CN101241710B - 垂直磁记录介质及使用该垂直磁记录介质的硬盘驱动器 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及垂直磁记录介质及使用该垂直磁记录介质的硬盘驱动器。提供一种由于交换弹性效果而具有改进的写性能并能稳定制造的垂直磁记录介质。一种垂直磁记录介质，包括非磁性基底；粘结层；软磁底层；籽晶层；中间层；至少包括垂直记录层、写协助层以及设置在垂直记录层和写协助层之间的磁耦合层的磁记录层；保护层以及润滑层，其中，磁耦合层的饱和磁化强度低于写协助层的饱和磁化强度，磁耦合层的饱和磁化强度是300kA/m(300emu/cc)或更低，以及磁耦合层的厚度是1nm或以上和3nm或以下。

Description

垂直磁记录介质及使用该垂直磁记录介质的硬盘驱动器
技术领域
本发明与涉及一种垂直磁记录介质及使用该垂直磁记录介质的硬盘驱动器。
背景技术
硬盘驱动器(HDD)是计算机和各种消费电子产品中的必需信息存储设备，具体地，用于大容量信息存储应用。磁记录方法主要被分为两种类型的技术方法，取决于磁记录介质的磁记录层中的磁化矢量的方向，一种是纵向磁记录(LMR)和另一种是垂直磁记录(PMR)。近年来，已发现纵向磁记录方法在约100Gb/in2时具有记录密度极限，并且在磁记录硬盘驱动器中纵向磁记录方法已改变为垂直磁记录方法。通过获得超过300Gb/in2的记录面密度论证了垂直磁记录方法优于纵向磁记录方法的优点。
专利文献1公开了一种具有互相铁磁地耦合的第一磁记录层和第二磁记录同时具有在其间夹入的耦合层6的垂直磁记录介质。耦合层具有元素V、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Nb、Mo、Ru、Rh、Ta、W、Re和Ir的任意一种元素作为主要成分和具有优选2nm以下的薄膜厚度。专利文献1还描述了铁磁性材料Fe、Co、Ni也可以获得更适合于调整与非磁性材料熔合的耦合能量、淀积条件或淀积气氛。此外，据描述，在使用Pd或Pt的情况下，也可以获得铁磁性耦合，但是在使用不适合的Pd或Pt的情况下，由于该结果增加开关场，耦合层和磁记录层之间的边界处的各向异性能量增加。
专利文献2公开了一种具有磁“扭矩”层的垂直磁记录介质，当施加垂直记录磁场时，该磁“扭矩”层在垂直磁记录层上产生磁矩，以及为了在磁“扭矩”层和垂直磁记录层之间提供合适的铁磁耦合力，在磁“扭矩”层和垂直磁记录层之间设置耦合层。根据专利文献2，该耦合层可以由诸如具有低Co含量(约小于40at％)的RuCo或RuCoCr，或具有高Cr或B含量的CoCr或CoCrB(对于总的Cr和B，约超过30at％)的合金形成。
专利文献3公开了一种包括磁记录层、交换弹性层和耦合层的垂直磁记录介质，该磁记录层具有基本上垂直于表面的磁各向异性的轴，该交换弹性层铁磁地交换耦合到磁记录层、并具有小于磁记录层的矫顽力，耦合层设置在该磁记录层和交换-弹性层之间。根据专利文献3，该耦合层包括CoRu合金、CoCr合金、CoRuCr合金等，此外，选择性地包括氧化物，如Si、Ti或Ta的氧化物。此外，优选粒状合金层具有适合于调整磁记录层和交换-弹性层之间的磁耦合为合适强度的弱磁或非磁性六方密排的(hcp)晶体结构。此外，尽管取决于材料的种类，特别钴含量，耦合层的厚度是2nm以下，但是更优选是0.2nm或更多和1nm以下。
非专利文献1公开了一种合成垂直记录介质，每个磁颗粒由硬磁区和软磁区构成。根据非专利文献1，优选硬磁区和软磁区之间的耦合是弱的，在硬磁区和软磁区之间设置包括能极化的材料如Pt或Pd的薄层。
非专利文献2公开了一种具有由两个垂直交换耦合磁区构成的交换去耦磁性晶粒的动态倾斜介质。根据非专利文献2，通过包括PdSi的耦合层的厚度调整软磁层和硬磁层之间的交换耦合。该耦合层的最佳厚度约为0.5nm。
[专利文献1]JP-A-2006-48900
[专利文献2]JP-A-2006-209943
[专利文献3]US/2006/177704
[非专利文献1]Victora，et al.，IEEE Trans.MAG-41，No.2，pp.537to 542(2005)
[非专利文献2]Wang，et al.，Appl.Phys.Lett.86，pp.142504-1 to142504-3(2005)
发明内容
根据本发明，要求用于写磁头的垂直记录介质具有较低的介质饱和场(Hs)，以便保持合适的重写(O/W)电平，该写磁头在后端具有屏蔽(尾屏蔽(TS)型磁头)。根据Stoner-Wholfarth(S-W)相干磁化旋转反转模型，介质的反向场由磁各向异性能量密度Ku固有地决定。随着磁晶粒的Ku被减小，开关场被减小。但是，介质热稳定性因素KuV/KBT(这里，V表示热激励体积，KB表示玻耳兹曼常数，以及T表示温度)也是与Ku固有地相关的值，KuV/KBT必需至少是60，以便保持记录磁位稳定10年。因此，出现怎样同时获得良好的热稳定性和介质写性能的问题。
在使用软磁层和硬磁层互相被交换耦合的交换弹性介质的情况下，可以获得更加提高的写性能。在这种交换弹性介质中，耦合层起提高交换弹性效果的重要作用。在垂直耦合太强的情况下，硬磁层和软磁层在一个磁场下相干地旋转。另一方面，在垂直耦合太弱的情况下，由于硬磁层和软磁层分开地旋转，硬磁层的反磁化不被软磁层充分地支持。
上述文献没有限定用于耦合层材料的饱和磁化强度范围。此外，在每个例子中，耦合层厚度的最佳值小于1nm。由于利用交换弹性效果的介质的记录性能大大地取决于耦合层的厚度，在成批制造这种交换弹性介质的情况下，几乎不可能保持稳定的记录性能。
本发明的主题是通过充分地获得交换弹性效果，而不使用极其薄的(小于1nm)耦合层，提供一种能稳定制造和具有高写性能的磁记录介质。
下面概述本说明书的典型例子。
一种垂直磁记录介质包括非磁性基底、粘结层、软磁底层、籽晶层、中间层、磁记录层、保护层和润滑层，其中：
该磁记录层至少包括垂直记录层、写协助层以及设置在垂直记录层和写协助层之间的磁耦合层；
该磁耦合层是用磁性材料构成的铁磁层，该磁性材料具有低于写协助层的饱和磁化强度和低于垂直记录层的饱和磁化强度的饱和磁化强度；以及
该磁耦合层的厚度是1nm或以上和3nm或以下。
在本发明中，通过使用具有低饱和磁化强度Ms的磁层形成磁耦合层6b。根据磁理论，在层叠的两个磁层中，层1从相邻层2接收的交换耦合场可以由以下公式(1)表示。
H1＝Jex(Ms1，Ms2)V1V2/(Ms1V1)(1)
在上面的公式(1)中，Jex表示边界处的交换耦合能量密度，是与如上所述的层1和层2的磁化值Ms1和Ms2成比例的值。此外，V1和V2分别表示上述层1和层2的体积。公式(1)表明边界处的耦合场被低饱和磁化强度Ms的磁层减弱。在具有大饱和磁化强度Ms的两个磁层之间插入具有低饱和磁化强度Ms的磁层的情况下，Jex可以被有效地减小，该耦合强度可以通过具有低饱和磁化强度Ms的磁层厚度来调整。与非磁性材料相比较，在使用具有低饱和磁化强度Ms的磁性材料的情况下，用于获得最好写和读性能的磁层的最佳厚度可以更加厚。
在使用基于本发明制备的垂直磁记录介质的情况下，由于可以通过使用具有1nm或以上厚度的耦合层获得有效的交换弹性效果，因此可以提供能稳定制造的高写性能的垂直磁记录介质。这技术能够制造能获得高密度磁记录的垂直磁记录介质。
附图说明
图1示出了根据本发明实施例的垂直磁记录介质的层结构的视图。
图2示出了可应用于根据本发明第二实施例的介质的垂直磁记录设备的视图。
图3是磁记录层6的放大结构视图。
图4是磁记录层6的放大结构视图。
图5是磁记录层6的放大结构视图。
图6示出了本发明实施例中的磁光极克尔-磁滞回线的视图。
图7示出了例1的磁耦合层的厚度和垂直磁记录介质的饱和磁场Hs之间的关系视图。
图8示出了例1的磁耦合层的厚度和垂直磁记录介质的信噪比SoNR之间的关系视图。
图9示出了例2的磁耦合层的厚度和垂直磁记录介质的饱和磁场Hs之间的关系视图。
图10示出了例2的磁耦合层的厚度和垂直磁记录介质的信噪比SoNR之间的关系视图。
图11示出了比较例1的磁耦合层的厚度和垂直磁记录介质的饱和磁场Hs之间的关系视图。
图12示出了比较例1的磁耦合层的厚度和垂直磁记录介质的信噪比SoNR之间的关系视图。
图13示出了比较例2的磁耦合层的厚度和垂直磁记录介质的饱和磁场Hs之间的关系视图。
图14示出了比较例2的磁耦合层的厚度和垂直磁记录介质的信噪比SoNR之间的关系视图。
图15示出了例3的磁耦合层的厚度和垂直磁记录介质的饱和磁场Hs之间的关系视图。
图16示出了例3的磁耦合层的厚度和垂直磁记录介质的信噪比SoNR之间的关系视图。
图17示出了例4的磁耦合层的厚度和垂直磁记录介质的饱和磁场Hs之间的关系视图。
图18示出了例4的磁耦合层的厚度和垂直磁记录介质的信噪比SoNR之间的关系视图。
图19示出了例5的磁耦合层的厚度和垂直磁记录介质的饱和磁场Hs之间的关系视图。
图20示出了例5的磁耦合层的厚度和垂直磁记录介质的信噪比SoNR之间的关系视图。
图21示出了例6的磁耦合层的厚度和垂直磁记录介质的饱和磁场Hs之间的关系视图。
图22示出了例6的磁耦合层的厚度和垂直磁记录介质的信噪比SoNR之间的关系视图。
图23示出了比较例3的磁耦合层的厚度和垂直磁记录介质的饱和磁场Hs之间的关系视图。
图24示出了比较例3的磁耦合层的厚度和垂直磁记录介质的信噪比SoNR之间的关系视图。
具体实施方式
下面将参考附图说明本发明的优选实施例。图1示出了本发明的垂直磁记录介质的剖面图。图1所示的介质包括非磁性基底1、粘结层2、软磁底层3、籽晶层4、中间层5、至少包括垂直记录层6a、写协助层6c以及设置在垂直记录层6a和写协助层6c之间的磁耦合层6b的磁记录层6、保护层7以及润滑层8。
作为非磁性基底1，可以使用由诸如铝合金的金属材料形成的金属基底，以及也可以使用诸如玻璃、陶瓷、硅、碳化硅以及碳的非金属材料形成的非金属基底。
粘结层2的功能是增强基底1和粘结层2上设置的层之间的粘合力。粘结层2由选自Al、Cr、Ti、Ni、Ta和Zr的一种或多种元素形成。层3是软磁底层，其功能是提高来自介质上面飞行的磁头的磁场。软磁底层可以由Co合金、Fe合金或Ni合金形成，并包含选自Ta、Zr、B、Nb、V、Mo、Cr、Si、Al、Ti、O、Cu、P、C和N的一种或多种元素。该软磁底层可以是非晶的或微晶型结构。
为了从软磁底层3除去尖峰噪声，软磁底层3优选具有反铁磁地耦合的夹层结构，在两个软磁层之间插入Ru的中间层或Ru-合金层。在该反铁磁地耦合的软磁底层中，该两个软层的磁化在零磁场下具有反平行取向，以及在磁头磁场下具有平行取向。
软磁底层3的饱和磁化强度密度Bs和厚度t的乘积Bs·t可以是0至300T·nm。Bs·t的最佳值取决于磁头类型、介质的磁特性以及软磁底层的磁特性而变化。在记录磁头具有高写磁场和介质具有十分低的饱和磁场的情况下，该软磁底层甚至可以被完全排除。但是，在大多数情况下，当软磁底层3的饱和磁通密度约为1T时，软磁底层3的最佳厚度是20nm以上和100nm以下。
在软磁底层3上设置籽晶层4。籽晶层4是具有提高中间层5的晶体取向的功能的层。籽晶层4可以是非晶的或具有面心立方晶体结构。用于籽晶层的材料包含选自Ta、Ni、Cr、Ti、Fe、W、Co、Pt、Pd和C的一种或多种元素。在使用具有面心晶体结构的籽晶层的情况下，在籽晶层上面外延地生长中间层，该中间层包括具有六方密排(hcp)晶体结构的材料，c-轴优选被定向在垂直于薄膜表面的方向上。籽晶层4的厚度优选是0.5nm或以上和10nm或以下。在籽晶层4的厚度超过10nm的情况下，记录层的晶粒尺寸过大，导致降低介质的写和读性能。
中间层5被设置在籽晶层4上。中间层5是具有控制磁记录层6的c-轴取向和晶粒尺寸的功能的层。作为用于中间层5的材料，使用具有六方密排(hcp)晶体结构的材料，例如，使用Ru合金、Co合金或Pt合金。通过在中间层5上面外延生长磁记录层6，磁记录层6的c-轴被定向在垂直于薄膜表面的方向上。
中间层5和磁记录层6的c-轴取向可以通过X射线衍射来探测。锁定曲线的半峰全宽表示c-轴取向的程度。随着半峰全宽值增加，这意味着c-轴的变化增加，其中垂直磁记录介质的反转磁场强度被扩大，从而导致降低写和读性能。对于获得好的写和读性能，优选半峰全宽(FWHM)小于4°。
中间层5的厚度优选是0.5nm或以上和40nm或以下，更优选5nm或以上和20nm或以下。在中间层5的厚度小于5nm的情况下，设置c-轴取向以使得半峰全宽小于4°有时是困难的。此外，在记录层中具有良好的成分偏析有时是困难的。在中间层5的厚度超过20nm的情况下，记录层的晶粒尺寸有时可能过量地增加，此外，记录磁头和软磁底层之间的距离有时过量地增加，以及由于两者的效果，写和读性能有时可能被降低。
为了设置在中间层5上的磁记录层6具有较高矫顽力，在中间层5的薄膜淀积时有必要增加Ar气压(高于3Pa)。在存在高Ar气压的条件下淀积的中间层5的表面态适合于促进用于磁记录层6的成分偏析。但是，为了设置c-轴取向以使得c-轴取向的半峰全宽为4°以下，优选降低淀积Ru时的Ar气压。为了满足用于记录层的c-轴的良好垂直取向(垂直于薄膜表面的方向中的取向)和良好的成分偏析，可以使用用两阶段淀积Ru的方法。具体地说，在低Ar气压(低于2Pa)下淀积在下侧上设置的Ru部分，同时在高Ar气压(高于3Pa)下淀积被设置在上侧上的Ru部分。下侧上的Ru部分和上侧的Ru部分的厚度可以被设置为，例如，相同的厚度。
如图1所示，该磁记录层包括三个层叠层，亦即，垂直记录层6a、磁耦合层6b以及写协助层6c。
垂直记录层6a具有超过318kA/m(4kOe)的垂直矫顽力。垂直记录层6a可以通过将氧化物添加到Co-Cr-Pt合金来形成。通过添加该氧化物可以提高晶粒偏析，结果，可以形成富氧化物的晶粒边界的精细颗粒结构。作为氧化物，例如，可以使用CrOx、SiOx、TaOx、AlOx、TiOx和MgOx。垂直记录层6a中的氧化物的含量优选是3mol％或更多和12mol％或以下。
在垂直记录层6a中的氧化物含量小于3mol％的情况下，磁晶粒不被氧化物晶粒边界充分地隔离，在磁晶粒之间引起强的交换耦合，结果，有时可能增加介质噪声。此外，在垂直记录层6a中的氧化物的含量超过12mol％的情况下，部分氧化物有时可能侵入到磁性颗粒的内部，导致降低磁性颗粒的磁性能。
按照at％，垂直记录层6a中的Cr含量可以是10％或更多和22％或以下。此外，按照at％，垂直记录层6a中的Pt含量可以是10％或更多和20％或以下。随着垂直记录层6a中的Cr含量增加，颗粒偏析变得良好，但是这降低饱和磁化强度Ms和Ku。Ku是与Pt含量成比例的值。此外，应该根据将要使用的记录磁头的记录性能适当地决定Pt含量。按照at％，当Pt含量增加到超过20％时，面心立方相开始出现，以及即使当Pt数量增加时，Ku不再增加。
除垂直记录层6a的内部中的Co、Cr、Pt和氧化物之外，其他元素如Ta、B、Mo、Cu等可以被添加到垂直记录层6a。通过该元素的添加，可以控制诸如饱和磁化强度的磁特性，促进晶界偏析，以及提高c-轴的垂直取向。
具有柱状结构的垂直记录层6a，包括在垂直于薄膜表面的方向上生长的多个晶粒，以及平行于该薄膜表面的平面上观察的垂直记录层6a的晶粒尺寸优选是5nm或更多和15nm或以下。在晶粒尺寸小于5nm的情况下，热稳定性有时变得不足。在晶粒尺寸是15nm或更多的情况下，噪声有时过量地增加。磁记录层的晶粒尺寸可以通过，例如透射型电子显微镜(TEM)来测量。
磁耦合层6b是用于控制垂直记录层6a和写协助层6c之间的磁耦合为适当强度的层。磁耦合层6b是低饱和磁化强度的磁层，以及其饱和磁化强度低于写协助层6c的饱和磁化强度且低于垂直记录层6a的饱和磁化强度。磁耦合层6b的饱和磁化强度Ms的值优选是300kA/m(300emu/cc)或以下，更优选，100kA/m(100emu/cc)或更多和300kA/m(300emu/cc)或以下。可以证实，通过减小在垂直记录层6a和写协助层6c之间插入的磁耦合层6b的饱和磁化强度Ms提高交换弹性效果。
为了获得垂直记录层6a和磁耦合层6b之间的外延生长，磁耦合层6b可以由具有六方密排(hcp)的晶体结构的Co-Cr合金形成。通过对于磁耦合层6b不使用非磁性层，而使用磁耦合层，在最佳磁记录层的厚度彻底超过1nm时，可以通过强交换弹性效果获得最佳非相干旋转。在利用非磁性材料构成磁耦合层6b的情况下，垂直记录和写协助层之间的磁耦合对于耦合层6b的厚度具有极其大的影响，以及该最佳厚度被减少到小于1nm。结果，即使当成批制造交换弹性介质时，也几乎不能获得稳定的磁特性。
除Co和Cr之外，磁耦合层6b可以包含选自Pt、B、Mo、Ta、V、Nb和Ru的一种或多种元素。这种元素可以控制磁耦合层6b的晶格常数和可以提高垂直记录层6a、磁耦合层6b和写协助层6c之间的晶格匹配。为了控制磁耦合层的饱和磁化强度Ms超过0kA/m(0emu/cc)且在300kA/m(300emu/cc)或以下，按照at％，这种元素的总含量优选是10％或以下。按照at％，磁耦合层6b中的Co数量优选是70％或更多和75％以下。在如上所述的范围内，包括Co和Cr作为主要成分的合金的饱和磁化强度值可以处于0至300kA/m的范围内，以及在超过1nm的厚度时，可以获得良好写/读性能。
此外，磁耦合层6b也可以包含诸如CrOx、SiOx、TaOx、AlOx、TiOx和MgOx的氧化物。通过将氧化物添加到磁耦合层6b，可以形成磁耦合层6b的粒状结构。在磁耦合层的磁化或薄膜厚度过量地增加的情况下，可以观察到以下现象：在59kfr/mm(1500kFCI)或以上的高线性记录密度时观察到介质噪声增加。但是，通过添加氧化物到磁耦合层，薄膜表面中的交换耦合的增加被抑制，以抑制高线性记录密度下的介质噪声增加。具体地，在添加SiOx(氧化硅)、TaOx(氧化钽)、或TiOx(氧化钛)的情况下，该趋势是显著的且是优选的。为了控制磁耦合层的饱和磁化强度Ms高于0kA/m(0emu/cc)和在300kA/m(300emu/cc)或以下，按照mol％，该氧化物的含量优选是10％或以下。
磁耦合层6b的厚度是影响反磁化处理和介质记录性能的一个重要因素。在磁耦合层6b过分薄的情况下，垂直方向上的耦合变得太强，致使写协助层和垂直记录层产生更多相干旋转。在磁耦合层6b过分厚的情况下，在写协助层和垂直记录层中分别地发生磁反向。在两种情况中，不再可能获得足够的交换弹性效果。仅仅在耦合层的厚度处于最佳值的情况下，获得最好的交换弹性效果，以及对于磁耦合层6b的厚度，介质饱和磁化强度具有最小值。磁耦合层厚度的最佳值取决于磁耦合层6b的饱和磁化强度Ms的值，此外，也取决于写协助层6c的饱和磁化强度Ms的值。由于在磁耦合层太厚的情况下记录清晰度被降低，磁耦合层的厚度优选被设为1nm以上和3nm以下。
写协助层6c是通过磁耦合层6b与垂直记录层6a磁性地耦合的铁磁层，并且还具有通过交换弹性效果协助垂直记录层的反磁化的作用。在不通过磁耦合层6b与垂直记录层6a磁耦合的情况下，写协助层6c的垂直矫顽力优选是239kA/m(3kOe)或以下。在垂直矫顽力超过239kA/m(3kOe)的情况下，不可能再获得协助垂直记录层的反磁化的效果。写协助层6c可以由具有六方密排(hcp)的晶体结构的Co-Cr-Pt合金形成，优选不包含氧化物。在写协助层6c中不包含氧化物的情况下，写协助层6c中的均匀横向交换耦合可以减窄介质的开关场分布，结果，可以获得良好的SN比率。用介质可靠性的视点，不包含氧化物的介质外部材料是优选的，由于它给予良好的抗腐蚀性能。
写协助层6c的饱和磁化强度Ms的值优选大于磁耦合层6b的饱和磁化强度Ms的值，并且可以被设置在300kA/m或以上和1000kA/m或以下的范围内。在写协助层6c的饱和磁化强度低于磁耦合层6b的饱和磁化强度的情况下，通过写协助层6c不能有效地协助垂直记录层6a的磁化旋转。介质可写性与写协助层6c的饱和磁化强度Ms成比例，但是，在饱和磁化强度过量地增加的情况下，介质噪声增加。为了兼容介质可写性和低噪声性能，写协助层6c的饱和磁化强度优选是350kA/m或以上和550kA/m或以下。优选垂直记录层6a的饱和磁化强度和厚度的乘积大于磁耦合层6b的饱和磁化强度和厚度的乘积，以及磁耦合层6b的饱和磁化强度Ms和厚度的乘积小于写协助层6c的饱和磁化强度和厚度的乘积。
写协助层6c除Co、Cr和Pt之外，可以包含选自B、Ta、Mo、Cu、Nd、W、Nb、Sm、Tb、Ru和Re的一种或多种元素。这种元素可以促进晶粒偏析和提高c-轴的垂直取向。按照at％，写协助层6c中的元素含量优选小于15％。在该含量更多的情况下，六方密排(hcp)的晶体结构有时可能被破坏。按照at％，写协助层6c中的Pt含量优选是0％或以上和20％或以下。在Pt含量更多的情况下，在写协助层6c中开始出现面心立方相。在上述Pt含量的范围内，当Pt含量增加时，这易于增加介质成核磁场Hn，介质成核磁场Hn是其中在磁滞回线中的反向方向上磁化开始反向的磁场。随着Hn增加，介质的热稳定性被提高。
写协助层6c的厚度优选是1nm或以上和10nm或以下。取决于记录磁头的种类或软磁底层的厚度，写协助层6c的厚度应该被优化，用于获得适当的可写性(重写性能)。
图3示出了图1所示的垂直磁记录介质的磁记录层6的放大尺寸的层叠结构的视图。在中间层5和保护层7之间依次层叠垂直记录层6a、磁耦合层6b和写协助层6c。层叠垂直记录层6a、磁耦合层6b以及写协助层6c的顺序可以如图4所示反转，以便写协助层6c被设置在三个层的最低位置，以及垂直记录层6a被设置在顶部。在这种配置中，必须注意垂直记录层6a的偏析。在偏析不良好的情况下，不能获得超过318kA/m(4kOe)的垂直记录层6a的矫顽力。
如图5所示，垂直记录层和写协助层可以被构成为，每个具有有不同结构或磁性能的两个或更多层。例如，垂直记录层6a可以用不同Cr或Pt含量的垂直记录层6a1和垂直记录层6a2构成。在采用这种包括两个垂直记录层的结构的情况下，可以容易地获得兼容可写性和热稳定性的平衡。例如，垂直记录层6a1可以被构成为Pt含量多于且Cr含量小于垂直记录层6a2的Pt和Cr含量。利用这种结构，垂直记录层6a1的大Ku有助于介质热稳定性的良好保持，以及垂直记录层6a2的小Ku有助于可写性的良好保持。其他例子包括一结构，该结构包括两个写协助层，以及该结构可以被构成为：写协助层6c1包含用于减小噪声的氧化物，以及写协助层6c2不包含用于获得良好介质可靠性的氧化物。
整个磁记录层的垂直矫顽力优选超过239kA/m(3kOe)。在整个磁记录层的垂直矫顽力小于239kA/m(3kOe)的情况下，热稳定性变得不足，使之难以减窄记录磁道宽度。
该介质可写性与介质的饱和磁场Hs成正比例。为了保证良好的可写性，饱和磁场优选被设置小于取决于将要使用的磁头种类决定的规定值。在使用尾屏蔽型记录磁头的情况下，饱和磁场优选被设为低于796kA/m(10kOe)。
用于整个磁记录层的厚度优选被设为5nm或以上和40nm或以下，更优选，被设为10nm或以上和30nm或以下。在整个磁记录层的厚度小于5nm的情况下，有时热稳定性是不足的，在它厚于40nm的情况下，晶粒尺寸过大，有时导致噪声增加。
在磁记录层的淀积过程中，负偏压可以被施加到基底和负偏压可以被设置在，例如，-100V和-300V之间。通过施加负偏压，可以促进成分偏析，提高介质记录清晰度和减小噪声。
保护层7是具有防止磁记录层6被腐蚀和当磁头与磁盘表面接触时给磁记录层6的表面造成中等损坏的功能的层。该保护层主要包括碳材料，通常被N-掺杂，用于提高硬度。包括碳材料的保护层可以通过CVD方法、IBD方法或磁控溅射方法淀积。保护层的厚度可以是1nm或以上和5nm或以下，以及该保护层的厚度优选被制得较薄，以便提高介质的记录清晰度。在不降低可靠性的范围内，包括碳材料的保护层的厚度优选尽可能薄。
润滑层8优选包含诸如全氟聚醚、氟代乙醇、氟代羧酸等的润滑剂。
图2示意地示出了能使用该实施例的介质的垂直磁记录器件的剖面图。图2所示的器件包括磁记录介质9和磁头10。磁头10具有写主磁极11、辅助返回磁极12、用于写主磁极11的尾屏蔽13、巨磁阻(GMR)或隧穿磁阻(TMR)传感器14、读屏蔽15和读屏蔽16。该类型的磁头被称为尾屏蔽(TS)型磁头。与不具有尾屏蔽13的单极(SP)型磁头相比较，尾屏蔽型磁头具有较大的写磁梯度，但是，代之，写磁场的强度稍微被减弱。介质9包括非磁性基底1、粘结层2、软磁底层3、籽晶层4、中间层5、磁记录层6、保护层7以及润滑层8。磁通量从主磁极11离开通过软磁底层3，达到返回磁极12，并通过主磁极11记录位。在使用尾屏蔽型磁头的情况下，该介质需要极其低的饱和磁化强度(796kA/m或更低)，以便能够饱和记录。与单极型磁头组合相比，本发明提供一种适合于与上述尾屏蔽型磁头结合的垂直磁记录介质。
<例1>
通过使用由ANERVA公司制造的DC磁控溅射设备(C-3010)，制造图1所示层结构的垂直磁记录介质。该溅射设备具有多个处理室以及可以淀积多个层。在抽空每个室为1×10-5Pa或更低的真空度之后，在该室中放置清洁的2.5英寸玻璃基底并开始淀积。
通过使用Al-Ti(50at％)靶，在基底1上淀积粘结层2。粘结层的厚度是5nm，以及淀积过程中的Ar气压是0.5Pa。元件之后的括弧中所示的数值是元件的含量。
在粘结层2上方设置具有反铁磁地耦合的夹层结构(Co-Ta-Zr15nm/Ru 0.7nm/Co-Ta-Zr 15nm)的软磁底层3。通过使用Co-Ta(8at％)-Zr(5at％)靶，在0.5Pa的Ar气压下，淀积Co-Ta-Zr膜。为了获得两个软磁层之间的最大反铁磁耦合力，Ru层的厚度被优化为0.7nm。交换耦合磁场可以通过克尔效应来测量。例如，通过施加磁场到薄膜表面，并记录表面层的Kerr旋转角与该施加磁场的变化，对于由NEOARC公司制造的软磁底层，它可以通过使用克尔效应测量设备来测量。
在完成软磁底层3的淀积之后，磁盘被移动到具有Ni-W(8at％)靶的用于籽晶层的淀积的室中，以形成籽晶层4。籽晶层具有其中在垂直于薄膜表面的方向上定向(111)晶体方向的面心立方晶体结构。包括Ni-W的籽晶层的厚度是6nm。此外，籽晶层的淀积过程中的压力是0.5Pa。
在籽晶层4上形成中间层5。在该实施例中，利用2-级Ru层构成中间层5。在1Pa的Ar气压下，在籽晶层4上淀积8nm厚度的第一Ru层，以及，在5Pa的气压下，在第一Ru层上淀积8nm厚度的第二Ru层。在为获得c-轴的良好垂直取向的低气压下形成Ru层，以及在用于促进氧化物偏析到垂直记录层中的晶粒边界的高气压下形成Ru层，以减小晶粒尺寸。
通过使用(Co-Cr(17at％)-Pt(18at％))-SiO2(8mol％)靶，形成垂直记录层6a。作为溅射气体，使用具有0.02Pa的氧分压的氩气和氧气的气体混合物以及溅射气体的总压力是5Pa。在溅射淀积过程中，-200V的偏压被施加到磁盘，且处理时间被控制为使得垂直记录层6a的厚度是13nm。
在1Pa的Ar气压下，通过溅射，使用Co-Cr(26at％)靶，形成磁耦合层6b。为精炼磁耦合层的最佳厚度，制备具有在0至4nm范围内变化的厚度的样本。
在1Pa的Ar气压下，通过溅射，使用Co-Cr(12at％)-Pt(18at％)-B(10at％)靶形成写协助层6c。写协助层6c的厚度是4.4nm，在溅射淀积过程中，-200V的偏压被施加到基底。
在氩气和氮气的气体混合物中，通过溅射方法，使用碳靶形成保护膜6，氩气压力是0.6Pa和氮气压力是0.05Pa。保护层6的厚度是4nm。
在形成保护层之后，在保护层的表面上形成润滑膜。为了估计该获得的垂直磁记录介质的磁性能，通过使用极性克尔磁通计测量磁光极克尔磁滞回线(克尔回线)。图6示出了典型的克尔回线的例子。图中所示的介质的饱和磁场Hs基本上与垂直记录层的反磁化相关，并与介质可写性非常相关。该参数用于表征介质的磁特性。
通过使用旋转台，估计获得的垂直磁记录介质的写/读性能。记录磁头是TS型磁头和读装置是巨磁阻(GMR)读装置。为了估计介质噪声级，测量信噪比(SoNR)。信噪比被定义为6.9kfr/mm(每毫米的反向磁通量)(175kFCI)的低频信号和20.9kfr/mm(531kFCI)的2T频率下的综合介质噪声之间的比率。
表1列出构成例1中制造的垂直磁记录介质的磁记录层的每个层的成分、饱和磁化强度Ms和厚度。如表1所示，垂直记录层6a具有(Co-Cr(17at％)-Pt(18at％))-SiO28mol％)的成分、13nm的厚度和450kA/m的饱和磁化强度Ms。磁耦合层6b具有Co-Cr(26at％)的成分、260kA/m的饱和磁化强度Ms。写协助层6c具有Co-Cr(12at％)-Pt(18at％)-B(10at％)的成分、4.4nm的厚度和500kA/m的饱和磁化强度Ms。
表1
成分   饱和磁化强度Ms(kA/m)     厚度(nm)
  写协助层 Co-Cr(12at％)-Pt(18at％)-B(10at％)   500     4.4
  磁耦合层 Co-Cr(26at％)   260     0-4
垂直记录层 (Co-Cr(17at％)-Pt(18at％)-SiO<sub>2</sub>(8mol％) 450 13
图7示出了磁耦合层的饱和磁场Hs和厚度之间的关系。随着磁耦合层的厚度增加，饱和磁场Hs减小，饱和磁场Hs达到约3nm的最小值。当磁耦合层的厚度超过3nm时，饱和磁场Hs增加。饱和磁场Hs与磁耦合层的厚度的相关性清楚地说明，通过适当地控制写协助层和垂直记录层之间的磁耦合，便于反磁化的交换弹性效果。在该例子中，写协助层和垂直记录层之间的磁耦合被磁耦合层的厚度控制。在磁耦合层的厚度小于2nm的情况下，两个相邻磁层之间的垂直方向中的交换耦合过强，另一方面，在磁耦合层的厚度超过3nm的情况下，该耦合过弱。仅仅在约2nm至3nm，垂直方向中的交换耦合力显示最小化饱和磁场Hs的合适值。如上所述，据发现，低饱和磁化强度的磁性材料被有效地用作交换弹性型垂直磁记录介质中的磁耦合层。当与非磁性材料相比较时，低饱和磁化强度材料对于最佳厚度具有更大的值。通过对于磁耦合层使用低饱和磁化强度材料，在作为交换弹性型介质的磁盘的批量生产中，可以获得稳定的磁性能。
图8示出了介质噪声性能。当与介质不具有插入的磁耦合层相比较，插入3nm低饱和磁化强度的磁耦合层的介质的信噪比SoNR示出约1.5dB的提高。由此可见，与不使用交换弹性的普通介质相比，其中磁耦合层包括低饱和磁化强度材料的交换弹性介质具有能获得更高记录密度的可能性。此外，据证实，随交换弹性效果增加转变抖动减小，以减弱反向场的角度相关性，认为这也有助于写/读性能的改进。
<例2>
通过使用与例1相同的制造步骤和估计方法制造磁盘、测量磁性能和写/读性能。在该例子中，由于磁耦合层6b包含SiO2，形成粒状结构。表2列出构成该例子中的制造的垂直磁记录介质的磁记录层的每个层的成分、饱和磁化强度Ms和厚度。如表2所示，垂直记录层6a具有(Co-Cr(17at％)-Pt(18at％))-SiO2(8mol％)的成分、13.5nm的厚度和450kA/m的饱和磁化强度Ms。磁耦合层6b具有Co-Cr(25at％)-SiO2(8mol％)的成分以及250kA/m的饱和磁化强度Ms。写协助层6c具有Co-Cr(12at％)-Pt(14at％)-B(10at％)的成分、5nm的厚度和500kA/m的饱和磁化强度Ms。除上述成分和厚度以外的每个层的成分和厚度与例1相同。
表2
成分     饱和磁化强度Ms(kA/m)     厚度(nm)
  写协助层 Co-Cr(12at％)-Pt(14at％)-B(10at％)     500     5
  磁耦合层 (Co-Cr(25at％))-SiO<sub>2</sub>(8mol％)     250     0-4
垂直记录层 (Co-Cr(17at％)-Pt(18at％))-SiO<sub>2</sub>(8mol％) 450 13.5
如图9和10所示，当插入具有小于2nm厚度的颗粒型磁耦合层时，由于交换弹性效果增加，饱和场Hs减小。随着磁耦合层的厚度从0增加到2nm，信噪比SoNR被提高约1.2dB，并且具有粒状结构的低饱和磁化强度的磁耦合层可以被用作交换弹性介质中的磁耦合层。由于通过磁耦合层中的粒状结构，氧化物晶粒边界延伸至与写协助层相邻部分附近，可以减小来自连续地设置的写协助层的噪声。在写协助层使用具有极高Ms的材料的情况下，该噪声可以被大大地减小。
<比较例1>
通过使用与例1相同的制造步骤和估计方法制造磁盘、测量磁性能和写/读性能。在该比较例子中，磁耦合层6b包括Ru，且该磁耦合层使用非磁性层。表3列出构成该比较例子中的制造的垂直磁记录介质的磁记录层的每个层的成分、饱和磁化强度Ms和厚度。如表3所示，垂直记录层6a具有(Co-Cr(15at％)-Pt(18at％))-SiO2(8mol％)的成分、11.5nm的厚度和500kA/m的饱和磁化强度Ms。磁耦合层6b包括Ru，且饱和磁化强度Ms是0kA/m。写协助层6c具有(Co-Cr(20at％)-SiO2(8mol％)的成分、6nm的厚度和500kA/m的饱和磁化强度Ms。除上述成分和厚度以外的每个层的成分和厚度与例1相同。
表3
成分   饱和磁化强度Ms(kA/m)     厚度(nm)
  写协助层   (Co-Cr(20at％))-SiO<sub>2</sub>(8mol％)   500     6
  磁耦合层   Ru   0     0-0.32
垂直记录层   (Co-Cr(15at％)-Pt(18at％))-SiO<sub>2</sub>(8mol％) 500 11.5
如图11和12所示，饱和磁场Hs取决于包括Ru的磁耦合层6b的厚度，极其敏感地示出在垂直记录层和写协助层之间的边界引起磁状态的突变。包括Ru的磁耦合层6b的最佳厚度约为0.2nm，Hs具有最小值和信噪比SoNR示出最高级别，在图11和12中。但是，在略微地大于最佳Ru厚度约0.05nm的0.25nm厚度，信噪比SoNR小于不插入磁耦合层的情况。如上所述，在磁耦合层使用Ru的情况下，介质的写/读性能极其敏感地取决于磁耦合层的厚度。在磁盘的批量生产时，准确地控制包括Ru的磁耦合层6b的厚度小于单个原子层厚度的级别是极其困难的，并且不可能稳定地制造具有优异的写/读性能的垂直磁记录介质。
<比较例2>
通过使用与例1相同的制造步骤和估计方法制造磁盘、测量磁性能和写/读性能。在该比较例子中，磁耦合层6b包括Co-Ru(40at％)和与比较例1一样，该磁耦合层使用非磁性层。表4列出构成该比较例子中的制造的垂直磁记录介质的磁记录层的每个层的成分、饱和磁化强度Ms和厚度。如表4所示，垂直记录层6a具有(Co-Cr(17at％)-Pt(18at％))-SiO2(8mol％)的成分、13.5nm的厚度和450kA/m的饱和磁化强度Ms。磁耦合层6b具有Co-Ru(40at％)的成分，由此饱和磁化强度Ms是0kA/m。写协助层6c具有Co-Cr(12at％)-Pt(14at％)-B(10at％)的成分、4.5nm的厚度和500kA/m的饱和磁化强度Ms。除上述成分和厚度以外的每个层的成分和厚度与例1相同。
表4
成分   饱和磁化强度Ms(kA/m)     厚度(nm)
  写协助层 Co-Cr(12at％)-Pt(14at％)-B(10at％)   500     4.5
  磁耦合层 Co-Ru(40at％)   0     0-1.2
垂直记录层 (Co-Cr(17at％)-Pt(18at％))-SiO<sub>2</sub>(8mol％) 450 13.5
如图13和14所示，通过在Co-Ru合金中的边界存在Co原子，磁耦合层的最佳厚度可以增加到约0.6nm。但是，对于磁盘的批量生产时的控制，即使这种最佳厚度仍然过于薄，并且稳定地制造具有优异的写/读性能的垂直磁记录介质是困难的。
<例3>
通过使用与例1相同的制造步骤和估计方法制造磁盘、测量磁性能和写/读性能。表5列出构成该例子中的制造的垂直磁记录介质的磁记录层的每个层的成分、饱和磁化强度Ms和厚度。如表5所示，垂直记录层6a具有(Co-Cr(17at％)-Pt(18at％))-SiO2(8mol％)的成分、13.5nm的厚度和450kA/m的饱和磁化强度Ms。磁耦合层6b具有Co-Cr(30at％)的成分、30kA/m或以下的测量饱和磁化强度Ms。写协助层6c具有Co-Cr(12at％)-Pt(14at％)-B(10at％)的成分、4nm的厚度和500kA/m的饱和磁化强度Ms。与例1或例2相比较，该例子的磁耦合层6b具有极其低的饱和磁化强度Ms。除上述成分和厚度以外的每个层的成分和厚度与例1相同。
表5
成分   饱和磁化强度Ms(kA/m)     厚度(nm)
  写协助层 Co-Cr(12at％)-Pt(14at％)-B(10at％)   500     4
  磁耦合层 Co-Cr(30at％)   ～30     0-2.5
垂直记录层 (Co-Cr(17at％)-Pt(18at％))-SiO<sub>2</sub>(8mol％) 450 13.5
如图15和16所示，当具有约1至2nm厚度的磁耦合层被插入时，由于交换弹性效果增加，饱和磁场Hs可能被减小。随着磁耦合层的厚度从0增加到1.6nm，信噪比SoNR被提高约1.6dB。尽管与例1的结果相比较，磁耦合层的最佳厚度较薄，但是与使用Ru作为磁耦合层的比较例1相比较，它具有约10倍的厚度，和与使用Co-Ru(40at％)作为磁耦合层的比较例子2相比较约三倍。这便于在100,000磁盘的规模下，在连续地淀积磁盘的批量生产中，控制磁耦合层的厚度在适当的范围内，以及能够稳定制造具有优异的写/读性能的垂直磁记录介质。
<例4>
通过使用与例1相同的制造步骤和估计方法制造磁盘、测量磁性能和写/读性能。表6列出构成该比较例子中的制造的垂直磁记录介质的磁记录层的每个层的成分、饱和磁化强度Ms和厚度。如表6所示，垂直记录层6a具有(Co-Cr(17at％)-Pt(18at％))-SiO2(8mol％)的成分、13.5nm的厚度和450kA/m的饱和磁化强度Ms。磁耦合层6b具有Co-Cr(27at％)-SiO2(8mol％)的成分以及200kA/m的饱和磁化强度Ms。写协助层6c具有Co-Cr(12at％)-Pt(6at％)的成分、3nm的厚度和760kA/m的饱和磁化强度Ms。与例1至3相比较，该例子的写协助层6c具有极其高的饱和磁化强度Ms。除上述成分和厚度以外的每个层的成分和厚度与例1相同。
表6
成分     饱和磁化强度Ms(kA/m)     厚度(nm)
  写协助层   Co-Cr(12at％)-Pt(6at％)     760     3
  磁耦合层   Co-Cr(27at％)     200     0-3
垂直记录层   (Co-Cr(17at％)-Pt(18at％))-SiO<sub>2</sub>(8mol％) 450 13.5
如图17和18所示，在磁耦合层的厚度约为1.5nm的情况下，饱和磁场Hs示出最小值。随着磁耦合层的厚度从0增加到3nm，信噪比SoNR被提高约2.9dB。通过结合具有较高饱和磁化强度的写协助层和低饱和磁化强度的磁耦合层，可以有效地减弱垂直方向中的交换耦合力，由此在磁耦合层的厚度超过1nm时，能够提高该高信噪比。
<例5>
通过使用与例1相同的制造步骤和估计方法制造磁盘、测量磁性能和写/读性能。表7列出构成该例子中制造的垂直磁记录介质的磁记录层的每个层的成分、饱和磁化强度Ms和厚度。如表7所示，垂直记录层7the具有(Co-Cr(17at％)-Pt(18at％))-SiO2(8mol％)的成分、13.5nm的厚度和450kA/m的饱和磁化强度Ms。磁耦合层6b具有Co-Cr(27at％)的成分以及200kA/m的饱和磁化强度Ms。写协助层6c具有Co-Cr(14at％)-Pt(14at％)-B(10at％)的成分、5nm的厚度和420kA/m的饱和磁化强度Ms。与例1至4相比较，该例子的写协助层6c具有较低的饱和磁化强度Ms。除上述成分和厚度以外的每个层的成分和厚度与例1相同。
表7
成分     饱和磁化强度Ms(kA/m)     厚度(nm)
  写协助层 Co-Cr(14at％)-Pt(14at％)-B(10at％)     420     5
  磁耦合层 Co-Cr(27at％)     200     0-5
垂直记录层 (Co-Cr(17at％)-Pt(18at％))-SiO<sub>2</sub>(8mol％) 450 13.5
如图19和20所示，在磁耦合层的厚度约为3nm的情况下，饱和磁场Hs示出最小值。在磁耦合层的厚度约为2nm的情况下，信噪比SoNR被提高约1.4dB。
<例6>
通过使用与例1相同的制造步骤和估计方法制造磁盘、测量磁性能和写/读性能。表8列出构成该例子中制造的垂直磁记录介质的磁记录层的每个层的成分、饱和磁化强度Ms和厚度。如表8所示，垂直记录层6a具有(Co-Cr(17at％)-Pt(18at％))-SiO2(8mol％)的成分、13.5nm的厚度和450kA/m的饱和磁化强度Ms。磁耦合层6b具有Co-Cr(27at％)的成分以及200kA/m的饱和磁化强度Ms。写协助层6c具有(Co-Cr(12at％)-B(12at％)、4nm的厚度和520kA/m的饱和磁化强度Ms。该例子的写协助层6c不包含Pt。除上述成分和厚度以外的每个层的成分和厚度与例1相同。
表8
成分   饱和磁化强度Ms(kA/m)     厚度(nm)
  写协助层   Co-Cr(12at％)-B(12at％)   520     4
  磁耦合层   Co-Cr(27at％)   200     0-5
垂直记录层   (Co-Cr(17at％)-Pt(18at％))-SiO<sub>2</sub>(8mol％) 450 13.5
如图21和22所示，磁耦合层的最佳厚度是3nm或以上和4nm或以下。在上述范围内的厚度的情况下，最佳垂直交换耦合提供最小的饱和磁场Hs。在磁耦合层的厚度是3nm的情况下，信噪比SoNR被提高1.7dB。
<比较例3>
通过使用与例1相同的磁盘制造步骤和估计方法制造磁盘、测量磁性能和写/读性能。表9列出构成该例子中制造的垂直磁记录介质的磁记录层的每个层的成分、饱和磁化强度Ms和厚度。如表9所示，垂直记录层6a具有(Co-Cr(17at％)-Pt(18at％))-SiO2(8mol％)的成分、13nm的厚度和450kA/m的饱和磁化强度Ms。磁耦合层6b具有Co-Cr(24at％)的成分以及340kA/m的饱和磁化强度Ms。写协助层6c具有Co-Cr(12at％)-Pt(18at％)-B(10at％)的成分、4.4nm的厚度和500kA/m的饱和磁化强度Ms。该比较例子中使用的磁耦合层6b具有比例1至6中使用的磁耦合层更高的饱和磁化强度Ms。
表9
成分   饱和磁化强度Ms(kA/m)     厚度(nm)
  写协助层 Co-Cr(12at％)-Pt(18at％)-B(10at％)   500     4.4
  磁耦合层 Co-Cr(24at％)   340     0-4
垂直记录层 (Co-Cr(17at％)-Pt(18at％))-SiO<sub>2</sub>(8mol％) 450 13
如图23和24所示，随着磁耦合层的厚度增加到4nm，饱和磁场Hs减小且信噪比SoNR增加。该结果表明用于提供最大交换弹性效果的磁耦合层的最佳厚度是4nm或以上。但是，在4nm的磁耦合层的厚度下，由于整个磁记录层的薄膜厚度过大，介质的记录清晰度被降低，以及尽管SoNR被提高约1dB，但是出错率不能被减小。由此，优选设置磁耦合层的饱和磁化强度Ms为300kA/m或更低以及设置磁耦合层的最佳厚度为3nm或以下。
<例7>
通过使用与例1相同的制造步骤和估计方法制造磁盘、测量磁性能和写/读性能。垂直记录层6a具有(Co-Cr(16at％)-Pt(18at％))-SiO2(9mol％)的成分和12nm的厚度。写协助层6c具有Co-Cr(9at％)-Pt(15at％)-Mo(4at％)-B(7at％)的成分和4.6nm的厚度。在2.5nm的磁耦合层6b的厚度下，制造形成有表10所示成分的层的样本号1至8的8种类型磁盘。除上述成分和厚度以外的每个层的成分和厚度与例1相同。
表10
样本号 磁耦合层的成分     -ΔHs(kA/m)     ΔSoNR(dB)
  1     Co-Cr(24at％)-Pt(6at％)     105     1.6
  2     Co-Cr(22at％)-B(7at％)     110     1.8
  3     Co-Cr(22at％)-Mo(5at％)     100     1.5
  4     Co-Cr(22at％)-Ta(5at％)     115     1.6
  5     Co-Cr(22at％)-V(5at％)     105     1.5
  6     Co-Cr(22at％)-Nb(5at％)     100     1.6
  7     Co-Cr(22at％)-Ru(5at％)     110     1.4
  8     Co-Cr(21at％)-Ta(3at％)-B(5at％)     95     1.5
测量磁盘的饱和磁场Hs，并估计相对于磁盘的饱和磁场Hs0的偏差ΔHs，该磁盘未形成有为比较(＝Hs-Hs0)而制造的磁耦合层。此外，对于信噪比，以同样方式估计相对于未形成有磁耦合层的比较磁盘的信噪比的偏差ΔSoNR。表10示出了估计的结果。如表所示，该例子中制造的磁盘的ΔHs约为-100kA/m，并且与比较磁盘相比较，它们的每一个更加易写。此外，它们的每一个示出1.4dB以上的ΔSoNR，以及与比较磁盘相比较，获得更高的信噪比。
<例8>
通过使用与例1相同的制造步骤和估计方法制造磁盘、测量磁性能和写/读性能。垂直记录层6a具有(Co-Cr(16at％)-Pt(18at％))-SiO2(9mol％)的成分和12nm的厚度。写协助层6c具有Co-Cr(9at％)-Pt(13at％)-Mo(5at％)-B(7at％)的成分和4.6nm的厚度。在2.5nm的磁耦合层6b的厚度下，制造形成有表11所示成分的层的样本号9至13的5种类型磁盘。除上述成分和厚度以外的每个层的成分和厚度与例1相同。
表11
样本号 磁耦合层的成分     -ΔHs(kA/m)     ΔSoNR(dB)
    9 (Co-Cr(25at％)-SiO<sub>2</sub>(4mol％)     105     1.6
    10 (Co-Cr(25at％)-SiO<sub>2</sub>(6mol％)     110     1.8
    11 (Co-Cr(20at％)-Mo(5at％))-SiO<sub>2</sub>(6mol％)     100     1.5
    12 (Co-Cr(20at％)-V(5at％)-Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>(6mol％)     115     1.6
    13 (Co-Cr(20at％)-Nb(5at％)-TiO<sub>2</sub>(6mol％)     105     1.5
测量磁盘的饱和度场Hs，并估计相对于磁盘的饱和场Hs0的偏差ΔHs，该磁盘未形成有为比较(＝Hs-Hs0)而制造的磁耦合层。此外，对于信噪比，以同样方式估计相对于未形成有磁耦合层的比较磁盘的信噪比的偏差ΔSoNR。表11示出了估计的结果。如表所示，该例子中制造的磁盘的ΔHs约为-100kA/m，以及与比较磁盘相比较，它们的每一个更加易写。此外，它们的每一个示出1.5dB以上的ΔSoNR，与比较磁盘相比较，获得更高的信噪比。
附图标号说明：
1  基底
2  粘结层
3  软磁底层
4  籽晶层
5  中间层
6  磁记录层
6a  垂直记录层
6b  磁耦合层
6c  写协助层
7  保护层
8  润滑层
9  磁记录介质
10  磁头
11  写主磁极
12  辅助返回磁极
13  尾屏蔽
14  读传感器
15，16  读屏蔽

Claims (23)

1.一种垂直磁记录介质，包括基底、磁记录层和保护层，其中
该磁记录层包括垂直记录层、磁耦合层和写协助层；
该垂直记录层是设置在所述磁耦合层和所述基底之间的、包含有氧化物的Co合金层；
该磁耦合层是设置在所述垂直记录层和所述写协助层之间的铁磁层；
该写协助层是设置在所述磁耦合层和所述保护层之间的铁磁层；
该磁耦合层的饱和磁化强度低于所述垂直记录层的或所述写协助层的饱和磁化强度；以及
该磁耦合层的厚度在1nm到3nm的范围内。
2.根据权利要求1的垂直磁记录介质，其中，该磁耦合层的饱和磁化强度是300kA/m或更低。
3.根据权利要求1的垂直磁记录介质，其中，该磁耦合层包含氧化物。
4.根据权利要求3的垂直磁记录介质，其中，该磁耦合层中包含的氧化物是氧化硅、氧化钽或氧化钛之一或其混合物。
5.根据权利要求1的垂直磁记录介质，其中，该写协助层中包含的氧化物的浓度低于所述垂直记录层中的氧化物的浓度，或者该写协助层不包含氧化物。
6.根据权利要求1的垂直磁记录介质，其中，该磁耦合层的饱和磁化强度和厚度的乘积小于所述垂直记录层的饱和磁化强度和厚度的乘积，并且小于所述写协助层的饱和磁化强度和厚度的乘积。
7.根据权利要求1的垂直磁记录介质，其中
该垂直记录层包含Co、Cr、Pt和氧化硅；
该磁耦合层包含Co和Cr；以及
该写协助层包含Co、Cr、Pt和B。
8.根据权利要求1的垂直磁记录介质，还包括：
软磁底层，其具有互相反铁磁地耦合的第一软磁膜和第二软磁膜、以及设置在该两者之间的中间层；以及
设置在该软磁底层和磁记录层之间的中间层。
9.一种垂直磁记录介质，包括基底、磁记录层和保护层，其中
该磁记录层包括垂直记录层、磁耦合层和写协助层；
该垂直记录层是包含氧化物的Co合金层；
该磁耦合层是设置在所述垂直记录层和所述写协助层之间的铁磁层；
该写协助层是包括Co合金的铁磁层，该Co合金至少包含Cr和Pt，
该磁耦合层是包括Co和Cr作为主要成分的合金，Co含量在70at％到75at％的范围内；以及
该磁耦合层的厚度在1nm到3nm的范围内。
10.根据权利要求9的垂直磁记录介质，其中
第一元素组是包括Pt、B、Mo、Ta、V、Nb和Ru的一组元素，其中
除Co和Cr之外，该磁耦合层还包含选自所述第一元素组的至少一种元素，并且该至少一种元素的总含量不大于10at％。
11.根据权利要求9的垂直磁记录介质，其中
该磁耦合层包含氧化物。
12.根据权利要求9的垂直磁记录介质，其中
该写协助层中包含的氧化物的浓度低于所述垂直记录层中的氧化物的浓度，或者该写协助层不包含氧化物。
13.根据权利要求9的垂直磁记录介质，其中
该垂直记录层包含氧化硅、Co、Pt和Cr，以及
该写协助层包含Co、Cr、Pt和B。
14.根据权利要求9的垂直磁记录介质，还包括：
软磁底层，该软磁底层包含互相反铁磁地耦合的第一软磁膜和第二软磁膜、以及设置在该两者之间的中间层；以及
设置在所述软磁底层和所述磁记录层之间的中间层。
15.一种硬盘驱动器，包括：
包括写主磁极、辅助返回磁极和尾屏蔽的磁头；以及
包括基底、磁记录层和保护层的垂直记录介质，该磁记录层具有垂直记录层、磁耦合层和写协助层，其中
该垂直记录层是包含氧化物的Co合金层；
该磁耦合层是设置在所述垂直记录层和所述写协助层之间的铁磁层；
该写协助层是包括Co合金的铁磁层，该Co合金至少包含Cr和Pt；
该磁耦合层的饱和磁化强度低于所述垂直记录层的或所述写协助层的饱和磁化强度；以及
该磁耦合层的厚度在1nm到3nm的范围内。
16.一种硬盘驱动器，包括：
包括写主磁极、辅助返回磁极和尾屏蔽的磁头；以及
包括基底、磁记录层和保护层的垂直记录介质，该磁记录层具有垂直记录层、磁耦合层和写协助层，其中
该垂直记录层是设置在所述磁耦合层和所述基底之间的、包含有氧化物的Co合金层；
该磁耦合层是设置在所述垂直记录层和所述写协助层之间的铁磁层；
该写协助层是设置所述磁耦合层和所述保护层之间的铁磁层；
该磁耦合层是包括Co和Cr作为主要成分的合金，Co含量在70at％到75at％的范围内；以及
该磁耦合层的厚度在1nm到3nm的范围内。
17.根据权利要求16的硬盘驱动器，其中
当第一元素组是包括Pt、B、Mo、Ta、V、Nb和Ru的元素组时，除Co和Cr之外，该磁耦合层还包含选自该第一元素组的至少一种元素，并且该至少一种元素的总含量不大于10at％。
18.根据权利要求16的硬盘驱动器，其中
该垂直记录层包含Co、Cr、Pt和氧化硅；
该磁耦合层包含Co和Cr；以及
该写协助层包含Co、Cr、Pt和B。
19.根据权利要求16的硬盘驱动器，其中该磁耦合层包含氧化物。
20.根据权利要求16的硬盘驱动器，还包括：
软磁底层，其包含互相反铁磁地耦合的第一软磁膜和第二软磁膜、以及设置在该两者之间的包括Ru作为主要成分的中间层；以及
设置在该软磁底层和所述磁记录层之间的中间层。
21.根据权利要求15的硬盘驱动器，其中
该垂直记录层包含Co、Cr、Pt和氧化硅；
该磁耦合层包含Co和Cr；以及
该写协助层包含Co、Cr、Pt和B。
22.根据权利要求15的硬盘驱动器，其中，该磁耦合层包含氧化物。
23.根据权利要求15的硬盘驱动器，还包括：
软磁底层，其包含互相反铁磁地耦合的第一软磁膜和第二软磁膜、以及设置在该两者之间的包括Ru作为主要成分的中间层；以及
设置在该软磁底层和所述磁记录层之间的中间层。
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Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7639451B2 (en) * 2007-01-30 2009-12-29 Tdk Corporation Thin-film magnetic head, head gimbal assembly, and hard disk system
JP2008186555A (ja) * 2007-01-31 2008-08-14 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 磁気記録装置
US8758911B2 (en) 2007-05-30 2014-06-24 Wd Media (Singapore) Pte. Ltd. Perpendicular magnetic recording medium and perpendicular magnetic recording medium manufacturing method
JP5103097B2 (ja) * 2007-08-30 2012-12-19 エイチジーエスティーネザーランドビーブイ 垂直磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記録再生装置
US8603649B2 (en) 2007-10-07 2013-12-10 Wd Media (Singapore) Pte. Ltd. Perpendicular magnetic recording medium
US8179634B2 (en) * 2007-12-27 2012-05-15 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Perpendicular magnetic recording writer main pole having imbedded non-magnetic core and de-coupled pole tip
US8136225B1 (en) * 2008-05-15 2012-03-20 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing a perpendicular magnetic recording head
US8136226B2 (en) * 2008-05-16 2012-03-20 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Read sensors and methods of making same with back-edge milling and refilling
JP2010040071A (ja) * 2008-07-31 2010-02-18 Showa Denko Kk 垂直磁気記録媒体、垂直磁気記録媒体の製造方法、および磁気記憶装置
US8147995B2 (en) * 2008-08-06 2012-04-03 Seagate Technology Llc Patterned media bits with cladding shell
JP5088629B2 (ja) * 2008-08-22 2012-12-05 昭和電工株式会社 磁気記録媒体および磁気記録再生装置
JP5530673B2 (ja) * 2008-09-29 2014-06-25 ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド 垂直磁気記録媒体
US7867637B2 (en) 2008-11-17 2011-01-11 Seagate Technology Llc Low coupling oxide media (LCOM)
JP2010134977A (ja) * 2008-12-02 2010-06-17 Toshiba Storage Device Corp 磁気記録媒体及び磁気記憶装置
US8685547B2 (en) * 2009-02-19 2014-04-01 Seagate Technology Llc Magnetic recording media with enhanced writability and thermal stability
KR101683135B1 (ko) * 2009-03-13 2016-12-06 시게이트 테크놀로지 엘엘씨 수직자기기록매체
US8163405B2 (en) * 2009-03-27 2012-04-24 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. System, method and apparatus for multiple anisotropy layered magnetic structures for controlling reversal mechanism and tightening of switching field distribution in bit patterned media
US8580409B2 (en) * 2009-11-09 2013-11-12 HGST Netherlands B.V. Perpendicular magnetic recording media having a dual onset layer
US9401170B1 (en) 2009-11-24 2016-07-26 WD Media, LLC Perpendicular magnetic recording medium with epitaxial exchange coupling layer
US8173282B1 (en) 2009-12-11 2012-05-08 Wd Media, Inc. Perpendicular magnetic recording medium with an ordering temperature reducing layer
US8168310B2 (en) 2009-12-15 2012-05-01 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Perpendicular magnetic recording media with oxide-containing exchange coupling layer
JP5516283B2 (ja) * 2010-03-17 2014-06-11 富士電機株式会社 垂直磁気記録媒体
JP4892073B2 (ja) * 2010-03-30 2012-03-07 株式会社東芝 磁気記録媒体、その製造方法、及び磁気記録再生装置
US8339734B2 (en) 2010-04-23 2012-12-25 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetic write head having a wrap around trailing shield with an asymetrical side gap
US20110262776A1 (en) * 2010-04-23 2011-10-27 Shih-Chin Chen Perpendicular magnetic recording medium with non-afc soft magnetic underlayer structure
JP2011253597A (ja) * 2010-06-03 2011-12-15 Wd Media (Singapore) Pte. Ltd 垂直磁気記録媒体及びその製造方法
US9142240B2 (en) 2010-07-30 2015-09-22 Seagate Technology Llc Apparatus including a perpendicular magnetic recording layer having a convex magnetic anisotropy profile
US8940418B1 (en) 2010-12-23 2015-01-27 WD Media, LLC Dynamic spring media with multiple exchange coupled hard-soft magnetic layers
JP2012203933A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Toshiba Corp 記録層上部に軟磁性粒子混在保護層を有する垂直磁気記録媒体及びこれを備えた磁気ディスク装置
US9028985B2 (en) 2011-03-31 2015-05-12 WD Media, LLC Recording media with multiple exchange coupled magnetic layers
US20120307395A1 (en) * 2011-05-31 2012-12-06 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. PERPENDICULAR MAGNETIC RECORDING MEDIUM WITH AN INVERTED Hk STRUCTURE
US8320232B1 (en) * 2011-07-21 2012-11-27 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Patterned perpendicular magnetic recording medium with multiple magnetic layers and interlayers
US8614862B1 (en) 2012-12-21 2013-12-24 HGST Netherlands B.V. Perpendicular magnetic recording media having a cap layer above a granular layer
US9190094B2 (en) 2013-04-04 2015-11-17 Western Digital (Fremont) Perpendicular recording media with grain isolation initiation layer and exchange breaking layer for signal-to-noise ratio enhancement
US9406327B2 (en) 2013-08-30 2016-08-02 HGST Netherlands B.V. Granular media with a high-Hk assist layer for microwave-assisted magnetic recording
US8824084B1 (en) * 2014-04-28 2014-09-02 HGST Netherlands B.V. Perpendicular magnetic recording disk with patterned servo regions and templated growth method for making the disk
CN104032274B (zh) * 2014-06-12 2016-07-20 贵研铂业股份有限公司 一种CoCrPt系合金溅射靶材和薄膜及其制备方法
JP6253535B2 (ja) * 2014-07-10 2017-12-27 株式会社東芝 磁気記録再生装置および磁気記録再生方法
US9685184B1 (en) 2014-09-25 2017-06-20 WD Media, LLC NiFeX-based seed layer for magnetic recording media
US9990940B1 (en) 2014-12-30 2018-06-05 WD Media, LLC Seed structure for perpendicular magnetic recording media
TWI702294B (zh) * 2018-07-31 2020-08-21 日商田中貴金屬工業股份有限公司 磁氣記錄媒體用濺鍍靶
SG11202011990SA (en) 2018-08-09 2021-01-28 Jx Nippon Mining & Metals Corp Sputtering target, granular film, and perpendicular magnetic recording medium

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1811927A (zh) * 2005-01-26 2006-08-02 日立环球储存科技荷兰有限公司 具有与垂直记录层耦合的磁转矩层的垂直磁记录介质

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06119632A (ja) 1992-10-07 1994-04-28 Fujitsu Ltd 垂直磁気記録媒体
US6268073B1 (en) * 1998-11-09 2001-07-31 Seagate Technology Llc Flash layer overcoat for magnetically-induced super resolution magneto-optical media
AU7963100A (en) * 1999-10-29 2001-05-08 Hitachi Maxell, Ltd. Magnetic recording medium, method for producing the same, and magnetic recorder
US6954340B2 (en) * 2001-05-23 2005-10-11 Seagate Technology Llc Perpendicular magnetic recording head with nonmagnetic write gap greater than twice side shield gap distance
JP3900999B2 (ja) 2002-04-16 2007-04-04 富士電機デバイステクノロジー株式会社 垂直磁気記録媒体
JP2004127480A (ja) 2002-08-02 2004-04-22 Furumura Ichiro 高密度垂直磁気記録用記録ヘッド
JP2004164692A (ja) * 2002-11-08 2004-06-10 Toshiba Corp 磁気記録媒体及びその製造方法
JP2004164492A (ja) * 2002-11-15 2004-06-10 Saint Song Corp コンピュータホストの放熱方法および放熱装置
JP2004259306A (ja) * 2003-02-24 2004-09-16 Hitachi Ltd 磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法
JP3774446B2 (ja) * 2003-04-28 2006-05-17 株式会社東芝 垂直磁気記録ヘッドおよび磁気ディスク装置
JP4260002B2 (ja) * 2003-12-24 2009-04-30 ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ 磁気ヘッドとその製造方法および磁気記録再生装置
JP4540557B2 (ja) * 2004-07-05 2010-09-08 富士電機デバイステクノロジー株式会社 垂直磁気記録媒体
JP3780290B2 (ja) * 2004-09-29 2006-05-31 Ｔｄｋ株式会社 磁気記録再生装置
JP4160947B2 (ja) 2004-11-09 2008-10-08 Ｔｄｋ株式会社 磁気ヘッド、および磁気記録装置
US7687157B2 (en) * 2005-02-04 2010-03-30 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Perpendicular recording media having an exchange-spring structure
JP2006309922A (ja) * 2005-03-31 2006-11-09 Fujitsu Ltd 磁気記録媒体及び磁気記録装置
JP2006323899A (ja) * 2005-05-17 2006-11-30 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
JP2006351055A (ja) * 2005-06-13 2006-12-28 Showa Denko Kk 垂直磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置
JP2007250094A (ja) * 2006-03-16 2007-09-27 Fujitsu Ltd 磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法、及び磁気記録装置
JP4628294B2 (ja) * 2006-03-30 2011-02-09 ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ 磁気記憶装置
JP4623594B2 (ja) * 2006-09-05 2011-02-02 富士電機ホールディングス株式会社 垂直磁気記録媒体
JP4764308B2 (ja) * 2006-10-20 2011-08-31 株式会社東芝 垂直磁気記録媒体及び垂直磁気記録再生装置
JP2008186555A (ja) * 2007-01-31 2008-08-14 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 磁気記録装置
US20090168241A1 (en) * 2007-12-26 2009-07-02 Masafumi Mochizuki Magnetic disk drive

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1811927A (zh) * 2005-01-26 2006-08-02 日立环球储存科技荷兰有限公司 具有与垂直记录层耦合的磁转矩层的垂直磁记录介质

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008176858A (ja) 2008-07-31
US8000060B2 (en) 2011-08-16
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US20080180843A1 (en) 2008-07-31
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