CN216513300U

CN216513300U - 一种半导体封装废水处理装置

Info

Publication number: CN216513300U
Application number: CN202123073116.2U
Authority: CN
Inventors: 马晓东; 许继东; 陈凯; 汤璐琳; 吴琼; 李平元; 刘永会; 赵风云; 苟晓东; 马莹
Original assignee: Beijing Industrial Design Research Institute Co ltd
Current assignee: Beijing Industrial Design Research Institute Co ltd
Priority date: 2021-12-08
Filing date: 2021-12-08
Publication date: 2022-05-13
Anticipated expiration: 2031-12-08

Abstract

本实用新型涉及废水处理技术领域，尤其涉及一种半导体封装废水处理装置，其主要包括：从开始对废水的收集到回用水的获取依次连通的废水箱、上澄水槽、第一中水回用装置、RO浓水槽、MVR蒸发装置、减压干燥装置、第二中水回用装置、中水回用槽；同时所述第二中水回用装置连通第一中水回用装置、MVR蒸发装置、减压干燥装置，对以上装置进行调控的控制系统；多级RO膜联合，满足大程度的产水回收率；通过MVR蒸发装置的设置，由蒸汽压缩机回收利用二次蒸汽的大量潜热，减少了新鲜蒸汽的使用量；通过减压干燥装置的设置，提高蒸馏效率同时降低能耗；整个装置，中水回用槽中的清水能够直接供生产线直接使用，更加有效降低生产线新鲜水的使用量。

Description

一种半导体封装废水处理装置

技术领域

本实用新型涉及废水处理技术领域，尤其涉及一种半导体封装废水处理装置。

背景技术

半导体封装：是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。其封装过程：对来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的晶片，后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板架的小岛上，再利用超细的金属(金锡铜铝)导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘连接到基板相应的引脚并构成所要求的电路，最后再对独立的晶片加以封装保护，塑封之后进行一系列操作，封装之后完成成品测试。

半导体封装废水主要来源于切割研磨环节产生的冲洗废水、半导体封装外壳电镀废水及半导体封装纯水再生过程产生的酸碱废水，包括：划片清洗水、磨片清洗水、酸雾喷淋塔用水、有机废水、中和废水、含锡有机清洗水、含铜废水、化学沉铜清洗水等；其主要污染因子为SS(Suspended Substance，水中固体悬浮物)、COD(Chemical Oxygen Demand，化学需氧量)、pH、重金属等。

目前我国对环境问题重视程度高，近年对电子电镀行业等高耗水行业的节水要求日益提高，根据行业或各地环保部门要求，重金属废水现多要求实现零排放，因此，对半导体封装废水的处理工艺方案尤为重要。

现有对半导体封装废水实现零排放得到回用清水时，一方面主要利用压力差、浓度差及电势差作为驱动力的膜浓缩技术，对废水中污染物质、溶解性盐逐步浓缩富集，具备一定的清水回收率，但对所处理废水的污染程度有特定要求，不可盲目对处理工艺多级串联，因此，对不同于特定要求的污染废水，存在产水回收率低的现象；另一方面结合蒸发釜、机械式蒸汽再压缩(MVR)及蒸汽热力再压缩(TVR)等加热方式的浓缩技术，其侧重于处理高TDS(Total Dissolved Solids，水中溶解组分的总量)及高COD的废水，存在能耗高不稳定的技术特点。

因此，本领域亟需一种半导体封装废水处理装置，以解决上述至少一个技术问题。

有鉴于此，提出本申请。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种半导体封装废水处理装置，以解决现有半导体封装废水的回用水回收率低及能耗高的技术问题。

具体地，本实用新型提供了一种半导体封装废水处理装置，包括：依次连通的废水箱、上澄水槽、第一中水回用装置、RO浓水槽、MVR蒸发装置、减压干燥装置、第二中水回用装置、中水回用槽；所述第二中水回用装置与第一中水回用装置、MVR蒸发装置、减压干燥装置相连通，所述RO浓水槽用于储存浓水；所述MVR蒸发装置用于蒸发废水。

采用上述技术方案，申请所提供的半导体封装废水处理装置从开始对半导体封装处理过程所产生的废水分类收集，分为含锡废水、含铜废水，由于含不同重金属所形成的废液pH值存在差异，因此，分类收集，便于在预处理中有针对性的分别对含锡废水、含铜废水进行酸碱中和及混凝沉淀的预处理，使得充分处理；接着，对分类收集的含有不同重金属离子的废水进行酸碱中和混凝沉淀预处理箱，并分别经过酸碱中和混凝沉淀的预处理系统，调节其pH使得溶解在废水中的重金属离子部分反应以氢氧化物沉淀形式减少，利用混凝沉淀，减少废水中悬浮物、可溶性污染物、胶体物质、毒性较大的重金属离子等；对经过预处理的废水，在与废水箱相连通的上澄水槽得到出水；出水经过第一中水回用装置，能够初步过滤及吸附去除部分悬浮物、COD及进行浓缩处理；RO浓水槽与第一中水回用装置连通，对经过第一中水回用装置利用多级RO膜浓缩系统处理所得的浓水进行储存，淡水输入第二回用装置；MVR蒸发装置与RO浓水槽连通，MVR蒸发装置即为机械式蒸汽再压缩，回收利用二次蒸汽的大量潜热，减少新鲜蒸汽使用量，对来自RO浓水槽的浓水进一步高度浓缩，所得高度浓缩水输入减压干燥装置；高度浓缩时所产生的冷凝水输入至第二中水回用装置；减压干燥装置与MVR蒸发装置连通，将所得高度浓水进行干燥处理，对干燥过程所产生冷凝水输入第二中水回用装置，对其所得固形物委外处理，真正实现半导体封装废水的零排放处理过程，同时，采用减压干燥装置，利用蒸馏法，能够提高蒸馏效率、降低能耗；对第二中水回用装置所得混合水(包含上述描述淡水、冷凝水)，通过第二中水回用装置处理，同理利用RO膜系统，能够继续进一步处理，得到符合电镀生产线用水标准的淡水，多级RO膜系统设置，能够更大程度提高产水回收率；储存至中水回用槽；实现半导体封装废水高回收率及零排放处理过程；所述固形物即为废水中微生物、有机物、重金属离子的聚合物。

进一步地，所述半导体封装废水处理装置还包括酸碱中和混凝沉淀设备，所述废水箱包括含锡废水箱、含铜废水箱；所述含锡废水箱、含铜废水箱分别连通酸碱中和混凝沉淀设备；所述酸碱中和混凝沉淀设备连通上澄水槽。

通过上述技术方案，通过对半导体封装废水进行分类收集，分为含锡废水及含铜废水，并分别通过酸碱中和混凝沉淀设备进行预处理；所述上澄水槽与酸碱中和混凝沉淀连通，经预处理后的废水，进入上澄水槽。

优选地，所述酸碱中和混凝沉淀设备设为两个，分别连通含锡废水箱、含铜废水箱。

进一步地，所述第一中水回用装置包括依次连通的砂滤塔、活性炭塔、一级RO浓缩装置、二级RO浓缩装置、纳滤装置；所述砂滤塔与上澄水槽相连通；所述纳滤装置与RO浓水槽相连通。

采用上述技术方案，所述第一中水用装置的设置，对分别通过预处理进入上澄水槽的含锡废水、含铜废水，所述上澄水槽与砂滤塔连通，砂滤塔连通活性炭塔；半导体封装废水通过砂滤塔、活性炭塔，利用过滤及吸附除去部分悬浮物和COD；接着，经过一级RO浓缩装置、二级RO浓缩装置连通的废水，对待处理废水浓缩再浓缩；接着通过第一中水回用装置的纳滤装置，能够脱去水中浊度、色度、有机物及有毒有害物质；最后得到浓缩的废水。

进一步地，所述纳滤装置与一级RO浓缩装置连通，用于对经过纳滤装置处理所得的淡水循环至一级RO浓缩装置，能够满足对废水循环浓缩，提高废水回收。

采用上述技术方案，将在第一中水回用装置中依次经过一级RO浓缩装置、二级RO浓缩装置及纳滤装置的处理水，经过纳滤装置所得的浓水与淡水，浓水输入至与纳滤装置连通的RO浓水槽，淡水回循环再次输入一级RO浓缩装置，再进一步分别通过一级、二级RO浓缩装置及纳滤装置，更进一步提高浓缩的充分性。

进一步地，所述第二中水回用装置包括三级RO浓缩装置，所述三级RO浓缩装置与一级RO浓缩装置、二级RO浓缩装置连通，能够用于对一级RO浓缩装置、二级RO浓缩装置处理中所得淡水收纳及最终的回用水提取处理。

采用上述技术方案，通过上述设定，能够将一级RO浓缩装置、二级RO浓缩装置在浓缩过程产生的淡水分别输送至三级RO浓缩装置，保证浓缩的充分性。

进一步地，所述MVR蒸发装置与三级RO浓缩装置相连通；用于对蒸发过程所得冷凝水进行回收至三级RO浓缩装置，进行回用水提取；所述减压干燥装置与三级RO浓缩装置相连通，用于对减压干燥装置干燥过程所得冷凝水进行回收及回用水的提取。

采用上述技术方案，对MVR蒸发装置蒸发过程所得的冷凝水、减压干燥装置减压干燥过程所得冷凝水输入至三级RO浓缩装置进行最终的浓缩处理，所得淡水输入至中水回用槽，即能够供于电镀生产线RO用水点的使用。

进一步地，所述半导体封装废水处理装置还包括反洗水槽，所述反洗水槽与三级RO浓缩装置、酸碱中和混凝沉淀设备连通。

采用上述技术方案，对经三级RO浓缩装置最终的浓缩处理所得淡水用于回用；浓水进入所设反洗水槽；同时，对砂滤塔、活性炭塔各自处理过程所得反洗水同理输入至反洗水槽；所述反洗水槽将所得回流废水再次输入酸碱中和混凝沉淀设备，进入整体的再循环，实现半导体封装废水的循环处理。

进一步地，所述反洗水槽设有混合水进口、出流口；所述砂滤塔设有第一反洗水出口，所述活性炭塔设有第二反洗水出口；所述酸碱中和混凝沉淀设备设有进流口；所述混合水进口连通第一反洗水出口、第二反洗水出口；所述出流口连通进流口。

进一步地，所述第二中水回用装置设有三级进水口、浓水出口、淡水出口；所述一级RO浓缩装置设有一级淡水出口，所述二级RO浓缩装置设有二级淡水出口；所述一级淡水出口、二级淡水出口与三级进水口连通；所述浓水出口与混合水进口连通；所述淡水出口连通中水回用槽。

进一步地，所述一级RO浓缩装置、二级RO浓缩装置，用于对半导体封装废水的浓缩处理，使得产出回用水及浓缩废水中固形物。

综上所述，本申请具有以下有益效果：

1.本实用新型所提供的半导体封装废水处理装置，通过一级RO浓缩装置、二级RO浓缩装置、纳滤装置、三级RO浓缩装置的设置，利用多级RO膜联合，能够满足很大程度的产水回收率；

2.本实用新型所提供的半导体封装废水处理装置，通过MVR蒸发装置的设置，MVR装置即为利用机械蒸汽再压缩技术，由蒸汽压缩机回收利用二次蒸汽的大量潜热，减少了新鲜蒸汽的使用量；

3.本实用新型所提供的半导体封装废水处理装置，通过减压干燥装置的设置，减压干燥装置，采用减压蒸馏法，提高蒸馏效率同时降低能耗；

4.本实用新型所提供的半导体封装废水处理装置，整个装置，中水回用槽中的清水能够直接供生产线直接使用，真正满足半导体封装废水的零排放处理过程，更加有效降低生产线新鲜水的使用量。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型所提供半导体封装废水处理装置的一种结构框图；

图2为本实用新型所提供半导体封装废水处理装置的另一种结构框图；

图3为本实用新型所提供半导体封装废水处理装置的第一中水回用装置的结构示意图；

图4为本实用新型所提供半导体封装废水处理装置的第二中水回用装置的结构示意图；

图5为本实用新型所提供半导体封装废水处理装置的酸碱中和混凝沉淀设备的结构示意图；

图6为本实用新型所提供半导体封装废水处理装置的反洗水槽的结构示意图。

附图标记说明

通过上述附图标记说明，结合本申请的实施例，可以更加清楚的理解和说明本申请的技术方案。

1-废水箱；11-含铜废水箱；12-含锡废水箱；2-上澄水槽；3-第一中水回用装置；31-砂滤塔；311-第一反洗水出口；32-活性炭塔；321-第二反洗水出口；33-一级RO浓缩装置；331-一级淡水出口；34-二级RO浓缩装置；341-二级淡水出口；35-纳滤装置；4-RO浓水槽；5-MVR蒸发装置；6-减压干燥装置；7-第二中水回用装置；71-三级RO浓缩装置；72-三级进水口；73-浓水出口；74-淡水出口；8-中水回用槽；9-酸碱中和混凝沉淀设备；91-进流口；10-反洗水槽；101-混合水进口；102-出流口。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。

在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中那个使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。

以下将通过实施例对本申请进行详细描述。

为解决背景技术中现有半导体封装废水的回用水回收率低及能耗高的的技术问题，本申请的创新构思在于提供一种产水回收率高且低耗能的半导体封装废水处理装置，

参考图1，具体地，本实用新型提供了一种半导体封装废水处理装置，包括：废水箱1、上澄水槽2、第一中水回用装置3、RO浓水槽4、MVR蒸发装置5、减压干燥装置6、第二中水回用装置7、中水回用槽8；同时所述第二中水回用装置7与第一中水回用装置3、MVR蒸发装置5、减压干燥装置6相连通；所述RO浓水槽能够储存第一中水回用装置3多级膜所浓缩处理产生浓水；所述MVR蒸发装置能够满足对废水的高倍蒸发浓缩处理。

采用上述技术方案，申请所提供的半导体封装废水处理装置从开始对半导体封装处理过程所产生的废水分类收集，分为含锡废水、含铜废水，由于含不同重金属所形成的废液pH值存在差异，因此，分类收集，便于在预处理中有针对性的分别对含锡废水、含铜废水进行酸碱中和及混凝沉淀的预处理，使得充分处理；接着，对分类收集的含有不同重金属离子的废水进行酸碱中和混凝沉淀预处理箱，并分别经过酸碱中和混凝沉淀的预处理系统，调节其pH使得溶解在废水中的重金属离子部分反应以氢氧化物沉淀形式减少，利用混凝沉淀，减少废水中悬浮物、可溶性污染物、胶体物质、毒性较大的重金属离子等；对经过预处理的废水，在与废水箱1相连通的上澄水槽2得到出水；出水经过第一中水回用装置3，能够初步过滤及吸附去除部分悬浮物、COD及进行浓缩处理；RO浓水槽4与第一中水回用装置3连通，将经过第一中水回用装置3利用多级RO膜浓缩系统处理所得淡水与浓水，浓水输入RO浓水槽4，淡水输入第二回用装置；MVR蒸发装置5与RO浓水槽4连通，MVR蒸发装置5即为机械式蒸汽再压缩(实施中MVR蒸发装置设定为1:1.2-1:2的体积压缩范围内)，回收利用二次蒸汽的大量潜热，减少新鲜蒸汽使用量，对来自RO浓水槽4的浓水进一步高度浓缩，所得高度浓缩水输入减压干燥装置6；高度浓缩时所产生的冷凝水输入至第二中水回用装置7；减压干燥装置6与MVR蒸发装置5连通，将所得高度浓水进行干燥处理，对干燥过程所产生冷凝水输入第二中水回用装置7，对其所得固形物委外处理，满足半导体封装废水零排放处理，同时，采用减压干燥装置6，利用蒸馏法，能够提高蒸馏效率、降低能耗；对第二中水回用装置7所得混合水(包含上述描述淡水、冷凝水)，通过第二中水回用装置7处理，同理利用RO膜系统，能够继续进一步处理，得到符合电镀生产线用水标准的淡水，多级RO膜系统设置，能够更大程度提高产水回收率；储存至中水回用槽8；实现半导体封装废水回收率高零排放处理过程。

参考图2，在本实用新型的优选实施方式中，所述半导体封装废水处理装置还包括酸碱中和混凝沉淀设备9，所述废水箱1包括含铜废水箱11、含锡废水箱12；所述含铜废水箱11、含锡废水箱12分别连通酸碱中和混凝沉淀设备9；所述酸碱中和混凝沉淀设备9连通上澄水槽2。

采用上述技术方案，通过对半导体封装废水进行分类收集，分为含锡废水及含铜废水，并分别通过酸碱中和混凝沉淀设备9进行预处理；所述上澄水槽2与酸碱中和混凝沉淀连通，经预处理后的废水，进入上澄水槽2。

参考图2，在本实用新型的优选实施方式中，所述酸碱中和混凝沉淀设备9设为两个，分别连通含铜废水箱11、含锡废水箱12。

参考图2，在本实用新型的优选实施方式中，所述第一中水回用装置3包括依次连通的砂滤塔31、活性炭塔32、一级RO浓缩装置33、二级RO浓缩装置34、纳滤装置35；所述砂滤塔31连通上澄水槽2；所述纳滤装置35连通RO浓水槽4。

采用上述技术方案，所述第一中水用装置的设置，对分别通过预处理进入上澄水槽2的含锡废水、含铜废水，所述上澄水槽2与砂滤塔31连通，砂滤塔31连通活性炭塔32；半导体封装废水通过砂滤塔31、活性炭塔32，利用过滤及吸附除去部分悬浮物和COD；接着，经过一级RO浓缩装置33、二级RO浓缩装置34连通的废水，对待处理废水浓缩再浓缩；接着通过第一中水回用装置3的纳滤装置35，能够脱去水中浊度、色度、有机物及有毒有害物质；最后得到浓缩的废水；实施中一级RO浓缩装置33可采用型号为BW 30-365的浓缩装置；二级RO浓缩装置34可采用型号为BW 30-401的浓缩装置。

在本实用新型的优选实施方式中，所述纳滤装置35与一级RO浓缩装置33连通，用于对经过纳滤装置35处理所得的淡水循环至一级RO浓缩装置33，能够满足对废水循环浓缩，提高废水回收。

采用上述技术方案，将在第一中水回用装置3中依次经过一级RO浓缩装置33、二级RO浓缩装置34及纳滤装置35的处理水，经过纳滤装置35所得的浓水与淡水，浓水输入至与纳滤装置35连通的RO浓水槽4，淡水回循环再次输入一级RO浓缩装置33，再进一步分别通过一级、二级RO浓缩装置34及纳滤装置35，更进一步提高浓缩的充分性。

在本实用新型的优选实施方式中，所述第二中水回用装置7包括三级RO浓缩装置71，所述三级RO浓缩装置71与一级RO浓缩装置33、二级RO浓缩装置34连通，能够用于对一级RO浓缩装置33、二级RO浓缩装置34处理中所得淡水收纳及最终的回用水提取处理。

采用上述技术方案，通过上述设定，能够将一级RO浓缩装置33、二级RO浓缩装置34在浓缩过程产生的淡水分别输送至三级RO浓缩装置71，保证浓缩的充分性。

在本实用新型的优选实施方式中，所述MVR蒸发装置5与三级RO浓缩装置71相连通；用于对蒸发过程所得冷凝水进行回收至三级RO浓缩装置71，进行回用水提取；所述减压干燥装置6与三级RO浓缩装置71相连通，用于对减压干燥装置6干燥过程所得冷凝水进行回收及回用水的提取。

采用上述技术方案，对MVR蒸发装置5蒸发过程所得的冷凝水、减压干燥装置6减压干燥过程所得冷凝水输入至三级RO浓缩装置71进行最终的浓缩处理，所得淡水输入至中水回用槽8，即能够供于电镀生产线RO用水点的使用。

在本实用新型的优选实施方式中，所述半导体封装废水处理装置还包括反洗水槽10，所述反洗水槽10与三级RO浓缩装置71、酸碱中和混凝沉淀设备9连通。

采用上述技术方案，对经三级RO浓缩装置71最终的浓缩处理所得淡水用于回用；浓水进入所设反洗水槽10；同时，对砂滤塔31、活性炭塔32各自处理过程所得反洗水同理输入至反洗水槽10；所述反洗水槽10将所得回流废水再次输入酸碱中和混凝沉淀设备9，进入整体的再循环，实现半导体封装废水的循环处理。

参考图3、图5、图6，在本实用新型的一些优选实施方式中，所述反洗水槽10设有混合水进口101、出流口102；所述砂滤塔31设有第一反洗水出口311，所述活性炭塔32设有第二反洗水出口321；所述酸碱中和混凝沉淀设备9设有进流口91；所述混合水进口101连通第一反洗水出口311、第二反洗水出口321；所述出流口102连通进流口91。

参考图4，在本实用新型的一些优选实施方式中，所述第二中水回用装置7设有三级进水口72、浓水出口73、淡水出口74；所述一级RO浓缩装置33设有一级淡水出口331，所述二级RO浓缩装置34设有二级淡水出口341；所述一级淡水出口331、二级淡水出口341与三级进水口72连通；所述浓水出口73与混合水进口101连通；所述淡水出口74连通中水回用槽8。

在本实用新型的一些优选实施方式中，所述一级RO浓缩装置33、二级RO浓缩装置34用于对半导体封装废水的浓缩处理，使得产出回用水及浓缩废水中固形物。

在本实用新型的一些实施例中，含锡有机废水包括：生产线排出的碱性含锡有机清洗水。该类废水经收集后通过PH调整至2-3后进入芬顿反应槽，所述芬顿反应槽属于酸碱中和混凝沉淀设备9的一部分，利用FeSO₄和H₂O₂的催化氧化作用去除COD，然后经混凝沉淀后排入上澄水槽2。

含铜废水包括：生产线上所有含铜但不含有机物的各种清洗水。该类废水经收集后通过PH调整至8-9后进入捕捉反应槽，利用重金属捕捉剂对重金属的捕集作用，生成溶解度低的螯合盐，以达到去除重金属离子的作用，然后经混凝沉淀后排入上澄水槽2。

含铜有机废水包括生产线上化学沉铜工艺中的各种含铜有机清洗水。该类废水经收集后通过PH调整至2-3后进入芬顿反应槽，利用FeSO₄和H₂O₂的催化氧化作用去除COD，然后经混凝沉淀后排入上澄水槽。

上澄水槽2出水，通过第一中水回用装置3和第二中水回用装置7处理后回用于电镀生产线，浓水通过蒸发结晶设备处理后固形物委外处理，实现零排放。其中第一中水回用装置3中一级RO浓缩装置33的回收率为65％，二级RO浓缩装置34的回收率为55％，纳滤装置35的回收率为50％；第二中水回用装置7中三级RO浓缩装置71的回收率为80％。

综上，本申请所提供半导体封装废水处理装置通过对废水分类收集，分为含锡废水、含铜废水；其次在所述酸碱中和混凝沉淀设备9中分别针对含锡废水、含铜废水进行酸碱中和及混凝沉淀的预处理，调节pH形成混凝沉淀，减少废水中悬浮物、可溶性污染物、胶体物质、毒性较大的重金属离子等；接着，与废水箱1相连通的上澄水槽2得到出水；出水经过第一中水回用装置3，经多级膜浓缩能够初步过滤及吸附去除部分悬浮物、COD及进行浓缩处理；RO浓水槽4与第一中水回用装置3连通，将经过第一中水回用装置3利用多级RO膜浓缩系统处理所得淡水与浓水，浓水输入RO浓水槽4，淡水输入第二回用装置；MVR蒸发装置5与RO浓水槽4连通，回收利用二次蒸汽的大量潜热，减少新鲜蒸汽使用量，对来自RO浓水槽4的浓水储存，所得高度浓缩水输入减压干燥装置6；高度浓缩时所产生的冷凝水输入至第二中水回用装置7；减压干燥装置6与MVR蒸发装置5连通，将所得高度浓水进行干燥处理，对干燥过程所产生冷凝水输入第二中水回用装置7，对其所得固形物委外处理，满足半导体封装废水零排放处理，同时，采用减压干燥装置6，利用蒸馏法，能够提高蒸馏效率、降低能耗；对第二中水回用装置7所得混合水(包含上述描述淡水、冷凝水)，通过第二中水回用装置7处理，同理利用RO膜系统，能够继续进一步处理，得到符合电镀生产线用水标准的淡水，多级RO膜系统设置，能够更大程度提高产水回收率；储存至中水回用槽8；实现半导体封装废水回收率高零排放处理过程。

应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以对本申请进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本申请权利要求的保护范围内。

Claims

1.一种半导体封装废水处理装置，其特征在于，包括：依次连通的废水箱(1)、上澄水槽(2)、第一中水回用装置(3)、RO浓水槽(4)、MVR蒸发装置(5)、减压干燥装置(6)、第二中水回用装置(7)、中水回用槽(8)；

所述第二中水回用装置(7)与第一中水回用装置(3)、MVR蒸发装置(5)、减压干燥装置(6)相连通；所述RO浓水槽(4)用于储存浓水；所述MVR蒸发器能够用于蒸发废水。

2.根据权利要求1所述的半导体封装废水处理装置，其特征在于：还包括酸碱中和混凝沉淀设备(9)，

所述废水箱(1)包括含铜废水箱(11)、含锡废水箱(12)；

所述含铜废水箱(11)、含锡废水箱(12)分别连通酸碱中和混凝沉淀设备(9)；

所述酸碱中和混凝沉淀设备(9)连通上澄水槽(2)。

3.根据权利要求2所述的半导体封装废水处理装置，其特征在于：

所述第一中水回用装置(3)包括依次连通的砂滤塔(31)、活性炭塔(32)、一级RO浓缩装置(33)、二级RO浓缩装置(34)、纳滤装置(35)；所述砂滤塔(31)与上澄水槽(2)相连通；所述纳滤装置(35)与RO浓水槽(4)相连通。

4.根据权利要求3所述的半导体封装废水处理装置，其特征在于：

所述纳滤装置(35)与一级RO浓缩装置(33)连通，用于对经过纳滤装置(35)处理所得的淡水循环至一级RO浓缩装置(33)，能够满足对废水循环浓缩，提高废水回收。

5.根据权利要求4所述的半导体封装废水处理装置，其特征在于：

所述第二中水回用装置(7)包括三级RO浓缩装置(71)，所述三级RO浓缩装置(71)与一级RO浓缩装置(33)、二级RO浓缩装置(34)连通，能够用于对一级RO浓缩装置(33)、二级RO浓缩装置(34)处理中所得淡水收纳及最终的回用水提取处理。

6.根据权利要求5所述的半导体封装废水处理装置，其特征在于：

所述MVR蒸发装置(5)与三级RO浓缩装置(71)相连通；用于对蒸发过程所得冷凝水进行回收至三级RO浓缩装置(71)，进行回用水提取；

所述减压干燥装置(6)与三级RO浓缩装置(71)相连通，用于对减压干燥装置(6)干燥过程所得冷凝水进行回收及回用水的提取。

7.根据权利要求6所述的半导体封装废水处理装置，其特征在于：还包括反洗水槽(10)，

所述反洗水槽(10)与三级RO浓缩装置(71)、酸碱中和混凝沉淀设备(9)连通。

8.根据权利要求7所述的半导体封装废水处理装置，其特征在于：

所述反洗水槽(10)设有混合水进口(101)、出流口(102)；所述砂滤塔(31)设有第一反洗水出口(311)，所述活性炭塔(32)设有第二反洗水出口(321)；所述酸碱中和混凝沉淀设备(9)设有进流口(91)；所述混合水进口(101)连通第一反洗水出口(311)、第二反洗水出口(321)；所述出流口(102)连通进流口(91)。

9.根据权利要求8所述的半导体封装废水处理装置，其特征在于：

所述第二中水回用装置(7)设有三级进水口(72)、浓水出口(73)、淡水出口(74)；所述一级RO浓缩装置(33)设有一级淡水出口(331)，所述二级RO浓缩装置(34)设有二级淡水出口(341)；所述一级淡水出口(331)、二级淡水出口(341)与三级进水口(72)连通；所述浓水出口(73)与混合水进口(101)连通；所述淡水出口(74)连通中水回用槽(8)。

10.根据权利要求3所述的半导体封装废水处理装置，其特征在于：

所述一级RO浓缩装置(33)、二级RO浓缩装置(34)用于浓缩半导体封装废水。