CN101263603A - 用于led阵列的针状ito - Google Patents
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Abstract
提供一种耦合在透明衬底(11)和电极(16)之间的LED的阵列，各LED(14)的发光表面与针状ITO的区域(13)电接触。通过接触裸片的发光表面，针状ITO还提供光散射。接触区域被互连(12)以形成阵列。针状ITO用作用于各个裸片的镇流电阻，并且，可以微调该电阻以在LED之间获得更均匀的电流。由于各个LED被单独地镇流，因此可以以稳定的亮度以任何图案或全部同步驱动阵列中的LED。
Description
技术领域
本发明涉及利用发光二极管(LED)的阵列的光源或显示器，并且特别涉及提高LED的阵列的发光均匀性。
背景技术
(术语)
“点”的使用不是在趋于零地小的数学意义上。点光源是较小的有限的空间的亮光源，“小”是相对于周围的结构的尺寸。有些人可能辩解说点光源均匀地沿所有的方向照射。这种辩解事实上是不正确的，并且在这里不适用。因而，尽管白炽灯、LED和一些气体放电灯等如在LED的情况中那样沿择优方向发光，但它们是点光源。
严格地说，除了黑洞，所有的非发光物体均反射光，否则什么也看不到。反射表面是镜面(镜子状或抛光表面)、均匀漫射或多少介于两者之间。在微观水平上，即使高度抛光的前表面镜也不是完美的镜面，任何漫反射镜也不是理想的朗伯体。这里数学的细节不是所关心的。相反，所关心的是宏观的、实际的、如果不是理想的也是合理的朗伯体那样的漫射体。许多物体满足该准则，诸如分散于介质中的粒子、一张白纸或一片白色塑料。很显然，有色纸或塑料除了反射光以外还对光进行过滤。
“发光的”物体发射光。入射到物体上的光“照亮”物体。“亮度(luminance)”是指从光源发射的光的量。“照度(illuminance)”是指入射到物体上的光的量。
“图形”可以是文本、符号、任意的形状或它们的一些组合。图形可以是半透明的、暗色的、着色的侧影(sihousette)或轮廓或它们的一些组合。
如这里使用的那样，“柔性电路(flex circuit)”是包括用于包含LED和电路中的其它器件的导电路径的任何类型的衬底。因而，挠性电路包括印刷电路板。衬底的柔性与本发明没有关系。
“LED”是具有p-n结的半导体裸片(die)，该p-n结在被施加正向偏压时从裸片的至少一个表面发光。
在不相关的天文学领域中，通过对铝板进行喷砂并用四个LED照亮该板制成平面场投影仪是已知的，参见Simon Tulloch，Designand Use of a Novel Flat Field Illumination Light Source，TechnicalNote 108，Instrument Science Group，Royal Greenwich Observatory，1996。
对于背面照明、显示器和其它应用，希望光源尽可能均匀，但其中存在问题。LED具有大量的优于白炽灯的优点，但是与白炽灯类似是点光源。各种形式的光导(light guide)或光通道被使用以使光漫射，但仍存在常常可透过被从背后照亮的物体看见点光源的事实。结果是非均匀照明。直接观看的来自光源的光是“眩目的”并且是不希望的。对于光导等的需要要求至少对于初始加工来说制造起来较为昂贵的复杂结构。
在本领域中LED的阵列早已公知。例如，美国专利4047075(Schoberl)公开了通过在较小的体积中简单地层叠多个封装的LED制成的LED的阵列。与封装件内的半导体裸片或芯片相比，封装的LED占据明显较大的体积。美国专利4335501(Wichenden等人)公开了单一半导体衬底上的LED裸片的阵列。
LED是非线性器件。与大多数二极管类似，直到正向偏压超过例如0.6伏的阈值时LED才导电，然后导电必须被一般为串联电阻的某种类型的镇流器限制。电流一般为10～60毫安并且亮度大致与电流成比例。发射光的颜色还可随电流的改变而改变。如同任何器件的情况一样，LED发热。不幸的是，LED的电阻一般具有负的温度系数，这意味着电流随温度增加。因此，控制电流出于几种原因是十分重要的。
相同型号的两个LED未必具有相同的电气特性。如果对于用于两个并联的LED的镇流器使用单一的电阻器，那么一个LED的失效可导致第二LED过载(电流太大)并因此很快就失效。具有串联和并联的LED的较大的阵列具有相同的问题，只是该问题通过大量的LED被化解。虽然单独地说，在本领域中必须仔细控制通过LED的电流是众所周知的，但关于LED的阵列的专利中的许多专利除了以一些未公开的方式限制或“调节”电流以外没有公开如何驱动阵列。可能是均匀的亮度不是所关心的或者在公开的结构中实现起来太困难。
在本领域中，例如上面指出的Scholberl专利中，使用反射和漫射以增强从LED特别是从LED的阵列发射的光的均匀性是公知的。正是出于裸片或芯片相对未被保护的原因，对未封装的裸片提供这种措施是更加困难的提案。并且，裸片是例如砷化镓或氮化铟镓的两种或更多种元素(忽略痕量的掺杂剂)的晶体，该晶体比硅更易碎。用于接触区域的冶金过程进一步增加裸片内的应力。因此，必须以远远比封装器件精细的方式完成LED裸片的操作。
例如，对于安装在柔性衬底上的LED裸片，各个裸片的前电极被引线键合到裸片上的金接点上。裸片被封装以保护该引线键合点，并且裸片被推入透明的导电层中以进行接触。导电层是溅射的氧化铟锡(ITO)层或适当的粘合剂中的ITO粉末。作为替代可以使用PEDOT-PSS(聚-3，4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸)的聚合物导电层。尽管衬底和其它层具有相对柔性，裸片仍常常在组装阵列时破裂。另外，引线键合和涂敷是十分昂贵的。
被称为针状ITO的材料作为透明导体在本领域中是公知的，参见美国专利5580496(Yukinobu等)和基于它的分案专利(5820843、5833941、5849221)。针状ITO具有由厚2～5μm、长15～25μm的ITO针构成的纤维结构。这些针悬浮于例如聚酯的有机树脂中。针状ITO的类型与其它形式的材料不同。针状ITO的固化的丝网印刷层的导电性比常规的包含ITO粉末的层高大约五倍，但比溅射的ITO小约三分之二，该溅射ITO比可丝网印刷的材料更难以构图。
因此，鉴于以上情况，本发明的目的是提供LED的阵列，其中各个LED可单独地被镇流(ballast)。
本发明的另一目的是提供制造起来比现有技术的阵列便宜的LED的阵列。
本发明的另一目的是提高与阵列特别是柔性阵列中的LED的接触的可靠性。
本发明的另一目的是提供这样的LED的阵列，在该阵列中，通过透明电极层中的漫射使得光发射更均匀，从而避免对于单独的漫射层的需要。
本发明的另一目的是提供具有与各个LED一体化的镇流电阻的LED的阵列。
本发明的另一目的是提供这样的LED的阵列，在该阵列中，可以单独调整各LED的镇流电阻以提供更均匀的电流和更均匀的亮度。
本发明的另一目的是提供当点亮时基本上均匀地发亮的LED的阵列。
本发明的另一目的是提供当同时或在整个阵列的子集中点亮时基本上均匀地发亮的LED的阵列。
本发明的另一目的是提供这样的LED的阵列，在该阵列中，一个LED的失效对于阵列中的其它LED的亮度基本上没有影响。
发明内容
在本发明中实现了上述的目的，其中，在耦合在透明衬底和电极之间的LED的阵列中，各LED的发光表面与针状ITO的区域电接触。通过接触裸片的发光表面，针状ITO还提供光散射。接触区域被互连以形成阵列。针状ITO用作用于各个裸片的镇流电阻，并且，可微调该电阻以在LED之间获得更均匀的电流。由于各个LED被单独地镇流，因此可以以稳定的亮度以任何图案或全部同步驱动阵列中的LED。
附图说明
可以通过结合附图考虑以下的详细说明以获得对本发明的更完整的理解，其中，
图1是根据本发明的优选实施例构建的阵列中的单个LED的断面；
图2是在图1中示出的阵列的一部分的平面图；
图3示出根据本发明的一方面调整镇流器的电阻；
图4示出根据本发明的另一方面调整镇流器的电阻；
图5是根据本发明构建的LED的阵列的示意图；
图6是根据本发明的替代性实施例构建的阵列中的单个LED的断面；
图7是根据本发明的替代性实施例构建的阵列中的单个LED的断面；
图8是根据本发明的替代性实施例构建的阵列中的单个LED的断面；以及
图9是根据本发明的另一方面构建的阵列中的单个LED的断面。
具体实施方式
图1示出LED的阵列的单个LED的断面。在具有0.08～0.18mm的厚度的透明聚合物衬底11上支撑该阵列。母线12向图面内部延伸，连接一行中的多个LED。优选由载银墨水(silver bearing ink)丝网印刷母线12，但作为替代可使用例如碳的其它导电粒子。针状ITO区域13被丝网印刷到衬底11和母线12上。优选地，区域13为单个LED提供接触区域。LED 14被设置在在区域13上，并且如箭头17所示的那样主要通过针状ITO向下发光。针状ITO的纤维粒子用作使来自裸片14的光分散开的漫射体。粘接剂层15将ITO层13和母线12与优选为铝层的背电极16电绝缘。
除了在设置LED 14之前施加粘接剂层15以外，以上述的次序组装阵列。层15是软的，并且，推动LED 14以使其穿过该层而接触针状ITO层13。粘接剂层15优选是热激活的粘接剂，但作为替代可使用UV(紫外光)激活的粘接剂。层15被加热到例如约80℃以在组装之后结合这些层。
当这样被构建时，从背电极流经LED的电流还通过针状ITO流向母线12。区域13由此提供可通过改变区域的几何形状而调整的单个的串联电阻。针状ITO区域用作接点、互连和串联电阻。电阻是薄平器件的一部分，几乎不占用超出裸片区域的水平区域，并且不需要笨拙并且昂贵的外部部件。
如图2所示，针状ITO层13的分区18使裸片14下面的区域和与母线12重叠的区域19互连。分区18的几何形状可被改变以改变电阻。区域19足以在层13和母线12之间提供可靠的低电阻连接。互连的串联电阻主要由裸片14和母线12之间的分区18的形状确定。
在图3中，分区21的宽度减小或紧缩以增大串联电阻。如虚线22所示的那样，紧缩可从分区21的一边或两边发生。紧缩的边缘不必是矩形或任意特定的形状。为了方便起见示出了矩形形状。
在图4中，分区23和区域25均减小。因此，针状ITO分区23的串联电阻比针状ITO分区21的串联电阻高，而该针状ITO分区21的串联电阻又比针状ITO分区18的串联电阻高。
由于希望与裸片有最大可能的电和热接触，因此不希望减小裸片14下面的接触面积。针状ITO层被示出包围裸片14，当在阵列中放置裸片时，该针状ITO层优选设置有误差边缘。电流不流过该边缘，仅在裸片和母线之间流过。因此，该边缘对电阻基本上没有影响。
优选地，通过在组装过程中或在组装之后穿过透明衬底11进行的激光微调调整电阻。作为替代方案，各个LED可以在向阵列传送的同时被测试并预先用于区域13的丝网印刷的特定图案。
图5示出LED的阵列，其中，各个LED包含根据本发明的串联电阻器。可以假定LED通过变为开路而不是短路而失效。如果从恒流源驱动阵列并且一个二极管失效，那么同一行中的剩余的二极管将通过稍大的电流，但变化远远小于没有各单个串联电阻的情况。如果从恒压源驱动阵列，那么单个的LED的失效稍稍减小失效的LED的行以外的行中的电流，但该变化远远小于没有单个串联电阻的情况。
图6示出根据本发明的替代性实施例构建的LED的阵列的单个LED的断面。具体而言，图6与图1的实施例的不同之处在于，背电极60包含可以是不透明或透明的塑料膜61和优选被溅射淀积到膜61上的ITO层62。除了LED 65可放置为如图中的取向那样主要向上发射而不是所示的向下发射以外，本实施例以与图1的实施例相同的方式工作。
图7示出根据本发明的替代性实施例构建的LED的阵列的单个LED的断面。具体而言，图6与图1的实施例的不同之处在于，背电极70包含可以是不透明或透明的塑料膜71和丝网印刷的导电层72。层72优选被构图并包含银母线。除了LED 75可被放置为如图中的取向那样主要向上发射而不是所示的向下发射以外，本实施例以与图1的实施例相同的方式工作。
图8示出根据本发明的替代性实施例构建的LED的阵列的单个LED的断面。具体而言，图6与图1的实施例的不同之处在于，背电极80包含可以是不透明或透明的塑料膜81和针状ITO层82。层82优选被构图以减少墨水的消耗并降低成本。除了LED 85可被放置为如图中的取向那样主要向上发射而不是所示的向下发射以外，本实施例以与图1的实施例相同的方式工作。
图9示出根据本发明的另一方面构建的LED的阵列的单个LED的断面。具体而言，图9与图1的实施例的不同之处在于，衬底91被剥去，留下背电极93用于结构支撑。可以添加释放层(未示出)以有利于分离。背电极93是诸如上述的铜或铝的导电板或柔性电路或尺寸稳定足以支撑阵列的其它材料。本实施例以与图1的实施例相同的方式操作。可以将本发明的这方面与上述的实施例中的任一个组合。
本发明由此提供LED的阵列，其中，可以用与各个LED一体化的镇流电阻单独地对各个LED进行镇流，以提供其中一个LED的失效基本上对阵列中的其它LED的亮度没有影响的阵列。各单个镇流电阻可被调节以提供更均匀的电流和更均匀的亮度。该阵列制造起来比现有技术的阵列便宜，并且与LED的接点的可靠性得到提高。通过透明电极层中的漫射，光发射变得更均匀，从而不需要单独的漫射层。当同时或以阵列的子集点亮时，这些LED基本上均匀地发亮。
虽然由此说明了本发明，但本领域技术人员容易理解可以在本发明的范围内进行各种变形。例如，母线12可以在针状ITO区域13之后即在其上面而不是之前被印刷。背电极16可以是任意的高导电性材料。由于铝从成本上看是最有效的，因此它是优选的。图5示出LED被同时点亮的阵列。可以添加开关(未示出)以提供任意希望的图案的照明。尽管它们看起来被配置在行和列中，但通过对各单个LED寻址，LED在电学意义上均在一个大行(或列)中并联。当并联时，当供给有恒定的电压时，一个LED的失效对于剩余的没有影响。可以使用磨蚀(abrasion)或蚀刻来调整电阻。虽然任一种情况都可通过调整厚度以及形状提供几何形状的三维变化，但它们都没有激光烧蚀那样精确或高效。虽然针状ITO是优选的材料，但作为替代可以使用具有类似的电阻率的其它的纤维或晶须状材料。例如，如果碳纳米管的光吸收性能可被接受，那么可以使用碳纳米管。其它的导电晶须材料包括基于ZnO的复合材料，诸如ZnO:Al或ZnO:Ga。
Claims (12)
1.一种耦合在透明衬底和电极之间的LED的阵列，其改进之处在于包含：
位于至少一个LED与透明衬底之间的、用于与LED的发光表面电耦合的针状ITO的区域。
2.如权利要求1所述的阵列，其中，阵列中的各个LED通过针状ITO的区域与衬底耦合，由此单独地对阵列中的各个LED进行镇流。
3.如权利要求2所述的阵列，其中，多个针状ITO的区域被电耦合在一起以从阵列中的所有LED提供同步的发光。
4.如权利要求3所述的阵列，其中，多组LED在多个行中被并联耦合，并且该多个行被串联耦合。
5.如权利要求2所述的阵列，其中，至少两个区域通过针状ITO的分区与母线耦合。
6.如权利要求5所述的阵列，其中，第一分区的面积不等于第二分区的面积。
7.一种发光器件，包括：
具有结的半导体裸片，该结在被施加正向偏压时发射通过裸片的表面的光；和
所述表面上的针状ITO的层。
8.一种发光二极管的阵列的制造方法，该方法包括以下步骤：
在衬底上形成多个导电区域，其中各个导电区域是针状ITO；
在各个导电区域上固定LED；和
以使LED的发光表面与针状ITO接触的方式定位各个LED。
9.如权利要求8所述的方法，还包括以下步骤：
在衬底上形成母线；和
形成与母线部分重叠的导电区域。
10.一种LED的阵列，这些LED中的每一个都包含p-n结和用于向至少一个p-n结供给电流的导体，其改进之处在于包含：
位于至少一个p-n结的一侧与所述导体之间的、用于将p-n结与导体电耦合的针状ITO的区域。
11.如权利要求10所述的阵列，其中，所述区域提供用于所述p-n结的镇流负载。
12.如权利要求11所述的阵列，其中，所述区域的面积可被调整以改变所述p-n结的负载。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104769838A (zh) * | 2012-09-05 | 2015-07-08 | 康斯坦茨大学 | 用于非永久电接触太阳能电池以测量电特性的设备 |
| CN105355756A (zh) * | 2015-10-31 | 2016-02-24 | 嘉兴市上村电子有限公司 | 一种用于led灯丝的透明陶瓷基线路板 |
| CN105552087A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-05-04 | 广州有色金属研究院 | 一种led微型阵列透明显示装置 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007008524A1 (de) * | 2007-02-21 | 2008-08-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlung emittierender Chip mit mindestens einem Halbleiterkörper |
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| DE102007015893A1 (de) * | 2007-04-02 | 2008-10-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische Anordnung sowie Verfahren zum Betrieb und Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Anordnung |
| US8330122B2 (en) * | 2007-11-30 | 2012-12-11 | Honeywell International Inc | Authenticatable mark, systems for preparing and authenticating the mark |
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| JP2012049385A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-08 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 半導体発光素子、発光装置、照明装置、表示装置及び半導体発光素子の製造方法 |
| WO2015068344A1 (ja) * | 2013-11-07 | 2015-05-14 | 東芝ホクト電子株式会社 | 発光装置 |
| DE102015007071A1 (de) * | 2015-06-02 | 2016-12-08 | Yao-Ching Tsai | Lampenstreifen und Beleuchtungsvorrichtung mit diesem Lampenstreifen |
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| CN105355754A (zh) * | 2015-10-31 | 2016-02-24 | 嘉兴市上村电子有限公司 | 一种用于led灯丝的玻璃基线路板 |
| CN105355755A (zh) * | 2015-10-31 | 2016-02-24 | 嘉兴市上村电子有限公司 | 一种基于玻璃基板的led灯丝 |
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Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2509047C3 (de) | 1975-03-01 | 1980-07-10 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Kunststoffgehäuse für eine Lumineszenzdiode |
| US4335501A (en) | 1979-10-31 | 1982-06-22 | The General Electric Company Limited | Manufacture of monolithic LED arrays for electroluminescent display devices |
| JPS58112376A (ja) * | 1981-12-25 | 1983-07-04 | Ricoh Co Ltd | 発光素子アレイ |
| JPS63138787A (ja) * | 1986-12-01 | 1988-06-10 | Fuji Electric Co Ltd | 線状発光素子 |
| JPS63138788A (ja) * | 1986-12-01 | 1988-06-10 | Ricoh Co Ltd | Ｌｅｄアレイ |
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| JP3294705B2 (ja) * | 1994-02-24 | 2002-06-24 | 住友金属鉱山株式会社 | 高温焼成用導電ペーストおよび透光性導電膜 |
| US5580496A (en) | 1993-04-05 | 1996-12-03 | Sumitomo Metal Mining Company Limited | Raw material for producing powder of indium-tin oxide aciculae and method of producing the raw material, powder of indium-tin oxide aciculae and method of producing the powder, electroconductive paste and light-transmitting |
| US5719589A (en) * | 1996-01-11 | 1998-02-17 | Motorola, Inc. | Organic light emitting diode array drive apparatus |
| US6483254B2 (en) * | 2000-12-20 | 2002-11-19 | Honeywell International Inc. | Led strobe light |
| JP2002202732A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Pioneer Electronic Corp | フラットパネル表示装置 |
| US6891200B2 (en) * | 2001-01-25 | 2005-05-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting unit, light-emitting unit assembly, and lighting apparatus produced using a plurality of light-emitting units |
| JP4982691B2 (ja) * | 2001-08-13 | 2012-07-25 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | Ｓｎ含有Ｉｎ酸化物とその製造方法およびそれを用いた塗料ならびに導電性塗膜 |
| US6908574B2 (en) * | 2001-08-13 | 2005-06-21 | Dowa Mining Co., Ltd. | Tin-containing indium oxides, a process for producing them, a coating solution using them and electrically conductive coatings formed of them |
| JP3927840B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2007-06-13 | セイコープレシジョン株式会社 | Ｅｌシート |
| JP2004090858A (ja) * | 2002-09-03 | 2004-03-25 | Toyoda Gosei Co Ltd | ストップランプ |
| US6902831B2 (en) * | 2002-11-26 | 2005-06-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Azulene-based compounds in organic light emitting device elements |
| JP2004304161A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-28 | Sony Corp | 発光素子、発光装置、画像表示装置、発光素子の製造方法及び画像表示装置の製造方法 |
| US6806112B1 (en) * | 2003-09-22 | 2004-10-19 | National Chung-Hsing University | High brightness light emitting diode |
-
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104769838A (zh) * | 2012-09-05 | 2015-07-08 | 康斯坦茨大学 | 用于非永久电接触太阳能电池以测量电特性的设备 |
| CN104769838B (zh) * | 2012-09-05 | 2017-08-25 | 康斯坦茨大学 | 用于非永久电接触太阳能电池以测量电特性的设备 |
| CN105355756A (zh) * | 2015-10-31 | 2016-02-24 | 嘉兴市上村电子有限公司 | 一种用于led灯丝的透明陶瓷基线路板 |
| CN105552087A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-05-04 | 广州有色金属研究院 | 一种led微型阵列透明显示装置 |
| CN105552087B (zh) * | 2015-12-30 | 2018-04-13 | 广东省半导体产业技术研究院 | 一种led微型阵列透明显示装置 |
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