JP5131199B2

JP5131199B2 - 中間転写体、それを用いた画像形成方法及び画像形成装置

Info

Publication number: JP5131199B2
Application number: JP2008553042A
Authority: JP
Inventors: 健治属; 雄一郎前原
Original assignee: Konica Minolta Business Technologies Inc
Current assignee: Konica Minolta Business Technologies Inc
Priority date: 2007-01-09
Filing date: 2007-12-20
Publication date: 2013-01-30
Anticipated expiration: 2027-12-20
Also published as: JP2013029870A; WO2008084643A1; EP2104002B1; US8426090B2; EP2104002A1; CN102103348B; JPWO2008084643A1; CN102103348A; US20100054782A1; US20130302071A1; US8802336B2; CN101573666A; CN101573666B; EP2104002A4

Description

【技術分野】
【０００１】
本発明は、中間転写体、それを用いた画像形成方法及び画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子写真感光体（以下、単に感光体とも云う）の表面に担持されたトナー像を転写材に転写する方式として、中間転写体を用いた画像形成方式が知られている。この画像形成方式は、電子写真感光体から中間転写体にトナー像を１次転写した後、該トナー像を中間転写体から転写材に２次転写することで最終画像を得る方式である。この方式は、色分解された原稿画像をブラック、シアン、マゼンタ、イエロー等のトナーによる減色混合を用いて再現する、いわゆるフルカラー画像形成装置における各色トナー像を感光体から順番に中間転写体に１次転写紙、最後に全色を中間転写体から転写材に転写する多重転写方式である。
【０００３】
しかし、この中間転写体を用いた多重転写方式では、１次転写及び２次転写の二度の転写が入ることと、多色のトナー像を中間転写体上で重ね合わせ、重ね合わせたトナー像を転写材へ一括転写する方式なので、転写不良に伴う画像不良が発生しやすい。
【０００４】
一般にトナーの転写不良に対しては、トナー粒子表面をシリカ等の外添剤で表面処理することにより転写性を向上させられることが知られている。しかし、現像装置内でのトナーの攪拌部材から受けるストレスや、現像ローラ上にトナー層を形成するための規制ブレードから受けるストレス、感光体と現像ローラとの間で受けるストレス等で、トナー粒子表面からシリカが離脱したり、トナー粒子内部に埋没したりするため、良好な転写性を得られないという問題がある。
【０００５】
そこで、中間転写体の転写性を良くする目的で、中間転写体の表面エネルギーを低くし、感光体の表面エネルギーを中間転写体の表面エネルギーよりも低くすることで２次転写効率を向上させる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
又、中間転写体の表面エネルギーを低くすることで２次転写性を向上させ、更に中間転写体に弾性層を導入することと、中間転写体上でトナーの凝集を抑えて文字の中抜けを抑制するという方法が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載されている中間転写体では、中間転写体の表面エネルギーが低いために、トナーの凝集が起こりやすく、このために中抜けが多発するという問題があった。又、特許文献２に記載されている中間転写体では、継続してプリント（例えば、１０万枚）を行うと、残存トナーのクリーニング性が低下し、中間転写体表面がトナー等により汚染（トナーフィルミング）され転写された絵の質が悪くなるという問題があった。
【特許文献１】
特開平８−２１１７５５号公報
【特許文献２】
特開２００６−７９０１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、繰り返しプリントを行っても、良好な２次転写性と良好なクリーニング性を維持し、文字画像の中抜けがない高品質のトナー画像が継続して得られる中間転写体、該中間転写体を用いる画像形成方法及び画像形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
１．電子写真感光体の表面に担持されたトナー像を中間転写体に１次転写した後、該トナー像を中間転写体から転写材に２次転写する手段を有する画像形成装置に用いる中間転写体において、該中間転写体が、その最表面に無機層を有し、無機層のヨウ化メチレンに対する接触角が３０〜６０°であり、無機層のナノインデンテーション法で測定した硬度が３〜１０ＧＰａであり、前記無機層の内部応力が、プラスの領域で１００ＭＰａ以下、０．０１ＭＰａ以上であり、前記無機層が、酸化ケイ素膜で形成されたものであり、前記無機層が、大気圧プラズマＣＶＤにより形成されたものであることを特徴とする中間転写体。
【００１０】
２．前記無機層の原子間力顕微鏡で測定した１０点平均面粗さＲｚが、３０〜３００ｎｍであることを特徴とする前記１に記載の中間転写体。
【００１４】
【００１４】
３．前記中間転写体の基体が、樹脂であることを特徴とする前記１または２に記載の中間転写体。
【００１５】
４．前記中間転写体の基体の樹脂が、ポリカーボネート、ポリイミドまたはポリフェニレンサルファイドであることを特徴とする前記３に記載の中間転写体。
【００１６】
５．前記１〜４の何れか１項に記載の中間転写体を用いたことを特徴とする画像形成方法。
【００１７】
６．前記１〜４の何れか１項に記載の中間転写体を用いたことを特徴とする画像形成装置。
【００１９】
本発明の中間転写体、該中間転写体を用いる画像形成方法及び画像形成装置は、繰り返しプリントを行っても、良好な２次転写性と良好なクリーニング性を維持し、文字画像の中抜けがない高品質のトナー画像が継続して得られるという優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】中間転写体の層構成を示す概念断面図である。
【図２】ナノインデンテーション法による測定装置の一例を示す模式図である。
【図３】ナノインデンテーション法で得られた典型的な荷重−変位曲線を示す。
【図４】圧子と試料の接触している状態の模式図を示す。
【図５】幅１０ｍｍ、長さ５０ｍｍ、厚み０．１ｍｍの石英基板上に、真空蒸着法により酸化ケイ素膜を１μｍ形成したときのチャンバーの真空度と、形成される酸化ケイ素膜の前記の方法により測定した残留（内部）応力との関係を示す。
【図６】中間転写体の無機層を製造する第１の製造装置の説明図である。
【図７】中間転写体の無機層を製造する第２の製造装置の説明図である。
【図８】プラズマにより中間転写体の無機層を製造する第１のプラズマ成膜装置の説明図である。
【図９】ロール電極の一例を示す概略図である。
【図１０】固定電極の一例を示す概略図である。
【図１１】本発明の中間転写体が使用可能な画像形成装置の一例を示す断面構成図である。
【符号の説明】
【００２１】
１７０中間転写体
１７５基体
１７６無機層
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明者等は、上記問題を解決するため種々の検討を行った結果、中間転写体の表面のヨウ化メチレンに対する接触角及び硬度を特定の値に制御することで、良好な転写性と良好なクリーニング性を維持でき、文字画像の中抜けがない高品質のトナー画像を継続して得られることを見出した。
【００２３】
中間転写体の表面のヨウ化メチレンに対する接触角、硬度及び内部応力を特定の値に制御することで継続して高い転写性と良好なクリーニング性が得られ、且つ文字画像の中抜けの発生を抑制できるようになった理由はよく判っていないが、次のようなことが考えられる。
【００２４】
中間転写体の表面エネルギーを低く（ヨウ化メチレンに対する接触角を大きく）すると、中間転写体とトナーとの付着力が低下するため、転写材への転写効率（２次転写効率）が向上するが、一方でトナー同士の付着力が上がるためトナーの凝集が起こり、文字画像の中抜けが発生すると考えている。
【００２５】
逆に、中間転写体の表面エネルギーを高くすると、トナー同士の付着力が下がるため中抜けが抑制できるが、転写材への２次転写効率が悪化すると考えている。
【００２６】
一方、中間転写体の表面硬度についてであるが、感光体から中間転写体への１次転写の際、中間転写体は感光体と中間転写体の間で圧縮方向の力を受ける。このとき、感光体と中間転写体の間にトナーが介在した場合、中間転写体はトナーに押されて変形すると考えられる。ここで、中間転写体の表面が硬い場合は、この変形量が小さくなり、トナーと中間転写体との接触面積が小さくなる。つまり、中間転写体の表面を本発明で規定する硬度にすることで、トナーの離型性が良好になり中間転写体から転写材への２次転写性が向上するものと推察される。
【００２７】
そこで、本発明では、ヨウ化メチレンに対する接触角、及び表面硬度を特定の値に規定することにより２次転写性と文字の中抜けの両方を満足させることを考えた。
【００２８】
又、中間転写体は、トナーを転写材へ２次転写した後、転写されずに残った残トナーをクリーニング部材（例えばクリーニングブレード）によりクリーニングされる。中間転写体の表面が本発明で規定する特性を有すると、残トナーがクリーニング部材により良好にクリーニングされると考えた。
【００２９】
その結果、多数枚プリントしてもクリーニング不良に伴うプリント画像汚れがなく、トナーフィルミングによる転写性の低下も少なく、高品質のトナー画像を継続して得ることができる。
【００３０】
中間転写体において、文字の中抜け性能向上について鋭意検討した結果、表面エネルギーの３成分（分散成分、双極子成分、水素結合成分）の内、分散成分を高くすることで中抜け性能が向上すること、その他の双極子成分や水素結合成分は影響が小さいことが判った。更に、表面エネルギーの測定に使用する、水、ヨウ化メチレン、ブロモナフタレン（ニトロメタン）の内、表面エネルギーの分散成分についてはヨウ化メチレンの接触角の値が支配的であり、分散成分についてはこのヨウ化メチレンの接触角の値で管理可能であることが判った。そして、中間転写体の表面のヨウ化メチレンに対する接触角を３０〜６０°とすることで、中間転写体上の多色のトナー像を、一括転写材へ転写するとき、文字画像等のラインの中央部が転写されずに残る文字中抜け現象を防止することができることを見出した。
【００３１】
表面エネルギーの分散成分について更に検討を行い、中間転写体の表面エネルギーの分散成分が感光体の表面エネルギーの分散成分よりも大きければ、中抜けに対して効果があることが判った。つまり、特開平８−２１１７５５号公報に記載されているような表面エネルギー全体の大小関係（電子写真感光体の表面エネルギー≦中間転写体の表面エネルギー）ではなく、請求の範囲３項のような分散成分に限定した大小関係（電子写真感光体の表面エネルギーの分散成分≦中間転写体の表面エネルギーの分散成分）を満たすことで、中抜け性能の優れた中間転写体を提供することができることを見出した。
【００３２】
以上より、特定の値の表面エネルギー、硬度を有する中間転写体を用いることで、継続して良好な２次転写性と文字中抜け発生防止性の能を両立させることができることが判った。
【００３３】
中間転写体の無機層のヨウ化メチレンに対する接触角は、３０〜６０°であり、３５〜５０°が好ましい。
【００３４】
中間転写体の無機層のナノインデンテーション法で測定した表面硬度は、３〜１０ＧＰａであり、４〜６ＧＰａが好ましい。
【００３５】
上記範囲とすることで、クリーニング部材により傷が付かず、表面にクラックも発生することが無く、継続して高い転写性確保することができ、文字画像の中抜けの発生も防止することができる。３ＧＰａ以下では、２次転写効率向上の効果がやや小さくなる。又１１ＧＰａ以上のものでは、基体と無機層との接着不良や、無機層のひび割れが発生しやすくなる。
【００３６】
中間転写体の無機層の原子間力顕微鏡で測定した１０μ四方の１０点平均面粗さＲｚは、３０ｎｍ〜３００ｎｍが好ましく、３０ｎｍ〜２００ｎｍがより好ましい。
【００３７】
Ｒｚが３０ｎｍより小さいと、転写後に中間転写体に残ったトナーをクリーニングブレードでクリーニングするときに、摩擦が大きくなりクリーニングブレードがめくれるという問題が発生しやすい。
【００３８】
一方、Ｒｚが３００ｎｍ以上であると、クリーニングブレードでのクリーニング不良が発生するうえ、表面の凹凸により２次転写性が阻害される。
【００３９】
更に、無機層の内部応力は、プラスの領域で２００ＭＰａ以下、０．０１ＭＰａ以上であることが好ましく、１００ＭＰａ以下、０．１ＭＰａであることがより好ましい。
【００４０】
中間転写体の内部応力を上記範囲とすることで、クリーニング性を良好に維持することができる。
【００４１】
以下、本発明について詳細に説明する。
【００４２】
本発明の中間転写体は、基体の上に無機層を有するものである。
【００４３】
図１は、中間転写体の層構成の一例を示す概念断面図である。
【００４４】
図において、１７０は中間転写体、１７５は基体、１７６は無機層を示す。
【００４５】
中間転写体１７０は、基体１７５の表面に無機層１７６を有する。無機層１７６は少なくとも１層以上の層からなる。
【００４６】
次に、各層について説明する。
【００４７】
本発明における基体は、樹脂材料に導電剤を分散させてなるシームレスのベルトやドラムが好ましい。シームレスベルトの厚みは５０〜〜７００μｍが好ましく、ドラムの厚みは１ｍｍ以上が好ましい。尚、本発明において、基体としては可とう性を有するシームレスベルトがより好ましい。
【００４８】
本発明における無機層は、酸化ケイ素膜及び金属酸化物膜の内少なくとも一方の膜であることが好ましい。具体的には、酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化ケイ素、酸化チタン、酸化窒化チタン、窒化チタンまたは酸化アルミニウム等の金属酸化物膜が挙げられ、これらの中では酸化ケイ素膜が好ましい。又、それらの混合物からなる無機化合物も好ましい。
【００４９】
本発明における無機層は、１層以上あれば良い。
【００５０】
無機層の膜厚は、好ましくは１００ｎｍ〜１０００ｎｍ、より好ましくは１５０ｎｍ〜５００ｎｍ、更に好ましくは２００ｎｍ〜４００ｎｍである。
【００５１】
膜厚は、マックサイエンス社製ＭＸＰ２１を用いて測定して得られた値である。具体的な膜厚の測定は、以下の方法で行うことができる。Ｘ線源のターゲットには銅を用い、４２ｋＶ、５００ｍＡで作動させる。インシデントモノクロメータには多層膜パラボラミラーを用いる。入射スリットは０．０５ｍｍ×５ｍｍ、受光スリットは０．０３ｍｍ×２０ｍｍを用いる。２θ／θスキャン方式で０から５°をステップ幅０．００５°、１ステップ１０秒のＦＴ法にて測定を行う。得られた反射率曲線に対し、マックサイエンス社製ＲｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙＡｎａｌｙｓｉｓＰｒｏｇｒａｍＶｅｒ．１を用いてカーブフィッティングを行い、実測値とフィッティングカーブの残差平方和が最小になるように各パラメータを求める。各パラメータから積層膜の膜厚を求める。
【００５２】
無機層１７６の膜厚が１００ｎｍ未満であると耐久性や表面強度が不足するため、厚紙への転写などにより擦り傷が発生し、最終的には薄膜が不均一に摩耗し転写率の低下や転写ムラが発生しやすくなる。１０００ｎｍを越えると密着性や屈曲耐性が不足するため繰り返し使用において、割れや剥離が生じ易くなる上、成膜に必要な時間も増加するため生産上の観点からも好ましくない。
【００５３】
次に、中間転写体の特性について説明する。本発明において、表面エネルギーはヨウ化メチレンに対する接触角で表す。硬度はナノインデンテーション法により測定した値で表す。粗さは原子間力顕微鏡を用いて測定した値である。内部応力は、圧縮力を測定して得られた値である。
【００５４】
以下、表面エネルギー、硬度、粗さ、内部応力及び電子写真感光体の表面エネルギーの分散成分と基体の表面エネルギーの分散成分について説明する。
【００５５】
《ヨウ化メチレンに対する接触角》
ヨウ化メチレンに対する接触角は、常温常湿（例えば、２０℃、５０％ＲＨ）で接触角計測定装置「接触角計ＣＡ−Ｖ（協和界面科学株式会社製）」を用い、５回測定し、その平均値を接触角とする。
【００５６】
ヨウ化メチレンに対する接触角は、膜形成時に添加するガス種等で調整できる。例えば添加ガスに水素を用いると、膜中に原料に含まれるＣが多く残留し、ヨウ化メチレンに対する接触角が大きくなる傾向がある。
【００５７】
《ナノインデンテーション法により測定した硬度》
本発明に係る無機層のナノインデンテーション法により測定した硬度は、３〜１０ＧＰａ、好ましくは４〜６ＧＰａである
ナノインデンテーション法による硬度の測定方法は、微小なダイヤモンド圧子を薄膜に押し込みながら荷重と押し込み深さ（変位量）の関係を測定し、測定値から塑性変形硬さを算出する方法である。
【００５８】
特に１μｍ以下の薄膜の測定に対して、基体の物性の影響を受けにくく、又、押し込んだ際に薄膜に割れが発生しにくいという特徴を有している。一般に非常に薄い薄膜の物性測定に用いられている。
【００５９】
図２は、ナノインデンテーション法による測定装置の一例を示す模式図である。
【００６０】
図２において、３１はトランスデューサー、３２は先端形状が正三角形のダイヤモンドＢｅｒｋｏｖｉｃｈ圧子、１７０は中間転写体、１７５は基体、１７６は無機層を示す。
【００６１】
この測定装置はトランスデューサー３１と先端形状が正三角形のダイヤモンドＢｅｒｋｏｖｉｃｈ圧子３２を用いて、μＮオーダーの荷重を加えながらナノメートルの精度で変位量を測定をすることができる。この測定には例えば市販の「ＮＡＮＯＩｎｄｅｎｔｅｒＸＰ／ＤＣＭ」（ＭＴＳＳｙｓｔｅｍｓ社／ＭＳＴＮＡＮＯＩｎｓｔｕｒｕｍｅｎｔｓ社製）を用いることができる。
【００６２】
図３は、ナノインデンテーション法で得られた典型的な荷重−変位曲線を示す。
【００６３】
図４は、圧子と試料の接触している状態の模式図を示す。
【００６４】
硬さＨは、下記式（１）から求められる。
【００６５】
式（１）
Ｈ＝Ｐｍａｘ／Ａ
ここで、Ｐは、圧子に加えられた最大荷重であり、Ａは、そのときの圧子と試料間の接触射影面積である。
【００６６】
接触射影面積Ａは、図４におけるｈｃを用いて、下記式（２）で表すことができる。
【００６７】
式（２）
Ａ＝２４．５ｈｃ²
ここでｈｃは、図４に示すように接触点の周辺表面の弾性へこみにより、全体の押し込み深さｈより浅くなり、下記式（３）で表される。
【００６８】
式（３）
ｈｃ＝ｈ−ｈｓ
ここでｈｓは、弾性によるへこみの量であり、圧子の押し込み後の荷重曲線の勾配（図４の勾配Ｓ）と圧子形状から下記式（４）
式（４）
ｈｓ＝ε×Ｐ／Ｓ
と表される。
【００６９】
ここで、εは圧子形状に関する定数で、Ｂｅｒｋｏｖｉｃｈ圧子では０．７５である。
【００７０】
この様に測定装置を用いて、基体１７５上に形成した無機層１７６の表面の硬度を測定することができる。
【００７１】
測定条件
測定機：ＮＡＮＯＩｎｄｅｎｔｅｒＸＰ／ＤＣＭ（ＭＴＳＳｙｓｔｅｍｓ社製）
測定圧子：先端形状が正三角形のダイヤモンドＢｅｒｋｏｖｉｃｈ圧子
測定環境：２０℃、６０％ＲＨ
測定試料：５ｃｍ×５ｃｍの大きさに中間転写体を切断して測定試料を作製
最大荷重設定：２５μＮ
押し込み速度：最大荷重２５μＮに５ｓｅｃで達する速度で、時間に比例して加重を印加する。
【００７２】
尚、測定は各資料ともランダムに１０点測定し、その平均値をナノインデンテーション法により測定した硬度とする。
【００７３】
電源出力を大きくする、基材温度を高くするなどして、原料の分解を促進させるとより硬い膜が得られる。
【００７４】
《原子間力顕微鏡を用いて測定した表面粗さ》
本発明に係る無機層の表面粗さは、原子間力顕微鏡を用いて測定する。
【００７５】
本発明の中間転写体は、原子間力顕微鏡で測定した１０μｍ四方の表面粗さＲｚが３０〜３００ｎｍであることを特徴とする。
【００７６】
１０点平均面粗さＲｚの測定方法（ＡＦＭによる測定）の一例は以下の通りである。
【００７７】
使用する原子間力顕微鏡（ＡｔｏｍｉｃＦｏｒｃｅＭｉｃｒｏｓｃｏｐｙ：ＡＦＭ）は、セイコーインスツルメンツ社製ＳＰＩ３８００Ｎプローブステーション及びＳＰＡ５００多機能型ユニットで、約１ｃｍ角の大きさに切り取った試料を、ピエゾスキャナー上の水平な試料台上にセットし、カンチレバーを試料表面にアプローチし、原子間が働く領域に達したところで、ＸＹ方向にスキャンし、その際の試料の凹凸をＺ方向のピエゾの変位でとらえる。ピエゾスキャナーは、ＸＹ２０μｍ、Ｚ２μｍが走査可能なものを使用する。カンチレバーは、セイコーインスツルメンツ社製シリコンカンチレバーＳＩ−ＤＦ４０Ｐで、共振周波数２００〜４００ｋＨｚ、バネ定数３０〜５０Ｎ／ｍのものを用い、ＤＦＭモード（ＤｙｎａｍｉｃＦｏｒｃｅＭｏｄｅ）で測定し、測定領域１０μｍ角を、走査周波数０．５Ｈｚで測定する。又、得られた三次元データを最小二乗近似することにより、試料のわずかの傾きを補正し、基準面を求める。表面粗さの解析は、解析ソフトＳＰＩｗｉｎの「解析」メニューより表面粗さ解析を呼び出してＲｚ（１０点平均面粗さ）を算出することができ、Ｒｚは面内の１０点平均面粗さと断面プロファイルから求めた１０点平均面粗さがあり、どちらもこの解析メニューから算出できる。
【００７８】
表面粗さは、膜の形成速度を遅くすることで小さく、形成速度を速くすることで大きくすることができる。
【００７９】
《内部応力》
無機層中の内部応力の測定は、以下の方法により測定する。即ち、測定膜と同じ組成、厚みの無機層を、幅１０ｍｍ、長さ５０ｍｍ、厚み０．１ｍｍの石英基板上に同じ方法により厚み１μｍとなるよう製膜し、作製したサンプルに生じるカールをサンプルの凹部を上に向けて、ＮＥＣ三栄社製、薄膜物性評価装置ＭＨ４０００にて測定して得ることができる。一般に圧縮応力により基材に対し膜側が縮むプラスカールの場合プラスの応力とし、逆に、引っ張り応力によりマイナスカールを生じる場合マイナスの応力と表現する。
【００８０】
例えば、蒸着法、ＣＶＤ法、ゾルゲル法等により形成した無機層を有する基体は、一定条件に放置したとき、プラスカール、マイナスカールをその基材と無機層の膜質との関係で生じる。このカールは、前記無機層中に発生する応力によって、生じるもので、カールの大きいもの（プラスカール）ほど、圧縮応力が大きいということができる。
【００８１】
酸化ケイ素膜を形成した中間転写体の残留応力は、例えば真空蒸着法により酸化ケイ素膜を作製するときに、真空度を調整することで調整できる。
【００８２】
図５は、幅１０ｍｍ、長さ５０ｍｍ、厚み０．１ｍｍの石英基板上に、真空蒸着法により酸化ケイ素膜を１μｍ形成したときのチャンバーの真空度と、形成される酸化ケイ素膜の前記の方法により測定した残留（内部）応力との関係を示す。
【００８３】
図において０よりも大きく、１００ＭＰａ程度までの残留応力をもつ無機層膜が好ましいが、微調整が難しく、特に細かな制御が困難であり、この範囲内に調整できないことも多い。残留応力が小さすぎるときには、部分的に引っ張り応力となっている場合があり、膜にひびや亀裂が入りやすく耐久性のない膜となり、大きすぎる場合には割れ易く、容易に剥離してしまう膜となる。
【００８４】
《電子写真感光体の表面エネルギーの分散成分と中間転写体の表面エネルギーの分散成分》
電子写真感光体の表面エネルギーの分散成分γＤと中間転写体の表面エネルギーの分散成分γＤは、下記の方法に従って求めることができる。
【００８５】
３種の標準液体：水、ニトロメタン、ヨウ化メチレンと、被測定固体（電子写真感光体と中間転写体）との接触角を接触角測定装置「接触角計ＣＡ−Ｖ（協和界面科学株式会社製）」により５回測定し、測定値を平均し、平均接触角を得る。次に、Ｙｏｕｎｇ−Ｄｕｐｒｅの式及び拡張Ｆｏｗｋｅｓの式に基づき、固体の表面自由エネルギーの３成分を算出する。
【００８６】
Ｙｏｕｎｇ−Ｄｕｐｒｅの式ＷＳＬ＝γＬ（１＋ｃｏｓθ）
ＷＳＬ：液体／固体間の付着エネルギー
γＬ：液体の表面自由エネルギー
θ：液体／固体の接触角
拡張Ｆｏｗｋｅｓの式
ＷＳＬ＝２｛（γＳＤγＬＤ）１／２＋（γＳＰγＬＰ）１／２＋（γＳＨγＬＨ）１／２｝
γＬ＝γＬＤ＋γＬＰ＋γＬＨ：液体の表面自由エネルギー
γＳ＝γＳＤ＋γＳＰ＋γＳＨ：固体の表面自由エネルギー
γＤ、γＰ、γＨ：表面自由エネルギーの分散、双極子、水素結合成分
水、ニトロメタン、ヨウ化メチレンそれぞれの表面自由エネルギーの分散、双極子、水素結合成分は既知であることから、前記液体／固体の接触角がわかれば、固体の表面自由エネルギーの分散、双極子、水素結合成分が求められる。
【００８７】
次に、中間転写体と電子写真感光体の作製について説明する。
【００８８】
《中間転写体の作製》
本発明の中間転写体は、基体の上に無機層を有するものである。
【００８９】
以下、中間転写体の作製方法の一例を挙げて説明するが本発明はこれに限定されるものではない。
【００９０】
（基体）
本発明に用いられる基体としては、樹脂に導電剤を分散させてなるシームレスのベルトを用いることが好ましい。ベルトに用いる樹脂としては、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフッ化ビニリデン、エチレンテトラフルオロエチレン共重合体、ポリアミド及びポリフェニレンサルファイド等のいわゆるエンジニアリングプラスチック材料を用いることができ、これらの中では、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリフェニレンサルファイドが特に好ましい。
【００９１】
又、導電剤としては、カーボンブラックを使用することができる。カーボンブラックとしては、中性または酸性カーボンブラックを使用することができる。導電性フィラーの使用量は、使用する導電性フィラーの種類によっても異なるが中間転写体の体積抵抗値及び表面抵抗値が所定の範囲になるように添加すれば良く、通常、樹脂材料１００質量部に対して１０〜２０質量部、好ましくは１０〜１６質量部である。本発明に用いられる基体は、従来公知の一般的な方法により製造することが可能である。例えば、材料となる樹脂を押出機により溶融し、環状ダイやＴダイにより押し出して急冷することにより製造することができる。
【００９２】
基体は、その上に無機層を形成する前に、基体の表面をコロナ処理、火炎処理、プラズマ処理、グロー放電処理、粗面化処理、薬品処理などの表面処理を行っても良い。
【００９３】
更に、無機層１７６と基体１７５との間には、密着性の向上を目的として、アンカーコート剤層を形成しても良い。このアンカーコート剤層に用いられるアンカーコート剤としては、ポリエステル樹脂、イソシアネート樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、エチレンビニルアルコール樹脂、ビニル変性樹脂、エポキシ樹脂、変性スチレン樹脂、変性シリコーン樹脂、及びアルキルチタネート等を、１または２種以上併せて使用することができる。これらのアンカーコート剤には、従来公知の添加剤を加えることもできる。そして、上記のアンカーコート剤は、ロールコート、グラビアコート、ナイフコート、ディップコート、スプレーコート等の公知の方法により基体上にコーティングし、溶剤、希釈剤等を乾燥除去することやＵＶ硬化させることによりアンカーコーティングすることができる。上記のアンカーコート剤の塗布量としては、０．１〜５ｇ／ｍ²（乾燥状態）程度が好ましい。
【００９４】
（無機層）
次に、本発明に係る無機層を大気圧プラズマＣＶＤにより形成する装置及び方法、又使用するガスについて説明する。
【００９５】
図６は、中間転写体の無機層を製造する第１の製造装置の説明図である。
【００９６】
中間転写体の製造装置２（放電空間と薄膜堆積領域が略同一なダイレクト方式）は基体１７５上に無機層１７６を形成するもので、ベルト状の中間転写体１７０の基体１７５を巻架して矢印方向に回転するロール電極２０と従動ローラ２０１、及び、基体１７５表面に無機層１７６を形成する成膜装置である大気圧プラズマＣＶＤ装置３より構成されている。
【００９７】
大気圧プラズマＣＶＤ装置３は、ロール電極２０の外周に沿って配列された少なくとも１式の固定電極２１と、固定電極２１とロール電極２０との対向領域で且つ放電が行われる放電空間２３と、少なくとも原料ガスと放電ガスとの混合ガスＧを生成して放電空間２３に混合ガスＧを供給する混合ガス供給装置２４と、放電空間２３等に空気の流入することを軽減する放電容器２９と、ロール電極２０に接続された第１の電源２５と、固定電極２１に接続された第２の電源２６と、使用済みの排ガスＧ’を排気する排気部２８とを有している。
【００９８】
混合ガス供給装置２４は無機酸化物層、無機窒化物層から選ばれる少なくとも１つの層の膜を形成する原料ガスと、窒素ガス或いはアルゴンガス等の希ガスを混合した混合ガスを放電空間２３に供給する。又、酸化還元反応による反応促進のための酸素ガスまたは水素ガスを混合することがより好ましい。
【００９９】
又、従動ローラ２０１は張力付与手段２０２により矢印方向に牽引され、基体１７５に所定の張力を掛けている。張力付与手段２０２は基体１７５の掛け替え時等は張力の付与を解除し、容易に基体１７５の掛け替え等を可能としている。
【０１００】
第１の電源２５は周波数ω１の電圧を出力し、第２の電源２６は周波数ω２の電圧を出力し、これらの電圧により放電空間２３に周波数ω１とω２とが重畳された電界Ｖを発生する。そして、電界Ｖにより混合ガスＧをプラズマ化して混合ガスＧに含まれる原料ガスに応じた膜（無機層１７６）が基体１７５の表面に堆積される。
【０１０１】
尚、複数の固定電極の内、ロール電極の回転方向下流側に位置する複数の固定電極と混合ガス供給装置で無機層１７６を積み重ねるように堆積し、無機層１７６の厚さを調整するようにしても良い。
【０１０２】
又、複数の固定電極の内、ロール電極の回転方向最下流側に位置する固定電極と混合ガス供給装置で無機層１７６を堆積し、より上流に位置する他の固定電極と混合ガス供給装置で、例えば無機層１７６と基体１７５との接着性を向上させる接着層等、他の層を形成しても良い。
【０１０３】
又、無機層１７６と基体１７５との接着性を向上させるために、無機層１７６を形成する固定電極と混合ガス供給装置の上流に、アルゴンや酸素などのガスを供給するガス供給装置と固定電極を設けてプラズマ処理を行い、基体１７５の表面を活性化させるようにしても良い。
【０１０４】
以上説明したように、ベルト状の中間転写体を１対のローラに張架し、１対のローラの内一方を１対の電極の一方の電極とし、一方の電極としたローラの外周面の外側に沿って他方の電極である少なくとも１の固定電極を設け、これら１対の電極間に大気圧または大気圧近傍下で電界を発生させプラズマ放電を行わせ、中間転写体表面に薄膜を堆積・形成する構成を取ることにより、転写性が高く、クリーニング性及び耐久性が高い中間転写体を製造することを可能としている。
【０１０５】
図７は、中間転写体の無機層を製造する第２の製造装置の説明図である。
【０１０６】
中間転写体の第２の製造装置２ｂは複数の基体上に同時に無機層を形成するもので、主として基体表面に無機層を形成する複数の成膜装置２ｂ１及び２ｂ２より構成されている。
【０１０７】
第２の製造装置２ｂ（ダイレクト方式の変形で、対向したロール電極間で放電と薄膜堆積を行う方式）は、第１の成膜装置２ｂ１と所定の間隙を隔てて略鏡像関係に配置された第２の成膜装置２ｂ２と、第１の成膜装置２ｂ１と第２の成膜装置２ｂ２との間に配置された少なくとも原料ガスと放電ガスとの混合ガスＧを生成して放電空間２３ｂに混合ガスＧを供給する混合ガス供給装置２４ｂとを有している。
【０１０８】
第１の成膜装置２ｂ１はベルト状の中間転写体の基体１７５を巻架して矢印方向に回転するロール電極２０ａと従動ローラ２０１と矢印方向に従動ローラ２０１を牽引する張力付与手段２０２とロール電極２０ａに接続された第１の電源２５とを有し、第２の成膜装置２ｂ２はベルト状の中間転写体の基体１７５を巻架して矢印方向に回転するロール電極２０ｂと従動ローラ２０１と矢印方向に従動ローラ２０１を牽引する張力付与手段２０２とロール電極２０ｂに接続された第２の電源２６とを有している。
【０１０９】
又、第２の製造装置２ｂはロール電極２０ａとロール電極２０ｂとの対向領域に放電が行われる放電空間２３ｂを有している。
【０１１０】
混合ガス供給装置２４ｂは無機酸化物層、無機窒化物層から選ばれる少なくとも１つの層の膜を形成する原料ガスと、窒素ガス或いはアルゴンガス等の希ガスを混合した混合ガスを放電空間２３ｂに供給する。又、酸化還元反応による反応促進のための酸素ガスまたは水素ガスを混合することがより好ましい。
【０１１１】
第１の電源２５は周波数ω１の電圧を出力し、第２の電源２６は周波数ω２の電圧を出力し、これらの電圧により放電空間２３ｂに周波数ω１とω２とが重畳された電界Ｖを発生する。そして、電界Ｖにより混合ガスＧをプラズマ化（励起）し、プラズマ化（励起）した混合ガスを第１の成膜装置２ｂ１の基体１７５及び第２の成膜装置２ｂ２の基体１７５の表面に晒し、プラズマ化（励起）した混合ガスに含まれる原料ガスに応じた膜（無機層）が第１の成膜装置２ｂ１の基体１７５及び第２の成膜装置２ｂ２の基体１７５の表面に同時に堆積・形成される。
【０１１２】
ここで、対向するロール電極２０ａとロール電極２０ｂとは所定の間隙を隔てて配置されている。
【０１１３】
以下に基体１７５上に無機層１７６を形成する大気圧プラズマＣＶＤ装置の形態について詳細に説明する。
【０１１４】
尚、下記の図８は図６の主として破線部を抜き出したものである。
【０１１５】
図８は、プラズマにより中間転写体の無機層を製造する第１のプラズマ成膜装置の説明図である。
【０１１６】
図８を参照して、無機層１７６の形成に好適に用いられる大気圧プラズマＣＶＤ装置の１例を説明する。
【０１１７】
大気圧プラズマＣＶＤ装置３は、基体を着脱可能に巻架して回転駆動させる少なくとも１対のローラと、プラズマ放電を行う少なくとも１対の電極とを有し、前記１対の電極の内、一方の電極は前記１対のローラの内の一方のローラで、他方の電極は前記一方のローラに前記基体を介して対向する固定電極であり、前記一方のローラと前記固定電極との対向領域において発生するプラズマに、前記基体が晒されて前記無機層を堆積・形成される中間転写体の製造装置であり、例えば放電ガスとして窒素を用いる場合に一方の電源により高電圧を掛け他方の電源により高周波を掛けることにより安定して放電を開始し且つ放電を継続するため好適に用いられる。
【０１１８】
大気圧プラズマＣＶＤ装置３は前述したように混合ガス供給装置２４、固定電極２１、第１の電源２５、第１のフィルタ２５ａ、ロール電極２０、ロール電極を矢印方向に駆動回転させる駆動手段２０ａ、第２の電源２６、第２のフィルタ２６ａとを有しており、放電空間２３でプラズマ放電を行わせて原料ガスと放電ガスを混合した混合ガスＧを励起させ、励起した混合ガスＧ１を基体表面１７５ａに晒し、その表面に無機層１７６を堆積・形成するものである。
【０１１９】
そして、固定電極２１に第１の電源２５から周波数ω１の第１の高周波電圧が印加され、ロール電極２０に第２の電源２６から周波数ω２の高周波電圧が印加されるようになっており、それにより、固定電極２１とロール電極２０との間に電界強度Ｖ１で周波数ω１と電界強度Ｖ２で周波数ω２とが重畳された電界が発生し、固定電極２１に電流Ｉ１が流れ、ロール電極２０に電流Ｉ２が流れ、電極間にプラズマが発生する。
【０１２０】
ここで、周波数ω１と周波数ω２の関係、及び、電界強度Ｖ１と電界強度Ｖ２及び放電ガスの放電を開始する電界強強度ＩＶとの関係が、ω１＜ω２で、Ｖ１≧ＩＶ＞Ｖ２、または、Ｖ１＞ＩＶ≧Ｖ２を満たし、前記第２の高周波電界の出力密度が１Ｗ／ｃｍ²以上となっている。
【０１２１】
窒素ガスの放電を開始する電界強強度ＩＶは３．７ｋＶ／ｍｍの為、少なくとも第１の電源２５から印可する電界強度Ｖ１は３．７ｋＶ／ｍｍ、またはそれ以上とし、第２の高周波電源６０から印可する電界強度Ｖ２は３．７ｋＶ／ｍｍ、またはそれ未満とすることが好ましい。
【０１２２】
又、第１の大気圧プラズマＣＶＤ装置３に利用可能な第１の電源２５（高周波電源）としては、
印加電源記号メーカー周波数製品名
Ａ１神鋼電機３ｋＨｚＳＰＧ３−４５００
Ａ２神鋼電機５ｋＨｚＳＰＧ５−４５００
Ａ３春日電機１５ｋＨｚＡＧＩ−０２３
Ａ４神鋼電機５０ｋＨｚＳＰＧ５０−４５００
Ａ５ハイデン研究所１００ｋＨｚ＊ＰＨＦ−６ｋ
Ａ６パール工業２００ｋＨｚＣＦ−２０００−２００ｋ
Ａ７パール工業４００ｋＨｚＣＦ−２０００−４００ｋ
Ａ８ＳＥＲＥＮＩＰＳ１００〜４６０ｋＨｚＬ３００１
等の市販のものを挙げることができ、何れも使用することができる。
【０１２３】
又、第２の電源２６（高周波電源）としては、
印加電源記号メーカー周波数製品名
Ｂ１パール工業８００ｋＨｚＣＦ−２０００−８００ｋ
Ｂ２パール工業２ＭＨｚＣＦ−２０００−２Ｍ
Ｂ３パール工業１３．５６ＭＨｚＣＦ−５０００−１３Ｍ
Ｂ４パール工業２７ＭＨｚＣＦ−２０００−２７Ｍ
Ｂ５パール工業１５０ＭＨｚＣＦ−２０００−１５０Ｍ
Ｂ６パール工業２０〜９９．９ＭＨｚＲＰ−２０００−２０／１００Ｍ
等の市販のものを挙げることができ、何れも使用することができる。
【０１２４】
尚、上記電源の内、＊印はハイデン研究所インパルス高周波電源（連続モードで１００ｋＨｚ）である。それ以外は連続サイン波のみ印加可能な高周波電源である。
【０１２５】
本発明において、第１及び第２の電源から対向する電極間に供給する電力は、固定電極２１に１Ｗ／ｃｍ²以上の電力（出力密度）を供給し、放電ガスを励起してプラズマを発生させ、薄膜を形成する。固定電極２１に供給する電力の上限値としては、好ましくは５０Ｗ／ｃｍ²、より好ましくは２０Ｗ／ｃｍ²である。下限値は、好ましくは１．２Ｗ／ｃｍ²である。尚、放電面積（ｃｍ²）は、電極において放電が起こる範囲の面積のことを指す。
【０１２６】
又、ロール電極２０にも、１Ｗ／ｃｍ²以上の電力（出力密度）を供給することにより、高周波電界の均一性を維持したまま、出力密度を向上させることができる。これにより、更に均一高密度プラズマを生成でき、更に製膜速度の向上と膜質の向上が両立できる。好ましくは５Ｗ／ｃｍ²以上である。ロール電極２０に供給する電力の上限値は、好ましくは５０Ｗ／ｃｍ²である。
【０１２７】
ここで高周波電界の波形としては、特に限定されない。連続モードと呼ばれる連続サイン波状の連続発振モードと、パルスモードと呼ばれるＯＮ／ＯＦＦを断続的に行う断続発振モード等があり、そのどちらを採用してもよいが、少なくともロール電極２０に供給する高周波は連続サイン波の方がより緻密で良質な膜が得られるので好ましい。
【０１２８】
又、固定電極２１と第１の電源２５との間には、第１フィルタ２５ａが設置されており、第１の電源２５から固定電極２１への電流を通過しやすくし、第２の電源２６からの電流をアースして、第２の電源２６から第１の電源２５への電流が通過しにくくなるようになっており、ロール電極２０と第２の電源２６との間には、第２フィルタ２６ａが設置されており、第２の電源２６からロール電極２０への電流を通過しやすくし、第１の電源２１からの電流をアースして、第１の電源２５から第２の電源２６への電流を通過しにくくするようになっている。
【０１２９】
電極には前述したような強い電界を印加して、均一で安定な放電状態を保つことができる電極を採用することが好ましく、固定電極２１とロール電極２０には強い電界による放電に耐えるため少なくとも一方の電極表面には下記の誘電体が被覆されている。
【０１３０】
以上の説明において、電極と電源の関係は、固定電極２１に第２の電源２６を接続して、ロール電極２０に第１の電源２５を接続しても良い。
【０１３１】
図９は、ロール電極の一例を示す概略図である。
【０１３２】
ロール電極２０の構成について説明すると、図９（ａ）において、ロール電極２０は、金属等の導電性母材２００ａ（以下、「電極母材」とも云う。）に対しセラミックスを溶射後、無機材料を用いて封孔処理したセラミック被覆処理誘電体２００ｂ（以下、単に「誘電体」とも云う。）を被覆した組み合わせで構成されている。又、溶射に用いるセラミックス材としては、アルミナ・窒化ケイ素等が好ましく用いられるが、この中でもアルミナが加工し易いので、更に好ましく用いられる。
【０１３３】
又、図９（ｂ）に示すように、金属等の導電性母材２００Ａにライニングにより無機材料を設けたライニング処理誘電体２００Ｂを被覆した組み合わせでロール電極２０’を構成してもよい。ライニング材としては、ケイ酸塩系ガラス、ホウ酸塩系ガラス、リン酸塩系ガラス、ゲルマン酸塩系ガラス、亜テルル酸塩ガラス、アルミン酸塩ガラス、バナジン酸塩ガラス等が好ましく用いられるが、この中でもホウ酸塩系ガラスが加工し易いので、更に好ましく用いられる。
【０１３４】
金属等の導電性母材２００ａ、２００Ａとしては、銀、白金、ステンレス、アルミニウム、チタニウム、チタン合金、鉄等の金属等が挙げられるが、加工やコストの観点からステンレスが好ましい。
【０１３５】
尚、本実施の形態においては、ロール電極の母材２００ａ、２００Ａは、冷却水による冷却手段を有するステンレス製ジャケットロール母材を使用している（不図示）。
【０１３６】
図１０は、固定電極の一例を示す概略図である。
【０１３７】
図１０（ａ）において、角柱或いは角筒柱の固定電極２１及び２１ａ、２１ｂは上記記載のロール電極２０と同様に、金属等の導電性母材２１０ｃに対しセラミックスを溶射後、無機材料を用いて封孔処理したセラミック被覆処理誘電体２１０ｄを被覆した組み合わせで構成されている。又、図１０（ｂ）に示す様に、角柱或いは角筒柱型の固定電極２１’は金属等の導電性母材２１０Ａへライニングにより無機材料を設けたライニング処理誘電体２１０Ｂを被覆した組み合わせで構成してもよい。
【０１３８】
以下に、中間転写体の製造方法の工程の内、基体１７５上に無機層１７６を堆積・形成する成膜工程の例を、図６、８を参照して説明する。
【０１３９】
図６及び８において、ロール電極２０及び従動ローラ２０１に基体１７５を張架後、張力付与手段２０２の作動により基体１７５に所定の張力を掛け、次いでロール電極２０を所定の回転数で回転駆動する。
【０１４０】
混合ガス供給装置２４から混合ガスＧを生成し、放電空間２３に放出する。
【０１４１】
第１の電源２５から周波数ω１の電圧を出力して固定電極２１に印加し、第２の電源２６から周波数ω２の電圧を出力してロール電極２０に印加し、これらの電圧により放電空間２３に周波数ω１とω２とが重畳された電界Ｖを発生させる。
【０１４２】
電界Ｖにより放電空間２３に放出された混合ガスＧを励起しプラズマ状態にする。そして、基体表面にプラズマ状態の混合ガスＧを晒し混合ガスＧ中の原料ガスにより無機酸化物層、無機窒化物層から選ばれる少なくとも１つの層の膜、即ち無機層１７６を基体１７５上に形成する。
【０１４３】
この様にして形成される無機層は、複数設け、複数層からなる無機層としても良いが、当該複数層の内、最低１層は、ＸＰＳ測定による炭素原子の含有量測定で、炭素原子０．１〜２０原子％含むことが好ましく、更に当該炭素原子含有層は基体により近い層であることがより好ましい。
【０１４４】
例えば、上記の大気圧プラズマＣＶＤ装置３においては、１対の電極間（ロール電極２０と固定電極２１）で混合ガス（放電ガス）をプラズマ励起させ、このプラズマ中に存在する炭素原子を有する原料ガスをラジカル化して基体１７５の表面に晒すものである。そして、この基体１７５の表面に晒された炭素含有分子や炭素含有ラジカルが、無機層の中に含有される。
【０１４５】
放電ガスとは上記のような条件においてプラズマ励起される気体をいい、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン等及びそれらの混合物などが挙げられる。これらの中でも窒素、ヘリウム、アルゴンが好ましく用いられ、特に窒素がコストも安く好ましい。
【０１４６】
又、無機層を形成するための原料ガスとしては、常温で気体または液体の有機金属化合物、特にアルキル金属化合物や金属アルコキシド化合物、有機金属錯体化合物が用いられる。これら原料における相状態は常温常圧において必ずしも気相である必要はなく、混合ガス供給装置２４で加熱或いは減圧等により溶融、蒸発、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相でも固相でも使用可能である。
【０１４７】
原料ガスとしては、放電空間でプラズマ状態となり、薄膜を形成する成分を含有するものであり、有機金属化合物、有機化合物、無機化合物等である。
【０１４８】
例えば、ケイ素化合物として、シラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、テトラｎ−プロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラｎ−ブトキシシラン、テトラｔ−ブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメトキシシラン、ヘキサメチルジシロキサン、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）メチルビニルシラン、ビス（エチルアミノ）ジメチルシラン、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、ビス（トリメチルシリル）カルボジイミド、ジエチルアミノトリメチルシラン、ジメチルアミノジメチルシラン、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザン、ヘプタメチルジシラザン、ノナメチルトリシラザン、オクタメチルシクロテトラシラザン、テトラキスジメチルアミノシラン、テトライソシアナートシラン、テトラメチルジシラザン、トリス（ジメチルアミノ）シラン、トリエトキシフルオロシラン、アリルジメチルシラン、アリルトリメチルシラン、ベンジルトリメチルシラン、ビス（トリメチルシリル）アセチレン、１，４−ビストリメチルシリル−１，３−ブタジイン、ジ−ｔ−ブチルシラン、１，３−ジシラブタン、ビス（トリメチルシリル）メタン、シクロペンタジエニルトリメチルシラン、フェニルジメチルシラン、フェニルトリメチルシラン、プロパルギルトリメチルシラン、テトラメチルシラン、トリメチルシリルアセチレン、１−（トリメチルシリル）−１−プロピン、トリス（トリメチルシリル）メタン、トリス（トリメチルシリル）シラン、ビニルトリメチルシラン、ヘキサメチルジシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルシクロテトラシロキサン、Ｍシリケート５１などが挙げられるがこれらに限定されない。
【０１４９】
チタン化合物としては、テトラジメチルアミノチタンなどの有機金属化合物、モノチタン、ジチタンなどの金属水素化合物、二塩化チタン、三塩化チタン、四塩化チタンなどの金属ハロゲン化合物、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラブトキシチタンなどの金属アルコキシドなどが挙げられるがこれらに限定されない。
【０１５０】
アルミニウム化合物としては、アルミニウムｎ−ブトキシド、アルミニウムｓ−ブトキシド、アルミニウムｔ−ブトキシド、アルミニウムジイソプロポキシドエチルアセトアセテート、アルミニウムエトキシド、アルミニウムヘキサフルオロペンタンジオネート、アルミニウムイソプロポキシド、４−ペンタンジオネート、ジメチルアルミニウムクロライドなどが挙げられるがこれらに限定されない。
【０１５１】
又、これらの原料は、単独で用いても良いが、２種以上の成分を混合して使用するようにしても良い。
【０１５２】
又、前記のように無機層の硬度は、成膜速度や添加ガス量比などによって調整することができる。
【０１５３】
上記のような方法によって無機層１７６を基体１７５表面に形成することにより、転写性が高く、クリーニング性及び耐久性が高い中間転写体を提供することができる。
【０１５４】
《感光体の作製》
次に、支持体の外周上に、中間層、電荷発生層、電荷輸送層、光硬化膜で形成される保護層を有する感光体の作製について説明する
（支持体の準備）
本発明に用いられる支持体は、円筒状で、比抵抗が１０³Ωｃｍ以下のものが好ましい。具体例として、切削加工後表面洗浄した円筒状アルミニウムを挙げることができる。
【０１５５】
（中間層）
中間層は、バインダー、無機粒子、分散溶媒等から構成される中間層用塗布液を支持体上に塗布、乾燥して形成される。
【０１５６】
中間層のバインダーとしては、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂並びに、これらの樹脂の繰り返し単位の内の２つ以上を含む共重合体樹脂が挙げられる。これら樹脂の中ではポリアミド樹脂が、繰り返し使用に伴う残留電位増加を小さくでき好ましい。
【０１５７】
中間層用塗布液を作製する溶媒としては、添加する無機粒子を良好に分散し、ポリアミド樹脂を溶解するものが好ましい。具体的には、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブタノール、ｔ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール等の炭素数２〜４のアルコール類が、ポリアミド樹脂の溶解性と塗布性能に優れ好ましい。これらの溶媒は全溶媒中に３０〜１００質量％、好ましくは４０〜１００質量％、更に５０〜１００質量％が好ましい。前記溶媒と併用し、好ましい効果を得られる助溶媒としては、メタノール、ベンジルアルコール、トルエン、メチレンクロライド、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。
【０１５８】
中間層の膜厚は、０．２〜４０μｍが好ましく、０．３〜２０μｍがより好ましい。
【０１５９】
〈電荷発生層〉
電荷発生層は、電荷発生物質（ＣＧＭ）を含有する。その他の物質としては必要によりバインダー樹脂、その他添加剤を含有しても良い。
【０１６０】
電荷発生物質（ＣＧＭ）としては公知の電荷発生物質（ＣＧＭ）を用いることができる。例えばフタロシアニン顔料、アゾ顔料、ペリレン顔料、アズレニウム顔料等を用いることができる。
【０１６１】
電荷発生層にＣＧＭの分散媒としてバインダーを用いる場合、バインダーとしては公知の樹脂を用いることができるが、最も好ましい樹脂としてはホルマール樹脂、ブチラール樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン変性ブチラール樹脂、フェノキシ樹脂等が挙げられる。バインダー樹脂と電荷発生物質との割合は、バインダー樹脂１００質量部に対し２０〜６００質量部が好ましい。これらの樹脂を用いることにより、繰り返し使用に伴う残留電位増加を最も小さくできる。電荷発生層の膜厚は０．０１〜２μｍが好ましい。
【０１６２】
〈電荷輸送層〉
電荷輸送層は、電荷輸送物質（ＣＴＭ）及びバインダー樹脂から形成される。その他の物質としては必要により酸化防止剤等の添加剤を添加して形成しても良い。電荷輸送層の膜厚は、５〜４０μｍが好ましく、１０〜３０μｍがより好ましい。
【０１６３】
電荷輸送物質（ＣＴＭ）としては公知の電荷輸送物質（ＣＴＭ）を用いることができる。例えばトリフェニルアミン誘導体、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、ベンジジン化合物、ブタジエン化合物等を用いることができる。
【０１６４】
電荷輸送層（ＣＴＬ）に用いられる樹脂としては、例えばポリスチレン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコーン樹脂、メラミン樹脂並びに、これらの樹脂の繰り返し単位の内の２つ以上を含む共重合体樹脂。又これらの絶縁性樹脂の他、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール等の高分子有機半導体が挙げられる。
【０１６５】
これらＣＴＬのバインダーとして最も好ましいものはポリカーボネート樹脂である。ポリカーボネート樹脂はＣＴＭの分散性、電子写真特性を良好にすることにおいて、最も好ましい。バインダー樹脂と電荷輸送物質との割合は、バインダー樹脂１００質量部に対し１０〜２００質量部が好ましい。又、電荷輸送層の膜厚は１０〜４０μｍが好ましい。
【０１６６】
酸化防止剤としては、公知の化合物を用いることができ、
具体的には「Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０」（日本チバガイギー社製）を挙げることができる。
【０１６７】
次に、画像形成方法、画像形成装置について説明する。
【０１６８】
本発明の中間転写体は、電子写真方式の複写機、プリンタ、ファクシミリ等の画像形成装置に好適に用いられる。画像形成方法は、感光体の表面に担持されたトナー像をその表面に１次転写し、転写されたトナー像を保持し、保持したトナー像を記録紙等の転写材の表面に中間転写体を用いて２次転写するものであれば良い。中間転写体は、ベルト状のものでもドラム状のものでもでも良い。
【０１６９】
本発明の中間転写体を有する画像形成装置について、タンデム型フルカラー複写機を例に取り説明する。
【０１７０】
図１１は、カラー画像形成装置の１例を示す断面構成図である。
【０１７１】
このカラー画像形成装置１０は、タンデム型フルカラー複写機と称せられるもので、自動原稿送り装置１３と、原稿画像読み取り装置１４と、複数の露光手段１３Ｙ、１３Ｍ、１３Ｃ、１３Ｋと、複数組の画像形成部１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋと、中間転写体ユニット１７と、給紙手段１５及び定着手段１２４とから成る。
【０１７２】
画像形成装置の本体１２の上部には、自動原稿送り装置１３と原稿画像読み取り装置１４が配置されており、自動原稿送り装置１３により搬送される原稿ｄの画像が原稿画像読み取り装置１４の光学系により反射・結像され、ラインイメージセンサＣＣＤにより読み込まれる。
【０１７３】
ラインイメージセンサＣＣＤにより読み取られた原稿画像を光電変換されたアナログ信号は、図示しない画像処理部において、アナログ処理、Ａ／Ｄ変換、シェーディング補正、画像圧縮処理等を行った後、露光手段１３Ｙ、１３Ｍ、１３Ｃ、１３Ｋに各色毎のデジタル画像データとして送られ、露光手段１３Ｙ、１３Ｍ、１３Ｃ、１３Ｋにより対応する第１の像担持体としてのドラム状の感光体（以下感光体とも記す）１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋに各色の画像データの潜像を形成する。
【０１７４】
画像形成部１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋは、垂直方向に縦列配置されており、感光体１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋの図示左側方にローラ１７１、１７２、１７３、１７４を巻回して回動可能に張架された半導電性でベルト状の第２の像担持体である中間転写体１７０が配置されている。
【０１７５】
そして、中間転写体１７０は図示しない駆動装置により回転駆動されるローラ１７１を介し矢印方向に駆動されている。
【０１７６】
イエロー色の画像を形成する画像形成部１０Ｙは、感光体１１Ｙの周囲に配置された帯電手段１２Ｙ、露光手段１３Ｙ、現像手段１４Ｙ、１次転写手段としての１次転写ローラ１５Ｙ、クリーニング手段１６Ｙを有する。
【０１７７】
マゼンタ色の画像を形成する画像形成部１０Ｍは、感光体１１Ｍ、帯電手段１２Ｍ、露光手段１３Ｍ、現像手段１４Ｍ、１次転写手段としての１次転写ローラ１５Ｍ、クリーニング手段１６Ｍを有する。
【０１７８】
シアン色の画像を形成する画像形成部１０Ｃは、感光体１１Ｃ、帯電手段１２Ｃ、露光手段１３Ｃ、現像手段１４Ｃ、１次転写手段としての１次転写ローラ１５Ｃ、クリーニング手段１６Ｃを有する。
【０１７９】
黒色画像を形成する画像形成部１０Ｋは、感光体１１Ｋ、帯電手段１２Ｋ、露光手段１３Ｋ、現像手段１４Ｋ、１次転写手段としての１次転写ローラ１５Ｋ、クリーニング手段１６Ｋを有する。
【０１８０】
トナー補給手段１４１Ｙ、１４１Ｍ、１４１Ｃ、１４１Ｋは、現像装置１４Ｙ、１４Ｍ、１４Ｃ、１４Ｋにそれぞれ新規トナーを補給する。
【０１８１】
ここで、１次転写ローラ１５Ｙ、１５Ｍ、１５Ｃ、１５Ｋは、図示しない制御手段により画像の種類に応じて選択的に作動され、それぞれ対応する感光体１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋに中間転写体１７０を押圧し、感光体上の画像を転写する。
【０１８２】
この様にして、画像形成部１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋにより感光体１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋ上に形成された各色の画像は、１次転写ローラ１５Ｙ、１５Ｍ、１５Ｃ、１５Ｋにより、回動する中間転写体１７０上に逐次転写されて、合成されたカラー画像が形成される。
【０１８３】
即ち、中間転写体は感光体の表面に担持されたトナー画像をその表面に１次転写され、転写されたトナー画像を保持する。
【０１８４】
又、給紙カセット１５１内に収容された記録媒体としての転写材Ｐは、給紙手段１５により給紙され、次いで複数の中間ローラ１２２Ａ、１２２Ｂ、１２２Ｃ、１２２Ｄ、レジストローラ１２３を経て、２次転写手段としての２次転写ローラ１１７まで搬送され、２次転写ローラ１１７により中間転写体上の合成されたトナー画像が転写材Ｐ上に一括転写される。
【０１８５】
即ち、中間転写体上に保持したトナー画像を被転写物の表面に２次転写する。
【０１８６】
ここで、２次転写手段６は、ここを転写材Ｐが通過して２次転写を行う時にのみ、転写材Ｐを中間転写体１７０に圧接させる。
【０１８７】
カラー画像が転写された転写材Ｐは、定着装置１２４により定着処理され、排紙ローラ１２５に挟持されて機外の排紙トレイ１２６上に載置される。
【０１８８】
一方、２次転写ローラ１１７により転写材Ｐにカラー画像を転写した後、転写材Ｐを曲率分離した中間転写体１７０は、クリーニング手段８により残留トナーが除去される。
【０１８９】
ここで、中間転写体は前述したような回転するドラム状のものに置き換えても良い。
【０１９０】
次に、中間転写体１７０に接する１次転写手段としての１次転写ローラ１５Ｙ、１５Ｍ、１５Ｃ、１５Ｋ、と、２次転写ローラ１１７の構成について説明する。
【０１９１】
１次転写ローラ１５Ｙ、１５Ｍ、１５Ｃ、１５Ｋは、例えば外径８ｍｍのステンレス等の導電性芯金の周面に、ポリウレタン、ＥＰＤＭ、シリコーン等のゴム材料に、カーボン等の導電性フィラーを分散させたり、イオン性の導電材料を含有させたりして、体積抵抗が１０５〜１０９Ω・ｃｍ程度のソリッド状態または発泡スポンジ状態で、厚さが５ｍｍ、ゴム硬度が２０〜７０°程度（アスカー硬度Ｃ）の半導電弾性ゴムを被覆して形成される。
【０１９２】
２次転写ローラ１１７は、例えば外径８ｍｍのステンレス等の導電性芯金の周面に、ポリウレタン、ＥＰＤＭ、シリコーン等のゴム材料に、カーボン等の導電性フィラーを分散させたり、イオン性の導電材料を含有させたりして、体積抵抗が１０５〜１０９Ω・ｃｍ程度のソリッド状態または発泡スポンジ状態で、厚さが５ｍｍ、ゴム硬度が２０〜７０°程度（アスカー硬度Ｃ）の半導電弾性ゴムを被覆して形成される。
【０１９３】
本発明に用いられる転写材としては、トナー画像を保持する支持体で、通常画像支持体、転写材或いは転写紙と云われるものである。具体的には薄紙から厚紙までの普通紙、アート紙やコート紙等の塗工された印刷用紙、市販されている和紙やはがき用紙、ＯＨＰ用のプラスチックフィルム、布等の各種転写材を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【実施例】
【０１９４】
以下に実施例を挙げて、本発明を具体的に説明するが、本発明の実施形態はこれに限定されるものではない。
【０１９５】
《中間転写体の作製》
以下の手順で中間転写体を作製した。
【０１９６】
〈中間転写体１の作製〉
（基体の作製）
ポリフェニレンサルファイド樹脂（Ｅ２１８０、東レ社製）１００質量部
導電フィラー（ファーネス＃３０３０Ｂ、三菱化学社製）１６質量部
グラフト共重合体（モディパーＡ４４００、日本油脂社製）１質量部
滑材（モンタン酸カルシウム）０．２質量部
上記材料を単軸押出機に投入し、溶融混練して樹脂混合物とした。単軸押出機の先端にはスリット状でベルト形状の吐出口を有する環状ダイスが取り付けてあり、混練された上記樹脂混合物を、ベルト形状に押し出した。押し出されたシームレスベルト形状の樹脂混合物を、吐出先に設けた円筒状の冷却筒に外挿させて冷却し、固化することによりシームレス円筒状の中間転写体を得た。得られた基体の厚さは、１５０μｍであった。
【０１９７】
（無機層の作製）
次に、上記で作製した基体の上に、図６のプラズマ放電処理装置を用いて、無機層として１層の無機化合物層２５０ｎｍを形成した。
【０１９８】
無機層の形成材料としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウムを用いた。この時のプラズマ放電処理装置の各電極を被覆する誘電体は対向する両電極共に、セラミック溶射加工により片肉で１ｍｍ厚のアルミナを被覆したものを使用した。被覆後の電極間隙は、０．５ｍｍに設定した。又誘電体を被覆した金属母材は、冷却水による冷却機能を有するステンレス製ジャケット仕様であり、放電中は冷却水による電極温度コントロールを行いながら実施した。
【０１９９】
無機層の製膜条件を以下に示した（表１に示す。）。各原料ガスは、加熱することで蒸気を生成し、あらかじめ原料が凝集しないように余熱を行った放電ガス及び反応ガスと混合・希釈した後、放電空間への供給を行った。
【０２００】
（酸化ケイ素の無機層）
放電ガス：Ｎ₂ガス
反応ガス：Ｏ₂ガスを全ガスに対し１９体積％
原料ガス：テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を全ガスに対し０．４体積％
低周波側電源電力（神鋼電機製高周波電源（５０ｋＨｚ））：１０Ｗ／ｃｍ²
高周波側電源電力（パール工業製高周波電源（１３．５６ＭＨｚ））：５Ｗ／ｃｍ²。
【０２０１】
〈中間転写体２〜４の作製〉
中間転写体１において用いられた反応ガス、原料ガス、及び製膜速度を表１の様に変更した以外は、中間転写体１と同様にして中間転写体２〜４を作製した。
【０２０２】
〈中間転写体５の作製〉
中間転写体１において用いられた原料ガスとしてアルミニウムトリ−ｓ−ブトキシドを用い、表１の様に変更した以外は中間転写体１と同様にして中間転写体５を作製した。
【０２０３】
（酸化アルミニウムの無機層）
放電ガス：Ｎ₂ガス
反応ガス：Ｈ₂ガスを全ガスに対し４．０体積％
原料ガス：アルミニウムトリ−ｓ−ブトキシドを全ガスに対し０．０５体積％
低周波側電源電力（ハイデン研究所製インパルス高周波電源（１００ｋＨｚ））：１０Ｗ／ｃｍ²
高周波側電源電力（パール工業製広帯域高周波電源（４０．０ＭＨｚ））：５Ｗ／ｃｍ²。
【０２０４】
〈中間転写体６、７の作製〉
中間転写体１において用いられた反応ガス、原料ガス、及び製膜速度を表１の様に変更した以外は、中間転写体１と同様にして中間転写体６、７を作製した。
【０２０５】
〈中間転写体８の作製〉
サムコ社製プラズマＣＶＤ装置ＭｏｄｅｌＰＤ−２７０ＳＴＰを用いて、実施例と同様の基体上に製膜を行い、評価を実施した。製膜装置の都合から中間転写体の一部分にのみ製膜を行い、成膜された部分のみを評価するようにした。
【０２０６】
（酸化ケイ素の無機層）
放電ガス：Ｏ₂ガス０．０８ｔｏｒｒ
反応ガス：テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）５ｓｃｃｍ（ｓｔａｎｄａｒｄｃｕｂｉｃｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒｐｅｒｍｉｎｕｔｅ）
電力：１３．５６ＭＨｚで１００Ｗ
基体保持温度：６０℃
〈中間転写体９〜１１の作製〉
中間転写体１において用いられた反応ガス、原料ガス、及び製膜速度を表１の様に変更した以外は、中間転写体１と同様にして中間転写体９〜１１を作製した。
【０２０７】
〈中間転写体１２の作製〉
中間転写体１２は、上記方法で作製した基体をそのまま中間転写体として使用した。
【０２０８】
表１に、中間転写体の製造条件、ヨウ化メチレンに対する接触角、表面硬度、表面粗さ、内部応力、表面エネルギーの値を示す。
【０２０９】
【表１】
【０２１０】
尚、上記ヨウ化メチレンに対する接触角、表面硬度、表面粗さ、内部応力、表面エネルギーの値は、前記の方法により測定して求めた値である。
【０２１１】
《感光体の作製》
感光体は、基体の上に、中間層、電荷発生層、電荷輸送層を順次形成して作製した。
【０２１２】
〈基体の準備〉
外径が１００ｍｍの洗浄済みの円筒状アルミニウム基体を準備した。これを「基体１００」とする。
【０２１３】
（中間層の形成）
下記中間層塗布液を調製し、上記「基体１００」の外周に浸漬塗布法で塗布し、その後１００℃、２０分間加熱乾燥を行い、乾燥膜厚０．３μｍの中間層を形成した。
【０２１４】
ポリアミド樹脂「アミランＣＭ−８０００（東レ社製）」６０質量部
メタノール１６００質量部
（電荷発生層の形成）
下記塗布液を混合し、サンドミルを用いて１０時間分散し、電荷発生層塗布液を調製した。この電荷発生層塗布液を上記中間層の上に浸漬塗布法で塗布し、その後１００℃、２０分間加熱乾燥を行い、乾燥膜厚０．２μｍの電荷発生層を形成した。
【０２１５】
Ｙ型チタニルフタロシアニン（Ｃｕ−Ｋα特性Ｘ線によるＸ線解析の最大ピーク角度が２θで２７．３）６０質量部
シリコーン樹脂溶液「ＫＲ５２４０（１５％キシレン−ブタノール溶液：信越化学社製）」７００質量部
２−ブタノン２０００質量部
（電荷輸送層の形成）
下記塗布液を混合し、溶解して電荷輸送層塗布液を調製した。この電荷輸送層塗布液を上記電荷発生層上に浸漬塗布法で塗布し、１００℃、６０分の加熱乾燥を行い、膜厚２０μｍの電荷輸送層を形成した。
【０２１６】
電荷輸送物質（４，４′−ジメチル−４″−（α−フェニルスチリル）トリフェニルアミン）１５０質量部
ビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂「ユーピロンＺ３００（三菱ガス化学社製）」３００質量部
テトラヒドロフラン１６００質量部
トルエン４００質量部
酸化防止剤「スミライザーＢＨＴ（住友化学）」２．５質量部
尚、感光体の表面エネルギーの分散成分は、上記の測定方法で測定した結果、２９．７ｍＮ／ｍであった。
【０２１７】
《評価》
中間転写体の評価は、上記で作製した感光体を装着した画像形成装置「８０５０」（コニカミノルタビジネステクノロジーズ社製）に上記で作製した中間転写体を順番に装着し、行った。
【０２１８】
尚、画像形成には体積基準におけるメディアン粒径（Ｄ₅₀）が４．５μｍのトナーと６０μｍのコートキャリアよりなる２成分現像剤を使用した。
【０２１９】
プリント環境は、低温低湿（１０℃、２０％ＲＨ）と高温高湿（３３℃、８０％ＲＨ）で行った。転写材は、Ａ４判の上質紙（６４ｇ／ｍ²）を用いた。
【０２２０】
プリント原稿は、画素率が７％の文字画像（３ポイント、５ポイント）、カラー人物顔画像（ハーフトーンを含むドット画像）、べた白画像、べた画像がそれぞれ１／４等分にあるオリジナル画像（Ａ４判）を用いた。評価は、以下の項目について行った。尚、評価基準として、◎、○は合格、×は不合格とした。
【０２２１】
（２次転写率）
２次転写率の評価は、低温低湿（１０℃、２０％ＲＨ）環境で、初期と１６万枚プリント終了後の転写率で行った。転写率は、画素濃度が１．３０のソリッド画像（２０ｍｍ×５０ｍｍ）を形成したと時、転写材上に転写されたトナーの質量と中間転写体上に供給されるトナーの質量を求め、下記式より転写率を求めた。
【０２２２】
転写率（％）＝（転写材上に転写されたトナーの質量／中間転写体上に供給されるトナーの質量）×１００
尚、転写率は９０％以上を良好と評価した。
【０２２３】
（クリーニング性）
クリーニング性の評価は、低温低湿（１０℃、２０％ＲＨ）環境でプリントを行い、ブレードクリーニングでクリーニングした後の中間転写体の表面を目視観察し、その表面に残存するトナーの程度と、プリントして得られたプリント画像にクリーニング不良に起因する画像汚れの発生程度で評価した。
【０２２４】
尚、プリント中にブレードクリーニングのめくれの発生もクリーニング性として評価した。
【０２２５】
評価基準
◎：１６万枚まで、中間転写体上にクリーニング残トナーが認められず、プリント画像にもクリーニング不良に起因する画像汚れなし
○：１６万枚で、中間転写体上にクリーニング残トナーが認められるが、プリント画像にクリーニング不良に起因する画像汚れなし
×：１０万枚で、中間転写体上にクリーニング残トナーが認められ、プリント画像にもクリーニング不良に起因する画像汚れが有り実用上問題。
【０２２６】
（文字画像の中抜け）
文字画像の中抜けの評価は、高温高湿（３３℃、８０％ＲＨ）で初期の１０枚と１６万枚プリント終了後の１０枚を取り出し、文字画像をルーペで拡大観察して、文字画像の中抜け発生程度を評価した。
【０２２７】
評価基準
◎：文字画像の中抜けの発生が、１０枚全てのプリント画像で３個以下で良好
○：文字画像の中抜けの発生が、４個以上、１９個以下が１枚以上発生するが実用上問題なし
×：文字画像の中抜けの発生が、２０個以上が１枚以上発生し、実用上問題有り。
【０２２８】
表２に、評価結果を示す。
【０２２９】
【表２】
【０２３０】
表２の結果から明らかなように、本発明の「実施例１〜４、６〜７」の「中間転写体１〜４、６〜７」は、初期及び１６万枚プリント後の２次転写率、文字画像部の中抜け、クリーニング性の何れの評価項目も良好な結果が得られたが、比較例５は、内部応力が好ましい範囲を超えており、１６万枚プリント後の２次転写率が１０％減と、他と比べると劣化率が大きい。「比較例１〜５」の「中間転写体８〜１２」は評価項目の何れかに問題が有り、本発明の中間転写体とは明らかに異なる結果となった。

Claims

電子写真感光体の表面に担持されたトナー像を中間転写体に１次転写した後、該トナー像を中間転写体から転写材に２次転写する手段を有する画像形成装置に用いる中間転写体において、
該中間転写体が、その最表面に無機層を有し、無機層のヨウ化メチレンに対する接触角が３０〜６０°であり、無機層のナノインデンテーション法で測定した硬度が３〜１０ＧＰａであり、
前記無機層の内部応力が、プラスの領域で１００ＭＰａ以下、０．０１ＭＰａ以上であり、
前記無機層が、酸化ケイ素膜で形成されたものであり、
前記無機層が、大気圧プラズマＣＶＤにより形成されたものであることを特徴とする中間転写体。
前記無機層の原子間力顕微鏡で測定した１０点平均面粗さＲｚが、３０〜３００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の中間転写体。
前記中間転写体の基体が、樹脂であることを特徴とする請求項１または２に記載の中間転写体。
前記中間転写体の基体の樹脂が、ポリカーボネート、ポリイミドまたはポリフェニレンサルファイドであることを特徴とする請求項３に記載の中間転写体。
請求項１〜４の何れか１項に記載の中間転写体を用いたことを特徴とする画像形成方法。
請求項１〜４の何れか１項に記載の中間転写体を用いたことを特徴とする画像形成装置。