CN101292199B - 中间转印体、中间转印体的制造方法以及具有中间转印体的图像形成装置 - Google Patents
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Abstract
本发明目的在于提供转印性更高,清洁性和耐久性更高的中间转印体,无需真空装置等大型设备的中间转印体制造装置,和具有该中间转印体的图像形成装置。因此,中间转印体在基材上具有含碳原子的第1无机化合物层和作为表面层的不含碳原子或含有比上述第1无机化合物层更少量碳原子的第2无机化合物层。
Description
技术领域
本发明涉及在电子复印机、激光打印机、传真机等电子照相装置和静电记录装置中,合成彩色图像用的各种颜色的调色剂图像并进行转印用的中间转印体,和具有中间转印体的图像形成装置。
背景技术
一直以来,作为在记录材料上转印电子照相感光体(以下,简称为感光体)上的调色剂图像的方式,已知有使用中间转印体的图像形成方式,该方式在将调色剂图像从电子照相感光体转印至记录材料的工序中,加入另一个转印工序,即从电子照相感光体一次转印至中间转印体后,将中间转印体的一次转印像二次转印至记录材料,并得到最终图像。该方式多被采用于,使用由黑色、青色、品红、黄色等调色剂进行减色混合而再现色彩分解的原稿图像,即所谓全色图像形成装置中的各色调色剂图像的多重转印方式。
然而,在使用该中间转印体的多重转印方式中,由于加入了一次转印和二次转印这样的双重转印,以及将四色的调色剂在转印体上重合,因此伴随有调色剂图像的转印不良而容易产生图像不良。
通常,对于调色剂的转印不良,已知有通过使用二氧化硅等外添加剂对调色剂表面进行表面处理,从而提高转印效率。然而,由于接受来自显影装置内部的调色剂搅拌部件的应力,或接受来自用于在显影辊形成调色剂层的控制刮刀的应力,以及在感光体和显影辊之间所受到的应力等,而导致二氧化硅从调色剂表面脱离,并埋没于调色剂内部,因此存在无法得到足够转印效率的问题,并且需要使用刮刀从中间转印体上扫落残留在中间转印体上的调色剂的清洁装置。
对于这些问题,下文已经提出了在中间转印体表面上形成脱模层的方法。为了提高调色剂从中间转印体上的脱模性,则在中间转印体表面上形成氧化硅或氧化铝层(参见专利文献1)。
此外,已提出了在中间转印体表面上形成无机涂布层的方法(参见专利文献2)。
专利文献1:特开平9-212004号公报
专利文献2:特开2000-206801号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而,将根据专利文献1的方法制造的中间转印体,在实际的图像形成装置中进行耐久试验时,存在有因反复弯曲而导致氧化物层从表面层上剥离的问题,此外,为了通过蒸镀形成硅氧化物,或通过溅射形成氧化铝等,还存在需要真空装置等大型设备的问题。
此外,在专利文献2的方法中,已知如果大量添加在无机涂布层中添加的胶体二氧化硅,则可提高调色剂的脱模性,转印效率良好,但由于在耐久试验中反复弯曲,则在无机涂布层中产生裂纹,因此无法以一定量以上进行添加。因此,存在无法充分发挥脱模性,并且转印效率也无法提高到一定程度以上的问题。
鉴于上述问题,本发明的第1目的在于提供一种转印性更高,清洁性和耐久性也更高的中间转印体,其第2目的在于提供无需真空装置等大型设备的中间转印体的制造装置,和具有该中间转印体的图像形成装置。
解决问题的方法
本发明的上述目的通过下述方案完成。
(1)一种中间转印体,其特征在于,该中间转印体包括:基材、在基材上形成的含碳原子的第1无机化合物层、和作为表面层的不含碳原子或含有比上述第1无机化合物层更少量碳原子的第2无机化合物层。
(2)上述(1)所述的中间转印体,其特征在于,上述第1无机化合物层,其碳含量为0.1原子%以上,50原子%以下(XPS测定)。
(3)上述(1)或(2)所述的中间转印体,其特征在于,上述第2无机化合物层,其碳含量为20原子%以下(XPS测定)。
(4)上述(1)-(3)中任一项所述的中间转印体,其特征在于,上述第1无机化合物层或上述第2无机化合物层,是含有选自Si、Ti、Al、Zr和Zn中的至少一种原子的化合物。
(5)上述(1)-(3)中任一项所述的中间转印体,其特征在于,上述第1无机化合物层和上述第2无机化合物层,由含有选自Si、Ti、Al、Zr和Zn中的至少一种原子的化合物构成。
(6)上述(1)-(5)中任一项所述的中间转印体,其特征在于,上述第1无机化合物层或上述第2无机化合物层,是无机氧化物层。
(7)上述(1)-(5)中任一项所述的中间转印体,其特征在于,上述第1无机化合物层和上述第2无机化合物层,是无机氧化物层。
(8)制造上述(1)-(7)中任一项所述的中间转印体的方法,其特征在于,上述第1无机化合物层和上述第2无机化合物层的至少一层由大气压等离子体CVD法形成。
(9)一种图像形成装置,该图像形成装置包括,将从图像载体表面转印的调色剂图像进一步转印至记录介质上的中间转印体,其特征在于,上述中间转印体是上述(1)-(7)中任一项所述的中间转印体。
发明效果
本发明通过在基材表面上设置第1无机化合物层,并在其上形成不含有碳原子,或者,碳原子含量比第1无机化合物层更少的第2无机化合物层,则可以提供与调色剂的脱模性优异,转印效率提高,并且即使在耐久使用中,化合物层也不会从基材表面剥离,并且不会破裂的中间转印体。此外,通过使用大气压等离子体CVD法制造本发明的中间转印体,则可以得到无需真空装置等大型设备而制造具有上述效果的中间转印体的制造装置。进一步,通过采用使用本发明的中间转印体的图像形成装置,则可以提供没有图像缺损的高图像质量的图像。
附图说明
[图1]是示出彩色图像形成装置的一例的截面结构图。
[图2]是示出中间转印体的层结构的示意截面图。
[图3]是制造中间转印体的第1制造装置的说明图。
[图4]是制造中间转印体的第2制造装置的说明图。
[图5]是通过等离子体制造中间转印体的第1等离子体成膜装置的说明图。
[图6]是示出辊电极的一例的简图。
[图7]是示出固定电极的一例的简图。
符号说明
1 彩色图像形成装置
2 中间转印体的制造装置
3 大气压等离子体CVD装置
17 中间转印体单元
20 辊电极
21 固定电极
23 放电空间
24 混合气体供给装置
25 第1电源
26 第2电源
117 二次转印辊
170 中间转印带
175 基材
176 第1无机化合物层
177 第2无机化合物层
201 从动辊
具体实施方式
以下对实施本发明的最佳方式进行说明,但本发明并不限于此。
本发明的中间转印体,适合用于电子照相方式的复印机、打印机、传真机等图像形成装置,并且只要可以将负载在感光体表面上的调色剂图像一次转印至其表面,保持转印的调色剂图像,并将保持的调色剂图像二次转印至记录纸等被转印物的表面上即可,该中间转印体可以是带状的转印体,也可以是鼓状的转印体。
首先,对于具有本发明中间转印体的图像形成装置,以串联型全色复印机为例进行说明。
图1是示出彩色图像形成装置的一例的截面结构图。
该彩色图像形成装置1,可称作串联型全色复印机,并且由自动原稿传送装置13、原稿图像读取装置14、多个曝光设备13Y、13M、13C、13K、多组图像形成部10Y、10M、10C、10K、中间转印体单元17、进纸设备15和定影设备124形成。
在彩色图像形成装置的本体12的上部,配置有自动原稿传送装置13和原稿图像读取装置14,并且由自动原稿传送装置13搬送的原稿d的图像,通过原稿图像读取装置14的光学系统反射·成像,并通过联机图像传感器(ラインイメ-ジセンサ)CCD读取。
将通过联机图像传感器CCD读取的原稿图像进行光电转换的模拟信号,在未图示的图像处理部,进行模拟处理、A/D转换、黑斑补偿、图像压缩处理等后,作为各色的数字图像数据送至曝光设备13Y、13M、13C、13K,并通过曝光设备13Y、13M、13C、13K在作为对应的第1图像载体的鼓状感光体(以下,还记作感光体)11Y、11M、11C、11K上形成各色的图像数据的潜像。
图像形成部10Y、10M、10C、10K在垂直方向上以纵列配置,并在感光体11Y、11M、11C、11K的图示左侧方,配置卷绕辊171、172、173、174且可转动地架设的半导电性且为环形带状的第2图像载体,即本发明的中间转印体170。
而且,本发明的中间转印体170,由未图示的驱动装置,通过旋转驱动的辊171沿箭头方向驱动。
形成黄色图像的图像形成部10Y,具有配置在感光体11Y周围的带电设备12Y、曝光设备13Y、显影设备14Y、作为一次转印设备的一次转印辊15Y、清洁设备16Y。
形成品红色图像的图像形成部10M,具有感光体11M、带电设备12M、曝光设备13M、显影设备14M、作为一次转印设备的一次转印辊15M、清洁设备16M。
形成青色图像的图像形成部10C,具有感光体11C、带电设备12C、曝光设备13C、显影设备14C、作为一次转印设备的一次转印辊15C、清洁设备16C。
形成黑色图像的图像形成部10K,具有感光体11K、带电设备12K、曝光设备13K、显影设备14K、作为一次转印设备的一次转印辊15K、清洁设备16K。
调色剂补给设备141Y、141M、141C、141K,分别将新调色剂补给至显影装置14Y、14M、14C、14K。
此处,一次转印辊15Y、15M、15C、15K,通过未图示的控制设备并根据图像种类选择性地工作,将中间转印体170挤压至各自对应的感光体11Y、11M、11C、11K上,由此转印感光体上的图像。
如此,通过图像形成部10Y、10M、10C、10K在感光体11Y、11M、11C、11K上形成的各色图像,通过一次转印辊15Y、15M、15C、15K,逐次转印到旋转的中间转印体170上,并形成合成的彩色图像。
即,中间转印体170将负载在感光体11Y、11M、11C、11K表面上的调色剂图像一次转印至其表面上,并保持转印的调色剂图像。
此外,收容在进纸盒151内作为记录介质的记录纸P,通过进纸设备15进纸,接着经过多个中间辊122A、122B、122C、122D、阻挡辊(レジストロ-ラ)123,搬送至作为二次转印设备的二次转印辊117,并通过二次转印辊117将中间转印体170上合成的调色剂图像一次性地转印至记录纸P上。
即,将保持在中间转印体170上的调色剂图像二次转印至被转印物的表面上。
此处,作为二次转印设备的二次转印辊117,仅在记录纸P通过它而进行二次转印时,将记录纸P压接在中间转印体170上。
转印彩色图像的记录纸P,通过定影装置124进行定影处理,并通过夹持在排纸辊125中而放置在机外的排纸盘126上。
另一方面,通过二次转印辊117将彩色图像转印至记录纸P后,弯曲分离记录纸P的中间转印体170,通过清洁设备8除去残留的调色剂。
此处,中间转印体170还可以换成上述的旋转鼓状中间转印鼓。
接着,对与中间转印体170相连的作为一次转印设备的一次转印辊15Y、15M、15C、15K,和二次转印辊117的结构进行说明。
一次转印辊15Y、15M、15C、15K,通过在例如外径为8mm的不锈钢等导电性芯棒的圆周面上,包覆半导电弹性橡胶而形成,所述半导电弹性橡胶,是通过在聚氨酯、EPDM、聚硅氧烷等橡胶材料中,分散炭黑等导电性填料,或含有离子性导电材料,而形成的体积电阻为105Ω·cm-109Ω·cm左右的固体状态或发泡海绵状态,并且厚度为5mm,橡胶硬度为20°-70°左右(ASK硬度C)的半导电弹性橡胶。
二次转印辊117,通过在例如外径为8mm的不锈钢等导电性芯棒的圆周面上,包覆半导电弹性橡胶而形成,所述半导电弹性橡胶,是通过在聚氨酯、EPDM、聚硅氧烷等橡胶材料中,分散炭黑等导电性填料,或含有离子性导电材料,而形成的体积电阻为105Ω·cm-109Ω·cm左右的固体状态或发泡海绵状态,并且厚度为5mm,橡胶硬度为20°-70°左右(ASK硬度C)的半导电弹性橡胶。
而且,由于二次转印辊117和一次转印辊15Y、15M、15C、15K不同,并且在没有记录纸P的状态下,存在有和调色剂接触的可能性,因此最好在二次转印辊117的表面上包覆半导电性的氟树脂或聚氨酯树脂等脱模性好的物质,并且通过在不锈钢等导电性芯棒的圆周面上,包覆厚度为0.05mm-0.5mm左右的半导电性材料而形成二次转印辊117,其中所述半导电性材料,是通过在聚氨酯、EPDM、聚硅氧烷等橡胶或树脂材料中,分散炭黑等导电性填料,或含有离子性导电材料而形成的半导电性材料。
下面,以上述的中间转印体170为例,对本发明的中间转印体进行说明。
图2是示出本发明的中间转印体170的截面图。
本发明的中间转印体170,是在基材175表面上依次设置第1无机化合物层176,以及第2无机化合物层177的结构,所谓第2无机化合物层177是设在该第1无机化合物层176的表面上的不含有碳原子,或者,碳原子含量比第1无机化合物层176更少的无机化合物层。通过形成这种结构,可以得到和调色剂的脱模性优异,转印效率好的中间转印体170,并且即使在反复的耐久使用中,也可以长期使用。这一点可以认为是,通过在作为转印调色剂面的第2无机化合物层177中不含有碳原子,或者,减少碳原子的含量,可维持高脱模性,并且通过使第1无机化合物层176的碳含量比第2无机化合物层177的碳含量更多,可维持基材175和第1无机化合物层176的粘合性,从而即使在反复弯曲动作中,也很难产生裂纹或剥离。
此外,通过XPS法测定第2无机化合物层177的碳含量优选为20原子%以下,可以得到脱模性更优异的中间转印体170。此外,通过使由XPS法测定第1无机化合物层176的碳含量为0.1原子%以上50原子%以下,可以得到耐久性更优异的中间转印体170。
下面,对本发明的中间转印体170的构成要件进行说明。
(基材)
作为本发明的中间转印体170的基材175,可以使用在树脂材料或弹性体材料中分散导电剂而形成的带或鼓的外周所形成的部件。它们可以单独使用,也可以两种以上组合使用,并且还可以使用由这些树脂材料和弹性体材料的叠层体进行组合所形成的带。
作为树脂材料,可以使用聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚偏氟乙烯、乙烯-四氟乙烯共聚物、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺和聚苯硫醚等,所谓的工程塑料材料。
作为弹性体材料,可以使用异戊二烯橡胶、丁二烯橡胶、苯乙烯·丁二烯橡胶、丙烯腈·丁二烯橡胶、丁腈橡胶、氢化丁腈橡胶、氟橡胶、硅橡胶、乙烯·丙烯橡胶、氯丁橡胶、丙烯酸橡胶、丁基橡胶、聚氨酯橡胶、氯磺化聚乙烯橡胶、表氯醇橡胶、天然橡胶、聚醚橡胶等橡胶材料,或聚氨酯、聚苯乙烯·聚丁二烯嵌段聚合物、聚烯烃、聚乙烯、氯化聚乙烯、乙烯·乙酸乙烯酯共聚物等弹性体。为了使硬度降低,弹性体层还可以是发泡体,这时,密度适合为0.1g/cm3-0.9g/cm3。
此外,作为导电剂,可以使用炭黑。作为炭黑,可以没有特别限制地使用,并且使用中性炭黑也是可以的。导电剂的使用量,根据所用导电剂的种类而不同,并且只要添加至使中间转印体170的体积电阻值和表面电阻值处于规定范围即可,通常,相对于100质量份树脂材料,添加4-40质量份。本发明中所用的基材175,可以通过以往公知的常规方法制造。例如,可以通过使用挤出机熔融形成材料的树脂,并使用环状模头或T型模头挤出,再急冷而制造。
(第1无机化合物层和第2无机化合物层)
接着,在该基材175上形成本发明的第1无机化合物层176和第2无机化合物层177。
作为本发明的第1无机化合物层176和第2无机化合物层177中所用的无机化合物,可以列举无机氧化物、无机氮化物、无机碳化物以及它们的复合物。
作为本发明的第1无机化合物层176和/或第2无机化合物层177中所用的无机化合物,可以列举氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化钛、氧化锆、氧化锡、氧化锌、氧化铁、氧化钒、氧化铍、钛酸钡锶、锆酸钛酸钡、锆酸钛酸铅、钛酸铅镧、钛酸锶、钛酸钡、钛酸铋、钛酸锶铋、钽酸锶铋、钽酸铌酸铋、三氧化钇等。其中,更优选的是氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锌、氧化锆。
本发明中的第1无机化合物层176的材料和第2无机化合物层177的材料,可以相同,也可以不同。此外,本发明中的第1无机化合物层176的材料或第2无机化合物层177的材料,可以是一种无机化合物,也可以具有2种以上的化合物。
在基材175上形成本发明的第1无机化合物层176之前,还可以进行电晕处理、火焰处理、等离子体处理、辉光放电处理、表面粗糙化处理、药品处理等表面处理。
此外,在本发明的第1无机化合物层176和基材175之间,以及在本发明的第1无机化合物层176和第2无机化合物层177之间,为了提高粘合性,可以形成增粘涂覆剂层。作为该增粘涂覆剂层中所用的增粘涂覆剂,可以使用聚酯树脂、异氰酸酯树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸树脂、乙烯-乙烯醇树脂、乙烯基改性树脂、环氧树脂、改性苯乙烯树脂、改性聚硅氧烷树脂和烷基钛酸酯等,或将1种或2种以上结合使用。在这些增粘涂覆剂中,还可以添加以往公知的添加剂。而且,上述增粘涂覆剂,可以通过辊涂法、照相凹版涂覆法、刮涂法、浸涂法、喷涂法等公知方法在基材上进行涂覆,并通过干燥除去溶剂、稀释剂等而进行增粘涂覆。作为上述增粘涂覆剂的涂布量,优选为0.0001g/m2-5g/m2(干燥状态)左右。
本发明的第1无机化合物层176的膜厚,较好为1nm-5000nm,并优选为3nm-3000nm。第2无机化合物层177的膜厚,较好为1nm-5000nm,并优选为3nm-3000nm。当第1无机化合物层176的膜厚不足1nm或超过5000nm时,在反复使用中,产生了裂纹或剥离。此外,当第2无机化合物层177不足1nm时,容易产生擦伤,并且调色剂的脱模性或转印效率的持续性不足,当其超过5000nm时,在反复使用中,产生了膜破裂和剥离。
本发明的第2无机化合物层177的碳含量,优选比第1无机化合物层176的碳含量更少。第2无机化合物层177,从和调色剂的脱模性以及转印效率方面考虑,优选碳含量少。但是,在基材175的表面上形成碳量少的无机化合物层的结构,在反复使用中,产生了无机化合物层剥离或破裂的问题。因此,通过在基材175和不含碳原子,或者,碳原子含量少的第2无机化合物层177之间,形成碳含量比第2无机化合物层多的第1无机化合物层176,即使在反复使用中,也不会产生破裂或剥离,并且可以得到能长期使用的中间转印体170。这可以认为,第1无机化合物层176,起到了提高基材175和第2无机化合物层177的粘合性,并且缓和施加在第2无机化合物层177上的弯曲应力,以及防止擦伤的作用。
此外,通过XPS法测定第1无机化合物层176的碳含量优选为0.1原子%以上50原子%以下。
进一步,通过XPS法测定第2无机化合物层177的碳含量更优选为20原子%以下。
接着,对本发明的第1无机化合物层176和第2无机化合物层177的形成方法进行说明。
作为本发明的第1无机化合物层176和第2无机化合物层177的形成方法,可以列举真空蒸镀法、分子射线外延生长法、离子束射线法、低能离子束法、离子镀法、CVD法、溅射法、大气压等离子体CVD法等干法,或喷涂法、旋涂法、刮涂法、浸涂法、浇铸法、辊涂法、棒涂法、模涂法等涂布方法,印刷或喷墨等图案形成方法等湿法,并且可以根据材料进行使用。湿法可以使用,根据需要用表面活性剂等分散助剂,将无机化合物微粒分散在任意有机溶剂或水中,并涂布该液体,干燥的方法,或涂布氧化物前体,例如醇盐的溶液,并干燥的所谓溶胶-凝胶法。其中,优选大气压等离子体CVD法。大气压等离子体CVD法,是不使用减压室等,并且能够高速制膜的高生产性制膜方法。此外,通过大气压等离子体CVD法形成的膜,均匀并且具有表面平滑性,此外,还可以较容易地形成内部应力也非常小的膜。
对于在大气压下通过等离子体CVD法形成第1无机化合物层176和第2无机化合物层177(例如无机氧化物:SiO2、TiO2等)的方法,如下进行说明。
所谓上述在大气压下进行的等离子体CVD法,是指在大气压或大气压附近的压力下,激发放电气体,使其放电,并将原料气体和/或反应性气体导入至放电空间,激发,并在基材上形成薄膜的处理,对于该方法,记载于特开平11-133205号、特开2000-185362号、特开平11-61406号、特开2000-147209号、特开2000-121804号等(以下,也称作大气压等离子体法)。由此能够以高生产性形成高机能性的薄膜。此处,所谓大气压附近,表示20kPa-110kPa的压力,并优选为93kPa-104kPa。
接着,对通过大气压等离子体CVD形成本发明的中间转印体的无机化合物层时的装置和方法,以及所用的气体进行说明。
图3是制造中间转印体的第1制造装置2的说明图。
中间转印体的制造装置2(放电空间和薄膜堆积区域是大致相同的直接方式),是在基材175上形成第1无机化合物层176,第2无机化合物层177的装置,并且是由卷绕架设环形带状的中间转印体170的基材175并沿箭头方向旋转的辊电极20和从动辊201,以及作为在基材175表面上形成第1无机化合物层176,第2无机化合物层177的成膜装置的大气压等离子体CVD装置3所构成。
大气压等离子体CVD装置3,具有沿辊电极20外周配置的至少一个固定电极21、在固定电极21和辊电极20的对置区域并且进行放电的放电空间23、至少生成原料气体和放电气体混合气G并将混合气G供给至放电空间23的混合气供给装置24、在放电空间23等中减少空气流入的放电容器29、连接至辊电极20的第1电源26、连接至固定电极21的第2电源25,和将使用完的排出气G’排出的排气部28。
混合气供给装置24,将形成选自无机氧化物层、无机氮化物层、无机碳化物层中的至少一层的膜的原料气体,和氮气或氩气、氦气等稀有气体,以及控制原料气体分解的气体供给至放电空间23。
此处,所谓控制原料气体分解的气体(原料分解控制气体),表示在分子结构中含有具有活性元素的气体,例如,可以列举含有H、O、N、S、F、B、Cl、P、Br、I、As、Se等的气体。含有具有活性元素的气体,可以单独使用,也可以多种混合使用。此外,在含有具有活性元素的气体的分子结构中,还可以含有C。此外,也可以和分子结构中含有C的气体混合。
此外,从动辊201,由张力赋予设备202沿箭头方向牵引,并在基材175上施加规定的张力。张力赋予设备202在基材175更换时等解除张力的赋予,并且可以很容易地进行基材175的更换等。
第1电源25输出频率为ω1的电压,第2电源26输出频率为ω2的电压,并通过这些电压在放电空间23中产生频率ω1和ω2重叠的电场V。而且,通过电场V使放电气体等离子体化,并使对应于混合气G中所含的原料气体的膜(第1无机化合物层176,第2无机化合物层177)堆积在基材175的表面上。
另外,在多个固定电极中,在位于辊电极旋转方向下游侧的多个固定电极和混合气供给装置中以积累堆积的方式堆积无机化合物层,并且还可以调整无机化合物层的厚度。
此外,在多个固定电极中,在位于辊电极旋转方向最下游侧的固定电极和混合气供给装置中堆积第1无机化合物层176,并且,还可以在位于更上游侧的其它固定电极和混合气供给装置中,形成其它层,例如提高第1无机化合物层176和基材175粘合性的粘合层等。
此外,为了提高第1无机化合物层176和基材175的粘合性,可以在形成第1无机化合物层176的固定电极和混合气供给装置的上游,设置供给氮气、氦气、氩气或氧气、氢气等气体的气体供给装置和固定电极而进行等离子体处理,从而使基材175的表面活性化。
如上说明,将作为环状带的中间转印体架设在1对辊上,并将1对辊中的一个作为1对电极中的一个电极,沿着作为一个电极的辊的外周面的外侧设置作为另一个电极的至少一个固定电极,并在这些1对电极间,在大气压或大气压附近进行产生电场的等离子体放电,得到在中间转印体表面上堆积·形成无机化合物薄膜的结构,并在形成第1无机化合物层176后,在其上形成第2无机化合物层177,由此可以制得转印性高、清洁性和耐久性高的中间转印体。
作为第1无机化合物层176和第2无机化合物层177的形成方法,只要是在基材175上形成第1无机化合物层176后,形成第2无机化合物层177的方法,则并不特别限定形成方法,并且可以在大气压等离子体CVD装置的上游侧形成第1无机化合物层176,在其下游侧,连续形成第2无机化合物层177。通过这样连续制膜,可以提高生产性,并提高第1无机化合物层176和第2无机化合物层177的密合性,进一步,可以制造具有耐久性的中间转印体。
此外,作为其它方式,还可以是在辊电极和固定电极中,将一个电极接地,将另一个电极接电源。这时的电源,优选使用第2电源进行细致薄膜的形成,特别是在放电气体中使用氩气等稀有气体时优选。
图4是制造中间转印体的第2制造装置的说明图。
中间转印体第2制造装置2b,在多个基材上同时形成第1或第2无机化合物层,并且主要是由在基材表面形成无机化合物层的多个成膜装置2b1和2b2所构成。
第2制造装置2b(是直接方式的变形,在对置的辊电极间进行放电和堆积薄膜的方式),具有和第1成膜装置2b1隔有规定间隙,并大致配置为镜像关系的第2成膜装置2b2、配置在第1成膜装置2b1和第2成膜装置2b2之间,并至少生成原料气体和放电气体混合气G且将混合气G供给至放电空间23b的混合气供给装置24b。
第1成膜装置2b1,具有卷绕架设环形带状的中间转印体的基材175并沿箭头方向旋转的辊电极20a和从动辊201、沿箭头方向牵引从动辊201的张力赋予设备202、和连接至辊电极20a的第1电源25,并且第2成膜装置2b2,具有卷绕架设环形带状的中间转印体的基材175并沿箭头方向旋转的辊电极20b和从动辊201、沿箭头方向牵引从动辊201的张力赋予设备202、和连接至辊电极20b的第2电源26。
此外,第2制造装置2b在辊电极20a和辊电极20b的对置区域中具有进行放电的放电空间23b。
混合气供给装置24b,将形成选自无机氧化物层、无机氮化物层、无机碳化物层中的至少一层的膜的原料气体,和氮气或氩气、氦气等稀有气体,以及控制原料气体分解的气体供给至放电空间23b。
第1电源25输出频率为ω1的电压,第2电源26输出频率为ω2的电压,并通过这些电压在放电空间23b中产生频率ω1和ω2重叠的电场V。而且,通过电场V使混合气G等离子体化(激发),将等离子体化(激发)的混合气暴露在第1成膜装置2b1的基材175和第2成膜装置2b2的基材175的表面上,并使对应于等离子体化(激发)的混合气中所含的原料气体的膜(无机化合物层)同时堆积·形成在第1成膜装置2b1的基材175和第2成膜装置2b2的基材175的表面上。
此处,对置的辊电极20a和辊电极20b隔着规定的间隙配置。
此外,作为其它方式,还可以是在辊电极20a和辊电极20b中,将一个辊电极接地,将另一个辊电极接电源。这时的电源,优选使用第2电源进行细致薄膜的形成,特别是在放电气体中使用氮气或氩气、氦气等稀有气体时优选。
下面,对在基材175上形成无机化合物层的大气压等离子体CVD装置的形态进行详细说明。
另外,下述图5是在图3的第1等离子体成膜装置2中,主要切除虚线部分的图。
图5是通过等离子体制造中间转印体的第1等离子体成膜装置的说明图。
参照图5,对适合用于形成第1无机化合物层176的大气压等离子体CVD装置的一例进行说明。
大气压等离子体CVD装置3,是具有可以装卸地卷绕架设基材并使之旋转驱动的至少1对辊,和进行等离子体放电的至少1对电极,并且在上述1对电极中,一个电极是上述1对辊中的一个辊,另一个电极是通过上述基材与上述一个辊对置的固定电极,以及使上述基材暴露在上述一个辊和上述固定电极的对置区域中所产生的等离子体中,堆积·形成上述无机化合物层的中间转印体的制造装置,并且由于,例如在使用氮气作为放电气体的情况下,通过一个电源施加高电压,并通过另一个电源施加高频率,而稳定地开始放电并持续放电,因此适合使用。
大气压等离子体CVD装置3,如前所述具有混合气供给装置24、固定电极21、第1电源25、第1滤波器25a、辊电极20、使辊电极沿箭头方向驱动旋转的驱动设备20a、第2电源26、和第2滤波器26a,并且在放电空间23中进行等离子体放电,从而使含有有机物的原料气体和放电气体混合的混合气G激发,再将激发的混合气G1暴露于基材表面175a,并在该表面上堆积·形成含有碳的无机化合物层。
然后,由第1电源25向固定电极21施加频率为ω1的第1高频电压,并由第2电源26向辊电极20施加频率为ω2的高频电压,由此,在固定电极21和辊电极20之间产生在电场强度V1中频率为ω1和在电场强度V2中频率为ω2重叠的电场,并且在固定电极21中流过电流I1,在辊电极20中流过电流I2,以及在电极间产生等离子体。
此处,频率ω1和频率ω2的关系,以及,电场强度V1与电场强度V2和放电气体开始放电的电场强强度IV的关系,满足ω1<ω2,V1≥IV>V2,或者,V1>IV≥V2,并且上述第2高频电场的输出功率密度为1W/cm2以上。
由于开始氮气放电的电场强度IV是3.7kV/mm,因此优选至少由第1电源25所施加的电场强度V1为3.7kV/mm或其以上,并且由第2电源26所施加的电场强度V2为3.7kV/mm或比其小。
此外,作为可用于第1大气压等离子体CVD装置3中的第1电源25(高频电源),可以列举
所加电源记号 制造商 频率 制品名
A1 神钢电机 3kHz SPG3-4500
A2 神钢电机 5kHz SPG5-4500
A3 春日电机 15kHz AGI-023
A4 神钢电机 50kHz SPG50-4500
A5 高强度钢(Haiden(ハイデン))研究所 100kHz* PHF-6k
A6 pearl(パ一ル)工业 200kHz CF-2000-200k
A7 pearl(パ一ル)工业 400kHz CF-2000-400k
等市售物,并且可以任意使用。
此外,作为第2电源26(高频电源),可以列举
所加电源记号 制造商 频率 制品名
B1 pearl(パ一ル)工业 800kHz CF-2000-800k
B2 pearl(パ一ル)工业 2MHz CF-2000-2M
B3 pearl(パ一ル)工业 13.56MHz CF-5000-13M
B4 pearl(パ一ル)工业 27MHz CF-2000-27M
B5 pearl(パ一ル)工业 150MHz CF-2000-150M
等市售物,并且可以任意使用。
另外,在上述电源中,*记号是高强度钢(Haiden(ハイデン))研究所的脉冲(インパルス)高频电源(在连续模式下为100kHz)。除此之外,是可以仅加上连续正弦波的高频电源。
本发明中,由第1和第2电源供给至对置电极间的电力,向固定电极21供给了1W/cm2以上的电力(输出功率密度),并激发了放电气体,由此产生等离子体,并形成薄膜。作为供给至固定电极21的电力上限值,优选为50W/cm2。下限值优选为1.2W/cm2。另外,放电面积(cm2),是指在电极中产生放电的范围的面积。
此外,在辊电极20中,通过供给1W/cm2以上的电力(输出功率密度),可以维持高频电场的均匀性,并且提高输出密度。由此,可以进一步产生均匀的高密度等离子体,并且可以进一步兼顾制膜速度的提高和膜质的提高。其优选为2W/cm2以上。供给至辊电极20的电力上限值,优选为50W/cm2。
此处,作为高频电场的波形,没有特别限制。有称为连续模式的连续正弦波状的连续振荡模式,和称为脉冲模式的间断进行ON/OFF的间断振荡模式等,并且可以采用其中任一种,但由于至少向辊电极20供给的高频为连续正弦波时,可以得到更致密的优质膜,因此优选。
在固定电极21和第1电源25之间,设置第1滤波器25a,使从第1电源25到固定电极21的电流容易通过,并使来自第2电源26的电流接地,以使从第2电源26到第1电源25的电流难以通过。此外,在辊电极20和第2电源26之间,设置第2滤波器26a,使从第2电源26到辊电极20的电流容易通过,并使来自第1电源25的电流接地,以使从第1电源25到第2电源26的电流难以通过。
优选采用可以通过在电极上施加上述强电场,而均匀地保持稳定的放电状态的电极,并且在固定电极21和辊电极20中,为了耐受由强电场产生的放电,而在至少一个电极表面上包覆下述的电介质。
在上述说明中,电极和电源的关系,可以是将第2电源26连接至固定电极21,并将第1电源25连接至辊电极20。
此外,作为其它方式,还可以是在固定电极21和辊电极20中,将一个电极接地,将另一个电极接电源。这时的电源,优选使用第2电源进行细致薄膜的形成,特别是在放电气体中使用氩气等稀有气体时优选。
图6是示出辊电极的一例的简图。
对辊电极20的结构进行说明,在图6(a)中,辊电极20,是对金属等导电性母材200a(以下,也称为“电极母材”)热喷镀陶瓷,然后通过包覆使用无机材料进行了封孔处理的陶瓷包覆处理电介质200b(以下,也简称为“电介质”)的组合而构成的。此外,作为在热喷镀中使用的陶瓷材料,可以优选使用氧化铝·氮化硅等,其中,由于氧化铝容易加工,因此更优选使用。
此外,如图6(b)所示,通过衬涂而将设置无机材料的衬涂处理电介质200B包覆在金属等导电性母材200A上的组合,也可以构成电极20’。作为衬涂材料,可以优选使用硅酸盐类玻璃、硼酸盐类玻璃、磷酸盐类玻璃、锗酸盐类玻璃、亚碲酸盐玻璃、铝酸盐玻璃、钒酸盐玻璃等,其中,由于硼酸盐类玻璃容易加工,因此更优选使用。
作为金属等导电性母材200a、200A,可以列举银、铂、不锈钢、铝、铁等金属,并且从加工的观点考虑,优选不锈钢。
此外,在本实施方式中,辊电极的母材200a、200A,使用具有通过冷却水进行的冷却设备的不锈钢制夹套辊母材(未图示)。
图7是示出固定电极的一例的简图。
在图7(a)中,方柱或方筒柱的固定电极21与上述的辊电极20一样,是在对金属等导电性母材210c热喷镀陶瓷后,通过包覆使用无机材料涂覆进行了封孔处理的陶瓷包覆处理电介质210d的组合而构成的。此外,如图7(b)所示方式,方柱或方筒柱型的固定电极21’,也可以是对金属等导电性母材210A包覆通过衬涂而设置无机材料的衬涂处理电介质210B的组合而构成的。
以下,参照图3、5,对中间转印体制造方法的工序中,在基材175上堆积·形成无机化合物层的成膜工序的例子进行说明。
图3和5中,在辊电极20和从动辊201上架设基材175后,通过张力赋予设备202的运行,在基材175上施加规定的张力,接着以规定旋转数旋转驱动辊电极20。
由混合气供给装置24生成混合气G,并排放至放电空间23。
由第1电源25输出频率为ω1的电压并施加在固定电极21上,由第2电源26输出频率为ω2的电压并施加在辊电极20上,并由这些电压在放电空间23中产生频率ω1和ω2重叠的电场V。
由电场V激发排放至放电空间23中的混合气G,并形成等离子体状态。然后,将等离子体状态的混合气G暴露于基材表面上,并通过混合气G中的原料气体在基材175上形成选自无机氧化物层、无机氮化物层、无机碳化物层中的至少一层的膜,即第1无机化合物层176。
在如此形成的第1无机化合物层上,可以同样设置第2无机化合物层177。
所谓放电气体,是指在上述条件下等离子体激发的气体,例如,氮气、氩气、氦气、氖气、氪气、氙气等以及它们的混合物等。
作为原料气体,是含有形成薄膜的成分的物质,例如,可以列举有机金属化合物、有机化合物。
例如,作为硅化合物,可以列举硅烷、四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷(TEOS)、四正丙氧基硅烷、四异丙氧基硅烷、四正丁氧基硅烷、四叔丁氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二乙基二甲氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、(3,3,3-三氟丙基)三甲氧基硅烷、六甲基二硅氧烷、双(二甲基氨基)二甲基硅烷、双(二甲基氨基)甲基乙烯基硅烷、双(乙基氨基)二甲基硅烷、N,O-双(三甲基甲硅烷基)乙酰胺、双(三甲基甲硅烷基)碳化二亚胺、二乙基氨基三甲基硅烷、二甲基氨基二甲基硅烷、六甲基二硅氨烷、六甲基环三硅氨烷、七甲基二硅氨烷、九甲基三硅氨烷、八甲基环四硅氨烷、四(二甲基氨基)硅烷、四异氰酸酯基硅烷、四甲基二硅氨烷、三(二甲基氨基)硅烷、三乙氧基氟化硅烷、烯丙基二甲基硅烷、烯丙基三甲基硅烷、苄基三甲基硅烷、双(三甲基甲硅烷基)乙炔、1,4-双三甲基甲硅烷基-1,3-丁二炔、二叔丁基硅烷、1,3-二硅杂丁烷(1,3-ジシラブタン,1,3-disilabutane)、双(三甲基甲硅烷基)甲烷、环戊二烯基三甲基硅烷、苯基二甲基硅烷、苯基三甲基硅烷、炔丙基三甲基硅烷、四甲基硅烷、三甲基甲硅烷基乙炔、1-(三甲基甲硅烷基)-1-丙烷、三(三甲基甲硅烷基)甲烷、三(三甲基甲硅烷基)硅烷、乙烯基三甲基硅烷、六甲基二硅烷、八甲基环四硅氧烷、四甲基环四硅氧烷、六甲基环四硅氧烷、M硅酸盐51等,但是并不限定于它们。
作为钛化合物,可以列举四(二甲基氨基)钛等有机金属化合物、单钛、二钛等金属氢化物、二氯化钛、三氯化钛、四氯化钛等金属卤化物、四乙氧基钛、四异丙氧基钛、四丁氧基钛等金属烷氧化物等,但是并不限定于它们。
作为铝化合物,可以列举正丁氧基铝、仲丁氧基铝、叔丁氧基铝、二异丙氧基乙酰乙酸乙酯合铝、乙氧基铝、六氟戊二酸铝(アルミニウムヘキサフルオロペンタンジオネ-ト)、异丙氧基铝、2,4-戊二酸铝III、二甲基铝氯化物等,但是并不限定于它们。
作为锌化合物,可以列举二(二(三甲基甲硅烷基)酰胺)锌、2,4-戊二酸锌、2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸锌等,但是并不限定于它们。
作为锆化合物,可以列举叔丁氧基锆、二(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸二异丙氧基锆、乙氧基锆、六氟戊二酸锆、异丙氧基锆、2-甲基-2-丁氧基锆、三氟戊二酸锆等,但是并不限定于它们。
此外,只要这些原料是形成具有上述碳含量的无机化合物层的物质,则可以单独使用,也可以将2种以上成分混合使用。
根据上述方法,使基材表面上具有至少2层以上无机化合物层,并依次设置第1无机化合物层和碳含量比该第1无机化合物层更少的第2无机化合物层,可以提供转印性高,清洁性和耐久性高的中间转印体。
该无机化合物层的碳含量,可以通过原料气体的量和控制原料气体分解的气体的量以及等离子体放电处理装置的设定条件进行调节。
如此在基材175上形成的第1无机化合物层176的碳含量,可以通过XPS法测定。
接着,通过和第1无机化合物层176相同的方法,在第1无机化合物层上形成调节为规定碳含量的第2无机化合物层177。
本发明的第1无机化合物层176的碳含量,优选为0.1原子%以上,50原子%以下(XPS测定)。
此外,第2无机化合物层177的碳含量,优选不含有碳原子,或者,比第1无机化合物层的碳含量更少。特别是第2无机化合物层的碳含量,更优选为20原子%以下(XPS测定)。
通过形成这种结构,可以是在表面具有不含碳原子,或者是碳原子含量少的第2无机化合物层的中间转印体170,并且通过在基材和第2无机化合物层之间形成碳含量比第2无机化合物层更多的第1无机化合物层,可以制造即使耐久使用,也不会产生膜破裂或剥离,并且和调色剂的脱模性优异的中间转印体170。
实施例
以下列举实施例,具体说明本发明,但本发明的实施方式并不限定于此。
1.试样的制作
(基材的制作)
如下制作基材。
聚苯硫醚树脂(E2180、东レ社制造) 100质量份
导电填料(furnace(フア一ネス)#3030B、三菱化学社制造) 16质量份
接枝共聚物(modiper(モデイパ一)A4400、日本油脂社制造) 1质量份
润滑剂(二十八碳烷酸钙) 0.2质量份
将上述材料投入单轴挤出机,熔融混炼形成树脂混合物。在单轴挤出机的前端,安装了具有狭缝状的无缝带形状出料口的环状模头,并将混炼的上述树脂混合物挤出成为无缝带形状。将挤出的无缝带形状的树脂混合物,外插至设于出料前的圆筒状冷却筒中,冷却,固化,由此得到无缝圆筒状的中间转印体。所得基材的厚度为120μm。
(无机化合物层的制作)
使用图3根据等离子体CVD法的中间转印体制造装置,在上述所得的基材上形成100nm作为第1无机化合物层。再在其上形成300nm作为第2无机化合物层。这时,包覆根据等离子体CVD法的中间转印体制造装置的各电极的电介质与对置的电极,共同由陶瓷热喷镀加工而包覆成片状1mm。包覆后的电极间隙,设定为1mm。此外,包覆电介质的金属母材,是具有使用冷却水的冷却机能的不锈钢制夹套规格,并且放电中一边由冷却水进行电极温度控制,一边实施放电。此处使用的电源是使用神钢电机制高频电源(50kHz),pearl(パ一ル)工业制高频电源(13.56MHz)。
按照表1、2所记载的用于形成各层的放电气体条件、原料分解控制气体条件、原料气体条件、高频电源输出条件(低频侧电源电力、高频侧电源电力),制作试样1-8、11-14、16-19。
此外,使用市售的真空蒸镀装置,添加含有碳原子的气体,以使在基材上形成表2所述的碳原子含量地形成100nm第1无机化合物层,并在其上形成300nm第2无机化合物层,制作试样15。
此外,作为比较例,除了表1、2所述的条件外,其余与实施例完全相同地制作试样9、10。
2.碳含量的测定
由XPS测定进行的组成分析,通过VG Scientific(サイエンテイフイツク)社制造的X线光电分光分析测定器(ESCALAB 200R)测定。
3.评价方法
(1)转印效率
在打印机中使用柯尼卡美能达(コニカミノルタ)社制造的magicolor2200,以及使用平均粒径为6.5μm的聚合调色剂,通过转印效率评价印刷2色重叠实地(ベタ)图像时一次·二次转印中的调色剂移动性。一次转印效率,是指在中间转印体上转印的调色剂图像的质量相对于在感光体上形成的调色剂图像的质量的比例。二次转印效率,是指在记录纸上转印的调色剂图像的质量相对于在中间转印体上形成的调色剂图像的质量的比例。
○:一次、二次转印效率都为90%以上。
△:一次、二次转印效率的一个为90%以上,另一个为不足90%。
×:一次、二次转印效率都不足90%。
(2)清洁性
使用上述打印机,并目视观察使用清洁刮刀清洁中间转印体表面后的中间转印体表面状态,确认调色剂的附着状态。然后,将没有调色剂附着的记为○,将附着了一点但使用时没有问题的记为△,并将使用时存在问题的记为×。
(3)耐久性试验
使用上述打印机,以5张/分钟的打印速率印刷全彩色图像,测定到带损坏时的全彩色张数。
○:即使超过机种的机器寿命,也没有表面裂缝,膜剥离。
△:在以机种的机器寿命的70%以上进行打印时,产生了表面裂缝或膜剥离。
×:在不足机种的机器寿命的70%进行打印时,产生了表面裂缝或膜剥离。
以上的试样1-19的测定结果和评价结果如表2所示。
由以上结果可知,通过使用在基材上具有含碳原子的第1无机化合物层和作为表面层不含碳原子或含有比上述第1无机化合物层更少量碳原子的第2无机化合物层的中间转印体,可以提供与调色剂的脱模性优异,转印效率提高,并且即使长期耐久使用也不会产生破裂的中间转印体,以及使用中间转印体的图像形成装置。
此外,可知通过使第2无机化合物层的碳含量为20原子%以下(XPS测定),可以得到转印效率和清洁性更优异的中间转印体。
此外,可知通过使第1无机化合物层的碳含量为0.1原子%以上,50原子%以下(XPS测定),可以得到耐久性更优异的中间转印体。
Claims (14)
1.一种中间转印体,该中间转印体含括:
基材、在基材上形成的含碳原子的第1无机化合物层和作为表面层的不含碳原子或含有比上述第1无机化合物层更少量碳原子的第2无机化合物层。
2.权利要求1所述的中间转印体,其中,采用XPS测定的上述第1无机化合物层的碳含量为0.1原子%以上,50原子%以下。
3.权利要求1所述的中间转印体,其中,采用XPS测定的上述第2无机化合物层的碳含量为20原子%以下。
4.权利要求2所述的中间转印体,其中,采用XPS测定的上述第2无机化合物层的碳含量为20原子%以下。
5.权利要求1-4中任一项所述的中间转印体,其中,上述第1无机化合物层或上述第2无机化合物层是含有选自Si、Ti、Al、Zr和Zn中的至少一种原子的化合物。
6.权利要求1-4中任一项所述的中间转印体,其中,上述第1无机化合物层和上述第2无机化合物层由含有选自Si、Ti、Al、Zr和Zn中的至少一种原子的化合物构成。
7.权利要求1-4中任一项所述的中间转印体,其中,上述第1无机化合物层或上述第2无机化合物层是无机氧化物层。
8.权利要求5所述的中间转印体,其中,上述第1无机化合物层或上述第2无机化合物层是无机氧化物层。
9.权利要求6所述的中间转印体,其中,上述第1无机化合物层或上述第2无机化合物层是无机氧化物层。
10.权利要求1-4中任一项所述的中间转印体,其中,上述第1无机化合物层和上述第2无机化合物层是无机氧化物层。
11.权利要求5所述的中间转印体,其中,上述第1无机化合物层和上述第2无机化合物层是无机氧化物层。
12.权利要求6所述的中间转印体,其中,上述第1无机化合物层和上述第2无机化合物层是无机氧化物层。
13.制造权利要求1-12中任一项所述的中间转印体的方法,其中,上述第1无机化合物层和上述第2无机化合物层的至少一层由大气压等离子体CVD法形成。
14.一种图像形成装置,该图像形成装置包括:将从图像载体的表面转印的调色剂图像进一步转印至记录介质上的中间转印体而形成的图像形成装置,其中,上述中间转印体是权利要求1-12中任一项所述的中间转印体。
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