CN101319140A - CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的制备方法 - Google Patents
CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101319140A CN101319140A CNA2008100404599A CN200810040459A CN101319140A CN 101319140 A CN101319140 A CN 101319140A CN A2008100404599 A CNA2008100404599 A CN A2008100404599A CN 200810040459 A CN200810040459 A CN 200810040459A CN 101319140 A CN101319140 A CN 101319140A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cdsete
- cds
- quantum dot
- zns
- precursor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
本发明公开了一种CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的制备方法,属于半导体纳米发光材料技术领域。本发明选用镉的无机盐作为包壳用Cd前体,(TMS)2S作为包壳用S前体,形成CdS壳前体储备溶液,将CdS壳前体储备溶液与CdSeTe量子点溶液反应,获得CdSeTe/CdS量子点溶液,选用锌的无机盐作为包壳用Zn前体,(TMS)2S作为包壳用S前体,形成ZnS壳前体储备溶液,将ZnS壳前体储备溶液与CdSeTe/CdS量子点溶液反应,获得CdSeTe/CdS/ZnS量子点溶液,最后纯化得到所述量子点。本发明可获得荧光发射发射波长位于红光-近红外波段的量子点,荧光量子产率高,粒径分布均匀,稳定性好。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体材料技术领域的制备方法,特别涉及一种低毒性CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的制备方法。
背景技术
由于生物有机体(水,氧合血红蛋白和血红蛋白等)在红光-近红外波段(600-900nm)发生生物自发光,光吸收,和光散射现象的几率较小,可以有效地减小有机组织对生物学成像和检测的影响,因此近年来,红光-近红外波段成为生物成像和检测的重要发光区域。然而传统使用的荧光发射波长位于这一区域的荧光染料种类较少,而且存在着易被光漂白和荧光峰的半高宽较宽等缺点,不利于信号的检测。与荧光染料相比,量子点具有高的荧光量子产率、摩尔消光系数(为有机染料的10~1000倍)、狭窄而对称的荧光发射谱,激发和发射光谱之间的斯托克位移大,可多色标记,光漂白抗性强等一系列特殊的光学性质,有利于荧光信号的检测。但是常用的二元CdS,CdTe,CdSe等量子点的发射波长主要集中在可见光区,虽然CdTe量子点的发射波长可以达到700nm以上,但是位于这一波段的CdTe量子点的光学性能较差,同时CdTe量子点的稳定性较差,容易被周围的环境所氧化,因此发射波长位于近红外区,可以作为生物荧光探针的量子点相对缺乏。
经对现有技术的文献检索发现,Nie等在《Journal of the American ChemicalSociety》(美国化学学会学报,2003年125卷7100-7106页)发表了题为“Alloyed semiconductor quantum dots:tuning the optical propertieswithout changing the particles size”(“合金半导体量子点:调整荧光性能无需改变晶粒大小)的论文,在纯度为90%的TOPO(氧化三辛基膦)中一步合成出了不同荧光发射波长的CdSeTe量子点,可以通过调整反应物中Se和Te的比例来改变量子点的荧光发射波长,从而获得了性能优良,发射波长位于红光-近红外波段的CdSeTe量子点。但是由于TOPO强烈的毒性,以及量子点的不稳定、表面缺陷大等原因,严重地影响了其安全性和发光效率,极大地限制了其应用。我们利用液体石蜡和油酸(专利名称:三元量子点CdSeTe的制备方法;发明人:孙康、李万万,邢滨,王解兵;申请号:200710046470.1;公开号:CN101130692)制备了CdSeTe量子点,提高了合成的安全性,降低了合成工艺难度、溶剂的毒性和原料的成本,但是合成的CdSeTe量子点的稳定性没有明显的提高。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足之处,提供一种CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的制备方法,用液体石蜡代替TOPO作为反应溶剂,降低了溶剂带来的毒性,在制得的CdSeTe量子点的表面包覆了CdS和ZnS无机层。从而获得荧光性能及稳定性更优异,并具有良好的分散性、粒度均匀性的CdSeTe/CdS核壳型及CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点。获得的量子点可以直接应用于发光器件、量子点激光器、太阳能电池,制成量子点荧光微球后可应用于分子杂交、蛋白质和基因编码、药物筛选、疾病诊断等领域。
本发明是通过如下技术方案实现的,本发明包括以下步骤:
第一步,将镉的无机盐和(TMS)2S溶解在膦化合物和液体石蜡的混合溶液中,超声振荡后,形成CdS壳前体储备溶液。其中膦化合物和液体石蜡的混合体积比为1∶3,Cd前体的摩尔浓度为50-200毫摩尔/升,S前体的摩尔浓度为50-200毫摩尔/升。
第二步,将CdSeTe量子点加入到液体石蜡中,使CdSeTe量子点的摩尔浓度为8.33-33.33毫摩尔/升,形成CdSeTe量子点溶液。
第三步,将CdSeTe量子点溶液加热到100℃-180℃,然后将CdS壳前体溶液逐滴加入,完毕后将反应溶液的温度降到60℃-120℃保温30-60分钟后,将溶液冷却到室温,得到CdSeTe/CdS量子点溶液。
第四步,将锌的无机盐和(TMS)2S溶解在膦化合物和液体石蜡的混合溶液中,超声振荡后,形成ZnS壳前体储备溶液。其中膦化合物和液体石蜡的混合体积比为1∶3,Zn前体的摩尔浓度为50-200毫摩尔/升,S前体的摩尔浓度为50-200毫摩尔/升。
第五步,将CdSeTe/CdS量子点溶液加热到100℃-180℃,然后将ZnS壳前体储备溶液逐滴加入,完毕后将反应溶液的温度降到60℃-120℃,保温30-60分钟后,将溶液冷却到室温,得到CdSeTe/CdS/ZnS量子点溶液
第六步,将上述获得的量子点溶液加入沉淀剂,静置使量子点形成絮状沉淀,离心,去掉上层清液后将流体状量子点沉淀溶解在溶剂中,再次离心后去掉下层沉淀,得到均匀分散在溶剂中的CdSeTe/CdS核壳型及CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点。
本发明获得的量子点可以直接应用于发光器件、量子点激光器、太阳能电池,制成量子点高分子微球后可应用于免疫分析、活体荧光成像、分子杂交、蛋白质和基因编码、药物筛选、疾病诊断的领域。
本发明所述的镉的无机盐可以是:硬脂酸镉、乙酸镉或草酸镉;锌的无机盐可以是:硬脂酸锌、乙酸锌或草酸锌;膦化合物可以是:TOP(三正辛基膦)、TBP(三正丁基膦)、TPP(三本基膦)、TDPA(十四烷基磷酸);量子点的沉淀剂可以是:甲醇,乙醇,丙醇,丙酮;量子点的溶剂可以是:正己烷,环己烷,氯仿,四氢呋喃,甲苯;高分子可以是聚苯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚四氟乙烯、壳聚糖、聚丙烯腈、聚胺酯、天然橡胶、芳香聚酯、聚硅氧烷、聚甲醛、聚乙醛、聚酰胺、聚碳酸酯、乙基纤维素、胶原、白蛋白、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、多肽的一种。
本发明制备的CdSeTe/CdS核壳型及CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的晶体结构均为立方闪锌矿结构,尺寸分布<10%,CdSeTe/CdS核壳型量子点的荧光发射峰的范围为630-870nm,荧光发射峰的半高宽为30-50nm,荧光量子产率为30%-80%。CdSeTe/CdS核壳型量子点的荧光发射峰的范围为650-890nm,荧光发射峰的半高宽为30-50nm,荧光量子产率为50%-85%。本发明方法所需的反应温度相对较低,操作简单,制备成本低廉,适合于工业生产。本发明可通过控制不同的反应温度,反应前体浓度,反应时间等参数来获得发射波长位于红光-近红外波段,荧光性能更优异,稳定性更强的CdSeTe/CdS核壳型及CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点。
附图说明
图1为实施例1中作为核心的CdSeTe量子点,以及制得的CdSeTe/CdS核壳型及CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的紫外-可见吸收光谱和荧光光谱示意图。
图2为实施例2中作为核心的CdSeTe量子点,以及制得的CdSeTe/CdS核壳型及CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的紫外-可见吸收光谱和荧光光谱示意图。
图3为实施例3中作为核心的CdSeTe量子点,以及制得的CdSeTe/CdS核壳型及CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的紫外-可见吸收光谱和荧光光谱示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的实施例作详细说明:本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施,给出了详细的实施方式和过程,但本发明的保护范围不限于下述的实施例。
本发明首先选镉的无机盐作为包壳用Cd前体,(TMS)2S作为包壳用S前体,形成CdS壳前体储备溶液,将CdS壳前体储备溶液与CdSeTe量子点溶液反应,获得CdSeTe/CdS量子点溶液,选用锌的无机盐作为包壳用Zn前体,(TMS)2S作为包壳用S前体,形成ZnS壳前体储备溶液,将ZnS壳前体储备溶液与CdSeTe/CdS量子点溶液反应,获得CdSeTe/CdS/ZnS量子点溶液。最后将获得的量子点溶液纯化后,得到分散在溶剂中的CdSeTe/CdS核壳型及CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点。
实施例1
(a)CdS壳前体储备溶液的制备
将0.1066克乙酸镉和0.082毫升(TMS)2S溶解在2毫升TOP和6毫升液体石蜡的混合溶液中,超声振荡后,形成Cd前体的浓度为50毫摩尔/升,S前体的浓度为50毫摩尔/升的CdS壳前体储备溶液。
(b)CdSeTe/CdS量子点溶液的制备
将CdSeTe量子点溶解在40mL液体石蜡中,得到摩尔浓度为8.33毫摩尔/升的CdSeTe量子点溶液,并加热到100℃,然后将CdS壳前体溶液逐滴滴入,完毕后将溶液的温度降到60℃保温30分钟后,将溶液冷却到室温,得到CdSeTe/CdS量子点溶液。
(c)ZnS壳前体储备溶液的制备
将0.0878克乙酸锌和0.082毫升(TMS)2S溶解在2毫升TOP和6毫升液体石蜡的混合溶液中,超声振荡后,形成Zn前体的浓度为100毫摩尔/升,S前体的浓度为100毫摩尔/升的ZnS壳前体储备溶液。
(d)CdSeTe/CdS/ZnS量子点溶液的制备
将CdSeTe/CdS核壳型量子点溶液加热到100℃,将ZnS壳前体溶液逐滴滴加入,完毕后将溶液的温度降到60℃保温30分钟后,将溶液冷却到室温,得到CdSeTe/CdS/ZnS量子点溶液。
(e)量子点的纯化
将上述获得的量子点溶液加入甲醇,静置使量子点形成絮状沉淀,离心,去掉上层清液后将流体状量子点沉淀溶解在氯仿中,再次离心后去掉下层沉淀,得到均匀分散在氯仿中的CdSeTe、CdSeTe/CdS核壳型及CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点。
如图1所示,作为核心的CdSeTe量子点的荧光发射波长为600nm,荧光峰的半峰宽为36nm,荧光量子产率为45%,表面包覆CdS后形成的CdSeS/CdS核壳型量子点的荧光发射波长为610nm,荧光峰的半峰宽为36nm,荧光量子产率增大到70%;包覆ZnS后形成的CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的荧光发射波长为36nm,荧光峰的半峰宽为36nm,荧光量子产率增大到80%。
实施例2
(a)CdS壳前体储备溶液的制备
将0.2036克草酸镉和0.164毫升(TMS)2S溶解在2毫升TBP和6毫升液体石蜡的混合溶液中,超声振荡后,形成Cd前体的浓度为100毫摩尔/升,S前体的浓度为100毫摩尔/升的CdS壳前体储备溶液。
(b)CdSeTe/CdS量子点溶液的制备
将CdSeTe量子点溶解在40mL液体石蜡中,得到摩尔浓度为16.66毫摩尔/升的CdSeTe量子点溶液,并加热到140℃,然后将CdS壳前体溶液逐滴滴入,完毕将溶液的温度降到100℃保温45分钟后,将溶液冷却到室温,得到CdSeTe/CdS量子点溶液。
(c)ZnS壳前体储备溶液的制备
将0.1515克草酸锌和0.164毫升(TMS)2S溶解在2毫升TBP和6毫升液体石蜡的混合溶液中,超声振荡后,形成Zn前体的浓度为100毫摩尔/升,S前体的浓度为100毫摩尔/升的ZnS壳前体储备溶液。
(d)CdSeTe/CdS/ZnS量子点溶液的制备
将CdSeTe/CdS量子点溶液加热到140℃,然后将ZnS壳前体储备溶液逐滴加入,最后将溶液的温度降到100℃保温45分钟后,将溶液冷却到室温,得到CdSeTe/CdS/ZnS量子点溶液。
(e)量子点的纯化
将上述获得的量子点溶液加入丙酮,静置使量子点形成絮状沉淀,离心,去掉上层清液后将流体状量子点沉淀溶解在甲苯中,再次离心后去掉下层沉淀,得到均匀分散在甲苯中的CdSeTe、CdSeTe/CdS核壳型及CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点。
如图2所示,作为核心的CdSeTe量子点的荧光发射波长为720nm,荧光峰的半峰宽为34nm,荧光量子产率为61%,表面包覆CdS后形成的CdSeS/CdS核壳型量子点的荧光发射波长为732nm,荧光峰的半峰宽为34nm,荧光量子产率增大到75%;进一步包覆ZnS后形成的CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的荧光发射波长为745nm,荧光峰的半峰宽为34nm,荧光量子产率增大到85%。
实施例3
(a)CdS壳前体储备溶液的制备
将0.5427克硬脂酸镉和0.328毫升(TMS)2S溶解在2毫升TPP和6毫升液体石蜡的混合溶液中,超声振荡后,形成Cd前体的浓度为200毫摩尔/升,S前体的浓度为200毫摩尔/升的CdS壳前体储备溶液。
(b)CdSeTe/CdS量子点溶液的制备
将CdSeTe量子点溶解在40毫升液体石蜡中,得到摩尔浓度为33.33毫摩尔/升的CdSeTe量子点溶液,并加热到180℃,然后将CdS壳前体溶液逐滴加入,最后将溶液的温度降到120℃保温60分钟后,将溶液冷却到室温,得到CdSeTe/CdS量子点溶液。
(c)ZnS壳前体储备溶液的制备
将1.012克硬脂酸锌和0.328毫升(TMS)2S溶解在2毫升TPP和6毫升液体石蜡的混合溶液中,超声振荡后,形成Zn前体的浓度为200毫摩尔/升,S前体的浓度为200毫摩尔/升的ZnS壳前体储备溶液。
(d)CdSeTe/CdS/ZnS量子点溶液的制备
将CdSeTe/CdS量子点溶液加热到180℃,然后将ZnS壳前体储备溶液逐滴加入,最后将溶液的温度降到120℃保温60分钟后,将溶液冷却到室温,得到CdSeTe/CdS/ZnS量子点溶液。
(e)量子点的纯化
将上述获得的量子点溶液加入乙醇,静置使量子点形成絮状沉淀,离心,去掉上层清液后将流体状量子点沉淀溶解在正己烷中,再次离心后去掉下层沉淀,得到均匀分散在正己烷中的CdSeTe、CdSeTe/CdS核壳型及CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点。
如图3所示,作为核心的CdSeTe量子点的荧光发射波长为850nm,荧光峰的半峰宽为44nm,荧光量子产率为20%,表面包覆CdS后形成的CdSeS/CdS核壳型量子点的荧光发射波长为870nm,荧光峰的半峰宽为44nm,荧光量子产率增大到38%;进一步包覆ZnS后形成的CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的荧光发射波长为890nm,荧光峰的半峰宽为46nm,荧光量子产率增大到45%。
Claims (10)
1、一种CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
第一步,将镉的无机盐和(TMS)2S溶解在膦化合物和液体石蜡的混合溶液中,超声振荡后,形成CdS壳前体储备溶液;Cd前体的摩尔浓度为50-200毫摩尔/升,S前体的摩尔浓度为50-200毫摩尔/升;
第二步,将CdSeTe量子点加入到液体石蜡中,使CdSeTe量子点的摩尔浓度为8.33-16.67毫摩尔/升,形成CdSeTe量子点溶液;
第三步,将CdSeTe量子点溶液加热到100℃-180℃,然后将CdS壳前体溶液逐滴加入,完毕后将反应溶液的温度降到60℃-120℃保温,然后将溶液冷却到室温,得到CdSeTe/CdS量子点溶液;
第四步,将锌的无机盐和(TMS)2S溶解在膦化合物和液体石蜡的混合溶液中,超声振荡后,形成ZnS壳前体储备溶液;Zn前体的摩尔浓度为50-200亳摩尔/升,S前体的摩尔浓度为50-200毫摩尔/升;
第五步,将CdSeTe/CdS量子点溶液加热到100℃-180℃,然后将ZnS壳前体储备溶液逐滴加入,完毕后将反应溶液的温度降到60℃-120℃保温,然后将溶液冷却到室温,得到CdSeTe/CdS/ZnS量子点溶液;
第六步,将上述获得的量子点溶液加入沉淀剂,静置使量子点形成絮状沉淀,离心,去掉上层清液后将流体状量子点沉淀溶解在溶剂中,再次离心后去掉下层沉淀,得到均匀分散在溶剂中的CdSeTe/CdS核壳型及CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点。
2、根据权利要求1所述的CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的制备方法,其特征是,第一步中,膦化合物和液体石蜡的体积比为1∶3,膦化合物是三正辛基膦、三正丁基膦、三本基膦或十四烷基磷酸。
3、根据权利要求1所述的CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的制备方法,其特征是,第三步中,保温30-60分钟。
4、根据权利要求1所述的CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的制备方法,其特征是,第四步中,膦化合物和液体石蜡的体积比为1∶3,膦化合物是三正辛基膦、三正丁基膦、三本基膦或十四烷基磷酸。
5、根据权利要求1或4所述的CdSeTe/CdS核壳型及CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的制备方法,其特征是,第四步中,保温30-60分钟。
6、根据权利要求1所述的CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的制备方法,其特征是,所述的CdSeTe/CdS核壳型量子点的荧光发射峰的范围为630-870nm,荧光发射峰的半高宽为30-50nm,荧光量子产率为30%-80%。
7、根据权利要求1所述的CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的制备方法,其特征是,所述的CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的荧光发射峰的范围为650-890nm,荧光发射峰的半高宽为30-50nm,荧光量子产率为50%-85%。
8、根据权利要求1所述的CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的制备方法,其特征是,所述的镉的无机盐是乙酸镉、草酸镉或硬脂酸镉。
9、根据权利要求1所述的CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的制备方法,其特征是,所述的锌的无机盐是硬脂酸锌、乙酸锌或草酸锌。
10、根据权利要求1所述的CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的制备方法,其特征是,第六步中,量子点的沉淀剂是甲醇、乙醇、丙醇或丙酮,量子点的溶剂是正己烷、环己烷、氯仿、四氢呋喃或甲苯。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNA2008100404599A CN101319140A (zh) | 2008-07-10 | 2008-07-10 | CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNA2008100404599A CN101319140A (zh) | 2008-07-10 | 2008-07-10 | CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101319140A true CN101319140A (zh) | 2008-12-10 |
Family
ID=40179419
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNA2008100404599A Pending CN101319140A (zh) | 2008-07-10 | 2008-07-10 | CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101319140A (zh) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102530891A (zh) * | 2011-03-02 | 2012-07-04 | 北京师范大学 | 一种液相非催化法制备CdTe纳米线及CdTe基核壳型纳米线 |
CN103013520A (zh) * | 2012-10-25 | 2013-04-03 | 深圳先进技术研究院 | 水溶性近红外量子点,其制备方法及应用 |
CN105542749A (zh) * | 2015-12-28 | 2016-05-04 | Tcl集团股份有限公司 | 一种在低温下混合壳源前驱物的长壳方法及量子点 |
CN105754602A (zh) * | 2015-05-19 | 2016-07-13 | 刘海鹏 | 一种保护量子点的提纯方法 |
CN106024999A (zh) * | 2016-05-27 | 2016-10-12 | 南京理工大学 | 一种提高钙钛矿led发光效率的量子点表面纯化法 |
CN107425106A (zh) * | 2017-08-21 | 2017-12-01 | 苏州轻光材料科技有限公司 | 一种量子点组合紫外激发白光led发光装置 |
CN110858632A (zh) * | 2018-08-23 | 2020-03-03 | 三星电子株式会社 | 量子点器件和量子点 |
-
2008
- 2008-07-10 CN CNA2008100404599A patent/CN101319140A/zh active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102530891A (zh) * | 2011-03-02 | 2012-07-04 | 北京师范大学 | 一种液相非催化法制备CdTe纳米线及CdTe基核壳型纳米线 |
CN102530891B (zh) * | 2011-03-02 | 2014-02-05 | 北京师范大学 | 一种液相非催化法制备CdTe纳米线及CdTe基核壳型纳米线 |
CN103013520A (zh) * | 2012-10-25 | 2013-04-03 | 深圳先进技术研究院 | 水溶性近红外量子点,其制备方法及应用 |
CN103013520B (zh) * | 2012-10-25 | 2014-06-18 | 深圳先进技术研究院 | 水溶性近红外量子点,其制备方法及应用 |
CN105754602A (zh) * | 2015-05-19 | 2016-07-13 | 刘海鹏 | 一种保护量子点的提纯方法 |
CN105542749A (zh) * | 2015-12-28 | 2016-05-04 | Tcl集团股份有限公司 | 一种在低温下混合壳源前驱物的长壳方法及量子点 |
CN106024999A (zh) * | 2016-05-27 | 2016-10-12 | 南京理工大学 | 一种提高钙钛矿led发光效率的量子点表面纯化法 |
CN107425106A (zh) * | 2017-08-21 | 2017-12-01 | 苏州轻光材料科技有限公司 | 一种量子点组合紫外激发白光led发光装置 |
CN107425106B (zh) * | 2017-08-21 | 2019-07-19 | 苏州轻光材料科技有限公司 | 一种量子点组合紫外激发白光led发光装置 |
CN110858632A (zh) * | 2018-08-23 | 2020-03-03 | 三星电子株式会社 | 量子点器件和量子点 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101319140A (zh) | CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的制备方法 | |
Liu et al. | Advances in carbon dots: from the perspective of traditional quantum dots | |
Tao et al. | The polymeric characteristics and photoluminescence mechanism in polymer carbon dots: A review | |
Zhu et al. | Plant leaf-derived fluorescent carbon dots for sensing, patterning and coding | |
Shi et al. | Facile and eco-friendly synthesis of green fluorescent carbon nanodots for applications in bioimaging, patterning and staining | |
CN105236383B (zh) | 波长可调的碳量子点及其制备方法和应用 | |
Zhang et al. | End-group effects of piezofluorochromic aggregation-induced enhanced emission compounds containing distyrylanthracene | |
CN106995699A (zh) | 大量合成波长可调的荧光碳点的方法及该方法制备的碳量子点 | |
CN101245126A (zh) | 一种氧化锌-聚合物核壳型发光纳米粒子及其制备方法 | |
CN104694117A (zh) | 一种基于碳点的比率型荧光探针及其制备和应用 | |
CN102165031A (zh) | 含发光稀土金属纳米团簇和天线配体的有机-无机络合物,发光制品,和制备发光组合物的方法 | |
CN101319139A (zh) | CdSeS及CdSeS/ZnS核壳型量子点的制备方法 | |
Yang et al. | A review on sustainable synthetic approaches toward photoluminescent quantum dots | |
CN110129054B (zh) | 核壳量子点及其制备方法、量子点光电器件 | |
CN112725899B (zh) | 一种具备光波导性质的0维锑化物单晶的制备方法 | |
Pan et al. | Carbon dots originated from methyl red with molecular state and surface state controlled emissions for sensing and imaging | |
CN101585516A (zh) | 一种CdSe和CdSe-ZnSe核壳量子点的制备方法 | |
CN101565611A (zh) | 一种Mg2+掺杂的氧化锌发光纳米粒子及其制备方法 | |
CN100352886C (zh) | CdSe量子点的制备方法 | |
CN110156962A (zh) | 一种具有聚集诱导发光特性的高分子和其共价修饰碳纳米管及制备方法 | |
CN115417846B (zh) | 一种基于香豆素的双态高荧光材料及其合成方法和应用 | |
CN100509625C (zh) | 径向密排硅酸锌纳米线构成的复合空心球及其制备方法 | |
CN107603608B (zh) | 一种以绞股蓝为碳源制备荧光碳点的方法 | |
CN101235187A (zh) | 一种磁性荧光纳米复合材料、其制备方法及应用 | |
CN110776905B (zh) | 基于双亲性硅载体的量子点荧光纳米球及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20081210 |