication date
US20120097356A1 (en) 2012-04-26
KR101335158B1 (ko) 2013-12-02
US20090045050A1 (en) 2009-02-19
JPWO2007074872A1 (ja) 2009-06-04
WO2007074872A1 (ja) 2007-07-05
TWI404815B (zh) 2013-08-11
DE112006003537B4 (de) 2017-07-06
US8597478B2 (en) 2013-12-03
TW200833856A (en) 2008-08-16
DE112006003537T5 (de) 2008-12-24
CN101360843A (zh) 2009-02-04
JP5242169B2 (ja) 2013-07-24
KR20080113015A (ko) 2008-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101360843B (zh) 溅射靶结构体
TWI404813B (zh) 管靶材
CN101579782B (zh) 铜靶材坯料与铜合金背板的焊接方法
TWI457450B (zh) 銀系圓筒靶及其製造方法
CN100591454C (zh) 钼铜合金与不锈钢的钨极氩弧焊工艺
CN105220049B (zh) 一种片状金刚石增强金属基复合材料及制备方法
CN105112754A (zh) 三维网络金刚石骨架增强金属基复合材料及制备方法
JP2009538984A (ja) 冷間圧縮されたスパッタターゲット
CN101543923B (zh) 靶材与背板的焊接方法
CN102554455A (zh) 钨钛合金靶材与铜合金背板扩散焊接方法
CN102352483A (zh) 一种真空溅射镀膜用硅铝合金中空旋转靶材的制备方法
CN101176960A (zh) 一种金属靶材与靶托的连接方法
CN105239026A (zh) 一维金刚石增强铝基复合材料及其制备方法
CN101543924A (zh) 靶材与背板的焊接方法
CN101530952A (zh) 一种含硼Cu-P基非晶钎料及其制备方法
JP2008184627A (ja) 円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法
CN104411861A (zh) 靶接合体
CN202267357U (zh) 一种电子束熔炼用石墨和涂层衬底的水冷装置
CN1500907A (zh) 由一种硅基合金制造一种溅射靶的方法、溅射靶及其应用
CN101648320B (zh) 靶材与背板的焊接方法
US20200203134A1 (en) Rotatable sputtering target
JP6734746B2 (ja) 円筒形スパッタリングターゲットの製造方法
CN111748693A (zh) 一种溅射靶材回收处理装置及方法
CN103114268A (zh) 一种粘接式氮化硼-石墨组合蒸发舟及其制作方法
JPH05156431A (ja) 回転カソードターゲットの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20090123

Address after: Austria Rohit

Applicant after: Pioneer Metals Corporation

Address before: Shizuoka

Applicant before: Advanced materials technology Limited by Share Ltd

Co-applicant before: Guo Gumian

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: PANSHI METAL CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: ADVANCED MATERIAL TECHNOLOGY CO., LTD.

Effective date: 20090123

C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: PLANSEE EUROPE AG

Free format text: FORMER OWNER: PLANSEE METAL GMBH

Effective date: 20110825

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20110825

Address after: Austria Rohit

Applicant after: Advanced Material Technology C.

Address before: Austria Rohit

Applicant before: Pioneer Metals Corporation

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130306

Termination date: 20191227

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee