CN101296304B - 固态成像装置、其信号处理方法和成像设备 - Google Patents
固态成像装置、其信号处理方法和成像设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101296304B CN101296304B CN2008100954283A CN200810095428A CN101296304B CN 101296304 B CN101296304 B CN 101296304B CN 2008100954283 A CN2008100954283 A CN 2008100954283A CN 200810095428 A CN200810095428 A CN 200810095428A CN 101296304 B CN101296304 B CN 101296304B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- signal
- unit
- conversion
- output
- pixel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 230
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 45
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 23
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 11
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 81
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 49
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 35
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 34
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 26
- 230000006870 function Effects 0.000 description 22
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 7
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000013139 quantization Methods 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 244000287680 Garcinia dulcis Species 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000011022 operating instruction Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
- H04N25/46—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by combining or binning pixels
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/57—Control of the dynamic range
- H04N25/58—Control of the dynamic range involving two or more exposures
- H04N25/581—Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired simultaneously
- H04N25/583—Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired simultaneously with different integration times
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/616—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise involving a correlated sampling function, e.g. correlated double sampling [CDS] or triple sampling
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/618—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise for random or high-frequency noise
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/778—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising amplifiers shared between a plurality of pixels, i.e. at least one part of the amplifier must be on the sensor array itself
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
在此公开了固态成像装置、其信号处理方法和成像设备。所述固态成像装置包括像素阵列单元,通过将单元像素以矩阵形式排列而构成,每一个所述单元像素包括被配置为将光信号转换为信号电荷的光电转换单元、被配置为传送在所述光电转换单元中通过光电转换而获得的信号电荷的传送元件以及被配置为输出由所述传送元件传送的信号电荷的输出部件;驱动部件,被配置为读出在所述光电转换单元中在一个单元的累积时间段期间累计的、通过所述输出部分由所述传送元件至少以两批传送的信号电荷;以及模数转换部件,被配置为使用不同的转换精度对以多批从所述单元像素读出的多个输出信号执行模数转换。
Description
相关申请的交叉引用
本发明包含涉及于2007年4月23日向日本专利局提交的日本专利申请JP 2007-112651的主题,将其全部内容通过引用的方式合并在此。
技术领域
本发明涉及固态成像装置、其信号处理方法和成像设备。
背景技术
图31示出了固态成像装置的单元像素100的配置的示例。关于该示例,在具有用于传送在光电转换元件101中通过光电转换获得的信号电荷的传送晶体管的单元像素100中,使能够传送到单元像素的浮置扩散电容器(floating diffusion capacitor,FD)106的累积电荷的最大量Qfd.max充分大于作为光接收单元的光电转换元件101中的累积电荷的最大量Qpd.max。结果,通过在光电转换元件101中去除残余电荷,实现信号电荷从光电转换元件101到浮置扩散电容器106的完全传送。
对于以上述方式在光电转换元件101中通过光电转换获得的信号电荷实现了完全传送,这使得可以防止在拍摄图像阶段的残余图像并且可以实现在入射光的亮度和传感器输出信号之间的满意线性度。关于这一点,该实施例的单元像素100除了传送晶体管102之外还包括复位晶体管103、放大晶体管104和像素选择晶体管105。
然而,图31中所示的单元像素100包含以下问题。
(1)由于累积电荷的最大量Qfd.max必须大于光电转换元件101中的累积电荷的最大量Qpd.max,所以存在用于提高电荷到电压转换效率的浮置扩散电容器106的电容减小的局限。
(2)由于与上述相同的理由,用作用于浮置扩散电容器106的复位电压的电源电压Vdd的减小导致在浮置扩散电容器106中累积电荷的最大量Qfd.max的减小,存在降低电源电压Vdd的局限。
然后,迄今为止,上述问题(1)和(2)以以下方式解决。也就是说,当由于用于提高电荷到电压转换效率的浮置扩散电容器106的电容的减小而使得累积电荷的最大量Qfd.max更小时,或者当由于降低复位电压(电源电压)Vdd而使得累积电荷的最大量Qfd.max更小时,在执行电荷传送、信号读和浮置扩散电容器106的复位之后,由于超出传送晶体管102可以传送的电荷而剩在光电转换元件101中的电荷被再次传送以便读出信号。结果,以多批次读出光电转换元件101中累积的所有电荷。例如,这项技术在日本专利公开No.2001-177775中描述。
发明内容
然而,当如上述现有技术中的那样,通过光电转换在光电转换元件101中在累积时间段期间累积的电荷基于分段传送基础(分段传送(partitiontransfer))而传送,然后对于与由此传送的电荷相对应的模拟信号执行模数转换时,必须根据在分段传送基础中分段的数目执行多次模数转换处理。结果,难于加速模数转换处理,并且功耗也增大。
根据前述,因此需要提供使用当所有累积电荷不能在一次读出操作中读出时用于以多批传送所有累积电荷并且基于分段传送基础输出信号电荷的配置、能够加速模数转换处理并且减小功耗的固态成像装置、用于所述固态成像装置的信号处理方法以及成像设备。
为了达到上述目标,根据本发明的实施例,提供固态成像装置,包括:
像素阵列单元,通过将单元像素以矩阵形式排列而构成,每一个所述单元像素包括被配置为将光信号转换为信号电荷的光电转换单元、被配置为传送在所述光电转换单元中通过光电转换而获得的信号电荷的传送元件以及被配置为输出由所述传送元件传送的信号电荷的输出部件;
驱动部件,被配置为读出在所述光电转换单元中在一个单元的累积时间段期间累积的、通过所述输出部件由所述传送元件以多批传送的信号电荷作为多个输出信号;以及
模数转换部件,被配置为使用不同的转换精度对以多批从所述单元像素读出的多个输出信号执行模数转换,其中在入射光的强度低的情况下,所述模数转换部件以比用于在不引起由所述传送元件的电荷传送时从所述单元像素输出的输出信号的转换精度高的用于在引起由所述传送元件的电荷传送时 从所述单元像素输出的输出信号的转换精度执行模数转换。
根据本发明的另一个实施例,提供了用于固态成像装置的信号处理方法,包括:
像素阵列单元,通过将单元像素以矩阵形式排列而构成,每一个所述单元像素包括被配置为将光信号转换为信号电荷的光电转换单元、被配置为传送在所述光电转换单元中通过光电转换而获得的信号电荷的传送元件以及被配置为输出由所述传送元件传送的信号电荷的输出部件;以及
驱动部件,被配置为读出在所述光电转换单元中在一个单元的累积时间段期间累积的、通过所述输出部件由所述传送元件以多批传送的信号电荷作为多个输出信号;
其中所述固态成像装置使用不同的转换精度对以多批从所述单元像素读出的多个输出信号执行模数转换,并且在入射光的强度低的情况下,所述固态成像装置以比用于在不引起由所述传送元件的电荷传送时从所述单元像素输出的输出信号的转换精度高的用于在引起由所述传送元件的电荷传送时从所述单元像素输出的输出信号的转换精度执行模数转换。
根据本发明的再一个实施例,提供了成像设备,包括:
固态成像装置,通过将单元像素以矩阵排列而组成,每一个所述单元像素包括被配置为将光信号转换为信号电荷的光电转换单元、被配置为传送在所述光电转换单元中通过光电转换而获得的信号电荷的传送元件以及被配置为输出由所述传送元件传送的信号电荷的输出部件;以及
光学系统,用于将入射光聚焦到所述固态成像装置的成像区域上,
其中所述固态成像装置包括:
驱动部件,被配置为读出在所述光电转换单元中在一个单元的累积时间段期间累积的、通过所述输出部件由所述传送元件以多批传送的信号电荷作为多个输出信号;以及
模数转换部件,被配置为使用不同的转换精度对以多批从所述单元像素读出的多个输出信号执行模数转换,其中在入射光的强度低的情况下,所述模数转换部件以比用于在不引起由所述传送元件的电荷传送时从所述单元像素输出的输出信号的转换精度高的用于在引起由所述传送元件的电荷传送时从所述单元像素输出的输出信号的转换精度执行模数转换。
根据本发明,当基于分段传送基础来传送不能在一次读出操作中读出的 累积电荷时,使用不同的转换精度对从单元像素读出的多个输出信号执行模数转换。结果,可以实现模数转换处理的加速和功耗的减小。
附图说明
图1是示出根据本发明的第一实施例的CMOS图像传感器的系统配置图;
图2是示出图1中所示的单元像素的电路配置的示例的电路图;
图3是示出图1中所示的单元像素的电路配置的另一示例的电路图;
图4是示出图1中所示的单元像素的电路配置的再一示例的电路图;
图5是示出当基于四分段(quadri-partition)基础执行分段传送时复位脉冲RST和传送脉冲TRG之间的定时关系的定时图;
图6是解释当在四分段传送中入射光亮度高时的操作的能量图;
图7是解释当在四分段传送中入射光亮度低时的操作的能量图;
图8是示出图1中所示的信号处理电路的配置的示例的框图;
图9是示出图1中所示的信号处理电路的配置的另一示例的框图;
图10是示出图9中所示的具有噪声去除功能和加法功能的A/D转换单元的具体配置的示例的框图;
图11是示出使用相同的转换精度执行的A/D转换处理的操作定时的定时图;
图12是示出使用不同的转换精度执行的A/D转换处理的操作定时的定时图;
图13是示出当将累积电荷的最大量设置为10,000电子时入射光强度和读出信号的噪声级之间关系的特性图;
图14是示出根据本发明的第二实施例的CMOS图像传感器的系统配置图;
图15是示出图14中所示的列电路的配置的示例的框图;
图16是示出图14中所示的列电路的配置的另一示例的框图;
图17是示出根据本发明的第三实施例的CMOS图像传感器的系统配置图;
图18是示出图17中所示的供应电压控制电路的电路配置的示例的电路图;
图19是示出在供应电压控制电路中输入操作和输出操作之间的定时关系的定时图;
图20是示出在三分段传送的情况下驱动定时示例的定时图;
图21是解释在三分段传送的情况下的操作的能量图;
图22是示出作为在TRG驱动电压和在光电转换元件中保持的电荷数之间关系的示例的实验结果的图;
图23是示出在n分段传送的情况下驱动定时示例的定时图;
图24A和24B每一个分别是示出光电转换单元可以处理的累积电荷的最大量Qpd.max和相应分段传送操作中的最大值Qfd.max之间的关系的图;
图25是解释当在三分段传送期间使用不同转换精度执行A/D转换时的处理的图;
图26是示出信号电平和噪声电平之间关系的特性图,其中信号电平和噪 声电平中的每一个均与入射光亮度成比例;
图27是示出设置不同的A/D转换精度的具体示例的说明图;
图28是示出修改1的单元像素的像素电路的电路图;
图29是示出修改2的单元像素的像素电路的电路图;
图30是示出根据本发明的实施例的成像设备的配置的框图;以及
图31是示出现有技术中单元像素的配置的示例的电路图。
具体实施方式
在下文中,参照附图将详细地描述本发明的优选实施例。
[第一实施例]
图1是示出根据本发明的第一实施例的固态成像装置(例如CMOS图像传感器)的配置的系统配置图。
如图1所示,该实施例的CMOS图像传感器10A包括像素阵列单元11及其外围电路。在这种情况下,配置像素阵列单元11,使得每一个均包括光电转换元件的单元像素(下文中在一些情况下简单称为“像素”)20以矩阵形式二维地排列。例如,提供垂直扫描电路12、水平扫描电路13、列信号选择电路14、信号处理电路15等作为像素阵列单元11的外围电路。
对于像素阵列单元11中的像素20的矩阵排列,垂直信号线111是按每一个像素列布线,并且驱动控制线,例如传送控制线112、复位控制线113和选择控制线114按每一个像素行布线。
将恒流源16分别连接到垂直信号线111的一端。可以使用用于电流偏置的晶体管(例如其栅极由偏置电压Vbias偏置)而不是使用恒流源16。在这种情况下,用于电流偏置的晶体管与将在后面描述的放大晶体管24一起配置电源跟随器电路(source follower circuit)(参照图2)。
垂直扫描电路12由移位寄存器、地址译码器等组成。另外,当关于电子快门(shutter)行和读出行中的每一个、以行为单元垂直地扫描像素阵列单元11的像素20时,垂直扫描电路12执行用于从属于电子快门行的像素20的对应一个中扫除信号的电子快门操作,并且执行用于从属于读出行的像素的对应一个读出信号的操作。
尽管在此省略了图示,但是垂直扫描电路12包括读出扫描系统和电子快门扫描系统。在这种情况下,读出扫描系统在以行为单元连续地选择像素20 的同时执行用于从属于读出行的像素20读出信号的读出操作。此外,在由读出扫描系统执行读出扫描的与快门速度相对应的时间段之前,电子快门扫描系统对于相同行执行电子快门操作。
此外,从第一定时到第二定时的时间段变为用于每一个像素20中的信号电荷的一个单元的累积时间段(曝光时间段)。这里,在第一定时中,通过电子快门扫描系统的快门扫描来复位光电转换单元中的不必要的电荷。此外,在第二定时,通过读出扫描系统的读出扫描来分别从像素读出信号。也就是说,电子快门操作意味着用于复位(扫除)在光电转换单元中累积的信号电荷,并在信号电荷的复位完成之后开始重新累积信号电荷的操作。
水平扫描电路13由移位寄存器、地址译码器等组成。水平扫描电路13顺次水平扫描像素阵列单元11的像素列。列信号选择电路14由水平选择开关、水平信号线等组成。列信号选择电路14与水平扫描电路13进行的水平扫描操作同步地连续分别输出各个像素20的信号,所述像素20的信号通过与像素行相对应的垂直信号线111从像素阵列单元11输出。
信号处理单元15对于以像素为单元从列信号选择电路14输出的像素20的信号执行诸如噪声去除处理、模数(A/D)转换处理和相加处理之类的各种信号处理。该实施例特征在于信号处理电路15的配置和操作。稍后将描述该实施例的特征的细节。
需要注意,从定时控制电路(未示出)产生定时信号和控制信号,所述定时信号和控制信号的每一个均成为用于垂直扫描电路12、水平扫描电路13、信号处理电路15等的操作的基准。
(像素电路)
图2是示出单元像素20的电路配置的示例的电路图。将该示例的单元像素20配置为除了诸如嵌入式(buried)光电二极管之类的光电转换元件(光电转换单元)21之外,还包括四个晶体管,例如传送晶体管(传送元件)22、复位晶体管23、放大晶体管24和选择晶体管25,的像素电路。在这种情况下,例如,尽管将N沟道MOS晶体管用作四个晶体管22到25,但是本发明决不限于这种配置。
传送晶体管22连接在光电转换元件21的阴极电极与浮置扩散电容器(FD)26之间。传送晶体管22通过将传送脉冲TRG提供到其栅极电极(控制电极)来将通过光电转换已经累积在光电转换元件21中的信号电荷(在这 种情况下为电子)传送到浮置扩散电容器26。由此,浮置扩散电容器26作为用于将信号电荷转换成电压信号的电荷到电压转换单元。
复位晶体管23的漏极电极连接到用于提供电源电压Vdd的像素电源,并且其源极电极连接到与浮置扩散电容器的接地端相对的浮置扩散电容器的一端。在将信号电荷从光电转换元件21传送到浮置扩散电容器26之前,复位晶体管23根据提供到其栅极电极的复位脉冲RST,将浮置扩散电容器26的电势复位到复位电压Vrst。
放大晶体管24的栅极电极连接到浮置扩散电容器26的一端,并且其漏极电极连接到用于提供电源电压Vdd的像素电源。放大晶体管24以具有复位电平的信号的形式输出被复位晶体管23复位之后的输出浮置扩散电容器26的电势,并以具有信号电平的信号的形式输出由传送晶体管22将信号电荷传送到浮置扩散电容器26之后的浮置扩散电容器26的电势。
例如,将选择晶体管25的漏极电极连接到放大晶体管24的源极电极,并且将其源极电极连接到垂直信号线111。选择晶体管25根据施加到其栅极电极的选择脉冲SEL而导通,以便将像素20设置在选择状态下,由此将从放大晶体管24输出的信号输出到垂直信号线111。选择晶体管25也可以采用连接在像素电源(Vdd)和放大晶体管24的漏极电极之间的配置。
注意,尽管在此已经给出了将本发明的实施例应用到包括具有四个晶体管配置,即包括传送晶体管22、复位晶体管23、放大晶体管24和选择晶体管25的单元像素20的CMOS图像传感器的情况作为示例,但是本发明决不受限于该应用示例。
具体地说,本发明也可以应用到包括具有三个晶体管配置(在图3中示出)的单元像素20’的CMOS图像传感器,省略图2中所示的选择晶体管25,并且使电源电压SELVdd可变,由此将选择晶体管25的功能赋予放大晶体管24,在多个像素之中共享具有图4中所示的配置的CMOS图像传感器、浮置扩散电容器FD和读出电路200,等等。
在具有上述配置的CMOS图像传感器10A中,用于驱动单元像素20的构成元件(传送晶体管22、复位晶体管23和选择晶体管25)的垂直扫描电路12构成了驱动部分。在这种情况下,由传送晶体管22将在光电转换元件21中在一个单元的累积时间段期间累积的信号电荷至少分段成两批(batch)。由此,驱动部分基于分段传送通过输出部分(由复位晶体管23、浮置扩散电 容器26、放大晶体管24和选择晶体管25组成)将信号电荷读出到垂直信号线111。
(分段传送)
具有上述配置的CMOS图像传感器10A执行用于至少以两批将在光电转换元件21中在一个单元的累积时间段期间累积的信号电荷传送到浮置扩散电容器26(基于分段传送),并在基于从垂直扫描电路12合适地输出的传送脉冲TRG、复位脉冲RST和选择脉冲SEL的驱动之下,以像素行为单元、通过放大晶体管24将通过光电转换元件21中的光电转换获得的信号电压输出到垂直信号线111。此外,基于分段传送从单元像素20读出的多个信号电压在接下来的级(stage)中在信号处理电路15中经历相加处理。
这里,图5示出了作为示例当基于四分段传送执行分段传送时,复位脉冲RST和传送脉冲TRG之间的定时关系。另外,图6示出解释当入射光的亮度高时的操作的能量图,而图7示出解释当入射光的亮度低时的操作的能量图。在图6和7中,操作(1)到(15)分别与图5中所示的时间段(1)到(15)相对应。
当以四批传送信号电荷时,具有在相应的电荷传送操作中读出的量Qfd1、Qfd2、Qfd 3和Qfd4的电荷彼此相加以获得具有量Qpd(Qfd1+Qfd2+Qfd3+Qfd4)的累积电荷。另外,在入射光的亮度高的像素中,光电转换元件21在其中累积大量电荷,如图6中所示,可以读出具有量Qpd的所有累积电荷,这是因为执行了四分段与相加(quadri-partition andaddition)。
(信号处理电路)
图8是示出了图1中所示的信号处理电路15的配置的示例的框图。在这种情况下,给出将在分段传送基础中分段的数目n设置为例如3(n=3)的情况作为示例。
如图8所示,该示例的信号处理电路15包括噪声去除单元151、A/D转换单元152、信号选择单元153、信号保持单元154以及相加单元155。
例如,噪声去除单元151包括相关双采样(correlated double sampling,CDS)电路。噪声去除单元151连续地获得复位电平和信号电平(所述复位电平和信号电平的相应信号从单元像素20连续地提供)之差,由此去除复位噪声和由于放大晶体管24的阈值中的扩散而引起的每个像素中固有的固定模 式噪声等。A/D转换单元152将由此提供到其的模拟输出信号通过A/D转换转换为数字信号。
信号选择单元153与第一次、第二次和第三次分段传送基础相对应地、连续地选择顺次从A/D转换单元152输出的数字信号之一,并指导信号保持单元154分别在其保持单元154-1、154-2和154-3中顺次保持由此选择的数字信号。相加单元155将分别在保持单元154-1、154-2和154-3中保持的第一次、第二次和第三次输出信号彼此相加。
在具有上述配置的信号处理电路15中,例如,将噪声去除单元151、A/D转换单元152、信号选择单元153、信号保持单元154和相加单元155彼此集成在与像素阵列单元11的半导体衬底相同的半导体衬底上。
然而,不是必需将所有噪声去除单元151、A/D转换单元152、信号选择单元153、信号保持单元154和相加单元155彼此集成在与像素阵列单元11的半导体衬底相同的半导体衬底上。也就是说,所有这些单元中的一些或其全部可以彼此集成在另一半导体衬底上。
注意,在以上情况中,已经示出了在A/D转换单元152的之前级的一侧布置噪声去除单元151的示例。然而,可以将噪声去除单元151布置在A/D转换单元152的之后级的一侧,使得在数字处理中执行A/D转换单元。或者,可以将A/D转换单元152赋予噪声去除功能,使得在执行A/D转换的同时执行噪声去除。
另外,如图9所示,具有噪声去除功能和相加功能的A/D转换单元152可以组成信号处理电路15,使得与A/D转换处理并行地执行噪声去除处理和相加处理。
图10是示出了具有噪声去除功能和相加功能的A/D转换单元156的具体配置的示例的框图。另外,该示例的A/D转换单元156包括电压比较器1561和计数器1562。
电压比较器1561在其反相(-)输入端接收具有斜坡(ramp)波形的基准信号Vref,并且在其非反相(+)端通过垂直信号线111接收从单元像素20提供的输出信号Vout。当输出信号Vout的电平高于基准信号Vref的电平时,电压比较器1561输出比较结果Vco。
计数器1562由升值/降值计数器组成。计数器1562在基于加/减控制信号的控制之下、与时钟CK同步地执行用于升值计数/降值计数的计数操作长 达电压比较器1561中的比较结果Vco改变所需的时间段,由此增大或减小计数值。
图11示出了具有斜坡波形的基准信号Vref、从电压比较器1561获得的比较结果Vco和在计数器1562中的计数值的波形。
在该示例中,对于基于三分段传送获得的输出信号,计数器1562中的计数值在用于读出具有复位电平的信号的第一次读出操作中减小,然后在用于读出具有信号电平的信号的第一次读出操作中减小。结果,获得了与复位电平和信号电平之差对应的计数值(噪声去除处理)。
以这种方式,与A/D转换处理同时执行噪声去除处理。另外,计数器1562中的计数值在用于读出具有复位电平的信号的第二次读出操作中减小,并且计数器1562中的计数值在用于读出具有信号电平的第二次读出操作中减小以便跟随第一次A/D转换处理。结果,可以将在第二次清楚处理结束之后的结果加到在第一次去除处理结束之后的结果上(相加处理)。
也就是说,对于基于三分段传送获得的输出信号,重复地执行用于获得与复位电平与信号电平之差对应的计数值,使得计数器1562中的计数值重复地增大或减小。结果,可以获得基于相应的分段传送通过相加在读出操作中复位电平和信号电平之差而获得的数字输出信号。
如以上显而易见的那样,可以将A/D转换单元156赋予信号保持单元153和相加单元155的功能。
信号处理电路15包括以上述方式具有噪声去除功能和相加功能的A/D转换单元156,这导致噪声去除单元151以及信号保持单元153的保持单元153-1、153-2和153-3变得不必要,并且不必要与用于分段传送基础的分段数n相对应地增大保持单元153-1、153-2和153-3的数目。结果,可以简化信号处理电路15的电路配置。
<A/D转换的问题>
这里,当在图11中所示的基于n分段的所有读出操作中使用相同的转换精度对于从单元像素20读出的输出信号执行A/D转换时,A/D转换的每一个执行时间和功耗与分段的数目n成比例地增大。
<使用不同转换精度的A/D转换>
为了应付这样的情况,在该实施例的CMOS图像传感器中,如图12中所示,对于第一次和第二次读出操作使用不同的转换精度执行A/D转换。具体 地说,使第二次读出操作中基准信号Vref的斜坡大于第一次读出操作中基准信号Vref的斜坡以便增大A/D转换中最小量的检测,即每一个计数的信号量,由此减小第二次A/D转换中的转换精度。
该示例的A/D转换单元156采用用于与A/D转换同时执行相加处理的配置。由于这个原因,对于使用同一加权因子而执行的相加处理,当在第二次读出操作中基准信号Vref的斜坡是第一次读出操作中基准信号Vref的斜坡的N倍时,每一个时钟(使其N倍于第一次计数操作中的时钟)使用其计数来执行第二次计数操作,由此引起第二次计数操作中的转换精度为第一次计数操作中的转换精度的1/N。
图13是示出当将在光电转换元件21中累积的电荷的最大量设置为10,000个电子时入射光(累积电荷)的强度与所读出的信号的噪声电平之间的关系的特性图。在这种情况下,读出操作中固定模式噪声与2e-对应,读出操作中随机噪声与7e-对应,并且与累积电荷对应的光散射噪声(optical shotnoise)被作为噪声分量而包含。
如图13所示,在具有较少累积电荷的低亮度区域中暗相(dark-phase)电平是主要的。然而,当入射光的强度增大并且累积电荷量因此增大时,光散射噪声变为主要的。由于这个原因,在其中设置到低亮度的、具有高转换精度的A/D转换的应用导致即使在其中设置到高亮度的、具有低转换精度的A/D转换的应用的情况下,例如,如图13所示,由于A/D转换中没有量化误差变为主要的,所以图像质量几乎不劣化。
在该示例中,在12位、10位和8位A/D转换中每1LSB的转换精度分别变为2.4e-、9.8e-和39.1e-。由此,当基于四分段传送累积电荷时,图13中所示的转换精度到基于四分段的相应四分段传送操作的应用导致取决于与1LSB相对应的电子数的量化误差大大地小于诸如光散射噪声之类的噪声分量。结果,这几乎不在图像质量上施加坏的影响。
在图10中例示的A/D转换单元156的情况中,由于取决于转换精度的等级(gradation)数与执行时间彼此成比例,所以图13中所示的转换精度到A/D转换的应用导致执行4次12位A/D转换(4,096等级×4)。另一方面,当使用12位(4,096个等级)、10位(1,024个等级)和8位(256个等级)执行A/D转换时,以2.6倍于以上A/D转换的速度的高速执行A/D转换。另外,计数器1562中消耗的功率也可以减小到以上情况中的大约1/2.6,这是 因为计数器1562中的改变数与等级数成比例。
(该实施例的效果)
如目前已经描述的那样,在当光电转换元件21中的所有累积电荷不能在一个读出操作中读出时基于分段执行电荷传送和信号输出的CMOS图像传感器10A中,在n分段传送基础中从单元像素20输出的输出信号经历不同转换精度的A/D转换以彼此相加。结果,可以缩短A/D转换的执行时间(转换速度)而不损害图像质量,并且可以减小在每一个A/D转换单元152和156中的功耗。
更具体地说,在该实施例的CMOS图像传感器中使用基于参照图5到图7所描述的分段传送的驱动方法,导致当在光电转换元件21中累积的电荷量较少时,可以在第一分段传送基础操作中读出所有累积的电荷。由此,如图13中所记录的那样,A/D转换的转换精度与读出顺序相对应地逐渐减小,由此实现A/D转换的加速以及功耗的减小。
[第二实施例]
图14是示出了根据本发明的第二实施例的固态成像装置(如CMOS图像传感器)的配置的系统配置图。在该图中,分别将相同的附图标记指定给等效于之前参照图1所描述的单元的单元。
如图14所示,该实施例的CMOS图像传感器10B除了包括像素阵列单元11、垂直扫描电路12、水平扫描电路13和列信号选择电路14之外,还包括列电路17,将其排列以便分别与像素阵列单元11的像素列相对应。除了上述配置之外的任意其他配置与第一实施例的CMOS图像传感器10A的配置基本相同。
多个列电路17对于分别通过垂直信号线111从像素阵列单元11以像素为单元输出的像素20的信号执行诸如噪声去除处理、A/D转换处理和相加处理之类的各种信号处理。该实施例特征在于每一个列电路17的配置和操作。
该实施例的CMOS图像传感器10B还使用基于参照图5到7描述的分段传送的驱动方法。在使用所述驱动方法的情况下,在第一个分段传送基础操作或几个分段传送基础操作中读出所有累积电荷。结果,当累积电荷量较少时,在第一分段传送基础操作中读出所有累积电荷。
(列电路)
图15是示出了列电路17的配置的示例的框图。在这种情况下,给出了 将分段传送基础的分段数n,例如设置为3(n=3)的情况作为示例。
如图15所示,该示例的列电路17包括噪声去除单元171、A/D转换单元172、信号选择单元173、信号保持单元174和相加单元175。由此,列电路17具有与图8所示的信号处理电路基本相同的配置。
例如,噪声去除单元171由CDS电路组成。噪声去除单元171连续地获得复位电平和信号电平(所述复位电平和信号电平的相应信号从单元像素20连续地提供)之差,由此去除复位噪声和由于放大晶体管24的阈值中的扩散而引起的每个像素中固有的固定模式噪声等。A/D转换单元172将由此提供到其的模拟输出信号通过A/D转换转换为数字信号。
信号选择单元173与第一次、第二次和第三次分段传送基础操作相对应地、连续地选择顺次从A/D转换单元172输出的数字信号之一,并指令信号保持单元174分别在其保持单元174-1、174-2和174-3中顺次保持由此选择的数字信号。相加单元175将分别在保持单元174-1、174-2和174-3中保持的第一次、第二次和第三次输出信号彼此相加。
注意,在以上情况下,已经示出了将噪声去除单元171布置在A/D转换单元172的之前级的一侧的示例。然而,可以将噪声去除单元171布置在A/D转换单元172的之后级的一侧,以便在数字处理中执行A/D转换。或者,可以将A/D转换单元172赋予噪声去除功能,以便在执行A/D转换的同时执行噪声去除。
另外,如图16所示,具有噪声去除功能和相加功能的A/D转换单元176可以组成信号处理电路15,以便与A/D转换处理并行地执行噪声去除处理和相加处理。具有噪声去除功能和相加功能的A/D转换单元176可以采用图10中所示的电路配置。
为了解决使用相同的转换精度执行A/D转换的情况中的上述问题,具有以上配置的列电路17特征在于与第一实施例(参照图12)的情况类似地、对于第一次和第二次读出操作使用不同的转换精度执行A/D转换。具体地说,使第二次读出操作中基准信号Vref的斜坡大于第一次读出操作中基准信号Vref的斜坡以便增大A/D转换中最小量的检测,即每一个计数的信号量,由此减小第二次A/D转换的转换精度。
(该实施例的效果)
如目前已经描述的那样,在当光电转换元件21中的所有累积电荷不能在 一个读出操作中读出时基于分段执行电荷传送和信号输出的CMOS图像传感器10A中,在n分段传送中从单元像素20输出的输出信号经历不同转换精度的A/D转换以彼此相加。结果,与第一实施例的情况类似,可以实现A/D转换的加速以及功耗的减小而不损害图像质量。
[第三实施例]
图17是示出了根据本发明的第三实施例的固态成像装置(如CMOS图像传感器)的配置的系统配置图。在该图中,分别将相同的附图标记指定给等效于之前参照图1所描述的单元的单元。
如图17所示,该实施例的CMOS图像传感器10C除了像素阵列单元11、垂直扫描电路12、水平扫描电路13和列信号选择电路14之外,还包括供应电压控制电路31、电压供应电路32和定时产生电路(TG)33。此外,CMOS图像传感器10C包括多个列电路34,将其排列成分别与像素阵列单元11的像素列相对应。除了上述配置之外的任意其他配置与第二实施例的CMOS图像传感器10B的配置基本相同。
多个列电路17对于分别通过垂直信号线111从像素阵列单元11以像素为单元输出的像素20的信号执行诸如噪声去除处理、A/D转换处理和相加处理之类的各种信号处理。该实施例特征在于每一个列电路17的配置和操作。将在后面详细描述该实施例的特征。
供应电压控制电路31控制在单元像素内施加到传送晶体管(传送元件)22的栅极电极(控制电极)的传送脉冲TRG的电压值(峰值)。将在后面描述该供应电压控制电路31的具体配置。
电压供应电路32向供应电压控制电路31提供具有不同电压值的多个控制电压。将多个控制电压作为具有不同电压值的传送脉冲TRG提供到传送晶体管22的栅极电极。将在后面描述具有不同电压值的传送脉冲TRG的细节。
定时产生电路(TG)33根据当电压供应电路32将具有不同电压值的多个传送脉冲TRG提供到传送晶体管22的栅极电极时确定定时来产生定时信号PTRG。
列电路34对于通过垂直信号线111从像素阵列单元11以像素为单元输出的像素20的信号执行诸如噪声去除处理、A/D转换处理和相加处理之类的各种信号处理。将在后面描述列电路34的具体配置和操作。
(供应电压控制电路)
供应电压控制电路31通过驱动扫描电路12以选择从电压供应电路32提供的多个电压之一,根据属于通过垂直扫描操作而选择的行的单元像素20来接收地址信号ADR作为其输入,由此提供电压从而将其选择为在单元像素20内到传送晶体管22的栅极电极的传送脉冲TRG。
将使传送晶体管22导通的ON电压Von、使传送晶体管22截止的OFF电压Voff以及在ON电压和OFF电压之间的中间电压Vmid作为来自电压供应电路32的多个电压而提供。这里,中间电压Vmid指的是这样一个电压,通过该电压,当在光电转换元件21中保持累积电荷的一部分时,可以将剩余的累积电荷部分地传送到浮置扩散电容器26。
在上述像素电路中,由于传送晶体管22是N沟道的,所以将ON电压设置为电源电压Vdd,并且将OFF电压Voff设置为接地电压,最好将OFF电压Voff设置为低于接地电压的电压。另外,在该实施例中,使用具有不同电压值的两个中间电压Vmid0和Vmid1作为中间电压Vmid。
结果,将四个电压,即ON电压Von、中间电压Vmid0和Vmid1以及OFF电压Voff,从电压供应电路32提供到供应电压控制电路31。四个电压示出了这样的关系:Voff<Vmid0<Vmid1<Von。此外,将四个电压的中间电压Vmid0和Vmid1以及ON电压Von的每一个用作传送脉冲TRG。
为了分别控制中间电压Vmid0和Vmid1以及ON电压Von从电压供应电路32提供的定时,将三个定时信号PTRG1、PTRG2和PTRG3从定时产生电路33提供到供应电压控制电路31。供应电压控制电路31基于定时信号PTRG1、PTRG2和PTRG3选择中间电压Vmid0和Vmid1和ON电压Von中之一并将所选择的一个作为中间电压Vmid提供到传送晶体管22的栅极电极。
图18是示出了供应电压控制电路31的电路配置的示例的电路图。如图18中所示,供应电压控制电路31包括分别与四个电压(即中间电压Vmid0和Vmid1、ON电压Von以及OFF电压Voff)相对应的四个电路块311到314以及3输入NOR电路315。
将地址信号ADR从垂直扫描电路12公共地提供到每一个电路块311到314。将定时信号PTRG1、PTRG2和PTRG3作为来自定时产生电路33的三个输入提供到NOR电路315。
电路块311包括用于接收其两个输入地址信号ADR和定时信号PTRG1的NAND电路3111、电平转移电路3112和信道驱动晶体管3113。电路块311选 择中间电压Vmid0并将由此被选择的中间电压Vmid0提供到传送晶体管22的栅极电极。
电路块312包括用于接收地址信号ADR和定时信号PTRG2作为其两个输入的NAND电路3121和P沟道驱动晶体管3122。电路块312选择中间电压Vmid1并将由此被选择的中间电压Vmid1提供到传送晶体管22的栅极电极。
电路块313包括用于接收其两个输入地址信号ADR和定时信号PTRG3的AND电路3131和N沟道驱动晶体管3132。电路块313选择ON电压Von并将由此被选择的ON电压Von提供到传送晶体管22的栅极电极。
电路块314包括用于接收地址信号ADR和来自NOR电路315的输出信号作为其两个输入的AND电路3141、用于在具有在那里设置的负逻辑的一个输入端接收地址信号ADR并且在另一输入端从AND电路3141接收输出信号的OR电路3142、电平转移电路3143和N沟道驱动晶体管3144。电路块314选择OFF电压Voff,并将由此被选择的OFF电压Voff提供到传送晶体管22的栅极电极。
为了提供低于接地电压的电压,例如-1.0V作为OFF电压Voff(传送晶体管22根据该电压而截止),电路块314采用用于专门基于NOR电路315的操作从其他电路块311、312和313操作的电路配置。
图19示出了向供应电压控制电路31的输入和从供应电压控制电路31的输出之间的定时关系。在假定要提供到传送晶体管22的栅极电极的电压是中间电压Vmid0和Vmid1、ON电压Von以及OFF电压Voff的情况下,当由地址信号ADR选择像素行时,根据定时信号PTRG1、PTRG2和PTRG3,分别将与其对应的中间电压Vmid0和Vmid1、ON电压Von连续地提供到传送晶体管22的栅极电极,而在除了以上情况之外的情况下提供OFF电压Voff。
以上述方式,在供应电压控制电路31所进行的控制之下,与垂直扫描电路12的垂直扫描操作同步地在每一像素行将中间电压Vmid0和Vmid1以及ON电压Von,以这种顺序从供应电压控制电路31提供到传送晶体管22的栅极电极。结果,可以实现三分段传送,其中以例如3批将在光电转换元件21中累积的信号电荷传送到浮置扩散电容器26。
<三分段传送>
在下文中,将参照图20的定时图和图21的操作说明图描述某一像素行中三分段传送的情况中的具体操作。在图21中,操作(1)到(11)分别与 图20中所示的时间段(1)到(11)相对应。
当在某一像素行中基于三分段传送来传送信号电荷长达一个单元的累积时间段时,在给定的间隔中将复位脉冲PTS三次施加到复位晶体管23的栅极电极,由此执行三次用于浮置扩散电容器26的复位操作。当每次复位操作与该复位操作同步地经过某一时间段时,将中间电压Vmid0和Vmid1以及ON电压Von以这种顺序连续地从供应电压控制电路31提供到传送晶体管22的栅极电极。
对于时间段(1),在光电转换元件21中累积电荷Qpd。此时,将OFF电压Voff施加到传送晶体管22的栅极电极。另外,已经由第一次复位脉冲RST使浮置扩散电容器26复位。通过放大晶体管24和选择晶体管25将浮置扩散电容器26的复位电平以第一次复位电平的形式读出到垂直信号线111。
在完成复位电平的第一次读出之后,对于时间段(2)将中间电压Vmid0施加到传送晶体管22的栅极电极。中间电压Vmid0的施加导致将电荷(Qpd-Qmid0)传送到浮置扩散电容器26,而留下光电转换元件21中累积电荷Qpd的部分电荷Qmid0不变。
接着,对于时间段(3),将OFF电压施加到传送晶体管22的栅极电极。结果,将与传送到浮置扩散电容器26的电荷(Qpd-Qmid0)相对应的信号以具有第一信号电平的形式读出到垂直信号线111。
接着,对于时间段(4),将第二次复位脉冲RST施加到复位晶体管23的栅极电极,由此复位浮置扩散电容器26。接着,对于时间段(5),将具有产生的复位电平的信号以具有第二次复位电平的形式读出到垂直信号线111。
接着,对于时间段(6),将中间电压Vmid1施加到传送晶体管22的栅极电极。中间电压Vmid1的施加导致将电荷(Qpd-Vmid1)传送到浮置扩散电容器26,而将光电转换元件21中剩余的电荷Qmid0的部分电荷Qmid1仍然留下不变。
接着,对于时间段(7),将OFF电压Voff施加到传送晶体管22的栅极电极。结果,将与传送到浮置扩散电容器26的电荷(Qpd-Qmid1)相对应的信号以具有第二次信号电平的形式读出到垂直信号线111。
接着,对于时间段(8),将第三次复位脉冲RST施加到复位晶体管23的栅极电极,由此复位浮置扩散电容器26。接着,对于时间段(9),将具有产生的复位电平的信号以具有第三次复位电平的形式读出到垂直信号线111。
接着,对于时间段(10),将ON电压Von施加到传送晶体管22的栅极电极。ON电压Von的施加导致将光电转换元件21中的剩余电荷Qmid1传送到浮置扩散电容器26。
接着,对于时间段(11),将OFF电压Voff施加到传送晶体管22的栅极电极。结果,将与传送到浮置扩散电容器26的电荷Qmid1相对应的信号以具有第三次信号电平的形式读出到垂直信号线111。
图22示出了TRG驱动电压(施加到传送晶体管22的栅极电极的传送脉冲TRG)和在光电转换元件21中保持的电荷数之间关系的示例的实验结果。
在这种情况下,示出了当将ON电压Von和OFF电压Voff(传送晶体管22根据Von和Voff而导通或截止)之间的中间电压Vmid施加到具有大约5,500e-的饱和电子的光电转换元件21时光电转换元件21中保持的电荷数。
作为示例,图22也示出了当使用设置为Vmid0和Vmid1的中间电压执行用于三分段传送的驱动时保持的电荷数Qmid0和保持的电荷数Qmid1。以这样的方式设置中间电压Vmid的电压值和中间电压Vmid的数量,导致在光电转换元件21中累积的电荷可以以传送电荷的任意单元和任意分段数传送,并且可以输出与基于分段由此传送的电荷相对应的信号。
在三分段传送的情况下,中间电压Vmid0和Vmid1中的每一个均变为第一控制信号,而ON电压Von变为第二控制信号。
<n分段传送>
尽管在这种情况下,目前通过给出三分段传送的情况作为示例已经给出了描述,但是可以任意地设置传送操作的分段数。此外,当执行n分段传送(n:2或大于2的整数)时,如图23所示,必须将(n-1)个中间电压Vmid0、Vmid1、...、Vmid(n-2)以及ON电压Von顺次从供应电压控制电路13施加到传送晶体管22的栅极电极,由此驱动相关的传送晶体管22。
在n分段传送的情况下,(n-1)个中间电压Vmid0到Vmid(n-2)中的每一个变为第一控制电压,而ON电压Von变为第二电压。
在基于上述n分段传送的驱动之下,在每个像素行执行电荷的传送、复位以及像素选择。结果,将具有复位电平的信号和具有信号电平的信号(即来自单元像素20的输出信号)列并行地(即以像素列为单元并行地)从单元像素20读出到垂直信号线111以便将其通过相关的垂直信号线111提供到列电路34。
当基于分段传送基础的驱动方法与用于将中间电压Vmid0和Vmid1顺次施加到传送晶体管22的栅极电极以便基于分段传送以电荷的任意量为单元传送电荷的系统相对应时,与基于第一和第二实施例的分段传送基础的驱动方法的情况相反,首先在具有高亮度的像素中进行电荷传送和输出,而在具有低亮度的像素中不首先进行电荷传送和输出。
例如,如图24A所示,确定能够传送的电荷的最大量。此外,如图24B所示,例如,当累积的电荷量满足关系Qpd>Qfd4.max且Qpd<Qfd4.max+Qfd3s.max时,不在第一次读出操作和第二次读出操作中传送具有量Qpd的累积电荷以将其输出。此外,在第三次读出操作中传送具有量Qfd3(=Qpd-Qfd4.max)的电荷以将其读出,并且在第四次读出操作中传送具有量Qfd4.max的电荷以将其读出。此外,分别在第三次读出操作中和第四次读出操作中输出的信号的相加导致获得具有量Qpd的所有累积电荷。
如上所述,在如图21所示基于分段传送基础的驱动方法的情况下,通过利用能够在光电转换单元(光接收单元)中保持的电荷量根据用于传送晶体管22的驱动电压而不同的事实来执行分段传送基础。例如,在图20所示的示例中,通过使用中间电压Vmid0和Vmid1中的每一个作为用于传送晶体管22的驱动电压,具有量Qmid0的电荷和具有量Qmid1的电荷可以顺次保持在光电转换单元中,并且可以顺次连续地传送超过电荷量Qmid0和电荷量Qmid1中的每一个的电荷量以将其读出。
(列电路)
该实施例的CMOS图像传感器10C的列电路17可以采用与第二实施例的CMOS图像传感器10B的列电路17相同的配置。也就是说,可以采用如图15所示的由噪声去除单元171、A/D转换单元172、信号选择单元173、信号保持单元174以及相加单元175组成的电路配置,或者,可以采用如图16所示的由具有噪声去除功能和相加功能的A/D转换单元156组成的电路配置。
为了解决使用相同转换精度执行A/D转换的情况中的上述问题,具有以上配置的列电路17的特征在于:与第一和第二实施例中的每一个情况相类似地,对于基于分段传送而读出的输出信号在每一个A/D转换单元172和176中使用不同的转换精度执行A/D转换。
图25是解释当在三分段传送期间使用不同的转换精度执行A/D转换时的处理的图。该处理是在第一次读出操作中使用相对低的转换精度执行A/D转 换的示例,并且对于第二次和第三次读出操作转换精度连续地增大。以这种方式,将基于分段传送的n个读出操作的输出信号经历不同转换精度的A/D转换以将其彼此相加,由此可以获得A/D转换特性,使用该A/D转换特性与入射光亮度相对应地将转换精度改变到另一个。
其原因是由于当入射光的亮度低时在光电转换元件21中累积的电荷数很少,所以仅在这样的亮度下传送电荷,以便产生具有超过根据中间电压Vmid0和Vmid1的阈值的量的电荷。
如图22所示的示例那样,在基于三分段传送电荷的情况下,当产生其数目小于保持的电荷数Qmid1的累积电荷时,即当入射光的亮度低时,仅在第三次传送操作中获得输出信号。另一方面,当存在其数目超过保持电荷数Qmid0的累积电荷时,即当入射光的亮度高时,从第一次传送操作传送电荷开始获得输出信号。
结果,如图25所示,可以获得这样的特性,使用该特性当亮度低时应用高A/D转换精度,而当亮度高时应用连续地与低A/D转换精度混合的A/D转换精度。
这里,将输出信号的噪声电平粗略地划分为当不存在入射光时在电路等中产生的暗相噪声,以及取决于入射光的亮度、通过以入射光的亮度的平方根的形式获得的能量而产生的光散射噪声。由于这个原因,如图26所示,噪声电平具有这样的特性,其中将具有信号电平的平方根的特性的光散射噪声加到用于与入射光的亮度成比例的信号电平的暗相噪声。
由于A/D转换精度,即A/D转换中最小检测单元最好低于噪声电平,所以在低亮度的情况下必须使用高精度执行A/D转换。然而,在高亮度的情况下,光散射噪声是主要的。由此,即使当对于输出信号使用低精度执行A/D转换从而增大A/D转换中的量化误差时,也几乎不损害图像质量。
<用于设置不同A/D转换精度的具体示例>
接着,参照图27,给出关于使用图10所示的A/D转换单元156的配置用于设置不同的A/D转换精度的具体示例的描述。
使基准信号Vref的斜坡成为N倍(fold),由此使得可以粗糙每一个计数的电压,即A/D转换中的最小检测量。例如,如图27所示,在第一次读出操作中,使基准信号Vref的斜坡两倍于在第二次读出操作中的基准信号Vref的斜坡,由此将具有在其中设置的低转换精度的A/D转换应用于第一次读出 操作。
另一方面,当在三分段传送中传送的输出信号彼此相加时,在时钟CK(计数器1562与其同步地操作)的一个时钟中计数值增大N,这导致可以使用相同的加权因子将基于分段传送而传送的输出信号彼此相加。
例如,当如图27所示将基准信号Vref的斜坡加倍时,每一个时钟计数值增大或减小2,这导致在减小转换精度的同时执行使用相同加权因子的相加。
另外,改变基准信号Vref的斜坡而不使计数值成为N倍,或者使计数值成为N倍而不改变基准信号Vref的斜坡,这导致基于分段传送而传送的输出信号也可以彼此相加,同时分别乘以任意的加权因子。
(该实施例的效果)
如目前所述的那样,在当光电转换元件21中的所有累积电荷不能在一次读出操作中读出时执行电荷传送和信号输出的CMOS图像传感器10C中,将在n分段传送中从单元像素20输出的输出信号经历使用不同的转换精度的A/D转换以将其彼此相加。结果,可以缩短A/D转换的执行时间(转换速度)并且可以减小每一个A/D转换单元152和156中的功耗,而不损害图像质量。
更具体地说,在该实施例的CMOS图像传感器10C中,使用基于使用中间电压Vmid0和Vmid1分段传送的驱动方法导致将在高亮度情况下产生的累积电荷在之前的读出操作中传送并输出,并且将在低亮度情况下产生的累积电荷在之后的读出操作中传送并输出。由于这个原因,如图27所例示的那样,对于在之前的读出操作中输出的信号应用具有在其中设置的低转换精度的A/D转换实现了A/D转换的加速和功耗的减小。
[高转换效率]
在上述第一到第三实施例的CMOS图像传感器10A到10C中的每个中,为了在浮置扩散电容器26中提高电荷到电压转换效率,使在浮置扩散电容器(电荷到电压转换单元)26(信号电荷从光电转换元件21传送到浮置扩散电容器26)中寄生的寄生电容(FD电容)很小,具体地说,减小寄生电容,以便浮置扩散电容器26所处理的最大电荷量变得小于能够在光电转换元件21中累积的最大电荷量,由此使得可以获得更高的电荷到电压转换效率。
也就是说,在CMOS图像传感器10A到10C(在CMOS图像传感器10A到10C的每个中通过例如减小浮置扩散电容器26上的寄生电容以在输出信号中 相对地减小随机噪声和固定模式噪声来提高电荷到电压转换效率,并且提高电荷到电压转换效率,由此传送基于分段传送不能在一个读出操作中读出的累积电荷)中,将具有在其中设置的高转换精度的A/D转换应用于低亮度区域,而将具有在其中设置的低转换精度的A/D转换(尽管在其处理中具有高速)应用于高亮度区域(其中光散射噪声是主要的噪声分量)。结果,可以实现A/D转换的加速和功耗的减小而不损害图像质量。
[修改]
另外,尽管在第一到第三实施例的每一个中,目前已经通过给出将本发明应用于包括单元像素20(所述单元像素20具有将光电转换元件21中的电荷通过一个传送晶体管22、基于分段传送来传送到公共浮置扩散电容器26,并将电荷连续地读出到公共垂直信号线111的配置)的CMOS图像传感器的情况作为示例而给出了描述,但是本发明决不受限于此,并且可以做出各种改变。
(修改1)
图28是示出了修改1的单元像素20A的像素电路的电路图。在该图中,等效于之前参照图2描述的单元的单元分别由相同的附图标记指定。
如图28所示,配置修改1的单元像素20A,使得电流源31连接在与放大晶体管24串联连接的选择晶体管25的漏极电极和电源的之间,并且输出信号Vout源自选择晶体管25的漏极节点。
在单元像素20A中,浮置扩散电容器26的电荷到电压转换效率取决于浮置扩散电容器26与垂直信号线111之间的电容值Ci。由此,使寄生电容的电容值Ci小于浮置扩散电容器26的电容值Cfd,由此使得提高电荷到电压转换效率成为可能。
这里,获得高电荷到电压转换效率的效果有Qi.max<Qfd.max的关系的条件,其中Qfd.max是累积在浮置扩散电容器26中的电荷的最大量,而Qi.max是累积在寄生电容Ci中的电荷的最大量。由于这个原因,累积在光电转换元件21中的、具有量Qpd的电荷必须在累积的电荷的最大量Qi.max小于作为单元累积的电荷的最大量Qfd.max的情况下基于分段传送。
如到目前已经描述的那样,包括单元像素20A(所述单元像素20A具有高电荷到电压转换效率或高电压放大因子)的CMOS图像传感器在S/N比方面是有利的,但是可能存在能够在一次读出操作中读出的电荷量的限制。
将之前描述的分段传送应用于包括单元像素20A的CMOS图像传感器,使得光电转换元件21中的电荷基于分段传送而传送,这导致了在光电转换元件21中产生的所有电荷可以根据读出电路的输出范围而有效地输出。
另外,在如图28所示的修改1的单元像素20A中,在复位阶段中电荷到电压转换单元(浮置扩散电容器26)的电压必须在读出电路的操作点处设置。然而,之前陈述的分段传送基础的应用使得可以控制基于分段传送而传送的电荷量而不取决于电荷到电压转换单元的电势。
(修改2)
图29是示出了修改2的单元像素20B的像素电路的电路图。在该图中,等效于之前参照图2描述的单元的单元分别由相同的附图标记指定。
如图29所示,配置修改2的单元像素20B,使得反相放大电路27连接在浮置扩散电容器26和选择晶体管25之间而不使用放大晶体管24,并且复位晶体管23与反相放大电路27并联连接。以这样一种方式在像素内部提供反相放大电路27导致可以放大信号电平以提高S/N比。
在包括单元像素20C(所述单元像素20C具有以这样一种方式在像素内部提供的反相放大电路27)的CMOS图像传感器中,当将反相放大电路27的放大因子设置为-A时,当具有最大量Qfd.max的累积电荷传送到浮置扩散电容器26时的输出电压Vout的幅度-A·Qfd.max/Cfd在一些情况下超过输出Vout的可输出范围ΔVout.pp。
在这种情况下,为了以输出信号的形式输出所有电荷,分段传送基础必须以电荷量为单元执行,在所述电荷量单元中将小于在浮置扩散电容器26中累积的电荷的最大量Qfd.max的电荷量Qmid(<Qfd.max)设置为最大。
将之前陈述的分段传送基础应用于包括像素单元20B的CMOS图像传感器,并且将光电转换元件21中的电荷基于任意分段传送而传送,这导致在光电转换元件21中产生的所有电荷可以与输出电压Vout的可输出范围ΔVout.pp相对应地有效输出。
注意,在上述第一到第三实施例的每一个中,目前已经通过给出将本发明应用于CMOS图像传感器的情况作为示例来给出描述,每一个在所述CMOS图像传感器中将用作检测与以物理量的形式的可见光的量相对应的信号电荷的单元像素以矩阵排列。然而,本发明决不受限于到CMOS图像传感器的应用。也就是说,本发明也可以应用于一般固态成像装置,其每一个均使用列系统, 在所述列系统中在像素阵列单元的每一像素列均排列列电路。
另外,本发明决不受限于到用于检测入射可见光的量的分布以便以图像的形式捕获其分布的成像装置的应用。也就是说,本发明也可以应用于检测入射红外线、X射线、微粒等的量的分布以便以图像的形式捕获其分布的所有固态成像装置,以及用于广义地检测诸如按压或静电电容之类的其他物理量以便以图像的形式捕获其分布的固态成像装置(物理量分布检测装置)(如指纹检测传感器)。
此外,本发明决不受限于用于通过以行为单元连续地扫描像素阵列单元的单元像素来从相应的单元像素读出像素信号的固态成像装置。也就是说,本发明也可以应用于以像素为单元选择任意像素并以像素为单元从由此选择的相应像素读出信号的X-Y地址型固态成像装置。
注意,固态成像装置可以具有作为一个芯片而形成的形式,或者可以具有模块形式,所述模块形式具有成像功能,其中成像单元以及信号处理单元或光学系统被集中组装。
另外,本发明不仅可以应用于固态成像装置,也可以用于成像设备。这里,成像设备指的是诸如数字照相机或摄像机之类的照相系统,或具有成像功能的电子设备(如移动电话)。注意,在一些情况下,成像设备也指安装到电子设备的模块形式,即照相模块。
[成像设备]
图30是示出了根据本发明的实施例的成像设备的配置的框图。如图30所示,根据本发明的实施例的成像设备50包括具有镜头组51、固态成像装置52、作为照相信号处理电路的DSP电路53、帧存储器54、显示装置55、记录装置56、操作系统57和电源系统58等的光学系统。此外,DSP电路53、帧存储器54、显示装置55、记录装置56、操作系统57和电源系统58通过总线59彼此连接。
镜头组51从目标捕获入射光(图像光)以在固态成像装置52的成像区域上聚焦入射光。固态成像装置52将通过镜头组51在成像区域上聚焦的入射光的量转换为以像素为单元的电信号,并且以像素信号的形式输出电信号。上述第一到第三实施例的每一个中的CMOS图像传感器10均可以用作固态成像装置52。
显示装置55由诸如液晶显示装置或有机电致发光(electro luminescence,EL)显示装置之类的平板显示装置组成。显示装置55在其上显示由固态成像装置52捕获的运动图像或静止图像。记录装置56在诸如录像磁带或数字多功能盘(DVD)之类的记录介质中记录关于由固态成像装置52所捕获的运动图像或静止图像的图像数据。
操作系统57发布与该实施例的成像设备在用户的操作之下所具有的各种功能有关的操作命令。电源系统58合适地分别将变为用于DSP电路53、帧存储器54、显示装置55、记录装置56和操作系统57的操作电源的各种电源提供到电源的那些对象。
如目前已经描述的那样,在诸如用于摄像机或数字照相机或移动设备(如移动电话)的照相模块之类的成像设备中,将上述第一到第三实施例的CMOS图像传感器10A到10C中的任意一个用作其固态成像装置52,这导致了可以加速A/D转换并且可以减小A/D转换单元的功耗,而不损害图像质量。结果,对于成像设备可以实现处理速度的增大和功耗的减小。
本领域的技术人员应该理解,根据设计要求和其他因素可以出现各种改变、组合、子组合以及变更,只要它们落在所附权利要求及其等价物的范围内即可。
Claims (11)
1.一种固态成像装置,包括:
像素阵列单元,通过将单元像素以矩阵形式排列而构成,每一个所述单元像素包括被配置为将光信号转换为信号电荷的光电转换单元、被配置为传送在所述光电转换单元中通过光电转换而获得的信号电荷的传送元件以及被配置为输出由所述传送元件传送的信号电荷的输出部件;
驱动部件,被配置为读出在所述光电转换单元中在一个单元的累积时间段期间累积的、通过所述输出部件由所述传送元件以多批传送的信号电荷作为多个输出信号;以及
模数转换部件,被配置为使用不同的转换精度对以多批从所述单元像素读出的多个输出信号执行模数转换,其中在入射光的强度低的情况下,所述模数转换部件以比用于在不引起由所述传送元件的电荷传送时从所述单元像素输出的输出信号的转换精度高的用于在引起由所述传送元件的电荷传送时从所述单元像素输出的输出信号的转换精度执行模数转换。
2.根据权利要求1所述的固态成像装置,还包括:
相加部件,被配置为对于以多批从所述单元像素读出的多个输出信号执行相加处理。
3.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中所述输出部件包括电荷到电压转换单元,被配置为将由所述传送元件传送的信号电荷转换为电压,并且将寄生电容设置得很小,使得由所述电荷到电压转换单元处理的电荷的最大量小于在所述光电转换单元中可累积的电荷的最大量。
4.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中当在所述光电转换单元中累积的电荷的一部分保持在所述光电转换单元中时,所述驱动部件至少将控制电压提供到所述传送元件一次,根据该控制电压具有超过所保持的电荷量的量的累积电荷由所述传送元件传送。
5.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中所述模数转换部件包括:
比较部件,被配置为将多个信号中的每一个与基准信号相比较;以及
计数部件,被配置为用于实现用于执行以与从所述比较部件获得的比较结果相对应的计数值计数的操作。
6.根据权利要求5所述的固态成像装置,其中所述模数转换部件引起第二次读出操作中基准信号的斜坡为第一次读出操作中的N倍,并且引起第二次读出操作中所述计数部件的计数值为第一次读出操作中的N倍,由此使得第二次读出操作中的转换精度为第一次读出操作中的1/N倍。
7.根据权利要求5所述的固态成像装置,其中所述计数部件通过与从所述比较部件获得的比较结果相对应的计数值执行升值计数或降值计数。
8.根据权利要求7所述的固态成像装置,其中所述模数转换部件根据所述计数部件的升值计数或降值计数来获得从所述单元像素获得的复位电平和信号电平之差。
9.根据权利要求5所述的固态成像装置,其中所述模数转换部件采用与模数转换处理同时地根据所述计数部件的计数操作来对以多批从所述单元像素读出的多个输出信号执行相加处理的配置。
10.一种用于固态成像装置的信号处理方法,所述固态成像装置包括:
像素阵列单元,通过将单元像素以矩阵形式排列而构成,每一个所述单元像素包括被配置为将光信号转换为信号电荷的光电转换单元、被配置为传送在所述光电转换单元中通过光电转换而获得的信号电荷的传送元件以及被配置为输出由所述传送元件传送的信号电荷的输出部件;以及
驱动部件,被配置为读出在所述光电转换单元中在一个单元的累积时间段期间累积的、通过所述输出部件由所述传送元件以多批传送的信号电荷作为多个输出信号,
其中所述固态成像装置使用不同的转换精度对以多批从所述单元像素读出的多个输出信号执行模数转换,并且在入射光的强度低的情况下,所述固态成像装置以比用于在不引起由所述传送元件的电荷传送时从所述单元像素输出的输出信号的转换精度高的用于在引起由所述传送元件的电荷传送时从所述单元像素输出的输出信号的转换精度执行模数转换。
11.一种成像设备,包括:
固态成像装置,通过将单元像素以矩阵形式排列而构成,每一个所述单元像素包括被配置为将光信号转换为信号电荷的光电转换单元、被配置为传送在所述光电转换单元中通过光电转换而获得的信号电荷的传送元件以及被配置为输出由所述传送元件传送的信号电荷的输出部件;以及
光学系统,用于将入射光聚焦到所述固态成像装置的成像区域上,
其中所述固态成像装置包括:
驱动部件,被配置为读出在所述光电转换单元中在一个单元的累积时间段期间累积的、通过所述输出部件由所述传送元件以多批传送的信号电荷作为多个输出信号;以及
模数转换部件,被配置为使用不同的转换精度对以多批从所述单元像素读出的多个输出信号执行模数转换,其中在入射光的强度低的情况下,所述模数转换部件以比用于在不引起由所述传送元件的电荷传送时从所述单元像素输出的输出信号的转换精度高的用于在引起由所述传送元件的电荷传送时从所述单元像素输出的输出信号的转换精度执行模数转换。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP112651/07 | 2007-04-23 | ||
JP2007112651A JP4389959B2 (ja) | 2007-04-23 | 2007-04-23 | 固体撮像装置、固体撮像装置の信号処理方法および撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101296304A CN101296304A (zh) | 2008-10-29 |
CN101296304B true CN101296304B (zh) | 2010-12-08 |
Family
ID=39871787
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2008100954283A Expired - Fee Related CN101296304B (zh) | 2007-04-23 | 2008-04-23 | 固态成像装置、其信号处理方法和成像设备 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080259178A1 (zh) |
JP (1) | JP4389959B2 (zh) |
KR (1) | KR101461150B1 (zh) |
CN (1) | CN101296304B (zh) |
TW (1) | TWI386045B (zh) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4501750B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2010-07-14 | セイコーエプソン株式会社 | 検出装置および認証装置 |
JP4054839B1 (ja) * | 2007-03-02 | 2008-03-05 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置およびそれを用いた撮像システム |
JP4661912B2 (ja) * | 2008-07-18 | 2011-03-30 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびカメラシステム |
JP5374110B2 (ja) * | 2008-10-22 | 2013-12-25 | キヤノン株式会社 | 撮像センサ及び撮像装置 |
JP5375277B2 (ja) * | 2009-04-02 | 2013-12-25 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、撮像装置、電子機器、ad変換装置、ad変換方法 |
JP5269735B2 (ja) | 2009-10-08 | 2013-08-21 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
JP5270766B2 (ja) * | 2009-11-06 | 2013-08-21 | パナソニック株式会社 | 撮影装置 |
JP5537172B2 (ja) * | 2010-01-28 | 2014-07-02 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
JP5507309B2 (ja) | 2010-03-30 | 2014-05-28 | 本田技研工業株式会社 | 信号処理方法及び固体撮像装置 |
JP2011250554A (ja) * | 2010-05-26 | 2011-12-08 | Sony Corp | 電源回路、集積回路装置、固体撮像装置および電子機器 |
JP5755111B2 (ja) * | 2011-11-14 | 2015-07-29 | キヤノン株式会社 | 撮像装置の駆動方法 |
JP2013207433A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Sony Corp | 固体撮像装置、撮像信号出力方法および電子機器 |
JP5826969B2 (ja) * | 2013-04-18 | 2015-12-02 | オリンパス株式会社 | 撮像素子、撮像装置、内視鏡、内視鏡システムおよび撮像素子の駆動方法 |
JP6561315B2 (ja) * | 2014-01-21 | 2019-08-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置 |
US9426395B2 (en) | 2014-03-25 | 2016-08-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of calibrating knee-point and logarithmic slope in linear-logarithmic image sensors |
US9531976B2 (en) * | 2014-05-29 | 2016-12-27 | Semiconductor Components Industries, Llc | Systems and methods for operating image sensor pixels having different sensitivities and shared charge storage regions |
JP6587497B2 (ja) * | 2014-10-31 | 2019-10-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2016092661A (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-23 | ソニー株式会社 | 撮像素子および駆動方法、並びに電子機器 |
US9521351B1 (en) * | 2015-09-21 | 2016-12-13 | Rambus Inc. | Fractional-readout oversampled image sensor |
KR20170038981A (ko) * | 2015-09-30 | 2017-04-10 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 |
KR101867345B1 (ko) * | 2017-02-20 | 2018-06-18 | (주)픽셀플러스 | 픽셀의 구동방법 및 이를 이용하는 cmos 이미지센서 |
CN108881906B (zh) * | 2017-05-15 | 2021-03-19 | 北京大学 | 一种图像重构方法及装置 |
JP7039236B2 (ja) | 2017-09-29 | 2022-03-22 | キヤノン株式会社 | 逐次比較型ad変換器、撮像装置、撮像システム、移動体 |
CN113141444B (zh) | 2020-01-19 | 2023-08-08 | Oppo广东移动通信有限公司 | 图像传感器、成像装置、电子设备、图像处理系统及信号处理方法 |
JP2022007152A (ja) * | 2020-06-25 | 2022-01-13 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出装置および測距システム |
JP2023039319A (ja) * | 2021-09-08 | 2023-03-20 | 株式会社テックイデア | イメージセンサ及びイメージセンシング方法 |
WO2023123302A1 (en) * | 2021-12-31 | 2023-07-06 | Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. | Imaging methods using bi-directional counters |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1764246A (zh) * | 2004-10-19 | 2006-04-26 | 索尼株式会社 | 固态成像装置 |
CN1798275A (zh) * | 2004-12-20 | 2006-07-05 | 索尼株式会社 | 固态成像设备及其驱动方法 |
CN1829294A (zh) * | 2005-02-21 | 2006-09-06 | 索尼株式会社 | 固态成像设备及其驱动方法、以及图像拾取装置 |
CN1913578A (zh) * | 2005-08-10 | 2007-02-14 | 恩益禧电子股份有限公司 | 固态成像装置 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5892541A (en) * | 1996-09-10 | 1999-04-06 | Foveonics, Inc. | Imaging system and method for increasing the dynamic range of an array of active pixel sensor cells |
US6850278B1 (en) * | 1998-11-27 | 2005-02-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup apparatus |
US6188347B1 (en) * | 1999-07-12 | 2001-02-13 | National Instruments Corporation | Analog-to-digital conversion system and method with reduced sparkle codes |
JP2001245213A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Nikon Corp | 撮像装置 |
US6750437B2 (en) * | 2000-08-28 | 2004-06-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus that suitably adjusts a focus |
US7075049B2 (en) * | 2003-06-11 | 2006-07-11 | Micron Technology, Inc. | Dual conversion gain imagers |
US7026596B2 (en) * | 2003-10-30 | 2006-04-11 | Micron Technology, Inc. | High-low sensitivity pixel |
US7443437B2 (en) * | 2003-11-26 | 2008-10-28 | Micron Technology, Inc. | Image sensor with a gated storage node linked to transfer gate |
JP4107269B2 (ja) * | 2004-02-23 | 2008-06-25 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
US7978245B2 (en) * | 2004-06-24 | 2011-07-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method and apparatus for controlling color balance in a digital imaging device |
JP4193768B2 (ja) * | 2004-07-16 | 2008-12-10 | ソニー株式会社 | データ処理方法並びに物理量分布検知の半導体装置および電子機器 |
JP2006197392A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Canon Inc | 固体撮像装置、カメラ、及び固体撮像装置の駆動方法 |
JP4855704B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2012-01-18 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
KR100736364B1 (ko) * | 2005-05-03 | 2007-07-06 | 삼성전자주식회사 | 램프 이득 보정기능을 갖는 이미지 센서 및 램프이득 보정방법 |
JP2007053634A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Sony Corp | 撮像装置、欠陥画素補正装置および方法 |
US20070236590A1 (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Cypress Semiconductor Corporation | Output auto-zero for CMOS active pixel sensors |
US8026966B2 (en) * | 2006-08-29 | 2011-09-27 | Micron Technology, Inc. | Method, apparatus and system providing a storage gate pixel with high dynamic range |
US7768562B2 (en) * | 2006-10-10 | 2010-08-03 | Micron Technology, Inc. | Method, apparatus and system providing imager vertical binning and scaling using column parallel sigma-delta digital conversion |
-
2007
- 2007-04-23 JP JP2007112651A patent/JP4389959B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-02-27 TW TW097106875A patent/TWI386045B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-04-14 KR KR1020080034045A patent/KR101461150B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-04-22 US US12/107,248 patent/US20080259178A1/en not_active Abandoned
- 2008-04-23 CN CN2008100954283A patent/CN101296304B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1764246A (zh) * | 2004-10-19 | 2006-04-26 | 索尼株式会社 | 固态成像装置 |
CN1798275A (zh) * | 2004-12-20 | 2006-07-05 | 索尼株式会社 | 固态成像设备及其驱动方法 |
CN1829294A (zh) * | 2005-02-21 | 2006-09-06 | 索尼株式会社 | 固态成像设备及其驱动方法、以及图像拾取装置 |
CN1913578A (zh) * | 2005-08-10 | 2007-02-14 | 恩益禧电子股份有限公司 | 固态成像装置 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JP特开2001-245213A 2001.09.07 |
JP特开2005-278135A 2005.10.06 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4389959B2 (ja) | 2009-12-24 |
CN101296304A (zh) | 2008-10-29 |
TWI386045B (zh) | 2013-02-11 |
TW200849985A (en) | 2008-12-16 |
KR20080095177A (ko) | 2008-10-28 |
JP2008271279A (ja) | 2008-11-06 |
US20080259178A1 (en) | 2008-10-23 |
KR101461150B1 (ko) | 2014-11-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101296304B (zh) | 固态成像装置、其信号处理方法和成像设备 | |
CN101296305B (zh) | 固态成像设备、其信号处理方法和成像装置 | |
US10257452B2 (en) | Solid-state image pickup apparatus, signal processing method for a solid-state image pickup apparatus, and electronic apparatus | |
US9509927B2 (en) | Solid-state imaging device, method of driving the same, signal processing method for the same, and imaging apparatus | |
CN101753860B (zh) | 固体摄像装置、用于驱动固体摄像装置的方法及摄像装置 | |
EP2244455B1 (en) | Physical quantity detecting device and imaging apparatus | |
CN102196199B (zh) | 固态拍摄装置、驱动固态拍摄装置的方法以及电子设备 | |
KR20070099479A (ko) | 물리량 분포 검출 장치 및 촬상 장치 | |
JP2013197697A (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20101208 Termination date: 20150423 |
|
EXPY | Termination of patent right or utility model |