CN109086841A - 基于rfid特征参数防伪技术 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种基于RFID特征参数防伪技术，包括以下步骤：设计RFID标签、确定RFID天线线圈直径、装配RFID标签和初始化RFID标签。其中，RFID标签包括结构A和结构B，所述结构A包括RFID天线线圈和线圈面连接点，所述RFID天线线圈通过线圈面连接点与结构B电连接；所述结构B包括射频芯片、天线过桥和过桥面连接点，所述射频芯片、天线过桥和过桥面连接点分别依次电连接，所述过桥面连接点与线圈面连接点电连接。本发明采用激光直接成型技术，将RFID标签直接雕刻在产品包装材料上，利用RFID标签硬件特征参数，可以做到对产品的绝对防伪。此外，无需以防转移贴标签的防伪形式，标签的基材为产品外包装。

Description

基于RFID特征参数防伪技术
技术领域
本发明属于射频识别领域，尤其涉及一种基于RFID特征参数防伪技术。
背景技术
近年来，市面上制售假冒伪劣产品的违法行为越来越多，一些非法企业生产假冒伪劣产品，以次充好，从而牟取暴利。假冒伪劣商品出现严重影响这些名牌商品的信誉，其防伪追溯很具必要性。RFID 防伪追溯技术突破以往防伪追溯技术的思路，具有难以伪造性、易于识别性、信息反馈性、密码唯一性、密码保密性、使用一次性等特点。利用RFID技术防伪追溯，与激光防伪追溯、数字防伪追溯等相比，其优点在于：
1）每个标签有一个唯一的ID 号码，此唯一ID 是在制作芯片时写入ROM 中，无法修改、难以仿造；
2）无机械磨损，防污损；阅读器具有不直接对最终用户开放的物理接口，保证其自身的安全性；
3）数据安全方面除电子标签的密码保护外，数据部分可采用多种安全算法实现安全管理；
4）阅读器与电子标签之间的通信需经过多次的相互认证过程等。
目前市面上基于RFID溯源防伪的产品，基本利用具有不可复制的全球唯一ID，以及一些软件加密来实现防伪，但有很多不足：
1）RFID芯片会被回收重复利用；
2）低成本的、低加密方式的RFID芯片容易被破解；
3）防伪方式无法做到与硬件特征参数结合，产品完成生产制造后具有不可逆复制；
4）目前行业大都采用易碎标防转移模式，对双面胶以及被贴物要求较高，在有光油的包材上很难实现防转移。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提出一种基于RFID特征参数防伪技术，包括以下步骤：
S1.设计RFID标签：RFID标签包括结构A和结构B，所述结构A包括RFID天线线圈和线圈面连接点，所述RFID天线线圈通过线圈面连接点与结构B电连接；所述结构B包括射频芯片、天线过桥和过桥面连接点，所述射频芯片设置在天线过桥上，所述射频芯片电连接过桥面连接点，所述过桥面连接点与线圈面连接点电连接；
S2.确定RFID天线线圈直径：设计RFID天线线圈直径，使得RFID天线的中心频点在RFID标准协议内，并且在保证RFID标签良好的工作同时，使其个体存在特征差异；
S3.装配RFID标签：利用激光直接成型技术，将RFID标签的结构A和结构B分别雕刻在产品包装材料的两个部件上，RFID标签装配完成后，其状态不可重置和复制；
S4.初始化RFID标签：根据RFID标签的固有物理特性的差异，检测出相关特征参数，在RFID标签初始化过程中将这些参数写入到射频芯片内，当产品包装被打开时，整个RFID标签系统被破坏，从而达到防伪目的。
进一步地，所述步骤S1中的RFID天线线圈与线圈面连接点的接触位置滑动可变，接触位置的改变会引起RFID标签中心频率的变化。
进一步地，所述步骤S2中的RFID天线线圈直径在20毫米至30毫米之间。
更进一步地，所述步骤S2中的RFID天线线圈直径为26毫米。
进一步地，所述步骤S3中的相关特征参数包括中心谐振频率、谐振强度和射频芯片内部容抗。
本发明的有益效果在于：
1）RFID标签采用多部分、分段式直接设计在包装的多个部件上，当产品包装被打开时，整个RFID标签系统被破坏，因此可做结构防伪；
2）当产品被开启，RFID标签组件分离，即使再次装配，电气性能无法复原，从而无法复制首次组装时提取的特征参数，故有较高防伪等级；
3）RFID天线采用激光3D直接成型技术，RFID天线设计空间利用率更高，使RFID天线设计更容易，性能更好；
4）RFID标无需其他载体，直接使用包装材料为天线基材，更环保以及更容易自动化生产节约制造成本。
附图说明
图1是一种基于RFID特征参数防伪技术的流程图；
图2是结构A中RFID天线线圈剖面示意图。
具体实施方式
为了对本发明的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图说明本发明的具体实施方式。
本发明提出一种基于RFID特征参数防伪技术，如图1所示，包括以下步骤：
S1.设计RFID标签：RFID标签包括结构A和结构B，所述结构A包括RFID天线线圈和线圈面连接点，所述RFID天线线圈通过线圈面连接点与结构B电连接；所述结构B包括射频芯片、天线过桥和过桥面连接点，所述射频芯片设置在天线过桥上，所述射频芯片电连接过桥面连接点，所述过桥面连接点与线圈面连接点电连接；
S2.确定RFID天线线圈直径：设计RFID天线线圈直径，使得RFID天线的中心频点在RFID标准协议内，并且在保证RFID标签良好的工作同时，使其个体存在特征差异；
S3.装配RFID标签：利用激光直接成型技术，将RFID标签的结构A和结构B分别雕刻在产品包装材料的两个部件上，RFID标签装配完成后，其状态不可重置和复制；
S4.初始化RFID标签：根据RFID标签的固有物理特性的差异，检测出相关特征参数，在RFID标签初始化过程中将这些参数写入到射频芯片内，当产品包装被打开时，整个RFID标签系统被破坏，从而达到防伪目的；
在本发明的实施例中，所述步骤S1中的RFID天线线圈与线圈面连接点的接触位置滑动可变，接触位置的改变会引起RFID标签中心频率的变化，所述步骤S2中的RFID天线线圈直径为26毫米，所述步骤S3中的相关特征参数包括中心谐振频率、谐振强度和射频芯片内部容抗。
在本发明的实施例中，装配RFID标签的具体流程为：以普通塑料材质内参杂激光活化材料为标签基材，以激光束去活化设计的电路，然后使用电镀工艺镀上RFID标签。
在本发明的实施例中，RFID天线线圈与线圈面连接点的接触位置的改变导致RFID标签中心频率在0-1MHz内变化。
以上所揭露的仅为本发明的较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明的权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、 “内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是本发明使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接。

Claims (5)

1.一种基于RFID特征参数防伪技术，其特征在于，包括以下步骤：
S1.设计RFID标签：RFID标签包括结构A和结构B，所述结构A包括RFID天线线圈和线圈面连接点，所述RFID天线线圈通过线圈面连接点与结构B电连接；所述结构B包括射频芯片、天线过桥和过桥面连接点，所述射频芯片设置在天线过桥上，所述射频芯片电连接过桥面连接点，所述过桥面连接点与线圈面连接点电连接；
S2.确定RFID天线线圈直径：设计RFID天线线圈直径，使得RFID天线的中心频点在RFID标准协议内，并且在保证RFID标签良好的工作同时，使其个体存在特征差异；
S3.装配RFID标签：利用激光直接成型技术，将RFID标签的结构A和结构B分别雕刻在产品包装材料的两个部件上，RFID标签装配完成后，其状态不可重置和复制；
S4.初始化RFID标签：根据RFID标签的固有物理特性的差异，检测出相关特征参数，在RFID标签初始化过程中将这些参数写入到射频芯片内；当产品包装被打开时，整个RFID标签系统被破坏，从而达到防伪目的。
2.根据权利要求1所述的一种基于RFID特征参数防伪技术，其特征在于，所述步骤S1中的RFID天线线圈与线圈面连接点的接触位置滑动可变，接触位置的改变会引起RFID标签中心频率的变化。
3.根据权利要求1所述的一种基于RFID特征参数防伪技术，其特征在于，所述步骤S2中的RFID天线线圈直径在20毫米至30毫米之间。
4.根据权利要求3所述的一种基于RFID特征参数防伪技术，其特征在于，所述步骤S2中的RFID天线线圈直径为26毫米。
5.根据权利要求1所述的一种基于RFID特征参数防伪技术，其特征在于，所述步骤S3中的相关特征参数包括中心谐振频率、谐振强度和射频芯片内部容抗。
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