CN101261336B - 偏振元件制造方法 - Google Patents
偏振元件制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101261336B CN101261336B CN2008100074620A CN200810007462A CN101261336B CN 101261336 B CN101261336 B CN 101261336B CN 2008100074620 A CN2008100074620 A CN 2008100074620A CN 200810007462 A CN200810007462 A CN 200810007462A CN 101261336 B CN101261336 B CN 101261336B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- base material
- protective seam
- precursor solution
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 90
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 90
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 81
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 54
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 49
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 12
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 9
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 8
- -1 silane compound Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 7
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 62
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 40
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 12
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 34
- 239000010408 film Substances 0.000 description 29
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- KPHWPUGNDIVLNH-UHFFFAOYSA-M diclofenac sodium Chemical compound [Na+].[O-]C(=O)CC1=CC=CC=C1NC1=C(Cl)C=CC=C1Cl KPHWPUGNDIVLNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001152 Bi alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000629 Rh alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000929 Ru alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 208000034189 Sclerosis Diseases 0.000 description 2
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000946 Y alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000821 Yb alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010013786 Dry skin Diseases 0.000 description 1
- 238000006424 Flood reaction Methods 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 238000006664 bond formation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- YTJSFYQNRXLOIC-UHFFFAOYSA-N octadecylsilane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[SiH3] YTJSFYQNRXLOIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/30—Polarising elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/30—Polarising elements
- G02B5/3025—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
- G02B5/3058—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state comprising electrically conductive elements, e.g. wire grids, conductive particles
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N9/00—Details of colour television systems
- H04N9/12—Picture reproducers
- H04N9/31—Projection devices for colour picture display, e.g. using electronic spatial light modulators [ESLM]
- H04N9/3102—Projection devices for colour picture display, e.g. using electronic spatial light modulators [ESLM] using two-dimensional electronic spatial light modulators
- H04N9/3105—Projection devices for colour picture display, e.g. using electronic spatial light modulators [ESLM] using two-dimensional electronic spatial light modulators for displaying all colours simultaneously, e.g. by using two or more electronic spatial light modulators
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133528—Polarisers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Polarising Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
本发明提供一种具有优异光学特性、实现减少部件数量以及提高液晶装置的功能的偏振元件的制造方法、偏振元件、液晶装置以及投影型显示装置。包括：通过在基板上形成金属膜、并制作金属膜的图形，从而形成多条金属突起体的工序；在由有机材料构成的基材上涂覆构成用于保护金属突起体的保护层的前体溶液的工序S1B；在基材上配置基板而使金属突起体的前端浸渍于前体溶液的组装工序S5；使前体溶液干燥并形成保护层、通过该保护层结合基材与基板的结合工序S6；以及从保护层去除基材的去除基材工序S7。
Description
技术领域
本发明涉及一种偏振元件、偏振元件的制造方法、液晶装置、投影型显示装置。
背景技术
作为投影仪等投影型显示装置的光调制装置，使用液晶装置。作为这种液晶装置，公知的构成是，在一对相向配置的基板之间夹有一层液晶，在一对基板间的内侧形成有用于对液晶层施加电压的电极。而且，在该电极的内侧，还形成有在不施加电压时用来控制液晶分子排列的配向膜，作为配向膜，则是在聚酰亚胺膜的表面进行研磨处理而形成，这也是公知常识。
另一方面，在一对基板的外侧(不同于与液晶层相对的面的一面)配置有偏振板，规定的偏振光入射至液晶层。作为偏振板，通过在单方向延伸有机化合物的树脂膜，使碘或者二向色性染料按一定方向配向，从而制成偏振膜，除这种偏振膜以外，还有一种公知的在透明基板(玻璃)上铺满金属网而构成的线栅型偏振板。这种线栅型偏振板的最主要特征是，由于使用无机材料制作，其耐久性特别优越。作为这种线栅型偏振板，例如有专利文献1、2所公开的技术。
[特许文献1]特表2003-519818号公报
[特许文献2]特表2002-520677号公报
最近，线栅型偏振板不仅作为单体使用，而且提出了将其组装在液晶板内的技术。这样，由于偏振元件内置，对于削减部件数量、使液晶板高功能化作出很大贡献。另外，众所周知，对于线栅型偏振元件，其光学特性受到介于线栅(导电部件)间的材质的影响，因此，希望线栅型偏振元件是折射率为1的材料即空气(或者真空环境)介入线栅之间的状态。
上述专利文献1着眼于线栅间的材料，可以采用封入空气(或者真空)的结构。但是，在将专利文献1的偏振元件配置到单元内时，必须只能在像素区域设置盖玻片，或者，通过配置盖玻片而增加单元的厚度，但是，这两点实现的可能性极低。而且，在专利文献1中，没有提及有关具体的制造方法。而且，专利文献2虽然公开了内置线栅型偏振元件的技术，但是，存在由于线栅间镶入有平坦化层而降低光学特性的缺陷。
发明内容
鉴于上述现有技术的问题，本发明提供一种具有优越光学特性、可以实现部件数量减少以及液晶装置高功能化的偏振元件的制造方法、偏振元件、液晶装置、投影型显示装置。
为了解决上述课题，根据本发明的偏振元件的制造方法，包括如下工序：通过在基板上形成金属膜、并制作金属膜的图形，从而形成多条金属细线的工序；在基材上涂覆构成用于保护金属细线的保护层的玻璃前体溶液的涂覆工序；在基材上配置基板而使金属细线的前端浸渍于玻璃前体溶液的工序，以及使玻璃前体溶液干燥并形成保护层、通过保护层结合基材与基板的工序。
根据本发明的制造方法，玻璃前体溶液通过干燥而固化，并形成保护层，在保护层形成的同时，基材结合于基板。在将基板载置于基材上时，处于使金属细线的前端浸渍在玻璃前体溶液中的状态，这样，根据金属细线的毛细管吸引力(毛细管现象)，玻璃前体溶液在金属细线的外侧周部扩展。此时，在毛细管吸引力作用的同时，玻璃前体溶液的重力也在起作用，所以，根据该前体溶液的重力，其扩展只滞留在金属细线的前端。于是，金属细线的间距不会由于玻璃前体溶液而变窄，可以既简单又可靠地将基材和金属细线结合。有关玻璃前体溶液的扩展，将在后面的详细说明中详述。
通过上述金属细线的毛细管吸引力和玻璃前体溶液的重力之间相互作用，可以形成由基板、保护层和金属细线包围的空间(空洞)。籍此，可以形成在由基板、保护层和金属细线包围的空间内封入空气，获得具有优越光学特性的偏振元件。
而且，优选方式是，包括从保护层去除基材的工序，其中，基材包括有机材料。
根据上述制造方法，从保护层去除由有机材料构成的基材，所以可以实现偏振元件的薄形化。因此，将偏振元件内置于液晶屏时，可以对装置整体的薄形化做出极大的贡献。而且，通过将由有机材料构成的基材从保护层中去除，可以得到耐热性和耐光性优良的偏振元件。
而且，优选方式是，基材包括无机材料。
根据上述制造方法，在由无机材料形成的基材上使玻璃前体溶液一体化，可以提高机械强度，由于使用了无机材料，因此可以得到耐光性、耐热性优越的偏振元件。因此，例如可以应用于投影仪的光阀中。
而且，优选方式是，构成保护层的玻璃前体溶液通过在含有硅烷化合物的分散溶剂中分散无机氧化物微粒而形成。
根据上述制造方法，构成保护层的玻璃前体溶液是由在含有硅烷化合物的分散溶剂中分散无机氧化物微粒而形成的，因此，保持透明性的同时，可以获得表面高度较高、具有耐腐蚀性的保护层。而且，可以提高对金属细线的致密性以及密封性(结合性)。
根据本发明的偏振元件，包括：基板；多条金属细线，形成于基板上；以及保护层，设置于金属细线上，通过使金属细线的前端浸渍的玻璃前体溶液固化而形成，其中，由相邻的金属细线、基板以及保护层所包围的区域为空间。
根据本发明的偏振元件，具有由相互邻接的金属细线、基板和保护层包围的空间(空洞)，可以成为具有优异光学特性的元件。而且，由于玻璃前体溶液在使金属细线前端浸渍的状态下固化，因此可以一体形成保护层和金属细线，使其可靠地结合。
而且，优选方式是，玻璃前体溶液通过在含有硅烷化合物的分散溶剂中分散无机氧化物微粒而形成。
根据上述制造方法，由于构成保护层的玻璃前体溶液是在含有硅烷化合物的分散溶剂中分散无机氧化物微粒而形成的，因此，在保持透明性的同时，获得表面高度较高、具有耐腐蚀性的保护层。
根据本发明的液晶装置包括上述偏振元件。
根据本发明的液晶装置，由于利用了优异的光学特性，因而能够得到可以高精细显示的液晶装置。另外，由于使用从保护层去除基材而形成的偏振元件可以削减部件的数量、使得装置全体薄形 化，因而，可以追求液晶装置的高功能化。而且，在去除有机材料构成的基材之后时，可以优化耐热性、耐光性，使得液晶装置的可靠性得以提高。
本发明的投影型显示装置包括上述液晶装置，其中，将上述液晶装置作为光调制装置。
根据本发明的投影型显示装置，由于可以良好地进行光调制，因而能够实现高精度、高亮度的显示。
附图说明
图1为本发明所涉及的一实施例的偏振元件的结构示意图；
图2为本发明所涉及的一实施例的表示偏振元件制造方法的流程图；
图3为本发明所涉及的一实施例的表示偏振元件制造方法的工序图；
图4为本发明所涉及的一实施例的投影型显示装置；
图5为本发明所涉及的一实施例液晶装置的结构示意图；
图6为概略地表示液晶装置用基板的一实施例的剖面图；
图7为概略地表示液晶装置用基板的一实施例的平面图；以及
图8为表示偏振层作用的说明图。
具体实施方式
发明的优选实施例
以下，参照附图来说明本发明的实施例。而且，在以下用于说明的附图中，为了能够识别各部件的尺寸，对于各部件的比例作适当地变更。
偏振元件
首先，参照附图1来说明本实施例的偏振元件。这里，图1是表示偏振元件的剖面图。
偏振元件1包括基板11A、在该基板11A的表面形成的线栅(wire grid)偏振层18和在基板11A上通过线栅偏振层18而设置的保护层13。
基板11A例如包括玻璃或者石英等透光性材料。在基板11A上形成有向上方突出、互相平行的多条金属突起体18A(金属细线)。
线栅偏振层18具有在基板11A上局部地配置的多条金属突起体18A。在俯视图中，该金属突起体18A形成条纹状图形，例如，宽W为70nm，高H为100nm(高度小于等于150nm)，间距P为140nm。
为保护金属突起体18A，设置保护层13，横跨多条金属突起体18A并配置在它们的上表面侧(与基板11A相对的一侧)。就本实施例而言，保护层13的厚度为20～30nm，相应于金属突起体18A的高度或间距进行适当地设定。该保护层13是在树脂中均匀地分布二氧化硅微粒(后述)的层，具有透明性，还具有较高的表面高度以及耐腐蚀性。
如上所述的偏振元件1为在由基板11A、金属突起体18A、保护层13包围的空洞部18B内密封有空气(或者真空)的状态。
而且，也可以在基板11A的下表面形成包括介电体多层膜的防反射膜(图示从略)。
如上所述，使偏振元件1形成具有由基板11A、金属突起体18A和保护层13围成的空洞部分18B的结构，从而，在空洞18B内封入空气(或者保持真空)。通过使金属突起体18A之间的折射率为1，可以得到光学特性优异的偏振元件。而且，在现有技术中，是夹着线栅偏振层18使一对玻璃基板结合，而本实施例则设置保护层13用以代替一侧的玻璃基板。可以用比基板11A的厚度薄得多的厚度形成该保护层13，因此可以实现偏振元件的薄型化。
偏振元件的制造方法
接着，参照图2和图3说明上述结构的偏振元件的制造方法。这里，图2是表示偏振元件制造工序的流程图，图3的(a)～(h)是表示偏振元件的制造工序的剖面图。图3(f)是图3(e)的要部放大图。
以下，按照图2的流程，用图3来进行说明。
首先，如图3(a)所示，在金属膜形成工序S1A中，在包括玻璃或石英、塑料等透光性材料的基板11A上，形成包括铝全覆盖的金属层12a。在此，可以用蒸镀法或者溅射法等成膜方法。再者，作为构成金属层12a的金属，除了铝之外，还可以用例如金、铜、银、钯、铂、铑、硅、镍、钴、锰、铁、铬、钛、钌、铌、钕、镱、钇、钼、铟、铋或者这些金属的合金。
而且，根据需要，也可以在基板11A的表面形成未图示的底层。底层可以由例如氧化硅膜或氧化铝膜形成，可以起到防止在通过蚀刻使金属层12a形成图形时因蚀刻而损伤基板11A的作用、以及改善金属层12a的密封性的作用。在基板11A的一个面侧，用溅射法等工艺使例如氧化硅膜成膜，从而形成上述底层。于是，再在底层上形成上述金属层12a。
接着，在保护膜形成工序S2，在金属层12a上用旋涂法涂覆保护膜，经过烘焙形成保护膜。之后，进行曝光、显影处理，如图3(b)所示，形成线状的平面形状的保护膜14a。具体地说，对于上述保护膜，选择性地进行激光照射，使形成的保护膜14a配置成条纹状。所形成的保护膜14a的间距例如是140nm，因此，使用能够形成可见光波长以下的微细条纹图形的干涉曝光法(在此为双光束干涉曝光)。在进行了上述曝光之后，进行烘焙(PEB)，再通过蚀刻工艺去除保护膜的曝光部分，可以形成具有如图3(b)所示的图形的保护膜14a。
接下来，在图形形成工序S3中，将形成的保护膜14a作为掩模，对金属层12a进行蚀刻，在除去保护膜工序S4中，除掉保护膜14a，由此形成图3(c)所示的金属突起体18A。
另一方面，与上述工序S1A～S4相平行，在前体(precursor)涂覆工序S1B中，如图3(d)所示，准备好有机薄膜15(基材)，在其一个面上，用旋涂法、喷雾法、印刷法等涂覆玻璃前体溶液17。作为涂覆的量，则使膜厚达到20～30nm。涂覆量过少的话，将发生所形成的保护层的耐腐蚀性、与上述金属突起体的密封性方面的问题，涂覆量过多，则有降低保护层本身的抗龟裂性的可能性。
玻璃前体
如图3(d)所示，玻璃前体17是一种混合溶液，该混合溶液包括由含硅烷化合物的有机溶剂17A(分散溶剂)、以及含硅石(SiO“二氧化硅”)微粒的粒径整齐的无机氧化物微粒17B，其粘性在5×10-3cSt～数十cSt的范围内。
作为有机溶剂17A，使用IPA、甲醇等，根据情况，也可以使用含有固化催化剂的溶剂。由于含有固化催化剂，所以在后述的结合工序S6可以促进玻璃前体溶液的固化。
有机溶剂17A中无机氧化物微粒17B的含量如下的配合量：作为保护层13得到所期望的膜强度的同时、还可以使有机溶剂17A中无机氧化物微粒17B均匀地分散。
另外，作为硅烷化合物，例如可以举出RSi(OR)3，具体地说，包括TEOS(tetraethoxysilane)、TMOS(xysilane)、ODS(十八烷基硅烷、octadecylsilyl)、VTES(乙烯基三乙氧基硅烷、vinyltriethoxysilane)、APTES(氨丙基三乙氧基硅烷、aminopropyltriethoxysilane)等。由于改变结合剂的种类，所以，无机氧化物微粒17B在各种溶剂中稳定地分散。
而且，作为固化催化剂，只要可以促进玻璃前体溶液17的固化反应即刻，并无特别限定。而且，分散溶剂也可以是水。
接下来，如图3(e)所示，在装配工序S5中，在有机膜15上放置基板11A，使得金属突起体18A的前端和玻璃前体溶液接触(浸渍)。这样一来，如图3(f)所示，玻璃前体溶液17根据毛细管现象扩展到金属突起体18A的外侧周面。即、玻璃前体溶液17根据作为液体表面张力而起作用的、相对于膜表面15a垂直方向的 力(毛细管吸引力)，沿着金属突起体18A的侧面上升。其上升通过毛细管吸引力和液体自身的重力的平衡，只滞留在金属突起体18A的前端部(浸渍于玻璃前体溶液17的部分)。就本实施例而言，金属突起体18A的宽是70nm、高100nm，金属突起体18A互相之间的间距140nm，因此，涂覆涂覆厚度例如为20～30nm的玻璃前体溶液。这样，根据线栅偏振层18的结构来调整玻璃前体溶液17的涂覆量，使得金属突起体18A互相之间的间距不会由于因毛细管吸引力吸引上来的玻璃前体溶液17而缩小。
然后，在结合工序S6中，如图3(g)所示，通过以设定的温度和时间使玻璃前体溶液17干燥，从而，在无机氧化物微粒均匀分散状态下，玻璃前体溶液17硬化，并形成保护层13，而且，与玻璃前体溶液17硬化的同时，有机薄膜15和基板11A结合。有机薄膜15和基板11A通过保护层13及金属突起体18A而结合在一起，因此，形成了由基板11A、金属突起体18A和保护层13围成的空洞部18B。在该空洞部18B中形成自然地封入有空气的状态。也就是说，因为是在大气压力环境下进行制造，所以，形成空气被封入在空洞部18B内的状态。如上所述，构成具有金属突起体18A和空洞部18B的线栅偏振层18。
而且，也可使空洞部18B内部为真空，这种情况下，在真空环境下进行上述装配工序S5、结合工序S6。
在本实施例中，玻璃前体溶液17是在有机溶剂17A中分散二氧化硅微粒(无机氧化物微粒17B)而成的所谓胶体氧化硅，所以能够得到具有很高硬度的保护层13。
然后，在去除基材工序S7中，如图3(h)所示，从保护层13中除掉有机膜15(参照图3(g))。作为除去有机膜15的方法，通过 基于有机溶剂的溶解处理、使用退火法的快速加热处理、照射紫外线的分解处理等进行。
根据以上工序，可以制造具有图1所示线栅偏振层18的偏振元件。
经过这样的流程，可以在多个金属突起体18A之间可靠地形成空洞部18B。由此，与现有技术相比较，可以简单地形成高消光比、偏振特性优异的线栅型偏振元件1。根据本实施例的制造方法，可以既容易又可靠地形成空洞部18B，因此可以达到制造工序的简化、合格率的提高和低成本化。另外，由于从保护层13中除去有机膜15，可使偏振元件1薄形化，所以，在将其组装到液晶装置内时，对于装置整体的薄形化作出很大的贡献。
投影仪
图4是作为本发明的投影型显示装置的一实施例、表示投影仪主要部分的概略构成图。本实施例的投影仪是作为光调制装置使用液晶装置的液晶投影仪。
在图4中，810是光源，813、814是分色镜，815、816、817是反射镜，818是入射透镜，819是中继透镜，820是出射透镜，822、823、824是由液晶装置构成的光调制装置，825是交叉二向色棱镜(cross dichroic prism)，826是投影透镜。
光源810包括金属卤素灯811和反射灯光的反射镜812。而且，作为光源810，除了金属卤素灯外，也可以用超高压水银灯、闪烁水银灯、高压水银灯、Deep UV灯、氙灯或者闪烁氙灯等。
分色镜813在使来自光源810的白色光所包含的红光透过的同时，反射蓝光和绿光。透过的红光被反射镜817反射，入射至红光用液晶光调制装置822。而且，被分色镜813反射的绿光由分色镜814反射，入射至绿光用液晶光调制装置823。而且，被分色镜813反射的蓝光透过分色镜814。对于蓝光，为了防止由于长光路导致的光损失，设置有由包括入射透镜818、中继透镜819以及出射透镜820的中继透镜系构成的导光单元821。通过该导光单元，蓝光入射至蓝光用的液晶光调制装置824。
通过各个光调制装置822～824调制的三种颜色的光入射至交叉二向色棱镜825。该交叉二向色棱镜825是由四块直角棱镜结合而成，在其界面上，反射红光的电介质多层膜和反射蓝光的电介质多层膜形成X字型状。通过这些电介质多层膜合成三种颜色的光。合成后的光根据作为投影光学系的投影透镜826投影到屏幕827，并扩大显示图像。
这里，在本实施例的投影仪中，作为光调制装置822～824，采用如图5所示的液晶装置。
液晶装置
图5是液晶装置822～824的剖面示意图，该液晶装置822～824具有在一对基板10、20之间夹持有液晶层50的结构。
基板10是元件基板，在基板本体10A上形成包括线栅偏振层18、保护层13、像素电极9和配向膜21的结构。而且，基板10还包括对像素电极9的外加电压进行开关驱动的TFT元件(图中从略)。另一方面，基板20是相对的基板，在基板本体20A上形成包括线栅偏振层18、保护层13、相对电极23和配向膜22的结构。
就本实施例而言，由线栅偏振层18、保护层13和基板本体10A(20A)构成线栅型偏振元件19。基板本体10A、20A在作为液晶装置用基板的同时，还兼有偏振元件用基板的功能。偏振元件19是用上述偏振元件的制造方法制造的。
在图5的构成中，一对基板10、20通过密封材料(图示从略)粘合，其内部封入液晶。此时，作为液晶层50的液晶模式，采用TN(Twisted Nematic)模式，除此以外，还可以采用STN(SuperTwisted Nematic)模式、ECB(Electrically Controlled Birefringence)模式等。
以下，关于各基板10、20的结构，参照图6～图8进行详细说明。图6是示意地表示基板(液晶装置用基板)10、20的剖面图，图7是示意地表示基板10、20的平面图。
首先，如图6所示，基板10、20在包括玻璃等透光性的电介质无机材料的基板本体10A、20A上具有线栅偏振层18。
线栅偏振层18是一种在基板本体10A、20A上形成多个具有条纹状平面图形的金属突起体18A。具体地说，如图7所示，以小于等于入射光(即、可见光)的波长的间距、例如140nm(图中以P表示)形成条纹状，该金属突起体18A的平面宽度W设定为70nm。而且，如图6所示，金属突起体的高度H例如为100nm。
另一方面，如图6所示，基板10、20在其线栅偏振层18上包括用于覆盖金属突起体18A的保护层13。由于保护层13是包括以二氧化硅为主体的玻璃材质陶瓷的材料，所以，可以由前述的玻璃前体溶液形成。于是，与基板本体10A、20A上所形成的各金属突起体18A分别粘合构成。
根据上述构成，金属突起体18A之间形成空洞，成为封入空气(或者真空)的空洞部18B。该空洞部18B包括由相邻的金属突起体18A、基板本体20A(10A)和保护层13所围成的空间。因此，本实施例的线栅偏振层18是一种金属突起体18A和空洞部18B在基板的表面的方向上交替存在的结构。
这里，作为构成金属突起体18A的金属材料，如上所述，除铝之外，还可以使用银、金、铜、钯、铂、铑、硅、镍、钴、锰、铁、铬、钛、钌、铌、钕、镱、钇、钼、铟、铋或者这些金属的合金。
这里，设于基板10一侧的线栅偏振层18与设在基板20一侧的线栅偏振层18的各金属突起体18A是互相交叉着形成的。
通过上述线栅偏振层18，可对从光源810射出的各色光进行偏振光选择，并只使直线偏振光透过液晶层50。
具体而言，如图5所示，线栅偏振层18包括以小于入射至液晶层50的光的波长的间距配置成条纹状的多个金属突起体18A，同时，其折射率小于金属突起体18A折射率的空洞部18B介于各金属突起体18A之间，因此，线栅偏振层18可以作为使与金属突起体18A的延伸方向大致平行的方向振动的偏振光反射、并使与金属突起体18A的延伸方向大致垂直的方向振动的偏振光透过的反射型偏振元件而发挥作用。
即、由于金属突起体18A的折射率和介于金属突起体18A之间的空洞部18B的折射率不同，因而，线栅偏振层18可以根据入射至该线栅偏振层18的光的偏振方向进行偏振选择。因此，如图8所示，使在与线栅偏振层18的延伸方向垂直的方向上具有偏振轴的直线偏振光X透过，使在与线栅偏振层18的延伸方向平行的方向上具有偏振轴的直线偏振光Y反射。
所以，线栅偏振层18与光反射型偏振镜作用相同，亦即具有使与光轴(透过轴)平行的偏振光透过、而对于垂直的偏振光进行反射的功用。
而且，如图6所示，基板20(10)在其保护层13上包括电极23(9)。这里，电极23(9)由ITO(铟锡氧化物)等的透光性、导电性的材料形成，使膜厚约为50nm～100nm的范围(例如85nm)。而且，公共电极23是在保护层13的整个面上形成全覆盖的形状，而像素电极9则按照每个像素形成矩阵状。
另外，在电极23(9)上形成有调整膜22(21)。调整膜22(21)由SiO2的斜向蒸镀膜构成，限制液晶分子的定向。而且，调整膜22(21)的膜厚为10nm～100nm(例如25nm)。
如上所述的基板10、20采用由无机材料形成的材料。上述由金属卤素灯811构成的光源810是高能量光源，在由有机材料制成的基板上，可能存在由于高能光的作用而导致不分解并变形。所以，由耐光性和耐热性高的无机材料(包括金属材料)构成的基板被用作液晶装置。
上述液晶装置822～824如上所述，通过组装在图5所示基板10(20)内侧的线栅偏振层18，直线偏振光入射至液晶层50，在该液晶层50中进行相位的控制。就是说，根据外加于电极9、23的电压进行液晶层50的驱动控制，并控制该入射光的相位。因此，被相位控制的光有选择地透过组装于相反侧的基板20(10)内侧的线栅偏振层18，并被调制。就本实施例而言，由于在由基板10、20和保护层13、金属突起体18A所围成的空洞部18B内封入了空气(或者保持真空)，因此，可以得到得到优异的光学特性。
在本实施例中，因为是将偏振元件组装到液晶屏中的结构，所以，基板本体10A、20A兼有液晶装置用基板和偏振元件用基板的功能。由此，由于减少部件的数量，所以可以使装置整体薄型化，也可以提高液晶装置的功能。而且，由于简化了装置的结构，因而可以降低成本。
另外，如图4所示，如上所述，通过液晶装置822～824调制的各色光入射至交叉二向色棱镜825，然后被合成。合成后的光通过作为投影光学系统的投影透镜826投影到屏幕，并放大显示图像。
上述投影仪800包括作为光调制单元而组装有偏振元件的液晶装置。
如上所述，本实施例的液晶装置822～824是在金属突起体18A之间形成有空洞部18B的构成，因而不会发生显示不良或者可靠性下降的问题，而且是低电耗、显示的亮度优异的装置。为此，由于本发明的投影仪800包括作为光调制单元的上述液晶装置822～824，因而成为可靠性高、具有优异显示特性的装置。
而且，本发明的技术范围并不限于上述实施例的内容，在不脱离本发明的宗旨的范围内，包含了对上述实施例追加各种变更的例子。例如，在实施例中，作为开关元件，以具有TFT的液晶装置为例进行了说明。然而，也可以将本发明应用于具有薄膜二极管等两端型元件作为开关元件的液晶装置。另外，在实施例中是以三板式投影仪(投影型显示装置)为例进行说明的。然而，也可以将本发明应用于单板式投影型显示装置、直视型显示装置。
而且，也可以把本发明的液晶装置应用于投影仪以外的电子设备。作为具体的例子，可以举出便携式电话。便携式电话在显示部分具有与上述各实施例或者其变形例有关的液晶装置。另外，作为 其它的电子设备，还可以举出如IC卡、摄像机、个人电脑、头置式显示器、带有显示功能的传真机、数码相机的取景屏、携带型电视、DSP装置、PDA、电子笔记本、电光告示板、宣传公告用显示屏等等。
而且，就上述实施例而言，在偏振元件的制造方法中使用了有机薄膜15。但是，也可以使用由无机材料形成的例如玻璃基板。此时，由玻璃前体溶液17形成的保护层13与玻璃基板一体形成。通过整体形成玻璃基板和保护层，能够得到机械强度以及耐光性方面都优越的偏振元件。
符号的说明
1、19偏振元件
18A金属突起体(金属细线)
18B空洞部 18线栅偏振层
15有机膜(基材) 101液晶装置。
Claims (4)
1.一种偏振元件的制造方法，其特征在于，包括：
通过在基板上形成金属膜、并制作所述金属膜的图形，从而形成多条金属细线的工序；
在基材上涂覆构成用于保护所述金属细线的保护层的玻璃前体溶液的涂覆工序；
在所述基材上配置所述基板而使所述金属细线的前端浸渍于所述玻璃前体溶液的工序，
使所述玻璃前体溶液干燥并形成所述保护层、通过所述保护层结合所述基材与所述基板的工序；以及包括从所述保护层去除所述基材的工序。
2.根据权利要求1所述的偏振元件制造方法，其特征在于，所述基材包括有机材料。
3.根据权利要求1所述的偏振元件制造方法，其特征在于，所述基材包括无机材料。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的偏振元件制造方法，其特征在于，
构成所述保护层的所述玻璃前体溶液通过在含有硅烷化合物的分散溶剂中分散无机氧化物微粒而形成。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007056959 | 2007-03-07 | ||
| JP2007-056959 | 2007-03-07 | ||
| JP2007056959A JP4380714B2 (ja) | 2007-03-07 | 2007-03-07 | 偏光素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101261336A CN101261336A (zh) | 2008-09-10 |
| CN101261336B true CN101261336B (zh) | 2011-02-16 |
Family
ID=39741256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2008100074620A Expired - Fee Related CN101261336B (zh) | 2007-03-07 | 2008-03-07 | 偏振元件制造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7755717B2 (zh) |
| JP (1) | JP4380714B2 (zh) |
| KR (1) | KR20080082485A (zh) |
| CN (1) | CN101261336B (zh) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010072539A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Seiko Epson Corp | 光学装置及びプロジェクタ |
| KR20100035783A (ko) * | 2008-09-29 | 2010-04-07 | 삼성전자주식회사 | 편광기, 이의 제조 방법, 이 편광기를 갖는 표시기판 및 백라이트 어셈블리 |
| JP5309843B2 (ja) * | 2008-09-29 | 2013-10-09 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
| JP5347722B2 (ja) * | 2009-06-01 | 2013-11-20 | 株式会社リコー | 光学フィルタおよび画像撮影装置 |
| CN101989012A (zh) * | 2009-08-03 | 2011-03-23 | 江苏丽恒电子有限公司 | 硅基液晶成像器 |
| JP5471467B2 (ja) * | 2010-01-13 | 2014-04-16 | 株式会社リコー | 光学素子、画像生成装置及び画像表示装置 |
| JP2011248284A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-08 | Sony Chemical & Information Device Corp | 偏光板及び偏光板の製造方法 |
| JP5682312B2 (ja) * | 2011-01-05 | 2015-03-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
| TWI454755B (zh) * | 2011-11-23 | 2014-10-01 | Univ Nat Cheng Kung | 金屬性結構與光電裝置 |
| TWI533035B (zh) * | 2013-05-13 | 2016-05-11 | 首源科技股份有限公司 | 具有金屬性結構的光電裝置 |
| KR102079163B1 (ko) | 2013-10-02 | 2020-02-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 와이어 그리드 편광자, 이를 포함하는 표시 장치 및 이의 제조방법 |
| JP6357892B2 (ja) * | 2014-06-09 | 2018-07-18 | 凸版印刷株式会社 | 光学素子 |
| KR20160014835A (ko) * | 2014-07-29 | 2016-02-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 와이어 그리드 편광자 및 이의 제조방법 |
| CN104459866A (zh) * | 2014-12-30 | 2015-03-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种圆偏振片及其制备方法、显示面板 |
| CN104570462A (zh) * | 2015-01-21 | 2015-04-29 | 昆山龙腾光电有限公司 | 液晶显示面板及其制作方法 |
| CN104849906B (zh) * | 2015-06-11 | 2018-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 偏光片及其制造方法、显示装置 |
| US10818652B2 (en) * | 2016-07-15 | 2020-10-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| KR102581143B1 (ko) * | 2016-08-18 | 2023-09-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102602238B1 (ko) * | 2016-08-29 | 2023-11-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 편광 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| US20180164580A1 (en) * | 2016-12-12 | 2018-06-14 | Intel Corporation | Optical micro mirror arrays |
| CN109426025A (zh) * | 2017-08-31 | 2019-03-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种液晶显示面板、其制备方法、彩膜基板及显示装置 |
| US11079528B2 (en) * | 2018-04-12 | 2021-08-03 | Moxtek, Inc. | Polarizer nanoimprint lithography |
| KR102151969B1 (ko) * | 2019-12-11 | 2020-09-04 | 주식회사 지투비 | 투과도 가변창의 제조방법 및 그에 의해 제조된 투과도 가변창 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1236331C (zh) * | 2003-06-10 | 2006-01-11 | 武汉光迅科技有限责任公司 | 一种用于偏振分束/合束的纳米级光栅及其制作方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5277986A (en) * | 1992-07-15 | 1994-01-11 | Donnelly Corporation | Method for depositing high performing electrochromic layers |
| US6081376A (en) | 1998-07-16 | 2000-06-27 | Moxtek | Reflective optical polarizer device with controlled light distribution and liquid crystal display incorporating the same |
| US6288840B1 (en) | 1999-06-22 | 2001-09-11 | Moxtek | Imbedded wire grid polarizer for the visible spectrum |
| WO2002002676A1 (fr) * | 2000-07-05 | 2002-01-10 | Nippon Arc Co., Ltd. | Lamine transparent, lentille plastique pour monture de lunette et composition d'amorçage |
| US20050068476A1 (en) * | 2003-05-26 | 2005-03-31 | Masato Okabe | Polarizing plate, liquid crystal display using the same and method for manufacturing polarizing plate |
| JP2005266343A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Nippon Zeon Co Ltd | 光学部材 |
| US7819997B2 (en) * | 2004-09-17 | 2010-10-26 | The Curators Of The University Of Missouri | Transparent composites and laminates and methods for making |
| US7691459B2 (en) * | 2005-03-22 | 2010-04-06 | Fujifilm Corporation | Inorganic fine particle-containing composition, optical film, antireflection film and polarizing film, and polarizing plate and display device using the same |
| JP4613707B2 (ja) | 2005-06-23 | 2011-01-19 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置の製造方法、液晶装置、プロジェクタ |
| JP4497041B2 (ja) * | 2005-07-08 | 2010-07-07 | セイコーエプソン株式会社 | ワイヤーグリッド偏光子の製造方法 |
| JP2007033558A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Nippon Zeon Co Ltd | グリッド偏光子及びその製法 |
| WO2007011047A1 (ja) * | 2005-07-22 | 2007-01-25 | Zeon Corporation | グリッド偏光子及びその製法 |
| JP2007033560A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Nippon Zeon Co Ltd | グリッド偏光子 |
| JP4654830B2 (ja) * | 2005-08-19 | 2011-03-23 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置用基板の製造方法 |
| JP4501813B2 (ja) * | 2005-08-19 | 2010-07-14 | セイコーエプソン株式会社 | 光学素子の製造方法、投射型表示装置 |
-
2007
- 2007-03-07 JP JP2007056959A patent/JP4380714B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-02-19 US US12/033,475 patent/US7755717B2/en active Active
- 2008-03-06 KR KR1020080020806A patent/KR20080082485A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-03-07 CN CN2008100074620A patent/CN101261336B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-06-03 US US12/792,958 patent/US7969534B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1236331C (zh) * | 2003-06-10 | 2006-01-11 | 武汉光迅科技有限责任公司 | 一种用于偏振分束/合束的纳米级光栅及其制作方法 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| JP特开2007-17762A 2007.01.25 |
| JP特开2007-33560A 2007.02.08 |
| JP特开2007-52315A 2007.03.01 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7755717B2 (en) | 2010-07-13 |
| US20080218665A1 (en) | 2008-09-11 |
| US7969534B2 (en) | 2011-06-28 |
| KR20080082485A (ko) | 2008-09-11 |
| JP4380714B2 (ja) | 2009-12-09 |
| JP2008216864A (ja) | 2008-09-18 |
| US20100238385A1 (en) | 2010-09-23 |
| CN101261336A (zh) | 2008-09-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101261336B (zh) | 偏振元件制造方法 | |
| Sharma et al. | Electrically switchable color tags based on active liquid‐crystal plasmonic metasurface platform | |
| JP4201002B2 (ja) | 液晶装置、その製造方法およびプロジェクタ | |
| US7573553B2 (en) | Liquid crystal display device | |
| US20090009865A1 (en) | Polarizer and display device including polarizer | |
| CN106200094A (zh) | 一种反射式显示装置及其制作方法 | |
| JP5045249B2 (ja) | 偏光素子の製造方法 | |
| JP2007017762A (ja) | ワイヤーグリッド偏光子の製造方法、液晶装置、プロジェクタ | |
| CN100416383C (zh) | 液晶装置及其制造方法、投影仪 | |
| CN102289021A (zh) | 偏振元件及其制造方法、液晶装置、电子设备 | |
| JP2008209561A (ja) | 液晶装置 | |
| JP5045327B2 (ja) | 偏光素子及びその製造方法、液層装置、電子機器 | |
| JP4455051B2 (ja) | 光学素子及びその製造方法、並びに液晶配向用基板及び液晶表示装置 | |
| JP2006285001A (ja) | シール構造、液晶装置、その製造方法およびプロジェクタ | |
| JP2007010888A (ja) | 液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器 | |
| JP2010160504A (ja) | プロジェクタ | |
| JP2010160503A (ja) | 液晶装置 | |
| CN101452173A (zh) | 液晶显示装置及其制造方法 | |
| TW201003204A (en) | Liquid crystal display device and electronic apparatus | |
| JP2011215455A (ja) | 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法並びに投射表示装置 | |
| JP4363027B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2006301492A (ja) | 液晶装置、電子機器、膜形成方法、並びに液晶装置の製造方法 | |
| JP2009222832A (ja) | 液晶装置および電子機器 | |
| JP2012220524A (ja) | 液晶装置及びプロジェクター | |
| JP2012220523A (ja) | 液晶装置及びプロジェクター |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20110216 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |