JP2007017666A - 中間転写体、中間転写体の製造装置、中間転写体の製造方法、及び画像形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 転写性がより高く、クリーニング性及び耐久性がより高い中間転写体と、真空装置等の大がかりな設備を必要としない中間転写体の製造装置と、該中間転写体を有する画像形成装置の提供。
【解決手段】 第１のトナー画像担持体から転写されたトナー画像を担持し、担持したトナー画像が被転写物の表面に２次転写される中間転写体において、基材の表面に少なくとも１層の無機酸化物層を有し、該無機酸化物層はプラズマＣＶＤ法により形成されるものであることを特徴とする中間転写体。
【選択図】 図２

Description

本発明は、中間転写体、中間転写体の製造装置、中間転写体の製造方法、及び中間転写体を有する画像形成装置に関する。

従来より、電子写真方式を利用した複写機、プリンタ、ファクシミリ等が知られており、その画像形成装置において、第１のトナー画像担持体から第１の転写手段によってトナー画像を１次転写され、転写されたトナー画像を担持し、更に第２の転写手段によって記録紙等にトナー画像を２次転写される中間転写体を有する画像形成装置が知られている。

このような中間転写体として中間転写体の表面にシリコン酸化物や酸化アルミニウム等を被覆させることによりトナー画像の剥離性を向上させ記録紙等への転写効率向上を図るものが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開平９−２１２００４号公報

しかし、中間転写体を有する画像形成装置は２次転写時にトナー画像を１００％転写することは現時点では不可能に近く、例えば中間転写体に残留したトナーを中間転写体からブレードで掻き落とすクリーニング装置を必要としている。

特許文献１には蒸着或いはスパッタ法により金属酸化物層を形成する方法が開示されている。しかし、真空蒸着法では基材上に形成する薄膜と基材の密着性が悪く、またスパッタリング法では生成膜の生成速度が極めて遅いと共に、高分子基材上ではクラックが生じやすいという問題点があった。熱ＣＶＤにおいては基材の熱エネルギーによって原料ガスを酸化・分解して薄膜を形成する方法のため、基材を高温度にしなければならず、基材温度は３００〜５００度程度が必要となり、プラスティックフィルム上の熱ＣＶＤ法で薄膜を形成することは困難であった。また、ゾルゲル法等によるウエットコ−ティングにより金属酸化物層を形成する方法も開示されているが基材上に薄膜を形成する場合はコーティング膜の薄膜化、膜質の均一化、膜厚制御が困難であった。また、一般に気相法による形成に比べて膜が脆弱であり、長い時間で転写効率を維持することは困難であった。

本発明の目的は上述した問題点に鑑み、転写性がより高く、クリーニング性がより高い中間転写体と、真空装置等の大がかりな設備を必要としない中間転写体の製造装置と、該中間転写体を有する画像形成装置を提供することを目的とする。

本発明に係る上記目的は下記により達成される。

（１）第１のトナー画像担持体から転写されたトナー画像を担持し、担持したトナー画像が被転写物の表面に２次転写される中間転写体において、
基材の表面に少なくとも１層の無機酸化物層を有し、該無機酸化物層はプラズマＣＶＤ法により形成されるものであることを特徴とする中間転写体。

（２）前記無機酸化物層は珪素、アルミニウム、チタン、亜鉛から選ばれる酸化物を含む層であることを特徴とする（１）に記載の中間転写体。

（３）前記無機酸化物層は、大気圧または大気圧近傍下の環境で行われるプラズマＣＶＤ法により形成されるものであることを特徴とする（１）または（２）に記載の中間転写体。

（４）前記基材は無端のベルト状をなし、前記基材の上に形成される前記無機酸化物層は、外表層に位置していることを特徴とする（１）〜（３）のいずれか１項に記載の中間転写体。

（５）前記無機酸化物層は、少なくとも１対の電極の間で少なくとも前記無機酸化物層由来の原料ガスを前記基材の表面近傍で発生するプラズマ放電により励起し、励起した前記原料ガスを基材表面に晒して前記基材表面に堆積・形成されたものであることを特徴とする（１）〜（４）のいずれか１項に記載の中間転写体。

（６）前記無機酸化物層は、少なくとも前記無機酸化物層由来の原料ガスをプラズマ放電により励起して、励起した前記原料ガスを前記基材表面に噴射して前記基材表面に堆積・形成されたものであることを特徴とする（１）〜（４）のいずれか１項に記載の中間転写体。

（７）エンドレスのベルト状の中間転写体の製造装置において、
中間転写体は基材上に少なくとも無機酸化物層を有し、前記無機酸化物層を形成する第１の成膜装置は、プラズマ放電を行う少なくとも１対の電極を有し、前記１対の電極の内、一方の電極は前記基材を着脱可能に巻架して回転駆動させる少なくとも１対のローラの内の一方のローラで、他方の電極は前記一方のローラに前記基材を介して対向する固定電極であることを特徴とする中間転写体の製造装置。

（８）前記基材の表面に前記一方のローラと前記固定電極との対向領域において発生するプラズマを晒して前記無機酸化物層を堆積・形成することを特徴とする（７）に記載の中間転写体の製造装置。

（９）エンドレスのベルト状の中間転写体の製造装置において、
前記中間転写体は基材の上に少なくとも無機酸化物層を有し、前記無機酸化物層を形成する第２の成膜装置は、前記基材を着脱可能に巻架して回転駆動させる少なくとも１対のローラと、プラズマ放電を行う少なくとも１対の電極とを有し、前記１対の電極は前記１対のローラの内の一方のローラに前記基材を介して対向する少なくとも１対の固定電極であることを特徴とする前記中間転写体の製造装置。

（１０）前記基材の表面に前記少なくとも１対の固定電極の対向領域において発生するプラズマを噴射して前記無機酸化物層を堆積・形成することを特徴とする（９）に記載の中間転写体の製造装置。

（１１）円柱または円筒状の中間転写体の製造装置において、
前記中間転写体は円柱または円筒状の基材の周面に少なくとも無機酸化物層を有し、前記無機酸化物層を形成する成膜装置は、プラズマ放電を行う少なくとも１対の電極を有し、前記１対の電極の内、一方の電極は前記基材で、他方の電極は前記基材に対向する固定電極であり、前記基材の表面に前記基材と前記固定電極との対向領域において発生するプラズマを晒して前記無機酸化物層を堆積・形成することを特徴とする中間転写体の製造装置。

（１２）円柱または円筒状の中間転写体の製造装置において、
前記中間転写体は円柱または円筒状の基材の周面に少なくとも無機酸化物層を有し、前記無機酸化物層を形成する成膜装置は、前記基材の周囲に所定間隙を隔てて沿うように配設されたプラズマ放電を行う少なくとも１対の固定電極を有し、前記１対の固定電極の対向領域において発生するプラズマを前記基材の表面に噴射して前記無機酸化物層を堆積・形成することを特徴とする中間転写体の製造装置。

（１３）前記プラズマ放電を行う少なくとも１対の電極の一方に第１の電源を接続し他方に第２の電源を接続し、それぞれ出力周波数の異なる前記第１の電源及び前記第２の電源により、前記１対の電極の間に異なる周波数が重畳された電界を発生させ、該電界により無機酸化物層由来の原料ガスをプラズマ化させ、プラズマを基材表面に晒すことにより無機酸化物層を形成することを特徴とする（７）〜（１２）のいずれか１項に記載の中間転写体の製造装置。

（１４）前記プラズマ放電を行う少なくとも１対の電極の一方に第１の電源を接続し他方をアースに接続し、前記第１の電源により、前記１対の電極の間に第１の電源の出力する周波数による電界を発生させ、該電界により無機酸化物層由来の原料ガスをプラズマ化させ、プラズマを基材表面に晒すことにより無機酸化物層を形成することを特徴とする（７）〜（１２）のいずれか１項に記載の中間転写体の製造装置。

（１５）前記無機酸化物層は珪素、アルミニウム、チタン、亜鉛から選ばれる酸化物を含むものであることを特徴とする（７）〜（１４）のいずれか１項に記載の中間転写体の製造装置。

（１６）前記プラズマ放電は大気圧または大気圧近傍で行われるものであることを特徴とする（７）〜（１５）のいずれか１項に記載の中間転写体の製造装置。

（１７）最終工程としてプラズマ放電により珪素酸化物を含む無機酸化物層を形成する成膜工程を有することを特徴とする中間転写体の製造方法。

（１８）前記プラズマ放電は大気圧または大気圧近傍で行われるものであることを特徴とする（１７）に記載の中間転写体の製造方法。

（１９）（１）〜（６）に記載の中間転写体を有することを特徴とする画像形成装置。

本発明によれば次のような効果を得ることが出来る、すなわち、
（１）〜（６）に記載の、珪素酸化物を含む無機酸化物層を有する中間転写体により、転写性が高く、クリーニング性が高い中間転写体を得ることが可能となる。

（７）〜（１６）に記載の、珪素酸化物を含む無機酸化物層を大気圧または大気圧近傍下のプラズマＣＶＤ装置により形成することにより、真空装置等の大がかりな設備を必要とせず上記効果を有する中間転写体を製造する製造装置を得ることが可能となる。

（１７）、（１８）に記載の、珪素酸化物を含む無機酸化物層を大気圧または大気圧近傍下でプラズマ放電を行う最終工程で形成することにより、効率よく、転写性が高い、クリーニング性及び耐久性が高い中間転写体の製造方法を得ることが可能となる。

（１９）に記載の、（１）〜（６）に記載の中間転写体を有することにより、転写性が高く、クリーニング性及び耐久性が高い画像形成装置を提供することが可能となる。

以下に本発明の実施の形態を説明するが、本欄の記載は請求項の技術的範囲や用語の意義を限定するものではない。

本発明の中間転写体は、電子写真方式の複写機、プリンタ、ファクシミリ等の画像形成装置に好適に用いられ、感光体の表面に担持されたトナー画像をその表面に１次転写され、転写されたトナー画像を保持し、保持したトナー画像を記録紙等の被転写物の表面に２次転写するものであれば良く、ベルト状の転写体でも、ドラム状の転写体でも良い。

先ず、本発明の中間転写体を有する画像形成装置について、タンデム型フルカラー複写機を例に取り説明する。

図１は、カラー画像形成装置の１例を示す断面構成図である。

このカラー画像形成装置１は、タンデム型フルカラー複写機と称せられるもので、自動原稿送り装置１３と、原稿画像読み取り装置１４と、複数の露光手段１３Ｙ、１３Ｍ、１３Ｃ、１３Ｋと、複数組の画像形成部１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋと、中間転写体ユニット１７と、給紙手段１５及び定着手段１２４とから成る。

画像形成装置の本体１２の上部には、自動原稿送り装置１３と原稿画像読み取り装置１４が配置されており、自動原稿送り装置１３により搬送される原稿ｄの画像が原稿画像読み取り装置１４の光学系により反射・結像され、ラインイメージセンサＣＣＤにより読み込まれる。

ラインイメージセンサＣＣＤにより読み取られた原稿画像を光電変換されたアナログ信号は、図示しない画像処理部において、アナログ処理、Ａ／Ｄ変換、シェーディング補正、画像圧縮処理等を行った後、露光手段１３Ｙ、１３Ｍ、１３Ｃ、１３Ｋに各色毎のデジタル画像データとして送られ、露光手段１３Ｙ、１３Ｍ、１３Ｃ、１３Ｋにより対応する第１の像担持体としてのドラム状の感光体（以下感光体とも記す）１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋに各色の画像データの潜像を形成する。

画像形成部１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋは、垂直方向に縦列配置されており、感光体１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋの図示左側方にローラ１７１、１７２、１７３、１７４を巻回して回動可能に張架された半導電性でエンドレスベルト状の第２の像担持体である本発明の中間転写体（以下中間転写ベルトと記す）１７０が配置されている。

そして、本発明の中間転写ベルト１７０は図示しない駆動装置により回転駆動されるローラ１７１を介し矢印方向に駆動されている。

イエロー色の画像を形成する画像形成部１０Ｙは、感光体１１Ｙの周囲に配置された帯電手段１２Ｙ、露光手段１３Ｙ、現像手段１４Ｙ、１次転写手段としての１次転写ローラ１５Ｙ、クリーニング手段１６Ｙを有する。

マゼンタ色の画像を形成する画像形成部１０Ｍは、感光体１１Ｍ、帯電手段１２Ｍ、露光手段１３Ｍ、現像手段１４Ｍ、１次転写手段としての１次転写ローラ１５Ｍ、クリーニング手段１６Ｍを有する。

シアン色の画像を形成する画像形成部１０Ｃは、感光体１１Ｃ、帯電手段１２Ｃ、露光手段１３Ｃ、現像手段１４Ｃ、１次転写手段としての１次転写ローラ１５Ｃ、クリーニング手段１６Ｃを有する。

黒色画像を形成する画像形成部１０Ｋは、感光体１１Ｋ、帯電手段１２Ｋ、露光手段１３Ｋ、現像手段１４Ｋ、１次転写手段としての１次転写ローラ１５Ｋ、クリーニング手段１６Ｋを有する。

トナー補給手段１４１Ｙ、１４１Ｍ、１４１Ｃ、１４１Ｋは、現像装置１４Ｙ、１４Ｍ、１４Ｃ、１４Ｋにそれぞれ新規トナーを補給する。

ここで、１次転写ローラ１５Ｙ、１５Ｍ、１５Ｃ、１５Ｋは、図示しない制御手段により画像の種類に応じて選択的に作動され、それぞれ対応する感光体１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋに中間転写ベルト１７０を押圧し、感光体上の画像を転写する。

このようにして、画像形成部１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋにより感光体１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋ上に形成された各色の画像は、１次転写ローラ１５Ｙ、１５Ｍ、１５Ｃ、１５Ｋにより、回動する中間転写ベルト１７０上に逐次転写されて、合成されたカラー画像が形成される。

即ち、中間転写ベルトは感光体の表面に担持されたトナー画像をその表面に１次転写され、転写されたトナー画像を保持する。

また、給紙カセット１５１内に収容された記録媒体としての記録紙Ｐは、給紙手段１５により給紙され、次いで複数の中間ローラ１２２Ａ、１２２Ｂ、１２２Ｃ、１２２Ｄ、レジストローラ１２３を経て、２次転写手段としての２次転写ローラ１１７まで搬送され、２次転写ローラ１１７により中間転写体上の合成されたトナー画像が記録紙Ｐ上に一括転写される。

即ち、中間転写体上に保持したトナー画像を被転写物の表面に２次転写する。

ここで、２次転写手段６は、ここを記録紙Ｐが通過して２次転写を行なう時にのみ、記録紙Ｐを中間転写ベルト１７０に圧接させる。

カラー画像が転写された記録紙Ｐは、定着装置１２４により定着処理され、排紙ローラ１２５に挟持されて機外の排紙トレイ１２６上に載置される。

一方、２次転写ローラ１１７により記録紙Ｐにカラー画像を転写した後、記録紙Ｐを曲率分離した中間転写ベルト１７０は、クリーニング手段８により残留トナーが除去される。

次に、中間転写ベルト１７０に接する１次転写手段としての１次転写ローラ１５Ｙ、１５Ｍ、１５Ｃ、１５Ｋ、と、２次転写ローラ１１７の構成について説明する。

一次転写ローラ１５Ｙ、１５Ｍ、１５Ｃ、１５Ｋは、例えば外径８ｍｍのステンレス等の導電性芯金の周面に、ポリウレタン、ＥＰＤＭ、シリコーン等のゴム材料に、カーボン等の導電性フィラーを分散させたり、イオン性の導電材料を含有させたりして、体積抵抗が１０⁵〜１０⁹Ω・ｃｍ程度のソリッド状態または発泡スポンジ状態で、厚さが５ｍｍ、ゴム硬度が２０〜７０°程度（アスカー硬度Ｃ）の半導電弾性ゴムを被覆して形成される。

二次転写ローラ６は、例えば外径８ｍｍのステンレス等の導電性芯金の周面に、ポリウレタン、ＥＰＤＭ、シリコーン等のゴム材料に、カーボン等の導電性フィラーを分散させたり、イオン性の導電材料を含有させたりして、体積抵抗が１０⁵〜１０⁹Ω・ｃｍ程度のソリッド状態または発泡スポンジ状態で、厚さが５ｍｍ、ゴム硬度が２０〜７０°程度（アスカー硬度Ｃ）の半導電弾性ゴムを被覆して形成される。

そして、二次転写ローラ６は、一次転写ローラ１５Ｙ、１５Ｍ、１５Ｃ、１５Ｋと異なり、記録紙Ｐが無い状態ではトナーが接する可能性があるため、二次転写ローラ６の表面に半導電性のフッ素樹脂やウレタン樹脂等の離型性の良いものを被覆すると良く、ステンレス等の導電性芯金の周面に、ポリウレタン、ＥＰＤＭ、シリコーン等のゴムや樹脂材料に、カーボン等の導電性フィラーを分散させたり、イオン性の導電材料を含有させたりした半導電性材料を、厚さが０．０５〜０．５ｍｍ程度被覆して形成される。

以下に上述した中間転写ベルト１７０を例に取り本発明の中間転写体について説明する。

図２は、中間転写体の層構成を示す概念断面図である。

中間転写ベルト１７０は基材１７５と、基材１７５の表面に形成された少なくとも無機酸化物層１７６とを有している。

基材１７１は、特に限定しないが、体積抵抗が１０⁶〜１０¹²Ω・ｃｍオーダーの無端ベルトであり、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリビニリデンフルオライド（ＰＶＤＦ）、エトラフルオロエチレン−エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）等の樹脂材料やフッ素系樹脂、ＥＰＤＭ、ＮＢＲ、ＣＲ、ポリウレタン等のゴム材料にカーボン等の導電性フィラーを分散させたり、イオン性の導電材料を含有させたりしたものが用いられ、その厚みは、樹脂材料の場合５０〜２００μｍ程度、ゴム材料の場合は３００〜７００μｍ程度に設定されている。

ここで、中間転写ベルト１７０は基材１７５と無機酸化物層１７６との間に他の層を有しても良く、無機酸化物層１７６は最外表層に位置している。

また、無機酸化物層の積層前にプラズマ、火炎、紫外線照射等公知の表面処理方法により、基材表面を前処理しても良い。

そして、無機酸化物層１７６は厚さ１０〜１００ｎｍで、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂から選ばれる少なくとも１つの酸化物を含み特にＳｉＯ₂が好ましく、無機酸化物層１７６は少なくとも放電ガスと無機酸化物層由来の原料ガスとの混合ガスをプラズマ化して原料ガスに応じた膜を堆積・形成するプラズマＣＶＤ、特に大気圧または大気圧近傍下において行われるプラズマＣＶＤにより形成することが好ましい。

以下、無機酸化物層は珪素酸化物（ＳｉＯ₂）を用いた場合について説明する。

大気圧またはその近傍の圧力とは２０ｋＰａ〜１１０ｋＰａ程度であり、本発明に記載の良好な効果を得るためには、９３ｋＰａ〜１０４ｋＰａが好ましい。

以下に中間転写体の層を大気圧プラズマＣＶＤにより形成する場合を例に取り、装置及び方法について説明する。

図３は、中間転写体を製造する製造装置の説明図である。

中間転写体の製造装置２（放電空間と薄膜堆積領域が略同一部で、プラズマを基材に晒して堆積・形成するダイレクト方式）は基材上に無機酸化物層を形成するもので、エンドレスベルト状の中間転写体の基材１７５を巻架して矢印方向に回転するロール電極２０と従動ローラ２０１、及び、基材表面に無機酸化物層を形成する成膜装置である大気圧プラズマＣＶＤ装置３より構成されている。

大気圧プラズマＣＶＤ装置３は、ロール電極２０の外周に沿って配列された少なくとも１式の固定電極２１と、固定電極２１とロール電極２０との対向領域で且つ放電が行われる放電空間２３と、少なくとも原料ガスと放電ガスとの混合ガスＧを生成して放電空間２３に混合ガスＧを供給する混合ガス供給装置２４と、放電空間２３等に空気の流入することを軽減する放電容器２９と、固定電極２１に接続された第１の電源２５と、ロール電極２０に接続された第２の電源２６と、使用済みの排ガスＧ’を排気する排気部２８とを有している。

ここで、固定電極２１に第２の電源２６、ロール電極２０に第１の電源２５を接続しても良い。

混合ガス供給装置２４は珪素酸化物を含む膜を形成する原料ガスと、窒素ガス或いはアルゴンガス等の希ガスを混合した混合ガスを放電空間２３に供給する。

また、従動ローラ２０１は張力付勢手段２０２により矢印方向に付勢され、基材１７５に所定の張力を掛けている。張力付勢手段２０２は基材１７５の掛け替え時等は張力の付勢を解除し、容易に基材１７５の掛け替え等を可能としている。

第１の電源２５は周波数ω１の電圧を出力し、第２の電源２６は周波数ω１より高い周波数ω２の電圧を出力し、これらの電圧により放電空間２３に周波数ω１とω２とが重畳された電界Ｖを発生する。そして、電界Ｖにより混合ガスＧをプラズマ化して混合ガスＧに含まれる原料ガスに応じた膜（無機酸化物層）が基材１７５の表面に堆積される。

ここで、他の形態として、ロール電極２０と固定電極２１との内、一方の電極をアースに接続して、他方の電極に電源を接続しても良い。この場合の電源は第２の電源を使用することが緻密な薄膜形成を行え好ましく、特に放電ガスにアルゴン等の希ガスを用いる場合に好ましく用いられる。

なお、複数の固定電極の内、ロール電極の回転方向下流側に位置する複数の固定電極と混合ガス供給装置で無機酸化物層を積み重ねるように堆積し、無機酸化物層の厚さを調整するようにしても良い。

また、複数の固定電極の内、ロール電極の回転方向最下流側に位置する固定電極と混合ガス供給装置で無機酸化物層を堆積し、より上流に位置する他の固定電極と混合ガス供給装置で、例えば無機酸化物層と基材との接着性を向上させる接着層等、他の層を形成しても良い。

また、無機酸化物層と基材との接着性を向上させるために、無機酸化物層を形成する固定電極と混合ガス供給装置の上流に、アルゴンや酸素或いは水素などのガスを供給するガス供給装置と固定電極を設けてプラズマ処理を行い、基材の表面１７１ａを活性化させるようにしても良い。

以上説明したように、エンドレスベルトである中間転写ベルトを１対のローラに張架し、１対のローラの内一方を１対の電極の一方の電極とし、一方の電極としたローラの外周面の外側に沿って他方の電極である少なくとも１の固定電極を設け、これら１対の電極間（固定電極とローラ電極）に大気圧または大気圧近傍下で電界を発生させプラズマ放電を行わせ、中間転写体表面に薄膜を堆積・形成する構成を取ることにより、転写性が高く、クリーニング性及び耐久性が高い中間転写体を得ることを可能としている。

図４は、中間転写体を製造する第２の製造装置の説明図である。

中間転写体の第２の製造装置２ａ（放電空間と薄膜堆積領域が異なり、プラズマを基材に噴射して堆積・形成するプラズマジェット方式）は基材上に無機酸化物層を形成するもので、エンドレスベルト状の中間転写体の基材１７５を巻架して矢印方向に回転するロール２０３と従動ローラ２０１、及び、基材表面に無機酸化物層を形成する成膜装置である大気圧プラズマＣＶＤ装置３ａより構成されている。

大気圧プラズマＣＶＤ装置３ａは前述した大気圧プラズマＣＶＤ装置３と、電極に対する電源の接続と混合ガスの供給と膜の堆積に係る部分とが異なり、以下異なる部分について説明する。

大気圧プラズマＣＶＤ装置３ａは、ロール２０３の外周に沿って配列された少なくとも１対の固定電極２１と、固定電極２１の一方の固定電極２１ａと他方の固定電極２１ｂとの対向領域で且つ放電が行われる放電空間２３ａと、少なくとも原料ガスと放電ガスとの混合ガスＧを生成して放電空間２３ａに混合ガスＧを供給する混合ガス供給装置２４ａと、放電空間２３ａ等に空気の流入することを軽減する放電容器２９と、一方の固定電極２１ａに接続された第１の電源２５と、他方の固定電極２１ｂに接続された第２の電源２６と、使用済みの排ガスＧ’を排気する排気部２８とを有している。

ここで、固定電極２１に第２の電源２６、ロール電極２０に第１の電源２５を接続しても良い。

混合ガス供給装置２４ａは少なくとも珪素酸化物の膜を形成する原料ガスと、窒素ガス或いはアルゴンガス等の希ガスを混合した混合ガスを放電空間２３ａに供給する。

第１の電源２５は周波数ω１の電圧を出力し、第２の電源２６は周波数ω１より高い周波数ω２の電圧を出力し、これらの電圧により放電空間２３ａに周波数ω１とω２とが重畳された電界Ｖを発生する。そして、電界Ｖにより混合ガスＧをプラズマ化（励起）し、プラズマ化（励起）した混合ガスを基材１７５の表面に噴射し、噴射されたプラズマ化（励起）した混合ガスに含まれる原料ガスに応じた膜（無機酸化物層）が基材１７５の表面に堆積・形成される。

更に他の形態として、１対の固定電極（２１ａ、２１ｂ）の内、一方の固定電極をアースに接続して、他方の固定電極に電源を接続しても良い。この場合の電源は第２の電源を使用することが緻密な薄膜形成を行え好ましく、特に放電ガスにアルゴン等の希ガスを用いる場合に好ましい。

中間転写体は円筒状の回転ドラムでも良く、図３及び図４において、図３のロール電極２０また図４のロール２０３を円筒状の中間転写体に置き代えても良い。

以下に基材上に無機酸化物層を形成する各種の大気圧プラズマＣＶＤ装置の形態について詳細に説明する。

なお、下記の図５、６は図３、４の破線部を主に抜き出したものである。

図５は、プラズマにより中間転写体を製造する第１の製造装置の説明図である。

図５を参照して、無機酸化物層の形成に好適に用いられる大気圧プラズマＣＶＤ装置の第１の形態の１例を説明する。

第１の大気圧プラズマＣＶＤ装置３は前述したように混合ガス供給装置２４、固定電極２１、第１の電源２５、第１のフィルタ２５ａ、ロール電極２０、ロール電極を矢印方向に駆動回転させる駆動手段２０ａ、第２の電源２６、第２のフィルタ２６ａとを有しており、前述したように放電空間２３でプラズマ放電を行わせて原料ガスと放電ガスを混合した混合ガスＧを励起させ励起した混合ガスＧ１を基材表面１７５ａに晒し、その表面に無機酸化物層を堆積・形成するものである。即ち放電空間は薄膜形成領域でもある。

そして、固定電極２１に第１の電源２５から周波数ω₁の第１の高周波電圧が印加され、ロール電極２０に第２の電源２６から周波数ω₂の高周波電圧が印加されるようになっており、それにより、固定電極２１とロール電極２０との間に電界強度Ｖ₁で周波数ω₁と電界強度Ｖ₂で周波数ω₂とが重畳された電界が発生し、固定電極２１に電流Ｉ₁が流れ、ロール電極２０に電流Ｉ₂が流れ、電極間にプラズマが発生する。

ここで、周波数ω１と周波数ω２の関係、及び、電界強度Ｖ₁と電界強度Ｖ₂および放電ガスの放電を開始する電界強強度ＩＶとの関係が、ω₁＜ω₂で、Ｖ₁≧ＩＶ＞Ｖ₂、または、Ｖ₁＞ＩＶ≧Ｖ₂を満たし、前記第２の高周波電界の出力密度が１Ｗ／ｃｍ²以上となっている。

窒素ガスの放電を開始する電界強強度ＩＶは３．７ｋＶ／ｍｍの為、少なくとも第１の電源２５から印可する電界強度Ｖ₁は３．７ｋＶ／ｍｍ、またはそれ以上とし、第２の高周波電源６０から印可する電界強度Ｖ₂は３．７ｋＶ／ｍｍ、またはそれ未満とすることが好ましい。

また、第１の大気圧プラズマＣＶＤ装置３に利用可能な第１の電源２５（高周波電源）としては、
印加電源記号 メーカー 周波数 製品名
Ａ１ 神鋼電機 ３ｋＨｚ ＳＰＧ３−４５００
Ａ２ 神鋼電機 ５ｋＨｚ ＳＰＧ５−４５００
Ａ３ 春日電機 １５ｋＨｚ ＡＧＩ−０２３
Ａ４ 神鋼電機 ５０ｋＨｚ ＳＰＧ５０−４５００
Ａ５ ハイデン研究所 １００ｋＨｚ＊ ＰＨＦ−６ｋ
Ａ６ パール工業 ２００ｋＨｚ ＣＦ−２０００−２００ｋ
Ａ７ パール工業 ４００ｋＨｚ ＣＦ−２０００−４００ｋ
等の市販のものを挙げることが出来、何れも使用することが出来る。

また、第２の電源２６（高周波電源）としては、
印加電源記号 メーカー 周波数 製品名
Ｂ１ パール工業 ８００ｋＨｚ ＣＦ−２０００−８００ｋ
Ｂ２ パール工業 ２ＭＨｚ ＣＦ−２０００−２Ｍ
Ｂ３ パール工業 １３．５６ＭＨｚ ＣＦ−５０００−１３Ｍ
Ｂ４ パール工業 ２７ＭＨｚ ＣＦ−２０００−２７Ｍ
Ｂ５ パール工業 １５０ＭＨｚ ＣＦ−２０００−１５０Ｍ
等の市販のものを挙げることが出来、何れも使用することが出来る。

なお、上記電源のうち、＊印はハイデン研究所インパルス高周波電源（連続モードで１００ｋＨｚ）である。それ以外は連続サイン波のみ印加可能な高周波電源である。

本発明において、第１及び第２の電源から対向する電極間に供給する電力は、固定電極２１に１Ｗ／ｃｍ²以上の電力（出力密度）を供給し、放電ガスを励起してプラズマを発生させ、薄膜を形成する。固定電極２１に供給する電力の上限値としては、好ましくは５０Ｗ／ｃｍ²、より好ましくは２０Ｗ／ｃｍ²である。下限値は、好ましくは１．２Ｗ／ｃｍ²である。なお、放電面積（ｃｍ²）は、電極において放電が起こる範囲の面積のことを指す。

また、ロール電極２０にも、１Ｗ／ｃｍ²以上の電力（出力密度）を供給することにより、高周波電界の均一性を維持したまま、出力密度を向上させることが出来る。これにより、更なる均一高密度プラズマを生成出来、更なる製膜速度の向上と膜質の向上が両立出来る。好ましくは５Ｗ／ｃｍ²以上である。ロール電極２０に供給する電力の上限値は、好ましくは５０Ｗ／ｃｍ²である。

ここで高周波電界の波形としては、特に限定されない。連続モードと呼ばれる連続サイン波状の連続発振モードと、パルスモードと呼ばれるＯＮ／ＯＦＦを断続的に行う断続発振モード等があり、そのどちらを採用してもよいが、少なくともロール電極２０に供給する高周波は連続サイン波の方がより緻密で良質な膜が得られるので好ましい。

また、固定電極２１と第１の電源２５との間には、第１フィルタ２５ａが設置されており、第１の電源２５から固定電極２１への電流を通過しやすくし、第２の電源２６からの電流をアースして、第２の電源２６から第１の電源２５への電流が通過しにくくなるようになっており、ロール電極２０と第２の電源２６との間には、第２フィルター２６ａが設置されており、第２の電源２６からロール電極２０への電流を通過しやすくし、第１の電源２１からの電流をアースして、第１の電源２５から第２の電源２６への電流を通過しにくくするようになっている。

電極には前述したような強い電界を印加して、均一で安定な放電状態を保つことが出来る電極を採用することが好ましく、固定電極２１とロール電極２０には強い電界による放電に耐えるため少なくとも一方の電極表面には下記の誘電体が被覆されている。

以上の説明において、電極と電源の関係は、固定電極２１に第２の電源２６を接続して、ロール電極２０に第１の電源２５を接続しても良い。

更に他の形態として、一方の電極をアースに接続しても良く、他方の電極に接続する電源は第２の電源を使用することが緻密な薄膜形成を行え好ましく、とくに放電ガスにアルゴン等の希ガスを用いる場合に好ましい。

図６は、プラズマにより中間転写体を製造する第２の製造装置の説明図である。

図６を参照して、無機酸化物層の形成に用いられる大気圧プラズマ装置の第２の形態の１例を説明する。

大気圧プラズマ装置４は、１対の固定電極２１ａ、２ｂを有し、固定電極２１ａに第１フィルタ２５ａ及び第１の電源２５が接続され、固定電極２１ｂに第２フィルター２６ａ及び第２の電源２６が接続され、ロール電極２０がアースに接続されている以外は図４の大気圧プラズマＣＶＤ装置３と同様な構成を有している。

以下に作用を説明すると、固定電極２１ａに第１の電源２５から周波数ω₁の第１の高周波電圧が印加され、固定電極２１ｂに第２の電源２６から周波数ω₂の高周波電圧が印加され、それにより、固定電極２１ａと２１ｂとの間に電界強度Ｖ₁で周波数ω₁と電界強度Ｖ₂で周波数ω₂とが重畳された電界が発生し、固定電極２１ａに電流Ｉ₁が流れ、固定電極２１ｂに電流Ｉ₂が流れ、電極間にプラズマが発生する。

そしてプラズマ化された混合ガスＧ２が薄膜形成領域４１で基材１７５表面に噴射され無機酸化物層１７６を堆積・形成する。

また、一方の電極をアースに接続しても良く、他方の電極に接続する電源は第２の電源を使用することが緻密な薄膜形成を行え好ましく、とくに放電ガスにアルゴン等の希ガスを用いる場合に好ましい。

以上説明した第１の大気圧プラズマＣＶＤ装置３或いは大気圧プラズマ装置４のような、２台の電源により異なる周波数と電圧が重畳された電界でプラズマを発生する方式は、放電ガスとして窒素を用いる場合に好ましく用いられ、第１の電源により高電圧を掛け第２の電源により高周波を掛けることにより安定して放電を開始し且つ放電を継続することができる。

図７は、ロール電極の一例を示す概略図である。

ロール電極２０（２０３）の構成について説明すると、図７（ａ）において、ロール電極２０は、金属等の導電性母材２０ａ（以下、「電極母材」ともいう。）に対しセラミックスを溶射後、無機材料を用いて封孔処理したセラミック被覆処理誘電体２０ｂ（以下、単に「誘電体」ともいう。）を被覆した組み合わせで構成されている。また、溶射に用いるセラミックス材としては、アルミナ・窒化珪素等が好ましく用いられるが、この中でもアルミナが加工し易いので、更に好ましく用いられる。

また、図７（ｂ）に示すように、金属等の導電性母材２０Ａにライニングにより無機材料を設けたライニング処理誘電体２０Ｂを被覆した組み合わせでロール電極２０’を構成してもよい。ライニング材としては、ケイ酸塩系ガラス、ホウ酸塩系ガラス、リン酸塩系ガラス、ゲルマン酸塩系ガラス、亜テルル酸塩ガラス、アルミン酸塩ガラス、バナジン酸塩ガラス等が好ましく用いられるが、この中でもホウ酸塩系ガラスが加工し易いので、更に好ましく用いられる。

金属等の導電性母材２０ａ、２０Ａとしては、銀、白金、ステンレス、アルミニウム、鉄等の金属等が挙げられるが、加工の観点からステンレスが好ましい。

尚、本実施の形態においては、ロール電極の母材２０ａ、２０Ａは、冷却水による冷却手段を有するステンレス製ジャケットロール母材を使用している（不図示）。

図８は、固定電極の一例を示す概略図である。

図８（ａ）において、角柱或いは角筒柱の固定電極２１は上記記載のロール電極２０と同様に、金属等の導電性母材２１ｃに対しセラミックスを溶射後、無機材料を用いて封孔処理したセラミック被覆処理誘電体２１ｄを被覆した組み合わせで構成されている。また、図８（ｂ）に示す様に、角柱或いは角筒柱型の固定電極２１’は金属等の導電性母材２１Ａへライニングにより無機材料を設けたライニング処理誘電体２１Ｂを被覆した組み合わせで構成してもよい。

以下に、中間転写体の製造方法の工程の内、基材上に少なくとも１つの層を形成する少なくとも１つの工程であり、最終工程に位置し、基材１７５上に無機酸化物層１７６を堆積・形成する成膜工程を、図３、５及び図４、６を参照して説明する。

図３、５において、ロール電極２０及び固定電極２１に基材１７５を張架後、張力付勢手段２０２により基材１７５に所定の張力を掛け、ロール電極２０を所定の回転数で回転駆動する。

混合ガス供給装置２４から上述した混合ガスＧを生成し、放電空間２３に放出する。

第１の電源２５から周波数ω１の電圧を出力して固定電極２１に印加し、第２の電源２６から周波数ω２の電圧を出力してロール電極２０に印加し、これらの電圧により放電空間２３に周波数ω１とω２とが重畳された電界Ｖを発生させる。

電界Ｖにより放電空間２３に放出された混合ガスＧを励起しプラズマ状態にする。そして、プラズマ状態の混合ガスＧを基材表面に晒し混合ガスＧ中の原料ガスにより珪素酸化物を含む膜、即ち無機酸化物層１７６（図５）を基材１７５上に形成する。

また図４、６において、第１の電源２５から周波数ω１の電圧を出力して固定電極２１ａに印加し、第２の電源２６から周波数ω２の電圧を出力して固定電極２１ｂに印加し、これらの電圧により放電空間２３ａに周波数ω１とω２とが重畳された電界Ｖを発生させる。

電界Ｖにより放電空間２３ａを通過する混合ガスＧを励起しプラズマ状態にして、プラズマ化された混合ガスＧ２（図６）は薄膜形成領域４１に放出され、薄膜形成領域４１で基材表面に晒される。該混合ガスＧ２中の原料ガスにより珪素酸化物の膜、即ち無機酸化物層１７６を基材１７５上に形成する。

無機酸化物層を有しない基材、プラズマＣＶＤ装置を用いない成膜法で無機酸化物層を形成した場合に対して、下記の条件で該基材に無機酸化物層を表面に形成した場合の効果について比較テストを実施したので説明する。

（１）資料の作成
下記の表１条件一覧に示す如く、下記の資料を作成した。

１）実施例１（真空プラズマＣＶＤ）
公知のプラズマＣＶＤ装置を使用して基材のポリイミドフィルム上にシリカ膜を形成した。

印加電力＝１．０ＫＷ
ＴＥＯＳ流量＝１．２ｓｌｍ（スタンダード・リットル／分）
酸素ガス流量＝２．５ｓｌｍ
成膜温度＝８０℃
膜厚＝２０ｎｍ
２）実施例２：大気圧下で図５（ダイレクト方式）に示すプラズマＣＶＤ装置で基材上にＳｉＯ₂層を成膜した。

膜厚＝２０ｎｍ
基材＝ポリイミドベルト
３）実施例３：大気圧下で図５（ダイレクト方式）に示す大気圧プラズマＣＶＤ装置で基材上にＳｉＯ₂層を成膜した。

膜厚＝１５０ｎｍ
基材＝ポリイミドベルト
４）実施例４：大気圧下で図５（ダイレクト方式）に示す大気圧プラズマＣＶＤ装置で基材上にＡｌ₂Ｏ₃層を成膜した。

膜厚＝１５０ｎｍ
基材＝ポリイミドベルト
５）実施例５：大気圧下で図５（ダイレクト方式）に示す大気圧プラズマＣＶＤ装置で基材上にＳｉＯ₂層を成膜した。

膜厚＝１５０ｎｍ
基材＝ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）ベルト
６）比較例１：無機酸化物層を形成前のポリイミド基材シート。

７）比較例２：公知の方法により真空蒸着で基材上にＳｉＯ₂層を成膜した。

膜厚＝１５０ｎｍ
基材＝ポリイミドベルト
８）比較例３：スパッタリング装置としてマグネトロンスパッタリング装置を用いスパッタリングを行った。

供給ガス アルゴンガス：５ｃｍ³／ｍ、圧力：０．６７Ｐａ、
供給電力 １．２ＫＷ
膜厚＝１５０ｎｍ
ターゲット材料＝シリコン
９）比較例４：公知の方法により塗布で基材上にＳｉＯ₂層を成膜した。

膜厚＝１５０ｎｍ
基材＝ポリイミドベルト

（２）資料の評価
以下に上記資料の評価結果を示す。

なお、画質は所定枚数画像形成を行いその間適宜サンプリングを行い用紙に形成された画像を目視し中抜け状態を確認した。そして、１０万枚の画像形成終了まで中抜けのないものを◎、５万枚の画像形成終了まで中抜けのないものを○、５万枚の画像形成終了時に中抜けが僅かなものを△、５万枚未満の画像形成で中抜けがあるものを×とした。

また、クリーニング性は所定枚数画像形成を行いその間適宜サンプリングを行い中間転写体を目視しトナーの付着状態を確認した。そして、１０万枚の画像形成終了までトナーの付着のないものを◎、５万枚の画像形成終了までトナーの付着のないものを○、５万枚の画像形成終了時にトナーの付着が僅かなものを△、５万枚未満の画像形成でトナーの付着があるものを×とした。

以上により、
１）無機酸化物層を形成しない基材単体（比較例１）では５万枚未満の画像形成で中抜け及びトナーの付着が発生することが確認され、
２）また、大気圧下のプラズマ成膜方法以外の無機酸化物層の形成（比較例２、３、４）では５万枚の画像形成終了時にトナーの付着が僅かに認められ、実技状問題のあることが確認され、基材単体及び大気圧下のプラズマＣＶＤ方法以外によるＳｉＯ₂層の形成では問題のあることが確認された。

３）それに対して、大気圧下のプラズマＣＶＤ方法によるＳｉＯ₂層或いはＡｌ₂Ｏ₃層の形成では５万枚の画像形成終了まで中抜け及びトナーの付着発生が無く、特にＳｉＯ₂層を１００ｎｍ形成した場合は１０万枚の画像形成終了まで中抜け及びトナーの付着のないことが確認され、大気圧下でプラズマＣＶＤ方法にりＳｉＯ₂層を形成することにより目的を達することができることを確認した。

４）以上説明したように、プラズマ放電成膜装置で基材表面に無機酸化物層を形成することにより中間転写体の目的の効果を奏することが確認できた。

カラー画像形成装置の１例を示す断面構成図である。 中間転写体の層構成を示す概念断面図である。 中間転写体を製造する製造装置の説明図である。 中間転写体を製造する第２の製造装置の説明図である。 プラズマにより中間転写体を製造する第１の製造装置の説明図である。 プラズマにより中間転写体を製造する第２の製造装置の説明図である。 ロール電極の一例を示す概略図である。 固定電極の一例を示す概略図である。

符号の説明

１ カラー画像形成装置
２ 中間転写体の製造装置
３ 大気圧プラズマＣＶＤ装置
４ 大気圧プラズマ装置
１７ 中間転写体ユニット
２０ ロール電極
２１ 固定電極
２３ 放電空間
２４ 混合ガス供給装置
２５ 第１の電源
２６ 第２の電源
４１ 薄膜形成領域
１１７ ２次転写ローラ
１７０ 中間転写ベルト
１７５ 基材
１７６ 無機酸化物層
２０１ 従動ローラ

Claims (19)

1. 第１のトナー画像担持体から転写されたトナー画像を担持し、担持したトナー画像が被転写物の表面に２次転写される中間転写体において、
   基材の表面に少なくとも１層の無機酸化物層を有し、該無機酸化物層はプラズマＣＶＤ法により形成されるものであることを特徴とする中間転写体。
2. 前記無機酸化物層は珪素、アルミニウム、チタン、亜鉛から選ばれる酸化物を含む層であることを特徴とする請求項１に記載の中間転写体。
3. 前記無機酸化物層は、大気圧または大気圧近傍下の環境で行われるプラズマＣＶＤ法により形成されるものであることを特徴とする請求項１または２に記載の中間転写体。
4. 前記基材は無端のベルト状をなし、前記基材の上に形成される前記無機酸化物層は、外表層に位置していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の中間転写体。
5. 前記無機酸化物層は、少なくとも１対の電極の間で少なくとも前記無機酸化物層由来の原料ガスを前記基材の表面近傍で発生するプラズマ放電により励起し、励起した前記原料ガスを基材表面に晒して前記基材表面に堆積・形成されたものであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の中間転写体。
6. 前記無機酸化物層は、少なくとも前記無機酸化物層由来の原料ガスをプラズマ放電により励起して、励起した前記原料ガスを前記基材表面に噴射して前記基材表面に堆積・形成されたものであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の中間転写体。
7. エンドレスのベルト状の中間転写体の製造装置において、
   中間転写体は基材上に少なくとも無機酸化物層を有し、前記無機酸化物層を形成する第１の成膜装置は、プラズマ放電を行う少なくとも１対の電極を有し、前記１対の電極の内、一方の電極は前記基材を着脱可能に巻架して回転駆動させる少なくとも１対のローラの内の一方のローラで、他方の電極は前記一方のローラに前記基材を介して対向する固定電極であることを特徴とする中間転写体の製造装置。
8. 前記基材の表面に前記一方のローラと前記固定電極との対向領域において発生するプラズマを晒して前記無機酸化物層を堆積・形成することを特徴とする請求項７に記載の中間転写体の製造装置。
9. エンドレスのベルト状の中間転写体の製造装置において、
   前記中間転写体は基材の上に少なくとも無機酸化物層を有し、前記無機酸化物層を形成する第２の成膜装置は、前記基材を着脱可能に巻架して回転駆動させる少なくとも１対のローラと、プラズマ放電を行う少なくとも１対の電極とを有し、前記１対の電極は前記１対のローラの内の一方のローラに前記基材を介して対向する少なくとも１対の固定電極であることを特徴とする前記中間転写体の製造装置。
10. 前記基材の表面に前記少なくとも１対の固定電極の対向領域において発生するプラズマを噴射して前記無機酸化物層を堆積・形成することを特徴とする請求項９に記載の中間転写体の製造装置。
11. 円柱または円筒状の中間転写体の製造装置において、
    前記中間転写体は円柱または円筒状の基材の周面に少なくとも無機酸化物層を有し、前記無機酸化物層を形成する成膜装置は、プラズマ放電を行う少なくとも１対の電極を有し、前記１対の電極の内、一方の電極は前記基材で、他方の電極は前記基材に対向する固定電極であり、前記基材の表面に前記基材と前記固定電極との対向領域において発生するプラズマを晒して前記無機酸化物層を堆積・形成することを特徴とする中間転写体の製造装置。
12. 円柱または円筒状の中間転写体の製造装置において、
    前記中間転写体は円柱または円筒状の基材の周面に少なくとも無機酸化物層を有し、前記無機酸化物層を形成する成膜装置は、前記基材の周囲に所定間隙を隔てて沿うように配設されたプラズマ放電を行う少なくとも１対の固定電極を有し、前記１対の固定電極の対向領域において発生するプラズマを前記基材の表面に噴射して前記無機酸化物層を堆積・形成することを特徴とする中間転写体の製造装置。
13. 前記プラズマ放電を行う少なくとも１対の電極の一方に第１の電源を接続し他方に第２の電源を接続し、それぞれ出力周波数の異なる前記第１の電源及び前記第２の電源により、前記１対の電極の間に異なる周波数が重畳された電界を発生させ、該電界により無機酸化物層由来の原料ガスをプラズマ化させ、プラズマを基材表面に晒すことにより無機酸化物層を形成することを特徴とする請求項７〜１２のいずれか１項に記載の中間転写体の製造装置。
14. 前記プラズマ放電を行う少なくとも１対の電極の一方に第１の電源を接続し他方をアースに接続し、前記第１の電源により、前記１対の電極の間に第１の電源の出力する周波数による電界を発生させ、該電界により無機酸化物層由来の原料ガスをプラズマ化させ、プラズマを基材表面に晒すことにより無機酸化物層を形成することを特徴とする請求項７〜１２のいずれか１項に記載の中間転写体の製造装置。
15. 前記無機酸化物層は珪素、アルミニウム、チタン、亜鉛から選ばれる酸化物を含むものであることを特徴とする請求項７〜１４のいずれか１項に記載の中間転写体の製造装置。
16. 前記プラズマ放電は大気圧または大気圧近傍で行われるものであることを特徴とする請求項７〜１５のいずれか１項に記載の中間転写体の製造装置。
17. 最終工程としてプラズマ放電により珪素酸化物を含む無機酸化物層を形成する成膜工程を有することを特徴とする中間転写体の製造方法。
18. 前記プラズマ放電は大気圧または大気圧近傍で行われるものであることを特徴とする請求項１７に記載の中間転写体の製造方法。
19. 請求項１〜６に記載の中間転写体を有することを特徴とする画像形成装置。

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