JP4792324B2 - 導電性金属酸化物薄膜の除去方法及び装置 - Google Patents

導電性金属酸化物薄膜の除去方法及び装置 Download PDF

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本発明は、例えばスパッタ蒸着などにより基材に形成された導電性金属酸化物薄膜を、再利用が可能なように除去する方法及びその方法を実施する装置に関するものである。
例えばITO(インジウムとスズの酸化物で、透明導電性を有する膜)を形成した高機能ガラス基板は、光学的性能(透過率等)や機械的性能(平坦度等)に優れており、例えばフラットパネルディスプレイに用いられる。しかしながら、この高機能ガラス基板は高価であるため、その表面に形成するITOが品質管理基準を満足しない場合には、そのITOを除去して再利用することで、コストの低減を図っている。
このITOなどの導電性金属酸化物薄膜を除去する方法として、機械的擦過により除去する方法や、化学エッチングにより除去する方法がある。このうち前者の方法は、図6に示すように、被加工物1の表面に形成した導電性金属酸化物薄膜1aを研摩ブラシ2により擦過することで除去するものである。
また、後者の方法は、図7に示すように、導電性金属酸化物薄膜1aを化学反応的に溶解させる化学液3に被加工物1を浸漬することで、その表面に形成した導電性金属酸化物薄膜1aを除去するものである(例えば特許文献1,2)。
特開平6−321581号公報 特開平9−86968号公報
しかしながら、機械的擦過によって除去する方法は、研摩ブラシを擦りつけることから、被加工物の表面に擦過痕(疵)や応力変形を生じさせる場合がある。擦過痕が生じた場合、再利用ができなくなる。また、対象とする被加工物がフラットパネルディスプレイの場合、ガラス基板のガラス厚みが0.5mm程度であるため、接触方式の機械的擦過では破損する可能性がある。従って、微妙なブラシの圧力調整が必要で、完全に剥離するためには長時間を要する。
一方、化学エッチングによって除去する方法は、強酸や強アルカリの化学液を使用するので、基板表面に化学的応力が発生し、基板表面に変質層を生じさせる場合がある。また、取扱いに十分な注意を払う必要があり、作業性が悪くなるばかりでなく、使用後の電解液を廃液処理する必要がある。また、希少金属の回収には、別途抽出作業を必要とするために非常に不経済である。
本発明が解決しようとする問題点は、機械的擦過による方法では、擦過痕や応力変形が生じて基材を再利用できなくなり、また、ブラシの微妙な圧力調整が必要で完全剥離に長時間を要するという点、化学エッチングによる方法では、基板表面に変質層を生じさせる場合があり、また作業性が悪くなるばかりか、使用後の電解液を廃液処理する必要があり、しかも、希少金属の回収に別途抽出作業が必要で、不経済であるという点である。
本発明の導電性金属酸化物薄膜の除去方法は、
基材に擦過痕や応力変形などを残さず、かつ、強酸や強アルカリの化学液を使用しないで、基材の導電性金属酸化物薄膜を基材の端部まで、効率良く除去するために、
基材の表面に形成された導電性金属酸化物薄膜と対向する位置に正電極と負電極を配置した後、
これら導電性金属酸化物薄膜と、正電極、負電極間に電解液を供給しつつ、前記両電極に電圧を印加して、前記基材を前記正電極、負電極に対して移動することで、前記導電性金属酸化物薄膜を還元反応により除去する方法において
記負電極として、所要の間隔を存して配置されるローラ間を、前記導電性金属酸化物薄膜と接触させた状態で回転するメッシュ状の無端ベルトを使用し、
前記正電極として、前記無端ベルト内に、無端ベルトを介して前記導電性金属酸化物薄膜と対向すべく配置したものを使用すること、
を最も主要な特徴としている。
この本発明の導電性金属酸化物薄膜の除去方法では
電極として、所要の間隔を存して配置されるローラ間を、前記導電性金属酸化物薄膜と接触させた状態で回転するメッシュ状の無端ベルトを使用し、
正電極として、前記無端ベルト内に、無端ベルトを介して前記導電性金属酸化物薄膜と対向すべく配置したものを使用する、
ことにより、基材に擦過痕や応力変形などを残さず、基材の表面に形成された導電性金属酸化物薄膜を端部まで除去することができる。
記の本発明の導電性金属酸化物薄膜の除去方法は、
前記正電極として、
内周側から外周側に電解液通過用の孔を多数設けた中空ローラの外周を絶縁体で覆ったものを使用しても良い。
また、前記の本発明の導電性金属酸化物薄膜の除去方法において、基材の表裏面と対向すべく、基材を挟んで設置した前記正電極及び負電極を使用すれば、基材の表裏面に導電性金属酸化物薄膜が形成されたものでも、一度に除去することができる。
前記本発明の導電性金属酸化物薄膜の除去方法においては、抵抗率が103Ω・cmから106Ω・cmの電解液を使用することで、基材表面に形成された導電性金属酸化物薄膜を効率良く除去することが可能になる。
本発明の導電性金属酸化物薄膜の除去方法は
要の間隔を存して配置されるローラ間を、基材の表面に形成された導電性金属酸化物薄膜と接触させた状態で回転するメッシュ状無端ベルトの負電極と、
前記無端ベルト内に、無端ベルトを介して前記導電性金属酸化物薄膜と対向すべく配置した正電極と、
これらの正電極と負電極に電圧を印加する電源と、
前記導電性金属酸化物薄膜と、正電極、負電極間に電解液を供給する手段と、
前記正電極、負電極に対して基材を移動させる移動機構、
を備えた本発明装置を使用することによって実施できる。
記の本発明の導電性金属酸化物薄膜の除去装置は、
前記正電極が、内周側から外周側に電解液通過用の孔を多数設けた中空ローラの外周を絶縁体で覆ったものとしても良い。
また、前記の本発明の導電性金属酸化物薄膜の除去装置は、
前記正電極及び負電極を、基材の表裏面と対向すべく、基材を挟んで設置したものとしても良い。
また、前記の本発明の導電性金属酸化物薄膜の除去装置において、
前記正電極の搬送下流側に、電解液を噴射する噴射ノズルを配置した場合には、除去された導電性金属を確実に剥離することができる。
前記の本発明において、正電極、負電極に対する基材の移動は、たとえば搬送用ローラによって基材を移動させても、また、正電極と負電極を形成した回転電極や、負電極となすメッシュ状無端ベルトの回転により基材を移動させても良い。
本発明では
電極として、所要の間隔を存して配置されるローラ間を、前記導電性金属酸化物薄膜と接触させた状態で回転するメッシュ状の無端ベルトを使用し、
正電極として、前記無端ベルト内に、無端ベルトを介して前記導電性金属酸化物薄膜と対向すべく配置したものを使用する、
ので、基材に擦過痕や応力変形などを残さず、基材の表面に形成された導電性金属酸化物薄膜を端部まで効率良く除去することができ、半導体分野で用いられる高価な機能性ガラス基板などの再生利用が可能になる。
また、強酸や強アルカリの化学液を使用しないので、環境負荷も低減でき、基材を始めとする希少金属などの資源サイクルも可能になって、経済的にも有利である。
以下、本発明を実施するための最良の形態及び各種の形態を図1〜図5を用いて詳細に説明する。
本発明は、基材への疵や応力変形などを残さない加工法で、かつ、強酸や強アルカリを使用しない導電性金属酸化物薄膜の除去方法である。
つまり、本発明では、たとえば図1に示したように、表面に導電性酸化物薄膜12を形成した絶縁物や導電物などの基材11の上方に、正電極13aと負電極13bを形成した回転電極13を前記導電性酸化物薄膜12と接触すべく適数配置する。
この回転電極13は、内周側から外周側に貫通した電解液14の通過用孔13cを多数設けた回転が可能な中空ローラの外周を、たとえば弾性を有する絶縁体13baを介してメッシュ13bbで覆って負電極13bを形成する一方、前記中空ローラの内周部を正電極13aとしている。
そして、通過用孔13cを介して正電極13aから負電極13bに電解液14を導入し、負電極13bの表面に導くとともに、前記正電極13aと負電極13bには、電源15からたとえば直流電圧或いはパルス電圧を印加した状態で、回転電極13に対して基材11を移動させるのである。なお、図1中の16は基材11の搬送用ローラである。
このようにすることで、導電性金属酸化物薄膜12には還元反応が生じて金属化し、基材11との結合が弱まることになる。基材11との結合が弱まった導電性金属12aは、たとえばこれら正電極13a、負電極13bの下流側に設けた回転スポンジ17による弱い応力の擦過によって基材11から確実に除去される。
すなわち、本発明においては、正電極13aと負電極13bにたとえば直流電圧を印加すると、負電極13bと接触する導電性金属酸化物薄膜12の表面部分が負極となり、両電極の表面からは、電解作用により水素・酸素イオン及び微細気泡が発生し始める。
導電性金属酸化物薄膜12の表面には、この電解作用によってH2が発生するが、このH2が還元剤となって導電性金属酸化物薄膜12中のO2を取り除く作用を生じる。なお、このH2の発生は導電性金属酸化物薄膜12の界面で生じることから、効率の良い還元反応が生じる。
2による結合が無くなった導電性金属酸化物薄膜12は金属元素だけになり、基材11の表面への結合力が弱まる。したがって、この金属元素だけになった導電性金属12aは、スポンジなどの柔軟性体による弱い応力の擦過によって容易に除去することができる。
以上の図1に示した本発明において、正電極13aと負電極13bを図2のような構成としても良い。
すなわち、図2は、負電極13bとして、所要の間隔を存して配置されるローラ13bc間を、基材11の表面に形成された導電性金属酸化物薄膜12と接触させた状態で回転するメッシュ状の無端ベルト13bdを採用したものである。そして、この無端ベルト13bd内に、無端ベルト13bdを介して前記導電性金属酸化物薄膜12と対向すべく、たとえば板状の正電極13aを配置している。
この図2に示した例では、正電極13aの搬送下流側(図2の紙面右側)に電解液14の噴射ノズル18を設けて導電性金属12aを剥離した後、負電極13bの搬送下流側に設けた回転スポンジ17で前記噴射ノズル18による電解液14の噴射で取り残した導電性金属12aを擦過して除去するものを示している。なお、図2中の19は導電性金属酸化物薄膜12と、正電極13a、負電極13b間に電解液14を供給するノズルである。
また、図3は、図2に示した正電極13aを、内周側から外周側に貫通した電解液14の通過用孔13aaを多数設けた中空ローラ13abの外周を、たとえば弾性を有する絶縁体13acで覆った構成としたものである。
また、図4は、図3に示した本発明例を、基材11の表裏面と対向すべく、基材11を挟んで上下に1対設置したものである。
この図4に示した例では、基材11の表裏面に導電性金属酸化物薄膜12が形成されたものでも、一度に除去することができる。また、基材11が破片ガラス基板のような、図1〜図3に示した搬送用ローラ16による搬送が不可能な細かいものでも搬送でき、表裏面に形成された導電性金属酸化物薄膜12を除去できる。
図1〜図4に示した本発明例によって基材11に形成された導電性金属酸化物薄膜12を除去した後は、たとえば図5に示したように、この除去した還元金属を電解液14とともに、電解液捕集パン20を介して回収タンク21に溜め、マイクロバブル発生器22によってマイクロバブルを混入する。これにより、マイクロバブルが核となって金属微粒子がクラスタ化し、フィルタで回収できるようになるので、フィルタ23を通して還元金属を回収し、また電解液14を循環使用する。なお、図5中の24はポンプを示す。
以上の説明のように、本発明は、一般に行われている、被加工物に正電圧を印加する電解溶出除去反応ではなく、被加工物に負の電圧を印加する特徴的な加工法である。
なお、ここでの電解反応は導電性金属酸化物薄膜界面のごく微量な領域にH2の発生を生じさせるもので良いため、電流はほとんど必要としない。
従って、使用する電解液14は、一般に用いられる中性塩溶液でも利用可能であるが、好ましくは、前述のように抵抗率が103Ω・cmから106Ω・cm、より好ましくは104Ω・cmから105Ω・cmのものが良い。
本発明では、正電極13が基材11とは非接触の故、抵抗率が103Ω・cm未満の導電性の高い電解液14では、両電極13a,13b間に印加された電圧が、導電性金属酸化物薄膜12を通さず、前記両電極13a,13b間で電解液14を通して導通状態となるため、導電性金属酸化物薄膜12の除去効率が低下するからである。また、抵抗率が106Ω・cmを超えると高電圧を印加する必要があり、経済上好ましくないからである。
このように本発明では、抵抗率の比較的高い電解液14が適していることから、従来、電解液14としては好ましくなかった、水道水や河川水等を用いることができ、経済性および安全性の面においても優れている。
電解液として水道水を使用し、ガラス基板上に膜厚が1000×10−10mのITOを形成した100mm×100mmの被加工物を、図2に示した本発明装置の正電極と負電極間に100Vの直流電圧を印加し(電流:0.5A)、被加工材を1m/分で移動させて導電性金属酸化物薄膜を還元した後、直径が100mmの回転スポンジで擦過したところ、端部までITOが除去でき、ガラス基板の再生が可能になった。
実施例1と同じ被加工物を10mm程度に破砕したものを対象として、実施例1と同じ加工条件で、図4に示した本発明装置を用いて導電性金属酸化物薄膜を還元除去したところ、搬送用ローラで搬送できないような大きさの被加工物でもITOが除去でき、ガラス基板の再生が可能になった。
実施例1により除去したITOを、図5で説明した回収装置(フィルタのメッシュ:1μm、回収タンク容量:50リットル、マイクロバブル発生量:2リットル/分、フィルタへの吐出量:10リットル/分)で回収したところ、InとSnを金属固体として回収できた。なお、フィルタへはマイクロバブルを混入して1分後に吐出を開始した。
前記回収金属をX線マイクロアナライザーで成分分析したところ、ITOの成分であるInとSnがIn:Sn=9:1の割合で検出され、ITOがそのままの成分比率で回収できたことを確認した。
本発明は、前述の例に限るものではなく、各請求項に記載の技術的思想の範囲内において、適宜実施の形態を変更しても良いことは言うまでもない。
本発明の第1の例を説明する概略図で、(a)は側面から見た図、(b)は回転電極の拡大図である。 本発明の第2の例を側面から見た概略図である。 本発明の第3の例を説明する概略図で、(a)は側面から見た図、(b)は正電極の拡大図である。 本発明の第3の例を側面から見た概略図である。 本発明により導電性金属酸化物薄膜を電解還元処理した後の回収装置の一例を示した図である。 機械的擦過により金属薄膜を除去する方法について説明する図である。 化学エッチングにより金属薄膜を除去する方法について説明する図である。
符号の説明
11 基材
12 導電性金属酸化物薄膜
12a 導電性金属
13 回転電極
13a 正電極
13aa 通過用孔
13ab 中空ローラ
13ac 絶縁体
13b 負電極
13ba 絶縁体
13bb メッシュ
13bc ローラ
13bd メッシュ状無端ベルト
13c 通過用孔
14 電解液
15 電源
18 噴射用ノズル
19 ノズル

Claims (8)

  1. 基材の表面に形成された導電性金属酸化物薄膜と対向する位置に正電極と負電極を配置した後、
    これら導電性金属酸化物薄膜と、正電極、負電極間に電解液を供給しつつ、前記両電極に電圧を印加して、前記基材を前記正電極、負電極に対して移動することで、前記導電性金属酸化物薄膜を還元反応により除去する方法において、
    記負電極として、所要の間隔を存して配置されるローラ間を、前記導電性金属酸化物薄膜と接触させた状態で回転するメッシュ状の無端ベルトを使用し、
    前記正電極として、前記無端ベルト内に、無端ベルトを介して前記導電性金属酸化物薄膜と対向すべく配置したものを使用することを特徴とする導電性金属酸化物薄膜の除去方法。
  2. 前記正電極として、
    内周側から外周側に電解液通過用の孔を多数設けた中空ローラの外周を絶縁体で覆ったものを使用することを特徴とする請求項1に記載の導電性金属酸化物薄膜の除去方法。
  3. 基材の表裏面と対向すべく、基材を挟んで設置した前記正電極及び負電極を使用することを特徴とする請求項1又は2に記載の導電性金属酸化物薄膜の除去方法。
  4. 前記電解液は、抵抗率が10 3 Ω・cmから10 6 Ω・cmのものを使用することを特徴とする請求項1〜の何れかに記載の導電性金属酸化物薄膜の除去方法。
  5. 請求項2に記載の導電性金属酸化物薄膜の除去方法を実施する装置であって、
    所要の間隔を存して配置されるローラ間を、基材の表面に形成された導電性金属酸化物薄膜と接触させた状態で回転するメッシュ状無端ベルトの負電極と、
    前記無端ベルト内に、無端ベルトを介して前記導電性金属酸化物薄膜と対向すべく配置した正電極と、
    これらの正電極と負電極に電圧を印加する電源と、
    前記導電性金属酸化物薄膜と、正電極、負電極間に電解液を供給する手段と、
    前記正電極、負電極に対して基材を移動させる移動機構を備えたことを特徴とする導電性金属酸化物薄膜の除去装置
  6. 前記正電極が、内周側から外周側に電解液通過用の孔を多数設けた中空ローラの外周を絶縁体で覆ったものであることを特徴とする請求項5に記載の導電性金属酸化物薄膜の除去装置。
  7. 前記正電極及び負電極を、基材の表裏面と対向すべく、基材を挟んで設置したことを特徴とする請求項5又は6に記載の導電性金属酸化物薄膜の除去装置。
  8. 前記正電極の搬送下流側に、除去された導電性金属を剥離すべく電解液を噴射する噴射ノズルを配置したことを特徴とする請求項5〜7のいずれかに記載の導電性金属酸化物薄膜の除去装置。
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