CN109148402A - 发光二极管封装结构及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种发光二极管封装结构及其制造方法。发光二极管封装结构包括第一基板、第二基板、驱动模组以及发光模组；第一基板与第二基板彼此分离设置，且第一基板具有发光区以及配置于发光区内的负载线路，而第二基板具有电控区以及配置于电控区内的驱动线路；发光模组与驱动模组分别设置于第一基板与第二基板上，并分别电性连接于负载线路与驱动线路，且发光模组与驱动模组彼此电性连接。本发明的发光二极管封装结构具有两个彼此分离设置的基板，可降低发光模组与驱动模组运作时所产生的热对彼此产生的高温影响。

Description

发光二极管封装结构及其制造方法
技术领域
本发明涉及一发光二极管封装结构及其制造方法，特别是涉及一种可提高稳定性的发光二极管封装结构及其制造方法。
背景技术
近来，发光二极管(Light Emitting Diode,LED)广泛地被应用在各种照明装置或是显示装置中，例如天花灯、筒灯、吊灯、炮灯、车头灯、车转向灯、阅读灯、手电筒、显示面板的背光源等等。
但是，当发光二极管模组运作时，发光二极管模组内的多个发光二极管单元会产生大量的热。这些发光二极管单元所产生的热会对主控芯片及其他电子元件的稳定性造成影响，甚至使产品的使用寿命降低。
因此，提供一种可直接以市电驱动，且体积小、光效以及稳定性高，且安全可靠的LED模组，仍为目前业界努力的目标。
发明内容
本发明所要解决的其中一技术问题在于，降低发光二极管模组运作时，驱动模组以及发光模组所产生热对彼此造成的高温影响。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种发光二极管封装结构，其包括第一基板、第二基板、发光模组以及驱动模组。第一基板具有发光区以及配置于发光区内的负载线路。第二基板具有电控区以及配置于电控区内的驱动线路。第一基板与第二基板彼此分离设置。发光模组设置于第一基板上并电性连接于负载线路，驱动模组设置于第二基板上并电性连接于驱动线路，且驱动模组与发光模组彼此电性连接。
综上所述，在本发明实施例所提供的发光二极管封装结构及其制造方法中，通过使设置发光模组的第一基板以及设置驱动模组的第二基板彼此分离，可降低发光模组与驱动模组运作时所产生的热对彼此造成的高温影响。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为本发明其中一实施例的发光二极管封装结构的制造方法的流程图。
图2A为本发明其中一实施例的发光二极管封装结构在1步骤S100的俯视示意图。
图2B为本发明其中一实施例的发光二极管封装结构在步骤S100的侧视示意图。
图3A为本发明其中一实施例的发光二极管封装结构在步骤S100的俯视示意图。
图3B为本发明其中一实施例的发光二极管封装结构在步骤S100的侧视示意图。
图4A为本发明其中一实施例的发光二极管封装结构在步骤S110的俯视示意图。
图4B为本发明其中一实施例的发光二极管封装结构在步骤S110的侧视示意图。
图5A为本发明其中一实施例的发光二极管封装结构的俯视示意图。
图5B为本发明其中一实施例的发光二极管封装结构的侧视示意图。
图6为图5A的发光二极管封装结构的驱动电路示意图。
图7为本发明另一实施例的发光二极管封装结构在形成封装层之前的俯视示意图。
图8为图7的发光二极管封装结构的驱动电路示意图。
图9为本发明又一实施例的发光二极管封装结构在形成封装层之前的俯视示意图。
图10为图9的发光二极管封装结构的驱动电路示意图。
图11为本发明再另一实施例的发光二极管封装结构在形成封装层之前的俯视示意图。
图12为图11的发光二极管封装结构的驱动电路示意图。
具体实施方式
请参照图1。图1是本发明其中一实施例的发光二极管封装结构的制造方法的流程图。在本发明实施例的发光二极管封装结构的制造方法至少包括下列步骤。
首先，在步骤S100中，提供彼此独立的一第一基板以及一第二基板，其中，第一基板被定义出一发光区，并具有配置于发光区内的一负载线路，第二基板被定义出一电控区，并具有配置于电控区内的一驱动线路。
在步骤S110中，进行一组装步骤，以将一发光模组以及一驱动模组分别设置于第一基板与第二基板上，且通过至少一电性连接单元使驱动模组与发光模组两者之间建立电性连接。
以下将进一步说明，本发明实施例的发光二极管封装结构的制造方法的详细步骤。请先参照图2A、2B、3A以及3B，显示本发明其中一实施例提供第一基板与第二基板的详细流程。
如图2A所示，在本实施例中，先提供一初始基板10，且初始基板10被定义出发光区110、电控区120以及位于发光区110与电控区120之间的切割区130。初始基板10的材料为耐热绝缘的材料，离如：陶瓷或者是蓝宝石。
另外，在初始基板10上形成一线路布局20(circuit layout)。线路布局20包括多条迹线(trace)，且这些迹线可根据实际电路设计而配置于电控区120与发光区110内，以使后续设置于电控区120与发光区110上的多个电子元件彼此之间可建立电性连接。在一实施例中，迹线的材料是银。每一条迹线的宽度至少大于0.12毫米，厚度至少大于10微米。
线路布局20包括配置于发光区110内的一负载线路200，以及配置于电控区120内的一驱动线路。值得注意的是，在本实施例中，在切割区130内并未配设任何线路。
在本实施例中，负载线路200还具有邻近于切割区130设置的多个第一接垫200a，而驱动线路210具有邻近于切割区130设置的多个第二接垫210a。多个第二接垫210a分别对应于多个第一接垫200a。
如图2A所示，在本实施例中，初始基板10还进一步被定义出一点焊区111，且点焊区111通过发光区110而与电控区120隔离。换句话说，点焊区111与电控区120分别位于发光区110的两相反侧。
据此，线路布局20还进一步包括两个电源接收焊垫230以及两条跨接线路220。两个电源接收焊垫230是设置在点焊区111内，并分别连接两条跨接线路220。进一步而言，两条跨接线路220分别由两个电源接收焊垫230延伸至发光区110内，以分别连接于两个接垫220a。
请继续参照图3A以及图3B，沿着切割区130切割初始基板10，以将初始基板10分为彼此独立的一第一基板11以及一第二基板12。前述的发光区110与点焊区111都位于第一基板11，而电控区120位于第二基板12。
也就是说，发光区110与电控区120会分别位于不同的基板上。据此，配置于发光区110内的负载线路200是设置在第一基板11，而配置于电控区120内的驱动线路210设置在第二基板12。
接着，请参照图4A以及图4B，图4A与图4B分别为本发明其中一实施例的发光二极管封装结构在步骤S110的俯视示意图以及侧视示意图。
在组装步骤中，发光模组30以及驱动模组40会分别设置于第一基板11以及第二基板12上。在本实施例中，发光模组30包括多个发光单元31，其中，发光单元31为发光二极管。
多个发光单元31可通过打线接合或者是覆晶接合，而固设于第一基板11上，并电性连接于负载线路200。在本实施例中，多个发光单元31被配置在发光区110内，并可通过先前设置在发光区110内的负载线路200，以及多个打线结构而建立彼此之间的电性连接。
具体而言，发光模组30中的多个发光单元31可根据实际电路设计而相互串联或者并联。在本实施例中，发光模组30包括多个相互串联的发光单元31，且多个发光单元31是通过打线结构以及负载线路200相互串联。但是，在其他实施例中，发光模组30可包括两个相互并联的群组，而每一个群组中又包括多个相互串联的发光单元31。
也就是说，通过变更负载线路200的图案设计或者是打线结构的配置，可以调整发光模组30中的多个发光单元31的电性连接方式。因此，图4A所绘示的发光单元31的连接方式是作为其中一例子，来说明本发明之实施方式，而非用以限制本发明。
另一方面，在本实施例中，驱动模组40设置在电控区120内，并电性连接于驱动线路210。在本实施例中，驱动模组40可包括配置于电控区120内的一光调整电路42以及一桥式整流电路41。光调整电路42可以包括两个控制芯片420以及电性连接于控制芯片420的多个电阻421。在其他实施例中，光调整电路42也可以被替换为一般的控制电路。桥式整流电路41可包括多个整流元件，如：二极管。
需说明的是，光调整电路42中的控制芯片420与电阻421，以及桥式整流电路41中的整流元件，都可通过打线接合或者是覆晶接合固设于第二基板12上，并通过驱动线路210而电性连接。
在组装步骤中，还进一步通过至少一电性连接单元，以使驱动模组40电性连接于发光模组30。在本实施例中，电性连接单元包括多个导电连接部60a、60b。这些导电连接部60a、60b连接第一基板11以及第二基板12。
另外，第一基板11与第二基板12彼此并未直接接触，而是相互分隔一预定距离。在本实施例中，第一基板11与第二基板12彼此分离而定义出一隔离槽H1，如图4A与图4B所示。隔离槽H1的宽度并不限制，可根据第一基板11与第二基板12的连接方式而调整。在一实施例中，隔离槽H1的宽度(也就是预定距离)是介于0.1毫米(mm)至0.5毫米(mm)。
在本发明中，通过将设置发光模组30的第一基板11与设置驱动模组40的第二基板12分离，可减少发光模组30运作时所产生的热对控制芯片420的影响。
如图4A与图4B，每一个导电连接部60a、60b跨过隔离槽H1，而设置在第一基板11与第二基板12之间，从而使发光模组30电性连接于驱动模组40。在本实施例中，导电连接部60a、60b可以是零欧姆电阻、金属导线或者是具有导电线路的软板。
需说明的是，在一实施例中，多个导电连接部60a、60b为零欧姆电阻或者跨接器(jumper)，除了使驱动模组40可电性连接于发光模组30，还可提供第一基板11与第二基板12之间固接的机械强度。在其他实施例中，这些导电连接部60a、60b可以是多条导线，而只用以使驱动模组40可电性连接于发光模组30。在这个情况下，在组装步骤中，分离的第一基板11与第二基板12可以通过另一连接件，如:胶层，以相互固接。因此，本发明并不限制第一基板11与第二基板12的固接方式。
然而，连接第一基板11与第二基板12的方式并不限于上述实施例。在另一实施例中，电性连接单元也可以是活动式连接器。另外，第一基板11与第二基板12可以是左右分离(如图4A、4B)设置，也可以是上下分离设置。也就是说，只要第一基板11与第二基板12没有直接接触，即符合本发明之精神，而不限制第一基板11与第二基板12之间的相对位置。
在本实施例中，至少一导电连接部60a的两端分别连接于对应的第一接垫200a与对应的第二接垫210a，从而使驱动线路210电性连接于负载线路200。另外，桥式整流电路41通过对应的两个导电连接部60b，以及分别连接于两个导电连接部60b的两条跨接线路220，而电性连接于两个电源接收焊垫230。
在组装步骤中，还进一步将用以电性连接于一驱动电源(图中未绘示)的两个电源接收端子50，分别设置于点焊区111的两个电源接收焊垫230上。
相较于发光区110而言，点焊区111的位置较远离第二基板12。因此，两个电源接收端子50会分别通过两条延伸穿过发光区110的跨接线路220，而电性连接于其中两个导电连接部60b。如此，两个电源接收端子50可电性连接于驱动模组40。
进一步而言，在本实施例中，通过跨接线路220以及导电连接部60a、60b的配置，桥式整流电路41以及光调整电路42可接收由驱动电源所提供的驱动信号，如：驱动电压或驱动电流，并控制输出于发光模组30的电流。
需说明的是，在组装步骤中，设置发光模组30以及电源接收端子50在第一基板11上的步骤、设置驱动模组40在第二基板12上的步骤以及设置多个导电连接部60a、60b的步骤的先后顺序并不限定。
在一实施例中，可以将发光模组30、驱动模组40、导电连接部60a、60b电源接收端子50放置于预定位置之后，再进行加热焊接，从而使发光模组30、驱动模组40、导电连接部60a、60b以及电源接收端子50固设于第一基板11与第二基板12上。之后，再执行打线接合工艺，以使发光模组30、驱动模组40、导电连接部60a、60b以及电源接收端子50彼此电性连接。
制作发光二极管封装结构的方法及步骤，并不限于上述的实施例。在其他实施例中，也可以在第一基板11上形成负载线路200，并将发光模组30设置在第一基板11上，以及在第二基板12上形成驱动线路210，并将驱动模组40设置在第二基板12上之后，再组装第一基板11与第二基板12。另外，第一基板11与第二基板12的材料不一定要相同。
请继续参照图5A以及图5B。图5A与图5B分别显示本发明其中一实施例的发光二极管封装结构的俯视示意图以及侧视示意图。
在本发明实施例中，发光二极管封装结构的制造方法还进一步包括：形成一封装层70，且封装层70至少覆盖发光模组30以及驱动模组40。在一实施例中，可以通过注塑成型等工艺来形成封装层70。
如图5A以及5B所示，封装层70覆盖基板组件10’的上表面以及底表面。封装层70具有一上半部份71以及一下半部份72。上半部份71包覆基板组件10’(包括第一基板11以及第二基板12)的上表面，而下半部份72包覆基板组件10’的底表面。另外，本实施例中，封装层70并未一定要覆盖基板组件10’的侧表面以及底表面。
详细而言，封装层70的上半部份71可被区分为覆盖电控区120的第一部份711以及覆盖发光区110的第二部份712。第一部份711的材料与第二部份712的材料不一定要相同。第一部份711的材料可以是荧光胶、透明胶或是遮光胶，而第二部份712的材料可以是荧光胶或是透明胶。
在一实施例中，第一部份711的材料与第二部份712的材料相同，且都是透明胶或者都是荧光胶。在另一实施例中，第一部份711的材料为遮光胶，如：乳胶或黑色橡胶。第二部份712的材料为荧光胶或透明胶。
另外，在一实施例中，在通过注塑成型工艺来形成封装层70时，有一部份胶料会填入第一基板11与第二基板12之间的隔离槽H1内，而形成一隔离部721。也就是说，隔离部721的材料会与封装层70的材料相同。在其他实施例中，封装层70没有覆盖基板组件10’的底表面。在这个情况下，隔离槽H1内是填入空气。
参照图5A，基于上述，本发明实施例的发光二极管封装结构P1包括基板组件10’、发光模组30以及一驱动模组40。基板组件10’包括第一基板11、第二基板12以及至少一电性连接单元。另外，第一基板11与第二基板12彼此分离设置而定义出位于第一基板11与第二基板12之间的隔离槽H1。
第一基板11具有一发光区110，且第一基板11包括配置于发光区110内的一负载线路200。另外，第一基板11还具有一点焊区111，且点焊区111位于第一基板11远离第二基板12的一侧。
第二基板12具有电控区120，并包括配置于电控区120内的一驱动线路210。
发光模组30设置于第一基板11并电性连接负载线路200。具体而言，发光模组30包括多个发光单元31，且多个发光单元31通过负载线路200彼此电性连接。在本实施例中，多个发光单元31通过负载线路200，以彼此串联。
驱动模组40设置于第二基板12并电性连接于驱动线路210。详细而言，本实施例的驱动模组40包括一桥式整流电路41以及一光调整电路42。另外，发光二极管封装结构P1还包括用以电性连接于一驱动电源的两个电源接收端子50以及两条跨接线路220。
另外，发光模组30与驱动模组40通过电性连接单元而彼此电性连接。在一实施例中，电性连接单元包括多个导电连接部60a、60b，且导电连接部60a、60b跨过隔离槽H1以连接第一基板11与第二基板12。
两个电源接收端子50设置于点焊区111，且两条跨接线路220分别由两个电源接收端子50延伸至发光区110，并分别电性连接于其中两个导电连接部60b。如此，两个电源接收端子50可电性连接于驱动模组40。
请先参照图6，其显示图5A的发光二极管封装结构的驱动电路示意图。如图6所示，光调整电路42包括至少两个控制芯片420以及多个电阻421，而桥式整流电路41包括多个整流元件。在一实施例中，驱动电源通过电源接收端子50以及跨接线路220提供电源信号(例如输入电压为AC220V)，通过桥式整流电路41以及光调整电路42之后，可输出直流小电流(约5至30毫安)至发光模组30中的发光单元31。
请再参照图5B，本发明实施例的发光二极管封装结构P1还包括封装层70，以保护发光模组30、驱动模组40、驱动线路210以及负载线路200。封装层70的上半部份71覆盖发光模组30以及驱动模组40，而裸露两个电源接收端子50。封装层70的下半部份72覆盖基板组件10’的底表面。
如前所述，上半部份71包括覆盖电控区120的第一部份711以及覆盖电控区120的第二部份712，而第一部份711与第二部份712的材料可以相同或者不同。
另外，发光二极管封装结构P1还包括位于隔离槽H1内的一隔离部721，且隔离部721的材料与封装层70的材料相同。如前所述，可以在形成封装层70的步骤中，一并在隔离槽H1内形成隔离部721。
基于上述，由于第一基板11与第二基板12彼此相互分离，因此驱动模组40与发光模组30运作时所产生的热不会相互影响发光区。因此，一方面可降低发光模组30中的发光单元31因过热而产生光衰的几率，进而使发光模组30可具有较高的光通维持率，也可提高驱动模组40的稳定性而延长产品使用寿命。
另一方面，在点焊区111进行点焊时，点焊温度通常会大于1000℃。在本发明实施例的发光二极管封装结构中，由于第一基板11与第二基板12彼此相互分离，可以降低点焊时的高温对驱动模组40所造成的负面影响。在一实施例中，第二基板12也可以设置在第一基板11邻近于点焊区111的一侧，只要第一基板11与第二基板12彼此分离，也可达到效果。但在一优选实施例中，点焊区111远离电控区120而设置，来进一步降低点焊时的高温对驱动模组40所造成的影响。
需说明的是，驱动模组40中的光调整电路42也可以被替换为一般控制电路。具体而言，请参照图7以及图8。图7为本发明另一实施例的发光二极管封装结构在形成封装层之前的俯视示意图。图8为图7的发光二极管封装结构的驱动电路示意图。本实施例的发光二极管封装结构与图4A的实施例相同的元件具有相同标号。
在本实施例中，发光模组30中的多个发光单元31彼此串接，但本实施例的驱动模组40’包括桥式整流电路41以及非调光电路43。非调光电路43包括一控制芯片430以及一电阻431。也就是说，在本发明实施例的发光二极管封装结构的制造方法中，可以根据实际的需求以及不同的电路规格，而在电控区120形成不同的驱动线路210以及设置不同的驱动模组40’。
另外，发光模组30中的发光单元31的电性连接方式也可根据实际需求而改变。具体而言，请参照图9以及图10，图10为图9的发光二极管封装结构的驱动电路示意图。本实施例的发光二极管封装结构与图4A的实施例相同的元件具有相同标号。
如图10所示，本实施例的发光模组30’包括两个相互并联的群组，而每一个群组中又包括多个相互串联的发光单元31。请再参照图9，本实施例中，负载线路200的配置与图4A的实施例相同。然而，通过改变打线结构的设置方式，可改变多个发光单元31之间的电性连接方式。
在图10的实施例中，驱动电源通过电源接收端子50以及跨接线路220提供输入电压为AC110V的电源信号，至桥式整流电路41以及光调整电路42(驱动模组40)。之后，光调整电路42可输出直流小电流(约5至30毫安)至发光模组30’中的发光单元31。
请参照图11以及图12，图12为图11的发光二极管封装结构的驱动电路示意图。本实施例的发光二极管封装结构与图10的实施例相同的元件具有相同标号。
在本实施例中，发光模组30’中的多个发光单元31的电性连接方式与图10的实施例相同。然而，本实施例的驱动模组40’包括桥式整流电路41以及非调光电路43。
在本实施例中，驱动电源通过电源接收端子50以及跨接线路220提供输入电压为AC110V的电源信号，至桥式整流电路41以及非调光电路43(驱动模组40’)。之后，驱动模组40’可输出直流小电流(约5至30毫安)至发光模组30’中的发光单元31。
综合上述，在本发明实施例所提供的发光二极管封装结构及其制造方法中，通过使设置发光模组30的第一基板11以及设置驱动模组40的第二基板12彼此分离，可降低发光模组30以及驱动模组40运作时所产生的热对彼此造成的负面影响。
具体而言，第一基板11与第二基板12彼此相互分离，因此驱动模组40中的桥式整流电路41在运作时所产生的热不会直接传递至发光区110，因而可降低发光模组30中的发光单元31因过热而产生光衰的几率，进而使发光模组30可具有较高的光通维持率。
另一方面，由于第一基板11与第二基板12彼此分离，发光模组30运作时所产生的热，对于驱动模组40中的光调整电路42或者是非调光电路43的影响可被降低，从而可提高光调整电路42(或者是非调光电路43)中的控制芯片的稳定性以及可延长产品的使用寿命。
此外，在本发明实施例的发光二极管封装结构P1中，使点焊区111远离电控区120，可以降低点焊时的高温对驱动模组40所造成的负面影响。
在发光二极管封装结构的制造方法中，电控区120与发光区110的线路可以在同一制造步骤中完成。另外，本实施例的负载线路200以及驱动线路210的设计，可适应于设置具有光调整电路42或者是具有非调光电路43的驱动模组30，30’，以及可适应于接收输入电压AC220V或者AC110V的电源信号。
基于上述，本发明实施例所提供的发光二极管封装结构可直接被市电驱动，且具有小体积、高光效、高稳定性以及安全可靠等优点，并具有较高的产品性价比，可被广泛应用于天花灯，筒灯，吊灯，泡灯，车转向灯，阅读灯等装置。
以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的权利要求的保护范围，故凡运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的权利要求的保护范围内。

Claims (11)

1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构包括：
一第一基板，其具有一发光区，其中，所述第一基板包括配置于所述发光区内的一负载线路；
一第二基板，其具有一电控区，其中，所述第二基板包括配置于所述电控区内的一驱动线路，其中，所述第一基板与所述第二基板彼此分离设置；
一发光模组，其设置于所述第一基板并电性连接所述负载线路；以及
一驱动模组，其设置于所述第二基板并电性连接于所述驱动线路，其中，所述驱动模组电性连接于所述发光模组。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构还进一步包括一电性连接单元，所述驱动模组与所述发光模组通过所述电性连接单元彼此电性连接。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述电性连接单元包括多个所述导电连接部，每一所述导电连接部连接于所述第一基板与所述第二基板之间。
4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述负载线路具有邻近于所述第二基板设置的多个第一接垫，所述驱动线路具有邻近于所述第一基板设置的多个第二接垫，多个所述第一接垫分别对应于多个所述第二接垫，且至少一所述导电连接部的两端分别连接于对应的所述第一接垫与对应的所述第二接垫，而使至少一所述导电连接部跨过所述隔离槽。
5.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一基板还具有一点焊区，所述点焊区位于所述第一基板远离所述第二基板的一侧。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构还包括用以电性连接于一驱动电源的两个电源接收端子以及两条跨接线路，两个所述电源接收端子设置于所述点焊区，所述两条跨接线路分别由两个所述电源接收端子延伸至所述发光区，并电性连接于所述电性连接单元，以使两个所述电源接收端子电性连接于所述驱动线路。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述驱动模组还包括一配置于所述电控区内的桥式整流电路，所述桥式整流电路电性连接于所述驱动线路，并分别通过两条所述跨接线路电性连接于两个所述电源接收端子。
8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构还进一步包括一封装层，所述封装层覆盖所述发光模组以及所述驱动模组。
9.如权利要求8所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述封装层还进一步包括覆盖所述电控区的一第一部份以及覆盖所述发光区的一第二部份，其中，所述第一部份的材料为荧光胶、透明胶或是遮光胶，且所述第二部份的材料为荧光胶或透明胶。
10.如权利要求8所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一基板与所述第二基板之间定义出一隔离槽，所述发光二极管封装结构还包括位于所述隔离槽内的一隔离部，且所述隔离部的材料与所述封装层的材料相同。
11.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一基板与所述第二基板之间定义出一隔离槽，且所述隔离槽内具有空气。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201209992A (en) * 2010-08-19 2012-03-01 Aussmak Optoelectronics Corp Light emitting apparatus and solar cell apparatus
CN104517947A (zh) * 2013-10-07 2015-04-15 广镓光电股份有限公司 发光二极管组件及制作方法
CN106206559A (zh) * 2015-05-04 2016-12-07 葳天科技股份有限公司 模块化的发光装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6095661A (en) * 1998-03-19 2000-08-01 Ppt Vision, Inc. Method and apparatus for an L.E.D. flashlight
JP5906408B2 (ja) * 2011-07-15 2016-04-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 照明光通信装置及びそれを用いた照明器具、並びに照明システム
WO2013090945A1 (en) * 2011-12-16 2013-06-20 Advanced Lighting Technologies, Inc. Near unity power factor long life low cost led lamp retrofit system and method
US8823271B2 (en) * 2011-12-27 2014-09-02 Cree, Inc. Solid-state lighting apparatus including an energy storage module for applying power to a light source element during low power intervals and methods of operating the same
US9844123B2 (en) * 2012-06-15 2017-12-12 Lightel Technologies, Inc. Solid-state lighting operable with ballasts and line voltages without ambiguity
US8917076B2 (en) * 2012-08-10 2014-12-23 Monolithic Power Systems, Inc. Off-line regulator with pass device and associated method
JP6272691B2 (ja) * 2013-12-27 2018-01-31 ローム株式会社 振幅正規化回路、電源装置および電子機器
US9995889B2 (en) * 2014-03-24 2018-06-12 Citizen Watch Co., Ltd. Mounting component for optical fiber, optical module, and optical module manufacturing method
US20160320042A1 (en) * 2015-04-29 2016-11-03 Prolight Opto Technology Corporation Modularized light-emitting device
CN106658811B (zh) * 2015-10-30 2018-03-16 常州明石晶电科技有限公司 一种led光源及其驱动电路
CN107013822A (zh) * 2017-04-25 2017-08-04 东莞市晨彩照明科技有限公司 一种适用于工业化自动生产的led球泡灯

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201209992A (en) * 2010-08-19 2012-03-01 Aussmak Optoelectronics Corp Light emitting apparatus and solar cell apparatus
CN104517947A (zh) * 2013-10-07 2015-04-15 广镓光电股份有限公司 发光二极管组件及制作方法
CN106206559A (zh) * 2015-05-04 2016-12-07 葳天科技股份有限公司 模块化的发光装置

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