CN101276053A

CN101276053A - 微振荡器件及微振荡器件阵列

Info

Publication number: CN101276053A
Application number: CNA2008100903116A
Authority: CN
Inventors: 壶井修; 高马悟觉; 曾根田弘光; 奥田久雄; 水野义博; 松本刚
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: DRNC HOLDING CO., LTD.
Priority date: 2007-03-30
Filing date: 2008-03-28
Publication date: 2008-10-01
Anticipated expiration: 2028-03-28
Also published as: KR20080089301A; EP1975674B1; EP1975674A3; CN101276053B; JP4598795B2; TW200848781A; US20080239456A1; EP1975674A2; US7880951B2; JP2008246655A

Abstract

本发明提供一种微振荡器件及微振荡器件阵列，该微振荡器件包括框架、振荡部件以及连接部件，其中该振荡部件包括用以施加参考电位的第一驱动电极，该连接部件用以将该框架和该振荡部件彼此连接，该连接部件定义了该振荡部件的振荡运动轴。第二驱动电极，固定至该框架并与该第一驱动电极协作以产生用于该振荡运动的驱动力。该第一驱动电极包括第一端延伸部和第二端延伸部，该第一端延伸部和第二端延伸部彼此隔离，并在与该轴交叉的方向上延伸。该第二驱动电极处于该第一和第二端延伸部之间的一隔离距离之内。

Description

微振荡器件及微振荡器件阵列

技术领域

本发明涉及一种诸如微镜器件、加速度传感器、角速度传感器和振动器件等具有微小移动部件或振荡部件的微振荡器件，本发明还涉及一种微振荡器件阵列。

背景技术

近年来，人们正在诸多具有微结构的器件的实际应用技术领域付诸努力，其中的微结构是由微机械加工技术形成的。这些器件包括其中具有微小的移动部件或振动部件的微镜器件、加速度传感器、角速度传感器和其他微振荡器件。例如，微镜器件作为光反射器件，被应用于光盘技术和光通信技术之中。在视频摄像头和嵌入移动电话的摄像头中、在汽车导航系统、气囊释放计时控制系统、汽车和机器人姿态控制等等之中，加速度传感器和角速度传感器正在摄像头抖动校正领域大行其道。这些微振荡器件通常包括固定部件、移动部件和用以连接固定部件和移动部件的连接部件。例如，这些微振荡器件在例如JP-A-2003-19700、JP-A-2004-341364和JP-A-2006-72252中均有公开。

微振荡器件通常应用静电致动器作为其驱动机制而产生驱动力。当将电压施加于一对电极之间时，由静电引力提供该驱动力。因静电致动器而带来的问题是，当施加电压时，由一对电极形成的电场会从致动器中泄漏。例如，人所共知，电场泄漏易于发生于梳齿(comb-teeth)型静电致动器中。

在两个微振荡器件彼此靠近而设的情形下，从一个静电致动器中发生的电场泄漏会对相邻的微振荡器件的驱动性能产生不利影响。例如，在包括有多个以一维或二维方式排列的微镜器件(即，微振荡器件)的微镜器件阵列中，从一个微镜器件的静电致动器发生的电场泄漏会对其它相邻的微振荡器件的驱动性能产生不利影响。为了消除微镜器件阵列(微振荡器件阵列)中的电场泄漏对驱动性能所造成的不利影响，必须将微镜器件(微振荡器件)以足够大的间距来彼此间隔。换句话说，电场泄漏给微振荡阵列中的器件密度的提高带来问题。

发明内容

本发明是在上述背景下提出的，因此本发明的目的在于提供一种微振荡器件和微振荡器件阵列，其适用于减少电场向器件之外的泄漏。

本发明的第一个方案提供了一种微振荡器件，其包括：至少一个框架；振荡部件，其具有第一驱动电极，用以施加参考电位；连接部件，其将该框架和该振荡部件彼此连接，从而定义振荡部件的振荡运动轴；以及第二驱动电极，固定至该框架并与该第一驱动电极协作以产生用于振荡运动的驱动力。第一驱动电极具有彼此隔离并在与该轴交叉的方向上延伸的第一端延伸部和第二端延伸部。该第二驱动电极处于该第一和第二端延伸部之间的一隔离距离内。该第一和第二端延伸部是在驱动机制结构中在该轴延伸方向上的最外端部件，该驱动机制结构由该第一和第二驱动电极组成，其中该轴与该振荡部件相关。

可以通过在第一和第二驱动电极之间施加电压而驱动本发明的微振荡器件。具体而言，当运行此微振荡器件时，将预定参考电位施加于第一驱动电极上。该参考电位例如为接地电位。在此状态下，将高于该参考电位的预定驱动电位施加于该第二驱动电极上，以在该第一和第二驱动电极之间产生静电引力。通过将该静电引力用作驱动力，能够使该振荡部件产生振荡运动，即，产生轴向位移。通过控制参考电位和驱动电位之间的电位差，能控制该静电引力，并因此控制振荡部件的轴向位移量。

所述第一和第二端延伸部是此微振荡器件中的第一驱动电极的组成部件，所述第一和第二端延伸部在该驱动机制(第一驱动电极和第二驱动电极)结构中在轴延伸方向上提供最外端部件，其中该轴与该振荡部件相关。进而，当该器件运行时，将参考电位(例如为接地电位)施加至包括第一和第二端延伸部的该第一驱动电极。该第二驱动电极处于由所述第一和第二端延伸部提供的特定结构之间的一隔离距离内。因此，在器件运行期间，当高于参考电位的预定驱动电位从该第二驱动电极产生电场时，该电场很可能会被该第一驱动电极中的第一和第二端延伸部吸收(换句话说，从该第二驱动电极中产生的该电场很可能不会从该驱动机制泄漏至该第一和第二端延伸部之外)。因此，当器件运行时，此微振荡器件适用于减少电场向器件之外的泄漏。所述的这种微振荡器件适用于组成具有高器件密度的微振荡器件阵列。

根据本发明的第一方案的微振荡器件，还包括：附加框架；附加连接部件，其连接该框架和该附加框架，并定义附加轴，该附加轴在与用于该框架的振荡运动轴交叉的方向上延伸；以及驱动机制，用以产生该框架的振荡运动的驱动力。本发明的微振荡器件可以是具有上述设置的双轴型可移动器件。

优选地，该第一驱动电极可以包括以在第一端延伸部的延伸方向上提供的一间隔从第一端延伸部朝着该第二端延伸部彼此平行延伸的多个电极齿，以及以在第二端延伸部的延伸方向上提供的一间隔从第二端延伸部朝着第一端延伸部彼此平行延伸的多个电极齿。进而，该第二驱动电极可以包括沿着该第一和第二端延伸部而延伸的臂，以在该臂的延伸方向上提供的一间隔从该臂朝着该第一端延伸部彼此平行延伸的多个电极齿，以及以在该臂的延伸方向上提供的一间隔从该臂朝着该第二端延伸部彼此平行延伸的多个电极齿。上述这种用于驱动机制的设置适用于减少电场向驱动机制之外的泄漏，即，可用于减少电场向器件之外的泄漏。此外，该设置还减少了所谓的吸合(pull-in)现象。因此，该设置适用于获得振荡部件的大额轴向位移量。

优选地，该第一驱动电极可以包括以在该轴的延伸方向上提供的一间隔朝着该第二端延伸部彼此平行延伸的多个电极齿。所述第一和第二端延伸部在该第一驱动电极中提供两个末端电极齿。该第二驱动电极可以包括以在该轴的延伸方向上提供的一间隔朝着该第一端延伸部彼此平行延伸的多个电极齿。上面这种用于驱动机制的设置适用于减少电场向驱动机制之外的泄漏，即，可用于减少电场向器件之外的泄漏。

优选地，该振荡部件还可以包括可移动功能部分和第一遮蔽电极部件。该第一遮蔽电极部件位于该可移动功能部分和该第二驱动电极之间。该第一遮蔽电极部件是用以吸收电场的部件，该电场易于泄漏至驱动机制之外或已经泄漏至该驱动机制之外，因此，将例如接地电位施加至该第一遮蔽电极部件。可以从材料衬底获得此微振荡器件，该材料衬底具有由第一导电层、第二导电层和介于该第一与第二导电层之间的绝缘层组成的叠层结构。在此情形下，例如，该可移动功能部分是形成于该第一导电层中的部件，而该第二驱动电极和第一遮蔽电极部件是形成于该第二导电层中的部件。

优选地，该微振荡器件还可以包括第二遮蔽电极部件，该第二遮蔽电极部件经由绝缘层结合至该臂。该第二遮蔽电极部件是用以吸收易于向驱动机制之外泄漏的电场的部件，因此，将例如接地电位施加至该第二遮蔽电极部件。上面这种设置能较好地减少电场向驱动机制之外的泄漏，即，用于减少电场向器件之外的泄漏。可以从材料衬底获得此微振荡器件，该材料衬底具有由第一导电层、第二导电层和介于该第一与第二导电层之间的绝缘层组成的叠层结构。在此情形下，例如，该第二遮蔽电极部分是形成于该第一导电层中的部件，而该臂是形成于该第二导电层中的部件。

优选地，该框架可以包括框架主体和第三遮蔽电极部件。该第三遮蔽电极部件是用以吸收已经泄漏至驱动机制之外的电场的部件，因此，将例如接地电位施加至该第三遮蔽电极部件。对于定义了该器件的外周长且具有第三遮蔽电极部件的该框架的这种结构而言，其能够较好地减少电场向器件之外的泄漏。可以从材料衬底获得此微振荡器件，该材料衬底具有由第一导电层、第二导电层和介于该第一与第二导电层之间的绝缘层组成的叠层结构。在此情形下，例如，该第一驱动电极和第三遮蔽电极部件形成于该第一导电层中，而该第二驱动电极和该框架主体形成于该第二导电层中。

优选地，所述第一、第二和第三遮蔽电极部件以及第一驱动电极可以彼此电连接。根据上面这种设置，当该器件运行时，参考电位不仅被施加至该第一驱动电极，其还被施加至每个遮蔽电极部件。

优选地，该框架主体可以包括第四遮蔽电极部件。该第四遮蔽电极部件是用以吸收已经泄漏至该驱动机制之外的电场的部件，因此，将例如接地电位施加至该第四遮蔽电极部件。对于定义了该器件的外周长且具有第四遮蔽电极部件的该框架主体的这种结构而言，其能够较好地减少电场向器件之外的泄漏。

优选地，所述第一、第二、第三和第四遮蔽电极部件以及该第一驱动电极可以彼此电连接。根据上面这种设置，当该器件运行时，参考电位不仅被施加至该第一驱动电极，其还被施加至每个遮蔽电极部件。

本发明的第二方案提供了一种微振荡器件阵列，其包括多个根据本发明的第一方案的微振荡器件。这种微振荡器件阵列适用于获得高器件密度。

优选地，所述微振荡器件中的轴可以彼此平行。优选地，该参考电位可以一并施加至所述微振荡器件中的振荡部件的第一驱动电极，而一电位可以单独施加至每个微振荡器件中的第二驱动电极。

附图说明

图1是根据本发明第一实施例的微振荡器件的平面图。

图2是图1中的微振荡器件的部分未显示的平面图。

图3是沿着图1中的III-III线的剖面图。

图4是沿着图1中的IV-IV线的放大的剖面图。

图5是沿着图1中的V-V线的放大的剖面图。

图6是沿着图1中的VI-VI线的放大的剖面图。

图7是沿着图1中的III-III线的剖面图，示出在运行期间的状态。

图8示出图1中的微振荡器件的制造方法的几个步骤。

图9示出跟随在图8中的这些步骤之后的步骤。

图10是掩模图案的平面图。

图11是另一个掩模图案的平面图。

图12示出根据本发明的第二实施例的微振荡器件阵列。

图13是沿着图12的XIII-XIII线的局部放大的剖面图。

图14是根据本发明的第三实施例的微振荡器件阵列的局部平面图。

图15是图14中的微振荡器件阵列中所包括的微振荡器件的平面图。

图16是图15中的微振荡器件的部分未显示的平面图。

图17是沿着图15中的XVII-XVII线的放大的剖面图。

图18是沿着图15中的XVIII-XVIII线的放大的剖面图。

图19是沿着图15中的XIX-XIX线的放大的剖面图。

图20是沿着图15中的XX-XX线的放大的剖面图。

图21是根据本发明的第四实施例的微振荡器件的平面图。

图22是图21中的微振荡器件的部分未显示的平面图。

图23是沿着图21中的XXIII-XXIII线的剖面图。

图24是沿着图21中的XXIV-XXIV线的局部放大的剖面图。

图25是示出根据本发明的第五实施例的微振荡器件阵列。

具体实施方式

图1至图6示出根据本发明的第一实施例的微振荡器件X1。图1是根据本发明第一实施例的微振荡器件X1的平面图。图2是图1中的微振荡器件X1的部分未显示的平面图。图3是沿着图1中的III-III线的剖面图。图4至图6是分别沿着图1中的IV-IV、V-V、VI-VI线的放大的剖面图。

微振荡器件X1包括振荡部件10、框架21、一对连接部件22、驱动电极23和遮蔽电极部件24。在本实施例中的器件X1是微镜器件。微振荡器件X1经由诸如MEMS技术等体块微机械加工技术，由SOI(绝缘体上硅)晶片提供的材料衬底制成。该材料衬底具有由第一和第二硅层和介于所述硅层之间的绝缘层组成的叠层结构。每个硅层经掺杂杂质后具有预定的导电率。微振荡器件X1中的上述部件主要形成于第一硅层和/或第二硅层中。为了更清楚地表示，在图1中，在这些形成于第一硅层中并高于该绝缘层的、朝着视图的观察者的部件上设置有阴影线。图2中所示出的结构形成于微振荡器件X1的第二硅层中。

振荡部件10包括焊接区(land)11、驱动电极12、横梁(beam)13和遮蔽电极部件14。

该焊接区11是形成于第一硅层中的部件，并具有提供有能够反射光线的镜面11a的表面。该焊接区11和镜面11a组成根据本发明的可移动功能部分。图1中表示的焊接区11或可移动功能部分的长度L1例如为20到300μm。

驱动电极12是形成于第一硅层中的部件，并包括一对臂12A、12B，多个电极齿12a，以及多个电极齿12b。臂12A、12B沿着图1所示的箭头D所表示的方向彼此平行，并被用作根据本发明的第一和第二端延伸部。如图1和图4所示，电极齿12a从该臂12A朝着该臂12B延伸，以在臂12A延伸的方向上提供的一间隔彼此平行。该电极齿12b从该臂12B朝着该臂12A延伸，以在臂12B延伸的方向上提供的一间隔彼此平行。当运行该微振荡器件X1时，该驱动电极12是施加有预定参考电位(例如接地电位)的部件。上述驱动电极12被用作根据本发明的第一驱动电极。

横梁13是形成于第一硅层中的部件，并连接焊接区11和驱动电极12。

如图2所示，该遮蔽电极部件14是形成于该第二硅层中的部件，并经由图5所示的绝缘层15结合至该驱动电极12。该遮蔽电极部件14和驱动电极12经由穿透该绝缘层15的导电通孔16彼此电连接。上述遮蔽电极部件14被用作根据本发明的第一遮蔽电极部件。

如图3和图6所示，例如，框架21具有叠层结构，该叠层结构包括形成于第一硅层中的第一层部件21a、形成于第二硅层中的第二层部件21b以及介于所述第一和第二层部件21a和21b之间的绝缘层21c。如图1所示，该第一层部件21a是部分围绕该振荡部件10的遮蔽电极部件21a’，该遮蔽电极部件21a’被用作根据发明的第三遮蔽电极部件。该第二层部件21b是完全围绕该振荡部件10的框架主体，并且也是遮蔽电极部件21b’。该遮蔽电极部件21b’被用作根据本发明的第四遮蔽电极部件。如图6所示，所述第一层部件21a和第二层部件21b经由穿透该绝缘层21c的导电通孔21d彼此电连接。

如图1所示，给每个连接部件22提供两个扭力杆22a。每个扭力杆22a均是形成于第一硅层中的部件，其与振荡部件10的横梁13连接，以及与框架21的第一层部件21a连接，因此将振荡部件10和框架21一起连接。扭力杆22a在横梁13和第一层部件21a之间提供电连接。所述每个连接部件22中的两个扭力杆22a以一间隙(gap)彼此相隔，该间隙从框架21朝着振荡部件10逐渐递增。如图3所示，在器件厚度方向H上，扭力杆22a比振荡部件10薄，并且比框架21的第一层部件21a薄。所述的一对连接部件22定义了振荡部件10(即，焊接区11)的振荡运动轴A1。该轴A1垂直于图1中的箭头D所表示的方向，即，垂直于驱动电极12的臂12A、12B的延伸方向，并且优选地，该轴A1通过或靠近振荡部件10的重心。每个连接部件22均包括两个扭力杆22a，在所述两个扭力杆22a之间的间隙从框架21朝着焊接区11逐渐递增，所述连接部件22适用于减少位移分量的产生，其中所述位移分量对于焊接区11的振荡运动来说是不必要的。

如图2所清楚示出的那样，驱动电极23是形成于第二硅层中的部件，并且由臂23A、多个电极齿23a和多个电极齿23b组成。该臂23A沿着图1的箭头D所表示的方向延伸。电极齿23a以一间隔从臂23A朝着驱动电极12的臂12A彼此平行地延伸，该间隔在臂23A延伸的方向上提供。电极齿23b以一间隔从臂23A朝着驱动电极12的臂12B彼此平行地延伸，该间隔在臂23A延伸的方向上提供。

遮蔽电极部件24是形成于第一硅层中的部件，并且如图4所示，例如，经由绝缘层25结合至驱动电极23的臂23A。该遮蔽电极部件24和驱动电极23彼此电性隔离。如图1所示，遮蔽电极部件24被延续至并电连接至框架21的第一层部件21a(遮蔽电极部件21a’)。所述遮蔽电极部件24被用作根据本发明的第二遮蔽电极部件。

在微振荡器件X1中，一对驱动电极12、23组成驱动机制(即，致动器)，用于产生移动该振荡部件10所必需的驱动力。在该驱动机制中，在垂直于轴A1的方向上，驱动电极12的臂12A、12B(第一和第二端延伸部)彼此以一定的间隔延伸。在轴A1延伸的方向上，臂12A、12B(即，一对端延伸部)在驱动机制结构中提供最外端部件，其中该驱动机制结构由驱动电极12、23组成，该轴A1与振荡部件10相关。如图1和图4所示，在上述的臂12A、12B之间的隔离距离(separation distance)L2内设置驱动电极23。该隔离距离L2例如为10到300μm。

当运行该微振荡器件X1时，将预定的参考电位施加至如之前所述的振荡部件10的驱动电极12。对驱动电极12施加该参考电位可以经由框架21的第一层部件21a、该连接部件22的扭力杆22a和振荡部件10的横梁13而实施。该参考电位例如是接地电位，而且优选地，维持在一个稳定水平。随后，通过将高于该参考电位的驱动电位施加至驱动电极23，在驱动电极12、23之间(在电极齿12a、23a之间和在电极齿12b、23b之间)产生静电引力。当驱动电极12、23之间的静电引力等于或大于预定水平时，就朝着驱动电极23吸引驱动电极12。因此，振荡部件10(即，焊接区11)绕着轴A1进行振荡运动，并进行一定角度的轴向位移，在此处的静电引力由扭转的连接扭力杆22a的总扭转阻力来平衡。当平衡后，驱动电极12、23进入例如图7所示的定向状态。在这种振荡运动中的轴向位移量可以通过改变施加至驱动电极23的电位量而被控制。当驱动电极12、23之间的静电引力被去掉时，每个扭力杆22a均恢复到其自然状态，以允许该振荡部件10(即，焊接区11)进入例如图3所示的定向状态。通过振荡部件10(即所述的焊接区11)的振荡驱动，就能够改变由提供在焊接区11上的镜面11a所反射的光的光反射方向。

臂12A、12B组成微振荡器件X1中驱动电极12的部件，所述臂12A、12B在驱动机制结构中提供最外端部件，该驱动机制由一对驱动电极12、23在轴A1延伸的方向上组成，该轴A1与振荡部件10相关。进而，当器件运行时，将参考电位(例如接地电位)施加至驱动电极12，其中该驱动电极12包括臂12A、12B。如上所述，驱动电极23处于这些臂12A、12B之间的隔离距离L2内。因此，在器件运行期间，当高于参考电位的预定驱动电位从驱动电极23中产生电场时，该电场很可能由驱动电极12的臂12A、12B吸收(换句话说，从驱动电极23产生的电场可能不会从驱动机制泄漏至臂12A、12B之外)。因此，在器件运行期间，微振荡器件X1适用于减少电场向器件之外的泄漏。所述的微振荡器件X1更适用于制造具有高器件密度的微振荡器件阵列。在该微振荡器件阵列中，多个微振荡器件X1可以以一维方式或二维方式排列。

根据该微振荡器件X1，驱动电极12、振荡部件10的遮蔽电极部件14、框架21的遮蔽电极部件21a’、21b’(第一层部件21a和第二层部件21b)和遮蔽电极部件24彼此电连接。因此，当器件运行时，不仅将参考电位(例如接地电位)施加至驱动电极12，而且还将其施加至遮蔽电极部件14、21a’、21b’、24。因此，当器件运行时，当高于该参考电位的预定驱动电位从驱动电极23到例如焊接区11产生电场时，该电场很可能由遮蔽电极部件14吸收(换句话说，该电场可能不会抵达例如遮蔽电极部件14之外的焊接区11)。这样，当器件运行时，从驱动电极23产生的电场很可能由遮蔽电极部件21a’吸收(换句话说，电场可能不会从器件泄漏至框架21的遮蔽电极部件21a’之外)。此外，当器件在运行时，从驱动电极23产生的电场很可能由遮蔽电极部件21b’吸收(换句话说，电场可能不会从器件泄漏至框架21的遮蔽电极部件21b’之外)。更进一步，当器件在运行时，从驱动电极23的电极齿23a朝着例如驱动电极12的臂12B所产生的电场，以及当器件在运行时，从驱动电极23的电极齿23b朝着例如驱动电极12的臂12A所产生的电场，很可能由遮蔽电极部件24吸收。这些电场吸收效果也有助于减少电场向器件之外的泄漏。

此外，根据微振荡器件X1，驱动电极12的电极齿12a、12b平行延伸至轴A1，其中该驱动电极12是驱动机制中的两个驱动电极之一；而驱动电极23的电极齿23a、23b平行延伸至轴A1，其中该驱动电极23是两个驱动电极中的另一个。这种设置更适合有效地产生用于振荡部件10绕着轴A1进行振荡运动所必需的驱动力。

图8和图9示出微振荡器件X1的制造方法。该方法是关于怎样经由体块微机械加工技术制造微振荡器件X1的实例。图8和图9示出一系列剖面图，其描述了图9中的(d)所示的多个部件(即，焊接区L、框架F1、F2，连接部件C1、C2和一组电极E1、E2)的形成工艺。该剖面是从多个材料晶片(具有叠层结构的晶片)的多个剖面中收集的碎片剖面的概念性组成，通过对其进行一系列制造操作而形成单个微振荡器件。焊接区L表示焊接区11的部分。横梁B表示横梁13，其被示出为横梁13的剖面。框架F1、F2各自表示框架21，其被示出为框架21的剖面。连接部件C1表示连接部件22，其被示出为沿着扭力杆22a延伸的方向的剖面。连接部件C2表示连接部件22，其被示出为扭力杆22a的剖面。电极E1表示驱动电极12的部分，其被示出为电极齿12a、12b的剖面。电极E2表示驱动电极23的部分，其被示出为电极齿23a、23b的剖面。

在微振荡器件X1的制造中，首先，准备如图8中的(a)所示的材料衬底100。材料衬底100是SOI晶片，该晶片具有包括硅层101、102和介于所述硅层101、102之间的绝缘层103的叠层结构。虽然在图中未示出，但已经形成有导电通孔16、21d。硅层101、102由掺杂杂质的导电硅材料制成。该杂质可以是诸如硼的p型杂质，或者是诸如磷和锑的n型杂质。该绝缘层103由例如氧化硅制成。硅层101具有例如10到100μm的厚度，硅层102具有例如50到500μm的厚度，而绝缘层103具有例如0.3到3μm的厚度。

随后，如图8中的(b)所示，在硅层101上形成镜面11a。具体而言，当形成该镜面11a时，首先，例如通过在硅层101上的溅射法而形成Cr膜(50nm)，随后例如形成Au膜(200nm)。随后，经由预定的掩模，依次蚀刻这些金属膜，以图案化该镜面11a。用于Au的蚀刻剂可以是碘化钾-碘酒水溶液。用于Cr的蚀刻剂可以是硝酸铵铈水溶液。

随后，如图8中的(c)所示，在硅层101上形成氧化膜图案110和抗蚀剂图案111，并在硅层102上形成氧化膜图案112。该氧化膜图案110具有如图10所示的图案，用于形成振荡部件10(包括焊接区L、横梁B和电极E1)、横梁21的部分(包括框架F1、F2)和将要形成在硅层101上的遮蔽电极部件24。抗蚀剂图案111具有用于形成连接部件22(包括连接部件C1、C2)的图案。氧化膜图案112具有如图11所示的图案，用于形成框架21(包括框架F1、F2)的部分、驱动电极23(包括电极E2)和遮蔽电极部件14。

随后如图8中的(d)所示，通过应用由氧化膜图案110和抗蚀剂图案111提供的掩模，对硅层101实施DRIE(深反应离子蚀刻)蚀刻到预定深度。该预定深度是等于连接部件C1、C2的厚度的深度，例如为5μm。在该DRIE步骤中，如果实施博施工艺(Bosch process)，就可以执行良好的各向异性蚀刻，其中通过使用SF₆气体的蚀刻和通过使用C₄F₈气体的侧壁保护彼此交替进行。在此步骤和稍后将述及的步骤中的该DRIE可以通过应用博施工艺而实施。

随后，如图9中的(a)所示，去除该抗蚀剂图案111。对该抗蚀剂图案111的去除可以用去除剂来实现。

随后，如图9中的(b)所示，将氧化膜图案110用作掩模，经由DRIE而将硅层101蚀刻至抵达绝缘层103，以形成连接部件C1、C2。该蚀刻工艺会产生振荡部件10(包括焊接区L、横梁B和电极E1)、框架21(包括框架F1、F2)的部件(第一层部件21a)、每个连接部件22(包括连接部件C1、C2)和遮蔽电极部件24。

随后如图9中的(c)所示，将氧化膜图案112用作掩模，经由DRIE而将硅层102蚀刻至抵达绝缘层103。该蚀刻工艺会产生框架21(包括框架F1、F2)的部件(第二层部件21b)、驱动电极23(包括电极E2)和遮蔽电极部件14。

随后如图9中的(d)所示，蚀刻掉绝缘层103和氧化膜图案110、112的暴露部分。该蚀刻可以是干法蚀刻或湿法蚀刻。如果应用的是干法蚀刻，则可用的蚀刻气体例如包括CF₄和CHF₃。如果应用的是湿法蚀刻，则在此工艺中应用的蚀刻剂可以是缓冲氢氟酸(BHF)，该缓冲氢氟酸包括氢氟酸和氟化铵。

通过实施上述次序的步骤，就能够形成焊接区L，框架F1、F2，连接部件C1、C2和一组电极E1、E2，并因此制成微振荡器件X1。

图12示出根据本发明的第二实施例的微振荡器件阵列Y1。图13是微振荡器件阵列Y1沿着图12的XIII-XIII线的局部剖面图。

微振荡器件阵列Y1包括多个(在本实施例中是四个)微振荡器件X1。在该微振荡器件阵列Y1中，微振荡器件X1在轴A1的方向上成行排列(换句话说，以一维方式排列)。因此，在该微振荡器件阵列Y1中，镜面11a在轴A1的方向上成行排列。

在微振荡器件阵列Y1中，框架21的第一层部件21a连续贯穿所有的微振荡器件X1，并且因此，所有的驱动电极12、振荡部件10的遮蔽电极部件14、框架21的遮蔽电极部件21a’、21b’(第一层部件21a和第二层部件21b)和微振荡器件X1中的遮蔽电极部件24彼此电连接。

当运行微振荡器件阵列Y1时，在所有的微振荡器件X1中，将预定的参考电位一并施加至振荡部件10的驱动电极12中，并且在此状态下，将预定的电位施加至选出的一些微振荡器件X1的驱动电极23。这样，单独驱动每个微振荡器件X1的振荡部件10(即，选出的一些微振荡器件X1中的焊接区11)，使其能够改变镜面11a的光反射方向，其中该镜面11a形成于每个微振荡器件X1的焊接区11上。如第一实施例相关描述那样，驱动每个微振荡器件X1。

在第一实施例的相关描述中，在每个微振荡器件X1中，驱动电极23处于隔离距离L2(即，臂12A、12B之间的距离)内，其中所述臂12A、12B沿着轴A1的延伸方向在驱动机制(驱动电极12、23)结构中组成了最外端部件，并且被施加有参考电位(例如接地电位)。因此，在器件运行时，当高于该参考电位的预定的驱动电位使得驱动电极23产生电场时，该电场很可能被驱动电极12的臂12A、12B所吸收，并且随后，减少了电场向器件外的泄漏。因此，根据该微振荡器件阵列Y1，减少了电场泄漏的问题，即减少了从一个微振荡器件X1的驱动机制(驱动电极12、23)中泄漏的电场，其中该泄漏的电场会对相邻的微振荡器件X1的运行性能产生不适当的不利影响。上述的微振荡器件阵列Y1适用于在多个微振荡器件X1之间、也就是在多个镜面11a之间实现小的安装间距。换句话说，微振荡器件Y1适用于提高微振荡器件X1(即镜面11a)的器件密度。

正如第一实施例的相关描述，每个微振荡器件X1中，不仅驱动电极12的臂12A、12B，而且遮蔽电极部件14、21a’、21b’、24均能够吸收电场。每个遮蔽电极部件14、21a’、21b’、24的电场吸收效果也有助于减少电场泄漏的问题，即，减少从微振荡器件X1之一的驱动机制(驱动电极12、23)中泄漏的电场，其中该泄漏的电场会对相邻的微振荡器件X1的操作性能造成不适当的不利影响。

图14是根据本发明的第三实施例的微振荡器件阵列Y2的局部平面图。该微振荡器件阵列Y2包括多个微振荡器件X2。在微振荡器件阵列Y2中，这些微振荡器件X2成行排列(换句话说，以一维的方式排列)。

图15到图20示出在微振荡器件阵列Y2中所包括的微振荡器件X2。图15是微振荡器件X2的平面图，图16是微振荡器件X2部分未显示的平面图。图17到图20分别是沿着图15中的XVII-XVII、XVIII-XVIII、XIX-XIX、XX-XX线的剖面图。

微振荡器件X2包括振荡部件10、框架21’、一对连接部件22、驱动电极23、遮蔽电极部件24、框架31、一对连接部件32A、32B、驱动电极33、34和遮蔽电极部件35、36、37。在本实施例中的器件是微镜器件。微振荡器件X2经由诸如MEMS技术的体块微机械加工技术，由SOI(绝缘体上硅)晶片提供的材料衬底制成。该材料衬底具有由第一和第二硅层和介于所述硅层之间的绝缘层组成的叠层结构。每个硅层经掺杂杂质后具有预定的导电率。微振荡器件X2中的上述部件主要形成于第一硅层和/或第二硅层中。为了更清楚地表示，在图15中，在这些形成于第一硅层中并高于绝缘层、朝着视图的观察者的部件上设置有阴影线。在图16中，所示出的结构形成于微振荡器件X2的第二硅层中。

该微振荡器件X2与第一实施例中提供的微振荡器件X1有如下不同，即，框架21被框架21’代替，并且该器件X2还包括框架31，连接部件32A、32B，驱动电极33、34和遮蔽电极部件35、36、37。微振荡器件X2中的振荡部件10、一对连接部件22、驱动电极23和遮蔽电极部件24与微振荡器件X1中的振荡部件10、一对连接部件22、驱动电极23和遮蔽电极部件24基本相同。

框架21’与框架21有如下不同，即，第一层部件21a具有部件21e、21f。如图15和图17所示，部件21e在第一层部件21a中由于被间隙包围而被隔离。部件21e通过穿透该绝缘层21c的导电通孔21g与驱动电极23的臂23A电连接。如图15所示，部件21f设置在框架21的端部，并具有在图15的箭头D所表示的方向上延伸的部件。进而，如图20所示，部件21f通过穿透绝缘层21c的导电通孔21h与第二层部件21b电连接。

如图18所示，框架31具有叠层结构，该叠层结构包括形成于第一硅层中的第一层部件31a、形成于第二硅层中的第二层部件31b以及介于所述第一和第二层部件31a、31b之间的绝缘层31c。如图15和图18所示，第一层部件31a包括部件31a’，该部件31a’由于被间隙包围而被隔离。如图16和图18所示，第二层部件31b包括部件31b’，该部件31b’由于被间隙包围而被隔离。所述部件31a’、31b’通过穿透绝缘层31c的导电通孔31d彼此电连接。

如图15所示，连接部件32A设置有两个扭力杆32a。每个扭力杆32a均是形成于第一硅层中的部件，并与框架21’中的第一层部件21a的部件21e连接，以及与框架31中的第一层部件31a的部件31a’连接，因此连接框架21’、32。所述扭力杆32a在部件21e、31a’之间提供电连接。所述两个扭力杆32a由一间隙彼此分开，该间隙从框架31朝着框架21’逐渐递增。与第一实施例中的连接部件22的扭力杆22a相同，扭力杆32a也是薄型部件。

如图15所示，连接部件32B设置有两个扭力杆32b。每个扭力杆32b均是形成于第一硅层中的部件，并与框架21’中的第一层部件21a的部件21f连接，以及与框架31中的第一层部件31a连接，从而与框架21’、31连接。扭力杆32b在部件21f和第一层部件31a的部件之间提供电连接。所述两个扭力杆32b由一间隙彼此分开，该间隙从框架31朝着框架21’逐渐递增。与第一实施例中的连接部件22的扭力杆22a相同，扭力杆32b也是薄型部件。

一对连接部件32A、32B定义了框架21’的振荡运动轴A2。该轴A2在图15的箭头D所表示的方向上延伸。包括两个扭力杆32a的连接部件32A以及包括两个扭力杆32b的连接部件32B适用于减少位移分量的产生，该位移分量对于框架21’的振荡运动不是必需的，其中，所述两个扭力杆32a之间的间隙从框架31朝着框架21’逐渐递增，所述两个扭力杆32b之间的间隙朝着框架21’逐渐递增。

驱动电极33是形成于第一硅层中的部件，并且由多个电极齿33a组成。所述电极齿33a从框架21’中的部件21f朝着驱动电极34以一间隔彼此平行地延伸，该间隔是在轴A2延伸的方向上提供的。

驱动电极34是形成于第二硅层中的部件，并由臂34A和多个电极齿34a组成。臂34A在轴A2延伸的方向上延伸。电极齿34a从臂34A朝着驱动电极33以一间隔彼此平行地延伸，该间隔是在臂34A延伸的方向上提供的。

如图16清楚示出的那样，遮蔽电极部件35是形成于第二硅层中的部件，并延续至框架21’中的第二层部件21b的部件。进而，如图19所示，遮蔽电极部件35经由绝缘层38结合至框架21’的部件21f。

如图15清楚示出的那样，遮蔽电极部件36是形成于第一硅层中的部件，并延续至框架31中的第一层部件31a的部件。进而，如图19所示，遮蔽电极部件36经由绝缘层39结合至驱动电极34。该遮蔽电极部件36和驱动电极34彼此电性隔离。

如图16清楚示出的那样，遮蔽电极部件37是形成于第二硅层中的部件，并沿着驱动电极34延伸。进而，如图19所示，遮蔽电极部件37经由绝缘层39结合至遮蔽电极部件36，并经由穿透绝缘层39的导电通孔39a而与其电连接。

在微振荡器件X2中，一对驱动电极12、23组成驱动机制(即，致动器)，所述驱动电极12、23用以产生移动振荡部件10所必需的驱动力。同样，一对驱动电极33、34组成驱动机制(即，致动器)，所述驱动电极33、34用于产生移动框架21’所必需的驱动力。

当运行微振荡器件X2时，将预定的参考电位施加至振荡部件10的驱动电极12和驱动电极33。施加参考电位给驱动电极12可以通过框架31中第一层部件31a的部件、连接部件32B的扭力杆32b、在框架21’中的第一层部件21a的部件21f、通孔21h、框架21’中的第二层部件21b、通孔21d(如图6所示)、框架21’中的第一层部件21a的部件、连接部件22的扭力杆22a和振荡部件10的横梁13而实施。施加参考电位给驱动电极33可以通过框架31的第一层部件31a的部件、连接部件32B的扭力杆32b和框架21’中的第一层部件21a的部件21f而实施。该参考电位例如是接地电位，并且优选地，维持在一个稳定的水平。

根据上述设置，如果必要的话，在微振荡器件X2中，能够将高于该参考电位的驱动电位施加至驱动电极23、34中的每一个，以在驱动电极12、23之间产生静电引力，使得振荡部件10绕着轴A1进行枢轴转动。同样，也可以在驱动电极33、34之间产生静电引力，以使得框架21’和振荡部件10一起绕着轴A2进行枢轴转动。换句话说，微振荡器件X2是双轴型振荡器件。施加驱动电位给驱动电极23可以通过框架31中的第二层部件31b的部件31b’、通孔31d、框架31中的第一层部件31a的部件31a’、连接部件32A的扭力杆32a、框架21’中的第一层部件21a的部件21e和通孔21g而实施。通过这种双轴振荡运动，就能够改变由设置在焊接区11上的镜面11a反射的光的光反射方向。

在器件运行期间，正如第一实施例的相关描述那样，根据该微振荡器件X2，即可降低从驱动电极23到器件之外的电场泄漏，其中该微振荡器件X2实际上具有由第一实施例所提供的微振荡器件X1中所提供的所有设置。

此外，在器件运行期间，根据该微振荡器件X2，还减少了从驱动电极34到器件之外的电场泄漏。在器件运行期间，在微振荡器件X2中，驱动电极33和遮蔽电极部件35、36、37彼此电连接，并且因此，不仅将参考电位(例如接地电位)施加至驱动电极33，而且还施加至遮蔽电极部件35、36、37。因此，在器件运行期间，当高于该参考电位的预定驱动电位从驱动电极34朝着例如驱动电极33产生电场时，该电场很可能被遮蔽电极部件35以及被驱动电极33吸收(换句话说，该电场可能不会泄露至驱动电极33和遮蔽电极部件35之外)。同样地，在器件运行期间，从驱动电极34朝着远离该驱动电极33的一侧产生电场。该电场很可能会被遮蔽电极部件36、37吸收(换句话说，该电场可能不会泄漏至遮蔽电极部件36、37之外)。这些电场吸收效果也有助于减少电场泄漏至器件之外。

微振荡器件阵列Y2包括多个上述微振荡器件X2。在该微振荡器件阵列Y2中，所有的这些微振荡器件X2被排在单独的阵列中，使得所有它们的轴A2(图14中未示出)彼此平行。

在微振荡器件阵列Y2中，除了部件31a’之外，框架31的第一层部件31a连续贯穿所有的微振荡器件X2。因此，在微振荡器件X2中，所有的驱动电极12、振荡部件10的遮蔽电极部件14、框架21的第一层部件21a的多个部件(遮蔽电极部件21a’)、第二层部件21b的多个部件(遮蔽电极部件21b’)和遮蔽电极部件24彼此电连接。

当运行微振荡器件阵列Y2时，在所有的微振荡器件X2中，将预定的参考电位一并施加至振荡部件10的驱动电极12，并且在此状态下，将预定电位施加至从所述微振荡器件X2中选出的一些微振荡器件X2的驱动电极23、34。因此单独驱动每个微振荡器件X2中的振荡部件10和框架21’，使其能够改变在每个微振荡器件X2中的焊接区11上形成的镜面11a的光反射方向。

如前所述，在器件运行期间，在每个微振荡器件X2中，减少了从驱动电极23到器件之外的电场泄漏。因此，减少了微振荡器件阵列Y2中的电场泄漏问题，即减少了从微振荡器件X2之一中的驱动机制(驱动电极12、23)泄漏的电场，其中泄漏的电场会对相邻的微振荡器件X2的运行性能造成不适当的不利影响。另外，在器件运行期间，在每个微器件X2中，还减少了从电极34到器件之外的电场泄漏。因此，根据该微振荡器件阵列Y2，减少了从微振荡器件X2之一中的驱动机制(驱动电极33、34)泄漏电场的问题，其中泄漏的电场会对相邻的微振荡器件X2的运行性能造成不适当的不利影响。上述微振荡器件阵列Y2适用于在多个双轴型微振荡器件X2之间实现小的安装间距，从而在多个镜面11a之间实现小的安装间距。换句话说，该微振荡器件阵列Y2适用于提高微振荡器件X2(即镜面11a)的器件密度。

图21到图24示出根据本发明的第四实施例的微振荡器件X3。图21是根据本发明的第四实施例的微振荡器件X3的平面图。图22是微振荡器件X3的部分未显示的平面图。图23和图24是沿着图21中的XXIII-XXIII、XXIV-XXIV线的剖面图。

微振荡器件X3包括振荡部件10’、框架21、一对连接部件22和驱动电极26。在本实施例中，该器件是微镜器件。该微振荡器件X3经由诸如MEMS技术的体块微机械加工技术，由SOI晶片提供的材料衬底制成。该材料衬底具有由第一和第二硅层和介于所述硅层之间的绝缘层组成的叠层结构。每个硅层经掺杂杂质后具有预定的导电率。微振荡器件X3中的上述部件主要形成于第一硅层和/或第二硅层中。为了清楚地示出，在图21中，在形成于第一硅层中并高于绝缘层、朝向视图的观察者的这些部件上设置有阴影线。在图22中，所示出的结构形成于微振荡器件X3的第二硅层中。

该微振荡器件X3与在第一实施例中提供的微振荡器件X1有如下不同，即，振荡部件10由振荡部件10’代替，驱动电极23由驱动电极26代替，并且该器件X3不包括遮蔽电极部件24。微振荡器件X3中的框架21和一对连接部件22与微振荡器件X1中的框架21和一对连接部件22基本相同。

振荡部件10’包括焊接区11、驱动电极17、横梁13和遮蔽电极部件14，并与微振荡器件X1中的振荡部件10有如下不同，即，驱动电极12由驱动电极17所代替。

驱动电极17是形成于第一硅层中的部件，并包括基底17A和电极齿17a、17b、17c、17d、17e、17f。如图21所示，电极齿17a到17f从基底17A朝着驱动电极26延伸，并且如图21和图24所示，以一间隔彼此平行，其中该间隔是在轴A1延伸的方向上提供的。电极齿17a、17f与图21的箭头D所表示的方向平行，并被用作根据本发明的第一和第二端延伸部。当运行微振荡器件X3时，驱动电极17是施加了预定的参考电位(例如接地电位)的部件。上述驱动电极17被用作根据本发明的第一驱动电极。

如图23所清楚示出的那样，驱动电极26是形成于第二硅层中的部件，并包括基底26A和多个电极齿26a。如图21所示，电极齿26a从基底26A朝着驱动电极17延伸，并且，例如，如图22和图24所示，以一间隔彼此平行，其中该间隔是在轴A1延伸的方向上提供的。

在微振荡器件X3中，一对驱动电极17、26组成驱动机制(即，致动器)，用以产生移动振荡部件10’所必需的驱动力。在该驱动机制中，驱动电极17的电极齿17a、17f(第一和第二端延伸部)在垂直于该轴A1的方向上彼此隔离地延伸。电极齿17a、17f(即，一对端延伸部)在轴A1的延伸方向上提供由驱动电极17、26组成的驱动机制结构中的最外端部件，其中该轴A1与振荡部件10’相关。如图21和图24所示，驱动电极26被设置在上述电极齿17a、17f之间的隔离距离L3内。该隔离距离L3例如是10到300μm。

当运行该微振荡器件X3时，将预定的参考电位施加至前述的振荡部件10’的驱动电极17。施加参考电位给驱动电极17可以通过框架21的第一层部件21a、连接部件22的扭力杆22a和振荡部件10’中的横梁13而实施。该参考电位例如是接地电位，并且优选地，维持在一个稳定的水平。随后，通过将高于参考电位的驱动电位施加至驱动电极26，在驱动电极17、26之间产生静电引力。当驱动电极17、26之间的静电引力等于或大于预定水平时，朝着驱动电极26吸引驱动电极17。因此，振荡部件10’(即，焊接区11)绕着轴A1进行振荡运动，并进行一定角度的轴向位移，其中静电引力由扭转的连接扭力杆22a的总扭转阻力来平衡。通过改变施加至驱动电极26的电位量，可以控制这种振荡运动中的轴向位移量。当驱动电极17、26之间的静电引力被去掉时，每个扭力杆22a均恢复到其自然状态。通过所述的振荡部件10’(即，焊接区11)的振荡驱动，就能够改变由设置在焊接区11上的镜面11a所反射的光的光反射方向。

在微振荡器件X3中，电极齿17a、17f是驱动电极17的组成部件，电极齿17a、17f在轴A1的延伸方向上提供由驱动电极17、26组成的驱动机制结构中的最外端部件，其中该轴A1与振荡部件10’相关。进而，当该器件运行时，将参考电位(例如接地电位)施加至包括电极齿17a、17f的驱动电极17。驱动电极26被提供在上述这些电极齿17a、17f之间的隔离距离L3内。因此，在器件运行期间，当高于该参考电位的预定驱动电位从驱动电极26中产生电场时，该电场很可能被驱动电极17的电极齿17a、17f所吸收(换句话说，从该驱动电极26中产生的该电场可能不会从驱动机制泄漏至电极齿17a、17f之外)。此外，与第一实施例中的遮蔽电极部件14、21a’、21b’的相关描述相同，根据微振荡器件X3，遮蔽电极部件14、21a’、21b’也在电场吸收中发挥作用。因此，在器件运行期间，微振荡器件X3适用于减少电场向器件之外的泄漏。

图25示出根据本发明的第五实施例的微振荡器件阵列Y3。该微振荡器件阵列Y3包括多个微振荡器件X3。在该微振荡器件阵列Y3中，这些微振荡器件X3在轴A1方向上成行排列(换句话说，以一维方式排列)。因此，在该微振荡器件阵列Y3中，镜面11a在轴A1方向上成行排列。

在该微振荡器件阵列Y3中，框架21的第一层部件21a连续贯穿所有的微振荡器件X3。因此，在微振荡器件X3中，所有的驱动电极17、振荡部件10’的遮蔽电极部件14和框架21中的遮蔽电极部件21a’、21b’(第一层部件21a和第二层部件21b)彼此电连接。

当运行该微振荡器件阵列Y3时，将预定的参考电位一并施加至所有微振荡器件X3的振荡部件10’的驱动电极17，并且在此状态下，将预定电位施加至从所述微振荡器件X3选出的一些微振荡器件X3中的驱动电极26。根据这种设置，就能够分别在每个微振荡器件X3中运行该振荡部件10’(即，焊接区11)，并改变形成于每个微振荡器件X3中的焊接区11上的镜面11a的光反射方向。如第四实施例的相关描述那样，驱动每个微振荡器件X3。

正如之前对第四实施例的相关描述，在每个微振荡器件X3中，电极齿17a、17f在驱动机制(驱动电极17、26)结构中在轴A1的延伸方向上提供最外端部件，并且此外，当器件运行时，驱动电极26被提供在上述电极齿17a、17f之间的隔离距离L3内，其中对所述电极齿17a、17f提供参考电位(例如接地电位)。因此，在器件运行期间，当高于该参考电位的预定的驱动电位从驱动电极26中产生电场时，该电场很可能被驱动电极17的电极齿17a、17f吸收，这就意味着减少了电场向器件外的泄漏。因此，根据该微振荡器件阵列Y3，就减少了电场泄漏的问题，即减少了从一个微振荡器件X3中的驱动机制(驱动电极17、26)泄漏的电场，其中该泄漏的电场会对相邻的微振荡器件X3的运行性能产生不适当的不利影响。上述的微振荡器件阵列Y3适用于在多个微振荡器件X3之间且因此在多个镜面11a之间实现小的安装间距。换句话说，该微振荡器件阵列Y3适用于提高微振荡器件X3(即镜面11a)的器件密度。

如之前对第四实施例的相关描述，每个微振荡器件X3中的遮蔽电极部件14、21a’、21b’也在电场吸收中发挥作用。由每个遮蔽电极部件14、21a’、21b’所提供的电场吸收效果也有助于减少电场泄漏的问题，即，减少从微振荡器件X3之一的驱动机制(驱动电极17、26)泄漏的电场，其中该泄漏的电场会对相邻的微振荡器件X3的操作性能产生不适当的不利影响。

Claims

1.一种微振荡器件，包括：

至少一个框架；

振荡部件，其包括第一驱动电极，用以施加参考电位；

连接部件，用以将所述框架和该振荡部件彼此连接，该连接部件定义了该振荡部件的振荡运动的轴；以及

第二驱动电极，固定至所述框架并与该第一驱动电极协作以产生用于该振荡运动的驱动力；

其中该第一驱动电极包括第一端延伸部和第二端延伸部，该第一端延伸部和该第二端延伸部彼此隔离，并沿着与该轴交叉的方向延伸；

其中该第二驱动电极处于该第一端延伸部和该第二端延伸部之间的一隔离距离内。

2.如权利要求1所述的微振荡器件，还包括附加框架、附加连接部件和驱动机制；其中该附加连接部件将所述一个框架和该附加框架彼此连接，并定义了附加轴，该附加轴沿着与用于所述一个框架的该振荡运动的该轴交叉的方向延伸；以及，其中该驱动机制产生用于所述一个框架的该振荡运动的驱动力。

3.如权利要求1所述的微振荡器件，其中该第一驱动电极包括多个电极齿，所述多个电极齿以在该第一端延伸部的延伸方向上提供的一间隔从该第一端延伸部朝着该第二端延伸部彼此平行延伸；该第一驱动电极还包括以在该第二端延伸部的延伸方向上提供的一间隔从该第二端延伸部朝着该第一端延伸部彼此平行延伸的多个电极齿；以及，其中该第二驱动电极包括沿着该第一端延伸部和该第二端延伸部延伸的臂，以在该臂的延伸方向上提供的一间隔从该臂朝着该第一端延伸部彼此平行延伸的多个电极齿，以及以在该臂的延伸方向上提供的一间隔从该臂朝着该第二端延伸部彼此平行延伸的多个电极齿。

4.如权利要求1所述的微振荡器件，其中该第一驱动电极包括多个电极齿，所述多个电极齿以在该轴的延伸方向上提供的一间隔朝着该第二驱动电极彼此平行延伸，该第一端延伸部和该第二端延伸部在该第一驱动电极中提供两个末端电极齿，该第二驱动电极包括以在该轴的延伸方向上提供的一间隔朝着该第一驱动电极彼此平行延伸的多个电极齿。

5.如权利要求1所述的微振荡器件，其中该振荡部件还包括可移动功能部分和第一遮蔽电极部件，该第一遮蔽电极部件位于该可移动功能部分和该第二驱动电极之间。

6.如权利要求5所述的微振荡器件，其中通过处理材料衬底获得该微振荡器件，该材料衬底具有叠层结构，该叠层结构包括第一导电层、第二导电层和介于该第一导电层与该第二导电层之间的绝缘层，其中该可移动功能部分形成于该第一导电层中，该第二驱动电极和该第一遮蔽电极部件形成于该第二导电层中。

7.如权利要求1所述的微振荡器件，还包括第二遮蔽电极部件，该第二遮蔽电极部件经由绝缘层与该臂结合。

8.如权利要求7所述的微振荡器件，其中通过处理材料衬底获得该微振荡器件，该材料衬底具有叠层结构，该叠层结构包括第一导电层、第二导电层和介于该第一导电层与该第二导电层之间的绝缘层，其中该第二遮蔽电极部件形成于该第一导电层中，该臂形成于该第二导电层中。

9.如权利要求1所述的微振荡器件，其中所述框架包括框架主体和第三遮蔽电极部件。

10.如权利要求9所述的微振荡器件，其中通过处理材料衬底获得该微振荡器件，该材料衬底具有叠层结构，该叠层结构包括第一导电层、第二导电层和介于该第一导电层与该第二导电层之间的绝缘层，其中该第一驱动电极和该第三遮蔽电极部件形成于该第一导电层中，该第二驱动电极和该框架主体形成于该第二导电层中。

11.如权利要求10所述的微振荡器件，其中所述第一、第二和第三遮蔽电极部件以及该第一驱动电极彼此电连接。

12.如权利要求10所述的微振荡器件，其中该框架主体包括第四遮蔽电极部件。

13.如权利要求12所述的微振荡器件，其中所述第一、第二、第三和第四遮蔽电极部件以及该第一驱动电极彼此电连接。

14.一种微振荡器件阵列，包括多个如权利要求1中所述的微振荡器件。

15.如权利要求14所述的微振荡器件阵列，其中所述微振荡器件的轴彼此平行。

16.如权利要求14所述的微振荡器件阵列，其中将该参考电位一并施加至各自的所述微振荡器件中的振荡部件的第一驱动电极，而可将一电位单独施加至所述微振荡器件中的每一个微振荡器件的第二驱动电极。