CN101322144A - 电容带 - Google Patents

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Abstract

一种应用于防盗标签线圈或天线的电容带，所述电容带形成并且适当的调节EAS或RFID防盗标签。所述电容带是由两金属薄片形成的薄膜电容，在两金属薄膜之间是电介质材料，所述薄膜电容的端点连接电性连接到防盗标签线圈或天线的不同点。所述电容带可以包括RFID集成电路，串联或并联的电容，然后电容带被应用于防盗标签线圈的特定位置以便调节所述标签达到预先确定的频率。

Description

电容带
交叉引用
根据35章119条e款，本发明要求享有2005年10月25日申请的临时专利序列号为60/730053，标题为电容带的临时申请的权益，并且该临时申请的所有公开内容通过引用被合并于此。
技术领域
本发明涉及一种防盗标签，尤其是公开了一种电容带，该电容带能够应用于EAS或RFID线圈或天线以便完成所述EAS或RFID标签。
背景技术
电子物品监视(EAS)防盗标签，典型地包含一共振电路，当共振电路处于EAS标签处于的预定的电磁场(例如8.2MHz)中的时候，该共振电路利用至少一个线圈和至少一个电容引起共振。只是为了举例说明，所述线圈和电容被蚀刻在基片上，多匝导电性电路电迹(在此形成线圈)终止在一个导电性电路电迹垫上，该导电性电路电迹垫形成一个电容盘。在基片的相反侧蚀刻出另一个导电性电路电迹垫以形成第二电容盘，当电连接被建立时，穿过基片从第二电容盘到基片第一侧的线圈的另一端，非导电的基片作为两导电性电路电迹垫之间的电介质以形成该电容。因此，形成一个振荡电路。各种不同的振荡标签产品在商业上是可获得的并且在已公开的专利中被描述，例如，美国专利5172461、5108822，4835524，4658264以及4567473，所有这些专利都描述和公开了电子监视标签的结构。然而，为了适合操作，这些产品利用并且确实需要基片的两个表面上的导电材料的两侧都形成图案。现在使用的EAS标签结构具有很多缺点。例如，由于可用标签的两侧必须使用特殊图案和蚀刻技术以便产生适当的电路，所以每单元的加工时间和成本都会增加。更重要的是，用于该产品的制造机械的复杂性也增加。通常，复杂的光蚀刻工艺用于形成所述电路结构。可以理解，双面光蚀刻通常很费时并且要求双面图案的精确排列。为了形成双面额外的材料也是必须的，因此增加了每单元的材料成本。
特别是关于无线频率识别(RFID)标签，RFID标签包括一个集成电路(IC)，该集成电路连接到前述振荡电路或是连接到一个天线(例如偶极天线)上，该天线发出一信息信号以响应一个预定的电磁场(例如13.56MHz)。近来，通过把导电凸缘电耦合到各自的集成电路触电以形成一个“芯片带”，对所述集成电路的附加已经被实现。该芯片带此后被电连接到所述振荡电路或天线。参见美国专利6940408(费格斯等人)、6665193(陈等人)、6181287(拜格尔)以及6100804(布兰迪等人)。
然而，已经确定EAS电路或RFID电路的电容元件的形成实质上控制着EAS振荡电路或RFID电路的调节，以适当的响应期望的电磁场。因此，存在对于能够有效形成并适当调节的EAS或RFID标签的需要，也需要一种有效且精确形成EAS或RFID标签的方法，还需要EAS或RFID标签的控制调整方法。
这里引述的所有参考文件的全部内容都通过引用被合并于此。
发明内容
一个带状部件，该部件用作EAS或RFID标签或镶嵌物的天线或线圈部件的至少两个分离部分的电桥。所述带状部件是薄的，整个平面部件包括第一导电平面元件，第二导电平面元件以及插入在第一、第二导电平面元件的至少一部分之间的平面电介质层，因此所述带状部件具有预期的电容量。所述第一导电元件包括第一部分，该第一部分被布置以确保具有与所述天线或线圈的至少两个独立部分之一的电连续性。所述第二导电元件包括第一部分，该第一部分被布置以确保具有与所述天线或线圈的至少两个独立部分中的另一部分的电连续性。
一个EAS或RFID标签或镶嵌物包括一个天线或线圈部件以及一个带状部件，该带状部件桥接所述天线或线圈部件的至少两个独立部分。所述带状部件是薄的，整个平面部件包括第一导电平面元件，第二导电平面元件以及插入在第一、第二导电平面元件的至少一部分之间的平面电介质层，因此所述带状部件具有预期的电容量。所述第一导电元件包括第一部分，该第一部分确保与所述天线或线圈的至少两个独立部分之一的电连续性。所述第二导电元件包括第一部分，该第一部分确保与所述天线或线圈的至少两个独立部分中的另一部分的电连续性。
一个薄的、大致为平面、易弯曲的带状部件，该带状部件用于把一个EAS或RFID标签或镶嵌物的天线或线圈部件的至少两独立部分电性桥接。所述带状部件具有期望的电容量并且包括第一导电平面元件、第二导电平面元件以及插入在第一、第二导电平面元件的至少一部分之间的平面电介质层。所述第一导电元件包括第一部分，该第一部分被布置以确保具有与所述天线或线圈的至少两个独立部分之一的电连续性。所述第二导电元件包括第一部分，该第一部分被布置以确保具有与所述天线或线圈的至少两个独立部分中的另一部分的电连续性，以形成EAS或RFID标签或镶嵌物。
一种制造EAS或RFID标签或镶嵌物的方法，所述方法包括：(a)提供一个薄的大致平面的天线或线圈部件；(b)提供一个薄的，大致平面的带状部件，该带状部件包括第一导电平面元件，第二导电平面元件以及插入在第一、第二导电平面元件的至少一部分之间的平面电介质层，因此所述带状部件具有预期的电容量；并且(c)导致所述带状部件桥接所述天线或线圈部件的至少两个独立部分，因而所述第一导电元件的第一部分被确保具有与所述天线或线圈的至少两个独立部分之一的电连续性，并且所述第二导电元件的第一部分被确保具有与所述天线或线圈的至少两个独立部分中的另一部分的电连续性。
附图说明
下面将结合附图描述本发明，相同的附图标记表示相同的元件，其中：
图1是本发明电容带的俯视图；
图2是图1中电容带沿线2-2的剖视图；
图2A是通过混合式工艺形成的图1中电容带沿线2-2的剖视图；
图2B是通过蚀刻工艺形成的图1中电容带沿线2-2的剖视图并且包括一个沿着低导电层的绝缘层；
图3是电容带的第二实施例的俯视图，该电容带包括一个电耦合到该电容带的集成电路；
图4是图3中的电容带沿图3中的线4-4的剖视图；
图5是图1的电容带应用于多匝线圈的俯视图；
图5A是图5中形成的电路的等效电路示意图；
图6是图5中的标签沿图5中的线6-6的剖视图；
图7是图3中的电容带应用于多匝线圈的俯视图；
图7A是图7形成的电路的等效电路的示意图；
图8是图7中的标签沿图7中的线8-8的剖视图；
图9是图3所示电容带的俯视图，并且一芯片带平行应用于多匝线圈；
图9A是图9形成的所述电路的等效电路示意图；
图10是图9中的标签沿图9的10-10线的剖视图；
图11是图9中的标签沿图9的11-11线的剖视图；
图12是一个集成的平行芯片电容带应用于多匝线圈的俯视图；
图12A是图12的仅仅集成平行芯片电容带的俯视图；
图13是图12中的标签沿图12的13-13线的剖视图；
图14是图12中的标签沿图12的14-14线的剖视图；
图15示出了制造电容带的金属(例如，铝)叠片的建立过程；
图16示出在图15中制造的金属叠片上印刷光阻材料成像的过程；
图17示出用于制造所述电容带的蚀刻过程，电容带不包括图16中的有光阻的金属叠片；
图18示出应用于所述电容带网或是对于所述电容带网可移动的衬垫以及其上可拆卸的废弃物，最终形成为应用线圈或天线而准备的一卷电容带；
图19示出形成电容带的混合式工艺的一部分并且更特别的是示出了由双面热封闭层金属(例如，铝)叠片形成的金属(例如，铝)叠片的建立过程；
图20示出使用混合式工艺的第二双面热封闭层金属(例如，铝)叠片的制造；以及
图21示出图19、20中所示的两金属(例如，铝)叠片的合并，与可拆卸的衬垫、可移除的废弃物一起使用，最终形成为应用线圈或天线而准备的一卷电容带。
具体实施方式
图1示出本发明的电容带20的放大俯视图。在图2中可以清楚的看出，所述电容带是一薄膜电容，并且是柔软的，该电容带包括：带有辅助电介质层22A的第一导电平面元件22，和带有辅助电介质层24A的第二导电平面元件24，并且第一导电平面元件22和第二导电平面元件24的重叠部分26形成电容。本领域技术人员可以理解，重叠部分26的数量决定了电容的容量。
尽管有很多种方式形成所述电容带20，优选的方法是提供一对辊子，每个辊子都含有一金属薄片(例如，铝)，该金属薄片对于电介质材料是热熔的(例如，一种热封电介质材料，比如很容易与铝粘合的聚酯或聚乙烯；然而，也可以使用其他电介质材料例如苯乙烯酰化物聚合体或者乙烯基醋酸盐；和/或所述电介质层可以形成应用到所述金属薄片上的涂层)。这些辊子被导向以便在电容带20的形成期间，所述关联的电介质层22A/24A互相面对。所述关联的电介质层22A/24A然后被加热熔融在一起。使用一个板牙(未示出)并且通过精确控制第一导电平面元件22及其所附的电介质层22A的切割(或者反之亦然，即，切割第二导电平面元件24及其所附的电介质层24A)，能够产生大量的电容带20。也通过各种元件22/附加的电介质层22A以及元件24/附加的电介质层24A的相关长度(即，改变重叠部26)，能够产生不同电容容量的电容带20。另一种方案，可以通过已经施加的电介质层而紧固金属薄片(正如熟知的“混合式”(参见图19-21及下面的相关描述)。或者，通过在辊子上使用凹版印刷刀或类似的印刷工艺(即，作为蚀刻工艺的一部分，见图15-18及下面的相关描述)即时印刷电介质，可以把电介质层施加到金属薄片上。
通过把第一导电平面元件22的非重叠端22B和第二导电平面元件24的非重叠端24B电连接到各自的线圈或天线的部分上，电容带20随后电耦合到一个EAS或RFID线圈或天线上。尽管有很多完成这样的电连接25的方法(如图中黑圆点所示)，首选的方式是使用高压“低温焊接”，借此平面元件22/24电耦合到各自的线圈部分；另一种方法是通过把平面元件“热焊接”到各自的线圈部分；这涉及到加热所述导电部然后弯曲导电部以便平面元件22(或24)与各自的线圈部有一金属到金属的接触，从而形成电连接。所述线圈或天线包括几个转弯，例如图5中线圈10所示，为了防止第二导电平面元件24短路，一个绝缘层28(图2A，即，一个电介质材料)或纸绝缘层28A(图2B)被施加于元件24，或者相反的插入第二导电平面层28和线圈/天线之间。从图6中可以清晰的看出，所述绝缘层28把元件24与转弯轨迹13和14相隔离，同时通过把电容带20的端部22B和24B的连接器25A和25B分别连接到线圈轨迹11和12，电容带20的电连接被形成。可以看出提供的线圈少于一圈的地方不需要绝缘层28，因为电容带20不会和任何其他线圈轨迹交叉。因此，一个EAS标签或创建的镶嵌物16具有一个由线圈10和电容带20形成的等效电路，如图5A所示。
可以看出所述线圈10由导电层的一部分形成，导电层在未示出的基片之上或之内。
正如先前所述，图2A和2B提供了另一种绝缘层方案。如图19-21所讨论的，所述首选方法利用结合一对双面热封闭金属(例如，铝)以形成电容带20。如图2A所示，特别是第一导电平面元件22形成的第一叠片的每一面上覆盖有绝缘层23和22A，第二导电平面元件24形成的第二叠片的每一面上覆盖有绝缘层24A和28，所述第一叠片和第二叠片相结合；这两个双面热封闭金属层在绝缘层22A和24A之间的接触面结合以便形成电容带20。一种较优的方法是不使用双面热封闭金属(例如，图15-18中所示的工艺)，在这种情况下一个分离的绝缘层28A可以应用于第二导电平面元件24的暴露面用于防止短路，当电容带20应用于所述线圈/天线时第二导电平面元件24的暴露面可能与线圈/天线交叉导电。
图3示出包括一集成电路的电容带120的俯视图，所述集成电路与所述电容串联。特别地，所述电容带120包括与前述电容带20相似的配置。但是，元件22的非重叠端22B与集成电路15的电气触点(未示出)电连接。集成电路15的其他电气触点(也未示出)电连接到边缘122B上，该边缘122B与非重叠端22B的结构相似。在图4中可以清楚的看出，有一个间隙G把所述元件22的非重叠端22B和所述边缘122B相互分开。这样预防了集成电路15触点的短路。
如图7所示，电容带120能够应用于一线圈10以形成一个RFID标签或者镶嵌物17。特别地，把第二导电平面元件24的非重叠端24B和边缘122B电连接到线圈或天线的各自部分。如图7-8所示，所述非重叠边24B在25A处与转弯轨迹11电连接并且所述边缘122B在25B处与转弯轨迹12电连接。所述元件24之下的绝缘层28阻止了线圈10的转弯轨迹13-14的任何短路。图7A是RFID标签17的等效电路，示出了集成电路15、电容和线圈10的串联关系。
可以理解图4和图7中通过电容带120形成的电容在结构上与电容带20是相似的。但是，也应该理解，实际形成的电容与电容带20形成的电容具有不同的电容值，因为RFID工作在，仅仅为了举例，13.56MHz频率上，相较而言，EAS工作在大约8.2MHz的频率上。
从这两个例子中可知，依靠应用于线圈10的电容带的类型是电容带20或是电容带120，分别形成EAS标签或是RFID标签。
应该理解所述电容带20和120可以制造有不同数量的重叠部26(用于不同的电容值)以及不同长度的非重叠边22B、24B和边缘122B使得电容带20、120可以应用于线圈10的不同的线圈轨迹以便改变标签16和17的谐振频率。因此，关于线圈10所示的电容带20和120的相对位置只是举例的目的。
图9-11示出电容带20和常规的芯片带19用于普通的线圈10A上以便形成一个使用并联谐振电路的RFID标签18，如图9A所示。所述电容带20与线圈使用前述图5-6所讨论的相似的方式电耦合，在此不再赘述。所述芯片带19包括一个集成电路15，该集成电路15与导电边缘19A和19B电连接。间隙19G也把两边缘相分隔以防止集成电路15的电触点(未示出)短路。导电边缘19A和19B分别在连接器25C和25D的位置连接线圈10A。图10可以清晰地示出，为了防止集成电路15短路，当集成电路15电连接到线圈10A时，一个绝缘层19C(例如，纸)插在导电边缘19A/19B和线圈10A中间。应该可以理解所述芯片带19不包括如电容带20(或电容带120)那样的薄膜电容。
图12-14示出一个使用并联谐振电路的RFI D标签18′(与图9A所示的相似)但是带有一个并联芯片电容带220；因此，使用集成的并联芯片电容带220而代替分离的电容带20和常规的芯片带19。特别地，图12A清晰地示出，所述集成的并联芯片电容带220由基本的三部分组成：矩形的导电边缘222，具有狭窄区域226的“L形”导电边缘224，该“L形”导电边缘224与矩形导电边缘222的一部分重叠，以及集成电路15。所述集成电路15各自电连接所述边缘222和边缘224的电触点(未示出)。间隙G把边缘222、224与电性短接的触点分离。插入到边缘222和狭窄区域226之间的电介质层226A形成所述电容。电介质层222A把矩形导电边缘222与转弯轨迹11-14电性绝缘。如图12和13所示的连接点25A处所述边缘222电连接到线圈轨迹11。如图12和13所示的连接点25B处，所述L形导电边缘224电连接到线圈轨迹12。如前所述的关于电容带20和120的各种电容值，所述电容带220能够产生各种数量的狭窄区域226与边缘222的重叠，以便为电容带220提供不同的电容值。
应该理解，电容带20、120、220的使用不限于线圈。这些电容带也能用于高频应用的天线方面，比如使用偶级天线。因此，仅用于举例的目的，电容带20或120或220可以设置在偶极天线的偶极振子之间以形成一个在UHF或微波频率段工作的标签。
也可以理解，尽管所有示出的电容带20、120和220都电连接到线圈10/10A的顶部，但这只是为了举例的目的。这些电容带也可以电连接到线圈10/10A或天线的底部。假如这样，则必须穿透承载线圈或天线的基片(未示出)以允许电连接。
整个说明书中使用的术语“镶嵌物”含义为：完整的标签(例如，EAS标签16，RFID标签17、18或18′)可以自身形成签条的一部分或者被耦合到签条上以在其上被使用，或者与物品相关联。
所述电容带20、120和220也可以包括钝化装置以便当需要时允许通过外部电场使得由此形成的防盗标签失效，比如包括所述电容带的预定的击穿电压，或是包括电容带特定区域的击穿，诸如美国专利5861809(艾克斯坦等人)、6232878(鲁宾)、6025780(鲍尔斯等人)所公开的内容，并且所有这些公开的内容都通过引用合并于此。
如前所述，图15-18描述了使用印刷/蚀刻工艺制造一卷电容带。
为了清楚起见，图15-18中示出了不同阶段中层或叠片的一部分的横截面。应该可以理解这些厚度被极大地夸大了并没有示出各层的真实厚度。
特别地，一个叠片408由两层金属(例如，铝)400和402(来自于不同的辊子400A/402A)形成，所述两层金属结合加入出自聚乙烯挤压区404A的聚乙烯(PET)压出物404(“热”PET)。经过混合区406之后，所述金属叠片408缠绕在拉紧的辊子410上。接下来，如图16所示，拉紧的辊子410向印刷工艺输送金属叠片，借此在印刷站412处光阻材料被可选择的涂覆在两面，并且所述“印刷的叠片”414被输送给拉紧的辊子414A。如图17所示，印刷的叠片414然后输送给蚀刻工艺416，借此在叠片414两面的金属(例如，铝)层的一部分被蚀刻掉，因此在叠片的两面留下金属带的孤立部分，从而形成电容带网418。该电容带网418然后输送给拉紧的辊子420。在工艺的下一阶段(图18)是为所有的电容带粘附可剥离的衬垫然后从物理上把每个电容带20与相邻的电容带分开。特别地，粘有可剥离衬垫422的辊子422A在工作站424处与电容带网418相结合。然后，在冲切站426在电容带20之间的挤出层404部分相对于一个多余的拉紧辊428被分离且移动。最终导致了在网430上的多个电容带20(或120或220)缠绕在辊子430A上用于施加在线圈或天线上。
如前所述，用于制造电容带的另一种工艺使用“混合式”工艺。这种工艺的优点之一是该工艺中使用的金属层是热封闭的。结果是，所述电容带的电容“盘”与开头部分绝缘以至于当绝缘层横跨线圈或天线的几个转弯时，也不需要引入如图2B所示的单独的绝缘层28A。图19-21示出了使用“混合式”工艺制造一卷电容带。
从图19至图21，为了清楚，示出了不同阶段的层或叠片部分的横截面。应该理解这些厚度被极大地夸张了并没有描述各层的实际厚度。
特别地，如图19所示，来自于衬垫支撑辊500A的衬垫500被输送给挤压机502A，在挤压机502A处，粘合剂502涂覆到衬垫500上以形成带有可剥离粘合剂的衬垫504。从双面热封闭金属506(例如，铝)的支撑辊506A处，所述热封闭金属506被结合，在结合站507处，随着带有可剥离粘合剂的衬垫504形成一个叠片508以便形成所述电容带的“套盘”；拉紧辊508A保持着叠片508。使用类似工艺形成第二类似叠片608。第二类似叠片608形成所述电容带的“其他套盘”。附图标记600-608A与附图标记500-508A相应，这里不再赘述。如图21所示，所述拉紧辊508A和608A使用在形成电容带的结合工艺中。特别地，所述叠片508和608在各自的冲切站510和610冲切，通过双面热封闭金属部(506和606)并且在各自的多余的拉紧辊511/611上多余的移动以便形成双面热封闭金属(例如，铝)的孤立带512/612。如图21所示，这些孤立带512和612互相面对(例如，孤立带512面朝下而孤立带612面朝上)。在这些方位，登记单独的孤立带512和612然后在冲压站514冲压印制以形成电容带。为了允许移动个别的电容带并且应用到线圈或天线，带有可剥离粘合剂的衬垫之一需要移动到拉紧辊700上。最终导致在网702上的多个电容带20(或120或220)缠绕在辊子702A上准备应用于线圈或天线。图21也在与图2A一致的横截面上示出电容带20。
本发明已经结合其具体实施例而被详细描述，显然地，本领域技术人员可以理解，所有不背离本发明精神和范围的改变和修改都在本发明保护的范围之内。

Claims (50)

1.一种带状部件，所述部件用作EAS或RFID标签或镶嵌物的天线或线圈部件的至少两个分离部分的电桥，所述带状部件是薄的，平面的部件，所述部件包括第一导电平面元件，第二导电平面元件以及插入在第一、第二导电平面元件的至少一部分之间的平面电介质层，因此所述带状部件具有预期的电容，所述第一导电元件包括第一部分，所述第一部分被布置以确保具有与所述天线或线圈的至少两个独立部分之一的电连续性，所述第二导电元件包括第一部分，所述第一部分被布置以确保具有与所述天线或线圈的至少两个独立部分中的另一部分的电连续性。
2.根据权利要求1所述的带状部件，其特征在于，所述天线或线圈包括一对端部，并且所述第一导电元件的第一部分连接着天线或线圈的任意预期的位置或者连接在所述天线或线圈的两端部之间，同时所述第二导电元件的第一部分连接在天线或线圈的任意预期的位置或者连接在所述天线或线圈的两端部之间，以此确定所述EAS或RFID标签或镶嵌物的操作频率。
3.根据权利要求1所述的带状部件，其特征在于，所述带状部件堆叠在所述天线或线圈的顶部或底部。
4.根据权利要求1所述的带状部件，其特征在于，所述EAS标签或RFID标签或镶嵌物是一大体上易弯曲的部件并且所述带状部件是一大体上易弯曲的部件。
5.根据权利要求1所述的带状部件，其特征在于，所述带状部件的第一和第二导电元件中的每个均包括铝。
6.根据权利要求1所述的带状部件，其特征在于，所述电介质包括在所述第一和第二导电元件的至少一部分之上的覆盖层。
7.根据权利要求5所述的带状部件，其特征在于，所述电介质包括在所述第一和第二导电元件的至少一部分之上的覆盖层。
8.根据权利要求1所述的带状部件，其特征在于，所述电介质包括薄膜。
9.根据权利要求1所述的带状部件，其特征在于，还包括一设置在其上并与之电连接的集成电路芯片，因此当所述带状部件连接到所述天线或线圈时，得到RFID标签或镶嵌物。
10.根据权利要求9所述的带状部件，其特征在于，所述集成电路电连接到所述第一或第二导电元件之一以便使所述集成电路与所述预期的电容串联。
11.根据权利要求9所述的带状部件，其特征在于，所述集成电路包括第一电触点和第二电触点，所述第一电触点电连接到所述第一导电元件，并且所述第二电触点电连接到所述第二导电元件以便使所述集成电路与所述预期的电容并联。
12.根据权利要求11所述的带状部件，其特征在于，所述导电元件之一是“L形”并且所述导电元件之一的第一部分与所述另一个导电元件的第二部分重叠。
13.根据权利要求1所述的带状部件，其特征在于，所述第一和第二导电平面元件中的每个均包括有具有外表面和内表面的金属薄层，所述导电金属包括在所述内表面的至少一部分上的电介质材料的覆盖层。
14.根据权利要求13所述的带状部件，其特征在于，所述金属薄层包括金属薄片。
15.根据权利要求13所述的带状部件，其特征在于，所述第一和第二导电平面元件是互相并列的，以便所述两导电平面元件的至少一部分重叠并且在彼此相对重叠的位置带有其各自的电介质材料覆盖层，以此为所述带状部件确定预期的电容量。
16.根据权利要求15所述的带状部件，其特征在于，所述天线或线圈包括一对端部，所述第一导电元件的第一部分连接在所述天线或线圈的任意预期位置或者连接在所述天线或线圈的两端之间，同时所述第二导电元件的第一部分连接在天线或线圈的任意预期的位置或者连接在所述天线或线圈的两端部之间，以此确定所述EAS或RFID标签或镶嵌物的操作频率。
17.根据权利要求1所述的带状部件，其特征在于，所述第一导电平面元件的第一部分通过焊接方式电连接到所述天线或线圈部件的选定部分，并且所述第二导电平面元件的第一部分通过焊接方式电连接到所述天线或线圈部件的另一选定部分。
18.根据权利要求13所述的带状部件，其特征在于，所述第一导电平面元件的第一部分通过皱缩方式电连接到所述天线或线圈部件的选定部分，并且所述第二导电平面元件的第一部分通过皱缩方式电连接到所述天线或线圈部件的另一选定部分。
19.根据权利要求16所述的带状部件，其特征在于，所述第一导电平面元件的第一部分通过焊接方式电连接到所述天线或线圈部件的选定部分，并且所述第二导电平面元件的第一部分通过焊接方式电连接到所述天线或线圈部件的另一选定部分。
20.一种EAS或RFID标签或镶嵌物，所述EAS或RFID标签或镶嵌物包括天线或线圈部件以及一个带状部件，所述带状部件桥接所述天线或线圈部件的至少两个独立部分，所述带状部件是薄的，大体平面的部件，所述部件包括第一导电平面元件，第二导电平面元件以及插入在第一、第二导电平面元件的至少一部分之间的平面电介质层，因此所述带状部件具有预期的电容，所述第一导电元件包括第一部分，所述第一部分被确保具有与所述天线或线圈的至少两个独立部分之一的电连续性，所述第二导电元件包括第一部分，所述第一部分被确保具有与所述天线或线圈的至少两个独立部分中的另一部分的电连续性。
21.根据权利要求20所述的EAS或RFID标签或镶嵌物，其特征在于，所述天线或线圈包括一对端部，所述第一导电元件的第一部分连接在所述天线或线圈的任意预期位置或者连接在天线或线圈的两端之间，并且所述第二导电元件的第一部分连接在所述天线或线圈的任意预期位置或者连接在天线或线圈的两端之间，以此确定所述EAS或RFID标签或镶嵌物的操作频率。
22.根据权利要求21所述的EAS或RFID标签或镶嵌物，其特征在于，通过焊接的方式把所述带状部件固定到所述天线或线圈上。
23.根据权利要求20所述的EAS或RFID标签或镶嵌物，其特征在于，所述带状部件堆叠在所述天线或线圈之上或之下。
24.根据权利要求20所述的EAS或RFID标签或镶嵌物，其特征在于，所述EAS或RFID标签或镶嵌物是大体上易弯曲的部件并且所述带状部件也是大体上易弯曲的部件。
25.根据权利要求20所述的EAS或RFID标签或镶嵌物，其特征在于，所述带状部件的第一和第二导电元件中的每个均包括铝。
26.根据权利要求20所述的EAS或RFID标签或镶嵌物，其特征在于，所述电介质层包括覆盖层，所述覆盖层在所述第一和第二导电元件之一的至少一部分上。
27.根据权利要求25所述的EAS或RFID标签或镶嵌物，其特征在于，所述电介质层包括覆盖层，所述覆盖层在所述第一和第二导电元件之一的至少一部分上。
28.根据权利要求20所述的EAS或RFID标签或镶嵌物，其特征在于，所述电介质层包括薄膜。
29.根据权利要求20所述的EAS或RFID标签或镶嵌物，其特征在于，所述标签或镶嵌物是RFID标签并且所述带状物包括安装在其上的集成电路。
30.一种薄的、大致为平面、易弯曲的带状部件，该带状部件用于把EAS或RFID标签或镶嵌物的天线或线圈部件的至少两独立部分电性桥接，所述带状部件具有期望的电容量并且包括第一导电平面元件、第二导电平面元件以及插入在第一、第二导电平面元件的至少一部分之间的平面电介质层，所述第一导电元件包括第一部分，该第一部分与所述天线或线圈的至少两个独立部分之一电相连，所述第二导电元件包括第一部分，该第一部分与所述天线或线圈的至少两个独立部分中的另一部分电相连，以形成EAS或RFID标签或镶嵌物。
31.根据权利要求30所述的带状部件，其特征在于，所述天线或线圈包括一对端部，所述第一导电元件的第一部分连接在所述天线或线圈的任意期望位置或者连接在天线或线圈的两端之间，并且所述第二导电元件的第一部分连接在所述天线或线圈的任意期望位置或者连接在天线或线圈的两端之间，以此确定所述EAS或RFID标签或镶嵌物的操作频率。
32.根据权利要求30所述的带状部件，其特征在于，所述带状部件堆叠在所述天线或线圈之上或之下。
33.根据权利要求30所述的带状部件，其特征在于，所述带状部件的第一和第二导电元件中的每个均包括铝。
34.根据权利要求30所述的带状部件，其特征在于，所述电介质层包括覆盖层，所述覆盖层在所述第一和第二导电元件之一的至少一部分上。
35.根据权利要求34所述的带状部件，其特征在于，所述电介质层包括覆盖层，所述覆盖层在所述第一和第二导电元件之一的至少一部分上。
36.根据权利要求30所述的带状部件，其特征在于，所述电介质层包括薄膜。
37.根据权利要求30所述的带状部件，其特征在于，所述带状部件还包括设置在其上并且与之电连接的集成电路芯片，因此当所述带状部件连接到所述天线或线圈时，得到RFID标签或镶嵌物。
38.一种制造EAS或RFID标签或镶嵌物的方法，所述方法包括：
(a)提供薄的大致平面的天线或线圈部件；
(b)提供薄的，大致平面的带状部件，所述带状部件包括第一导电平面元件，第二导电平面元件以及插入在第一、第二导电平面元件的至少一部分之间的平面电介质层，因此所述带状部件具有预期的电容；并且
(c)由于所述带状部件桥接所述天线或线圈部件的至少两个独立部，因此所述第一导电元件的第一部分与所述天线或线圈的至少两个独立部分之一电连接，并且所述第二导电元件的第一部分与所述天线或线圈的至少两个独立部分中的另一部分电连接。
39.根据权利要求38所述方法，其特征在于，所述天线或线圈包括一对端部，所述第一导电元件的第一部分连接在所述天线或线圈的任意期望位置或者连接在天线或线圈的两端之间，并且所述第二导电元件的第一部分连接在所述天线或线圈的任意期望位置或者连接在天线或线圈的两端之间，以此确定所述EAS或RFID标签或镶嵌物的操作频率。
40.根据权利要求28所述的方法，其特征在于，所述第一导电元件的所述第一部分焊接到所述天线或线圈的至少两独立部分之一上，并且所述第二导电元件的所述第一部分焊接到所述天线或线圈的至少两独立部分的另一个。
41.根据权利要求38所述的方法，其特征在于，所述带状部件堆叠在所述天线或线圈之上或之下。
42.根据权利要求38所述的方法，其特征在于，所述带状部件的第一和第二导电元件中的每个均包括铝。
43.根据权利要求38所述的方法，其特征在于，所述电介质层包括覆盖层，该覆盖层在所述第一和第二导电元件之一的至少一部分上。
44.根据权利要求42所述的方法，其特征在于，所述电介质层包括覆盖层，该覆盖层在所述第一和第二导电元件之一的至少一部分上。
45.根据权利要求38所述的方法，其特征在于，所述电介质层包括薄膜。
46.根据权利要求38所述的方法，其特征在于，所述带状部件还包括设置在其上并且与之电性相连的集成电路芯片，因此当所述带状部件连接到所述天线或线圈时，得到RFID标签或镶嵌物。
47.根据权利要求38所述的方法，其特征在于，所述提供薄的、大致平面的带状部件的步骤包括：
(a)在聚乙烯压出物的两侧固定金属层以形成叠片；
(b)在金属层的两面选择应用光阻材料；
(c)把所述叠片应用于蚀刻工艺以便形成多个电容带；并且
(d)把衬垫和可剥离的粘合剂应用于所述叠片之一。
48.根据权利要求47所述的方法，其特征在于，所述金属层是铝。
49.根据权利要求38所述的方法，其特征在于，所述提供薄的、大致平面的带状部件的步骤包括：
(a)使用可剥离的粘合剂把一个双面热封闭金属层应用于第一衬垫，并且把第二双面热封闭金属层应用于第二层，以形成第一和第二金属叠片；
(b)第一和第二衬垫上的所述双面热封闭金属层的冲切部在所述第一和第二衬垫上形成多个独立的电容盘；
(c)互相面对着设置所述多个独立的电容盘；
(d)把所述第一衬垫上的多个电容盘中的每个与所述第二衬垫上的多个电容盘中相应的一个对应，并且使其结合形成多个电容带；以及
(e)去除所述第一或第二衬垫中的任意一个。
50.根据权利要求49所述的方法，其特征在于，所述金属层是铝。
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