CN101266755A - 像素电路、显示装置及其驱动方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种像素电路、包括该像素电路的显示装置和用于该像素电路的驱动方法。其中，显示装置包括像素阵列单元和控制单元。通过本发明，能够避免由迁移率校正引起的发光亮度的下降，而不必增加视频信号的大小。

Description

像素电路、显示装置及其驱动方法

相关申请的交叉参考

本发明包含于2007年3月16日向日本专利局提交的日本专利申请号JP 2007-068020所涉及的主题，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及一种包括光电元件(也称作显示元件或者发光元件)的像素电路(也称作像素)、一种具有像素电路以矩阵形式排列在其中的像素阵列单元的显示装置、和一种显示装置的驱动方法，具体地说，涉及一种具有作为显示元件的根据驱动信号的大小来改变亮度的光电元件的像素电路、一种通过以矩阵形式排列这种像素电路并且在每个像素电路中具有有源元件(通过该有源元件以像素为单位执行显示驱动)的有源矩阵型显示装置、和该有源矩阵型显示装置的驱动方法。

背景技术

已经存在有使用根据施加至光电元件的电压或者流过光电元件的电流而改变亮度的光电元件作为像素的显示元件的显示装置。例如，液晶显示元件是根据施加到光电元件的电压来改变亮度的光电元件的典型例子，而有机电致发光(在下文中称作有机EL)元件(有机发光二极管(OLED))是根据流过光电元件的电流来改变亮度的光电元件的典型例子。利用后一种有机EL元件的有机EL显示装置是所谓的利用自发光光电元件作为像素的显示元件的发光显示装置。

有机EL元件是利用电场施加到有机薄膜时的发光现像的光电元件。有机EL元件能够由相对低的施加电压(例如10V或者更低)驱动，因而消耗很少的能量。此外，有机EL元件是自身发光的自发光元件，由此消除了液晶显示装置中对诸如背光源这样的辅助照明元件的需要。这样，有机EL元件能够容易地降低重量和厚度。此外，有机EL元件具有非常高的响应速度(例如大约几个μs)，因而在显示运动图像的时候没有余像发生。因为有机EL元件有这些优点，所以，利用有机EL元件作为光电元件的平板发光显示装置现在已经被积极地开发。

在以有机EL元件为代表的电流驱动型光电元件中，不同的驱动电流值意味着不同的发光亮度。因此，为了以稳定的亮度发光，将稳定的驱动电流提供给光电元件是很重要的。举例来说，用于提供驱动电流给有机EL元件的驱动方式能够被粗略分为恒流驱动方式和恒压驱动方式(这些方式是已知技术，因此这里将不会给出其公知文献)。

因为有机EL元件的电压-电流特性具有很陡的斜率，因此当执行恒压驱动时，电压的微小变化或者元件特性的微小变化会引起很大的电流变化并由此导致很大的亮度变化。因此，通常使用的是在饱和区域使用驱动晶体管的恒流驱动。当然，即使利用恒流驱动，电流的改变也会引起亮度的变化。但是，小的电流变化只引起小的亮度变化。

相反，即使利用恒流驱动方式，为了使光电元件的发光亮度不发生变化，使根据输入图像信号写入存储电容器并保持在存储电容器中的驱动信号恒定是重要的。例如，为了使有机EL元件的发光亮度不被改变，使与输入图像信号相对应的驱动信号恒定是重要的。

但是，驱动光电元件的有源元件(驱动晶体管)的阈值电压和迁移率会由于制造加工的变化而改变。此外，诸如有机EL元件等这样的光电元件的特性会随着时间变化。用于这种驱动的有源元件的特性变化和光电元件的特性变化即使在恒流驱动方式的情况下也会影响发光亮度。

这样，用于校正由用于上述驱动的有源元件和各个像素电路内的光电元件的特性变化引起的亮度变化的各种机构正在进行研究，从而均匀地控制在显示装置的整个屏幕上的发光亮度。

例如，在日本专利公开第2006-215213号(在下文中称作专利文件1)中描述的作为用于有机EL元件的像素电路的机构具有：阈值校正功能，即使驱动晶体管的阈值有变化或者长期改变也能够保持驱动电流恒定：迁移率校正功能，即使驱动晶体管的迁移率有变化或者长期改变也能够保持驱动电流恒定；和自引导功能，即使有机EL元件的电流-电压特性有长期改变也能够保持驱动电流恒定。

发明内容

但是，在专利文件1中描述的机构中，迁移率校正期间在采样晶体管被接通从而将对应于视频信号的驱动电位保持在存储电容器中之后采样晶体管保持导通的情况下开始。这样，因为迁移率校正操作在驱动晶体管的栅极电位被固定的状态下执行，所以迁移率校正引起栅极-源极电压降低，导致在没有采取措施抑制栅极-源极电压下降时发光亮度降低的不利影响。

作为用于避免迁移率校正引起的发光亮度的降低的方法，例如，可提供更大的视频信号，来将驱动电位写入存储电容器从而补偿由迁移率校正引起的栅极-源极电压的降低。但是，这个方法与不做迁移率校正的情况相比需要增加视频信号的大小。这必须增加写入驱动脉冲的大小和电源电压，导致电压消耗的增加。

考虑上述情况进行了本发明。期望提供一种能够避免由迁移率校正引起的发光亮度的下降而不必增加视频信号的大小的机构。

根据本发明的显示装置的实施例是使像素电路内的光电元件根据视频信号来发光的显示装置。在像素阵列单元中以矩阵形式排列的每个像素电路至少包括：驱动晶体管，用于产生驱动电流；光电元件，连接至驱动晶体管的输出端；存储电容器，用于保持对应于视频信号的信号电位的信息(驱动电位)；和采样晶体管，用于将对应于视频信号的信号电位的信息写入存储电容器。在该像素电路中，驱动晶体管根据在存储电容器中保持的信息产生驱动电流，并使驱动电流流过光电元件，由此光电元件发光。

采样晶体管将与信号电位相对应的信息作为驱动电位写入存储电容器。这样，采样晶体管取入其输入端(源极端和漏极端中的一个)上的信号电位，然后将对应于信号电位的信息写入连接至输出端(源极端和漏极端中的另一个)的存储电容器。当然，采样晶体管的输出端也连接至驱动晶体管的控制输入端。

要注意的是，上面所示的像素电路的连接构造是最基本的构造，对于像素电路来说至少包括上述组成元件就足矣，像素电路可以包括除这些组成元件之外的其它元件(即，其它组成元件)。此外，“连接”不限制为直接连接，也可以是经其它组成元件的连接。

例如，可以根据情况需要做出改变，以使开关晶体管、具有某种功能的功能单元等进一步插入连接之间。典型地，用于动态控制显示期间(换句话说是发光期间)的开关晶体管(发光控制晶体管)可以被设置在驱动晶体管的输出端和光电元件之间或者驱动晶体管的电源供给端(典型实例中的漏极端)和作为用于电源供给的配线的电源线之间。

这些变更模式中的像素电路也是用于实现根据本发明的显示装置的实施例的像素电路，只要像素电路能够实现在这个部分中描述的组成和工作(用于解决问题的措施)。

在这种情况下，作为根据本发明的像素电路和显示装置的实施例的特征点，以像素电路为基础，在各个像素电路中设置一端连接至驱动晶体管的输出端而另一端被提供脉冲信号的电容元件。电容元件的另一端被提供用于开始迁移率校正操作的脉冲信号。驱动晶体管的输出端由此经电源元件被提供在驱动晶体管的控制输入端和输出端之间的电位差增加的方向上的转换信息。这样，在迁移率校正开始时，迁移率校正能够在驱动晶体管的控制输入端和输出端之间的电位差被加大之后进行。

用于开始迁移率校正操作的脉冲信号(该脉冲信号被提供给电容元件的另一端)能够根据像素电路的构造和驱动定时而变化。例如，在如专利文件1所述的5TR构造的情况下，该构造包括驱动晶体管和采样晶体管以及两个在阈值校正操作或者迁移率校正操作时根据控制脉冲执行导通/截止操作的开关晶体管，和用于调整发光期间的负载的发光控制晶体管，当在提供给采样晶体管的写入驱动脉冲和提供给发光控制晶体管的扫描驱动脉冲都是有效的期间中执行迁移率校正操作时，提供给发光控制晶体管的控制输入端的扫描驱动脉冲优选被设置为用于开始迁移率校正的脉冲。

此外，在这种情况下，当n型和p型中的一种的驱动晶体管的电源供给端一侧被设置了n型和p型中的另一种的发光控制晶体管的时候，将电容元件的另一端连接发光控制晶体管的控制输入端并将扫描驱动脉冲提供给另一端就足够了。

当然，这是一个例子，将电源元件的一端连接至驱动晶体管的输出端(该输出端是驱动晶体管的光电元件侧)，并将与用于开始迁移率校正操作的脉冲相对应的信息提供给电容元件的另一端从而将该脉冲的转换信息(具体地说，在迁移率校正开始时驱动晶体管的栅极-源极电压增大的方向上的信息)提供给驱动晶体管的输出端就足够了。

根据本发明的实施例，加入了电容元件，并且电容元件的一端连接至驱动晶体管的输出端，而电容元件的另一端被提供与用于开始迁移率校正操作的脉冲相对应的信息。因此驱动晶体管的控制输入端和输出端之间的电位差被增加。

当采样晶体管被设定为导通状态从而将对应于信号电位的信息保持在存储电容器中并由此在采样晶体管保持在导通状态下执行迁移率校正操作的时候，在迁移率校正开始时，迁移率校正能够在驱动晶体管的控制输入端和输出端之间的电位差被预先加大之后进行。因此能够补偿由迁移率校正引起的驱动晶体管的控制输入端和输出端之间的电位差降低。

结果，能够增大发光期间的驱动电位。因此能够避免由迁移率校正引起的发光亮度的降低，而不必增加视频信号的大小。因为视频信号的大小不需要被增加，所以也能够有利于降低能量消耗。

附图说明

图1是示出作为根据本发明的显示装置的实施例的有源矩阵型显示装置的构造的示意图；

图2是示出形成图1所示有机EL显示装置的根据本实施例的像素电路P的比较例的示图；

图3是辅助说明有机EL元件和驱动晶体管的操作点的示图；

图4A～图4C是辅助说明有机EL元件和驱动晶体管的特性变化对驱动电流Ids的影响的示图；

图5是辅助说明用于弥补驱动晶体管的特性变化对驱动电流的影响的方法的概念的示图(1)；

图6A～图6D是辅助说明用于弥补驱动晶体管的特性变化对驱动电流的影响的方法的概念的示图(2)；

图7是辅助说明第二比较例的像素电路的操作的时序图；

图8是示出根据本实施例的像素电路P和有机EL显示装置的实施例的示图；

图9是辅助说明根据本实施例的像素电路的操作的时序图；

图10是辅助说明校正由迁移率校正引起的栅极-源极电压降低的操作的示图；以及

图11是辅助说明用于校正由迁移率校正引起的栅极-源极电压Vgs的降低的修改例的操作的示图。

具体实施方式

本发明的优选实施例将在下文参照附图详细描述。

<显示装置的概要>

图1是示出作为根据本发明的显示装置的实施例的有源矩阵型显示装置的构造示意图。在本实施例中，通过将本发明应用到有源矩阵型有机EL显示装置(在下文中称作有机EL显示装置)的情况作为例子来描述，该有源矩阵型有机EL显示装置例如将有机EL元件用作显示元件以及将多晶硅薄膜晶体管(TFT)用作有源元件，并且该显示装置是由薄膜晶体管形成的半导体基板上形成的有机EL元件构成的。

附带地，虽然在下文中所作的具体描述将作为像素显示元件的有机EL元件作为例子，但有机EL元件只是个例子，期望的显示元件不限制为有机EL元件。在下文中描述的所有实施例类似地可应用到所有通常通过电流驱动来发光的发光元件上。

如图1所示，有机EL显示装置1包括：显示面板单元100，其中，具有有机EL元件(未示出)作为多个显示元件的像素电路(也称作像素)110被设置为形成具有作为显示高宽比的X∶Y的高宽比(例如9∶16)的有效视频区域；驱动信号产生单元200，作为用于发送驱动和控制显示面板单元100的各种脉冲信号的面板控制单元的例子；和视频信号处理单元300。驱动信号产生单元200和视频信号处理单元300包括在单片IC中(集成电路)。

其中形成有有机EL显示装置1的产品形式不限制为具有图1所示的所有显示面板单元100、驱动信号产生单元200和视频信号处理单元300的模块(合成部分)形式。例如，只有显示面板单元100也能够被设置作为有机EL显示装置1。这样的有机EL显示装置1被用作在使用像半导体存储器、迷你盘(MD)、盒式录音带等这样的显示单元的便携式音乐播放器中的显示单元和其它电子装置。

显示面板单元100包括例如像素阵列单元102，像素电路P以n行×m列的矩阵形式被设置；垂直驱动单元103，用于在垂直方向上扫描像素电路P；水平驱动单元(也称作水平选择器或者数据线驱动单元)106，用于在水平方向上扫描像素电路P；和用于外部连接的终端单元(衬垫单元)108，其中，像素阵列单元102、垂直驱动单元103、水平驱动单元106和终端单元(衬垫单元)108在基板101上以集成的方式形成。即，像垂直驱动单元103、水平驱动单元106等这样的外围驱动电路在与像素阵列单元102相同的基板101上形成。

垂直驱动单元103包括例如写入扫描单元(写入扫描器WS；写入扫描)104、驱动扫描单元(驱动扫描器DS；驱动扫描)105(这两个单元在图1中被彼此集成显示)和两个阈值&迁移率校正扫描单元114和115(这两个单元在图1中彼此集成显示)。

像素阵列单元102例如是由写入扫描单元104、驱动扫描单元105、和阈值&迁移率校正扫描单元114和115从图1中水平方向上的一侧或者两侧驱动，以及由水平驱动单元106从图1中的垂直方向上的一侧或者两侧驱动。终端单元108被从安装在有机EL显示装置1外部的驱动信号产生单元200提供各种脉冲信号。终端单元108被类似地从视频信号处理单元300提供视频信号Vsig。

例如，像作为写入开始脉冲例子的偏移开始脉冲SPDS和SPWS以及垂直扫描时钟CKDS和CKWS这样的必需脉冲信号被提供作为用于垂直驱动的脉冲信号。此外，像作为在垂直方向上阈值检测开始脉冲的例子的偏移开始脉冲SPAZ1和SPAZ2以及垂直扫描时钟CKAZ1和CKAZ2这样的必需脉冲信号被提供作为用于校正阈值和迁移率的脉冲信号。此外，像作为在水平方向上写入开始脉冲的例子的水平开始脉冲SPH和水平扫描时钟CKH这样的必需脉冲信号被提供作为用于水平驱动的脉冲信号。

终端单元108的每一端都经配线109连接至垂直驱动单元103或者水平驱动单元106。例如，提供给终端单元108的脉冲按照情况需要以在图中没有显示的电平转换单元中的电压电平在内部被调整，并经缓冲器提供给垂直驱动单元103或者水平驱动单元106的各个部分。

像素阵列单元102具有这样的构造，尽管没有在图中显示(细节将在下文中描述)，具有为作为显示元件的有机EL元件配置的像素晶体管的每个像素电路P，是以矩阵形式二维排列，扫描线针对像素阵列的每一行设置，以及信号线针对像素阵列的每一列设置。

例如，扫描线(栅极线)104WS和105DS、阈值&迁移率校正扫描线114AZ和115AZ、以及信号线(数据线)106HS在像素阵列单元102中形成。在图1中没有显示的有机EL元件和用于驱动有机EL元件的薄膜晶体管(TFT)在扫描线和信号线各个的相交部分上形成。有机EL元件和薄膜晶体管的结合形成像素电路P。

具体地说，通过写入扫描单元104按照写入驱动脉冲WS所驱动的n行写入扫描线104WS_1～104WS_n和通过驱动扫描单元105按照扫描驱动脉冲DS驱动的n行驱动扫描线105DS_1～105DS_n以及通过第一阈值&迁移率校正扫描单元114的阈值&迁移率校正脉冲AZ1驱动的n行阈值&迁移率校正扫描线114AZ_1～114AZ_n和通过第二阈值&迁移率校正扫描单元115的阈值&迁移率校正脉冲AZ2驱动的n行阈值&迁移率校正扫描线115AZ_1～115AZ_n针对以矩阵形式排列的像素电路P的每个像素行设置。

根据从驱动信号产生单元200提供的用于垂直驱动方式的脉冲信号，写入扫描单元104和驱动扫描单元105经扫描线105DS和104WS依次选择各个像素电路P。根据从驱动信号产生单元200提供的用于水平驱动方式的脉冲信号，水平驱动单元106经信号线106HS将图像信号写入所选择的像素电路P。

垂直驱动单元103的每一部分逐行扫描像素阵列单元102，并同步于该扫描，水平驱动单元106在水平方向上按顺序(即，以每个像素)写入一水平行的图像信号，或者同时将用于一水平行的图像信号写入像素阵列单元102。前者总体上是逐点驱动，而后者总体上是逐行驱动。

当提供逐点驱动时，水平驱动单元106包括移位寄存器、采样开关(水平开关)等。水平驱动单元106将从视频信号处理单元300输入的像素信号以像素为单位写入由垂直驱动单元103的每一部分所选择的行的各个像素电路P。即，水平驱动单元106执行将视频信号以像素为单位写入由垂直扫描所选择的行的各个像素电路P的逐点驱动。

另一方面，当提供逐行驱动时，水平驱动单元106包括同时导通设置在所有列的信号线106HS上的开关(图中未示出)的驱动电路。水平驱动单元106同时导通图中没有显示的开关，该开关被设置在所有列的信号线106HS上，从而同时将视频信号处理单元300输出的像素信号写入由垂直驱动单元103所选择的行的一行的所有像素电路P。

垂直驱动单元103的每一部分是由逻辑栅极(包括锁存器)的组合形成的，并以行为单元选择像素阵列单元102的像素电路P。附带地，虽然图1示出了垂直驱动单元103只设置在像素阵列单元102的一侧的构造，但垂直驱动单元103也能够通过将像素阵列单元102夹在左侧和右侧之间而设置在左侧和右侧。

类似地，虽然图1示出了水平驱动单元106只设置在像素阵列单元102的一侧的构造，但水平驱动单元106也能够通过将像素阵列单元102夹在上侧和下侧之间而设置在上侧和下侧。

<像素电路；比较例>

图2是示出了形成图1所示的有机EL显示装置1的根据本实施例的像素电路P的比较例的示图。附带地，图2还示出了设置在显示面板单元100的基板101上的像素电路P的外围的外围部分中的垂直驱动单元103和水平驱动单元106。

图3是辅助说明有机EL元件和驱动晶体管的工作点的示图。图4A～图4C是辅助说明有机EL元件和驱动晶体管的特征变化对驱动电流Ids的影响的示图。图5和图6A～图6D是辅助说明消除该影响的方法的概念的示图。

图2所示的比较例和根据在下文中描述的本实施例的像素电路P基本特点在于，驱动晶体管由n通道型薄膜场效应晶体管形成。图2所示的比较例和根据在下文中描述的本实施例的像素电路P的另一特征在于，该比较例和像素电路P具有用于抑制在提供给有机EL元件的驱动电流Ids中由有机EL元件的时间退化引起的变化的电路，即，驱动信号一致化电路(1)，用于校正作为光电元件实例的有机EL元件的电流-电压特性中的改变和实现用于保持驱动电流Ids在一定电平的阈值校正功能和迁移率校正功能。此外，图2所示的比较例和根据在下文中描述的本实施例的像素电路P的特征在于，该比较例和像素电路P具有驱动信号一致化电路(2)，用于实现自引导(bootstrap)功能，用于在有机EL元件的电流-电压特性中存在时间变化时使驱动电流恒定。

当所有的开关晶体管能够由n通道型晶体管而不是p通道型晶体管形成的时候，已有的非晶硅(a-Si)处理能够在晶体管的制造中使用。由此，晶体管基板的成本能够被降低，并且可以期望具有这种构造的像素电路P的开发。图2所示的比较例和根据在下文中描述的实施例的像素电路P使用p型作为发光控制晶体管，这可能是个缺点。

MOS晶体管被用作包括驱动晶体管的每个晶体管。在这种情况下，驱动晶体管的栅极端被视为控制输入端，驱动晶体管的源极端和漏极端中的一个(在这种情况下为源极端)被视为输出端，另一个被视为电源供给端(在这种情况下为漏极端)。

图2所示的比较例的像素电路P将首先作为用于描述根据本实施例的像素电路P的特征的比较例进行描述。

该比较例的像素电路P包括：存储电容器(也称作像素电容)120；n通道型驱动晶体管121；p通道型发光控制晶体管122，其作为控制输入端的栅极端G被提供有效-L驱动脉冲(扫描驱动脉冲DS)；n通道型采样晶体管125，其作为控制输入端的栅极端G被提供有效-H驱动脉冲(写入驱动脉冲WS)；和有机EL元件127，作为在电流流过元件时发光的光电元件(发光元件)的实例。

采样晶体管125是设置在驱动晶体管121的栅极端G(控制输入端)一侧的开关晶体管。发光控制晶体管122也是开关晶体管。

通常，有机EL元件127具有整流特性，因此用二极管的符号来表示。附带地，有机EL元件127具有寄生电容(等效电容)Cel。图2示出了与有机EL元件127并联的寄生电容。

该比较例的像素电路P的特征在于，发光控制晶体管122设置在驱动晶体管121的漏极端D一侧，存储电容器120连接在驱动晶体管121的栅极和源极之间，以及像素电路P具有自引导通路130和阈值&迁移率校正电路140。

因为有机EL元件127是电流发光元件，所以色阶(colorgradation)是通过控制流过有机EL元件127的电流量来控制的。这样，流过有机EL元件127的电流量是通过改变施加到驱动晶体管121的栅极端G的电压来控制的。

这时，自引导电路130和阈值&迁移率校正电路140消除了有机EL元件127的时间改变和驱动晶体管121的特性改变的影响。这样，用于驱动像素电路P的垂直驱动单元103除写入扫描单元104和驱动扫描单元105之外还包括两个阈值&迁移率校正扫描单元114和115。

如参照图1所述，虽然图2只示出了一个像素电路P，但具有类似构造的像素电路P是以矩阵形式排列的。用于由写入扫描单元104通过写入驱动脉冲WS所驱动的n行的写入扫描线104WS_1～104WS_n和用于由驱动扫描单元105通过扫描驱动脉冲DS所驱动的n行的驱动扫描线105DS_1～105DS_n以及用于由第一阈值&迁移率校正扫描单元114通过阈值&迁移率校正脉冲AZ1所驱动的n行的阈值&迁移率校正扫描线114AZ_1～114AZ_n和用于由第二阈值&迁移率校正扫描单元115通过阈值&迁移率校正脉冲AZ2所驱动的n行的阈值&迁移率校正扫描线115AZ_1～115AZ_n针对以矩阵形式排列的像素电路P的每个像素行而设置。

自引导电路130包括与有机EL元件127并联以及被提供有效-H阈值&迁移率校正脉冲AZ2的n通道型检测晶体管124，并由检测晶体管124和连接在驱动晶体管121的栅极和源极之间的存储电容器120形成。存储电容器120还起自引导电容的作用。

阈值&迁移率校正电路140包括被提供有在驱动晶体管121的栅极端G和第二电源供给电位Vc2之间的有效-H阈值&迁移率校正脉冲AZ1的n通道型检测晶体管123，并由检测晶体管123、驱动晶体管121、发光控制晶体管122、和连接在驱动晶体管121的栅极和源极之间的存储电容器120形成。存储电容器120也起保持检测出的阈值电压Vth的阈值电压保持电容的作用。

驱动晶体管121具有与发光控制晶体管122的漏极端D连接的漏极端D。发光控制晶体管122的源极端S连接至第一电源供给电位Vc1。驱动晶体管121的源极端S直接连接至有机EL元件127的阳极端A。驱动晶体管121的源极端S和有机EL元件127的阳极端A之间的连接点被设定为节点ND121。有机EL元件127的阴极端K连接至提供基准电位的为所有像素共用的接地配线Vcath(GND)，并由此被提供阴极电位Vcath。

采样晶体管125具有连接至来自写入扫描单元104的写入扫描线104WS的栅极端G、连接至视频信号线106HS的漏极端D、和连接至驱动晶体管121的栅极端G的源极端S。采样晶体管125的源极端S和驱动晶体管121的栅极端G之间的连接点被设定为节点ND122。采样晶体管125的栅极端G由写入扫描单元104提供有效-H写入驱动脉冲WS。采样晶体管125也能够是源极端S和漏极端D颠倒的连接方式。存储电容器120的一端连接至驱动晶体管121的源极端S，另一端连接至相同驱动晶体管的栅极端G。

检测晶体管123是设置在驱动晶体管121的栅极端G(控制输入端)一侧的开关晶体管。检测晶体管123具有连接至作为偏移电压的实例的接地电位Vofs的源极端S、连接至驱动晶体管121的栅极端G(节点ND122)的漏极端D和连接至阈值&迁移率校正扫描线114AZ作为控制输入端的栅极端G。通过导通检测晶体管123，驱动晶体管121的栅极端G的电位经检测晶体管123与作为固定电位的接地电位Vofs相连。

检测晶体管124是开关晶体管。检测晶体管124具有连接至作为驱动晶体管121的源极端S和有机EL元件127的阳极端A之间的连接点的节点ND121的漏极端D、连接至作为基准电位实例的接地电位Vs1的源极端S和连接至阈值&迁移率校正扫描线115AZ作为控制输入端的栅极端G。

通过在驱动晶体管121的栅极和源极之间连接存储电容器120并导通检测晶体管124，驱动晶体管121的源极端S的电位经检测晶体管124连接至作为固定电位的接地电位。

当被写入扫描线104WS选择的时候采样晶体管125开始工作。采样晶体管125从信号线106HS采样像素信号Vsig(像素信号Vsig的信号电位Vin)，并经节点ND122将具有对应于信号电位Vin的大小的电位保持在存储电容器120中。存储电容器120保持的电位理论上具有与信号电位Vin相同的大小，但是实际上低于信号电位Vin。

当发光控制晶体管122在扫描驱动脉冲DS之下导通的时候，驱动晶体管121根据存储电容器120保持的驱动电位(在这个时间点时驱动晶体管121的栅极-源极电压)通过电流来驱动有机EL元件127。发光控制晶体管122在被驱动扫描线105DS选择的时候导通，以便将来自第一电源供给电位Vc1的电流提供给驱动晶体管121。

这样，通过将作为驱动晶体管121的电源供给端的漏极端D一侧经发光控制晶体管122与第一电源供给电位Vc1连接，并控制发光控制晶体管122的导通期间，就能调整有机EL元件127的发光期间和非发光期间，并由此执行负载驱动(duty driving)。

当通过从阈值&迁移率校正扫描单元114和115将有效-H阈值&迁移率校正脉冲AZ1和AZ2提供给阈值&迁移率校正扫描线114AZ和115AZ而分别被设定为被选状态时，检测晶体管123和124工作。检测晶体管123和124执行预定校正操作(在这种情况下为校正阈值电压Vth和迁移率μ的变化的操作)。

例如，为了先于有机EL元件127的电流驱动检测驱动晶体管121的阈值电压Vth并预先消除电压Vth的影响，检测的电位被保持在存储电容器120中。

为了保证具有这种构造的像素电路P的正常操作，接地电位Vs1被设定低于通过从接地电位Vofs减去驱动晶体管121的阈值电压Vth所获得的电平。即，“Vs1＜Vofs-Vth”。

此外，通过将有机EL元件127的阈值电压VthEL加上有机EL元件127的阴极端K的电位Vcath所获得的电平被设定高于从接地电位Vs 1减去驱动晶体管121的阈值电压Vth所获得的电平。即，“Vcath+VthEL＞Vs1-Vth”。理想地，接地电位Vofs的电平被设定在信号线106HS所提供的像素信号Vsig的最低电平的附近(在最低电平和较低的范围内)。

在具有这种构造的比较例的像素电路P中，采样晶体管125响应于在预定信号写入期间(采样期间)从写入扫描线104WS提供的写入驱动脉冲WS而导通，从而将由信号线106HS提供的视频信号Vsig采样到存储电容器120中。存储电容器120根据所采样的视频信号Vsig，施加驱动晶体管121的栅极和源极之间的输入电压(栅极-源极电压Vgs)。

在预定发光期间，驱动晶体管121将对应于栅极-源极电压Vgs的输出电流作为驱动电流Ids提供给有机EL元件127。附带地，驱动电流Ids依赖于驱动晶体管121中的通道区域的载流子迁移率μ和驱动晶体管121的阈值电压Vth。有机EL元件127根据驱动晶体管121提供的驱动电流Ids以对应于视频信号Vsig(具体地说是信号电位Vin)的亮度发光。

比较例的像素电路P具有由开关晶体管(发光控制晶体管122和检测晶体管123和124)形成的校正部。为了消除驱动电流Ids对载流子迁移率μ的依赖，存储电容器120保持的栅极-源极电压Vgs在发光期间的开始被预先校正。

具体地说，校正部(开关晶体管122、123、和124)根据从写入扫描线104WS和驱动扫描线105DS提供的写入驱动脉冲WS和扫描驱动脉冲DS，在信号写入期间的部分时间(例如第二半边)内操作，从而在视频信号Vsig正在被采样并将驱动电流Ids负反馈给存储电容器120的情况下通过从驱动晶体管121提取驱动电流Ids来校正栅极-源极电压Vgs。此外，为了消除驱动电流Ids对阈值电压Vth的依赖，校正部(开关晶体管122、123、和124)在信号写入期间之前预先检测驱动晶体管121的阈值电压Vth，并将检测的阈值电压Vth加在栅极-源极电压Vgs上。

具体地说，在比较例的像素电路P中，驱动晶体管121是n通道型晶体管，并且其漏极连接至正电源侧，同时驱动晶体管121的源极连接至有机EL元件127侧。在这种情况下，上述校正部从驱动晶体管121提取驱动电流Ids，并在与信号写入期间的稍后部分相重叠的发光期间的开始部分中将驱动电流Ids负反馈给存储电容器120侧。

这时，校正部使在发光期间的开始部分中从驱动晶体管121的源极端S提取的驱动电流Ids流入有机EL元件127的寄生电容Cel。具体地说，有机EL元件127是具有阳极端A和阴极端K的二极管型发光元件。阳极端A侧连接至驱动晶体管121的源极端S，而阴极端K侧连接至接地侧(在本实例中的阴极电位Vcath)。

利用这种构造，校正部(开关晶体管122、123和124)预先设定有机EL元件127的阳极和阴极之间为反偏压态，因此，当从驱动晶体管121的源极端S侧提取的驱动电流Ids流入有机EL元件的时候，使二极管型有机EL元件127起电容元件的作用。

附带地，校正部能够调整在信号写入期间驱动电流Ids从驱动晶体管121被提取的持续时间t。校正部由此优化驱动电流Ids负反馈到存储电容器120的量。

在这种情况下，“优化负反馈的量”意味着能够使迁移率校正在从视频信号电位的黑电平到白电平的范围中的任何适当电平上被执行。施加到栅极-源极电压Vgs的负反馈的量依赖驱动电流Ids的提取时间。提取时间越长，负反馈的量越大。

例如，通过将斜率提供给作为视频线信号电位的信号线106HS的电压的上升沿或者写入扫描线104WS的写入驱动脉冲WS的转换特性，迁移率校正期间t自动跟随视频线信号电位，并由此被优化。即，迁移率校正期间t能够通过写入扫描线104WS和信号线106HS之间的相位差被确定，还能够通过信号线106HS的电位被确定。迁移率校正参数ΔV是ΔV＝Ids·Cel/t。

从这个方程清楚看出，作为驱动晶体管121的漏极-源极电流的驱动电流Ids越高，迁移率校正参数ΔV越高。相反，当驱动晶体管121的驱动电流Ids很低的时候，迁移率校正参数ΔV也很低。因此，根据驱动电流Ids来确定迁移率校正参数ΔV。

这时，迁移率校正期间t不必是恒定的，并且根据驱动电流Ids来调整迁移率校正期间t可能更理想。例如，当驱动电流Ids很高的时候设定迁移率校正期间t更短，以及相反当驱动电流Ids降低的时候设定迁移率校正期间t更长是理想的。

因此，通过将斜率提供给视频信号线电位(信号线106HS的电位)的上升沿或者写入扫描线104WS的写入驱动脉冲WS的转换特性，自动调整被执行，从而当信号线106HS的电位高的时候(当驱动电流Ids高的时候)校正期间t被缩短，以及当信号线106HS的电位低的时候(当驱动电流Ids低的时候)校正期间t被延长。这样，以跟随视频信号电位(视频信号Vsig的信号电位Vin)这样的方法能够自动设定适当的校正期间。由此能够做出最适宜的迁移率校正而不必考虑图像的亮度或者模式。

<基本操作>

首先，在没有设置发光控制晶体管122、检测晶体管123和检测晶体管124、存储电容器120的一端连接至节点ND122另一端连接至为所有像素共用的接地线Vcath(GND)的情况下的操作，将作为用于描述根据在下文中描述的实施例的图2中的像素电路P的特征的比较例进行描述。该像素电路P将在下文中被称作第一比较例的像素电路P，以及图2所示的像素电路P将被称作不同于第一比较例的像素电路P的第二比较例的像素电路P。在像素阵列单元102中包括第二比较例的像素电路P的有机EL显示装置1将被称作第二比较例的有机EL显示装置1。

在第一比较例的像素电路P中，驱动晶体管121的源极端S的电位(源极电位Vs)是由驱动晶体管121和有机EL元件127的操作点确定的，并且电压值依赖驱动晶体管121的栅极电位Vg而不同。

通常，如图3所示，驱动晶体管121在饱和区域被驱动。这样，假设Ids是在饱和区域中操作的晶体管的漏极端和源极之间流动的电流，μ是迁移率，W是通道宽度(栅极宽度)，L是通道长度(栅极长度)，Cox是栅极电容(每单位面积的栅极氧化膜电容)，以及Vth是晶体管的阈值电压，驱动晶体管121是具有下列方程(1)所表示的值的恒定-电流源。附带地，“^”表示幂。从方程(1)清楚看出，在饱和区域中，晶体管的漏极电流Ids由栅极-源极电压Vgs控制，以及驱动晶体管起恒定-电流源的作用。

$\mathrm{Ids}=\frac{1}{2}\mathrm{\&mu;}\frac{W}{L}\mathrm{Cox}(\mathrm{Vgs}-\mathrm{Vth})^2\&CenterDot;\&CenterDot;\&CenterDot;\left(1\right)$

<发光元件的Iel-Vel特性和I-V特性>

在由图4A～图4C的(1)中示出的以有机EL元件为代表的电流-驱动型发光元件的电流-电压(Iel-Vel)特性中，实线所示的曲线表示在初始状态时的特性，虚线所示曲线表示在经过时间变化之后的特性。通常，包括有机EL元件的电流-驱动型发光元件的I-V特性如图中所示随着时间的流逝而变差。

例如，当发光电流Iel流过作为发光元件实例的有机El元件127的时候，有机EL元件127的阳极-阴极电压Vel被唯一确定。如图4A～图4C的(1)中所示，在发光期间，由驱动晶体管121的漏极-源极电流Ids(＝驱动电流Ids)确定的发光电流Iel流过有机El元件127的阳极端A，有机EL元件127的阳极端A由此升高阳极-阴极电压Vel。

在第一比较例的像素电路P中，用于相同发光电流Iel的阳极-阴极电压Vel从Vel1变化到Vel2，作为在有机EL元件127的特性中随时间改变的结果。因此驱动晶体管121的操作点被改变。即使当施加相同的栅极电位时，驱动晶体管121的源极电位Vs也被改变。结果，驱动晶体管121的栅极-源极电压Vgs被改变。

在使用n通道型作为驱动晶体管121的简单电路中，驱动晶体管121的源极端S连接至有机EL元件127侧，因此，该简单电路被有机EL元件127的I-V特性的时间改变所影响。流过有机EL元件127的电流量(发光电流Iel)也因此被改变。结果，发光亮度被改变。

具体地说，在第一比较例的像素电路P中，由于有机EL元件127的I-V特性的时间改变引起操作点被改变。即使当施加相同的栅极电位Vg时，驱动晶体管121的源极电位Vs也被改变。这样，驱动晶体管121的栅极-源极电压Vgs被改变。从特征方程(1)清楚看出，即使栅极电位Vg是恒定的，栅极-源极电位Vgs的变化也会改变驱动电流Ids，并且同时改变流过有机EL元件127的电流值。这样，在第一比较例的像素电路P中，有机EL元件127的I-V特性的改变引起有机EL元件127的发光亮度随时间的改变。

在使用n通道型作为驱动晶体管121的简单电路中，驱动晶体管121的源极端S连接至有机EL元件127侧，因此栅极-源极电压Vgs随着有机EL元件的随时间改变而改变。流过有机EL元件127的电流量也因此被改变。结果，发光亮度被改变。

由作为发光元件实例的有机EL元件127特性的时间改变引起的有机EL元件127的阳极电位改变作为驱动晶体管121的栅极-源极电压Vgs中的改变而出现，并引起漏极电流(驱动电流Ids)的改变。由这个原因引起的驱动电流中的改变显示为每个像素电路P的发光亮度的改变，因此引起图像质量的下降。

另一方面，如在下文中详细所述，通过在与信号电位Vin相对应的信息已经写入存储电容器120的时间时将采样晶体管125设定为非导通状态(并在有机EL元件127的随后发光期间内持续保持采样电容器125在非导通状态中)，自引导操作被执行，电路构造和驱动定时被设定以实现使驱动晶体管121的栅极端G的电位Vg随着驱动晶体管121的源极端的电位Vs的变化联动的自引导功能。

因此，即使当存在由有机EL元件127的特性的时间变化引起有机EL元件127的阳极电位的变化(即，源极电位的变化)时，栅极电位也改变以便消除变化。这样屏幕亮度的一致性能够被保证。自引导功能能够提高校正由有机EL元件代表的电流-驱动型发光元件的时间变化的能力。

这个自引导功能能够在写入驱动脉冲WS被改变为无效-L状态并由此采样晶体管125被截止的发光状态的时刻时启动，并且当驱动晶体管121的源极电位Vs其后在发光电流Iel开始流过有机EL元件127并且阳极-阴极电压Vel随着发光电路Iel的流动开始而上升直到阳极-阴极电压Vel稳定的处理中随着阳极-阴极电压Vel的改变而改变的时候，自引导功能也起作用。

<驱动晶体管的Vgs-Ids特性>

此外，由于制造驱动晶体管121的过程中的变化，在每个像素电路P中存在阈值电压、迁移率等的特性变化。即使驱动晶体管121在饱和区域被驱动并且相同的栅极电位被提供给驱动晶体管121，特性变化也改变每个像素电路P中的漏极电流(驱动电流Ids)，该改变表现为发光亮度的非一致性。

例如，图4A～图4C的(2)是示出了关注于驱动晶体管121的阈值变化的电压-电流(Vgs-Ids)特性。各个特性曲线是关于具有Vth1和Vth2不同阈值电压的两个驱动晶体管121。

如上所述，当驱动晶体管121在饱和区域中操作时的漏极电流Ids由特征方程(1)来表示。从特征方程(1)清楚地看出，当阈值电压Vth变化的时候，即使栅极-源极电压Vgs是恒定的，漏极电流Ids也变化。即，当没有方法抑制阈值电压Vth的变化的时候，如图4A～图4C的(2)所示，当阈值电压是Vth1的时候对应于栅极电压Vgs的驱动电流是Ids1，其中当阈值电压是Vth2的时候对应于相同栅极电压Vgs的驱动电流Ids2不同于Ids1。

此外，图4A～图4C的(3)是示出关注于驱动晶体管121的迁移率变化的电压-电流(Vgs-Ids)特性的示图。各个特性曲线是关于具有μ1和μ2不同迁移率的两个驱动晶体管121。

从特征方程(1)清楚看出，当迁移率μ变化的时候，即使栅极-源极电压Vgs是恒定的，漏极电流Ids也变化。即，当没有采取措施抑制迁移率μ的变化的时候，如图4A～图4C的(3)所示，当迁移率是μ1时对应于栅极电压Vgs的驱动电流是Ids1，而当迁移率是μ2时对应于相同栅极电压Vgs的驱动电流是不同于Ids1的Ids2。

如图4A～图4C的(2)或者图4A～图4C的(3)所示，如果由于阈值电压Vth或者迁移率μ的差别引起在Vin-Ids特性中产生很大差别，那么即使提供了相同的信号电位，驱动电流Ids，即，发光亮度也将变得不同。因此，不能获得屏幕亮度的一致性。

<阈值校正和迁移率校正的概念>

另一方面，通过设定用于实现阈值校正功能和迁移率校正功能的驱动定时(细节将在下文中描述)，有可能抑制这些变化的影响，并由此保证屏幕亮度的一致性。

在根据第二比较例和本实施例的阈值校正操作和迁移率校正操作中，尽管细节将在下文描述，但是在发光时的栅极-源极电压Vgs被表示为“Vin+Vth-ΔV”。从而避免了漏极-源极电流Ids依赖于阈值电压Vth的改变或者变化，以及依赖于迁移率μ的变化或者改变。结果，即使阈值Vth和迁移率μ在制造过程中或者随着时间流逝是变化的，驱动电流Ids也不改变，因此有机EL元件127的发光亮度不改变。

例如，图5是辅助说明在迁移率校正时驱动晶体管121的操作点的示图。当像在发光时栅极-源极电压Vgs被表示为“Vin+Vth-ΔV”这样的阈值校正和迁移率校正被应用于发生在制造过程中或者时间流逝中的迁移率μ1和μ2的变化时，首先，从迁移率的角度出发，迁移率校正参数ΔV1被确定用于迁移率μ1，以及迁移率校正参数ΔV2被确定用于迁移率μ2。

因此，针对每个迁移率来确定适当的迁移率校正参数。这样，可确定驱动晶体管121的迁移率μ1时的驱动电流Idsa和迁移率μ2时的驱动电流Idsb。当在迁移率校正之前有很大电流变化时，迁移率校正降低电流变化，并由此抑制迁移率μ的差别。在最优化状态“Idsa＝Idsb”中，迁移率μ中的差别能够被消除(被抵消)。

还是如图4A～图4C的(3)所示，如果迁移率校正没有被应用，以及当对于栅极-源极电压Vgs有不同迁移率μ1和μ2的时候，相应地会产生明显不同的驱动电流Ids，即，驱动电流Ids1和Ids2。为了解决这个问题，适当的迁移率校正参数ΔV1和ΔV2分别应用于迁移率μ1和μ2，由此驱动电流Ids1和Ids2变为驱动电流Idsa和Idsb。通过优化迁移率校正参数ΔV1和ΔV2的每一个，能够使驱动电流Idsa和Idsb在迁移率校正之后彼此接近，并设定驱动电流Idsa和Idsb在最优化状态的相同电平上。

在迁移率校正时，从图5的示图清楚看出，负反馈被应用，以便对于高迁移率μ1增加迁移率校正参数ΔV1，而对于低迁移率μ2降低迁移率校正参数ΔV2。在这个意义上，迁移率校正参数ΔV也称作负反馈量ΔV。

图6A～图6D的每个图示出了从阈值校正的观点看信号电位Vin和驱动电流Ids之间的关系。例如，在示出驱动晶体管121的电流-电位特性的图6A～图6D的每个图中，横坐标轴表示信号电位Vin而纵坐标轴表示驱动电流Ids，各个特征曲线是关于包括具有相对低阈值电压Vth和相对高迁移率μ的驱动晶体管121的像素电路Pa(实线曲线)和包括相反地具有相对高阈值电压Vth和相对低迁移率μ的驱动晶体管121的像素电路Pb(虚线曲线)。

图6A～图6D的(1)对应于阈值校正和迁移率校正都不进行的情况。此时，像素电路Pa和像素电路Pb根本不校正阈值电压Vth和迁移率μ，以致阈值电压Vth和迁移率μ中的差别导致Vin-Ids特性的大的差别。因此，即使提供相同的信号电位Vin，驱动电流Ids，即，发光亮度也不同，以致不能获得屏幕亮度的一致性。

图6A～图6D的(2)对应于进行阈值校正但不进行迁移率校正的情况。此时，像素电路Pa和像素电路Pb消除了阈值电压Vth的差别。但是，迁移率μ中差别表现和先前一样。这样，迁移率μ中的差别明显出现在高信号电位Vin的区域中(即，高亮度区域)，导致对于相同电平具有不同亮度。具体地说，对于相同的等级(相同的信号电位Vin)，具有高迁移率μ的像素电路Pa的亮度(驱动电流Ids)就高，而具有低迁移率μ的像素电路Pb的亮度(驱动电流Ids)就低。

图6A～图6D的(3)对应于阈值校正和迁移率校正都被进行的情况。阈值电压Vth和迁移率μ中的差别被完全校正。结果，像素电路Pa和像素电路Pb的Vin-Ids特性彼此一致。这样，对于所有等级(信号电位Vin)，亮度(Ids)处于相同水平，从而大幅度提高屏幕亮度的一致性。

图6A～图6D的(4)对应于虽然阈值校正和迁移率校正都被进行，但是阈值电位Vth校正不够的情况。例如，在一个阈值校正操作中，对应于驱动晶体管121的阈值电压Vth的电压不能够完全保持在存储电容器120中。此时，阈值电压Vth中的差别不被消除，以致像素电路Pa和像素电路Pb在低电平的范围内具有不同的亮度(驱动电流Ids)。因此，当阈值电压Vth校正不够时，亮度的非一致性在低电平中出现，并由此图像质量下降。

<像素电路的操作；比较例>

图7是辅助说明第二比较例的像素电路P的操作的时序图。在下文中描述的本实施例的驱动定时中的各驱动定时本身基本与图7的时序图所示相同。图7的时序图有效地包括示出根据本实施例的像素电路P的驱动定时的时序图。

图7示出了写入驱动脉冲WS、阈值&迁移率校正脉冲AZ1和AZ2、以及扫描驱动脉冲DS沿着时间轴t的波形。从上述可以理解，由于开关晶体管123、124、和125是n通道型的，所以当各个脉冲AZ 1、AZ2和WS在高(H)电平的时候开关晶体管123、124和125导通，而当各个脉冲AZ1、AZ2和WS在低(L)电平的时候开关晶体管123、124和125截止。另一方面，由于发光控制晶体管123是p通道型的，所以当扫描驱动脉冲DS在高电平的时候发光控制晶体管122截止，而当扫描驱动脉冲DS在低电平的时候发光控制晶体管122导通。附带地，这个时序图还示出了同各个脉冲WS、AZ1、AZ2和DS的波形一起在驱动晶体管121的栅极端G上的电位改变和在驱动晶体管121的源极端S上的电位改变。

在该比较例的像素电路P中，在正常的发光状态中，只有从驱动扫描单元105输出的扫描驱动脉冲DS处于有效-L状态，而其它脉冲，即，分别从写入扫描单元104和阈值&迁移率校正扫描单元114和115输出的写入驱动脉冲WS和阈值&迁移率校正脉冲AZ1和AZ2处于无效-L状态。因此只有发光控制晶体管122在导通状态中。

像素阵列单元102的每一行在一个场中被顺序扫描一次。在所关注的场开始之前(在t1之前)的期间，所有的脉冲WS、AZ1、AZ2和DS都处于低电平。这样，n通道型开关晶体管123、124和123在截止状态，而只有p通道型发光控制晶体管在导通状态。

因此，驱动晶体管121在导通状态中经发光控制晶体管122连接至第一电源供给电位Vc1，并由此根据预定的栅极-源极电压Vgs将驱动电流Ids提供给有机EL元件127。有机EL元件127因此在时间t1之前发光。这时，施加到驱动晶体管121上的栅极-源极电压Vgs表示为栅极电位Vg和源极电位Vs之间的差别。

这时，驱动晶体管121被设定在饱和区域中操作。这样，假设Ids是在饱和区域中操作的晶体管的漏极端和源极之间流动的电流，μ是迁移率，W是通道宽度，L是通道长度，Cox是栅极电容，以及Vth是晶体管的阈值电压，驱动晶体管121原则上是具有方程(1)所表示的值的恒定电流源。

在新场开始的时间t1中，扫描驱动脉冲DS从低电平改变为高电平(t1)。这样，在时间t1中，所有开关晶体管122～125处于截止状态。发光控制晶体管122由此被截止，从而断开驱动晶体管121与第一电源供给电位Vc1的连接。因此，栅极电压Vg和源极电压Vs被降低，并且有机EL元件127停止发光，从而非发光期间开始。

接下来，阈值&迁移率校正脉冲AZ1和AZ2依次被设定为有效-H状态，因此检测晶体管123和124被导通。附带地，检测晶体管123和124中的任意一个可以被先导通。这样，电流被阻止流过有机EL元件127，以及有机EL元件127被设定为非发光状态。在图7所示的例子中，阈值&迁移率校正脉冲AZ2首先被设定为有效-H状态，从而导通检测晶体管124(t2)，然后阈值&迁移率校正脉冲AZ1被设定为有效-H状态从而导通检测晶体管123(t3)。

这时，驱动晶体管121的源极端S经检测晶体管124被提供接地电位Vs1，由此驱动晶体管121的源极电位Vs被初始化(t2～t3)。此外，驱动晶体管121的栅极端G经检测晶体管123被提供接地电位Vofs，由此驱动晶体管121的栅极电位Vg被初始化(t3～t4)。

跨过在驱动晶体管121的栅极和源极之间连接的存储电容器120的电位差由此被设定等于或者高于驱动晶体管121的阈值电压Vth。这时，驱动晶体管121的栅极-源极电压Vgs假定为值“Vofs-Vs1”。由于进行设定使得“Vs1＜Vofs-Vth”，所以驱动晶体管121保持导通状态，并且相应的电流Ids1流动。

在这种情况下，设定有机EL元件127在非发光状态需要关系Vcath+VthEL＞Vs1-Vth，即，需要接地电位Vofs和接地电位Vs1的电压的设置，使得被施加到有机EL元件127的阳极端A上的电压Vel(＝Vs1-Vth)低于有机EL元件127的阈值电压VthEL和阴极电压Vcath的和。这样，有机EL元件127被设定为反偏压状态，并且没有电流流过有机EL元件127，以致有机EL元件127处于非发光状态。

因此，驱动晶体管121的漏极电流Ids1在导通状态下经检测晶体管124从第一电源供给电位Vc1流到接地电位Vs1。此外，通过进行设定使得Vofs-Vs1＝Vgs＞Vth，进行对阈值电压Vth的变化校正的准备，该校正在接下的时间t5中进行。换句话说，从t2到t5的期间对应于重置漏极晶体管121的期间(初始化期间)和迁移率校正的准备期间。

至于有机EL元件127的阈值电压VthEL，进行设定使得VthEL＞Vs1。因此，负偏压被施加到有机EL元件127上，并且有机EL元件127被设定为所谓的反偏压状态。这个反偏压状态对于通常执行校正阈值电压Vth中的变化和校正载流子迁移率μ中的变化的操作是必需的，这些操作将在后面执行。

接下来，阈值&迁移率校正脉冲AZ2被设定为无效-L状态(t4)，以及在基本相同的时间(有微小延迟)(t5)扫描驱动脉冲DS被设定为有效-L状态。从而，检测晶体管124被截止，而发光控制晶体管122被导通。结果，驱动电流Ids流入存储电容器120。用于校正(消除)驱动晶体管121的阈值电压Vth的阈值校正期间开始。

驱动晶体管121的栅极端G被保持在接地电位Vofs。驱动晶体管121的源极电位Vs上升，并且驱动电流Ids流动直到驱动晶体管121切断。当驱动晶体管121切断的时候，驱动晶体管121的源极电位Vs变为“Vofs-Vth”。

即，因为有机EL元件127的等效电路由二极管和寄生电容Cel的并联电路来表示，只要“Vel≤Vcath+VthEL”，即，只要有机EL元件127的漏极电流相当低于流过驱动晶体管121的电流，驱动晶体管121的电流就被用来给存储电容器120和寄生电容Cel充电。

接着，当流过驱动晶体管121的漏极电流的电流路径被阻断时，有机EL元件127的阳极端A上的电压Vel，即，节点ND121的电位随时间上升。这样，当节点ND121的电位(源极电压Vs)和节点ND122的电压(栅极电压Vg)之间的电位差完全变为阈值电压Vth的时候，驱动晶体管121从导通状态改变为截止状态，并由此漏极电流停止流动。因此阈值校正期间结束。即，在经过一端时间之后，驱动晶体管121的栅极-源极电压Vgs采用阈值电压Vth的值。

这时，“Vel＝Vofs-Vth≤Vcath+VthEL”。即，电位差＝节点ND121和节点ND122之间表现的阈值电压Vth被存储电容器120保持。这样，当检测晶体管123和123分别被阈值&迁移率校正扫描线114AZ和115AZ在适当定时选择时开始工作，从而检测驱动晶体管121的阈值电压Vth，并将驱动晶体管121的阈值电压Vth保持在存储电容器120中。

扫描驱动脉冲DS和阈值&迁移率校正脉冲AZ1依次被设定为无效-H状态(t6)和无效-L状态(t7)，因此发光控制晶体管122和检测晶体管123依次被截止，从而结束阈值消除操作。通过在检测晶体管123之前截止发光控制晶体管122，能够抑制在驱动晶体管121的栅极端G上电压Vg的变化。

附带地，在经过阈值消除期间(Vth校正期间)之后，驱动晶体管121的检测阈值电压Vth继续被存储电容器120保持作为校正电位。

这样，从时间t5到时间t6的期间是检测驱动晶体管121的阈值电位Vth的期间。这个从t5到t6的检测期间在这里称作阈值校正期间。

接下来，写入驱动脉冲WS被设定为有效-H状态，从而导通采样晶体管125，使得像素信号Vsig被写入存储电容器120(像素信号Vsig的写入也被称作采样)(t8～t10)。该视频信号Vsig的采样被执行直到时间t10，在该时间时写入驱动脉冲WS返回无效-L状态。即，从时间t8到时间t10的期间称作信号写入期间(在下文中也称作采样期间)。通常，采样期间被设定为一个水平周期(1H)。

在这个采样期间(t8～t10)中，像素信号Vsig的信号电位Vin被提供给驱动晶体管121的栅极端G，并因此栅极电压Vg被设定为对应于信号电位Vin的驱动电位。对应于信号电位Vin并被写入存储电容器120的信息的大小比将被称作写入增益Ginput。这时，像素信号Vsig以被加到驱动晶体管121的阈值电压Vth的形式被保持。结果，驱动晶体管121的阈值电压Vth的变化被消除，这意味着阈值校正被完成。

驱动晶体管121的栅极-源极电压Vgs，即，被写入存储电容器120的驱动电位通过存储电容器120(电容值Cs)、有机EL元件127的寄生电容Cel(电容值Cel)、和栅极和源极之间的寄生电容(电容值Cgs)在方程(2)中被确定。

$\mathrm{Vgs}=\frac{\mathrm{Cel}}{\mathrm{Cel}+\mathrm{Cs}+\mathrm{Cgs}}(\mathrm{Vsig}-\mathrm{Vofs})+\mathrm{Vth}\&CenterDot;\&CenterDot;\&CenterDot;\left(2\right)$

然而，通常来说，寄生电容Cel大大高于存储电容器120的电容值以及栅极和源极之间的电容值Cgs，即，存储电容器120相当低于有机EL元件127的寄生电容(等效电容)Cel。结果，大部分视频信号Vsig被写入存储电容器120。准确地说，视频信号Vsig与接地电位Vofs的差，即，“Vsig-Vofs”被写入存储电容器120。

这样，驱动晶体管121的栅极-源极电压Vgs等于将先前检测并保持的阈值电压Vth加上此时采样的“Vsig-Vofs”所获得的电平“Vsig-Vofs+Vth”。这时，当接地电位Vofs被设定在像素信号Vsig的黑电平的附近时，接地电位Vofs能够被设定为Vofs＝0V。因此，栅极-源极电压Vgs(＝驱动电位)变得完全等于“Vsig+Vth”。

扫描驱动脉冲DS被设定为有效-L状态，从而在信号写入期间结束的时间t10之前导通发光控制晶体管122(t9)。因此，驱动晶体管121的漏极端D经发光控制晶体管122连接至第一电源供给电位Vc1，使得像素电路P从非发光期间进行到发光期间。

驱动晶体管121的迁移率在采样晶体管125仍然在导通状态以及发光控制晶体管122被设定为导通状态的t9～t10期间被校正。每个像素中的驱动晶体管121的迁移率校正通过调整写入驱动脉冲WS和扫描驱动脉冲DS彼此重叠的有效期间的期间(称作迁移率校正期间)被最优化。即，迁移率校正在信号写入期间的后部与发光期间的前部彼此重叠的t9～t10的期间被适当执行。

附带地，实际中，有机EL元件127是在反偏压状态并且在执行迁移率校正的发光期间的开始不发光。在t9～t10的迁移率校正期间，驱动电流Ids在驱动晶体管121的栅极端G被固定在对应于视频信号Vsig的电位(更准确地说是信号电位Vin)的情况下流入驱动晶体管121。

在这种情况下，通过进行设定使得“Vofs-Vth＜VthEL”，有机EL元件127被设定为反偏压状态，并且由此表现出简单电容特性而不是二极管特性。因此，流入驱动晶体管121的驱动电流Ids被写入由有机EL元件127的存储电容器120的电容值Cs和寄生电容(等效电容)的电容值Cel的组合获得的电容“C＝Cs+Cel”。由此驱动晶体管121的源极电位Vs上升。

在图7的时序图中，这个上升由ΔV来表示。该上升，即，作为迁移率校正参数的负反馈的量ΔV最后从由存储电容器120保持的栅极-源极电压Vgs减去，从而负反馈被应用。通过这种将驱动晶体管121的驱动电流Ids负反馈给相同驱动晶体管121的栅极-源极电压Vgs，迁移率μ能够被校正。附带地，通过调整迁移率校正期间t9～t10的持续时间t，能够将负反馈的量ΔV最优化。

在本实例中，视频信号Vsig的电平越高，驱动电流Ids越高，并且ΔV的绝对值越高。因此，根据发光亮度的电平迁移率校正能够被进行。此外，当考虑高迁移率的驱动晶体管121和低迁移率的驱动晶体管121的时候，假设视频信号Vsig固定，驱动晶体管121的迁移率μ越高，ΔV的绝对值就越高。

换句话说，同低迁移率的驱动晶体管121相比，高迁移率的驱动晶体管121的源极电位在迁移率校正期间大幅度上升。此外，负反馈被应用以致源极电位上升越大，栅极和源极之间的电位差越小，并因此电流变得更难流动。因为迁移率μ越高，负反馈量ΔV就越高，在每个像素中的迁移率μ的变化就能够被消除。甚至迁移率不同的驱动晶体管121能够发送相同的驱动电流穿过有机EL元件127。通过调整迁移率校正期间，负反馈量ΔV能够被最优化。

接下来，写入扫描单元104改变写入驱动脉冲WS为无效-L状态(t10)。由此，采样晶体管125被设定非导通(截止)状态，并且发光期间开始。此后，转移到下一个帧(或者下一个场)，阈值校正准备操作、阈值校正操作、迁移率校正操作和发光操作被重复。

结果，驱动晶体管121的栅极端G从视频信号线106HS上断开。因为信号电位Vin到驱动晶体管121的栅极端G的施加被取消，所以驱动晶体管121的栅极电位Vg能够上升。

这时，流过驱动晶体管121的驱动电流Ids流入有机EL元件127，并且根据驱动电流Ids有机EL元件127的阳极电位上升。这时，由于存储电容器120的影响，驱动晶体管121的栅极-源极电压Vgs恒定，因此驱动晶体管121将恒定电流(驱动电流Ids)发送给有机EL元件127。结果，电压降产生，并且有机EL元件127的阳极端A的电位Vel(节点ND121的电位)上升到电流或者驱动电流Ids能够流过有机EL元件127的电压。同时，存储电容器120保持的栅极-源极电压Vgs保持值“Vsig+Vth-ΔV”。

最后，随着源极电位Vs的上升，有机EL元件127的反偏压状态被消除，因此驱动电流Ids流入有机EL元件127，有机EL元件127实际开始发光。这时在有机EL元件127的阳极电位的上升(Vel)不同于在驱动晶体管121的源极电位Vs的上升。驱动晶体管121的源极电位Vs是“-Vth+ΔV+Vel”。

在发光时驱动电流Ids和栅极电压Vgs之间的关系能够通过用“Vsig+Vth-ΔV”替代表示上述晶体管特性的方程(1)中的Vgs，通过方程(3)来表示。

Ids＝kμ(Vgs-Vth)^2＝kμ(Vsig-ΔV)^2…(3)

在方程(3)中，k＝(1/2)(W/L)Cox。方程(3)示出了阈值电压Vth项被取消，以及施加到有机EL元件127的驱动电流Ids不依赖驱动晶体管121的阈值电压Vth。驱动电流Ids基本上由视频信号的信号电压Vsig确定。换句话说，有机EL元件127以对应于视频信号Vsig的亮度发光。

这时，信号电位Vin被校正反馈量ΔV。反馈量ΔV完全消除迁移率μ对于方程(3)的系数部分的影响。这样，驱动电流Ids只有效地依赖于信号电位Vin。因为驱动电流Ids不依赖阈值电压Vth，即使当阈值电压Vth在制造过程中被改变的时候，漏极和源极之间的驱动电流Ids也不改变，因此有机EL元件127的发光亮度也不改变。

存储电容器120连接在驱动晶体管121的栅极端G和源极端S之间。由于存储电容器120的影响，自引导操作在发光期间的开始时刻被执行，在这个操作中驱动晶体管121的栅极电位Vg和源极电位Vs上升而驱动晶体管121的栅极-源极电压“gs＝Vin-ΔV+Vth”保持恒定。驱动晶体管121的源极电位Vs变为“-Vth+ΔV+Vel”，因此栅极电位Vg变为“Vin+Vel”。

有机EL元件的I-V特性随着发光期间变长而改变。因此，节点ND121的电位也被改变。然而，由于存储电容器120的影响，节点ND122的电位以与节点ND121的电位的上升联动的方式上升。驱动晶体管121的栅极-源极电压Vgs一直保持在大约“Vsig+Vth-ΔV”，而不管节点ND121的电位如何上升。因此，流过有机EL元件127的电流不被改变。由此，即使有机EL元件127的I-V特性被降低，恒定电流Ids也会一直连续流动。这样，有机EL元件127以对应于像素信号Vsig的亮度连续发光，并且亮度不变。

此后，在下一个场的时间t1中，扫描驱动脉冲被设定为有效-H状态从而截止发光控制晶体管122。因此，发光结束，并且所关注的场结束。此后，如上所述，转换到对下一个场的操作，其中阈值电压校正操作、迁移率校正操作和发光操作被重复。

这样，在第二比较例的像素电路P中，自引导电路130起驱动信号一致性电路的作用，用于校正作为光电元件的实例的有机EL元件127的电流-电压特性中的变化，并由此保持驱动电流在恒定的电平上。

此外，第二比较例的像素电路P具有阈值&迁移率校正电路140。阈值校正期间中的检测晶体管123和124能够动作，以消除驱动晶体管121的阈值Vth，并由此发送未被阈值电压Vth的改变而影响的恒定电流Ids。因此，能够以对应于输入像素信号的稳定色阶进行显示，并由此获得高图像质量的图像。

此外，作为与采样晶体管125的写入视频信号Vsig的操作联动的发光控制晶体管122的迁移率校正期间中的行为的结果，反映驱动晶体管121的载流子迁移率μ的栅极-源极电压Vgs能够被设定，并且能够流动未被载流子迁移率μ影响的恒定电流Ids。因此，能够以对应于输入像素信号的稳定等级做出显示，由此获得高图像质量的图像。

即，为了避免驱动晶体管121的特性变化(在本实例中为阈值电压Vth和载流子迁移率μ的变化)对驱动电流Ids的影响，阈值&迁移率校正电路140起驱动信号一致性电路的作用，用于校正阈值Vth和载流子迁移率μ的影响并由此保持驱动电流恒定。

在第二比较例中所示的自引导电路130和阈值&迁移率校正电路140的电路构造仅仅是用于保持利用作为驱动晶体管121的n通道型驱动有机EL元件127的驱动信号恒定的驱动信号一致性电路的例子。公众知道的其它各种电路也能够被应用作为驱动信号一致性电路，用于避免有机EL元件127的时间退化和n通道型驱动晶体管的特性变化(例如阈值电压，迁移率等的变化和改变)对驱动电流Ids的影响。

<迁移率校正的不利影响>

在下文中将参照图5和图7考虑迁移率校正的影响和迁移率校正的不利影响。如参照图5所述，通过对在制造过程中或者随着时间流逝发生的迁移率μ1和μ2的变化应用阈值校正和迁移率校正，使得发光时的栅极-源极电压Vgs被表示为“Vin+Vth-ΔV”，能够抑制迁移率μ的差别。通过调整迁移率校正期间并由此优化每一个迁移率校正参数ΔV1和ΔV2(ΔV＝Ids·t/Cel)能够消除迁移率μ的差别。

但是，在图7所示的驱动定时中，在写入驱动脉冲WS被设定为有效-H状态并因此采样晶体管125导通从而将对应于信号电位Vin的信息(驱动电位)写入存储电容器120之后，写入驱动脉冲WS和扫描驱动脉冲DS的有效期间(即，发光控制晶体管122和采样晶体管125各自导通的期间)彼此重叠的期间被设定为迁移率校正期间(t9～t10)。在迁移率校正期间，视频信号Vsig(信号电位Vin)继续被提供给驱动晶体管121。当栅极电位Vg保持固定的时候，驱动晶体管121的源极电位Vs上升了作为迁移率校正量的迁移率校正参数ΔV。

在迁移率校正期间源极电位的增量ΔV影响在此时间时驱动晶体管121的栅极-源极电压Vgs(＝Vsig+Vth)。栅极-源极电压Vgs在源极电位Vs中降低增量ΔV。在发光期间对驱动电流Ids起作用的栅极-源极电压Vgs(即，驱动电位)由此被降低。这样，同没有做迁移率校正的情况相比发光亮度更低。

作为避免由迁移率校正引起的发光亮度的下降的方法，例如，将ΔV加到以想要亮度发光所必需的视频信号Vsig(具体地说是信号电位Vin)上所获得的电压可以在采样期间(t8到t9)被写入。即，更大量级的视频信号Vsig可以被提供给像素电路P，因此更高驱动电位可以被写入存储电容器120从而补偿由迁移率校正引起的栅极-源极电压Vgs的降低。但是，同不做迁移率校正的情况相比，这个方法导致信号电位Vin的大小降低。由此必须提高写入驱动脉冲WS的大小和电源供给电位，这会引起电压消耗的增加。

因此，在避免由迁移率校正引起的栅极-源极电压Vgs的降低中，本实施例具有能够避免由迁移率校正引起的栅极-源极电压Vgs的降低而不必将迁移率校正参数的量ΔV增加到视频信号Vsig(具体地说是信号电位Vin)上的机构。将在下文中做具体描述。

<像素电路；本实施例>

图8是示出能够避免由迁移率校正引起的栅极-源极电压Vgs的降低而不必将迁移率校正参数的量ΔV增加到视频信号Vsig上的根据本实施例的像素电路P和包括该像素电路P的有机EL显示装置的实施例的示图。在像素阵列单元102中包括根据本实施例的像素电路P的有机EL显示装置将被称作根据本实施例的有机EL显示装置1。

根据本实施例的有机EL显示装置1的特征在于：有机EL显示装置1具有像素阵列单元102，其中，每个具有类似于图2所示第二比较例的像素电路P的功能元件的多个像素电路以矩阵形式排列；有机EL显示装置1结合了用于避免由有机EL元件127的时间退化引起的驱动电流变化的电路(自引导电路)；以及有机EL显示装置1使用用于避免由驱动晶体管121的特性变化(阈值变化或者迁移率变化)引起的驱动电流变化的驱动方式。这样，基本上，应用了与图7所示的第二比较例的驱动定时相同的驱动定时。

此外，根据本实施例的有机EL显示装置1的特征在于，在每个像素电路P中，具有电容值Cs2的电容元件129被添加从而连接至发光控制晶体管的栅极端G和节点ND121(驱动晶体管121的源极端S、存储电容器120的一端、和有机EL元件127的阳极端A之间的连接点)，并且提供给发光控制晶体管122的栅极端G的扫描驱动脉冲DS的转换信息(具体地说，在迁移率校正开始时关于源极电位加大栅极-源极电压的方向上的信息)经电容元件129被提供给节点ND121，由此在发光期间栅极-源极电压Vgs被增加。

<像素电路的操作；本实施例>

图9是辅助说明根据本实施例的像素电路操作的时序图。图10是辅助说明校正由迁移率校正引起的栅极-源极电压Vgs下降的操作的示图。

同第二比较例的像素电路P被驱动的图7的时序图相比较可以推测出，用于各个开关晶体管122、123、124和125的自身驱动脉冲不同。

但是，根据本实施例的像素电路P在p通道型发光控制晶体管122的栅极端G和节点ND121，即，驱动晶体管121的源极端之间具有电容元件129。扫描驱动脉冲DS的转换信息被加到节点ND121的电位(源极电位Vs)上。此外，当采样晶体管125被截止的时候，由于存储电容器120的影响栅极电位Vg也稍微上升。

这样，例如，在截止发光控制晶体管122的操作的时候(时间t1和时间t6)，即，扫描驱动脉冲DS从有效-L状态变为无效-H状态，发光控制晶体管122的栅极端G上的电压变化被作为正耦合VDS(VDS是扫描驱动脉冲DS的大小)经电容元件129输入驱动晶体管121的源极。因此驱动晶体管121的源极电位Vs和栅极电位Vg稍微上升。

另一方面，在导通发光控制晶体管122的操作的时候(时间t5和时间t9)，扫描驱动脉冲DS从无效-H状态变为有效-L状态，发光控制晶体管122的栅极端G上的电压的变化被作为负耦合VDS经电容元件129输入驱动晶体管121的源极。因此驱动晶体管121的源极电位Vs和栅极电位Vg稍微下降。

设VDSa(V：伏特)是扫描驱动脉冲的大小VDS，经电容元件129与驱动晶体管121的源极端S一侧耦合的电压VDSb(V：伏特)由方程(4)来表示。

VDSb＝VDSa*Cs2/(Cs2+Cel)…(4)

例如，因为耦合是在发光控制晶体管122被导通的时间(t9)上，所以驱动晶体管121的栅极-源极电压Vgs变为“Vth+VDSb”。采样晶体管125在此后被导通，从而将对于期望的发光所必需的信号电位(对应于视频信号Vsig的值)写入存储电容器120，使得“Vgs＝Vth+VDSb+Vsig”。发光控制晶体管122的导通期间与采样晶体管125的导通期间重叠，由此迁移率校正期间开始。在这种情况下，假设VDSb的耦合量等于迁移率校正消耗的电压，则迁移率校正之后的栅极-源极电压Vgs是“Vth+Vsig”。在采样晶体管125截止之后转换为发光期间。

这样，在本实施例的机构中，电容元件129被加到被提供了有效-L扫描驱动脉冲DS的p通道型发光控制晶体管122的栅极端G和驱动晶体管121的源极端S(节点ND121)之间，并且扫描驱动脉冲DS的转换信息(具体地说，关于迁移率校正开始时的源极电位在增大栅极-源极电压的方向上的信息)经电容元件129被提供给节点ND121。

由迁移率校正引起的ΔV而降低的栅极-源极电压Vgs被增加在迁移率校正操作开始时(在迁移率校正之前)由扫描驱动脉冲DS引起的耦合电压VDSb的量，即，在迁移率校正时消耗的电压ΔV通过增加基于被提供给发光控制晶体管122的扫描驱动脉冲DS所耦合的电压VDSb的量来补偿。因此，能够加大发光期间的栅极-源极电压Vgs。从而，能够避免迁移率校正引起的发光亮度的下降，降低视频信号Vsig(信号电位Vin)的大小，并对能耗的降低做出贡献，因为其只能够将标准的视频信号写入存储电容器120。

在避免由迁移率校正引起的发光亮度降低的过程中，由迁移率校正引起的发光亮度降低能够被避免，而不必将迁移率校正参数量ΔV加到视频信号Vsig(具体地说是信号电位Vin)上。因此能够对降低电路板的能耗做出贡献。

此外，作为附加影响，当视频信号Vsig的信息(具体地说是信号电位Vin)被写入存储电容器120时，能够预计到写入增益Ginput的增加。例如，忽略在驱动晶体管121的栅极端G上形成的寄生电容，利用存储电容器120的电容值Cs和有机EL元件127的寄生电容Cel，在图2所示的第二比较例的像素电路P中的写入增益Ginput0能够由方程(5-1)来表示，而在图8所示的本实施例的像素电路P的写入增益Ginput1能够由方程(5-2)来表示。

Ginput0＝1-Cs/(Cs+Cel)…(5-1)

Ginput1＝1-Cs/(Cs+Cs2+Cel)…(5-2)

从方程(5-1)和方程(5-2)之间的比较能够理解，在本实施例的像素电路P中预料到了写入增益Ginput的增加。这样，考虑使发光亮度与现有发光亮度相同的情况，更低的信号电位Vin就能满足，使得视频信号Vsig的大小能够被进一步降低，由此能够进一步促进能耗的降低。

这样，通过经由设置在发光控制晶体管122的栅极端和驱动晶体管121的源极端之间的电容元件129跳入的、表示迁移率校正期间开始的扫描驱动脉冲DS的下降沿信息的耦合效果来对在迁移率校正时消耗的量(迁移率校正参数ΔV)的电压进行补偿，能够大大降低信号幅度，并由此对降低能耗做出大的贡献。

<变更例>

图11是辅助说明用于校正由迁移率校正引起的栅极-源极电压Vgs的降低的修改实例的操作的示图。图11示出了在结合通过钝化写入驱动脉冲WS的下降沿来改变每个等级(gradation)的截止点的机构和DS耦合的情况下，在显示白、灰和黑时DS耦合时的驱动脉冲WS和DS以及驱动晶体管121的栅极和源极上的各个电压。

在上述校正机构中，Vgs补充量实际上是不考虑等级的常数。这样，例如，黑浮动可能发生。另一方面，对于每个等级的最佳迁移率校正时间，存在通过钝化写入驱动脉冲WS的下降沿来改变每个电平的截断点的机构。这种机构的使用能够通过DS耦合来加宽栅极-源极电压Vgs，并由此降低白信号范围内的信号电压以及增加迁移率校正量，从而通过钝化写入驱动脉冲WS的下降沿来实现灰-黑信号的期望亮度。

即，DS耦合将“信号写入+α”的电压加入栅极-源极电压Vgs。这个α是不考虑信号电压的常数。但是，在这种情况下的问题在于，在低等级时亮度高于期望的亮度。在作为极端实例的写入黑色的情况下，当在阈值校正之后写入0V信号电压时进行黑色显示时，通过DS耦合加上+α。为了除去+α，迁移率校正时间需要被加长。因为随着等级变低迁移率校正时间需要被加长，因此，必须使写入驱动脉冲WS具有通过钝化写入驱动脉冲WS的下降沿来改变每个电平的截断点的机构的波形，并由此改变每个信号电压的迁移率校正时间。

虽然上文已经利用实施例描述了本发明，但本发明的技术范围不仅仅限于前述实施例中描述的范围。在不脱离本明的精神的情况下，可以对前述实施例进行各种变更和改进，并且，通过这样的变更和改进得到的形式同样被包含在本发明的技术范围之中。

此外，前述实施例并不仅仅限于权利要求所要求的发明，并且，并不是前述实施例中描述的所有特征组合都是解决本发明的问题不可缺少的。前述的实施例包括各个阶段的发明，通过适当地结合所披露的多个构成要件能够提取出不同的发明。即使当从实施例中披露的所有构成要件中去掉一些构成要件，由于去掉这些构成要件而得到的构造也能够提取作为发明，只要能够获得一定的效果。

<像素电路和驱动定时的变更例>

在电路原理中例如“对偶原则”成立，因此从这个观点出发能够对像素电路P进行修改。在这种情况下，尽管没有在图中显示，但是当图8所示的5TR构造的像素电路P包括n通道型驱动晶体管121的时候，p通道型驱动晶体管(在下文中称作p型驱动晶体管121p)被用来形成像素电路P。因此，根据对偶原则作出改变，例如，利用p通道型发光控制晶体管122替代被提供有效-H扫描驱动脉冲的n通道型发光控制晶体管(在下文中称作n型发光控制晶体管122n)，并颠倒多个视频信号Vsig的信号电位Vin的极性和电源供给电压的大小关系。

如在根据使用上述n型驱动晶体管的基本实例的有机EL显示装置中，在根据通过应用对偶原则将驱动晶体管改为p型的变更例的有机EL显示装置中，电容元件129连接至n型发光控制晶体管122n的栅极端和p型驱动晶体管121p的源极端。因此，在p型驱动晶体管121p的栅极-源极电压Vgs在迁移率校正开始时预先增加之后能够进行迁移率校正。这样有可能补偿由迁移率校正引起的p型驱动晶体管121p的栅极-源极电压Vgs的降低。

要注意的是，虽然上述变更例是根据“对偶原则”通过对图8所示的5TR构造进行修改所获得的，但改变电路的方法不限制于此，也可以应用于不同于5TR构造的其它构造。只要设置了像素电路P和采样晶体管125被设定为导通状态从而将对应于信号电位Vin的信息保持在存储电容器120中、然后在采样晶体管125被保持在导通状态的情况下执行迁移率校正操作，就能够应用本实施例的概念。

Claims (8)

1.一种显示装置，包括：

像素阵列单元，被配置为包括以矩阵形式排列的像素电路，每一个所述像素电路均包括：驱动晶体管，用于产生驱动电流；光电元件，连接至所述驱动晶体管的输出端；存储电容器，用于保持对应于视频信号的信号电位的信息；采样晶体管，用于将对应于所述信号电位的信息写入所述存储电容器；和电容元件，其一端连接至所述驱动晶体管的输出端，另一端被提供脉冲信号，所述驱动晶体管根据在所述存储电容器中保持的信息产生驱动电流，并通过所述光电元件发送所述驱动电流，由此所述光电元件发光；和

控制单元，被配置为包括：写入扫描单元，将用于通过在水平周期中依次控制所述采样晶体管来执行所述像素电路的逐行扫描、并将对应于视频信号的信号电位的信息写入一行中的每个存储电容器的写入扫描脉冲输出给所述采样晶体管；和水平驱动单元，用于根据所述采样晶体管的信号电位写入操作将一行的视频信号提供给视频信号线；

其中，在所述采样晶体管被设定为导通状态并且对应于所述信号电位的信息被保持在所述存储电容器中之后，所述控制单元实施控制以执行迁移率校正操作，在所述采样晶体管被保持在导通状态的情况下，将所述驱动晶体管的迁移率校正量加到写入所述存储电容器中的信息，

所述电容元件的另一端被提供与用于开始所述迁移率校正操作的脉冲相对应的信息，以及

所述驱动晶体管的输出端经所述电容元件被提供在所述驱动晶体管的控制输入端和输出端之间的电位差增加的方向上的转换信息。

2.根据权利要求1所述的显示装置，还包括发光控制晶体管，用于调整所述光电元件的发光期间和非发光期间之间的负荷比，

其中，被提供给所述发光控制晶体管的控制输入端的扫描驱动脉冲被设定为用于开始所述迁移率校正操作的脉冲。

3.根据权利要求1所述的显示装置，还包括n型和p型中的一种的发光控制晶体管，用于调整所述光电元件的发光期间和非发光期间的负荷比，所述发光控制晶体管设置在所述n型和所述p型中的另一种的所述驱动晶体管的电源供给端一侧上，

其中，所述电容元件的另一端被连接至所述发光控制晶体管的控制输入端，以及

被提供给所述发光控制晶体管的控制输入端的扫描驱动脉冲被设定为用于开始所述迁移率校正操作的脉冲。

4.根据权利要求1所述的显示装置，

其中，所述控制单元实施控制，使所述采样晶体管在基准电位被提供给所述采样晶体管的时间段内导通，并执行阈值校正操作用于将对应于所述驱动晶体管的阈值电位的电压保持在所述存储电容器中，并在该阈值校正操作之后，所述控制单元实施控制，以执行迁移率校正操作，用于将所述驱动晶体管的迁移率校正量加到写入所述存储电容器中的信息。

5.根据权利要求4所述的显示装置，

其中，除了所述驱动晶体管和所述采样晶体管，每一个所述像素电路还包括开关晶体管，所述开关晶体管根据在所述控制单元进行所述阈值校正操作和所述迁移率校正操作时的控制脉冲来执行导通/截止操作。

6.一种像素电路，包括：

驱动晶体管，被配置为产生驱动电流；

光电元件，连接至所述驱动晶体管的输出端；

存储电容器，被配置为保持对应于视频信号的信号电位的信息；

采样晶体管，被配置为将对应于所述信号电位的信息写入所述存储电容器；和

电容元件，被配置为其一端连接至所述驱动晶体管的输出端；

其中，所述电容元件的另一端被提供在所述驱动晶体管的控制输入端和输出端之间的电位差增加的方向上的转换信息，所述转换信息对应于用于开始将所述驱动晶体管的迁移率校正量加到写入所述存储电容器中的信息的迁移率校正操作的脉冲。

7.一种像素电路驱动方法，所述像素电路包括驱动晶体管，用于产生驱动电流；光电元件，连接至所述驱动晶体管的输出端；存储电容器，用于保持对应于视频信号的信号电位的信息；采样晶体管，用于将对应于所述信号电位的信息写入所述存储电容器；和电容元件，其一端连接至所述驱动晶体管的输出端，另一端被提供脉冲信号，所述驱动晶体管根据在所述存储电容器中保持的信息产生驱动电流，并通过所述光电元件发送所述驱动电流，由此所述光点元件发光，所述驱动方法包括以下步骤：

当所述采样晶体管被设定为导通状态并且对应于所述信号电位的信息被保持在所述存储电容器中、然后在所述采样晶体管保持在导通状态的情况下执行用于将所述驱动晶体管的迁移率校正量加到写入所述存储电容器中的信息的迁移率校正操作时，将与开始所述迁移率校正操作的脉冲相对应的信息提供给所述电容元件的另一端，从而所述驱动晶体管的控制输入端和输出端之间的电位差被增加。

8.一种显示装置，包括：

像素阵列装置，包括以矩阵形式排列的像素电路，每一个所述像素电路均包括：驱动晶体管，用于产生驱动电流；光电元件，连接至所述驱动晶体管的输出端；存储电容器，用于保持对应于视频信号的信号电位的信息；采样晶体管，用于将对应于所述信号电位的信息写入所述存储电容器；和电容元件，其一端连接至所述驱动晶体管的输出端，另一端被提供脉冲信号，所述驱动晶体管根据在所述存储电容器中保持的信息产生驱动电流，并通过所述光电元件发送所述驱动电流，由此所述光电元件发光；和

控制装置，包括：写入扫描单元，将用于通过在水平周期中依次控制所述采样晶体管来执行所述像素电路的逐行扫描、并将对应于视频信号的信号电位的信息写入一行中的每个存储电容器的写入扫描脉冲输出给所述采样晶体管；和水平驱动单元，用于根据所述采样晶体管的信号电位写入操作将一行的视频信号提供给视频信号线；

其中，在所述采样晶体管被设定为导通状态并且对应于所述信号电位的信息被保持在所述存储电容器中之后，所述控制装置实施控制以执行迁移率校正操作，在所述采样晶体管被保持在导通状态的情况下，将所述驱动晶体管的迁移率校正量加到写入所述存储电容器中的信息，

所述电容元件的另一端被提供与用于开始所述迁移率校正操作的脉冲相对应的信息，以及

所述驱动晶体管的输出端经所述电容元件被提供在所述驱动晶体管的控制输入端和输出端之间的电位差增加的方向上的转换信息。

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