CN101285784A - 用于评定晶片边缘区域的缺陷的设备和方法及其使用 - Google Patents
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Abstract
用于评定晶片边缘区域的缺陷的设备和方法及其使用。公开了一种用于评定该晶片(6)的边缘区域中的缺陷的设备。该评定可自动地执行。特别地,该设备包括三个照相机(25,26,27),每个都设置有物镜(30),其中,第一照相机(25)被布置成与该晶片(6)的上表面(6a)上的边缘区域相对,第二照相机(26)被布置成与该晶片(6)的前表面(6b)相对,第三照相机(27)被布置成与该晶片(6)的下表面(6c)上的边缘区域相对。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于从视觉上评定晶片的边缘区域中的缺陷的设备。特别地,用于从视觉上评定晶片的边缘区域中的缺陷的设备包括被布置成与晶片的上表面的边缘区域相对的第一照相机。第二照相机被布置成与晶片的前表面相对。第三照相机被布置成与在晶片的下表面上的边缘区域相对。每个照相机具有用于获得缺陷图像的视场。
本发明还涉及一种用于从视觉上评定晶片的边缘区域中的缺陷的方法。对于用于从视觉上评定晶片的边缘区域中的缺陷的该方法,利用与晶片的上边缘相对的第一照相机、与晶片的前表面相对的第二照相机和与晶片的下边缘区域相对的第三照相机对该区域中的缺陷进行复查(review)。
本发明还涉及该设备在晶片用检查系统中的使用。该晶片用检查系统包括至少一个微观检查单元、输送装置和对准装置。还设置至少一个显示器,在该显示器上可以将获得的和/或储存的缺陷图像显示给用户。
背景技术
美国专利申请2005/0013474公开了一种也利用三个照相机检查或检验晶片的边缘区域的设备。对于该晶片边缘的检查,转动晶片,使之经过照相机多于两次。还设置用于晶片照明的明视场配置。然而,这些照相机不布置在公共的支架上,还有,为了使晶片边缘相对于照相机更好地定位,不打算使照相机靠近晶片边缘。此外,没有任何关于由这里公开的设备可以直接靠近单个缺陷、从而通过这些照相机可以获得这些缺陷的图像的启示。
美国专利申请2003/0169916公开了一种设备,该设备使用三个照相机来分别获得晶片边缘的前表面的图像和晶片边缘处两个坡口(bevel)的图像。照相机布置成:第一照相机与晶片边缘的上坡口相对,第二照相机与晶片边缘的前表面相对,第三照相机与晶片边缘的下坡口相对。照相机的取向为均以直角面对各自的相关表面。然而,该申请没有公开照相机布置在可以在相对于晶片边缘垂直的方向上移动、以将照相机定位在适于获取图像的位置的公共支架上。此外,第一照相机和第三照相机既没有设置成分别拍摄晶片边缘的上表面和下表面的图像,也没有设置成记录该处的缺陷和将缺陷显示给用户。
发明内容
因而本发明的目的是提供一种允许以简单的方式检查晶片边缘的上表面、前表面和下表面上的缺陷的设备。
通过具有权利要求1的特征的设备来实现该目的。
本发明的另一个目的是提出一种可以获得缺陷图像的方法,其中,这些缺陷位于晶片的边缘区域。该创造性的方法应能允许将被选择的缺陷显示给用户检查。
通过具有权利要求10的特征的方法来实现该目的。
本发明的另一个目的是提出在晶片检查系统中使用该用于从视觉上评定晶片的边缘区域中的缺陷的设备。
该使用具有以下优点:提供三个照相机,将对准装置与具有三个照相机的用于从视觉上评定晶片的边缘区域中的缺陷的设备相关联。第一照相机被布置成与晶片的上表面上的边缘区域相对。第二照相机被布置成与晶片的前表面相对。第三照相机被布置成与在晶片的下表面上的边缘区域相对。
用于从视觉上评定晶片的边缘区域中的缺陷的设备特别具有优势是因为:三个照相机中的至少两个被设计成可沿朝着晶片边缘的方向移动。因而可以实现照相机关于晶片边缘的上表面和晶片边缘的下表面的最佳定位。也可以将与晶片的前表面相对的照相机与其它两个照相机一起布置在公共支架上,该公共支架被设计成可在相对于晶片边缘垂直的方向上移动。还设置照明设备,该照明设备被布置成使得与照相机一起得到明视场配置。第一、第二和/或第三照相机以规定的视场大小获得晶片的边缘区域中的缺陷的图像。晶片的边缘区域中的缺陷的位置坐标已知,从而晶片根据这些坐标移动到相对于照相机的位置,由此,根据缺陷的位置,获得在晶片边缘的上表面上、或在晶片边缘的下表面上、或在晶片边缘的前表面上的缺陷的图像。
在本发明的优选实施例中,第一照相机和第三照相机相对于晶片边缘成放射状地布置在支架上。支架可相对于晶片的边缘定位,使得第一照相机与晶片边缘的上表面相对,第三照相机与晶片边缘的下表面相对。第二照相机相对于晶片的前表面是固定的。
在另一个实施例中,所有三个照相机被布置在可以在相对于晶片边缘垂直的方向上移动的支架上。
与照相机一起形成明视场配置的照明装置可以设计成,例如,如同具有漫射型透明屏幕(diffusely transparent screen)或漫射体(diffuser)的帽罩(calotte)。该帽罩基本是圆筒形并且具有至少一个凹口,以便该帽罩部分地围绕晶片的边缘。在帽罩上可以布置几个光源。因而通过几个光源和扩散型透明屏幕或帽罩的协作,实现了对晶片的边缘区域的漫射、均匀及均质的照明。
光源可以设计为白光二极管。还可为每个照相机设置其自己的光源。当布置照相机和光源时,必须注意满足明视场照明条件(照相机以来自光源的光的反射角度布置)。如果用于照相机的光源由发光二极管组成也是有利的。
如果将晶片放置(deposite)在预对准器上也是有利的,其中,预对准器将晶片布置在照相机中的一个的视场中。如果预对准器被设计成可以在Z方向上移动也是有利的,从而可以利用第二照相机确定晶片在Z坐标方向上的厚度和位置。
如果通过机器人在预对准器上放置晶片,则该方法是有利的。此外,至少第一照相机和第三照相机布置成可以在相对于晶片的前表面垂直的方向上移动,从而晶片的边缘区域进入各个照相机的视场内。根据储存的和/或确定的位置数据定位该晶片,使得晶片边缘上的缺陷与用于视觉评定的第一和/或第二和/或第三照相机的视场对准。利用这些照相机中的至少一个,根据在晶片边缘的上表面上、或晶片边缘的下表面上、或晶片边缘的前表面上的缺陷位置进行图像获取。在明视场中进行该图像获取。由该照相机获取的图像可以在显示器上显示给用户,以使用户从视觉上检查。
为了便于机器人在预对准器上放置晶片,如果至少第一照相机和第三照相机被设计成可在朝着晶片边缘的方向上移动,则是有利的。照相机朝着晶片边缘的移动可以实现在用于由机器人来放置晶片的区域上没有障碍物,因而可以最大程度地避免对晶片的损伤或晶片在预对准器上的错误放置。第一照相机和第三照相机被安装在相对于晶片边缘在垂直方向上定位的支架上,该晶片边缘在支架旁边。在这里提出的实施例中,第二照相机相对于晶片的前表面被固定地布置。也可将三个照相机都布置在公共的可移动支架上。
这三个照相机布置在一个平面中。此外,圆筒形帽罩上的发光二极管布置在另一个平面中。这两个平面相互成角度地布置,使得满足明视场配置的条件。
光源可以由发出不同波长的光的几个发光二极管形成,从而可以混合任何色光用于照明。
附图说明
下面将基于附图更详细地说明本发明的实施例及其优点,其中:
图1示出晶片用检查系统的图示;
图2示出晶片用检查系统的内部结构的示意图;
图3示出用于从视觉上检查晶片的边缘区域中的缺陷的设备的布置的图示;
图4示出用于从视觉上检查晶片的边缘区域中的缺陷的设备的一个实施例,其中,在图3之外示出控制元件;
图5示出晶片的边缘区域的放大图示和三个照相机各自与晶片的边缘区域的各区域的关联;
图6示出晶片的边缘区域的图示和照相机与该晶片的边缘区域的关联,还示出与照相机一起构成明视场配置的外部照明装置的布置;
图7示出另一个实施例,其中,利用漫射型透明屏幕对晶片的边缘区域照明;
图8a以侧视图示出晶片的照明的图示;
图8b示出晶片边缘的上表面或下表面的照明的图示,示出晶片的前表面上的视图;
图8c示出晶片边缘的上表面或下表面的照明的示意性俯视图,示出晶片的上表面或下表面上的视图;以及
图9示出晶片的示意图,其中,在晶片的边缘上象征性地绘出几个缺陷。
具体实施方式
图1示例性地示出衬底供应模块(substrate supplymodule)1和工作站3的3D图。该装置的总体外视图还示出监视器7(或显示器),其帮助用户检查通过操作者输入器(operator input)11输入的数据或监视晶片6的处理状态。此外,用于从视觉上评定晶片6的边缘区域中的缺陷的设备所得到的图像可以在显示器7上显示给用户。用于晶片检查的系统还设置有显微镜(未示出),该显微镜使得对晶片6的表面上的缺陷的微观检查成为可能。此外,可以给用户提供显微镜观察单元8,在该处用户可以观察到衬底的详细图像。可以通过两个装载口2a、2b(可以设置任何其它数目的装载口,图1中的图解不是限制性的)将晶片装入到晶片检查机器。
图2示意性地示出用于检查晶片6的系统的内部结构。衬底供应模块1与装置3横向相关联。用于晶片检查的装置3包括几个工作站9、10和12。在本实施例中,衬底供应模块1相对于装置3的取向为:可以通过一个或多个装载口2a、2b从衬底供应模块1的前部2装载衬底。使用开放设计的或闭合的盒4,通过用户手动或通过例如机器人等自动地将盒4插入到装载口2a、2b中。盒4可以填充有晶片6,也可以是空的,根据预期的工作处理而定。例如,所有盒4可以被填满,首先从一个盒中拿出晶片6,将该晶片插入到装置3中,在处理和检查之后回到同一盒4。
在工作站9、10和12执行对晶片的预定检验、核查和检查。在本实施例中,在装置3中设置三个工作站9、10和12。在工作站9、10和12之间的中央,设置将晶片6分配到不同的工作站9、10和12的转换器14。转换器14具有三个臂14a、14b和14c。第一工作站9用于从衬底供应模块接收晶片6。在第一工作站9处,来自晶片检查用系统的晶片6也可以返回到衬底供应模块。第二工作站10用于对准晶片6、确定晶片6的定位和/或用于从视觉上检查晶片6。为了对准晶片6,第二工作站10与检测施加到晶片6的标记和确定晶片的编码的测量装置相关联。测量装置15还确定晶片6在第二工作站10中离准确位置的偏差。该工作站在下文中将被称为预对准器10。测量装置15确定由三臂处理器(three-paddle handler)14在预对准器10上不准确地放置晶片所导致的晶片6的横向偏差。由预对准器10校正晶片6的偏心(center offset)。如此确定的数据被送到中央处理单元(未示出)。第三工作站12为晶片6的微观检查而设计。第三工作站12具有提供用于晶片6的微观检查的显微镜16的X、Y工作台17。X、Y工作台也可以允许Z调节。第二工作站10也与用于从视觉上检查晶片6的边缘区域中的晶片的设备22相关联。也如图2所示,用于从视觉上检查晶片6的边缘区域中的晶片的设备22可以在双箭头24的方向上移向晶片6的边缘8或远离该晶片的边缘8。
图3示出用于从视觉上检查晶片6的边缘区域中的缺陷的设备的图示。晶片6被放置在预对准器10上。如图2中已经提到的,预对准器布置在用于检查晶片6的系统中。第一照相机25、第二照相机26和第三照相机27布置在公共支架23上。公共支架23可以相对于晶片6在径向上移动。每个照相机25,26和27都设置有物镜30。由双箭头24表示移动方向。由公共支架23覆盖的距离在30mm和40mm之间。
照相机25,26和27被设计为CCD照相机。光学分辨率取决于使用的光圈的大小。晶片6的上边缘区域6a和晶片6的下边缘区域6c具有在几毫米的范围内的宽度90。要被检查的晶片的前表面6b具有大约1mm的晶片厚度。本发明的设备用于拍摄位于晶片6的上边缘区域6a、下边缘区域6c和前表面6b上的缺陷88。
图4示出本发明的设备的图示,该设备设置有调节三个照相机25,26和27的布置的机械运动的控制器40。该控制器40也控制预对准器10转动。如在对图2的说明中已经提到的,通过三臂处理器14将晶片6放置在预对准器10上。如图2所示,预对准器10还与至少一个确定晶片6的横向偏差的测量设备15相关联。可以通过三臂处理器14简单地提升和校正晶片6而校正晶片6的偏心。在所示的实施例中,用于从视觉上观察晶片6的边缘区域6a、6b或6c中的缺陷的设备的三个照相机25,26和27布置在公共支架23上。该公共支架23可以借助于平移单元45在双箭头24的方向上相对于晶片6在径向上移动。在所有三个照相机25,26和27被布置在公共支架23上的情况下,这三个照相机对应地朝向晶片6或远离晶片6地移动。预对准器10和平移单元45被布置在公共基板41上。如双箭头43所示,预对准器10也可在轴向上移动。通过预对准器10的移动,晶片6相对于照相机25,26和27的物镜30的位置可以因而被设置和/或改变。驱动组合件40由驱动单元45、驱动电子部件42和软件驱动器44形成。也由驱动电子部件42控制预对准器10在双箭头43的方向上的上升和下降运动。在图像处理的帮助下,通过提升预对准器10使晶片的前表面移动进入到第二照相机26的图像中心。同时,通过转动预对准器10可达到晶片6的边缘在限定的区域(晶片边缘的6mm宽度)内的预定位置。以该方式,要被检查的缺陷移动进入到第一、第二和/或第三照相机25,26,27的视场中。可以由第一、第二和/或第三照相机25,26,27拍摄位于所到达的位置(在晶片6的边缘的上表面、晶片6的边缘的前表面、和/或在晶片6的边缘的下表面上)的缺陷。每个被拍摄的图像可以在显示器7上显示以复查。也可设置用于稍后复查的存储器。当晶片的所有缺陷位置都已经被访问,公共支架23借助于平移单元45在双箭头24的方向上移动到起始位置。可以通过三臂处理器14将晶片从预对准器10去除,从而可以提供下一个晶片6来复查。还可以将所获得的图像复制到用户的网络中。
图5示出三个照相机25,26和27相对于该晶片6的边缘区域的示意性布置的放大图示。在所示的实施例中,三个照相机25,26和27安装到公共支架23,该公共支架23可以在如图5所示的双箭头24的方向上相对于晶片6的边缘沿径向移动。通过移动公共支架23,照相机25,26和27中的每个可以相对于晶片6移动,从而各照相机拍摄晶片6的边缘区域的特定区域,该特定区域的视场由物镜30(未示出)限定。第一照相机25被设置成用物镜30拍摄上边缘区域6a。第二照相机26被设计成具有拍摄晶片6的前表面6b的物镜30。第三照相机与物镜30一起被设计成拍摄晶片6的下表面的下边缘区域6c。如上所述,用于上边缘区域6a和下边缘区域6c的第一照相机25和第三照相机27的取景区域大约是6mm。晶片6的前表面6b的第二照相机26的取景区域大约是1mm,基本上与晶片6的厚度相对应。
图6示出三个照相机25,26和27相对于该晶片6的边缘区域的布置的另一个实施例。除了照相机25,26和27之外,还设置几个照明晶片6的边缘区域6a,6b和6c的照明装置50。照明装置50被设置成通过照相机25,26和27的照明和布置满足明视场条件。
图7示出照相机25,26和27的布置和照明装置80的另一个实施例。照明装置80是安装多个光源的帽罩81。该帽罩81设置有漫射型透明屏幕或漫射体(未示出),从而有助于更均质地照明。帽罩81具有与圆筒体的横截面相对应的形状。照相机25,26和27以及帽罩81布置在分离的支架上,这些支架移动到晶片边缘的边缘区域以拍摄缺陷。在成像位置,照相机25,26和27和所需要的照明因而与晶片6的下表面、前表面或上表面相对。帽罩81包括凹口82,该凹口用于成像帽罩81的内部中的晶片6的边缘。帽罩81设置有多个照明元件84或光源。照明元件84被设计成发出白光的发光二极管。为了对晶片6的边缘进行照明,可以使用特定不同的波长和/或波长组合。照明元件84布置在帽罩81上使得实现对晶片6的边缘的明视场照明。
在一个实施例中,照相机25,26和27被安装到帽罩81,使得照相机25,26和27的物镜30被安装在帽罩81中。在该实施例中,帽罩81用作照相机和几个照明元件84的支架。然而,对于这种布置必须注意满足拍摄晶片6的边缘上的区域的明视场条件。
图8a以侧视图示出晶片6的照明的图示。设有作为照明元件的发光二极管的屏幕(帽罩)81围绕晶片6的边缘的一部分。晶片6的边缘的照明必须满足为照相机提供足够的明视场配置条件的预定要求。从屏幕81的边缘80a的照明角度91应该保持得越大越好。类似地,照相机25,26和27的物镜30应该被构造成尽可能细,从而由照明限定的例如从晶片6的前表面6b起始的光管(1ight tube)93的至少大部分进入到物镜30,从而满足明视场照明的条件。
图8b示出晶片6的上边缘区域6a或下边缘区域6c的照明的图示,示出晶片的前表面6b上的视图。从帽罩81或照明装置80,一部分光到达晶片6的上边缘区域6a。在该照明中,以实心圆示意性地示出第一照相机25和第二照相机26。在晶片6的上边缘区域6a的入射光95被设计为使得第一照相机25在明视场配置中。明视场配置由用于照明的光的入射角85与反射角86相等所限定。反射角86与照相机25,26或27的光轴87为了拍摄缺陷而布置成的检测角度相同。
图8c示出晶片6的边缘的上表面或下表面的照明的示意性俯视图,图8c示出晶片6的上边缘区域6a上的视图。在该照明中,第一照相机25的位置由第一照相机25的CCD芯片100的矩形所示出。在该照明中,以实心圆示意性地示出第二照相机26。屏幕81中的发光二极管的位置由平面96表示。照相机25,26和27也布置在平面97中,该平面97与发光二极管(照明元件84)的平面96成对称角。发光二极管的平面96和照相机25,26和27的平面97均从中心线99偏移相同距离,从而满足用于照相机25,26和27的明视场条件。照相机25,26和27的CCD芯片100具有长侧长度101和短侧长度102。在该实施例中,长侧长度101与中心线99平行。
图10示出晶片6的上表面的俯视图。晶片6具有多个缺陷88所在的边缘区域90。晶片6还具有前表面6b,如上所述,该前表面6b与用于拍摄晶片6的前表面6b上的缺陷的第二照相机26相对。
如当说明照相机25,26和27的布置的各个实施例时几次提到的,该布置允许观察晶片6的前表面6b和观察晶片6的上边缘区域6a和下边缘区域6c。在上表面和下表面上几毫米的规定边缘区域6a和6c内的任何转动位置,可以由照相机25,26和27从视觉上检查晶片。
通过存在于检查系统中的三臂处理器14将晶片6放置在预对准器10上。借助于预对准器10的测量设备确定晶片6的横向偏差。可以借助于三臂处理器14通过简单地提升和校正晶片6来校正偏心。如果第一次校正处理没有达到该值,则必须执行第二次处理,即,将晶片6再次放置在预对准器10上。具有三个照相机25,26和27的设备相对于晶片6沿径向移动越过晶片6的边缘并且进入到与晶片的前表面6b相对的照相机的焦点。在图像处理的帮助下,晶片6通过提升预对准器10而移动到第二照相机26的视场的图像中心。这保证了晶片6的上边缘区域6a和晶片6的下边缘区域6c二者分别在照相机25和27的焦点处。同时,可以通过转动预对准器10而到达规定的区域内的晶片6的边缘的预先选择的位置。换句话说,这意味着,通过转动预对准器10,至少一个缺陷进入到三个照相机25,26或27中的一个的视场中。例如,如果缺陷从晶片6的上边缘区域6a延伸穿过前表面6b到达晶片6的下边缘区域6c,则可通过所有三个照相机25,26,27同时执行对该缺陷的成像。
已经相对于特定实施例说明了本发明。然而,本领域技术人员将理解,可以对本发明做出变形和修改,而不脱离所附权利要求书的范围。
Claims (21)
1.一种用于评定晶片(6)的边缘区域(6a,6b,6c)中的缺陷的设备,其中,第一照相机(25)被布置成与所述晶片(6)的上边缘区域(6a)相对,第二照相机(26)被布置成与所述晶片(6)的前表面(6b)相对,第三照相机(27)被布置成与所述晶片(6)的下边缘区域(6c)相对,其中,每个照相机(25,26,27)具有用于获得图像的视场,其特征在于,设计至少一个照明装置(50,80)使得所述第一、第二和第三照相机(25,26,27)被布置在明视场配置中,以及所述晶片(6)可在各个用于获得所述缺陷的所述图像的照相机(25,26,27)的所述视场中定位。
2.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述第一、第二和/或第三照相机(25,26,27)以限定的视场大小获得所述晶片(6)的所述边缘区域(6a,6b,6c)中的所述缺陷的图像,
可以根据所述缺陷在所述晶片(6)的所述上边缘区域(6a)中、或在所述晶片(6)的所述下边缘区域(6c)中、或在所述晶片(6)的所述前表面(6b)上的位置,来进行所述图像的获取。
3.根据权利要求1或2所述的设备,其特征在于,至少所述第一照相机(25)和所述第三照相机(27)被布置在可相对于所述晶片(6)沿径向移动的支架(23)上,
所述支架(23)可相对于所述晶片(6)的边缘定位,使得所述第一照相机(25)与所述晶片(6)的所述上边缘区域(6a)相对,所述第三照相机(27)与所述晶片(6)的所述下边缘区域(6c)相对,所述第二照相机(26)相对于所述晶片(6)的所述前表面(6b)是固定的。
4.根据权利要求1或2所述的设备,其特征在于,所有三个照相机(25,26,27)布置在可相对于所述晶片(6)沿径向移动的支架(23)上,
所述支架(23)可相对于所述晶片(6)的边缘定位,使得所述第一照相机(25)与所述晶片(6)的所述上边缘区域(6a)相对,所述第二照相机(26)与所述晶片(6)的所述前表面(6b)相对,所述第三照相机(27)与所述晶片(6)的所述下边缘区域(6c)相对。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的设备,其特征在于,所述照明装置(80)包括帽罩(81),所述照相机(25,26,27)被安装到该帽罩(81),
在所述帽罩(81)上还布置有几个照明元件(84),以照明所述晶片(6)。
6.根据权利要求5所述的设备,其特征在于,所述照明元件(84)是与所述帽罩(81)相关联的白光发光二极管。
7.根据权利要求5所述的设备,其特征在于,所述照明元件(84)由发出不同波长的光的几个发光二极管形成,从而可以混合任何颜色的光。
8.根据权利要求5所述的设备,其特征在于,所述帽罩(81)呈具有凹口的圆筒形,该圆筒形围绕所述晶片(6)的边缘。
9.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述三个照相机(25,26,27)被布置在一个平面(97)中。
10.根据权利要求9所述的设备,其特征在于,所述照相机(25,26,27)所在的所述平面(97)相对于布置所述发光二极管的平面(96)成一定角度地倾斜,从而具有明视场配置。
11.一种用于评定晶片的边缘区域中的缺陷的方法,该方法利用与所述晶片(6)的上边缘区域(6a)相对的第一照相机(25)、与所述晶片(6)的前表面(6b)相对的第二照相机(26)和与所述晶片(6)的下边缘区域(6c)相对的第三照相机(27)进行评定,其特征在于如下步骤:
借助于机器人(5)在预对准器(10)上放置晶片,
相对于所述晶片(6)的边缘沿径向移动至少所述第一照相机(25)和所述第三照相机(27),使得所述晶片(6)的边缘区域进入到相应的照相机的视场中,
基于储存的和/或确定的位置数据定位所述晶片(6),使得所述晶片(6)的边缘上的缺陷与用于视觉评定的所述第一、和/或所述第二、和/或所述第三照相机(25,26,27)的视场对准,以及
根据与所述晶片(6)的所述上边缘区域(6a)、或与所述晶片(6)的所述下边缘区域(6c)、或与所述晶片(6)的所述前表面(6b)相对的所述缺陷的位置,利用至少一个所述照相机开始图像获取,其中,要被拍摄的每个缺陷在所述明视场中被照明。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述获得的图像在显示器(7)上被显示给用户,以便用户从视觉上检查。
13.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所拍摄的所述缺陷的图像被储存在数据库中,以便用户以后复查所述图像。
14.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所拍摄的所述缺陷的图像被储存在数据库中,稍后执行对所述缺陷的自动评定。
15.根据权利要求10至14中的任一项所述的方法,其特征在于,所述三个照相机(25,26,27)被布置在可相对于所述晶片(6)的边缘沿径向移动的支架(23)上,
所述支架(23)相对于所述晶片(6)的边缘定位,使得所述第一照相机(25)与所述晶片(6)的所述上边缘区域(6a)相对,所述第二照相机(26)与所述晶片的所述前表面(6b)相对,所述第三照相机(27)与所述晶片(6)的所述下边缘区域(6c)相对。
16.根据权利要求10至15中的任一项所述的方法,其特征在于,所述预对准器(10)在Z坐标方向上移动,以使所述晶片(6)的所述前表面(6b)与所述第二照相机的视场对准,从而测量所述晶片(6)的厚度。
17.根据权利要求16所述的方法,其特征在于,所述预对准器(10)在Z坐标方向上移动,使得所述晶片(6)的所述上边缘区域(6a)和/或所述晶片(6)的所述下边缘区域(6c)移动至相应的照相机的焦深区域。
18.一种从视觉上评定晶片(6)的边缘区域中的缺陷的设备在晶片(6)用检查系统中的使用,其特征在于,所述检查系统包括至少一个用于微观检查的单元(12)、输送装置(5)和对准装置(10),设置至少一个显示器(7),在该显示器(7)上可以将获得的和/或储存的所述缺陷的图像显示给用户,其特征在于,所述对准装置(10)与用于从视觉上评定所述晶片的所述边缘区域中的所述缺陷的设备相关联,该设备设置有三个照相机(25,26,27),其中第一照相机(25)被布置成与所述晶片的上边缘区域(6a)相对,第二照相机(26)被布置成与所述晶片(6)的前表面(6b)相对,第三照相机(27)被布置成与所述晶片(6)的下边缘区域(6c)相对。
19.根据权利要求18所述的使用,其特征在于,至少一个照明装置(50,80)被布置成使得所述至少一个照明装置(50,80)以及所述第一、第二和第三照相机(25,26,27)布置在明视场中,以及所述第一、第二和/或第三照相机以限定的视场大小获得所述晶片(6)的边缘区域中的所述缺陷的图像,
可以根据在所述晶片(6)的所述上边缘区域(6a)中、或在所述晶片(6)的所述下边缘区域(6c)中、或在所述晶片(6)的所述前表面(6b)上的所述缺陷的位置进行所述图像获取,并且所述晶片(6)在用于获得所述缺陷的所述图像的各个照相机(25,26,27)的视场中可定位。
20.根据权利要求18或19所述的使用,其特征在于,所述检查系统由几个工作站和至少一个衬底供应模块组成。
21.根据权利要求20所述的使用,其特征在于,所述几个工作站被构造成使得每个所述工作站对所述晶片执行不同的检验,并且围绕中央单元成组,
所述模块被设计成可交换。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102007013646.5 | 2007-03-19 | ||
DE102007013646 | 2007-03-19 | ||
US60/895,763 | 2007-03-20 | ||
DE102007024525.6 | 2007-05-24 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101285784A true CN101285784A (zh) | 2008-10-15 |
Family
ID=39713258
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNA2008100855803A Pending CN101285784A (zh) | 2007-03-19 | 2008-03-19 | 用于评定晶片边缘区域的缺陷的设备和方法及其使用 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8089622B2 (zh) |
JP (1) | JP2008235892A (zh) |
CN (1) | CN101285784A (zh) |
DE (1) | DE102007024525B4 (zh) |
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- 2008-02-28 US US12/039,047 patent/US8089622B2/en active Active
- 2008-03-18 JP JP2008068887A patent/JP2008235892A/ja not_active Withdrawn
- 2008-03-19 CN CNA2008100855803A patent/CN101285784A/zh active Pending
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DE102007024525B4 (de) | 2009-05-28 |
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DE102007024525A1 (de) | 2008-09-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20081015 |