CN101325175B - 接触孔、导电接线柱形成法、多层布线基板的制造方法 - Google Patents

接触孔、导电接线柱形成法、多层布线基板的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种大小的控制性出色的接触孔形成方法。在由绝缘层(Z1)覆盖的布线(W1)上形成用于贯通绝缘层而连接的接触孔(CH)。包括：在布线上的接触孔形成区域(DA)涂敷对含有绝缘层形成材料的液状体具有疏液性的疏液材料的液滴(FL)形成疏液部(HF)工序；和覆盖布线涂敷含有绝缘层形成材料的液滴(ZL)形成绝缘层(Z1)的工序。

Description

接触孔、导电接线柱形成法、多层布线基板的制造方法
技术领域
本发明涉及接触孔形成方法、导电接线柱形成方法、布线图案形成方法、多层布线基板的制造方法、以及电子设备制造方法。 
背景技术
在使用液滴喷出法(喷墨方式)形成图案的情况下，喷出液状体的液滴(墨液)，使其弹落在基板上的规定位置，由此形成图案。这样，当喷出液滴使其弹落在基板上时，根据基板表面的特性的不同，液滴有可能润湿扩展过度或者分离。此时，存在无法得到所希望的布线图案的问题。 
因此，在专利文献1中公开了对作为基板的图案形成面的面实施疏液加工，向该疏液加工面照射通过了光催化剂的紫外光激光束同时形成亲液图案的技术。 
另外，在专利文献2中公开有：在形成图案的基板上涂敷含有光催化剂的疏水性的基底之后通过隔着掩模进行曝光，从而仅对曝光部分进行亲水化的技术。 
然而，在层叠上述的布线图案而采用多层布线结构的情况下，布线图案彼此借助设置在接触孔上的导电接线柱进行连接。作为形成该导电接线柱(接触孔)的技术，公开有例如在第一布线上的导电接线柱(接触孔)非形成区域上涂敷含有绝缘材料的液滴并使其硬化，形成绝缘层，然后在导电接线柱形成区域涂敷含有导电材料的液滴并使其硬化的技术(例如参照专利文献3、4)。 
专利文献1：日本特开2004-200244号公报 
专利文献2：日本特开平11-344804号公报 
专利文献3：日本特开2003-282561号公报 
专利文献4：日本特开2006-140437号公报 
但是，在如上所述的现有技术中存在如下所示的问题。 
特别是在金属布线中，由于表面的润湿性良好，所以当在接触孔非形成区域(导电接线柱非形成区域)涂敷含有绝缘材料的液滴时，由于液滴容易润湿扩展，所以存在难以将接触孔形成区域(导电接线柱形成区域)控制成所希望的大小的问题。 
另外，关于布线图案的形成，在上述专利文献1、2记载的技术中，使用高价的曝光机或光掩模、激光光源，所以会招致导致成本升高的问题。另外，由于仅对非图案面将需要的疏液材料涂敷在整个基板面上，所以从节省材料的观点出发也不优选。 
发明内容
本发明正是考虑了上述问题点而完成的发明，其目的在于，提供大小的控制性出色的接触孔形成方法、导电接线柱形成方法、多层布线基板的制造方法以及电子设备制造方法。 
另外，本发明的其他目的在于，提供不会导致成本升高且可以形成优质的上述图案的接触孔形成方法、导电接线柱形成方法、布线图案形成方法、多层布线基板的制造方法以及电子设备制造方法。 
为了实现上述目的，本发明采用以下的构成。 
本发明的接触孔形成方法，是在由绝缘层覆盖的布线上形成用于贯通上述绝缘层而连接的接触孔的方法，其特征在于，包括：在上述布线上的接触孔形成区域涂敷对含有绝缘层形成材料的液状体具有疏液性的疏液材料的液滴而形成疏液部的工序；和除去上述疏液部，以覆盖上述布线的方式涂敷含有上述绝缘层形成材料的液滴，以形成绝缘层的工序。 
因此，在本发明的接触孔形成方法中，在除去疏液部，以覆盖布线的方式涂敷含有上述绝缘层形成材料的液体时，由于疏液部的疏液性含有上述绝缘层形成材料被弹开，所以可以防止接触孔形成区域被绝缘层形成材料覆盖，绝缘层的开口为疏液部的大小，由此可以形成露出布线的接触孔。由此，在本发明中，可以以与疏液部的大小相对应的出色控制性来形成接触孔。 
另外，在本发明中，还可以适当采用利用上述疏液性液滴的喷出量来调节上述接触孔的直径的过程。 
由此，在本发明中，当上述疏液性液滴的喷出量或者各液滴的喷出恒定时，通过调节喷出液滴数量，可以容易地控制接触孔的直径。 
另外，在本发明中，可以采用通过氧等离子体处理除去接触孔形成区域的上述疏液部的过程。 
此时，通过调节氧等离子体处理时间或UV照射处理时间，可以控制疏液部的疏液性(相对于含有绝缘层形成材料的液状体的接触角)。 
作为上述疏液材料，还可以采用含有硅烷化合物以及具有氟代烷基的化合物的至少一种的构成。此时，作为上述硅烷化合物，可以采用为自组织化膜的构成。 
另外，作为上述疏液部，还可以采用在上述基板的表面形成由上述具有氟代烷基的化合物构成的自组织化膜的构成。 
进而，作为上述疏液材料，也可以采用含有氟化合物的构成。 
另外，在本发明中，还可以适当采用具有下述工序的过程，即在对含有布线形成材料的液滴具有亲液性的布线形成面的非布线形成区域，涂敷对含有上述布线形成材料的液状体具有疏液性的第二疏液材料的液滴而形成布线用疏液部的工序；和在上述布线用疏液部之间的亲液部涂敷含有上述布线形成材料的液滴而形成上述布线的工序。 
由此，在本发明中，通过在具有亲液性的布线形成面涂敷含有布线形成材料的液滴，可以使被布线用疏液部弹开的含有布线形成材料的液状体在布线形成面高精度地形成与亲液部的配置(即布线用疏液部的配置)相对应的布线。另外，在本发明中，通过涂敷含有第二疏液材料的液滴，可以形成布线用疏液部的图案，所以不需要使用高价的曝光机或光掩模、激光光源等，可以防止成本升高。 
另外，本发明的导电接线柱形成方法，是在由绝缘层覆盖的布线上形成贯通上述绝缘层并进行连接的方法，其特征在于，在所述布线上的所述导电接线柱形成区域内涂敷疏液材料的液滴，以形成疏液部的工序，其中该疏液材料相对于包含绝缘层形成材料的液状体而具有疏液性；在除去所述疏液部后的区域内以覆盖所述布线的方式涂敷包含所述绝缘层形成材料的液滴，以形成所述绝缘层的工序；和在所述疏液部上涂敷含有导电材料的液滴，通过对涂敷后的所述导电材料进行热处理或光处理而变换为导电膜，以形成导电接线柱的工序。 
因此，在本发明的导电接线柱形成方法中，在以覆盖形成有疏液部的布线的方式涂敷含有上述绝缘层形成材料的液滴时，由于疏液部的疏液性含有上述绝缘层形成材料被弹开，所以可以防止导电接线柱形成区域被绝 缘层形成材料覆盖，绝缘层的开口为疏液部的大小，由此可以形成露出布线的接触孔。由此，通过涂敷含有导电材料的液滴，可以形成与布线连接贯通绝缘层的导电接线柱。 
由此，在本发明中，可以以与疏液部的大小相对应的出色控制性来形成导电接线柱。 
另外，在本发明中，还可以适当采用具有向上述疏液部照射能量光的工序的过程。 
由此，在本发明中，使绝缘层硬化并使疏液部的疏液性降低，然后涂敷含有导电材料的液滴，由此可以形成与布线连接并贯通绝缘层的导电接线柱。 
另外，在本发明中，也可以适当采用具有至少加热上述疏液部和上述导电接线柱而使上述布线和上述导电接线柱熔敷的工序的过程。 
由此，在本发明中，可以在不通过疏液部阻碍布线和导电接线柱的导通的情况下，确实可靠地电连接布线和导电接线柱。 
此外，本发明的布线图案形成方法，是在由绝缘层覆盖的布线上形成借助贯通上述绝缘层的接触孔连接的第二布线的布线图案形成方法，其特征在于，具有：在所述布线上的所述导电接线柱形成区域内涂敷疏液材料的液滴，以形成疏液部的工序，其中该疏液材料相对于包含绝缘层形成材料的液状体而具有疏液性；在除去所述疏液部后的区域内以覆盖所述布线的方式涂敷包含所述绝缘层形成材料的液滴，以形成所述绝缘层的工序、和跨过上述绝缘层上及所述疏液部上的第二布线形成区域内涂敷含有导电材料的液滴，并通过对涂敷后的所述导电材料进行热处理或光处理而变换为导电膜，以形成上述第二布线的工序。 
由此，在本发明中，使以疏液部的大小开口的绝缘层硬化之后，向疏液部以及绝缘层照射能量光，由此可以向它们赋予亲液性。跨过已赋予亲液性的疏液部和绝缘层形成第二布线，由此可以形成借助大小已被规定的接触孔与布线连接的第二布线。 
在上述的布线图案形成方法中，可以适当采用在跨过上述绝缘层上以及上述接触孔的第二布线形成区域涂敷含有导电材料的液滴形成上述第二布线的过程。 
由此，在本发明中，利用液滴喷出方式在跨过上述绝缘层上以及上述接触孔的第二布线形成区域涂敷含有导电材料的液滴，由此可以借助在大小已被规定的接触孔涂敷的导电性材料来连接布线和第二布线。 
另外，在上述的布线图案形成方法中，还可以适当采用具有在跨过上 述绝缘层上以及上述接触孔的第二布线形成区域涂敷含有镀敷用催化剂材料的液滴而形成镀敷用催化剂层的工序、和利用镀敷处理在上述镀敷用催化剂层上形成上述第二布线的工序的过程。 
由此，在本发明中，通过利用液滴喷出方式在跨过上述绝缘层上以及上述接触孔的第二布线区域形成镀敷用催化剂层之后进行镀敷处理，可以在该镀敷用催化剂层上使第二布线析出，可以形成借助在大小已被规定的接触孔上涂敷的导电性材料而与布线连接的致密且导电性出色的第二布线。 
另一方面，本发明的多层布线基板的制造方法，其是隔着绝缘层层叠有第一布线和第二布线、上述第一布线和上述第二布线借助接触孔进行连接的多层布线基板的制造方法，其特征在于，利用先前记载的接触孔形成方法来形成上述接触孔。 
因此，在本发明的多层布线基板的制造方法中，可以制造能以出色的控制性来设定接触孔的大小的高品质的多层布线基板。 
此外，本发明的电光学装置制造方法，其特征在于，使用先前记载的多层布线基板的制造方法。 
另外，本发明的电子设备制造方法，其特征在于，使用先前记载的多层布线基板的制造方法。 
因此，在本发明中，通过具有高品质的多层布线基板，可以制造高品质的电光学装置以及电子设备。 
附图说明
图1是液滴喷出装置的简略结构图。 
图2是液滴喷出头301的剖视图。 
图3是多层布线基板的简略结构图。 
图4是表示在基板上形成的疏液部、布线图案的图。 
图5是表示图案形成工序的图。 
图6是表示图案形成工序的图。 
图7是表示图案形成工序的图。 
图8是表示疏液部、亲液部的接触角、对比度、描绘结果的关系的图。 
图9是表示形成导电接线柱的过程的图。 
图10是表示布线图案形成方法的工序的图。 
图11是表示布线图案形成方法的工序的图。 
图12是表示布线图案形成方法的工序的图。 
图13是表示布线图案形成方法的工序的图。 
图14是表示多层布线基板的简略结构的剖视图。 
图15是已对有机EL装置100中的显示区域的剖面结构进行了放大的图。 
图16是表示电子设备的具体例子的图。 
图中：C1-镀敷催化剂层，CB-多层布线基板，CH-接触孔，DA-导电接线柱形成区域，DP-导电接线柱，GB-边框部，H-疏液部(布线用疏液部)，HF-疏液部(绝缘层用疏液部)，L-液滴，MS-网状部，P-基板，Pa-表面(亲液部，布线形成面)，SL-电磁波屏蔽装置(电光学装置)，W1-布线图案(布线，第一布线)，W2-布线图案(布线，第二布线)，100-液晶显示装置(电光学装置)，400-非接触型卡式介质(电子设备)，500-等离子型显示装置(电光学装置)，600-移动电话主体(电子设备)，700-信息处理装置(电子设备)，800-钟表主体(电子设备)。 
具体实施方式
以下，参照图1～图16，对本发明的接触孔形成方法、导电接线柱形成方法、布线图案形成方法、多层布线基板的制造方法、电光学装置制造方法以及电子设备制造方法的实施方式进行说明。 
其中，在下述说明的各附图中，为了使各构件为可以辨识的大小，适当变更各构件的缩小比例。 
(液滴喷出装置) 
首先，对在本实施方式的图案形成方法中使用的液滴喷出装置进行说明。 
图1是液滴喷出装置的简略结构图。 
液滴喷出装置(喷墨装置)IJ是从液滴喷出头向基板P喷出(滴下) 液滴的装置，具有液滴喷出头301、X方向驱动轴304、Y方向引导轴305、控制装置CONT、工件台307、清洗机构308、基座309、和加热器315。工件台307用于支撑由该液滴喷出装置IJ设置了墨液(液体材料)的基板P，其具有把基板P固定在基准位置上的未图示的固定机构。 
液滴喷出头301是具有多个喷嘴的多喷嘴式的液滴喷出头，其长度方向与X轴方向一致。多个喷嘴被设置在液滴喷出头301的下面，并以一定的间隔排列在X轴方向上。从液滴喷出头301的喷嘴向被工件台307所支撑的基板P喷出上述的含有导电性微粒的墨液。 
X方向驱动轴304与X方向驱动马达302连接。X方向驱动马达302是步进马达等，当从控制装置CONT供给了X方向的驱动信号时，使X方向驱动轴304旋转。当X方向驱动轴304旋转时，使液滴喷出头301彦X轴方向移动。 
Y方向引导轴305被固定成不能相对基座309活动。工件台307具有Y方向驱动马达303。Y方向驱动马达303是步进马达等，其当从控制装置CONT供给了Y方向的驱动信号时，使工件台307在Y方向上移动。 
控制装置CONT向液滴喷出头301供给液滴的喷出控制用电压。另外，向X方向驱动马达302供给控制液滴喷出头301在X方向上的移动的驱动脉冲信号，并且向Y方向驱动马达303供给控制工件台307在Y方向上的移动的驱动脉冲信号。 
清洗机构308用于对液滴喷出头301进行清洗。清洗机构308具有未图示的Y方向的驱动马达。通过该Y方向的驱动马达的驱动，使清洗机构沿着Y方向引导轴305移动。清洗机构308的移动也受控制装置CONT的控制。 
加热器315在这里是通过灯退火对基板P进行热处理的装置，对涂敷在基板P上的液体材料中含有的溶剂进行蒸发和干燥。该加热器315的电源的接通和阻断也被控制装置CONT控制。 
液滴喷出装置IJ在使液滴喷出头301与支撑基板P的工件台307进行相对扫描的同时向基板P喷出液滴。这里，在以下的说明中把X方向称为非扫描方向，把与X方向正交的Y方向称为扫描方向。 
因此，液滴喷出头301的喷嘴以一定的间隔被排列设置在非扫描方向、 即X方向上。其中，在图1中，液滴喷出头301被配置成相对于基板P的行进方向成直角，但可以调节液滴喷出头301的角度，使其与基板P的行进方向交叉。由此，通过调节液滴喷出头301的角度，可以调节喷嘴间的间距。另外，还可以任意调节基板P和喷嘴面的距离。 
图2是液滴喷出头301的剖视图。 
在液滴喷出头301中，邻接收纳液体材料(布线用墨液等)的液体室321而配置有压电元件322。经由包括收纳液体材料的材料箱的液体材料供给系统323向液体室321供给液体材料。 
压电元件322与驱动电路324连接，经由该驱动电路324向压电元件322施加电压，通过使压电元件322变形，使液体室321变形，从而从喷嘴325喷出液体材料。 
在这种情况下，通过改变施加电压的值，来控制压电元件322的变形量。另外，通过改变施加电压的频率，来控制压电元件322的变形速度。由于采用压电方式的液滴喷出对材料不加热，所以具有对材料的组成影响小的优点。 
作为上述液滴喷出法中的喷出技术，除了上述电机械转换方式之外，还可以举出带电控制方式、加压振动方式、电热转换方式、静电吸引方式等。带电控制方式是通过带电电极向材料赋予电荷并通过偏转电极控制材料的飞行方向而从喷嘴喷出的方式。另外，加压振动方式是向材料施加30kg/cm2左右的超高压而在喷嘴顶端侧喷出材料的方式，在不施加控制电压的情况下，材料直线前进而从喷嘴喷出，当施加控制电压时，在材料间产生静电性排斥，材料分散而不从喷嘴喷出。 
另外，电热转换方式是通过设置在储留有材料的空间内的加热器使材料剧烈气化并产生气泡(泡)、利用气泡的压力喷出空间内的材料的方式。静电吸引方式是向储留有材料的空间施加微小压力并在喷嘴使材料形成弯液面(meniscus)、在该状态下施加静电引力后将材料引出的方式。另外，除此之外，也可以使用利用通过电场使流体的粘性发生变化的方式、或通过放电火花使其飞散的方式等技术。液滴喷出法具有减少材料使用的浪费而且可以将需要量的材料准确地配置于需要的位置上的优点。还有，通过液滴喷出法喷出的液状材料(流动体)的一滴的量例如为1～300纳 克。 
接着，关于使用上述的液滴喷出装置IJ形成接触孔以及导电接线柱的方法，参考图3～图9进行说明。 
在这里，如图3所示，对制造在多层形成布线的多层布线基板的情况进行说明。 
图3所示的多层布线基板CB，构成为：至少在以表面Pa为亲液部而具有亲液性的基板P上形成布线图案(布线，第一布线)W1，在覆盖该布线图案W1的由压克力(acryl)等形成的绝缘层Z1上形成布线图案(布线，第二布线)W2。布线图案W1、W2通过在贯通绝缘层Z1的接触孔CH上设置的导电接线柱DP电连接。其中，布线图案W2被绝缘层Z2覆盖，进而通过导通接线柱与层叠成多层的布线图案连接，在这里，关于绝缘层Z2以后的层，省略对其的说明。 
作为基板P，可以使用玻璃、石英玻璃、Si晶片、塑料膜、金属板、聚酰亚胺等各种材料。另外，可以在这个各种原材料基板的表面形成半导体膜、金属膜、电介质膜、有机膜等作为底层。 
首先，对在基板P上形成布线图案W1的方法进行说明。 
在这里，如图4(a)、(b)所示，多个(在这里为3处)疏液部H相互隔开间隙设置成条纹状，在这些疏液部H之间形成导电性的布线图案W1，对该情况进行说明。其中，这里记载的疏液部是指相对于含有导电性材料的液滴(以下称为图案用液滴)的接触角成为规定值以上的区域，亲液部是指相对于含有导电性材料的液滴的接触角成为规定值以下的区域。 
另外，该布线图案W1是通过在基板P上涂敷上述的布线图案用的墨液液滴而形成的图案，由表面处理工序、疏液部形成工序、材料配置工序以及热处理/光处理工序简略构成。 
以下，对各工序进行详细说明。 
(表面处理工序) 
在表面处理工序中，通过对基板P的表面Pa进行清洗处理，来实施提高亲液性的处理。 
例如，在基板P是玻璃基板的情况下，其表面对布线图案形成材料(墨 液)具有亲液性，但通过该表面处理进一步提高亲液性。 
具体而言，在表面处理工序中，作为清洗处理，实施UV激元清洗、低压水银灯清洗、O2等离子体清洗、使用HF或硫酸等的酸洗、碱洗、超声波清洗、超声波震荡(megasonic)清洗、电晕处理、辉光(glow)清洗、擦洗、臭氧清洗、氢水清洗、细泡清洗、氟系清洗等。 
在这里，如果表面(亲液部)Pa相对于图案用液滴的接触角超过25度，则容易发生鼓包(bulge)(液体贮留)，另外如果为20度以下，则不会产生鼓包。因此，在本实施方式中，通过调整清洗处理条件，使基板表面Pa相对于图案用液滴的接触角为20度以上。 
具体而言，在清洗处理例如是UV激元清洗的情况下，可以通过与UV光(紫外光)的照射时间、强度、波长、热处理(加热)的组合等进行调整，另外，在清洗处理例如是O2等离子体清洗的情况下，可以通过调整等离子体处理时间来调节亲液性(接触角)。通过该清洗处理，即便在表面Pa上附着有有机物等异物的情况下，也可以从表面Pa上除去，能够维持清洁度以及亲液性。 
(疏液部形成工序) 
接着，在已进行清洗处理(亲液化处理)的基板P的表面(布线形成面)Pa的规定区域(图案W1的形成区域的周围；非布线区域)形成疏液部(布线用疏液部)H。 
具体而言，使用上述的液滴喷出装置IJ从液滴喷出头301喷出含有对图案用液滴具有疏液性的材料(第二疏液材料)的液状体的液滴(以下称为疏液性液滴)，涂敷在基板P上的规定区域。 
作为具有疏液性的材料，可以使用硅烷化合物、具有氟烷基的化合物、氟树脂(含有氟的树脂)、以及它们的混合物。 
作为硅烷化合物，可以使用由(A)通式(1)表示的一种或2种以上的硅烷化合物(成分A)。 
R1SiX1 mX2 (3-m)      ……(1) 
式中，R1表示有机基团，X1以及X2表示-OR2、-R2、-Cl，R2表示碳原子数为1～4的烷基，m是1～3的整数。 
由通式(1)表示的硅烷化合物，是硅原子上有有机基团取代、剩余 的结合手上有烷氧基或烷基或氯基取代的化合物。作为有机基团R1的例子，例如可以例示苯基、苄基、苯乙基、羟基苯基、氯苯基、氨基苯基、萘基、蒽烯(anthrenyl)基、芘基、噻嗯基、吡咯基、环己基、环己烯基、环戊基、环戊烯基、吡啶基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、十八烷基、正辛基、氯甲基、甲氧基乙基、羟基乙基、氨基乙基、氰基、巯基丙基、乙烯基、烯丙基、丙烯酰氧基乙基、甲基丙烯酰氧基乙基、环氧丙氧基丙基、乙酰氧基等。 
X1的烷氧基或氯基是用于形成Si-O-Si键等的基团，加水水解后作为醇或酸脱离。作为烷氧基，例如可以举出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基等。 
就R2的碳原子数而言，从脱离的醇的分子量比较小、除去容易且能抑制所形成的膜的致密性降低的观点出发，优选为1～4的范围。 
作为用通式(1)表示的硅烷化合物，可以举出二甲基二甲氧基硅烷、二乙基二乙氧基硅烷、1-丙烯基甲基二氯硅烷、丙基二甲基氯硅烷、丙基甲基二氯硅烷、丙基三氯硅烷、丙基三乙氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、苯乙烯基乙基三甲氧基硅烷、四癸基三氯硅烷、3-硫氰酸酯丙基三乙氧基硅烷、对甲苯基二甲基氯硅烷、对甲苯基甲基二氯硅烷、对甲苯基三氯硅烷、对甲苯基三甲氧基硅烷、对甲苯基三乙氧基硅烷、二正丙基二正丙氧基硅烷、二异丙基二异丙氧基硅烷、二正丁基二正丁氧基硅烷、二仲丁基二仲丁氧基硅烷、二叔丁基二叔丁氧基硅烷、十八烷基三氯硅烷、十八烷基甲基二乙氧基硅烷、十八烷基三乙氧基硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷(ODS)、十八烷基二甲基氯硅烷、十八烷基甲基二氯硅烷、十八烷基甲氧二氯硅烷、7-辛烯(octenyl)基二甲基氯硅烷、7-辛烯基三氯硅烷、7-辛烯基三甲氧硅烷、辛基甲基二氯硅烷、辛基二甲基氯硅烷、辛基三氯硅烷、10-十一碳烯基二甲基氯硅烷、十一碳烯基三氯硅烷、乙烯基二甲基氯硅烷、甲基十八烷基二甲氧基硅烷、甲基十二烷基二乙氧基硅烷、甲基十八烷基二甲氧基硅烷、甲基十八烷基二乙氧基硅烷、正辛基甲基二甲氧基硅烷、正辛基甲基二乙氧基硅烷、三十烷基二甲基氯硅烷、三十烷基三氯硅烷、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、甲基三正丙氧基硅烷、甲基异丙氧基硅烷、甲基正丁氧基硅烷、甲基三仲丁氧基硅烷、甲基 三叔丁氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、乙基三正丙氧基硅烷、乙基异丙氧基硅烷、乙基正丁氧基硅烷、乙基三仲丁氧基硅烷、乙基三叔丁氧基硅烷、正丙基三甲氧基硅烷、异丁基三甲氧基硅烷、正己基三甲氧基硅烷、十六碳烷基三甲氧基硅烷、正辛基三甲氧硅烷、正十二烷基三甲氧硅烷、正十八烷基三甲氧基硅烷、正丙基三乙氧基硅烷、异丁基三乙氧基硅烷、正己基三乙氧基硅烷、十六碳烷基三乙氧基硅烷、正辛基三乙氧基硅烷、正十二烷基三甲氧基硅烷、正十八烷基三乙氧基硅烷、2-[2-(三氯甲硅烷基)乙基]吡啶、4-[2-(三氯甲硅烷基)乙基]吡啶、二苯基二甲氧基硅烷、二苯基二乙氧基硅烷、1，3-(三氯甲硅烷甲基)二十七碳烷、二苄基二甲氧基硅烷、二苄基二乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基甲基二甲氧基硅烷、苯基二甲基甲氧基硅烷、苯基二甲氧基硅烷、苯基二乙氧基硅烷、苯基甲基二乙氧基硅烷、苯基二甲基乙氧基硅烷、苄基三乙氧基硅烷、苄基三甲氧基硅烷、苄基甲基二甲氧基硅烷、苄基二甲基甲氧基硅烷、苄基二甲氧基硅烷、苄基二乙氧基硅烷、苄基甲基二乙氧基硅烷、苄基二甲基乙氧基硅烷、苄基三乙氧基硅烷、二苄基二甲氧基硅烷、二苄基二乙氧基硅烷、3-乙酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、烯丙基三甲氧基硅烷、烯丙基三乙氧基硅烷、4-氨基丁基三乙氧基硅烷、(氨乙基氨甲基)苯乙基三甲氧基硅烷、N-(2-氨乙基)-3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、N-(2-氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷、6-(氨己基氨丙基)三甲氧基硅烷、对氨苯基三甲氧基硅烷、对氨苯基乙氧基硅烷、间氨苯基三甲氧基硅烷、间氨苯基乙氧基硅烷、3-氨丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、ω-氨基十一烷基三甲氧基基硅烷、戊基三乙氧基硅烷、苯并噁蓟素二甲酯(benzoxasilibindimethylester)、5-(双环庚烯基)三乙氧基硅烷、双(2-羟乙基)-3-氨丙基三乙氧基硅烷、8-溴辛基三甲氧基硅烷、溴苯基三甲氧基硅烷、3-溴丙基三甲氧基硅烷、正丁基三甲氧基硅烷、2-氯甲基三乙氧基硅烷、氯甲基甲基二乙氧基硅烷、氯甲基甲基二异丙氧基硅烷、对(氯甲基)苯基三甲氧基硅烷、氯甲基三乙氧基硅烷、氯苯基三乙氧基硅烷、3-氯丙基甲基二甲氧基硅烷、3-氯丙基三乙氧基硅烷、3-氯丙基三甲氧基硅烷、2-(4-氯磺酰基苯基)乙基三甲氧基硅烷、2-氰基 乙基三乙氧基硅烷、2-氰基乙基三甲氧基硅烷、氰基甲基苯乙基三乙氧基硅烷、3-氰基丙基三乙氧基硅烷、2-(3-环己烯基)乙基三甲氧基硅烷、2-(3-环己烯基)乙基三乙氧基硅烷、3-环己烯基三氯硅烷、2-(3-环己烯基)乙基三氯硅烷、2-(3-环己烯基)乙基二甲基氯硅烷、2-(3-环己烯基)乙基甲基二氯硅烷、环己基二甲基氯硅烷、环己基乙基二甲氧基硅烷、环己基甲基二氯硅烷、环己基甲基二甲氧基硅烷、(环己基甲基)三氯硅烷、环己基三氯硅烷、环己基三甲氧基硅烷、环辛基三氯硅烷、(4-环辛烯基)三氯硅烷、环戊基三氯硅烷、环戊基三甲氧基硅烷、1，1-二乙氧基-1-硅杂环戊-3-烯、3-(2，4-二硝基苯基氨基)丙基三乙氧基硅烷、(二甲基氯甲硅烷基)甲基-7，7-二甲基降蒎烷、(环己基氨甲基)甲基二乙氧基硅烷、(3-环戊二烯基丙基)三乙氧基硅烷、N，N-二乙基-3-氨丙基)三甲氧基硅烷、2-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、2-(3，4-环氧环己基)乙基三乙氧基硅烷、(糠基氧甲基)三乙氧基硅烷、2-羟基-4-(3-三乙氧基丙氧基)二苯酮、3-(对甲氧苯基)丙基甲基二氯硅烷、3-(对甲氧苯基)丙基三氯硅烷、对(甲基苯乙基)甲基二氯硅烷、对(甲基苯乙基)三氯硅烷、对(甲基苯乙基)二甲基氯硅烷、3-吗啉代丙基三甲氧基硅烷、(3-环氧丙氧基丙基)甲基二乙氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、1，2，3，4，7，7-六氯-6-甲基二乙氧基甲硅烷基-2-降冰片烯、1，2，3，4，7，7-六氯-6-三乙氧基甲硅烷基-2-降冰片烯、3-碘丙基三甲氧基硅烷、3-异氰酸酯丙基三乙氧基硅烷、(巯基甲基)甲基二乙氧基硅烷、3-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-巯基丙基二甲氧基硅烷、3-巯基丙基三乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、甲基{2-(3-三甲氧基甲硅烷基丙氨基)乙氨基}-3-丙酸酯、7-辛烯基三甲氧基硅烷、R-N-α-苯乙基-N’-三乙氧基甲硅烷基丙脲、S-N-α-苯乙基-N’-三乙氧基甲硅烷基丙脲、苯乙基三甲氧基硅烷、苯乙基甲基二甲氧基硅烷、苯乙基二甲基甲氧基硅烷、苯乙基二甲氧基硅烷、苯乙基二乙氧基硅烷、苯乙基甲基二乙氧基硅烷、苯乙基二甲基乙氧基硅烷、苯乙基三乙氧基硅烷、(3-苯丙基)二甲基氯硅烷、(3-苯丙基)甲基二氯硅烷、N-苯 基氨丙基三甲氧基硅烷、N-(三乙氧基甲硅烷基丙基)丹磺酰胺、N-(3-三乙氧基甲硅烷基丙基)-4，5-二氢咪唑、2-(三乙氧基甲硅烷基乙基)-5-(氯乙酰氧基)双环庚烷、(S)-N-三乙氧基甲硅烷基丙基-O-氨基甲酸薄荷醇酯(menthocarbamate)、3-(三乙氧基甲硅烷基丙基)对硝基苯甲酰胺、3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基琥珀酸酐、N-[5-(三甲氧基甲硅烷基)-2-氮杂-1-氧代-戊基]己内酰胺、2-(三甲氧基甲硅烷基乙基)吡啶、N-(三甲氧基甲硅烷基乙基)苄基-N，N，N-三甲基铵氯化物、苯基乙烯基二乙氧基硅烷、3-硫氰酸酯丙基三乙氧基硅烷、(十三氟-1，1，2，2-四氢辛基)三乙氧基硅烷、N-{3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基}邻苯二甲酸一酰胺、(3，3，3-三氟丙基)甲基二甲氧基硅烷、(3，3，3-三氟丙基)三甲氧基硅烷、1-三甲氧基甲硅烷-2-(氯甲基)苯基乙烷、2-(三甲氧基甲硅烷基)乙基苯基磺酰基叠氮化物、β-三甲氧基甲硅烷基乙基-2-吡啶、三甲氧基甲硅烷基丙基二亚乙基三胺、N-(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)吡咯、N-三甲氧基甲硅烷基丙基-N，N，N-三丁基铵溴化物、N-三甲氧基甲硅烷基丙基-N，N，N-三丁基铵氯化物、N-三甲氧基甲硅烷基丙基-N，N，N-三甲基铵氯化物、乙烯基甲基二乙氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基二甲基甲氧基硅烷、乙烯基二甲基乙氧基硅烷、乙烯基甲基二氯硅烷、乙烯基苯基二氯硅烷、乙烯基苯基二乙氧基硅烷、乙烯基苯基二甲基硅烷、乙烯基苯基甲基氯硅烷、乙烯基三苯氧基硅烷、乙烯基三叔丁氧基硅烷、金刚烷基乙基三氯硅烷、烯丙基苯基三氯硅烷、(氨乙基氨甲基)苯乙基三甲氧基硅烷、3-氨基苯氧基二甲基乙烯基硅烷、苯基三氯硅烷、苯基二甲基氯硅烷、苯基甲基二氯硅烷、苄基三氯硅烷、苄基二甲基氯硅烷、苄基甲基二氯硅烷、苯乙基二异丙基氯硅烷、苯乙基三氯硅烷、苯乙基二甲基氯硅烷、苯乙基甲基二氯硅烷、5-(双环庚烯基)三氯硅烷、5-(双环庚烯基)三乙氧基硅烷、2-(双环庚烯基)二甲基氯硅烷、2-(双环庚烯基)三氯硅烷、1，4-双(三甲氧基甲硅烷基乙基)苯、溴苯基三氯硅烷、3-苯氧基丙基二甲基氯硅烷、3-苯氧基丙基三氯硅烷、叔丁基苯基氯硅烷、叔丁基苯基甲氧基硅烷、叔丁基苯基二氯硅烷、对(叔丁基)苯乙基 二甲基氯硅烷、对(叔丁基)苯乙基三氯硅烷、1，3-(氯二甲基甲硅烷基甲基)二十七碳烷、((氯甲基)苯基乙基)二甲基氯硅烷、((氯甲基)苯基乙基)甲基二氯硅烷、((氯甲基)苯基乙基)三氯硅烷、((氯甲基)苯基乙基)三甲氧基硅烷、氯苯基三氯硅烷、2-氰基乙基三氯硅烷、2-氰基乙基甲基二氯硅烷、3-氰基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-氰基丙基甲基二氯硅烷、3-氰基丙基甲基二氯硅烷、3-氰基丙基二甲基乙氧基硅烷、3-氰基丙基甲基二氯硅烷、3-氰基丙基三氯硅烷等。 
作为含有氟的硅烷化合物(疏液性硅烷化合物)，可以举出含氟烷基硅烷化合物。即，具有与Si结合的全氟烷基结构CnF2n+1表示的结构的基团，可以例示用下述式(2)表示的化合物。式(2)中，n表示从1到18的整数，m表示从2到6的整数，X1以及X2中含有的R2表示碳原子数为1～4的烷基，a为1～3的整数。 
CnF2n+1(CH2)mSiX1 aR2 (3-a)    …(2) 
X1的烷氧基或氯基是用于形成Si-O-Si键等的基团，加水水解后作为醇或酸脱离。作为烷氧基，例如可以举出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基等。 
就R2碳原子数而言，从脱离的醇的分子量比较小、除去容易且能抑制所形成的膜的致密性降低的观点出发，优选为1～4的范围。 
通过使用含氟烷基硅烷化合物，按照氟烷基位于膜的表面的方式各化合物发生取向而形成自组织化膜，所以能够向膜的表面赋予均匀的疏液性。 
更具体地，可以举出CF3-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3(CF2)3-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3(CF2)5-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3(CF2) 5-CH2CH2-Si(OC2H5)3、CF3(CF2)7-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3 (CF2)11-CH2CH2-Si(O2C2H5)3、CF3(CF2)3-CH2CH2-Si(CH3)(OCH3)2、CF3(CF2)7-CH2CH2-Si(CH3)(OCH3)2、CF3(CF2) 8-CH2CH2-Si(CH3)(OC2H5)2、CF3(CF2)8-CH2CH2-Si(C2H5)(OC2H5)2等。 
另外，当使用氟树脂形成疏液部H时，使用将规定量的氟树脂溶解于规定溶剂中得到的物质。具体而言，可以使用住友3M株式会社制 “EGC1720”(在HFE(氟代烃)溶剂中溶解0.1wt％的氟树脂得到的物质)。此时，通过在HFE中适当混合醇系、烃系、酮系、醚系、酯系的溶剂，由此可以调整成能从液滴喷出头301中稳定喷出。除此之外，作为氟树脂，可以使用旭硝子株式会社制“ルミフロン”(可以溶于各种溶剂)、大金株式会社制“オプツ-ル”(溶剂；PFC、HFE等)、大日本油墨化学工业株式会社制“デイツクガ-ド”(溶剂；甲苯、水·乙二醇)等。 
进而，作为含有氟的树脂，可以使用在侧链含有-CF3、-CF2、-CF2CF3、-(CF2)nCF3、-CF2CFCl的树脂。 
此外，如图5(a)、(b)所示，从液滴喷出头301向各疏液部H连续地喷出上述的含有疏液性材料的疏液性液滴L。 
此时，在各疏液部H，弹落在基板P的表面Pa的疏液性液滴L被喷出·涂敷在相邻的液滴彼此重叠的位置。由此，各疏液性液滴L由液滴喷出头301和基板的一次扫描而涂敷形成。 
在这里，如图4(a)所示，布线图案W1的宽度WA由疏液部H的排列间距HP和疏液部H的宽度HA的差来设定。该排列间距HP是由布线图案W1的规格来决定的，所以布线图案W1的宽度WA依赖于疏液部H的宽度HA。该疏液部H的宽度HA是由本实施方式中从液滴喷出头301喷出的疏液性液滴L的喷出量以及图5(a)所示的喷出间距LP来管理。 
具体而言，例如使液滴L的喷出量为两批(为La、Lb，例如La＝2.5pl、Lb＝4.5pl)，对于每个喷出量La、Lb而言，使喷出间距LP为10、20、30μm分别喷出并涂敷，此时将在基板P上形成的疏液部H的宽度HA作为与喷出量以及喷出间距LP相对应的表(table)而保持，在以需要的宽度HA形成疏液部H时，从表中找出与该宽度HA对应的喷出量以及喷出间距LP，在疏液性液滴的喷出工序中，以该已找出的喷出量以及喷出液滴L。 
此外，通过对已喷出到基板P上的疏液性液滴L进行预干燥，如图6(a)、(b)所示，在基板P上相互隔开间隔以数nm～数十nm的厚度形成直线状的疏液部H。 
该疏液部H通过使用上述的疏液性材料，使得相对于图案用液滴的接触角为50度以上。因此，亲液部(表面)Pa和疏液部H的对比度(接触 角的差)为30度以上。 
(材料配置工序) 
接着，向基板P的表面Pa的疏液部H之间喷出图案用液滴，形成布线图案W1。 
作为布线图案形成材料，通常是由将导电性微粒分散于分散介质中得到的分散液构成。在本实施方式中，作为导电性微粒，例如除了使用含有金、银、铜、钯、镍以及ITO中的任意的金属微粒之外，还可以使用它们的氧化物、以及导电性聚合物或超导体的微粒等。 
这些导电性微粒还可以在表面涂敷有机物等以提高其分散性后使用。 
导电性微粒的粒径优选为1nm以上0.1μm以下。如果大于0.1μm，则有可能在后述的液体喷出头的喷嘴出现堵塞。另外，如果小于1nm，则涂布剂相对于导电性微粒的体积比增大，得到的膜中的有机物的比例过多。 
作为分散介质，只要是可以分散上述的导电性微粒且不引起凝聚的物质，就没有特别限定。例如，除了水以外，可以例示甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇类，正庚烷、正辛烷、癸烷、十二烷、十四烷、甲苯、二甲苯、异丙基苯甲烷(cymene)、杜烯(durene)、茚、二戊烯、四氢化萘、十氢化萘、环己基苯等烃系化合物，另外还有乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基乙基醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、二甘醇甲基乙基醚、1，2-二甲氧基乙烷、双(2-甲氧基乙基)醚、对二氧杂环乙烷等醚系化合物，进而还有碳酸丙二酯、γ-丁内酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲亚砜、环己酮等极性化合物。其中，从微粒的分散性和分散液的稳定性或应用于液滴喷出法的容易程度的观点来看，优选水、醇类、烃系化合物、醚系化合物，作为更优选的分散介质，可以举出水、烃系化合物。 
上述导电性微粒的分散液的表面张力，优选在0.02N/m以上且0.07N/m以下的范围内。当利用喷墨法喷出液体时，如果表面张力不到0.02N/m，则墨液组合物对喷嘴面的润湿性增大，所以容易产生飞行弯曲。如果超过0.07N/m，则在喷嘴顶端的弯液面的形状不稳定，所以难以控制喷出量和喷出时间。为了调整表面张力，最好向上述分散液中，在不使与基板的接触角大大降低的范围内，微量添加氟系、硅酮系、非离子系等表 面张力调节剂。非离子系表面张力调节剂在提高液体向基板的润湿性、改良膜的流平性、防止发生膜的微细凹凸不平等中发挥作用。上述表面张力调节剂根据需要也可以含有醇、醚、酯、酮等有机化合物。 
上述分散液的粘度优选为1mPa·s以上、50mPa·s以下。当使用喷墨法以液滴形式喷出液体材料时，在粘度小于1mPa·s的情况下，喷嘴的周边部容易被墨液的流出所污染。另外，在粘度大于50mPa·s的情况下，在喷嘴孔处的堵塞频率升高，难以顺利地喷出液滴。 
此外，如图7(a)、(b)所示，从液滴喷出头301向疏液部H之间的间隙连续地喷出上述的含有布线图案形成材料的图案用液滴WL并涂敷。具体而言，沿着疏液部H(亲液部Pa)的长度方向(布线图案的形成方向)，边使液滴喷出头301与基板P相对移动，边以规定的间距喷出多个图案用液滴WL。 
在这里，基板P的表面Pa相对于图案用液滴WL的接触角为20度以下，所以被涂敷的图案用液滴WL不会被截断，或者在不产生的鼓包的情况下在疏液部H之间润湿扩展。另外，由于疏液部H与表面Pa相对于图案用液滴WL的接触角的差(对比度)为30度以上，所以图案用液滴WL基于该润湿性的差从疏液部H被弹开，被导入到疏液部H之间的表面Pa而积存。作为该对比度，30度以上已足够，但在考虑了后述的实施例的情况下，更优选为35度以上。 
其中，上述的疏液部H的厚度是微少量为数nm～数十nm，所以不具有作为对所涂敷的图案用液滴WL的位置进行规定的隔壁的功能，图案用液滴WL由于上述的接触角(润湿性)的差而被配置在亲液部Pa。 
(热处理/光处理工序) 
接着，利用热处理/光处理工序，除去在基板上配置的液滴中含有的分散介质或涂布剂。即，在基板上配置的导电膜形成用的液体材料可以确保微粒间的电接触，由此有必要完全除去分散介质。另外，当在导电性微粒的表面涂敷有机物等涂布剂以提高分散性时，也需要除去该涂布剂。 
热处理/光处理通常在大气中进行，但根据需要也可以在氮、氩、氦等惰性气体气氛中进行。热处理/光处理的处理温度可以考虑分散介质的沸点(蒸气压)、气氛气体的种类或压力、微粒的分散性或氧化性等热行为、 涂布剂的有无或量、基材的耐热温度等来适当决定。 
例如，为了除去由有机物构成的涂布剂，需要在约300℃下进行烧成。另外，在使用塑料等基板的情况下，优选在室温以上100℃以下进行。在这里，在250℃下烧成60分钟。 
热处理/光处理例如除了使用了加热板、电炉等加热手段的一般加热处理之外，还可以使用灯退火进行。作为用于灯退火的光的光源，没有特别限定，但可以使用红外线灯、氙气灯、YAG激光器、氩气灯、二氧化碳气体激光器、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等激元激光器等。这些光源通常被使用的输出功率范围是10W以上5000W以下的范围，而在本实施方式中，100W以上1000W以下的范围就足够。 
通过上述热处理/光处理工序，可以确保微粒间的电接触，变换成导电膜。 
通过以上说明的一系列工序，在基板P上形成如图4(a)所示的线状的布线图案W1。 
(实施例) 
当使溶剂-金属为二醇系-ITO、醚系-ITO、二醇系-Ni、水系-Ag、烃系-Ag，使疏液部H为宽度HA＝100μm、布线图案W为宽度WA＝40μm时，疏液部H、亲液部Pa的接触角、对比度、描绘结果的关系示于图7。 
如该图所示，只要亲液部的接触角为20°以下，就不会产生鼓包，另外如果疏液部的接触角为50°以上，只要对比度为30°以上(优选为35°以上)，可以成膜为良好且均匀的布线图案。 
接着，关于在布线图案W1上形成接触孔CH以及导电接线柱DP的过程，参照图9进行说明。 
首先，如图9(a)所示，在布线图案W1上的接触孔形成区域(导电接线柱形成区域)DA(后来形成接触孔CH和导电接线柱DP的场所·区域)，使用上述的液滴喷出装置IJ从液滴喷出头301喷出液滴FL并涂敷，由此形成对含有绝缘层形成材料的液状体具有疏液性的疏液部(绝缘层用疏液部)HF，所述液滴FL对含有绝缘层Z1的绝缘层形成材料的液状体具有疏液性，在这里含有上述的疏液性材料中的氟树脂(疏液材料)。 
在这里，疏液部HF的大小(直径)与后来形成的导电接线柱DP的大小(直径)相对应，所以以与应该形成的导电接线柱DP的直径相对应的直径形成疏液部HF。在本实施方式中，求出液滴FL的喷出重量、与该液滴FL弹落到布线图案W1上之后的直径的相关关系(例如2ng的喷出重量时弹落直径约为40μm；在3ng的喷出重量时，弹落直径约为65μm)，作为表保持，在形成疏液部HF时，根据形成的导电接线柱DP的大小，从表求出喷出重量，以该喷出重量喷出液滴FL。 
接着，如图9(b)所示，使用上述的液滴喷出装置IJ，从液滴喷出头301涂敷含有绝缘层形成材料的液滴ZL(以后称为绝缘层形成用液滴ZL)，以便除了疏液部HF之外覆盖布线图案W1。作为该绝缘层形成材料，在本实施方式中含有具有光硬化性的材料。具体而言，本实施方式的光硬化性材料含有光聚合引发剂、和丙烯酸的单体和/或低聚物。一般而言，该光硬化性材料可以含有溶剂和溶解于溶剂的树脂。在这里，此时的光硬化性材料可以含有其自身感光来提高聚合度的树脂，或者可以含有树脂和引发该树脂的硬化的光聚合引发剂。另外，代替这样的实施方式，作为光硬化性材料，可以含有发生光聚合而产生不溶的绝缘树脂的单体和引发该单体的光聚合的光聚合引发剂。不过，此时的光硬化性材料只要单体自身具有光官能团，就可以不含有光聚合引发剂。 
另外，还可以将热硬化性的聚酰亚胺等用作绝缘层形成材料。 
在布线图案W1上涂敷的绝缘层形成材料ZL，由于在接触孔形成区域DA上形成的疏液部H的疏液性而被弹开，在该接触孔形成区域DA成为未填充状态而有开口，疏液部HF露出，以由该疏液部HF的大小规定的大小形成接触孔CH。然后，从基板P的表面侧，向疏液部HF和绝缘层Z1照射作为能量光的紫外光(UV光)。由此，在绝缘层Z1硬化的通式疏液部HF被分解除去，或者疏液性降低。在是使用氟树脂形成的疏液部HF的情况下，对应于紫外光的照射时间而疏液性降低，但以疏液性足够降低的时间来照射紫外光(例如接触角达到20°以下的60秒)。 
随后，使用上述的液滴喷出装置IJ，将含有导电材料的液滴、在这里是形成布线图案W1时使用的液滴WL涂敷在位于导电接线柱形成区域DA的接触孔CH并进行干燥，由此如图9(c)所示，形成导电接线柱DP。 
此时，即便没有通过紫外光照射完全除去疏液部HF，氟树脂也是微少量，为数nm～数十nm，所以疏液部HF在作为导电材料的微粒被实施热处理/光处理以确保电接触时发生部分分解，或者由于作为导电材料的微粒彼此的熔接等反应，导电接线柱DP以确保与布线图案W1的良好接触(导通)的状态形成。 
此外，以导通接线柱DP露出的绝缘层Z1的表面为布线形成面，反复进行上述的工序，由此制造具有与导通接线柱DP连接的布线图案W2的多层布线基板CB。 
如上所述，在本实施方式中，预先在布线图案W1上，在接触孔形成区域DA形成疏液部HF，然后涂敷绝缘层形成用液滴ZL，所以即便当液滴ZL在布线图案W1上润湿扩展时，也可以确保·控制接触孔形成区域DA的大小即接触孔CH以及导电接线柱DP的大小为希望的值，制造高精度地形成了布线图案W1、W2以及导电接线柱DP的多层布线基板CB。另外，在本实施方式中，利用紫外光的照射与绝缘层Z1的硬化处理同时进行为确保导通接线柱DP和布线图案W1的接触所必需的疏液部HF的除去处理，所以没有必要分开设置处理工序，能够有助于生产率的提高。 
另外，在本实施方式中，根据预先设定的表，以疏液性液滴FL的喷出量来调节接触孔CH和导电接线柱DP的直径，所以可以容易且迅速地选定与应该形成的接触孔CH和导电接线柱DP的直径对应设定的疏液性液滴FL的喷出量，可以进一步有助于生产率的提高。 
除此之外，在本实施方式中，即便在形成布线图案W1时，通过对具有疏液部的表面Pa的基板P涂敷疏液性液滴L来形成疏液部H的图案，所以没有必要使用高价的曝光机或光掩模、激光光源等，可以防止成本升高。另外，在本实施方式中，通过调节疏液性液滴L的喷出量以及喷出间距，可以容易地调节疏液部H的宽度HA即布线图案W的宽度。特别是在本实施方式中，使用表示上述喷出量以及喷出间距与疏液部H的宽度HA的相关关系的表，所以可以容易且迅速地选定与应该形成的布线图案W的宽度WA对应设定的疏液性液滴L的喷出量以喷出间距，可以进一步有助于生产率的提高。 
(布线图案形成方法；第一实施方式) 
接着，参照图10说明布线图案形成方法的第一实施方式。 
图10(a)与图9(b)所示的状态相同，是表示除了疏液部HF之外，覆盖布线图案W1涂敷绝缘层形成用液滴ZL，由此形成接触孔CH并硬化了的绝缘层Z1的图。 
其中，在该图中，对于与图1～图9所示的上述实施方式的构成要素相同的要素，附加相同的标记，并省略对其的说明。 
如图10(a)所示，形成除了疏液部HF之外覆盖布线图案W1的绝缘层Z1，此时从基板P的表面侧向疏液部HF以及绝缘层Z1照射作为能量光的紫外光。 
由此，在绝缘层Z1硬化的同时其上面被亲液化。另外，同时如图10(b)所示，疏液部HF被分解除去，或者疏液性降低。在是使用氟树脂形成的疏液部HF的情况下，对应于紫外光的照射时间而疏液性降低，但以疏液性充分降低的时间来照射紫外光。 
其中，在针对上述的绝缘层Z1的亲液化处理之前，可以实行其他的硬化处理(例如加热处理)。 
然后，如图10(c)所示，在跨过上述接触孔CH以及绝缘层Z1的布线图案W2的形成区域，与上述的布线图案W1一样使用上述的液滴喷出装置IJ涂敷含有导电材料的液滴、在这里是形成用布线图案W1时使用的液滴WL，并进行干燥、烧成，由此可以形成借助接触孔CH与布线图案W1连接的布线图案W2。 
由此，即便在本实施方式中，通过使用疏液部HF，也可以高精度地形成用该疏液部HF规定的大小的接触孔CH，而且可以容易地形成借助该接触孔CH连接的布线图案W1、W2。 
另外，在本实施方式中，没有设置另外形成导电接线柱的工序，可以有助于制造效率的提高。 
(布线图案形成方法；第二实施方式) 
接着，参照图11～图13说明布线图案形成方法的第二实施方式。 
在上述布线图案形成方法的第一实施方式中，构成为涂敷含有导电材料的液滴形成布线图案W1、W2，但在第二实施方式中，是对使用镀敷处理形成布线图案的情况进行说明。 
其中，在该图中，对于与图1～图9所示的上述实施方式的构成要素相同的要素，附加相同的标记，并省略对其的说明。 
如图11(a)所示，例如在对由PI(聚酰亚胺)形成的基板P的表面Pa实施了UV照射等表面清洗处理之后，实施O2等离子体处理等亲液化处理。 
此外，使用上述的液滴喷出装置IJ将含有镀敷催化剂材料的液滴涂敷在表面Pa的布线图案形成区域(第一布线形成区域)并进行干燥(例如100℃、15分钟)，由此形成镀敷催化剂层C1。 
作为含有镀敷催化剂材料的液状体，可以使用含有Pd、Ni、Ag、Au、Cu、Fe、Co等具有催化剂作用的金属的有机溶剂。另外，作为该液状体，为了赋予与基板P的密接性，可以含有偶合剂。作为偶合剂，例如可以举出具有氨基的Si偶合剂，是中性或酸性，从减轻对液滴喷出头的损坏的观点出发，更优选使用中性偶合剂。 
在本实施方式中，使用钯(Pd)作为镀敷催化剂材料。 
接着，实施非电解镀敷处理，如图11(b)所示，在镀敷催化剂层C1上使导电层D1成膜，例如在加热板上120℃下进行30分钟的热处理，由此形成作为第二布线的布线图案W1。作为在非电解镀敷处理中使用非电解镀敷液，与含有镀敷催化剂材料的液状体一样优选为中性或酸性，如果考虑对基板P的损坏，优选使用中性的材料。 
另外，作为导电层，例如可以使用Ag、Ni、Au、Co、Cu或Pd。导电层可以为层叠有多层镀敷层的结构，例如可以是在Cu镀敷层上形成Au镀敷层的结构。 
在本实施方式中，使用Cu(即镀铜处理)作为导电层形成材料。 
接着，使用上述的液滴喷出装置IJ，在布线图案W1的接触孔形成区域DA，从液滴喷出头301涂敷对含有绝缘层Z1的绝缘层形成材料的液状体具有疏液性的液滴并进行干燥，由此形成对含有绝缘层形成材料的液状体具有疏液性的疏液部(绝缘层用疏液部)HF。接着，使用上述的液滴喷出装置IJ，除外疏液部HF覆盖布线图案W1涂敷含有绝缘层形成材料(PI、压克力、环氧树脂等)的液滴，实施硬化处理，由此形成绝缘层Z1。作为该硬化处理，如果绝缘层形成材料是热硬化性材料，例如在200℃下进 行30分钟的加热处理，如果绝缘层形成材料是光硬化性材料，例如以1000～3000mj照射UV光进行处理。 
然后，通过对基板P的表面实施UV照射处理或O2等离子体处理，使绝缘膜Z1的表面亲液化，同时除去疏液部HF(疏液部分)，如图12(a)所示，形成由绝缘膜Z1包围且露出布线图案W1的接触孔CH。 
接着，使用上述的液滴喷出装置IJ，将上述的含有镀敷催化剂材料(Pd)的液滴如图12(a)所示涂敷在2个接触孔CH以及跨过这2个接触孔CH之间的绝缘膜Z1上的布线图案形成区域(第二布线形成区域)并形成图案，进行干燥(例如在加热板上80℃下5分钟)，由此填充到2个接触孔CH中，同时形成在这些接触孔CH之间悬挂成膜的镀敷催化剂层C2。 
如果形成镀敷催化剂层C2，则实施非电解镀敷处理，如图12(c)所示，在镀敷催化剂层C2上使导电层D2成膜，例如通过加热板上120℃下进行30分钟的热处理，成为第二布线，形成通过镀铜的布线图案W2。 
接着，如图13(a)所示，使用上述的液滴喷出装置IJ，在布线图案W2上的接触孔形成区域DA2上涂敷对含有绝缘层形成材料的液状体具有疏液性的液滴并进行干燥，由此形成对含有绝缘层形成材料的液状体具有疏液性的疏液部(绝缘层用疏液部)HF2。接着，使用上述的液滴喷出装置IJ，除外疏液部HF2覆盖布线图案W2涂敷含有绝缘层形成材料(PI、压克力、环氧树脂等)的液滴，实施针对绝缘层的硬化处理，由此形成绝缘膜Z2。作为该硬化处理，可以选择与针对绝缘膜Z1的硬化处理相同的处理。 
随后，对基板P的表面实施UV照射处理或O2等离子体处理，由此依次进行绝缘膜Z2的表面的亲液化、基于疏液部HF2(疏液部分)的除去的接触孔CH2的形成、基于含有镀敷催化剂材料(Pd)的液滴的图案形成涂敷·干燥的镀敷催化剂层C3的形成、通过非电解镀敷处理在镀敷催化剂层C3上的导电膜D3的成膜，由此如图13(b)所示，可以形成通过接触孔CH2与布线图案W2连接的布线图案W3。 
接着，同样地，如图13(c)所示，通过依次进行疏液部的形成、向除疏液部之外的区域的绝缘层Z3的形成、向绝缘层Z3表面的亲液化以及 基于疏液部除去的接触孔CH3的形成、基于含有镀敷催化剂材料(Pd)的液滴的图案形成涂敷·干燥的镀敷催化剂层C4的形成、通过非电解镀敷处理在镀敷催化剂层C4上的导电膜D4的成膜，可以形成通过接触孔CH3与布线图案W3连接的布线图案W4(焊盘(pad)部)。 
由此，在本实施方式中，通过反复进行疏液部形成、绝缘层形成以及亲液化处理·疏液部除去处理、镀敷催化剂层形成处理、通过在镀敷催化剂层上的导电层成膜的布线图案形成处理，可以高精度地形成由疏液部规定的大小的接触孔，而且可以容易地形成借助该接触孔连接的层叠结构的布线图案W1～W4。 
另外，在本实施方式中，也包括向接触孔的填充部，布线图案W1～W4通过镀敷处理成膜，所以与液滴喷出方式相比，可以形成致密且电阻小的布线。 
其中，在上述实施方式中，在含有镀敷催化剂材料(Pd)的液滴的涂敷并形成图案之前，实施疏液部的除去处理，但在利用例如镀敷处理形成的布线上涂敷的疏液材料润湿扩展，膜厚变薄，此时不进行疏液部的除去处理，可以与在接触孔露出的布线电连接。为此，上述疏液部的除去处理并不是必须的，可以根据可否与在接触孔露出的布线电连接来适当实施。 
(多层布线基板) 
接着，参照图14对多层布线基板的其他实施方式进行说明。 
在这里，使用在移动电话上搭载的多层布线基板的例子进行说明。 
如图14所示的多层布线基板500是在由硅形成的基材10上层叠3层的布线层P1、P2、P3而构成。 
其中，作为基材10，除此之外，还可以举出玻璃、石英玻璃、金属板等各种基材。进而，还包括在这些各种原材料基板的表面形成半导体膜、金属膜、绝缘膜、有机膜等作为底层。 
就布线层P1而言，是将具有电极部20a的芯片部件(电子部件)20以及具有电极部21a的芯片部件(电子部件)21埋入到绝缘膜(绝缘层)13中，在该绝缘膜13上有与电极部20a、21a连接的布线15成膜，由此而成。布线15被第一层间绝缘膜60所覆盖，在图10中，位于两侧的布线15分别与贯通第一层间绝缘膜60的通孔(导电接线柱)H1、H2连接。 
作为上述芯片部件20、21，可以举出电阻、电容器、IC芯片等，在本实施方式中，使用电阻作为芯片部件20，使用电容器作为芯片部件21。另外，芯片部件20、21是以使其电极部20a、21a朝向上方的状态被配置在基材10上。 
其中，实际上电极部20a、21a与芯片部件20、21的上面大致在一个面上，但在这里，如图所示为突起状。另外，使用液滴喷出方式等喷出导电性墨液，由此可以实际形成突起。 
就绝缘膜(绝缘层)13、60而言，使用上述的液滴喷出装置IJ的液滴喷出方式，涂敷绝缘性墨液(绝缘材料)，使该绝缘性墨液硬化，由此形成。作为该绝缘性墨液，在这里含有丙烯酸系的感光性树脂作为具有在赋予光能量时发生硬化的光硬化性、以及在赋予热能时发生硬化的热硬化性的材料。 
就布线15和通孔H1、H2而言，使用上述的液滴喷出装置IJ的液滴喷出方式，喷出导电性墨液而形成。在本实施方式中，使用含有银微粒的导电性墨液。 
布线层P2具有：具有在第一层间绝缘膜60上配设的外部连接用端子72的IC芯片(电子部件)70、与通孔H1连接的布线61、覆盖这些IC芯片70以及布线60的第二层间绝缘膜62、贯通与布线61连接的绝缘膜62的通孔H3、同样贯通绝缘膜62的上述的通孔H2的一部分。 
第二层间绝缘膜62使用上述的液滴喷出装置IJ的液滴喷出方式，由与上述绝缘膜13、60相同的材料形成。 
另外，布线61以及通孔H3使用液滴喷出装置IJ的液滴喷出方式，由与布线15以及通孔H1、H2相同的材料形成。 
布线层P3具有：与在绝缘膜62上形成的IC芯片70的端子72以及通孔H2连接的布线63A、与IC芯片70的端子72以及通孔H3连接的布线63B、覆盖这些布线63A、63B的第三层间绝缘膜64、贯通与布线63A连接的绝缘膜64的通孔H4、贯通与布线63B连接的绝缘膜64的通孔H5、与设置在绝缘膜64的通孔H5连接的芯片部件(电子部件)24、和与设置在绝缘膜64的通孔H4连接的芯片部件(电子部件)25。 
第三层间绝缘膜64使用上述的液滴喷出装置IJ的液滴喷出方式，由 与上述绝缘膜13、60、62相同的材料形成。 
另外，布线63A、63B以及通孔H4、H5使用液滴喷出装置IJ的液滴喷出方式，由与布线15、61以及通孔H1、H2、H3相同的材料形成。 
另外，作为芯片部件24、25，在这里分别安装天线元件以及晶体振子。 
在本实施方式的多层布线基板500中，通孔H1～H5是利用上述的接触孔形成方法以及导电接线柱形成方法形成的，所以可以确保·控制通孔的大小为希望的值，可以制造高精度地形成有通孔的多层布线基板500。 
其中，不必设置另外形成上述通孔(导电接线柱)的工序，使用上述的布线图案形成方法，形成上层的布线图案，此时向接触孔中填充布线图案形成材料，由此可以成为确保与下层的布线图案电连接的结构。 
(开关元件(TFT元件)) 
接着，关于使用上述的接触孔形成方法、导电接线柱形成方法、布线图案形成方法形成的开关元件(TFT元件)的例子，参照图15进行说明。 
在本实施方式中，对在具有多个像素区域且通过互不相同的发光特性在各像素区域以多种发光颜色进行发光的有机EL装置中设置的TFT元件进行说明。 
图15表示对有机EL装置100中的显示区域的剖面结构进行放大的图。该图15表示3个像素区域A。有机EL装置100是在基板202上顺次层叠有形成了TFT等电炉等的电路元件部214、和形成有有机层(发光部)110的EL元件部211而构成。 
在该有机EL装置100中，从有机层110向基板2侧发出的光透过电路元件部214以及基板202，向基板202的下侧(观测者侧)射出，同时从有机层110向基板202的相反侧发出的光被阴极212反射而透过电路元件部214以及基板202，向基板202的下侧(观测者侧)射出。 
其中，通过使用透明的材料作为阴极212，也可以从该阴极212侧使光射出。 
在电路元件部214上，在基板202上形成由硅氧化物膜构成的底层保护膜202c，在该底层保护膜202c上形成有由多晶硅构成的岛状的半导体膜141。其中，在半导体膜141上通过高浓度P离子注入形成有源区域141a以及漏区域141b，另外，未导入P的区域成为沟道区域141c。 
进而，在电路元件部214上形成覆盖底层保护膜202c以及半导体膜141的透明的栅极绝缘膜142，在栅极绝缘膜142上形成由Al、Mo、Ta、Ti、W等构成的栅电极143，在栅电极143以及栅极绝缘膜142上形成有透明的第一层间绝缘膜144a和第二层间绝缘膜144b。栅电极143被设置在与半导体膜141的沟道区域141c对应的位置。 
另外，在第一、第二层间绝缘膜144a、144b上形成有分别与半导体膜141的源·漏区域141a、141b连接的接触孔145、146，在这些接触孔145、146中分别埋入导电材料。 
此外，在第二层间绝缘膜144b上，由ITO等构成的透明的像素电极111形成规定形状的图案而形成，一个接触孔145与该像素电极111连接。 
另外，另一个接触孔146与电源线163连接。 
如此，在电路元件部14上形成有与各像素电极111连接的薄膜晶体管(TFT元件)123。 
EL元件部211是以分别在多个像素电极111…上层叠的有机层110、配置在各像素电极111以及有机层110的中间且对各有机层110进行划分的围堰部112、在有机层110上形成的对置电极(阴极)212为主体构成的。 
在这里，像素电极111是由透明导电性材料例如ITO形成的，形成为俯视下大致成矩形的图案。在该像素电极111…之间设置有围堰部112。 
围堰部112是由自基板202侧的由SiO2等构成的无机围堰层112a、和在该无机围堰层112a上形成有机围堰层112b构成。 
无机围堰层112a以跨越在像素电极111的周缘部之上的方式形成，被配置成在俯视的状态下像素电极111的周围与无机围堰层112a平面重叠。另外，有机围堰层112b也被配置成在俯视的状态下与像素电极111的一部分重叠。 
另外，在有机围堰层112b上形成开口部112c，如后所述在该开口部112c配置功能层的形成材料并成膜，由此形成由功能层构成的有机层110。其中，有机围堰层112b是由丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等具有耐热性、耐溶剂性的材料形成的。 
有机层110被配设在像素电极(阳极)111和对置电极(阴极)212 之间，由此与这些像素电极111与对向电极212一起构成有机EL元件。在这里，在本实施方式中，为了作为不同的发光特性而进行全色显示，具有：成为具有红色发光特性的像素R的有机EL元件、成为具有绿色发光特性的像素G的有机EL元件、和成为具有蓝色发光特性的像素B的有机EL元件。 
在本实施方式中，这3种有机EL元件分别构成为具有空穴注入/输送层(第一有机层)151(151R、151G、151B)和发光层(第二有机层)150(150R、150G、150B)作为该有机层110。 
此外，在本实施方式中，可以利用上述的接触孔形成方法或导电接线柱形成方法形成接触孔145、146，另外，在形成与该接触孔146连接的电源线163或与接触孔145连接的像素电极111时，可以使用上述的布线图案形成方法。 
因此，在本实施方式中，可以确保·控制接触孔的大小为希望的值，可以制造高精度地形成有接触孔的薄膜晶体管(TFT元件)。 
(电子设备) 
接着，对本发明的电子设备的具体例子进行说明。 
图16(a)是表示移动电话的一例的立体图。在图16(a)中，600表示具备上述实施方式的多层布线基板的移动电话主体，601表示液晶显示部。 
图16(b)是表示文字处理机、个人电脑等移动型信息处理装置的一例的立体图。在图16(b)中，700表示信息处理装置，701表示键盘等输入部，703表示具备上述实施方式的多层布线基板的信息处理主体，702表示液晶显示部。 
图16(c)是表示手表型电子设备的一例的立体图。在图16(c)中，800表示具备上述实施方式的多层布线基板的钟表主体，801表示液晶显示部。 
图16(a)～(c)所示的电子设备使用上述实施方式的多层布线基板制造方法制造的设备，所以具有高精度形成的布线、导电接线柱，由此可以高品质地制造。 
其中，本实施方式的电子设备具备液晶装置，但可以具备有机电致发 光显示装置、等离子型显示装置等其他电光学装置。 
综上，参照附图对本发明的优选实施方式进行说明，但并不限于本发明的例子。在上述的例子表示的各构成构件的诸形状或组合等是一个例子，可以在不脱离本发明的主旨的范围内根据设计要求等进行各种变更。 
另外，在上述实施方式中，为了提高对基板P的亲液性，对实施清洗处理作为表面处理工序的例子进行了说明，但并不限于此，例如还可以采用在表面Pa涂敷对功能液(图案用液滴)显示亲液性的硅烷偶合剂或钛偶合剂的构成、或涂敷氧化钛微粒的构成。 

Claims (2)

1.一种导电接线柱形成方法，在由绝缘层覆盖的布线上形成贯通所述绝缘层并进行连接的导电接线柱，该方法具有：
在所述布线上的所述导电接线柱形成区域内涂敷疏液材料的液滴，以形成疏液部的工序，其中该疏液材料相对于包含绝缘层形成材料的液状体而具有疏液性；
在除去所述疏液部后的区域内以覆盖所述布线的方式涂敷包含所述绝缘层形成材料的液滴，以形成所述绝缘层的工序；和
在所述疏液部上涂敷含有导电材料的液滴，通过对涂敷后的所述导电材料进行热处理或光处理而变换为导电膜，以形成导电接线柱的工序。
2.一种布线图案形成方法，在由绝缘层覆盖的布线上形成经由贯通所述绝缘层的接触孔进行连接的第二布线，该方法具有：
在所述布线上的所述导电接线柱形成区域内涂敷疏液材料的液滴，以形成疏液部的工序，其中该疏液材料相对于包含绝缘层形成材料的液状体而具有疏液性；
在除去所述疏液部后的区域内以覆盖所述布线的方式涂敷包含所述绝缘层形成材料的液滴，以形成所述绝缘层的工序；和
在跨过所述绝缘层上及所述疏液部上的第二布线形成区域内涂敷含有导电材料的液滴，并通过对涂敷后的所述导电材料进行热处理或光处理而变换为导电膜，以形成所述第二布线的工序。
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