CN104411861A

CN104411861A - 靶接合体

Info

Publication number: CN104411861A
Application number: CN201380033320.0A
Authority: CN
Inventors: 松村仁实; 中根靖夫
Original assignee: Kobelco Research Institute Inc
Current assignee: Kobelco Research Institute Inc
Priority date: 2012-06-26
Filing date: 2013-06-11
Publication date: 2015-03-11
Also published as: JP2014005517A; TW201416473A; TWI516625B; KR20150013876A; WO2014002747A3; JP5952653B2; WO2014002747A2

Abstract

一种具备溅射靶和背衬板及钎料，且溅射靶的背面经由钎料与背衬板接合的靶接合体。所述溅射靶，是含有Mn为2～30原子％的Cu-Mn合金，并且，所述钎料中存在的孔隙对溅射靶背面的投影面积的合计相以于溅射靶背面的接合区域全体的面积为16％以下。

Description

靶接合体

技术领域

本发明涉及用于形成在液晶显示器等显示装置、接触式传感器等电子器件中，面向薄膜晶体管(TFT)的电极材料、传感器的电连接配线用的Cu合金薄膜，而经由钎料接合了溅射靶与背衬板的靶接合体。

背景技术

由于电阻低、加工比较容易等理由，Cu薄膜会被作为液晶显示器等显示装置的扫描电极或信号电极、接触式传感器等电子器件的电连接配线，经过微细加工而使用。作为Cu薄膜的原材，纯Cu存在与玻璃等基材的密接性差，另外由于容易氧化而表面易变色，而且在半导体中的扩散系数大这样的缺点。由此，作为电连接配线用的薄膜的原材，一般使用Cu合金。Cu合金薄膜能够改善使用上述这样的纯Cu薄膜时的问题，根据用途选择适当的添加元素，由此，能够使作为配线用薄膜使用时的功能提高。因此，关于电子器件用途，开发出各种种类的Cu合金薄膜。

Cu合金薄膜的形成一般采用使用溅射靶的溅射法。该溅射法，是在低气压下，向真空容器内导入氩等不活泼气体，在与薄膜相同的材料所构成的溅射靶和基材之间施加高电压，使等离子体放电发生。使由于该等离子体放电而离子化的气体(在此为氩)加速、轰击溅射靶，通过非弹性碰撞轰出溅射靶的构成原子，使之附着、堆积在基板上而制作薄膜的方法。

金属薄膜的成膜法中，除了溅射法以外还已知有真空蒸镀法，溅射法具有能够连续形成与溅射靶为相同组成的薄膜这样的优点。另外特别是在金属材料的情况下，若应用溅射法，则能够使稀土元素等这样不会在Cu中固溶的合金元素强制固溶在薄膜中。从工业上能够大面积连续稳定成膜这样的观点出发，溅射法也是占有优势的成膜法。

作为适合于这样的溅射法的溅射靶，一般使用长方形、圆盘状等平板状的溅射靶，以将其冷却、支承为目的，溅射靶一般以利用焊料等钎焊在背衬板(支承体)上的状态(靶接合体)使用。

另外，上述背衬板如上所述，因为以冷却成膜时被加热的靶为目的，一般使用热传导率高的纯Cu制、Cu合金制、纯Al制或Al合金制的背衬板。另一方面，安装在上述背衬板上的溅射靶包含形成的薄膜所对应的金属材料，为了形成电连接配线用的Cu合金薄膜，作为Cu合金，为与基底膜的密接性优异的Cu合金，另外，作为抑制基底膜、上部膜中的原子的扩散的阻挡膜用的Cu合金，使用含有规定量的Mn作为合金元素的Cu-Mn合金成为主流。另外靶材与背衬板的接合，通常进行的是使用热传导性和导电性良好的低熔点焊料(例如铟基焊料、锡基焊料)等的粘接材的金属粘接。

作为关于Cu-Mn合金薄膜的技术，例如在专利文献1中公开了如下内容：在作为液晶显示器的电极使用的Cu-Mn合金薄膜中，Mn优先与氧反应，形成抑止Cu氧化的氧化物皮膜。在该技术中，公开了将Cu-Mn合金薄膜作为薄膜晶体管(TFT)的电极材料使用时的有用性。

另外在专利文献2中公开了如下内容：对于以源自用作光记录层的保护层的ZnS的S扩散为起因而发生的Cu的硫化，在Cu-Mn合金薄膜中，界面反应受到抑制。

另一方面，在专利文献3中，公开有一种溅射靶的制造方法，其是提高溅射靶与钎料的润湿性，使溅射靶与背衬板的接合强度增大。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本国专利第4065959号公报

专利文献2：日本国专利第4603044号公报

专利文献3：日本国专利第2970729号公报

发明所要解决的课题

基于金属粘接的溅射靶和背衬板的接合，通过如下方式进行：分别加热溅射靶与背衬板，在想要接合的表面分别涂布熔融的钎料，使涂布有钎料的面彼此相互重叠。然而，溅射靶像Cu-Mn合金这样由含有Mn合金构成时，发生在熔融钎料中，溅射靶中的Mn渗出，并在钎料表面稠化这样的现象，这已通过本发明人的研究证明。

在钎料表面稠化的Mn容易被氧化，因此会形成氧化膜。若在钎料的表面形成有氧化膜的状态下通过钎焊进行粘接，则因为氧化膜与钎料的润湿性差，所以使溅射靶与背衬板相互重叠时，钎料中产生孔隙(气泡)。该孔隙部分因为热传导性差，所以在通过溅射进行的成膜中，发生溅射靶局部的温度上升，在成形膜厚的面内容易发生不均匀。另外，若发生溅射靶的温度上升，则钎料熔化，从溅射靶和背衬板的界面溢出而成为异常放电的原因，有无法进行稳定的成膜这样的问题。溢出的钎料附着在玻璃基板上，也成为颗粒、飞溅发生的原因。

迄今为止，关于形成Cu-Mn合金薄膜的技术提出有多种，但是，均完全没有认识到关于钎料中产生的孔隙(气泡)的问题。例如，在上述专利文献1这样的技术中，溅射靶中的合金元素扩散到钎料中，使之与背衬板的贴合，在钎料中发生孔隙(气泡)这样的系统中，可预见到会发生无法进行稳定的成膜这样的问题。

另外，在专利文献2的技术中，实际上没有使用溅射靶进行Cu-Mn合金薄膜的成膜，而是对于模拟地制作的Cu-Mn合金锭被覆ZnS，因此对于实际粘接于背衬板并溅射时的课题没有掌握。

发明内容

本发明是着眼于上述这样的情况而完成的，其目的在于，提供一种在使用Cu-Mn合金溅射靶溅射而成膜时，能够防止在成形膜厚的面内的不均匀，形成厚度均匀的薄膜的靶接合体。另外，本发明的另一目的在于，提供一种能够防止钎料的熔出造成的异常放电而进行稳定成膜，并且能够防止颗粒、飞溅发生的靶接合体。

用于解决课题的手段

能够达成上述目的的本发明的靶接合体是具备溅射靶和背衬板及钎料，且溅射靶的背面经由钎料与背衬板接合的靶接合体，其在如下方面具有要点：所述溅射靶是含有Mn为2～30原子％的Cu-Mn合金，并且所述钎料中存在的孔隙对溅射靶背面的投影面积的合计相对于溅射靶背面的接合区域全体的面积为16％以下。通过采用这样的构成，能够提供防止成形膜厚的面内的不均匀，从而能够形成厚度均匀的薄膜的靶接合体。

另外本发明的靶接合体是具备溅射靶和背衬板及钎料，且溅射靶的背面经由钎料与背衬板接合的靶接合体，其还在如下方面具有要点：所述溅射靶是含有Mn为2～30原子％的Cu-Mn合金，并且在所述钎料中的接合端部存在的各孔隙对溅射靶背面的投影面积相对于溅射靶背面的接合区域全体的面积为0.2％以下。在此，所谓接合端部意思是从溅射靶的两端部(实际上是全周部)至溅射靶的直径的5％内侧的部分的区域。通过采用这样的构成，能够提供防止钎料熔出带来的异常放电而进行稳定的成膜，并且能够防止颗粒、飞溅发生的靶接合体。

此外，本发明的靶接合体是具备溅射靶和背衬板及钎料，且溅射靶的背面经由钎料与背衬板接合的靶接合体，其还在如下方面具有要点：所述溅射靶是含有Mn为2～30原子％的Cu-Mn合金，并且在所述钎料中存在的孔隙对溅射靶背面的投影面积的合计相对于溅射靶背面的接合区域全体的面积为16％以下，并且在所述钎料中的接合端部存在的各孔隙对溅射靶背面的投影面积相对于溅射靶背面的接合区域全体的面积为0.2％以下。与上述同样，所谓接合端部意思是从溅射靶的两端部(实际上是全周部)至溅射靶的直径的5％内侧的部分的区域。通过采用这样的构成，能够兼备上述的两种特性。

在本发明的靶接合体中，作为优选使用的钎料，可列举铟基焊料、锡基焊料等。

另外背衬板是选自铜、铜合金、铝和铝合金中的至少一种，这也是优选的实施方式。

发明效果

根据本发明，将钎料中存在的孔隙对溅射靶背面的投影面积的合计相对于溅射靶背面的接合区域全体的面积规定为既定的比例，因此在溅射成膜时，能够防止成形膜厚的面内的不均匀而形成厚度均匀的薄膜。另外在本发明中，通过将钎料中存在的各孔隙对溅射靶背面的投影面积相对于溅射靶背面的接合区域全体的面积规定为既定的比例，能够在溅射成膜，防止因钎料的熔出造成的异常放电而进行稳定的成膜，并且能够防止颗粒、飞溅的发生。

附图说明

图1是示意性地表示靶接合体的成品的示意说明图(剖面图)。

图2是示意性地表示将溅射靶经由熔融的钎料配置在背衬板上的状态的示意说明图(剖面图)

图3是示意性地表示将溅射靶经由熔融的钎料配置在背衬板上的另一状态的示意说明图(剖面图)。

图4是示意性地表示将溅射靶经由熔融的钎料配置在背衬板上的又一状态的示意说明图(剖面图)。

具体实施方式

经由粘接材使溅射靶和背衬板成为靶接合体时，作为粘接材使用铟基(In基)焊料和锡基(Sn基)焊料等低熔点金属，进行加热处理使低熔点金属熔融而使靶材熔合。这时，如果使用Cu-Mn合金作为溅射靶，则所含有的Mn在钎料中溶出，在钎料表面形成氧化膜，因此在靶与背衬板的贴合的工序中，成为在钎料中容易产生孔隙的状态。这样的状态会招致上述这样的各种问题。

上述的问题，至今为止完全未得到认识，在接合Cu-Mn合金以外的溅射靶与背衬板时，认为不会产生任何问题。

本发明人对于能够解决这样的问题的靶接合体的构成反复潜心研究。其结果发现，在溅射靶材与背衬板经由粘接材被接合的靶接合体中，如果对(a)钎料中存在的孔隙对溅射靶背面的投影面积的合计，(b)钎料中存在的各孔隙对溅射靶背面的投影面积加以控制，使之相对于溅射靶背面的接合区域全体的面积而成为规定的比例，则可完美地达成上述目的，从而完成本发明。

图1是示意性地表示靶接合体的成品的示意说明图(剖面图)。本发明的靶接合体1为溅射靶2与背衬板3经由钎料4被接合的构成。还有，在图1中，为了说明方便，钎料4表示凝固的状态，对于其中存在的孔隙则未图示。

在本发明的靶接合体1中，钎料4中存在的孔隙对溅射靶2背面的投影面积的意思是从图1的上方观看钎料4时的孔隙的面积(俯视面积)，其面积的合计对于溅射靶2背面的接合区域全体的面积的比例(以下，仅称为“投影面积率”)为16％以下。之所以将其投影面积率规定在16％以下，是由于若投影面积率变高，则溅射时的溅射靶2的均匀冷却恶化，成膜速度在溅射靶2内不均匀。优选的投射面积率为10％以下，更优选为7％以下。还有，孔隙在投影方向上2个重叠存在时，所谓“投影面积的合计”为能够同时投影2个孔隙的影的面积。

为了以上述方式控制投影面积率，在以熔融的钎料(参照后述图2的4a)接合溅射靶2与背衬板3时，例如使溅射靶2上下移动(抽气)(参照后述图2)，赶出熔融的钎料4a中的孔隙5即可。为了通过这一方法减小投影面积率，上下移动时，例如借助浮力容易将钎料中的孔隙排出到大气中，因此，优选将钎料(例如，铟基焊料)的温度保持在粘性降低的175℃以上，此外抽气次数实施10次以上等而进行控制。

另外，将熔融的钎料4a注入到溅射靶2与背衬板3之间时，也可以使用注射器8，将熔融的钎料4a喷射/注入到溅射靶2与背衬板3之间(参照后述图3)。为了通过这一方法减小投影面积率，使用注射器喷射/注入钎料时，例如将注射器中的钎料(例如，铟基焊料)的温度保持在175℃以上而使粘性降低，让钎料中的气泡自然地浮起而除去。其后，为了置换溅射靶与背衬板的界面的钎料，优选加减注射器中的钎料的压出量而进行控制。

或者，以熔融的钎料4a接合溅射靶2和背衬板3时，也可以将背衬板3载置于振动台9上(参照后述图4)，一体地使溅射靶2摇动，由此赶出熔融的钎料4a中的孔隙5(参照后述图4)。为了由此方法减小投影面积率，优选在摇动溅射靶2时，例如将钎料(例如，铟基焊料)的温度保持在175℃以上而使粘性降低，以使溅射靶倾斜3°以上摇动的时间进行控制。

在本发明的靶接合体1中，钎料4中存在的、特别是至少在接合端部中存在的各孔隙对溅射靶2背面的投影面积相对于溅射靶背面的接合区域全体的面积为0.2％以下也是有用的。上述所谓“接合端部”意思是从图1所示的溅射靶2的两端(实际上是全周部)向内侧截止到5％(L₁/L₀×100)的区域。使至少在接合端部中存在的各孔隙对溅射靶背面的投影面积(以下，将各孔隙对溅射靶背面的投影面积称为“各孔隙的大小”)相对于溅射靶背面的接合区域全体的面积为0.2％以下，由此能够防止因钎料熔出造成的异常放电而进行稳定的成膜，并且能够防止颗粒、飞溅的发生。各孔隙的大小对于上述特性产生影响，在接合端部的影响大。因此，在上述区域内，如果各孔隙的大小为“0.2％以下”，则中心部的各孔隙的大小也可以比0.2％大。各孔隙的大小优选为0.1％以下，更优选为低于0.1％(测定极限)。

还有，为了以上述方式控制各孔隙的大小，基本上与控制投影面积率时同样操作即可，至少在接合端部进行涉及上述的控制这样的控制即可。具体来说，在溅射靶与背衬板贴合时，将钎料(例如，铟基焊料)的温度保持在175℃以上，针对产生的孔隙，控制溅射靶的抽气次数、或注射器对钎料的压出量、或使溅射靶倾斜摇动的时间即可。

本发明所使用的溅射靶是含有Mn为2～30原子％的Cu-Mn合金。Mn用于在溅射靶上形成氧化物皮膜层而含有。为了发挥来自Mn的效果，Mn含量也可以为0.1原子％的程度以上，随着Mn含量增大，上述效果也变大。于是，伴随着Mn含量增大，会形成孔隙容易生成的状态。在本发明中，作为使上述效果发挥但不易生成孔隙的Mn含量，是将其下限规定为2原子％。优选为5原子％以上，更优选为10原子％以上。

然而，若Mn含量过剩，则Cu量相对变少，Cu-Mn合金的导电率降低，难以发挥作为电连接配线用的功能，因此需要为30原子％以下。优选为25原子％以下，更优选为20原子％以下。

在本发明所使用的溅射靶中，也可以含有不阻碍其特性程度的其他成分。作为这样的成分，可列举例如Zn、Ni、Mg、Ti、Al等，可以允许含有这些成分的一种以上截止至2原子％(余量是Cu和不可避免的杂质)。

关于本发明所使用的背衬板没有特别限定，可以使用各种公知的背衬板。例如作为耐热性、导电性、热传导性优异的背衬板，使用含有选自铜、各种铜合金、铝、各种铝合金中的至少一种的背衬板。另外，在背衬板上也可以设有冷却水水路等冷却单元等。

关于本发明中使用的钎料，可以使用历来使用的低熔点焊料(例如铟基焊料、锡基焊料等金属)等。具体来说，可列举52质量％In-48质量％Sn、97质量％In-3质量％Ag等铟基焊料、以及91质量％Sn-9质量％Zn等锡基焊料等。

本发明的靶接合体可以按下述的步骤制作。首先，例如对熔炼铸造的Cu-Mn合金锭实施机械加工，由此制作板状的溅射靶。使用钎料将该制作后的溅射靶粘接在背衬板而成为靶接合体。

然后，将如此制作的靶接合体安装在作为真空装置的溅射装置上，向背衬板和与其对置的基板之间施加电场，从而在溅射靶和基板之间形成等离子体，使等离子体中的阳离子轰击溅射靶，由此轰出构成溅射靶的原子，在对置的基板上，均匀地堆积与溅射靶组成对应的薄膜。

实施例

以下，列举实施例更具体地说明本发明，但本发明当然不受下述实施例限制，在能够符合前、后述的主旨的范围内，当然也可以适当加以变更而实施，这些均包含在本发明的技术范围内。

[实验例1]

将熔炼铸造后的Cu-10原子％Mn合金锭热轧(轧制温度：700℃，压下率：80％)并切断后，实施机械加工，加工成直径：100mm×厚度5mm的圆盘状，作为溅射靶2(Cu-Mn合金靶)。使用纯铟钎料，将该溅射靶2与纯铜制的背衬板3(尺寸：直径126mm×厚度7mm)贴合并粘接，从而制作靶接合体1。

将溅射靶2经由熔融的钎料(熔融状态的钎料)4a配置在背衬板3上的状态示意性地示于图2(示意说明图)中。贴合后，在熔融的钎料4a中包含孔隙5(气泡)，在背衬板3上以经由熔融的钎料4a而载有溅射靶2的状态，使溅射靶2上下移动12次(图2中，以箭头A表示)，赶出熔融的钎料4a中的孔隙5，控制孔隙5的投影面积率和孔隙5的大小。还有，在图2中，6表示钎料围挡用的堰。

将靶接合体1冷却至熔融的钎料4a凝固的温度，从靶接合体1上除去溢出的钎料4，作为成品(实验例1)。靶接合体1的成品如所述图1(示意说明图)所示。在该靶接合体1中，使用水浸式超声波探伤装置(“超声波透视装置HIS-2”商品名，kraut kramer公司制造)，测定孔隙的投影面积率和各孔隙的大小。

此时，关于孔隙的投影面积率，是利用上述超声波探伤装置检测来自孔隙的反射回波测定孔隙的投影面积，计算相对于溅射靶2背面整体面积的比例。另外，关于各孔隙的大小，是在从溅射靶2的两端(实际上是全周部)至5mm内侧的区域(接合端部)测定各孔隙的投影面积的最大值，计算其相对于该溅射靶背面整体面积的比例(接合端部中的各孔隙的大小)。

[实验例2]

与实验例1同样，对于溅射靶2(Cu-Mn合金靶)进行机械加工，使用纯铟钎料将其与纯铜制的背衬板3(尺寸：直径126mm×厚度7mm)贴合并粘接，从而制作靶接合体1。这时，如图3(示意说明图)所示，使用注射器8，将熔融的钎料4a喷射/注入到溅射靶2和背衬板3之间，赶出熔融的钎料4a中的孔隙5(气泡)，控制孔隙的投影面积率和接合端部中的各孔隙的大小。

将靶接合体1冷却至熔融的钎料4a凝固的温度，从靶接合体1上除去溢出的钎料4，作为成品(实验例2)。靶接合体1的成品如所述图1(示意说明图)所示。在该靶接合体1中，与实验例1同样，测定孔隙的投影面积率和接合端部中的各孔隙的大小。

[实验例3]

与实验例1同样，对于溅射靶2(Cu-Mn合金靶)进行机械加工，使用纯铟钎料将其与纯铜制的背衬板3(尺寸：直径126mm×厚度7mm)贴合并粘接，从而制作靶接合体1。这时，为了赶出熔融的钎料4a中的孔隙(气孔)，如图4(示意说明图)所示，以使熔融的钎料4a介于溅射靶2和背衬板3之间的状态，在振动台9上一体地摇动，赶出熔融的钎料4a中的孔隙5(气泡)，通过实施10秒钟摇动来控制孔隙的投影面积率和接合端部中的各孔隙的大小。

将靶接合体1冷却至熔融的钎料4a凝固的温度，从靶接合体1上除去溢出的钎料4，作为成品(实验例3)。靶接合体1的成品如所述图1(示意说明图)所示。在该靶接合体1中，与实验例1同样，测定孔隙的投影面积率和接合端部中的各孔隙的大小。

[实验例4～6]

与实验例1同样，对于溅射靶2(Cu-Mn合金靶)进行机械加工，使用纯铟钎料，将其与纯铜制的背衬板3(尺寸：直径126mm×厚度7mm)贴合并粘接，从而制作各种靶接合体1(实验例4～6)。这时，在实验例4中，完全不进行赶出熔融的钎料4a中的孔隙(气孔)的操作(实验例1～3任一项所述的操作)，粘接溅射靶2(Cu-Mn合金靶)和背衬板3。另外，在实验例5中，通过实施5秒在振动台上的摇动，赶出钎料中的孔隙(气孔)，在实验例6中，进行只实施一次靶的抽气来赶出钎料中的孔隙(气孔)的操作。

将靶接合体1冷却至熔融的钎料4a凝固的温度，从靶接合体1上除去溢出的钎料4，作为成品(实验例4～6)。靶接合体1的成品如所述图1(示意说明图)所示。在这些靶接合体1中，与实验例1同样，测定孔隙的投影面积率和接合端部中的各孔隙的大小。

将上述实验例1～6的各靶接合体1装配在磁控管DC溅射装置上，以DC电功率：260W、压力：2mTorr的条件进行溅射。实施10分钟的预溅射后，以成膜时间1分钟，将厚度约300nm的膜形成在φ50mm的玻璃基板上，作为最初的特性(初始特性)，在8处测定距基板的中心20mm的距离下的膜厚。

其后，在相同条件下，进行2小时的放电，再度以成膜时间1分钟，将厚度约300nm的膜形成于φ50mm的玻璃基板上，在8处测定距基板的中心20mm的距离下的膜厚。比较最初的8处膜厚中的最大值与最小值之差和放电2小时放电后的同样8处膜厚中的最大值与最小值之差，2小时放电后的8处膜厚中的最大值与最小值之差相对于最初的8处膜厚中的最大值与最小值之差，发生1.3倍以上变化时，判断为有膜厚偏差发生(低于1.3倍时为无膜厚偏差发生)。

另外，结束2小时放电后对玻璃基板的成膜后，对于在溅射靶与背衬板的界面是否有钎料的熔出也进行调查。将其结果与隙孔的投影面积率、接合端部中的各孔隙的大小(孔隙的最大面积率)一起示于下述表1中。

【表1】

*“＜”表示检测的极限

由此结果可以进行如下分析。首先，如实验例4和实验例6所示，孔隙的投影面积率大于16％时，发生膜厚偏差，如实验例1～3、5这样投影面积率在16％以下时，可知未发生膜厚偏差。关于产生这一现象的理由，可以考虑如下。即，在成膜初期可以认为溅射靶整体经由水冷的背衬板而被均匀地冷却，但若孔隙的投影面积率变大，则孔隙附近的溅射靶变得局部性地冷却不足，可认为溅射靶表面的温度局部性地上升。可知若溅射靶的温度上升，则溅射率(即成膜速度)降低，可认为在此影响下发生了膜厚偏差。

另外，如实验例4和实验例5，溅射靶端5mm区域中的孔隙的最大面积率大于0.2％时，出于上述同样的理由，溅射靶局部性地温度上升，因此认为从靶接合体的接合端部有钎料熔出。相对于此，接合端部中的各孔隙的大小在0.2％以下时(实验例1～3、6)，则认为不会发生像钎料熔出那样的靶的局部性的温度上升。

详细地、并参照特定的实施方式说明了本申请，但可以不脱离本发明的精神和范围而加以各种变更和修改，这对于本领域技术人员来说很清楚。

本申请基于2012年6月26日申请的日本专利申请(专利申请2012-143497)，其内容在此参照并援引。

产业上的可利用性

根据本发明，将钎料中存在的孔隙对溅射靶背面的投影面积的合计相对于溅射靶背面的接合区域全体的面积规定为既定的比例，因此溅射成膜时，可以防止成形膜厚的面内的不均匀而形成厚度均匀的薄膜。另外在本发明中，通过将钎料中存在的各孔隙对溅射靶背面的投影面积相对于溅射靶背面的接合区域全体的面积规定为既定的比例，从而在溅射成膜时，可以防止因钎料熔出带来的异常放电而进行稳定的成膜，并且可以防止颗粒、飞溅的发生。

符号说明

1 靶接合体

2 溅射靶

3 背衬板

4 钎料

4a 熔融的钎料

5 孔隙

6 堰

8 注射器

9 振动台

Claims

1.一种靶接合体，其特征在于，是具备溅射靶和背衬板及钎料，且溅射靶的背面经由钎料而与背衬板接合的靶接合体，其中，

所述溅射靶是含有Mn为2～30原子％的Cu-Mn合金，并且所述钎料中存在的孔隙对溅射靶背面的投影面积的合计相对于溅射靶背面的接合区域全体的面积为16％以下。

2.一种靶接合体，其特征在于，是具备溅射靶和背衬板及钎料，且溅射靶的背面经由钎料与背衬板接合的靶接合体，其中，

所述溅射靶是含有Mn为2～30原子％的Cu-Mn合金，并且在所述钎料中的接合端部存在的各孔隙对溅射靶背面的投影面积相对于溅射靶背面的接合区域全体的面积在0.2％以下。

3.一种靶接合体，其特征在于，是具备溅射靶和背衬板及钎料，且溅射靶的背面经由钎料与背衬板接合的靶接合体，其中，

所述溅射靶是含有Mn为2～30原子％的Cu-Mn合金，并且所述钎料中存在的孔隙对溅射靶背面的投影面积的合计相对于溅射靶背面的接合区域全体的面积为16％以下，并且，在所述钎料中的接合端部存在的各孔隙对溅射靶背面的投影面积相对于溅射靶背面的接合区域全体的面积在0.2％以下。

4.根据权利要求1所述的靶接合体，其中，所述钎料是铟基焊料或锡基焊料。

5.根据权利要求2所述的靶接合体，其中，所述钎料是铟基焊料或锡基焊料。

6.根据权利要求3所述的靶接合体，其中，所述钎料是铟基焊料或锡基焊料。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的靶接合体，其中，所述背衬板是选自铜、铜合金、铝和铝合金中的至少一种。