CN101244810B - 超高纯过氧化氢的制备工艺及其装置 - Google Patents
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Abstract
一种超高纯过氧化氢连续生产的工艺，先将工业级的过氧化氢原料与改性活性炭混合，再依次经微滤膜和超滤膜进行分级过滤，滤液用泵抽入到多塔串联精馏塔，在第一级塔中加入金属离子络合剂，出塔的半成品进行反渗透，最后经纳滤膜过滤得到超高纯过氧化氢产品。一种装置，包括原料槽、活性炭预混器、微滤超滤过滤器、多塔串联精馏塔、反渗透器、纳滤器、成品接受器、泵和阀，原料槽出口与活性炭预混器进口相连，活性炭预混器出口与微滤超滤过滤器进口相连，微滤超滤过滤器出口与泵相连，泵的出口与多塔串联精馏塔进口相连，多塔串联精馏塔出口与反渗透器进口相连，反渗透器出口与阀相连，阀的出口与纳滤器进口相连，纳滤器出口与成品接受器相连。
Description
技术领域
本发明涉及一种生产超高纯过氧化氢的工艺，超高纯过氧化氢主要适用于微电子工业制造大规模集成电路半导体器件行业中作为清洗和腐蚀之用。
背景技术
超净高纯化学试剂又称微电子化学品，是微电子行业加工制造中关键性的基础材料，主要用于集成电路(IC)的微加工过程中的清洗和蚀刻。其纯度和洁净度对集成电路的成品率、电性能及可靠性有着十分重大的影响。随着IC存储含量的不断提高，容量也在不断地增大，因而氧化膜变得更薄。但是微电子化学品中的碱金属杂质，像钠(Na)、钙(Ca)、等杂质会溶进进氧化膜中去，从而导致了耐绝缘电压的下降，重金属杂质像铜(Cu)、铁(Fe)、铬(Cr)、银(Ag)等，如果附着在硅晶片上的表面上，将会使P-N结的耐电压降低。因此，对微电子化学试剂的颗粒含量和金属杂质含量的要求也越来越高。
超纯过氧化氢是一种十分重要的微电子化学试剂，通常是以工业级过氧化氢为原料纯化精制而成。目前绝大部分工业过氧化氢生产技术采用蒽醌法。工业级过氧化氢含有有机物、各种金属和非金属杂质，主要有重芳烃、磷酸三辛酯和蒽醌及其衍生物等。目前，工业化提纯过氧化氢的方法有两种：一是采用有机碳吸附阴阳离子交换法，如CN1285311A。它是将原料通过泵输入吸附树脂柱进行有机碳的吸附，然后将除去有机碳的产品输入到阴阳离子交换树脂进行离子交换，最后过滤除去颗粒杂质，从而得到超纯过氧化氢产品。其生产原料过氧化氢利用率低，生产成本高，分离效果差，产品纯度只能符合国际半导体设备与材料组织SEMI-C1标准。二是采用单个阴阳离子交换加阴阳离子交换法，如CN1439600。它将工业级过氧化氢溶液连续通过阴离子、阳离子、阴阳离子交换树脂，制备得高纯过氧化氢产品。其在生产过程中原料过氧化氢利用率低，分离效果差，纯度只能达到SEMI-C7标准的要求。
中国专利CN1699144A公开了一种高纯过氧化氢纯化连续生产工艺，以工业级过氧化氢为原料，经过大孔吸附树脂吸附，经阴、阳单个离子交换树脂柱，再经阴阳离子混合树脂柱，然后通过微孔过滤器，去除尘埃颗粒。按照这一公开报道可以得到SEMI-C8的标准高纯过氧化氢产品。
中国专利CN1919724公开了一种超高纯过氧化氢的制备方法，以工业过氧化氢为原料，先经过离子交换法或蒸馏法预处理，再采用了大孔径吸附树脂去除有机碳，经离子交换树脂柱两段离子交换去除杂质离子，膜过滤去除尘埃颗粒。按照这一公开报道可以得到SEMI-C12的标准高纯过氧化氢产品。
以上专利报道方法中均采用了离子交换树脂，而离子树脂交换工艺存在树脂消耗大，容易中毒，需要再生；总有机炭脱除效果不佳，产品稳定度较差的缺陷。
发明内容
为了克服现有技术中离子树脂交换工艺的缺陷和高纯过氧化氢产品指标低于SEMI-C12标准，质量不能满足使用要求的不足，本发明的目的在提供一种工艺连续强、分离效果好、纯度高、杂质含量低的超高纯过氧化氢纯化生产工艺及其装置。
本发明的目的是这样实现的：
一种超高纯过氧化氢连续生产的工艺，先将工业级的过氧化氢原料与为过氧化氢原料重量0.5％～2％的改性活性炭混合，再在0.1～0.2MPa的运行压力下依次经过微滤膜和超滤膜进行分级过滤，滤液用泵抽入到多塔串联精馏塔，在第一级塔中加入金属离子络合剂，出塔的半成品在1.0～1.4MPa的运行压力下进行反渗透，待反渗透结束后，最后在0.5～0.8MPa的运行压力下经过纳滤膜过滤得到超高纯过氧化氢产品，所述改性的活性炭混合由亚硅酸钠和偏硼酸钠混合溶液改性，其方法是：在容积为1L的滚筒中，加入50g活性炭，以30～50r/min的转速下均匀喷洒亚硅酸钠和亚硅酸钠混合水溶液100ml，其中亚硅酸钠、亚硅酸钠、水重量比为3∶1∶6，继续搅拌直到活性炭颗粒不再呈现粘着状态，最后将活性炭从滚筒移入110℃的烘箱3h以上即可得到改性活性炭；所述的微滤膜、超滤膜、纳滤膜或反渗透用的反渗透膜全芳香族聚酰亚胺类高分子复合材料，所述微滤膜的孔径为0.2～0.8μm，所述超滤膜孔径为0.01～0.05μm，所述纳滤膜孔径为纳滤膜孔径为0.5～1.5nm。
所述的微滤膜、超滤膜、反渗透装置的反渗透膜和纳滤膜选用由均苯四酸二酐或其它含醚键、酮桥二酐与芳二胺先缩聚，然后亚胺化而成的全芳香族聚酰亚胺类高分子材料。
所述的金属离子络合剂为双烯丙基18-冠-6衍生物与含氢硅油加成制得的有机硅高分子络合剂。
所述的工艺装置中用的高分子金属离子络合剂，可以通过化学处理进行了有效的回收并循环使用。
本发明还提供一种用于实施上述超高纯过氧化氢连续生产的工艺的装置，包括原料槽、活性炭预混器、微滤超滤过滤器、多塔串联精馏塔、反渗透器、纳滤器、成品接受器以及泵和阀，原料槽出口与活性炭预混器进口相连，活性炭预混器出口与微滤超滤过滤器进口相连，微滤超滤过滤器出口与泵相连，泵的出口与多塔串联精馏塔进口相连，多塔串联精馏塔出口与反渗透器进口相连，反渗透器出口与阀相连，阀的出口与纳滤器进口相连，纳滤器出口与成品接受器相连。
所述的工艺装置中直接与过氧化氢接触的部分，采用抗氧化、耐腐蚀的且不溶出杂质的含氟高分子材料制备而成。
与现有的技术相比，由于本发明采用了经过亚硅酸钠和偏硼酸钠混合溶液改性活性炭吸附，多级的微滤和超滤的预处理，加入特殊的高分子金属离子络合剂的多塔串联精馏塔减压精馏，反渗透过滤和纳滤膜过滤等相组合的连续系统纯化方法，通过改性活性炭吸附可以有效地去除有机碳杂质并控制了原料过氧化氢的分解，在精馏过程中的有机硅高分子络合剂可以大大降低产品中金属离子的含量，通过微滤、超滤、反渗透和纳滤多级膜过滤可以系统地、有效的脱除产品中包括有机大分子，细菌、病毒、阴离子、氧离子等几乎所有杂质。本发明克服了其它制备过氧化氢工艺的原料利用率低、分离杂质困难、产品不纯等缺点。有效的去除了工业级过氧化氢中的有机碳、阴阳离子和颗粒杂质，制得的产品过氧化氢主体含量大于30％，单个阳离子含量低于0.1ppb，单个阴离子含量低于30ppb，(≥0.2μm，≤0.5μm)的尘埃颗粒低于10个/ml，质量符合国际半导体设备与材料组织SEMI-C12标准。所用的工艺装置还具有占地面积小，易自动化操作，质量稳定和连续生产等特点。
采用本发明制造的超高纯过氧化氢的分析结果和国际半导体设备与材料组织SEMI-C12标准比较如表1所示。
表1
| 类别 | SEMI-C12 | 实施例2 |
| H2O2含量(％) | 30.0-32.0％ | 30.5％ |
| 颗粒(≥0.2μm≤0.5μm，个/ml)，max | TBD | 7 |
| 色度；APHA，max | 10 | 5 |
| 蒸发残渣；ppm，max | 1.0 | 0.5 |
| 总有机碳(TOC)；ppm，max | - | 5.62 |
| 氯化物(Cl)；ppb，max | 50 | 10 |
| 硫酸盐(SO4)；ppb，max | 50 | 14 |
| 硝酸盐(NO3)；ppb，max | 50 | 25 |
| 磷酸盐(PO4)；ppb，max | 50 | 28 |
| 铝(Al)；ppb，max | 0.1 | 0.06 |
| 砷(As)；ppb，max | 0.1 | /未检出 |
| 金(Au)；ppb，max | - | /未检出 |
| 银(Ag)；ppb，max | - | /未检出 |
| 钡(Ba)；ppb，max | 0.1 | 0.07 |
| 硼(B)；ppb，max | 0.1 | /未检出 |
| 镉(Cd)；ppb，max | - | /未检出 |
| 钙(Ca)；ppb，max | 0.1 | 0.05 |
| 铬(Cr)；ppb，max | 0.1 | /未检出 |
| 钴(Co)；ppb，max | - | /未检出 |
| 铜(Cu)；ppb，max | 0.1 | 0.05 |
| 铁(Fe)；ppb，max | 0.1 | /未检出 |
| 镓(Ga)；ppb，max | - | / |
| 锗(Ge)；ppb，max | - | / |
| 钾(K)；ppb，max | 0.1 | 0.08 |
| 铟(In)；ppb，max | - | / |
| 锂(Li)；ppb，max | 0.1 | /未检出 |
| 镁(Mg)；ppb，max | 0.1 | /未检出 |
| 锰(Mn)；ppb，max | 0.1 | /未检出 |
| 钼(Mo)；ppb，max | - | /未检出 |
| 钠(Na)；ppb，max | 0.1 | 0.08 |
| 镍(Ni)；ppb，max | 0.1 | /未检出 |
| 铂(Pt)；ppb，max | - | / |
| 铅(Pb)；ppb，max | 0.1 | /未检出 |
| 锑(Sb)；ppb，max | 0.1 | /未检出 |
| 锡(Sn)；ppb，max | 0.1 | /未检出 |
| 锶(Sr)；ppb，max | - | /未检出 |
| 钛(Ti)；ppb，max | 0.1 | 0.03 |
| 锌(Zn)；ppb，max | 0.1 | 0.06 |
| 锆(Zr)；ppb，max | - | / |
| 钒(V)；ppb，max | 0.1 | /未检出 |
超高纯过氧化氢分析采用化分方法，有机碳采用TOC分析仪分析，产品中过氧化氢含量采用气相色谱分析，阳离子采用ICP-MS分析，阴离子采用离子色谱分析，尘埃颗粒采用激光颗粒计数仪进行测定。
附图说明
图1为本发明的装置结构示意图。
图1中1为原料槽，2为活性炭预混器，3为微滤、超滤过滤器，4为多塔串联精馏塔，5为反渗透器，6为纳滤器，7为成品接受器，8为泵，9为阀。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。
实施例1
一种超高纯过氧化氢连续生产的工艺，先将工业级的过氧化氢原料与为过氧化氢原料重量0.5％～2％的改性活性炭混合，再在0.1～0.2MPa的运行压力下依次经过微滤膜、超滤膜进行分级过滤，滤液用泵抽入到多塔串联精馏塔，在第一级塔中加入金属离子络合剂，出塔的半成品在1.0～1.4MPa的运行压力下进行反渗透，待反渗透结束后，最后在0.5～0.8MPa的运行压力下经过纳滤膜过滤得到超高纯过氧化氢产品，在本实施例中，改性活性炭的用量为过氧化氢原料重量0.5％、1％或2％；微滤膜过滤或超滤膜过滤时的压力选择为：0.1、0.15或0.2MPa；反渗透时的压力选择为：1.0、1.2或1.4MPa；纳滤膜过滤时的压力选择为：0.5、0.6或0.8MPa，所述改性的活性炭混合由亚硅酸钠和偏硼酸钠混合溶液改性，其方法是：在容积为1L的滚筒中，加入50g活性炭，以30～50r/min的(具体可以30、40或50r/min)转速下均匀喷洒亚硅酸钠和亚硅酸钠混合水溶液100ml，其中亚硅酸钠、亚硅酸钠、水重量比为3∶1∶6，继续搅拌直到活性炭颗粒不再呈现粘着状态，最后将活性炭从滚筒移入110℃的烘箱3h以上即可得到改性活性炭；所述的微滤膜、超滤膜、纳滤膜或反渗透用的反渗透膜全芳香族聚酰亚胺类高分子复合材料，所述微滤膜的孔径为0.2～0.8μm，例如：微滤膜的孔径为0.2、0.5或0.8μm；所述超滤膜孔径为0.01～0.05μm，例如：超滤膜孔径为0.01、0.03或0.05μm，所述纳滤膜孔径为纳滤膜孔径为0.5～1.5nm，例如：纳滤膜孔径为0.5、1.0或1.5nm。
所述的微滤膜、超滤膜、反渗透装置的反渗透膜和纳滤膜选用由均苯四酸二酐或其它含醚键、酮桥二酐与芳二胺先缩聚，然后亚胺化而成的全芳香族聚酰亚胺类高分子材料。在本实施例中，用于微滤膜、超滤膜、反渗透装置的反渗透膜和纳滤膜的材料由以下具体方法得到：在N2保护下将24.8g均苯四酸二酐置于500mL四口反应瓶中，加入100mL DMF将其完全溶解，剧烈搅拌中滴入55.8g对苯二胺，然后在80℃反应4h，停止反应，冷却后倒入甲醇中，得中间产物聚酰胺固体，抽滤，烘干。将聚酰胺酸溶液在玻璃板上流延成膜，100℃抽真空脱除溶剂。将聚酰胺酸薄膜在150℃加热0.5h，190℃加热1.5h，230℃加热0.5h热酰亚胺化，得到聚酰亚胺薄膜。
所述的金属离子络合剂为双烯丙基18-冠-6衍生物与含氢硅油加成制得的有机硅高分子络合剂。在本实施例中，金属离子络合剂可由以下具体方法得到：在装有回流冷凝器的100ml圆底烧瓶中加入30ml四氢呋喃，0.972g双羟甲基-18-冠-6，0.34g氢化钠，40℃下搅拌2h；再加入2.295g，烯丙基氯，继续搅拌20h以上；滴水分解过量NaH，用稀盐酸使反应液酸化至pH＝2～3，用丙酮萃取分离。有机相用无水硫酸钠干燥，蒸去溶剂，得1.0g淡黄绿色液体双烯丙氧甲基-18-冠-6。在装有回流冷凝器的100mL圆底烧瓶中，加入1.0g双烯丙氧甲基-18-冠-6，30ml乙二醇二乙醚，1ml 0.1mol/L的H2PtCl6·6H2O的异丙醇溶液，加热至50℃。分别滴加20、15、10、5mmol不同量的含氢硅油，于90℃反应50h。减压蒸去溶剂后，依次用丙酮、稀盐酸、水洗涤，得褐色不规则有弹性固体产物有机硅聚合物冠醚I～IV。
所述的工艺装置中用的高分子金属离子络合剂，可以通过化学处理进行了有效的回收并循环使用。
实施例2
将原料槽1中35％(重量)含杂质较多的工业级过氧化氢通入活性炭预混器2中，改性的活性炭按过氧化氢处理量的1％加入，在此处除去有机碳。由管道将有机碳含量降低的过氧化氢通过微滤超滤过滤器3(微滤膜孔径为0.2～0.8μm，运行的压力在0.1～0.2MPa，温度控制在20～25℃，超滤膜孔径为0.01～0.05μm，运行的压力在0.1～0.2MPa，温度控制在20～25℃)，在此处除去大分子有机物以及小颗粒杂质。处理后的过氧化氢再经耐氧化、耐腐蚀材料制备的泵8输入到加有高分子金属离子络合剂的多塔串联精馏塔4中，此处除去大部分金属离子，然后出塔的半成品输入反渗透器5(反渗透运行压力1.0～1.4MPa，温度控制在20～25℃)，在此处过氧化氢深度脱去盐类，同时去除一些小分子有机物和前面没有去除的小颗粒等。最后将上述过氧化氢产品输入带有控制流速阀9以及纳滤器6过滤(纳滤运行压力0.5～0.8MPa，温度控制在20～25℃)，得到的超高纯过氧化氢产品并存放在成品接受器7中。
实施例3
一种用于实施上述超高纯过氧化氢连续生产的工艺的装置，包括原料槽1、活性炭预混器2、微滤超滤过滤器3、多塔串联精馏塔4、反渗透器5、纳滤器6、成品接受器7以及泵8和阀9，原料槽1出口与活性炭预混器2进口相连，活性炭预混器2出口与微滤超滤过滤器3进口相连，微滤超滤过滤器3出口与泵8
Claims (1)
1.一种用于实施超高纯过氧化氢连续生产的工艺的装置，其特征在于包括原料槽(1)、活性炭预混器(2)、微滤超滤过滤器(3)、多塔串联精馏塔(4)、反渗透器(5)、纳滤器(6)、成品接受器(7)以及泵(8)和阀(9)，原料槽(1)出口与活性炭预混器(2)进口相连，活性炭预混器(2)出口与微滤超滤过滤器(3)进口相连，微滤超滤过滤器(3)出口与泵(8)相连，泵(8)的出口与多塔串联精馏塔(4)进口相连，多塔串联精馏塔(4)出口与反渗透器(5)进口相连，反渗透器(5)出口与阀(9)相连，阀(9)的出口与纳滤器(6)进口相连，纳滤器(6)出口与成品接受器(7)相连，用于先将工业级的过氧化氢原料与为过氧化氢原料重量0.5％～2％的改性活性炭混合，再在0.1～0.2MPa的运行压力下依次经过微滤膜和超滤膜进行分级过滤，滤液用泵抽入到多塔串联精馏塔，在第一级塔中加入金属离子络合剂，出塔的半成品在1.0～1.4MPa的运行压力下进行反渗透，所述的微滤膜、超滤膜、纳滤膜或反渗透用的反渗透膜为全芳香族聚酰亚胺类高分子复合材料，所述微滤膜的孔径为0.2～0.8μm，所述超滤膜孔径为0.01～0.05μm，所述纳滤膜孔径为纳滤膜孔径为0.5～1.5nm。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103145752A (zh) * | 2013-03-20 | 2013-06-12 | 上海中科高等研究院 | 去除有机硅中金属离子的方法 |
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Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102161475A (zh) * | 2009-11-02 | 2011-08-24 | 郑国玉 | 蒽醌法生产过氧化氢的浓缩方法 |
| CN101870460A (zh) * | 2010-07-21 | 2010-10-27 | 上海华谊微电子材料有限公司 | 一种超纯硝酸的制备方法 |
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| CN102485642B (zh) | 2010-12-02 | 2015-10-07 | 上海化学试剂研究所 | 超高纯过氧化氢的生产方法 |
| CN112062096B (zh) * | 2020-08-31 | 2022-08-23 | 北京化工大学 | 一种电子级过氧化氢水溶液的生产装置及生产方法 |
| CN112723316A (zh) * | 2021-01-04 | 2021-04-30 | 联仕(昆山)化学材料有限公司 | 一种低温去除双氧水中toc的提纯方法 |
| CN113443606A (zh) * | 2021-08-02 | 2021-09-28 | 苏州晶瑞化学股份有限公司 | 一种超高纯双氧水的制造工艺 |
| CN114870420A (zh) * | 2022-02-15 | 2022-08-09 | 北京袭明科技有限公司 | 一种高纯电子级异丙醇生产方法及装置 |
| CN114470958A (zh) * | 2022-02-15 | 2022-05-13 | 北京袭明科技有限公司 | 一种高纯电子级甲醇生产方法及装置 |
-
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103145752A (zh) * | 2013-03-20 | 2013-06-12 | 上海中科高等研究院 | 去除有机硅中金属离子的方法 |
| CN103145752B (zh) * | 2013-03-20 | 2016-06-01 | 中国科学院上海高等研究院 | 去除有机硅中金属离子的方法 |
| EP4163252A1 (en) * | 2021-10-06 | 2023-04-12 | Solvay SA | Method for purifying an aqueous hydrogen peroxide solution |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: JIANGYIN RUNMA ELECTRONIC MATERIAL CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SOWTHEAST UNIV. Effective date: 20101126 |
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| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 210096 NO.2, SIPAI BUILDING, NANJING CITY, JIANGSU PROVINCE TO: 214423 INSIDE OF EUROPEAN INDUSTRIAL PARK, ZHOUZHUANG TOWN, JIANGYIN CITY, JIANGSU PROVINCE |
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| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20101126 Address after: 214423 European Industrial Zone, Zhouzhuang Town, Jiangsu, Jiangyin Applicant after: Jiangyin Runma Electronic Material Co., Ltd. Address before: 210096 Jiangsu city Nanjing Province four pailou No. 2 Applicant before: Southeast University |
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C56 | Change in the name or address of the patentee | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 214423 European Industrial Zone, Zhouzhuang Town, Jiangsu, Jiangyin Patentee after: Jiangyin Runma Electronic Material Co., Ltd. Address before: 214423 European Industrial Zone, Zhouzhuang Town, Jiangsu, Jiangyin Patentee before: Jiangyin Runma Electronic Material Co., Ltd. |