CN101221932A - 半导体装置及其制造方法以及半导体装置的安装结构 - Google Patents

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CN101221932A CNA2007101967905A CN200710196790A CN101221932A CN 101221932 A CN101221932 A CN 101221932A CN A2007101967905 A CNA2007101967905 A CN A2007101967905A CN 200710196790 A CN200710196790 A CN 200710196790A CN 101221932 A CN101221932 A CN 101221932A
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Abstract

本发明提供一种半导体装置及其制造方法以及半导体装置的安装结构。本发明的半导体装置，具有配线基板(4)、半导体元件(2)、密封树脂(7)、散热体(9)和填充材料(8)，上述配线基板(4)在具有开口部(5a)的绝缘基板(5)上形成了导体配线(6)；上述半导体元件(2)具有电路形成区域(2a)和电极盘(3)，电路形成区域与开口部相对地安放在配线基板上，电极盘通过突起电极(3a)与导体配线电连接；上述密封树脂(7)被覆电极盘与导体配线的连接部；上述散热体(9)具有与开口部相对的部分地配置；上述填充材料(8)的热传导率比密封树脂高，被填充到开口部内，与半导体元件的电路形成区域和散热体接触。这样即使在面积小的配线基板的情况下也能够确保散热效率，并且能够廉价地制作。

Description

半导体装置及其制造方法以及半导体装置的安装结构
技术领域
本发明涉及提高了散热性的半导体装置及其制造方法以及半导体装置的安装结构。
背景技术
近年来，集成电路的高集成化、半导体元件小型化不断发展，要求能够与狭间距端子的连接相适应的安装技术。作为能够适应这一要求的安装结构，我们知道用于TCP(Tape Carrier Package，带式载体封装)等的TAB(Tape Automated Bonding，卷带自动结合)或使用了异方性导电胶膜(ACF：Anisotropic Conductive Film)的COG(ChipOn Glass，芯片被贴装在玻璃基板上)或COF(Chip On Film，芯片被贴装在柔性线路板上)、BOF(Bump On Film，凸块被贴装在柔性线路板上)的结构。
这些安装结构的基本结构为用Au或焊料在半导体元件的每个电极盘上形成被称为“凸块”的突起电极，与半导体元件的凸块一起结合到树脂带或玻璃基板上形成的金属配线上的结构。但是，BOF(Bump On Film)为在树脂带上的金属配线一侧形成突起电极，与突起电极一起结合半导体元件的电极盘的结构。
在使用上述那样的安装技术时，由于随着集成电路的高集成化，集成电路每单位体积消耗的电力增加，因此在具备这种集成电路的半导体装置中有时采取了放热对策(参照例如日本特开平10-41428号公报)。
图20为表示安装结构为TAB时采取了放热对策的半导体装置的结构的剖视图。半导体元件101在主面(电路形成区域一侧的面，图中为上表面)上形成突起电极102。配线基板103上形成图案状的导体配线104与突起电极102电连接。导体配线104与突起电极102的连接部分以及半导体元件101的主面用密封树脂105覆盖。并且，在配线基板103的一个面上设置有由例如聚酰亚胺或环氧树脂等形成的有机绝缘材料111覆盖导体配线104的引线。
散热体107上形成有凹陷部110，半导体元件101配置在凹陷部110中。在与相对于半导体元件101的主面为背面(图中为下表面)相对侧的凹陷部110内填充有填充材料106。由此，半导体元件101的背面通过填充材料106与散热体107的凹陷部110的内壁面连接。
并且，与半导体元件101的接地用突起电极102相连的导体配线104通过导通螺栓108与散热体107电连接。而且，配线基板103和散热体107用双面胶带109粘接。
通过采用这样的结构，驱动半导体元件101时产生的主面的热量通过填充材料106从半导体元件101的背面传递给散热体107，散发到空气中，与此同时，通过突起电极102传递给导体配线104散发到空气中。
并且，半导体元件101的接地端子的信号通过导体配线104和导通螺栓108从突起电极102传递给散热体107，因此能够充分接地，降低噪声和EMI(电磁干扰)。
但是，图20所示的现有技术的半导体装置在为了使装置小型化而缩小形成有导体配线104的配线基板103的面积时需要同时缩小散热体107，因此存在散热效率低下的问题。
发明内容
本发明就是为了解决上述问题，其目的是要提供一种即使是面积小的配线基板也能够确保散热效率、并且成本低的半导体装置及其制造方法，以及半导体装置的安装结构。
为了解决上述问题，本发明的半导体装置具有配线基板、半导体元件、密封树脂、散热体以及填充材料；上述配线基板在具有开口部的绝缘基板上形成有导体配线；上述半导体元件具有电路形成区域和电极盘，上述电路形成区域与上述开口部相对地被安放在上述配线基板上，上述电极盘通过突起电极与上述导体配线电连接；上述密封树脂被覆上述电极盘与上述导体配线的连接部；上述散热体具有与上述开口部相对的部分地被配置；上述填充材料具有比上述密封树脂高的热传导率，被填充到上述开口部内，与上述半导体元件的电路形成区域和上述散热体接触。
本发明的半导体装置的安装结构具有半导体装置、散热体和填充材料，上述半导体装置具有配线基板、半导体元件以及密封树脂；上述配线基板在具有开口部的绝缘基板上形成有导体配线；上述半导体元件具有电路形成区域和电极盘，上述电路形成区域与上述开口部相对地被安放在上述配线基板上，上述电极盘通过突起电极与上述导体配线电连接；上述密封树脂被覆上述电极盘与上述导体配线的连接部；上述散热体具有与上述开口部相对的部分地被配置；上述填充材料具有比上述密封树脂高的热传导率，被填充到上述开口部内，与上述半导体元件的电路形成区域和上述散热体接触。
本发明的半导体装置的制造方法为将具有电路形成区域和电极盘的半导体元件安装到在具有开口部的绝缘基板上形成有导体配线的配线基板上的半导体装置的制造方法，具有以下工序：使上述电路形成区域与上述开口部相对，将上述导体配线的前端部分与上述半导体元件的电极盘部分的位置对齐的工序；通过上述导体配线或上述电极盘中的任意一个上形成的突起电极连接上述导体配线和上述电极盘的工序；在上述导体配线与上述电极盘的连接部上涂敷密封树脂，在使电路形成区域露出的状态下使上述密封树脂硬化的工序；在上述露出的电路形成区域涂敷导热剂的工序；将散热体安装到上述配线基板上，使上述导热剂与上述散热体贴紧的工序。
如果采用上述结构，利用填充到配线基板的开口部内的填充材料与半导体元件的电路形成区域和散热体接触的结构，提高从电路形成区域的散热效率，即使在配线基板的面积很小的情况下也能够提供能够充分确保散热效率、并且成本低的半导体装置和/或半导体装置的安装结构。
附图说明
图1A是表示本发明的实施方式1的半导体装置的结构的剖视图。
图1B是表示本发明的实施方式1的半导体装置的其他结构的剖视图。
图2是表示图1A的半导体装置的安装结构的剖视图。
图3A是表示本发明的实施方式1的半导体装置的制造工序的剖视图。
图3B是表示图3A的下一道工序的俯视图。
图3C是表示图3B的下一道工序的俯视图。
图3D是表示图3C的下一道工序的俯视图。
图3E是表示图3D的下一道工序的俯视图。
图4是表示本发明的实施方式2的半导体装置的结构的剖视图。
图5是表示本发明的实施方式2的半导体装置的安装结构的剖视图。
图6是表示实施方式2的半导体装置的结构用到COF中的半导体装置的剖视图。
图7是表示上述半导体装置的安装结构的剖视图。
图8是表示实施方式2的半导体装置的结构用到BOF中的半导体装置的剖视图。
图9是表示上述半导体装置的安装结构的剖视图。
图10是表示本发明的实施方式3的半导体装置的结构的剖视图。
图11是表示本发明的实施方式3的半导体装置的安装结构的剖视图。
图12是表示上述半导体装置中填充了填充材料的结构的剖视图。
图13是表示本发明的实施方式4的半导体装置的结构的剖视图。
图14是表示本发明的实施方式4的半导体装置的安装结构的剖视图。
图15A是表示本发明的实施方式4的半导体装置的安装结构的变形例的透视图。
图15B是放大表示图15A的一部分的透视图。
图16是表示实施方式4的半导体装置的结构用到COF中的半导体装置的结构的剖视图。
图17是表示上述半导体装置的安装结构的剖视图。
图18是表示实施方式4的半导体装置的结构用到BOF中的半导体装置的结构的剖视图。
图19是表示上述半导体装置的安装结构的剖视图。
图20是表示现有技术的半导体装置的结构的剖视图。
具体实施方式
本发明以上述结构为基本，能够采用以下形态。
即，在上述结构的半导体装置中，能够采用上述散热体为薄片的结构。或者能够采用上述散热体为金属板的结构。
并且，上述散热体最好是热传导率比上述填充材料高的材料。
并且，作为上述填充材料，能够使用焊料合金、树脂、加入金属的树脂、硅、橡胶、或加入无机粒子的树脂中的任意一种。
并且，上述电路形成区域中最好具有绝缘性保护膜。
在上述结构的半导体装置的安装结构中，可以采用上述散热体为机架的结构。或者可以采用上述散热体为框体的一部分的结构。
并且，作为上述填充材料可以使用焊料合金、树脂、加入金属的树脂、硅、橡胶、或加入无机粒子的树脂中的任意一种。
并且，上述电路形成区域中最好具有绝缘性保护膜。
下面参照附图说明本发明的实施方式的半导体装置。
(实施方式1)
图1A为表示本发明的实施方式1的半导体装置1a的结构的剖视图。
半导体元件2具有电路形成区域(主面的形成了电路的区域)2a，在配置在电路形成区域2a周边的电极盘3上形成有突起电极3a。突起电极3a用例如Au或在Ni上被覆了Au的材料形成。另外，在其他的图面中有时省略了电极盘3的图示。
配线基板4具有在以例如聚酰亚胺为主体的绝缘基板5上设置了形成为图案的导体配线6的结构。在绝缘基板5上形成有比半导体元件2的主面大的开口部5a。导体配线6由通过蒸镀等形成的导体层构成，结构为在形成为图案的例如Cu配线上被覆Sn或Au等。导体配线6延伸到绝缘基板5的开口部5a内。并且，在配线基板4的一个面上设置有由例如聚酰亚胺或环氧树脂等构成的有机绝缘材料25覆盖导体配线6的引线。
如上所述，该半导体装置1a的结构为使半导体元件2的电路形成区域2a与配线基板4的没有形成导体配线6一侧的面相对的面朝上的结构。
半导体元件2配置在配线基板4的开口部5a内，突起电极3a与导体配线6电连接。为了保证导体配线6与突起电极3a的连接部分及其周边电气稳定，用环氧系树脂等绝缘性密封树脂7覆盖。作为导热剂的填充材料8与半导体元件2的电路形成区域2a接触。
例如用A1形成的散热体9由作为粘接剂的双面胶带10被粘接在导体配线6的被固定在绝缘基板5上的面的背面上。散热体9具有平坦的面，填充材料8与该平坦面接触。因此，散热体9的平坦面与半导体元件2中露出的电路形成区域2a用填充材料8热结合。
作为填充材料8使用的材料，有例如焊料合金、树脂、加入了金属粒子的树脂、硅、橡胶、加入了无机粒子的树脂等，热传导率(1.5W/mK以上)比密封树脂7的热传导率(0.6W/mK)高。但是，在使用焊料合金、加入了金属粒子的树脂等导电性填充材料8的情况下，有必要在电路形成区域2a上形成绝缘性保护膜2c。
并且，散热体9优选用热传导率比填充材料8高的材料构成。作为散热体9可以使用例如由A1形成的金属板。
当半导体元件2被驱动时，由于电路形成区域2a成为热源，因此温度最高。如果能够使热传导率最高的散热体9直接与电路形成区域2a接触的话，则散热效果最好。但是，在半导体元件2的与电路形成区域2a相同的面上形成突起电极3a的情况下，结构上难以使散热体9与电路形成区域2a接触。另一方面，在用密封树脂7覆盖导体配线6与突起电极3a连接的部分以及整个电路形成区域2a，使散热体9隔着密封树脂7接触的情况下，由于密封树脂7的热传导率低，因此散热不充分。
如果采用图20所示的半导体装置以往的结构的话，半导体元件101的主面(电路形成区域的面)产生的热传递给半导体元件101的背面，并通过填充材料106传递给散热体107。由于主面一侧被热传导率低(0.6W/mK)的密封树脂105覆盖，因此主要的散热路径偏向经由半导体元件101和填充材料106的散热体107一侧，散热效率恶化。
与此相对，如果采用本实施方式的半导体装置1a的结构，则半导体元件2的电路形成区域2a产生的热量直接传递给热传导率高的填充材料8，再传递给散热体9。由于填充材料8的热传导率高于密封树脂7，因此电路形成区域2a产生的热量能够更高效地传递给散热体9。传递给散热体9的热量从整个散热体9散发到空气中。
如上所述，本实施方式的半导体装置1a通过采用在电路形成区域2a与散热体9之间填充填充材料8的结构，能够提高散热效率。并且，如果开放半导体元件2中电路形成区域2a的背面2b的话，热量还能够从背面2b散发到空气中。如果使散热体或散热片与半导体元件2的背面2b接触的话，则能够更高效地散热。
图1B为表示本实施方式的半导体装置的一个变形例的结构的剖视图。半导体装置1b除了设置了从配线基板4到散热体9的导通螺栓11以外，其他结构与半导体装置1a相同，对于相同的构成要素，添加相同的附图标记，省略其说明。与半导体元件2的接地用突起电极3a连接的导体配线6通过导通螺栓11与散热体9连接。这样一来，接地用的导体配线6与散热体9连接，能够使接地充分，因此不仅能够降低噪声和EMI，而且半导体元件2产生的热量通过导通螺栓11从导体配线6传递给散热体9。
图2为表示半导体装置1a的安装结构的剖视图。机架13配置在例如液晶显示器等的玻璃面板12上。半导体装置1a使电路形成区域2a与玻璃面板12相对地配置。散热体9与玻璃面板12的机架13接触，热量从半导体元件2传递给机架13。导体配线6与玻璃面板12连接。
下面参照图1B和图3A～图3E说明本实施方式的半导体装置1b的制造方法。图3A～图3E为表示半导体装置1b的制造工序的剖视图。
首先，如图3A所示，将半导体元件2放置到结合载物台14上。然后形成导体配线6，将具有开口部5a的配线基板4配置到半导体元件2的上方，使半导体元件2的突起电极3a与位于开口部5a的导体配线6的位置对齐。
接着如图3B所示，将结合工具15配置在导体配线6上，使突起电极3a与导体配线6接触，将导体配线6夹在结合工具15与突起电极3a之间。然后，在突起电极3a与导体配线6之间施加热、负载或超声波振动。由此，突起电极3a表面的Au与导体配线6表面的Sn或Au通过共晶或者金属结合连接在一起。另外，结合载物台14和结合工具15用钢材或陶瓷材料形成。
然后如图3C所示，将密封树脂7滴在半导体元件2上覆盖导体配线6与突起电极3a的连接部分及其周围，使半导体元件2的电路形成区域2a露出。在这种状态下对密封树脂7实施热处理，使其硬化。
接着如图3D所示，在半导体元件2的露出的电路形成区域2a上涂敷填充材料8。然后如图3E所示，用双面胶带10将散热体9粘贴在配线基板4的附设了导体配线6的面上，通过这样将散热体9和填充材料8贴紧。
最后，如图1B所示，用导通螺栓11紧固配线基板4和散热体9，通过这样制造半导体装置1b。
如上所述，本实施方式的半导体装置1a、1b由于作为发热源的半导体元件2的电路形成区域2a和散热用的散热体9通过填充材料8结合，因此散热效果提高。并且，半导体装置1b用导通螺栓11连接接地用的导体配线6和散热体9，通过这样能够降低噪声和EMI，并且散热效果也提高了。
(实施方式2)
图4为表示本发明的实施方式2的半导体装置1c的结构的剖视图。该半导体装置1c的结构为使半导体元件2的电路形成区域2a与配线基板4的形成了导体配线6侧的面相对的面朝下的结构。即，在导体配线6配置在配线基板4的与散热体9相反的一侧这一点上与实施方式1的半导体装置1a不同。散热体9用双面胶带10粘贴在配线基板4的形成了导体配线6的面的背面上。其他的结构与实施方式1的半导体装置1a相同，对于相同的构成要素，添加相同的附图标记，省略其说明。
如果采用上述结构，半导体元件2的电路形成区域2a产生的热量传递给热传导效率高的填充材料8，再传递给散热体9。由于填充材料8的热传导率高于密封树脂7，因此电路形成区域2a产生的热量能够更高效地传递给散热体9。传递给散热体9的热量从整个散热体9散发到空气中。
由于半导体元件2产生的热量也通过突起电极3a传递给导体配线6，从导体配线6散发到空气中，因此能够提高散热效果。
并且，如果开放半导体元件2中电路形成区域2a的背面2b的话，热量还能够从背面2b散发到空气中。如果使散热体、散热片或框体等与半导体元件2的背面2b接触的话，则能够更高效地散热。
图5为表示上述结构的半导体装置1c的安装结构的剖视图。图5中对于与图2所示的半导体装置1a的安装结构相同的构成要素添加相同的附图标记，简化其说明。半导体元件2的电路形成区域2a配置在与同玻璃面板12相对的一侧的相反一侧。机架13上设置凸起部12a，凸起部12a与散热体9接触，提高散热效率。
如上所述，本实施方式的半导体装置1c由于作为发热源的半导体元件2的电路形成区域2a和散热用的散热体9通过填充材料8热结合，因此散热效率提高。
并且，能够采用用导通螺栓连接半导体装置1c的与接地用的突起电极3a相连的导体配线6和散热体9的结构。由此，能够使接地充分，因此能够降低噪声和EMI。
并且，本实施方式的半导体装置1c的结构用于TAB(TapeAutomated Bonding，卷带自动结合)以外的COF(Chip On Film，芯片被贴装在柔性线路板上)和BOF(Bump On Film，凸块被贴装在柔性线路板上)中也能够获得同样的效果。
图6为表示实施方式2的结构用于COF的半导体装置1d的剖视图。图7为表示该半导体装置1d的安装结构的剖视图。在此结构中，对于与图4所示的半导体装置1c和图5所示的安装结构相同的构成要素添加相同的附图标记，简化其说明。
该结构中的COF用的配线基板16在绝缘基板17上设置与TAB用的配线基板4的开口部5a相同的开口部17a。绝缘基板17上设置的导体配线18不延伸到开口部17a内。开口部17a设置在与半导体元件2的电路形成区域2a相对的部分上。在该开口部17a中填充填充材料8形成与散热体9结合的散热路径，提高散热效果。另外，为了获得足够的散热性，优选使开口部17a的面积大小与电路形成区域2a的相同或比它大。
并且，图8为表示本实施方式2的结构用于BOF的半导体装置1e的剖视图。图9为表示该半导体装置1e的安装结构的剖视图。在该结构中，与图4所示的半导体装置1c和图5所示的安装结构相同的构成要素添加相同的附图标记，简化其说明。
该结构中的BOF用的配线基板19在绝缘基板20上设置与TAB用的配线基板4的开口部5a相同的开口部20a。绝缘基板20上设置的导体配线21不延伸到开口部20a内。并且，在导体配线21上设置突起电极21a。开口部20a设置在与半导体元件2的电路形成区域2a相对的部分上。在该开口部20a中填充填充材料8形成与散热体9结合的散热路径，提高散热效果。另外，为了获得足够的散热效果，优选使开口部20a的面积大小与电路形成区域2a的相同或比它大。
如上所述，在COF和BOF中也由于作为发热源的半导体元件2的电路形成区域2a和散热用的散热体9通过热传导率高的填充材料8热结合，因此能够提高散热效率。
(实施方式3)
图10为表示本发明的实施方式3的半导体装置1f的结构的剖视图。该半导体装置1f的结构为使半导体元件2的电路形成区域2a与配线基板4的没有形成导体配线6的面相对的面朝上的结构。该半导体装置1f在没有用双面胶带将散热体粘贴到配线基板4的形成了导体配线6的面的背面上这一点上与实施方式1的半导体装置1a不同。其他的结构与实施方式1的半导体装置1a相同，对于相同的构成要素，添加相同的附图标记，省略其说明。
半导体元件2配置在配线基板4的开口部5a内，突起电极3a与导体配线6电连接。为了保持电气稳定，导体配线6与突起电极3a的连接部分及其周边用环氧系树脂等绝缘性密封树脂7覆盖。并且，在配线基板4的一个面上设置有由例如聚酰亚胺或环氧树脂等构成的有机绝缘材料25覆盖导体配线6的引线。并且，在半导体元件2的电路形成区域2a露出的状态下构成半导体装置1f。
图11为表示半导体装置1f的安装结构的剖视图。机架22配置在玻璃面板12上。半导体装置1f使电路形成区域2a与玻璃面板12相对地配置。在电路形成区域2a上涂敷热传导率高的填充材料8。并且，配线基板4安装到玻璃面板12上以便使该填充材料8与机架22的凸起部22a接触。由此，使来自半导体元件2的热量不是通过实施方式1的安装到半导体装置1a中的散热体9而是直接传递给机架22。由此，能够降低成本。
并且，如果使散热体9、散热片或框体等与半导体元件2的背面2b接触的话，则能够更高效地散热。
能够使图10的半导体装置1f的结构像图12所示的半导体装置1g那样地变形。即，预先将热传导效率高的填充材料8等填充到半导体装置1g的半导体元件2的电路形成区域2a中。此时，有必要使电路形成区域2a的填充材料8确实地与机架22接触。因此，使(导体配线6的上表面到密封树脂7的上表面的高度)h1与(导体配线6的上表面到填充材料8的上表面的高度)h2之间的关系为h1≤h2地填充填充材料8。
(实施方式4)
图13为表示本发明的实施方式4的半导体装置1h的结构的剖视图。该半导体装置1h的结构为使半导体元件2的电路形成区域2a与配线基板4的形成了导体配线6的面相对的面朝上的结构。该半导体装置1h在没有用双面胶带将散热体粘贴到配线基板4的形成了导体配线6的背面上这一点上与实施方式2的半导体装置1c不同。其他的结构与实施方式2的半导体装置1c相同，对于相同的构成要素，添加相同的附图标记，省略其说明。
半导体元件2配置在配线基板4的开口部5a内，突起电极3a与导体配线6电连接。为了保持电气稳定，导体配线6与突起电极3a的连接部分及其周边用环氧系树脂等绝缘性密封树脂7覆盖。并且，在配线基板4的一个面上设置有由例如聚酰亚胺或环氧树脂等构成的有机绝缘材料25覆盖导体配线6的引线。并且，在半导体元件2的电路形成区域2a露出的状态下构成半导体装置1h。
图14为表示半导体装置1h的安装结构的剖视图。半导体装置1h使电路形成区域2a背朝玻璃面板12地配置。在电路形成区域2a上涂敷热传导率高的填充材料8等。此外，散热用的散热体9在与填充材料8接触的状态下用双面胶带10和螺栓23固定在机架13上，提高散热效率。
如图15A所示，通过采用增大该散热体9，使多个半导体装置1h一起与其接触的结构，能够降低成本。图15B为放大表示图15A的双点划线围成的区域X的结构的图，与图14的结构相对应。
并且，如果使半导体元件2的背面2b通过散热片24与机架13接触的话，则能够更高效地散热。
图16为表示实施方式4的结构用于COF的半导体装置1i的结构的剖视图。图17为表示该半导体装置1i的安装结构的剖视图。在此结构中，对于与图6所示的半导体装置1d和图7所示的安装结构相同的构成要素添加相同的附图标记，省略其说明。
并且，图18为表示本实施方式4的结构用于BOF的半导体装置1j的结构的剖视图。图19为表示该半导体装置1j的安装结构的剖视图。在该结构中，与图8所示的半导体装置1e和图9所示的安装结构相同的构成要素添加相同的附图标记，简化其说明。
如上所述，即使在COF和BOF中，由于作为发热源的半导体元件2的电路形成区域2a与散热用的散热体9通过热传导率高的填充材料8热结合，因此能够提高散热效率。
并且，即使在COF和BOF中，由于使填充材料8与机架13接触，能够使来自半导体元件2的热量不通过安装在实施方式1的半导体装置1a上的散热体9而是直接传递给机架13，因此能够降低成本。
以上的实施方式1～4能够配合设置侧的半导体装置的安装结构选择任意一个，本发明的通用性高。
并且，实施方式1～4中用于传递热量的材料并不局限于上述填充材料8，只要是热传导率比密封树脂高、具有粘性、能够与散热体9贴紧的材料，都可以用于取代填充材料8。
并且，散热体9与配线基板4或导体配线6的粘接并不局限于双面胶带10，只要是能够粘接散热体9或配线基板4或导体配线6的材料，都可以使用其他的要素取代双面胶带10。

Claims (12)

1.一种半导体装置，其特征在于，具有配线基板、半导体元件、密封树脂、散热体以及填充材料；
上述配线基板在具有开口部的绝缘基板上形成有导体配线；上述半导体元件具有电路形成区域和电极盘，上述电路形成区域与上述开口部相对地被安放在上述配线基板上，上述电极盘通过突起电极与上述导体配线电连接；上述密封树脂被覆上述电极盘与上述导体配线的连接部；上述散热体具有与上述开口部相对的部分地被配置；上述填充材料具有比上述密封树脂高的热传导率，被填充到上述开口部内，与上述半导体元件的电路形成区域和上述散热体接触。
2.如权利要求1上述的半导体装置，上述散热体为薄片。
3.如权利要求1上述的半导体装置，上述散热体为金属板。
4.如权利要求1上述的半导体装置，上述散热体为热传导率比上述填充材料高的材料。
5.如权利要求1上述的半导体装置，上述填充材料为焊料合金、树脂、加入金属的树脂、硅、橡胶、或加入无机粒子的树脂中的任意一种。
6.如权利要求1上述的半导体装置，在上述电路形成区域具有绝缘性保护膜。
7.一种半导体装置的安装结构，其特征在于，具有半导体装置、散热体和填充材料，
上述半导体装置具有配线基板、半导体元件以及密封树脂；
上述配线基板在具有开口部的绝缘基板上形成有导体配线；上述半导体元件具有电路形成区域和电极盘，上述电路形成区域与上述开口部相对地被安放在上述配线基板上，上述电极盘通过突起电极与上述导体配线电连接；上述密封树脂被覆上述电极盘与上述导体配线的连接部；
上述散热体具有与上述开口部相对的部分地被配置；
上述填充材料具有比上述密封树脂高的热传导率，被填充到上述开口部内，与上述半导体元件的电路形成区域和上述散热体接触。
8.如权利要求7上述的半导体装置的安装结构，上述散热体为机架。
9.如权利要求7上述的半导体装置的安装结构，上述散热体为框体的一部分。
10.如权利要求7上述的半导体装置的安装结构，上述填充材料为焊料合金、树脂、加入金属的树脂、硅、橡胶、或加入无机粒子的树脂中的任意一种。
11.如权利要求7上述的半导体装置的安装结构，在上述电路形成区域具有绝缘性保护膜。
12.一种将具有电路形成区域和电极盘的半导体元件安装到在具有开口部的绝缘基板上形成有导体配线的配线基板上的半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：
使上述电路形成区域与上述开口部相对，将上述导体配线的前端部分与上述半导体元件的电极盘部分的位置对齐的工序；
通过上述导体配线或上述电极盘中的任意一个上形成的突起电极连接上述导体配线和上述电极盘的工序；
在上述导体配线与上述电极盘的连接部上涂敷密封树脂，在使电路形成区域露出的状态下使上述密封树脂硬化的工序；
在上述露出的电路形成区域涂敷导热剂的工序；
将散热体安装到上述配线基板上，使上述导热剂与上述散热体贴紧的工序。
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