JP2022124997A - スパッタリングターゲット、および、Ａｇ膜 - Google Patents

Abstract

【課題】チャンバー内に水蒸気や酸素が残存している状態で成膜した場合であっても、熱処理等によって高温状態に保持されても突起の発生を抑制でき、高い反射率を維持することが可能なＡｇ膜を成膜可能なスパッタリングターゲット、および、Ａｇ膜を提供する。【解決手段】ＡｇまたはＡｇ合金からなるスパッタリングターゲット材１１と、はんだ層１３と、バッキング材１２とが積層された構造のスパッタリングターゲット１０であって、スパッタリングターゲット材１１の積層方向の複数の箇所において、ＩｎおよびＳｎの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満であることを特徴とする。スパッタリングターゲット材１１の積層方向の複数の箇所において、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｓｉの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満であることが好ましい。【選択図】図１

Description

本発明は、Ａｇ膜を成膜する際に用いられるスパッタリングターゲット、および、Ａｇ膜に関するものである。

一般に、Ａｇ膜又はＡｇ合金膜は、光学特性および電気特性に優れていることから、ディスプレイやＬＥＤ等の反射電極膜、タッチパネル等の配線膜等の各種部品の反射膜および導電膜として使用されている。
例えば、特許文献１，２には、有機ＥＬ素子の反射電極の構成材料として、ＡｇまたはＡｇ合金を用いることが開示されている。
上述のＡｇまたはＡｇ合金からなるＡｇ膜は、スパッタリングターゲットを用いたスパッタ法によって成膜されている。

ここで、上述のスパッタリングターゲットは、成膜するＡｇ膜に対応した組成のスパッタリングターゲット材と、このスパッタリングターゲット材を保持するバッキング材とが、はんだ層を介して接合された構造とされている。すなわち、スパッタリングターゲットは、スパッタリングターゲット材とはんだ層とバッキング材とが積層した構造とされている。

また、上述のスパッタリングターゲットとしては、例えば、ターゲットスパッタ面が円形または矩形状をなす平板型スパッタリングターゲット、および、ターゲットスパッタ面が円筒面である円筒型スパッタリングターゲットが用いられている。
平板型スパッタリングターゲットにおいては、平板状のスパッタリングターゲット材と平板状のバッキング材（バッキングプレート）が積層された構造とされる。
円筒型スパッタリングターゲットにおいては、円筒状のスパッタリングターゲット材の内周側に円筒状のバッキング材（バッキングチューブ）が挿入され、径方向に積層された構造とされる。

上述のバッキング材は、スパッタリングターゲット材の保持、スパッタリングターゲット材への電力供給、および、スパッタリングターゲット材の冷却のために配設されたものであり、上述のスパッタリングターゲットにおいては、スパッタリングターゲット材とバッキング材とが良好に接合されている必要がある。
ここで、バッキング材とスパッタリングターゲット材との間に配設されたはんだ層を構成するはんだ材としては、Ｉｎ、Ｓｎを含むはんだ材が広く使用されている。

特開２０１０－０８０３４１号公報 特開２０１６－０８９２１５号公報

ところで、上述のスパッタリングターゲットを用いてＡｇ膜を成膜する際に、スパッタを実施するチャンバー内を真空雰囲気や不活性ガス雰囲気として、スパッタを行う。しかしながら、スパッタを実施する際に、チャンバー内に水蒸気や酸素が残存している場合には、成膜したＡｇ膜が熱処理等によって高温状態に保持された際に、Ａｇの拡散が促進されて突起が発生し、Ａｇ膜の反射率が大きく低下することがあった。

この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、チャンバー内に水蒸気や酸素が残存している状態で成膜した場合であっても、熱処理等によって高温状態に保持されても突起の発生を抑制でき、高い反射率を維持することが可能なＡｇ膜を成膜可能なスパッタリングターゲット、および、Ａｇ膜を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明者らが鋭意検討した結果、ＡｇまたはＡｇ合金からなるスパッタリングターゲット材にＩｎ，Ｓｎが多く含有されていた際に、チャンバー内に水蒸気や酸素が残存している状態で成膜されたＡｇ膜において、熱処理時に突起が発生しやすいとの知見を得た。
また、はんだ材に含まれるＩｎやＳｎがスパッタリングターゲット材に拡散することで、スパッタリングターゲット材の積層方向においてＩｎ，Ｓｎの濃度分布が生じるとの知見を得た。さらに、作業環境中のＩｎやＳｎがスパッタリングターゲット材に混入することがあることがわかった。

本発明は、上述の知見に基づいてなされたものであって、本発明のスパッタリングターゲットは、ＡｇまたはＡｇ合金からなるスパッタリングターゲット材と、はんだ層と、バッキング材と、が積層された構造のスパッタリングターゲットであって、前記スパッタリングターゲット材の積層方向の複数の箇所において、ＩｎおよびＳｎの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満であることを特徴としている。

本発明のスパッタリングターゲットによれば、前記スパッタリングターゲット材の積層方向の複数の箇所において、ＩｎおよびＳｎの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満とされているので、成膜されたＡｇ膜においてもＩｎおよびＳｎの含有量が低く抑えられており、成膜されたＡｇ膜を熱処理しても突起の発生が抑制され、反射率を高く維持することができる。

ここで、本発明のスパッタリングターゲットにおいては、前記スパッタリングターゲット材の積層方向の複数の箇所において、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｓｉの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満であることが好ましい。
Ｎｂ，Ｓｉについても、Ｉｎ，Ｓｎよりは効果は小さいが、チャンバー内に水蒸気や酸素が残存している状態で成膜したＡｇ膜において突起が発生しやすくなるおそれがある。このため、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｓｉの合計含有量を１００ｍａｓｓｐｐｍ未満に制限することにより、成膜されたＡｇ膜においてもＩｎ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｓｉの含有量が低く抑えられ、成膜されたＡｇ膜を熱処理しても突起の発生がさらに抑制され、反射率を高く維持することができる。

また、本発明のスパッタリングターゲットにおいては、前記スパッタリングターゲット材は、Ｇｅを０．３原子％以上１０．０原子％以下の範囲内で含有することが好ましい。
この場合、前記スパッタリングターゲット材は、Ｇｅを０．３原子％以上１０．０原子％以下の範囲内で含有しているので、成膜されたＡｇ膜がＡｇ－Ｇｅ系合金で構成されることになり、成膜されたＡｇ膜の耐熱性および耐硫化性を向上させることができる。

また、本発明のスパッタリングターゲットにおいては、前記スパッタリングターゲット材は、Ｇａを０．３原子％以上６．０原子％以下の範囲内で含有することが好ましい。
この場合、前記スパッタリングターゲット材は、Ｇａを０．３原子％以上６．０原子％以下の範囲内で含有しているので、成膜されたＡｇ膜がＡｇ－Ｇａ系合金で構成されることになり、成膜されたＡｇ膜の耐熱性および耐硫化性を向上させることができる。

また、本発明のスパッタリングターゲットにおいては、前記スパッタリングターゲット材は、ＧｅおよびＧａを含有し、Ｇｅの含有量をＸ原子％、Ｇａの含有量をＹ原子％としたときに、０．６Ｘ＋Ｙが０．３原子％以上６．０原子％以下の範囲であることが好ましい。
この場合、前記スパッタリングターゲット材は、ＧｅおよびＧａを含有し、Ｇｅの含有量をＸ原子％、Ｇａの含有量をＹ原子％としたときに、０．６Ｘ＋Ｙが０．３原子％以上６．０原子％以下の範囲とされているので、成膜されたＡｇ膜がＡｇ－Ｇａ－Ｇｅ系合金で構成されることになり、成膜されたＡｇ膜の耐熱性および耐硫化性を向上させることができる。

さらに、本発明のスパッタリングターゲットにおいては、前記スパッタリングターゲット材の積層方向の複数の箇所で測定したＩｎ，Ｓｎのそれぞれの含有量の標準偏差が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましい。
この場合、前記スパッタリングターゲット材の積層方向の複数の箇所で測定したＩｎ，Ｓｎのそれぞれの含有量の標準偏差が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とされており、これらＩｎ，Ｓｎの含有量のばらつきが少なく、スパッタが進行しても、安定してＩｎ，Ｓｎの含有量が低く抑えられたＡｇ膜を成膜することができる。

さらに、本発明のスパッタリングターゲットにおいては、前記スパッタリングターゲット材の積層方向の複数の箇所で測定したＮｂ，Ｓｉのそれぞれの含有量の標準偏差が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましい。
この場合、前記スパッタリングターゲット材の積層方向の複数の箇所で測定したＮｂ，Ｓｉのそれぞれの含有量の標準偏差が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下とされており、これらＮｂ，Ｓｉの含有量のばらつきが少なく、スパッタが進行しても、安定してＮｂ，Ｓｉの含有量が低く抑えられたＡｇ膜を成膜することができる。

本発明のＡｇ膜は、Ｇｅを０．１原子％以上５．０原子％以下の範囲内で含有し、ＩｎおよびＳｎの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満であることを特徴としている。
この構成のＡｇ膜においては、ＩｎおよびＳｎの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満に制限されているので、このＡｇ膜が、水蒸気が残留した状態で成膜された場合であっても、熱処理した際の突起の発生が抑制されることになり、反射率を高く維持することができる。
また、Ｇｅを０．１原子％以上５．０原子％以下の範囲内で含有しているので、耐熱性および耐硫化性に優れている。

本発明のＡｇ膜は、Ｇａを０．１原子％以上４．０原子％以下の範囲内で含有し、ＩｎおよびＳｎの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満であることを特徴としている。
この構成のＡｇ膜においては、ＩｎおよびＳｎの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満に制限されているので、このＡｇ膜が、水蒸気が残留した状態で成膜された場合であっても、熱処理した際の突起の発生が抑制されることになり、反射率を高く維持することができる。
また、Ｇａを０．１原子％以上４．０原子％以下の範囲内で含有しているので、耐熱性および耐硫化性に優れている。

本発明のＡｇ膜は、ＧｅおよびＧａを含有し、Ｇｅの含有量をｘ原子％、Ｇａの含有量をｙ原子％としたときに、０．８ｘ＋ｙが０．１原子％以上４．０原子％以下の範囲で含有し、ＩｎおよびＳｎの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満であることを特徴としている。
この構成のＡｇ膜においては、ＩｎおよびＳｎの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満に制限されているので、このＡｇ膜が、水蒸気が残留した状態で成膜された場合であっても、熱処理した際の突起の発生が抑制されることになり、反射率を高く維持することができる。
また、ＧｅおよびＧａを含有し、Ｇｅの含有量をｘ原子％、Ｇａの含有量をｙ原子％としたときに、０．８ｘ＋ｙが０．１原子％以上４．０原子％以下の範囲とされているので、耐熱性および耐硫化性に優れている。

ここで、本発明のＡｇ膜においては、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｓｉの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満であることが好ましい。
この場合、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｓｉの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満に制限されているので、このＡｇ膜を熱処理しても突起の発生がさらに抑制され、反射率を高く維持することができる。

本発明によれば、チャンバー内に水蒸気や酸素が残存している状態で成膜した場合であっても、熱処理等によって高温状態に保持されても突起の発生を抑制でき、高い反射率を維持することが可能なＡｇ膜を成膜可能なスパッタリングターゲット、および、Ａｇ膜を提供することが可能となる。

本発明の実施形態であるスパッタリングターゲットの概略説明図である。 本発明の実施形態であるスパッタリングターゲットの製造方法の一例を示すフローチャートである。 本発明の他の実施形態であるスパッタリングターゲットの概略説明図である。

以下に、本発明の一実施形態であるスパッタリングターゲット、および、Ａｇ膜について説明する。
本実施形態であるスパッタリングターゲットは、Ａｇ膜を成膜する際に用いられるものである。なお、本実施形態においては、本実施形態のスパッタリングターゲットを用いて成膜されたＡｇ膜は、例えば、有機ＥＬ素子の反射電極膜として使用するものとされている。

本実施形態であるスパッタリングターゲット１０は、図１に示すように、スパッタ面を有して平板状をなすスパッタリングターゲット材１１と、バッキングプレート１２と、これらスパッタリングターゲット材１１とバッキングプレート１２の間に配設されたはんだ層１３と、が積層された構造とされている。なお、本実施形態においては、はんだ層１３とスパッタリングターゲット材１１との間に拡散防止膜１４が配設されている。

バッキングプレート１２は、スパッタリングターゲット材１１を保持して機械的強度を確保するために設けられたものであり、さらにはスパッタリングターゲット材１１への電力供給、および、スパッタリングターゲット材１１の冷却といった作用を有するものである。このため、バッキングプレート１２としては、機械的強度、電気伝導性および熱伝導性に優れていることが求められており、例えばＳＵＳ３０４等のステンレス鋼、銅又は銅合金、チタン等で構成されている。

はんだ層１３は、スパッタリングターゲット材１１とバッキングプレート１２とをはんだ材を用いて接合した際に形成されるものである。ここで、はんだ層１３を構成するはんだ材としては、例えば、Ｉｎを含有するもの、Ｓｎを含有するもの、ＩｎとＳｎの両方を含有するものが挙げられる。
拡散防止膜１４は、はんだ層１３からスパッタリングターゲット材１１へのＩｎ、Ｓｎの拡散を抑制するものである。この拡散防止膜１４としては、例えば、Ｃｕ膜、Ｎｉ膜等を適用することができる。

スパッタリングターゲット材１１は、ＡｇまたはＡｇ合金からなり、スパッタリングターゲット材１１の積層方向（スパッタ面に交差する厚さ方向）の複数の箇所（例、３箇所以上など）において、ＩｎおよびＳｎの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満とされている。
また、本実施形態においては、スパッタリングターゲット材１１の積層方向（厚さ方向）の複数の箇所において、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｓｉの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満であることが好ましい。
さらに、本実施形態においては、スパッタリングターゲット材１１の積層方向（厚さ方向）の複数の箇所で測定したＩｎ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｓｉのそれぞれの含有量の標準偏差が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましい。
また、スパッタリングターゲット材１１の積層方向（厚さ方向）の複数の箇所は、特に限定されないが、ターゲットスパッタ面からボンディング面までの間で等間隔に２箇所又は３箇所以上の箇所であることが好ましい。

なお、本実施形態においては、スパッタリングターゲット材１１の積層方向（厚さ方向）において、ターゲットスパッタ面からボンディング面までの間で等間隔に３箇所以上の箇所で組成分析を行い、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｓｉの合計含有量、および、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｓｉのそれぞれの標準偏差を算出することが好ましい。

そして、本実施形態であるスパッタリングターゲット材１１においては、Ｇｅを０．３原子％以上１０．０原子％以下の範囲内で含有することが好ましい。
本実施形態においては、スパッタリングターゲット材１１は、Ｇｅを０．３原子％以上１０．０原子％以下の範囲内とされ、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる組成とされており、不可避不純物であるＩｎ，Ｓｎの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満、さらには不可避不純物であるＩｎ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｓｉの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満とされている。

あるいは、本実施形態であるスパッタリングターゲット材１１においては、Ｇａを０．３原子％以上６．０原子％以下の範囲内で含有することが好ましい。
本実施形態においては、スパッタリングターゲット材１１は、Ｇａを０．３原子％以上６．０原子％以下の範囲内とされ、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる組成とされており、不可避不純物であるＩｎ，Ｓｎの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満、さらには不可避不純物であるＩｎ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｓｉの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満とされている。
また、スパッタリングターゲット材１１の積層方向（厚さ方向）の複数の箇所は、特に限定されないが、ターゲットスパッタ面からボンディング面までの間で等間隔に２箇所又は３箇所以上の箇所であることが好ましい。

あるいは、本実施形態であるスパッタリングターゲット材１１においては、ＧｅおよびＧａを含有し、Ｇｅの含有量をＸ原子％、Ｇａの含有量をＹ原子％としたときに、０．６Ｘ＋Ｙが０．３原子％以上６．０原子％以下の範囲であることが好ましい。また、 上記スパッタリングターゲット材１１において、０．６Ｘ＋Ｙが１．５原子％以上３．５原子％以下の範囲であることがさらに好ましい。
本実施形態においては、スパッタリングターゲット材１１は、ＧｅおよびＧａを含有し、Ｇｅの含有量をＸ原子％、Ｇａの含有量をＹ原子％としたときに、０．６Ｘ＋Ｙが０．３原子％以上６．０原子％以下の範囲内とされ、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる組成とされており、不可避不純物であるＩｎ，Ｓｎの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満、さらには不可避不純物であるＩｎ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｓｉの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満とされている。

以下に、本実施形態であるスパッタリングターゲット１０において、スパッタリングターゲット材１１の組成を上述のように規定した理由について説明する。

（Ｉｎ，Ｓｎの含有量）
スパッタリングターゲット材１１にＩｎ，Ｓｎが多く含有されていると、水蒸気や酸素が残存した雰囲気でスパッタ成膜した場合には、成膜されたＡｇ膜に対して熱処理を行った際に、そのＡｇ膜において突起が発生して反射率が大きく低下することになる。
このため、Ａｇ膜へのＩｎ，Ｓｎの混入を抑制して熱処理後の反射率の低下を抑制するためには、スパッタリングターゲット材１１におけるＩｎ，Ｓｎの含有量を低減する必要がある。なお、熱処理後の反射率が０．５％以上低下すると、ディスプレイなどのデバイスの輝度に影響を与えるおそれがあるが、本実施形態のスパッタリングターゲット１０を用いて成膜したＡｇ膜では、高い反射率を維持することができる。

ここで、スパッタリングターゲット材１１とバッキングプレート１２とを接合する際に用いられるはんだ材にはＩｎ，Ｓｎが含まれていることが多く、はんだ接合時に、はんだ材に含まれるＩｎ，Ｓｎがスパッタリングターゲット材１１へと拡散し、スパッタリングターゲット材１１の積層方向（厚さ方向）においてＩｎ，Ｓｎの濃度分布が生じるおそれがある。
そこで、本実施形態では、スパッタリングターゲット材１１の積層方向（厚さ方向）の複数の箇所において、ＩｎおよびＳｎの合計含有量を１００ｍａｓｓｐｐｍ未満に規定している。また、スパッタリングターゲット材１１の積層方向（厚さ方向）の複数の箇所のうち少なくとも１箇所において、ＩｎおよびＳｎの合計含有量は、０ｍａｓｓｐｐｍより大きく、１ｍａｓｓｐｐｍ以上１００ｍａｓｓｐｐｍ未満であってもよい。
なお、ＩｎおよびＳｎの合計含有量は、５０ｍａｓｓｐｐｍ未満であることが好ましく、１０ｍａｓｓｐｐｍ未満であることがさらに好ましい。
また、本実施形態では、スパッタリングターゲット材１１の積層方向（厚さ方向）の複数の箇所は、該積層方向において１ｍｍから１０ｍｍ範囲の間隔を有する２箇所以上であることが好ましい。該複数の箇所は、該積層方向において１ｍｍから５ｍｍ範囲の間隔を有する２箇所以上であることがさらに好ましい。

（Ｎｂ，Ｓｉの含有量）
スパッタリングターゲット材１１にＮｂ，Ｓｉが多く含有されている場合にも、水蒸気や酸素が残存した雰囲気でスパッタ成膜すると、成膜されたＡｇ膜に対して熱処理を行った際に、突起が発生しやすい傾向にある。
このため、Ａｇ膜へのＮｂ，Ｓｉの混入を抑制して熱処理後の反射率の低下をさらに抑制するためには、スパッタリングターゲット材１１におけるＮｂ，Ｓｉの含有量を低減することが好ましい。
そこで、本実施形態では、スパッタリングターゲット材１１の積層方向（厚さ方向）の複数の箇所において、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｓｉの合計含有量を１００ｍａｓｓｐｐｍ未満とすることが好ましい。また、スパッタリングターゲット材１１の積層方向（厚さ方向）の複数の箇所のうち少なくとも１箇所において、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｓｉの合計含有量は、０ｍａｓｓｐｐｍより大きく、１ｍａｓｓｐｐｍ以上１００ｍａｓｓｐｐｍ未満であってもよい。
なお、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｓｉの合計含有量は、８０ｍａｓｓｐｐｍ未満であることがさらに好ましく、３０ｍａｓｓｐｐｍ未満であることがより好ましい。
また、本実施形態では、スパッタリングターゲット材１１の積層方向（厚さ方向）の複数の箇所は、該積層方向において１ｍｍから１０ｍｍ範囲の間隔を有する２箇所以上であることが好ましい。該複数の箇所は、該積層方向において１ｍｍから５ｍｍ範囲の間隔を有する２箇所以上であることがさらに好ましい。

（Ｉｎ，Ｓｎの標準偏差）
上述のように、はんだ材に含まれるＩｎ，Ｓｎがスパッタリングターゲット材１１へと拡散し、スパッタリングターゲット材１１の積層方向（厚さ方向）においてＩｎ，Ｓｎの濃度分布が生じるおそれがある。また、Ｉｎ，Ｓｎを含むヒュームがスパッタリングターゲット材１１の表面に付着し、表面側のＩｎ，Ｓｎの含有量が高くなるおそれもある。スパッタリングターゲット材１１の積層方向（厚さ方向）でＩｎ，Ｓｎの含有量にばらつきがあると、スパッタの初期、中期、終期で、Ａｇ膜に含まれるＩｎ，Ｓｎ量にばらつきが生じ、熱処理後に反射率が大きく低下するＡｇ膜が生じるおそれがある。
このため、本実施形態では、スパッタリングターゲット材１１の積層方向（厚さ方向）の複数の箇所で測定したＩｎ，Ｓｎのそれぞれの含有量の標準偏差が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましい。
なお、Ｉｎ，Ｓｎのそれぞれの含有量の標準偏差は、５ｍａｓｓｐｐｍ未満であることが好ましく、３ｍａｓｓｐｐｍ未満であることがさらに好ましい。

（Ｎｂ，Ｓｉの標準偏差）
Ｎｂ，Ｓｉははんだ材には含まれていないことが多いが、Ｎｂ，Ｓｉを含むヒュームがスパッタリングターゲット材１１の表面に付着し、表面側のＮｂ，Ｓｉの含有量が高くなるおそれがある。スパッタリングターゲット材１１の積層方向（厚さ方向）でＮｂ，Ｓｉの含有量にばらつきがあると、スパッタの初期、中期、終期で、Ａｇ膜に含まれるＮｂ，Ｓｉの含有量にばらつきが生じ、熱処理後に反射率が大きく低下するＡｇ膜が生じるおそれがある。
このため、本実施形態では、スパッタリングターゲット材１１の積層方向（厚さ方向）の複数の箇所で測定したＮｂ，Ｓｉのそれぞれの含有量の標準偏差が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましい。
なお、Ｎｂ，Ｓｉのそれぞれの含有量の標準偏差は、５ｍａｓｓｐｐｍ未満であることが好ましく、３ｍａｓｓｐｐｍ未満であることがさらに好ましい。

（Ｇｅ）
Ｇｅは、成膜されたＡｇ膜の耐硫化性および耐熱性を向上させる作用効果を有する元素である。
ここで、Ｇｅの含有量を０．３原子％以上とすることにより、上述の作用効果を十分に得ることが可能となる。一方、Ｇｅの含有量を１０．０原子％以下とすることにより、成膜されたＡｇ膜の反射率の低下、および、電気抵抗の上昇を抑制することができる。
このような理由から、本実施形態においては、Ｇｅの含有量を０．３原子％以上１０．０原子％以下の範囲内とすることが好ましい。
なお、Ｇｅの添加による上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、Ｇｅの含有量の下限を２．０原子％以上にすることが好ましく、３．０原子％以上にすることがさらに好ましい。一方、成膜されたＡｇ膜の反射率の低下、および、電気抵抗の上昇を確実に抑制するためには、Ｇｅの含有量の上限を５．０原子％以下とすることが好ましく、４．０原子％以下とすることがさらに好ましい。

（Ｇａ）
Ｇａは、成膜されたＡｇ膜の耐硫化性および耐熱性を向上させる作用効果を有する元素である。
ここで、Ｇａの含有量を０．３原子％以上とすることにより、上述の作用効果を十分に得ることが可能となる。一方、Ｇａの含有量を６．０原子％以下とすることにより、成膜されたＡｇ膜の反射率の低下、および、電気抵抗の上昇を抑制することができる。
このような理由から、本実施形態においては、Ｇａの含有量を０．３原子％以上６．０原子％以下の範囲内とすることが好ましい。
なお、Ｇａの添加による上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、Ｇａの含有量の下限を０．５原子％以上にすることが好ましく、１．０原子％以上にすることがさらに好ましい。一方、成膜されたＡｇ膜の反射率の低下、および、電気抵抗の上昇を確実に抑制するためには、Ｇａの含有量の上限を３．０原子％以下とすることが好ましく、２．０原子％以下とすることがさらに好ましい。

次に、本実施形態であるスパッタリングターゲットの製造方法の一例について、図２のフロー図を参照して説明する。

純度９９．９質量％以上のＡｇ原料に対して電解精錬を実施して電析Ａｇを作製し、得られた電析Ａｇを再度電解のアノードとして鋳込み再電解を実施した。これを繰り返すことでＡｇ内のＩｎ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｓｉの含有量を低減した。また、電解精錬を実施する毎にＩｎ，ＳｎはＩＣＰ発光分光分析法によって、Ｎｂ，ＳｉはＧＤ－ＭＳ分析によって成分分析を実施し、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｓｉの含有量を確認した。これにより、高純度Ａｇ原料を得た。

次に、所望の質量比となるように、上述の高純度Ａｇ原料と、必要に応じて純度が９９．９９質量％以上のＧｅ原料を秤量し、高周波真空溶解炉の容器内に装入する。
次いで、高周波真空溶解炉の真空チャンバー内を真空排気した後、アルゴンガスで置換し、その後、高純度Ａｇ原料を溶解させる。なお、必要に応じてアルゴンガス雰囲気中においてＡｇ溶湯にＧｅを添加する。そして、上述のＡｇ溶湯を黒鉛製鋳型に注いで鋳造することで、インゴットを作製する。

鋳造処理の方法としては、例えば、一方向凝固法を用いて実施することができる。一方向凝固法は、例えば、鋳型の底部を水冷させた状態で、抵抗加熱により予め側面部を加熱した鋳型に、溶湯を鋳込み、その後、鋳型下部の抵抗加熱部の設定温度を徐々に低下させることで実施できる。
なお、鋳造処理の方法としては、上記説明した一方向凝固法に替えて、完全連続鋳造法や半連続鋳造法等の方法を用いて行ってもよい。

（熱間圧延工程Ｓ０２）
次いで、インゴットを熱間圧延して熱間圧延材を得る。ここで、熱間圧延温度は５５０℃以上７５０℃以下の範囲内、圧下率は６０％以上９５％以下の範囲内とすることが好ましい。

（熱処理工程Ｓ０３）
次いで、上述の熱間圧延材に対して熱処理を実施する。ここで、熱処理時の保持温度を５００℃以上７００℃以下の範囲内とすることが好ましい。また、保持温度における保持時間は、１時間以上２時間以下の範囲内とすることが好ましい。

（機械加工工程Ｓ０４）
上述のようにして得られた熱処理材に対して機械加工を行うことにより、所定の形状および寸法に仕上げる。本実施形態では、円板形状とした。
以上のような工程により、本実施形態におけるスパッタリングターゲット材１１が製造される。

（拡散防止膜形成工程Ｓ０５）
次に、得られたスパッタリングターゲット材１１のボンディング面に拡散防止膜１４を形成する。なお、拡散防止膜１４の厚さは、２μｍ以上１０μｍ以下の範囲内とすることが好ましい。
本実施形態では、蒸着法によって、拡散防止膜１４として約８μｍの厚さのＣｕ膜を成膜する。

（はんだ接合工程Ｓ０６）
まず、スパッタリングターゲット材１１のボンディング面以外の表面をアルミホイル等によって覆う。
次に、スパッタリングターゲット材１１のボンディング面、および、バッキングプレート１２のボンディング面に、下地用はんだを下塗りすることで下地層を形成する。具体的には、スパッタリングターゲット材１１およびバッキングプレート１２を加熱しておき、ヒータを搭載した超音波コテ等で超音波振動を加えながら、溶融した下地用はんだを塗布することにより、下地層を形成する。
そして、バッキングプレート１２のボンディング面にはんだ材を塗布し、はんだ材を溶融させた後、スパッタリングターゲット材１１を積層し、冷却する。これにより、スパッタリングターゲット材１１とバッキングプレート１２とが、はんだ層１３を介して接合される。そして、接合後にボンディング面からはみ出したはんだ材を除去する。

ここで、はんだ接合工程Ｓ０６において、スパッタリングターゲット材１１のボンディング面以外の表面をアルミホイル等によって覆うことにより、ヒュームがスパッタリングターゲット材１１の表面に付着することが抑制される。
また、拡散防止膜１４により、はんだ材に含まれるＩｎ，Ｓｎがスパッタリングターゲット材１１へと拡散することが抑制される。
以上の工程により、本実施形態であるスパッタリングターゲット１０が製造されることになる。

本実施形態であるＡｇ膜は、上述のスパッタリングターゲット１０を用いてスパッタ成膜することによって成膜されたものである。
本実施形態であるＡｇ膜は、Ｇｅを０．１原子％以上５．０原子％以下の範囲内で含有し、ＩｎおよびＳｎの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満とされている。ここで、スパッタリングターゲットに含有されているＧｅとＧａはスパッタ成膜される際に、膜に付着しづらい場合があり、Ａｇ膜中のＧｅおよびＧａの含有量はスパッタリングターゲット中のＧｅおよびＧａの含有量よりも減少する傾向にある。
なお、本実施形態であるＡｇ膜においては、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｓｉの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満であることが好ましい。

本実施形態であるＡｇ膜においては、Ｇｅを０．３原子％以上１０原子％以下の範囲内とされ、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる組成とされており、不可避不純物であるＩｎ，Ｓｎの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満、さらには不可避不純物であるＩｎ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｓｉの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満とされている。

本実施形態であるＡｇ膜は、ＧｅおよびＧａを含有し、Ｇｅの含有量をｘ原子％、Ｇａの含有量をｙ原子％としたときに、０．８ｘ＋ｙが０．１原子％以上４．０原子％以下の範囲で含有し、ＩｎおよびＳｎの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満であることを特徴としている。また、 上記Ａｇ膜において、０．８ｘ＋ｙが１．０原子％以上３．０原子％以下の範囲であることがさらに好ましい。
本実施形態であるＡｇ膜においては、ＧｅおよびＧａを含有し、Ｇｅの含有量をｘ原子％、Ｇａの含有量をｙ原子％としたときに、０．８ｘ＋ｙが０．１原子％以上４．０原子％以下の範囲内とされ、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる組成とされており、不可避不純物であるＩｎ，Ｓｎの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満、さらには不可避不純物であるＩｎ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｓｉの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満とされている。

上述の構成とされた本実施形態であるスパッタリングターゲット１０によれば、スパッタリングターゲット材１１の積層方向（厚さ方向）の複数の箇所において、ＩｎおよびＳｎの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満とされているので、成膜されたＡｇ膜においてもＩｎおよびＳｎの含有量が低く抑えられており、成膜されたＡｇ膜に対して熱処理を実施しても突起の発生が抑制され、反射率を高く維持することができる。
なお、Ａｇ膜に対して実施される熱処理としては、例えば、反射電極を形成後に作製する絶縁膜の硬化工程が想定される。

また、本実施形態において、スパッタリングターゲット材１１の積層方向（厚さ方向）の複数の箇所において、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｓｉの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満である場合には、成膜されたＡｇ膜においてもＩｎ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｓｉの含有量が低く抑えられており、成膜されたＡｇ膜を熱処理しても突起の発生がさらに抑制され、反射率を高く維持することができる。

さらに、本実施形態において、スパッタリングターゲット材１１がＧｅを０．３原子％以上１０．０原子％以下の範囲内で含有する場合には、成膜されたＡｇ膜がＡｇ－Ｇｅ系合金で構成されることになり、成膜されたＡｇ膜の耐熱性および耐硫化性を向上させることができる。

あるいは、本実施形態において、スパッタリングターゲット材１１がＧａを０．３原子％以上６．０原子％以下の範囲内で含有する場合には、成膜されたＡｇ膜がＡｇ－Ｇａ系合金で構成されることになり、成膜されたＡｇ膜の耐熱性および耐硫化性を向上させることができる。

また、本実施形態において、スパッタリングターゲット材１１の積層方向（厚さ方向）の複数の箇所で測定したＩｎ，Ｓｎのそれぞれの含有量の標準偏差が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下である場合には、スパッタリングターゲット材１１の積層方向（厚さ方向）においてＩｎ，Ｓｎの含有量のばらつきが少なく、スパッタが進行しても、安定してＩｎ，Ｓｎの含有量が低く抑えられたＡｇ膜を成膜することができる。

さらに、本実施形態において、スパッタリングターゲット材１１の積層方向（厚さ方向）の複数の箇所で測定したＮｂ，Ｓｉのそれぞれの含有量の標準偏差が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下である場合には、スパッタリングターゲット材１１の積層方向（厚さ方向）においてＮｂ，Ｓｉの含有量のばらつきが少なく、スパッタが進行しても、安定してＮｂ，Ｓｉの含有量が低く抑えられたＡｇ膜を成膜することができる。

本実施形態であるＡｇ膜によれば、ＩｎおよびＳｎの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満に制限されているので、このＡｇ膜を熱処理しても突起の発生が抑制され、反射率を高く維持することができる。
また、本実施形態であるＡｇ膜においては、Ｇｅを０．１原子％以上５．０原子％以下の範囲内、あるいは、Ｇａを０．１原子％以上４．０原子％以下の範囲内で含有しているので、耐熱性および耐硫化性に優れている。

また、本実施形態において、Ａｇ膜のＩｎ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｓｉの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満である場合には、このＡｇ膜を熱処理しても突起の発生がさらに抑制され、反射率を高く維持することができる。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、本実施形態においては、拡散防止膜１４を備えたものとして説明したが、これに限定されることはなく、はんだ材の組成を調整するなどして、スパッタリングターゲット材の積層方向の複数の箇所においてＩｎおよびＳｎの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満とされていれば、拡散防止膜１４を有していなくてもよい。

本実施形態では、円板形状のスパッタリングターゲット材１１とバッキングプレート１２とが積層された構造のスパッタリングターゲット１０として説明したが、スパッタリングターゲットの構造はこれに限定されるものではない。
ターゲットスパッタ面が矩形状をなす矩形形状のスパッタリングターゲットとしてもよいし、ターゲットスパッタ面が円筒面である円筒型スパッタリングターゲットが挙げられる。

図３に示すように、円筒型スパッタリングターゲット１０においては、円筒状のスパッタリングターゲット材１１の内周側に、円筒状のバッキング材（バッキングチューブ１２）が挿入され、はんだ層１３によって接合された構造となる。なお、この円筒型スパッタリングターゲットにおいては、スパッタ面を有する円筒の径方向がスパッタリングターゲット材１１およびバッキングチューブ１２の積層方向となる。

以下に、本発明の有効性を確認するために行った確認実験の結果について説明する。

純度９９．９質量％以上のＡｇ原料を準備し、発明の実施の形態の欄に記載されたように、電解精錬を繰り返し実施して、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｓｉの含有量を低減した高純度Ａｇ原料を得た。
この高純度Ａｇ原料を真空雰囲気下で溶解し、Ａｒガスに置換した後、必要に応じて純度９９．９９質量％以上のＧｅ原料、および、純度９９．９質量％以上のＧａ原料を添加し、所定の組成のＡｇ溶湯を溶製した。なお、不純物の影響を確認するために、意図的に、純度９９．９質量％以上のＩｎ，純度９９．９質量％以上のＳｎ，純度９９．９質量％以上のＮｂ，純度９９．９質量％以上のＳｉを添加した。
そして、このＡｇ溶湯を、鋳造してＡｇインゴットを製造した。

得られたＡｇインゴットに対して、熱間圧延（温度７００℃、総圧下率７０％）を行った。その後、保持温度６００℃、保持時間１時間の条件で熱処理を実施した。
熱処理後に、機械加工を実施し、直径１５２．４ｍｍ、厚さ６ｍｍの円板形状のスパッタリングターゲット材を製造した。

次に、本発明例１－１６および比較例２－６においては、得られたスパッタリングターゲット材のボンディング面に、蒸着法によって、表１に示す拡散防止膜を形成した。拡散防止膜の厚さは８μｍとした。
次に、本発明例１－１６および比較例１，３－６においては、スパッタリングターゲット材のボンディング面以外の表面をアルミホイル等によって覆った。

次に、２００℃に加熱したホットプレートの上に、それぞれのボンディング面が上方を向くようにして、スパッタリングターゲット材およびバッキングプレートを載置した。
次に、スパッタリングターゲット材およびバッキングプレートのボンディング面に、Ｉｎを含むはんだ材を載せて溶融し、超音波はんだこてを用いて下塗りを行った。
次に、バッキングプレートのボンディング面にはんだ材を追加し、はんだ材を溶融した後、スパッタリングターゲット材を積層した。
そして、ホットプレートの電源を切り、冷却することにより、スパッタリングターゲット材とバッキングプレートとをはんだ層を介して接合した。なお、接合後にボンディング面からはみ出したはんだを除去した。

次に、得られたスパッタリングターゲットを用いて、以下の条件でスパッタ成膜を行い、ガラス基板にＡｇ膜を成膜した。なお、スパッタ成膜時にチャンバー内に水蒸気が残存している状態を模擬するためＡｒガスに水蒸気を添加した条件と、水蒸気を添加せずにＡｒガスのみとした２条件でそれぞれ成膜を実施した。なお、残存水蒸気は到達真空度にも依存するため、到達真空度はいずれの条件においても５．０×１０^－５Ｐａとした。
電力密度：２．０（Ｗ／ｃｍ^２）
成膜ガス圧：０．３（Ｐａ）
ターゲット－基板間距離：７０（ｍｍ）
膜構造：ガラス基板／ＩＴＯ（１０ｎｍ）／Ａｇ合金（１００ｎｍ）／ＩＴＯ（１０ｎｍ）
水蒸気添加量：Ｈ_２Ｏ／（Ａｒ＋Ｈ_２Ｏ）＝０％ ｏｒ １％

以上のようにして得られたスパッタリングターゲット、および、Ａｇ膜について、以下のようにして各種評価を実施した。

（スパッタリングターゲット組成）
ターゲットスパッタ面から積層方向（厚さ方向）に１ｍｍｔ，３ｍｍｔ，５ｍｍｔの位置でサンプリングを行い、ＩＣＰ発光分析によってＧｅ含有量およびＧａ含有量を測定し、３箇所の平均値を表１に記載した。
また、ターゲットスパッタ面から積層方向（厚さ方向）に１ｍｍｔ，３ｍｍｔ，５ｍｍｔの位置でサンプリングを行い、ＩＣＰ発光分析によってＩｎ，ＳｎをＧＤ－ＭＳ分析によってＮｂ，Ｓｉの含有量を測定するとともに、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｓｉのそれぞれの標準偏差を算出した。測定結果を表１に示す。なお、表１では、１ｍａｓｓｐｐｍ未満を０ｍａｓｓｐｐｍとして表記した。

（Ａｇ膜組成）
２．０ｋＷｈスパッタ後にアルミナ基板／Ａｇ合金（厚さ５００ｎｍ）の構造で膜サンプルを作製した。
この膜サンプルに対して、ＩＣＰ発光分析によってＧｅ含有量およびＧａ含有量を測定した。また、膜中の不純物量として、Ｉｎ，ＳｎをＩＣＰ発光分析、Ｎｂ，ＳｉをＧＤ－ＭＳ分析によって測定した。

（反射率）
累計電力０．１ｋＷｈ、２．０ｋＷｈ、４．０ｋＷｈスパッタ後に、上述のスパッタ条件にて成膜サンプルを作製した。作製したＡｇ膜を、大気雰囲気下２５０℃１ｈの熱処理を行い、４５０ｎｍにおける反射率を分光光度計により測定した。表２には、スパッタ成膜時にＡｒガスに水蒸気を添加した条件と、水蒸気を添加せずにＡｒガスのみとした２条件で成膜したものについてそれぞれ記載するとともに、これらの反射率の差を記載した。

（耐硫化性試験）
耐硫化性試験では、スパッタ条件は上記の通りであるが、膜構造のみガラス基板／Ａｇ合金（１００ｎｍ）として、膜サンプルを作製した。
この膜を、２５℃、７５％、３ｐｐｍのＨ_２Ｓガス雰囲気下に１ｈ暴露し、暴露後の４５０ｎｍにおける反射率を分光光度計により測定した。評価結果を表２に示す。

比較例１においては、５ｍｍｔ位置においてＩｎとＳｎとの合計含有量が１００ｐｐｍを超えていた。４．０ｋＷｈ後にＡｒガスのみで成膜したＡｇ膜と水蒸気を添加して成膜したＡｇ膜とで反射率の差が大きくなった。
比較例２においては、１ｍｍｔ位置においてＩｎとＳｎとの合計含有量が１００ｐｐｍを超えていた。０．１ｋＷｈ後にＡｒガスのみで成膜したＡｇ膜と水蒸気を添加して成膜したＡｇ膜とで反射率の差が大きくなった。

比較例３－６においては、１ｍｍｔ位置、３ｍｍｔ位置、５ｍｍｔ位置のぞれぞれでＩｎとＳｎとの合計含有量が１００ｐｐｍを超えていた。０．１ｋＷｈ後、２．０ｋＷｈ後、４．０ｋＷｈ後にＡｒガスのみで成膜したＡｇ膜と水蒸気を添加して成膜したＡｇ膜とで反射率の差が大きくなった。

これに対して、１ｍｍｔ位置、３ｍｍｔ位置、５ｍｍｔ位置のいずれでもＩｎとＳｎとの合計含有量が１００ｐｐｍ未満とされた本発明例１－１６においては、０．１ｋＷｈ後、２．０ｋＷｈ後、４．０ｋＷｈ後にＡｒガスのみで成膜したＡｇ膜と水蒸気を添加して成膜したＡｇ膜とで反射率の差が小さく、水蒸気が残存した状態でスパッタ成膜した場合であっても、熱処理後の反射率の低下を抑制できることが確認された。
また、Ｇｅを含有する本発明例１―６，８－１２、Ｇａを含有する本発明例１３－１５、ＧｅおよびＧａを含有する本発明例１６においては、Ｇｅ、Ｇｅを含有しない本発明例７に比べて、耐硫化試験後の反射率が高く、耐硫化性に優れたＡｇ膜を成膜可能であることが確認された。

以上のことから、本発明例によれば、チャンバー内に水蒸気や酸素が残存している状態で成膜した場合であっても、熱処理等によって高温状態に保持されても突起の発生を抑制でき、高い反射率を維持することが可能なＡｇ膜を成膜可能なスパッタリングターゲット、および、Ａｇ膜を提供可能であることが確認された。

１０ スパッタリングターゲット
１１ スパッタリングターゲット材
１２ バッキングプレート（バッキング材）
１３ はんだ層

Claims (11)

1. ＡｇまたはＡｇ合金からなるスパッタリングターゲット材と、はんだ層と、バッキング材と、が積層された構造のスパッタリングターゲットであって、
   前記スパッタリングターゲット材の積層方向の複数の箇所において、ＩｎおよびＳｎの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
2. 前記スパッタリングターゲット材の積層方向の複数の箇所において、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｓｉの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満であることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
3. 前記スパッタリングターゲット材は、Ｇｅを０．３原子％以上１０．０原子％以下の範囲内で含有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のスパッタリングターゲット。
4. 前記スパッタリングターゲット材は、Ｇａを０．３原子％以上６．０原子％以下の範囲内で含有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のスパッタリングターゲット。
5. 前記スパッタリングターゲット材は、ＧｅおよびＧａを含有し、Ｇｅの含有量をＸ原子％、Ｇａの含有量をＹ原子％としたときに、０．６Ｘ＋Ｙが０．３原子％以上６．０原子％以下の範囲であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のスパッタリングターゲット。
6. 前記スパッタリングターゲット材の積層方向の複数の箇所で測定したＩｎ，Ｓｎのそれぞれの含有量の標準偏差が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
7. 前記スパッタリングターゲット材の積層方向の複数の箇所で測定したＮｂ，Ｓｉのそれぞれの含有量の標準偏差が１０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
8. Ｇｅを０．１原子％以上５．０原子％以下の範囲内で含有し、ＩｎおよびＳｎの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満であることを特徴とするＡｇ膜。
9. Ｇａを０．１原子％以上４．０原子％以下の範囲内で含有し、ＩｎおよびＳｎの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満であることを特徴とするＡｇ膜。
10. ＧｅおよびＧａを含有し、Ｇｅの含有量をｘ原子％、Ｇａの含有量をｙ原子％としたときに、０．８ｘ＋ｙが０．１原子％以上４．０原子％以下の範囲であることを特徴とする、ＩｎおよびＳｎの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満であることを特徴とするＡｇ膜。
11. Ｉｎ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｓｉの合計含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ未満であることを特徴とする請求項８から請求項１０のいずれか一項に記載のＡｇ膜。

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