CN101233088A - 导电性金属氧化物薄膜除去方法以及装置 - Google Patents

导电性金属氧化物薄膜除去方法以及装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101233088A
CN101233088A CNA2006800279259A CN200680027925A CN101233088A CN 101233088 A CN101233088 A CN 101233088A CN A2006800279259 A CNA2006800279259 A CN A2006800279259A CN 200680027925 A CN200680027925 A CN 200680027925A CN 101233088 A CN101233088 A CN 101233088A
Authority
CN
China
Prior art keywords
conductive metal
metal oxide
electrode
oxide thin
thin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006800279259A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101233088B (zh
Inventor
大工博之
井上铁也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Zosen Corp
Original Assignee
Hitachi Zosen Corp
Hitz Hi Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Zosen Corp, Hitz Hi Technology Corp filed Critical Hitachi Zosen Corp
Publication of CN101233088A publication Critical patent/CN101233088A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101233088B publication Critical patent/CN101233088B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F1/00—Electrolytic cleaning, degreasing, pickling or descaling
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/001—General methods for coating; Devices therefor
    • C03C17/002—General methods for coating; Devices therefor for flat glass, e.g. float glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F7/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic removal of material from objects; Servicing or operating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/32—After-treatment
    • C03C2218/328—Partly or completely removing a coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Electrolytic Production Of Metals (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

本发明提供不留伤痕或应力变形等地除去导电性金属氧化物薄膜的方法以及装置。所述装置具有以一端浸渍于电解液17的状态配置的第1电极18；以浸渍于加工槽16内的电解液17的基材12的导电性金属有机物薄膜11为负极的条件，以一端浸渍于电解液17的状态配置，所述一端与导电性金属氧化物薄膜11相对的第2电极13；以该第2电极13为正极、且第1电极18为负极的条件施加直流电压的电源14。在两电极13、18上施加交流电压，通过还原反应除去导电性金属氧化物氧化物薄膜11。本发明可以将导电性金属氧化物氧化物薄膜不发生损伤或应力变形地高效率地除去，能够实现高价的功能性玻璃基板等的再生利用。

Description

导电性金属氧化物薄膜除去方法以及装置
技术领域
本发明涉及将通过例如溅射蒸镀等形成在基材上的导电性金属氧化物薄膜以能够再利用的状态除去的方法以及实施该方法的装置。
背景技术
例如，形成了ITO(作为铟和锡的氧化物，具有透明导电性的膜)的高性能玻璃基板的光学性能(透射率等)和机械性能(平坦度等)良好，例如被用于平板显示器。但是，由于该高性能玻璃基板的价格高，因此形成于其表面的ITO不满足品质管理标准时，除去该ITO后再利用，从而试图降低成本。
作为除去该ITO等导电性金属氧化物薄膜的方法，有通过机械摩擦除去的方法和通过化学蚀刻除去的方法。其中，前一种方法为，如图9所示，将形成在被加工物1的表面的导电性金属氧化物薄膜通过研磨刷2摩擦，从而除去的方法。
另外，后一种方法为，如图10所示，将被加工物1浸渍于以化学反应使导电性金属氧化物薄膜溶解的化学液3中，从而除去形成于其表面的导电性金属氧化物薄膜的方法(例如专利文献1、2)。
专利文献1：日本专利特开平6-321581号公报
专利文献2：日本专利特开平9-86968号公报
发明的揭示
但是，通过机械摩擦除去的方法由于用研磨刷摩擦，因此被加工物的表面可能会产生擦痕(伤)或应力变形的情况。产生擦痕的情况下，无法再利用。另外，作为加工对象的被加工物为平板显示器时，玻璃基板的玻璃厚度约为0.5mm，因此可能会因接触方式的机械磨擦而损坏。因此，需要精细的刷子的压力调整，完全剥离所需要的时间长。
另一方面，通过化学蚀刻除去的方法使用强酸或强碱的化学液，因此操作时需要严加注意，不仅作业性变差，还需要将使用后的电解液进行废液处理。另外，稀有金属的回收需要另外的提取作业，因此非常不经济。
本发明要解决的技术问题是：机械磨擦方法中，产生擦痕或应力变形而无法再利用基材，而且需要刷子的精细的压力调整而完全剥离所需要的时间长的问题；化学蚀刻的方法中，不仅作业性变差，而且需要将使用后的电解液进行废液处理，并且稀有金属的回收需要另外的提取作业而不经济的问题。
为了在不在基材上留下擦痕或应力变形等且不使用强酸或强碱的化学液的情况下，除去基材的导电性金属氧化物薄膜，本发明的导电性金属氧化物薄膜的除去方法的最主要的特征为，具有浸渍于电解液的具备导电性金属氧化物薄膜的基材、被浸渍于电解液的第1电极，被浸渍于电解液且与所述导电性金属氧化物薄膜相对地配置的第2电极，通过以第1电极为负极、第2电极为正极的条件施加电压，以还原反应除去所述导电性金属氧化物薄膜。
在本发明的导电性金属氧化物薄膜的除去方法中，如果所述还原反应后的基材表面的导电性金属的除去通过例如采用海绵等柔软物体的磨擦或喷射水流的喷射来进行，则不会在基材表面产生损伤或变质层，可以可靠地除去残留的导电性金属。
在上述的本发明中，通过使用电阻率为102Ω·cm～106Ω·cm的电解液，能够高效率地除去形成于基材上的导电性金属。
本发明的导电性金属氧化物薄膜的除去方法可以通过使用本发明的装置来实施，所述装置具有以至少一端浸渍在电解液中的状态配置的第1电极；以浸渍于加工槽内的电解液的基材的导电性金属氧化物薄膜为负极的条件，以至少一端浸渍在电解液中的状态配置，且所述一端与所述导电性金属氧化物薄膜相对的第2电极；以该第2电极为正极、所述第1电极为负极的条件施加电压的电源。
如果采用将本发明的导电性金属氧化物薄膜除去装置的所述第1电极或所述第2电极制成以电解液流下至所述基材的导电性金属氧化物薄膜上的条件在所述基材的上方以不与电解液接触的状态倾斜配置的平板状，具备向该倾斜配置的平板状的第1电极或第2电极供给电解液的电解液供给部件的结构，则可以减小导电性金属氧化物薄膜上的电解液层的厚度，因此除去效率提高。
另外，所述本发明的导电性金属氧化物薄膜除去装置中具有所述基材、所述第2电极等的移动部件时，形成于所述基材的表面的导电性金属的除去可以高效率地进行。
在上述的本发明的导电性金属氧化物薄膜除去装置中，最好是以所述第1电极比所述第2电极先通过所述基材的导电性金属氧化物薄膜上的状态配置所述第1电极和所述第2电极。这是因为，如果为了使将电压施加于正极的第2电极附近的导电性金属氧化物薄膜产生还原作用而使其向反方向移动，则进行还原反应而失去连续的导电性的部分通过电极之间，可能会无法形成后述的闭合电路。
另外，在所述本发明的导电性金属氧化物薄膜除去装置中，采用将所述加工槽内的电解液引至电解液供给部件或所述喷射部件而使所述电解液可循环利用的结构时，所需的电解液的量可以减少。
在本发明中，通过基于非接触方式的电解析出而减弱附着力后，除去形成在基材上的导电性金属，因此不会在基材上留损伤或应力变形，可以高效率地除去导电性金属氧化物薄膜，能够实现使用于半导体领域的高价的功能性玻璃基板等的再生利用。另外，由于不使用强酸或强碱的化学液，因此可以减少环境负荷，且能够实现以基材为代表的稀有金属等的资源循环利用，成本上也是有利的。
附图的简单说明
图1是表示本发明的基本原理的图。
图2是说明实施本发明方法的本发明装置的第1例的图。
图3是说明实施本发明方法的本发明装置的第2例的图。
图4是说明实施本发明方法的本发明装置的第3例的图。
图5是说明实施本发明方法的本发明装置的第4例的图。
图6是说明实施本发明方法的本发明装置的第5例的图。
图7是说明实施本发明方法的本发明装置的第6例的图。
图8是表示利用本发明装置的第4例将导电性金属氧化物薄膜电解还原处理后的回收装置的一例的图。
图9是关于通过机械磨擦除去金属薄膜的方法进行说明的图。
图10是关于通过化学蚀刻除去金属薄膜的方法进行说明的图。
符号说明
11导电性金属氧化物薄膜
11a导电性金属
12基材
13第2电极
14电源
15旋转海绵体
16加工槽
17电解液
18第1电极
19循环槽
20泵
22喷射嘴
实施发明的最佳方式
本发明通过由基于非接触方式的电解析出减弱附着力后除去形成在基材上的的导电性金属，从而实现在不在基材上残留擦痕或应力变形等且不使用强酸或强碱的化学液的情况下，除去基材的导电性金属氧化物薄膜的目的。
实施例
下面，使用图1对本发明方法的基本原理进行说明后，使用图2～图8对用于实施本发明的最佳方式详细地进行说明。
本发明是对基材不留损伤或应力变形等的非接触的加工方法，而且是不使用强酸或强碱的导电性金属氧化物薄膜的除去方法。
即，在本发明中，如图1所示，将具有导电性金属氧化物薄膜11的绝缘体或导电体等基材12、第1电极18和第2电极13浸渍于加工槽16内的电解液17中。然后，以第1电极18为负极、第2电极13为正极的条件，由电源14施加例如直流电压或脉冲电压。
通过这样的方法，在导电性金属氧化物薄膜11发生还原反应而金属化，与基材12的结合变弱。与基材12的结合变弱了的导电性金属11a通过以弱的应力磨擦，例如通过旋转海绵体15等柔软物体，被可靠地从基材12除去。另外，也可以采用喷射水流等非接触的方法来代替所述柔软物体。
即，在本发明中，如果以形成有导电性金属氧化物薄膜11的基材12和第1电极18为负极、第2电极13为正极的条件施加例如直流电压，则与第2电极13的正极相对的导电性金属氧化物薄膜11的表面部分成为负极，通过电解作用自两电极的表面开始产生氢·氧离子以及微细气泡。
在导电性金属氧化物薄膜11的表面，通过该电解作用产生H2，而该H2成为还原剂，产生除去导电性金属氧化物薄膜中的O2的作用。另外，该H2的产生发生在导电性金属氧化物薄膜的表面，因此发生高效率的还原反应。
失去基于O2的结合的导电性金属氧化物薄膜仅剩金属元素，对基材表面的结合力变弱。该仅剩金属元素的导电性金属可以通过海绵等柔软物体产生的弱应力的磨擦或通过喷射水流容易地除去。
本发明的导电性金属氧化物薄膜的除去方法是基于上述基本原理的方法，例如用示于图2的本发明的导电性金属氧化物薄膜除去装置来实施。
图2是在加工槽16的电解液17中，在使导电性金属氧化物薄膜11朝向液面浸渍的基材12的上方，不与该导电性金属氧化物薄膜11接触地、平行地配置第1电极18和第2电极13并使其浸渍于电解液17中的装置。
接着，如果以第1电极18为负极、第2电极13为正极的条件由电源14施加例如直流电压，则形成电源14(+)-第2电极13-电解液17-导电金属线氧化物薄膜11-电解液17-第1电极18-电源14(-)的闭合电路，自施加于正极的第2电极13附近的导电性金属氧化物薄膜11的表面产生氢的微细气泡。
这时，在第2电极13附近的导电性金属氧化物薄膜11的表面产生的H2成为还原剂，产生除去导电性金属氧化物薄膜11中的O2的作用。并且，该H2的产生发生在导电性金属氧化物薄膜11的表面，因此发生高效率的还原反应。
失去基于O2的结合的导电性金属氧化物薄膜11仅剩金属元素，在基材12的表面以结合力变弱了的状态存在。与基材12的结合变弱了的导电性金属11a通过配置于第2电极13的下游侧的旋转海绵体15，以弱应力磨擦，从而从基材12被除去。
本发明的导电性金属氧化物薄膜除去装置不局限于示于图2的结构，也可以是示于图3～图7的结构。
图3是将所述第1电极18制成以电解液17流下至所述基材12的导电性金属氧化物薄膜11上的条件，在基材12的上方以不与电解液17接触的状态倾斜配置的平板状的装置。
并且，在图3中，将加工槽16的电解液17暂时接收到循环槽19后，由泵20送至第1电极18，从而将加工槽16内的电解液17供给于该倾斜配置的平板状的第1电极18而循环使用。将该电解液17接收到循环槽19时，如果使其通过滤器21来除去混入电解液17中的金属，则可以防止采用旋转海绵体15磨擦时在基材12上产生损伤。
另外，在示于图3的结构的本发明装置中，将第2电极13和旋转海绵体15合为一体的装置为图4。通过示于该图4的结构，导电性金属氧化物薄膜11在还原的同时被磨擦，被可靠地从基材12除去。
图5是将喷射喷射水流的喷射嘴22设置于基材12的表面来代替示于图2的结构的本发明装置的旋转海绵体15，对于该喷射嘴22的电解液17的供给采用与图3同样地供给加工槽16内的电解液17而循环使用的方式的装置。通过自该喷射嘴22的喷射水流进行与基材12的结合变弱了的导电性金属11a的除去的装置可以可靠地防止基材12上产生损伤。
另外，图6是设置喷射嘴22来代替图3所示的结构的本发明装置的旋转海绵体15，对于该喷射嘴22的电解液17的供给采用供给加工槽16内的电解液17而循环使用的方式的装置。
图7是所述示于图2的结构的本发明装置中将第2电极13和喷射嘴22合为一体的装置。
这些示于图3～图7的例子中，使电解液通过滤器21来除去混入电解液17中的金属，但也可以如图8所示回收混入至电解液17中的还原金属来代替该方法。
即，将包含从基材12被除去的导电性金属11a的电解液17蓄至回收槽23，通过微细气泡发生器24混入微细气泡。由此，微细气泡成为核而金属微粒聚集，可以通过滤器回收，所以通过滤器25回收还原金属。
如上所述，本发明不采用通常进行的在被加工物上施加正电压的电解析出除去反应，而是在被加工物上施加负电压的具有特征的加工方法。
另外，这里的电解反应在导电性金属氧化物薄膜表面的极微少的领域上使H2产生即可，因此几乎不需要电流。
因此，使用的电解液17可以采用通常被使用的中性盐溶液或者在自来水或河水等中混合中性盐溶液而得的电解液，但较好是电阻率被调节至102Ω·cm～106Ω·cm，更好是103Ω·cm～104Ω·cm。其理由是：在本发明中，由于第1电极18·第2电极13均不与基材12接触，因此在电阻率为不足102Ω·cm的高导电性的电解液17中，被施加于第1电极18以及第2电极13之间的电压不通过导电性金属氧化物薄膜11，而在所述第1电极18以及第2电极13之间通过电解液17形成导通状态，因此导电性金属氧化物薄膜11的除去效率降低；另外，如果电阻率超过106Ω·cm，则需要施加高电压，成本上是不理想的。
如上所述，在本发明中，较好是电阻率比高的电解液17，因此可以使用以往不适合作为电解液17的自来水或河水等，在经济性以及安全性方面也良好。
顺便提一下，作为电解液使用自来水，将在玻璃基板上形成了膜厚为1000×10-10m的ITO的100mm×100mm的被加工物如图3所示浸渍于所述电解液中，在同样浸渍于电解液中的Cu制的第2电极(正极)和所述平板装第1电极(负极)之间施加约100V的直流电压约1分钟(电流：0.5A)，然后以直径为150mm的旋转海绵体磨擦玻璃基板的表面而擦除后，可以除去ITO，能够实现玻璃基板的再生。
本发明不局限于前述的例子，当然可以在记载于各权利要求的技术内容的范围内适当地改变实施方式，例如将第2电极13制成倾斜配置的平板状来代替图3的第1电极18。另外，混入电解质17中的还原金属的回收也不局限于示于图8的方法。

Claims (5)

1.导电性金属氧化物薄膜的除去方法，其特征在于，具有浸渍于电解液的具有导电性金属氧化物薄膜的基材、被浸渍于电解液的第1电极以及被浸渍于电解液且与所述导电性金属氧化物薄膜相对地配置的第2电极，通过以第1电极为负极、第2电极为正极的条件施加电压，以还原反应将所述导电性金属氧化物除去。
2.如权利要求1所述的导电性金属氧化物薄膜的除去方法，其特征在于，所述电解液的电阻率为102Ω·cm～106Ω·cm。
3.导电性金属氧化物薄膜的除去装置，它是实施权利要求1或2所述的导电性金属氧化物薄膜的除去方法的装置，其特征在于，具有以至少一端浸渍在电解液中的状态配置的第1电极；以浸渍于加工槽内的电解液的基材的导电性金属氧化物薄膜为负极的条件，以至少一端浸渍在电解液中的状态配置，且所述一端与所述导电性金属氧化物薄膜相对的第2电极；以该第2电极为正极、所述第1电极为负极的条件施加电压的电源。
4.如权利要求3所述的导电性金属氧化物薄膜的除去装置，其特征在于，将所述第1电极或所述第2电极制成以电解液流下至所述基材的导电性金属氧化物薄膜上的条件在所述基材的上方以不与电解液接触的状态倾斜配置的平板状，具备向该倾斜配置的平板状的第1电极或第2电极供给电解液的电解液供给部件。
5.如权利要求3或4所述的导电性金属氧化物薄膜的除去装置，其特征在于，具有所述基材或所述第2电极的移动部件，或者所述基材以及所述第2电极的移动部件。
CN2006800279259A 2005-08-01 2006-07-31 导电性金属氧化物薄膜除去方法以及装置 Expired - Fee Related CN101233088B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP223089/2005 2005-08-01
JP2005223089 2005-08-01
PCT/JP2006/315135 WO2007015454A1 (ja) 2005-08-01 2006-07-31 導電性金属酸化物薄膜除去方法及び装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101233088A true CN101233088A (zh) 2008-07-30
CN101233088B CN101233088B (zh) 2012-03-28

Family

ID=37708734

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006800279259A Expired - Fee Related CN101233088B (zh) 2005-08-01 2006-07-31 导电性金属氧化物薄膜除去方法以及装置

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5129569B2 (zh)
KR (1) KR101308505B1 (zh)
CN (1) CN101233088B (zh)
TW (1) TW200728520A (zh)
WO (1) WO2007015454A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103109000A (zh) * 2010-09-24 2013-05-15 欧瑞康贸易股份公司(特吕巴赫) 对工件除层的方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4966751B2 (ja) * 2007-06-06 2012-07-04 日立造船株式会社 導電性金属酸化物薄膜の除去方法及び装置
KR101769612B1 (ko) 2010-12-10 2017-08-21 삼성디스플레이 주식회사 기판 평탄화 방법
TR201902731A2 (tr) * 2019-02-23 2020-09-21 Aydeşki̇n Mustafa Elektrik iletken kaplamalı low-e camlardan kaplama uzaklaştırma yöntemi

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2538500B2 (ja) * 1993-05-17 1996-09-25 西山ステンレスケミカル株式会社 液晶パネル用ガラス板の再生方法
JPH0986968A (ja) * 1995-09-29 1997-03-31 Sumitomo Chem Co Ltd クロム遮光層を有するカラーフィルター用ガラス基板の再生方法
FR2821862B1 (fr) * 2001-03-07 2003-11-14 Saint Gobain Procede de gravure de couches deposees sur des substrats transparents du type substrat verrier
FR2831708B1 (fr) * 2001-10-29 2004-01-30 Thomson Licensing Sa Procede et dispositif pour decaper une couche mince conductrice deposee sur une plaque isolante, de maniere a y former un reseau d'electrodes

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103109000A (zh) * 2010-09-24 2013-05-15 欧瑞康贸易股份公司(特吕巴赫) 对工件除层的方法
CN103109000B (zh) * 2010-09-24 2018-06-26 欧瑞康表面解决方案股份公司，普费菲孔 对工件除层的方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2007015454A1 (ja) 2007-02-08
JP5129569B2 (ja) 2013-01-30
CN101233088B (zh) 2012-03-28
TW200728520A (en) 2007-08-01
KR20080034140A (ko) 2008-04-18
JPWO2007015454A1 (ja) 2009-02-19
KR101308505B1 (ko) 2013-09-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10665907B2 (en) Devices and method for smelterless recycling of lead acid batteries
CN101233088B (zh) 导电性金属氧化物薄膜除去方法以及装置
WO2016081030A1 (en) Improved devices and method for smelterless recycling of lead acid batteries
JP4884128B2 (ja) 導電性金属酸化物薄膜の除去方法及び装置
CN101416283B (zh) 导电性金属氧化物薄膜的除去方法及装置
JP4828910B2 (ja) 導電性金属酸化物薄膜の除去装置
JP4966751B2 (ja) 導電性金属酸化物薄膜の除去方法及び装置
JP4157753B2 (ja) 金属薄膜の除去方法及び装置
CN101851777B (zh) 移除基板表面过量金属的电解装置及应用该装置以移除过量金属的方法
JP4781774B2 (ja) 導電性金属酸化物薄膜の除去方法及び装置
JP4824365B2 (ja) 導電性金属酸化物除去方法及び装置
JP4792324B2 (ja) 導電性金属酸化物薄膜の除去方法及び装置
JP4884080B2 (ja) 導電性金属酸化物薄膜の除去装置
JP4701072B2 (ja) 導電性金属酸化物薄膜の除去方法及び装置
CN1323973C (zh) 金属薄膜的除去方法及装置
JP2010104923A (ja) 微小導電性金属酸化物の除去方法及び装置
OA17808A (en) Devices and methods for smelterless recycling of lead acid batteries.
OA19078A (en) Improved devices and method for smelterless recycling of lead acid batteries.
JP2014118596A (ja) 金属成分の回収方法および回収装置
JP2010104924A (ja) 微小導電性金属酸化物の除去方法及び装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20090807

Address after: Osaka Japan

Applicant after: Hitachi Shipbuilding Corporation

Address before: Osaka, Japan

Applicant before: Hitachi Shipbuilding Corporation

Co-applicant before: Hitz Hi-Technology Corporation

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120328

Termination date: 20150731

EXPY Termination of patent right or utility model