CN101218278A - 芳族接枝聚合物 - Google Patents

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Abstract

一种芳族接枝聚合物,其包含一种以上的由右式(1)表示的重复单元。(在式中,Ar1表示带有由下式(2)表示的侧链的π-共轭环状化合物的二价残基,并且所述侧链与包含在由Ar1表示的π-共轭环状化合物的二价残基的环结构中并且具有sp2杂化轨道的碳原子结合:(其中,Ar2表示具有π-共轭环状化合物的二价残基的基团;X1表示直接键合或选自NQ1-、-PQ2-和-BQ3-中的二价基团,其中Q1至Q3各自独立地表示取代基;Z表示直接键合或二价连接基团;k是3以上的整数;并且E1表示氢原子、卤素原子或一价有机基团,前体是当存在两个以上Ar2、X1和Z时,它们各自可以相同或不同,并且当存在两个以上由式(2)表示的侧链时,它们可以相同或不同。)

Description

芳族接枝聚合物
技术领域
本发明涉及一种新颖的芳族接枝聚合物。具体地,本发明涉及一种在侧链上具有重复单元的芳族接枝聚合物。
背景技术
已知的是,与相应的线型聚合物相比,接枝聚合物在溶液中的结构和刚性可以通过从主链枝化的侧链(接枝链)的存在而得到控制,并且在医药领域中,这样的聚合物对于药物释放系统的应用取得了进展。
还已知的是,接枝聚合物影响整体性质比如机械、流变学和光学性质,并且使用接枝聚合物的新材料的开发和用途开发取得了进展。
将具有不同性质的聚合物混合被认为是制备具有新性质的高功能聚合材料的有效方法。然而,与相应的线型无规聚合物、线型嵌段聚合物或线型均聚物彼此形成的混合物相比,在不考虑相互溶解性的情况下,通过调节支链数量或侧链长度,接枝聚合物的性质可以利用较高的自由度加以控制。接枝聚合物作为在相应线型聚合物的混合物中用于提高相互溶解性的增容剂的应用也取得了进展(例如,参见非专利文献1)
在另一方面,由于芳族聚合物在比如电荷传输性质和发光的电子性质以及比如感性和热稳定性的机械性质上表现出特定的特性,因此迄今为止,在电子工业材料、化学、能源材料和医药领域等中的应用也取得了积极的进展(例如,参见非专利文献2和专利文献1)。
在芳族聚合物中,已知的是,带有分枝的聚合物可以在电子工业材料领域中用作具有优异溶解性和成膜性质的材料(例如,参见专利文献2)。
然而,如在非专利文献1所示,迄今为止,作为接枝聚合物,广泛已知的是脂族接枝聚合物。然而,还不知道获得有这样的实例:在侧链上具有芳族重复单元的芳族接枝聚合物,并且该芳族重复单元直接与包含于主链中的芳族环连接。如在专利文献2中所示,带有分枝的聚合物被认为是芳族聚合物。然而,枝化聚合物的分枝点不仅限于主链,因此存在的问题是分枝点数量的增加可导致网状类聚合物,从而产生聚合物的凝胶并且损害溶解性。据认为这样难于自由地控制性质,而本发明的芳族接枝聚合物不是这样的。
非专利文献1:Encyclopedia of Polymer Science and Technology,JohnWiley&Sons,Inc.Article Online Posting Date:July 15,2002
非专利文献2:Journal of Polymer Science:Part A:Polymer Chemistry,Vol.39,1533-1556(2001)
专利文献1:日本专利3606217(US2001037000A1)
专利文献2:JP-A-2001-342459(US2002027623A1)
发明内容
本发明要解决的问题
然而,当采用常规的在主链上具有芳族环的聚合化合物作为聚合物磷光体时,聚合物磷光体具有的电荷传输性质和发光不足。
本发明的目的是提供一种新颖的芳族接枝聚合物。更具体而言,本发明的目的是提供一种具有优异电荷传输性质和发光的新颖芳族聚合物。
解决问题的手段
本发明人为解决上述问题而进行了深入的研究,结果发现了一种在侧链上具有芳族重复单元的芳族接枝聚合物,其中主链的核(nucleus)被侧链取代,因而在主链上的碳原子和在侧链上的碳原子结合,形成具有包含于主链上的π-共轭环状化合物基团的π-共轭体系,从而完成了本发明。
即,本发明提供了一种在主链上含有一种以上的由下式(1)表示的重复单元的新颖芳族接枝聚合物。
-Ar1-    (1)
其中,Ar1表示带有由下式(2)表示的侧链的π-共轭环状化合物的二价残基,并且该侧链与包含于由Ar1表示的π-共轭环状化合物的二价残基的环结构中并且具有sp2杂化轨道的碳原子结合,
_Ar2-X1-Z_kE1    (2)
其中,Ar2表示具有π-共轭环状化合物的残基的二价基团;X1表示直接键合或选自NQ1-、-PQ2-和-BQ3-中的二价基团;Q1至Q3各自独立地表示取代基;Z表示直接键合或二价连接基团;k是3以上的整数;E1表示氢原子、卤素原子或一价有机基团;并且当存在两个以上的Ar2、X1和Z时,它们可以彼此相同或不同;并且当存在两个以上的由式(2)表示的侧链时,它们可以相同或不同。
本发明的优点
预期本发明的芳族接枝聚合物在电子工业材料领域、化学领域、能源材料领域和医药领域等中用作制备各种高功能材料的有益聚合物材料。
其中在电子工业材料领域中,例如,当本发明的芳族接枝聚合物被用于聚合物发光器件(下文中,在有些情况下简称作聚合物LED)时,通过将用于提高电荷注入/传输性质的功能侧链应用于具有电荷传输性质的主链从而改善电荷注入/传输性质,通过于荧光主链中应用含有荧光或磷光染料的功能侧链以调节发光波长,或通过于荧光主链中应用具有电荷注入性质和电荷传输性质等的功能侧链以提高发光效率和电荷注入/传输性质,可以使该聚合物发光器件得到高度功能化。
此外,与聚合物在主链上具有带相应功能的重复单元和/或与带有相应功能的低分子量添加剂混合的情况相比,预期本发明的芳族接枝聚合物在实现的同时抑制相分离。
据认为,通过将具有电子注入/传输性质的重复单元、具有空穴注入/传输性质的重复单元和发光重复单元组合而制备的无规共聚物和嵌段共聚物等相互干扰包含在这些重复单元中的电荷注入/传输性质。然而,与使用无规共聚物或嵌段共聚物的情况相比,在本发明的芳族聚合物中,比如正电荷注入、负电荷注入、正电荷传输、负电荷传输和发光之类的功能分开,并且由主链和侧链分享,或由侧链分享。因此,在不损害各种功能的情况下,可以自由地设置具有各种功能的部分的引入比率。即,可以控制被引入的功能取代基的量,从而在主链的原有功能和被引入的功能取代基之间取得功能平衡。由此,预期聚合物发光器件被高度功能化。
在化学领域中,当芳族聚合物被用作结构材料时,采用芳族接枝聚合物作为主要组分或添加剂,可以控制相分离。因而,预期该结构材料被高度功能化。
另外,在能源材料领域中制备聚合物电解质比如用于燃料电池的质子导电膜时,已知有使用芳族聚合物的实例。然而,与使用其中引入有带具有离子交换性质的取代基的侧链的芳族接枝聚合物的相应线型聚合物相比,预期该膜在保持膜强度的同时,具有高度功能化比如提高了离子交换能力。
由于主链和侧链是通过在本发明芳族接枝聚合物中的芳族环碳-芳族环碳共轭键而结合的,所以预期芳族接枝聚合物具有高的热稳定性和化学稳定性。可以预期,在同一聚合物链中侧链之间或侧链和主链之间的三维相互作用受到侧链的枝化结构的刚性的控制,并且可以预期该芳族接枝聚合物具有高的热稳定性。由于π-共轭环状化合物基团是通过碳-碳共轭键结合的,因此预期侧链能够调整主链的电子能级。
因此,在本发明的芳族接枝聚合物中,预期主链的功能受侧链调节或改善,或者预期侧链在不损害主链的功能的情况下赋予新的功能。而且,与将相应的各种线型聚合物、无规共聚物和嵌段共聚物等的混合相比,预期可以高自由度并且较少限制地实现各种高功能。
附图说明
图1显示在实施例5中EL器件的电压/电流特性曲线的测量结果;
图2显示在实施例6中EL器件的电压/电流特性曲线的测量结果;
图3显示在实施例7中EL器件的电压/电流特性曲线的测量结果;
图4显示在比较例1中EL器件的电压/电流特性曲线的测量结果;
图5显示在比较例2中EL器件的电压/电流特性曲线的测量结果;以及
图6显示在比较例3中EL器件的电压/电流特性曲线的测量结果;
具体实施方式
本发明的芳族接枝聚合物包含一种以上的由式(1)表示的重复单元。
由式(1)表示的重复单元是具有由式(2)表示的侧链的π-共轭环状化合物的二价残基。该侧链与包含在由Ar1表示的π-共轭环状化合物的二价残基的环结构中并且具有sp2杂化轨道的碳原子连接。即,由Ar1表示的π-共轭环状化合物的二价残基的核被由式(2)表示的侧链取代。
在本发明中,π-共轭环状化合物的二价残基是通过从π-共轭环状化合物上将与这样的碳结合的氢原子中的两个氢原子除去而形成的原子团:所述的碳存在于作为π-共轭环状化合物的主链的环结构中并且具有sp2杂化轨道。π-共轭环状化合物的二价残基包括具有稠环的那些。π-共轭环状化合物的二价残基可以具有取代基。然而,由式(2)表示的侧链不与取代基中的碳原子结合。
π-共轭环状化合物的二价残基的实例包括亚芳基、具有二价π-共轭体系的杂环化合物和具有稠环的那些。
与由Ar1表示的π-共轭环状化合物的二价残基结合并且由式(2)表示的侧链的数量不大于能够与由Ar1表示的π-共轭环状化合物的二价残基结合的侧链的数量。然而,鉴于合成的容易性,每一个由Ar1表示的π-共轭环状化合物的二价残基,侧链的数量优选为1以上和4以下,更优选1以上和2以下,还更优选为1。
亚芳基是从芳族烃上除去两个与存在于环结构中的具有sp2杂化轨道的碳连接的氢原子形成的原子团。亚芳基包括具有稠环的那些。亚芳基可以具有取代基。除在亚芳基中的取代基之外的部分的碳原子的数量通常为约6至60,并且优选为6至20。包括亚芳基的取代基的所有碳原子的数量通常为约6至100。作为亚芳基,举例的有下列式1A-1至1A-14等。
Figure S2006800252152D00061
1A-1                  1A-2                    1A-3                         1A-4
Figure S2006800252152D00062
1A-5                                          1A-6                         1A-7
Figure S2006800252152D00063
1A-8                                          1A-9
Figure S2006800252152D00064
1A-12                                         1A-13                        1A-14
在上述式1A-1至1A-14中,R表示键合,由式(2)表示的侧链、氢原子或取代基。存在的两个以上R中的任意两个表示键合。当存在两个以上由R表示的取代基时,它们可以相同或不同。Ra表示氢原子或取代基。当存在两个以上由Ra表示的取代基时,它们可以相同或不同。当在同一个原子上存在两个Ra时,它们可以结合形成桥氧基和桥硫基(thioxogroup),或可以彼此结合形成环。
在相邻原子上由R表示的取代基可以形成可以含有杂原子比如氧原子、硫原子和氮原子的5至7-元环的脂族环或5至7-元环的芳族环。
在式1A-1至1A-14中,鉴于合成的容易性,优选亚苯基(式1A-1)、萘-二基(式1A-2)和芴-二基(式1A-13)作为由Ar1表示的亚芳基。这些中,优选亚苯基(式1A-1)和萘-二基(式1A-2)。
在式1A-1至1A-14中,鉴于将本发明的芳族接枝聚合物用于聚合物LED时提高器件性质比如电荷传输性质、荧光强度和发光效率,优选亚苯基(式1A-1)、二氢菲-二基(式1A-10)、芴-二基(式1A-13)和苯并芴-二基(式1A-14)作为由Ar1表示的亚芳基。这些中,优选芴-二基(式1A-13)和苯并芴-二基(式1A-14)。
具有二价π-共轭体系的杂环化合物基是从具有π-共轭体系的杂环化合物上除去两个氢原子而形成的原子团,所述氢原子与存在于环结构中并且具有sp2杂化轨道的碳结合。该杂环化合物基包含具有稠环的那些。具有二价π-共轭体系的杂环化合物基可以具有取代基。此处,杂环化合物指的是在具有环结构的芳族化合物中,在环结构上不仅包含碳原子,而且还包含杂原子,比如氧原子、硫原子、氮原子、磷原子、硼原子、砷原子、硅原子和硒原子等作为构成环结构的元素的那些杂环化合物。
在具有二价π-共轭体系的杂环化合物基中除所述取代基之外的部分的碳原子的数量通常为约2至60,并且优选为2至20。具有二价π-共轭体系的杂环化合物基中包含取代基的所有碳原子的数量通常为约2至100。作为具有二价π-共轭体系的杂环化合物基,例举的有下列式2A-1至2A-53等。
Figure S2006800252152D00081
2A-1                 2A-2                   2A-3                2A-4                   2A-5
Figure S2006800252152D00082
2A-6                 2A-7                   2A-8                2A-9                   2A-10
Figure S2006800252152D00083
2A-11                2A-12                  2A-13               2A-14                  2A-15
Figure S2006800252152D00084
2A-16                2A-17                  2A-18
Figure S2006800252152D00091
   2A-41                              2A-42                                    2A-43
Figure S2006800252152D00102
  2A-44                               2A-45                                    2A-46
Figure S2006800252152D00103
 2A-47
Figure S2006800252152D00104
 2A-48                                2A-49                                    2A-50
Figure S2006800252152D00105
 2A-51                                2A-52                                    2A-53
在式2A-1至2A-53中,R表示键合,由式(2)表示的侧链、氢原子或取代基。存在的两个以上R中的任意两个表示键合。当存在两个以上由R表示的取代基时,它们可以相同或不同。Ra表示氢原子或取代基。当存在两个以上由Ra表示的取代基时,它们可以相同或不同。当在同一个原子上存在两个Ra时,它们可以结合形成桥氧基和桥硫基,或可以彼此结合形成环。
在相邻原子上由R表示的取代基可以形成可以含有杂原子比如氧原子、硫原子和氮原子的5至7-元脂族环或可以含有杂原子比如氧原子、硫原子和氮原子的5至7-元芳族环。
在式2A-1至2A-53中,鉴于将本发明的芳族接枝聚合物用于聚合物LED时提高器件性质比如电荷传输性质、荧光强度和发光效率,作为由Ar1表示的具有π-共轭体系的二价杂环化合物基时,优选吡啶-二基(式2A-1);喹啉-二基(式2A-6);异喹啉-二基(式2A-7);喹喔啉-二基(式2A-8);菲咯啉-二基(2A-18);噻吩-二基(式2A-22);咪唑-二基(2A-24);噁唑-二基(式2A-26);噻唑-二基(2A-27);含有氮、硫和氧作为杂原子并且具有稠合苯环的5-元杂环基(式2A-30至2 A-32、2A-34至2A-40)以及含有硅、氮、氧和硫作为杂原子并且具有芴-类似骨架的杂环基(式2A-41至2A-44、2A-46至2A-47),以及具有由式(2A-48至2A-53)表示的稠环结构的杂环基。更优选噻吩-二基(式2A-22)、噻唑-二基(式2A-27)、苯并噻二唑-二基(式2A-39)、苯并噁二唑-二基(2A-40)、二苯并甲烷硅醇(dibenzosilole)-二基(式2A-41)、咔唑-二基(式2A-42)、二苯并呋喃-二基(式2A-43)、二苯并噻吩-二基(式2A-44)、氮杂芴-二基(式2A-47)和二苯并吡喃-二基(式2A-49)。还更优选为咔唑-二基(式2A-42)、二苯并呋喃-二基(式2A-43)、二苯并噻吩-二基(式2A-44)和二苯并吡喃-二基(式2A-49)。
作为由Ar1表示的基团,优选具有稠环结构的亚芳基和二价杂环基。更优选具有稠环结构的亚芳基和具有稠环结构的二价杂环基,并且还更优选具有稠环结构的亚芳基。
作为由R或Ra表示的取代基,例举的有烷基、芳基、芳烷基、一价杂环基(式R-1)、可以被取代的链烯基(式R-2)、可以被取代的炔基(式R-3)、可以被取代的甲酰基(式R-4至R-7)、可以被取代的硫代甲酰基(式R-8至R-11)、可以被取代的亚胺残基(式R-12至R-15和式R-28)、可以被取代的羟基(式R-16至R-19)、可以被取代的巯基(式R-20至R-23)、可以被取代的氨基(式R-24至R-27和R-29)、卤素原子(式R-30至R-33)、取代的磺酰基(式R-34)、可以被取代的甲硅烷基(式R-35)、可以被取代的硅烷醇基(式R-36)、磺酸基(式R-37)、膦酰基(式R-38)、氰基(式R-39)和硝基(式R-40)。
-R′
Figure S2006800252152D00121
-C≡C-R″
R-1         R-2         R-3
R-4                   R-5                    R-6                    R-7
Figure S2006800252152D00123
R-8                   R-9                    R-10                   R-11
Figure S2006800252152D00124
R-12                 R-13                    R-14                   R-15
-O-R″
Figure S2006800252152D00131
R-16               R-17               R-18                R-19
-S-R″
Figure S2006800252152D00132
R-20               R-21               R-22                R-23
Figure S2006800252152D00133
R-24               R-25                 R-26                R-27
Figure S2006800252152D00134
R-28                R-29
-F                 -Cl                -Br                  -I
R-30               R-31               R-32                 R-33
Figure S2006800252152D00141
R-34                R-35                      R-36
-SO3H   -PO3H2  -C≡N   -NO2
R-37  R-38    R-39   R-40
(其中,-R′表示选自烷基、芳基、芳烷基和一价杂环基中的基团;而R″表示选自氢原子、烷基、芳基、芳烷基和一价杂环基中的基团。)
由式R-1、-R′或-R″表示的烷基可以是直链、支链或环状烃中的任一种。碳原子的数量通常为约1至20,优选为3至20。其具体实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正-丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、己基、环己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3,7-二甲基辛基、十二烷基和十八烷基。
从在有机溶剂中的溶解性、合成容易性等考虑,优选甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、己基、环己基、庚基、环己基甲基、辛基、2-乙基己基、2-环己基乙基、壬基、癸基、3,7-二甲基辛基和十二烷基。更优选甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、己基、环己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基和3,7-二甲基辛基。还优选丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、己基、环己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基和3,7-二甲基辛基。
由式R-1、-R′或-R″表示的芳基是通过从芳族烃上除去一个在芳族环上的氢原子而形成的原子团。该芳基包括具有稠环的那些。芳基的碳原子数量通常为约6至60个碳原子,优选为7至48个。其具体实例包括苯基、C1至C12烷基苯基(C1-C12指的是碳原子的数量为1-12。这同样适用于下文)、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基和9-蒽基。
从在有机溶剂中的溶解性、合成的容易性等考虑,或从当本发明的芳族接枝聚合物用于聚合物LED中时在器件性质和耐热性之间的平衡考虑,优选C1-C12烷基苯基。
C1-C12烷基苯基的具体实例包括甲基苯基、乙基苯基、二甲基苯基、二甲基-叔丁基苯基、丙基苯基、2,4,6-三甲苯基、甲基乙基苯基、异丙基苯基、正丁基苯基、异丁基苯基、仲丁基苯基、叔丁基苯基、戊基苯基、异戊基苯基、己基苯基、庚基苯基、辛基苯基、壬基苯基、癸基苯基、3,7-二甲基辛基苯基和十二烷基苯基。优选二甲基苯基、二甲基-叔丁基苯基、丙基苯基、2,4,6-三甲苯基、甲基乙基苯基、异丙基苯基、正丁基苯基、异丁基苯基、仲丁基苯基、叔丁基苯基、戊基苯基、异戊基苯基、己基苯基、庚基苯基、辛基苯基、壬基苯基、癸基苯基、3,7-二甲基辛基苯基和十二烷基苯基。
由式R-1、-R′或-R″表示的基团中的芳烷基的碳原子数量通常为约7至60个,优选为7至48个。其具体实例包括苯基-(C1-C12)烷基、C1-C12烷基苯基-(C1-C12)烷基、1-萘基-(C1-C12)烷基和2-萘基-(C1-C12)烷基。
从在有机溶剂中的溶解性、合成的容易性等考虑,或从当本发明的芳族接枝聚合物用于聚合物LED中时在器件性质和耐热性之间的平衡考虑,优选C1-C12烷基苯基-(C1-C12)烷基。
由式R-1、-R′或-R″表示的一价杂环基是通过从杂环化合物上除去一个氢原子而形成的残余原子团。其碳原子的数量通常为约4至60,并且优选为4至20。杂环基的碳原子数量不包含取代基中的碳原子数量。此处,杂环化合物指的是具有环状结构的有机化合物,其中,在环结构中除碳原子之外的元素包含有杂原子比如氧、硫、氮、磷、硼等。具体地,例举的有噻吩基、C1-C12烷基噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、C1-C12烷基吡啶基、哌啶基、喹啉基和异喹啉基等。
从在有机溶剂中的溶解性以及合成的容易性等考虑,或从当本发明的芳族接枝聚合物用于聚合物LED中时在器件性质和耐热性之间的平衡考虑,优选噻吩基、C1-C12烷基噻吩基、吡啶基和C1-C12烷基吡啶基。
作为由式R-2表示的并且可以被取代的链烯基,举例的有末端乙烯基、链烯基和芳基链烯基。该链烯基通常具有约3至20个碳原子,具体地,例举的有1-丙烯基、2-甲基-1-丙烯基、1,5-环辛二烯-1-基等。芳基链烯基通常具有约8至60个碳原子,具体地,例举的有苯基-(C2-C12)链烯基、C1-C12烷基苯基-(C2-C12)链烯基、1-萘基-(C2-C12)链烯基和2-萘基-(C2-C12)链烯基。
从在有机溶剂中的溶解性和合成的容易性等考虑,或从当本发明的芳族接枝聚合物用于聚合物LED中时提高器件性质考虑,优选芳基链烯基。优选的是苯基-(C2-C12)链烯基和C1-C12烷基苯基-(C2至C12)链烯基。
作为由式R-3表示的可以被取代的炔基,例举的有末端乙炔基、炔基和芳基炔基。所述炔基通常具有约3至20个碳原子。具体地,例举的有1-己炔-1-基、3-己炔-3-基等。所述芳基炔基通常具有约8至60个碳原子。具体地,例举的有苯基-(C2-C12)炔基、C1-C12烷基苯基-(C2-C12)炔基、1-萘基-(C2-C12)炔基和2-萘基-(C2-C12)炔基等。
从在有机溶剂中的溶解性和合成的容易性等考虑,或从当本发明的芳族接枝聚合物用于聚合物LED中时提高器件性质考虑,优选芳基炔基。优选苯基-C2-C12炔基和C1-C12烷基苯基-C2-C12炔基。
作为由式R-4至R-7表示的并且可以被取代的甲酰基,例举的有甲酰基、取代羰基(式R-4)、羧酸基、取代氧羰基(式R-5)、硫代羧酸基、取代的硫代羧酸基(式R-6)、甲酰胺基和取代氨基羰基(式R-7)等。
作为由式R-4表示的取代羰基,例举的有被烷基、芳基、芳烷基或一价杂环基取代的甲酰基。该取代的羰基通常具有约2至60个碳原子,并且优选为2至48个碳原子。具体地,例举的有乙酰基、丙基羰基、正丁基羰基、异丁基羰基、叔丁基羰基、苯甲酰基、苄基羰基、2-噻吩羰基和3-噻吩羰基等。
从在有机溶剂中的溶解性和合成的容易性等考虑,优选乙酰基、苯甲酰基、苄基羰基、2-噻吩羰基和3-噻吩羰基。
作为由式R-5表示的取代氧羰基,例举的有被烷基、芳基、芳烷基或一价杂环基取代的羧酸基。该取代氧羰基通常具有约2至60个碳原子,并且优选2至48个碳原子。具体地,例举的有甲氧羰基、乙氧羰基、丙氧羰基、异丙氧羰基、正-丁氧羰基、异丁氧羰基、叔-丁氧羰基、戊基氧羰基、己基氧羰基、环己基氧羰基、庚基氧羰基、辛基氧羰基、2-乙基己基氧羰基、壬基氧羰基、癸基氧羰基、3,7-二甲基辛基氧羰基、十二烷基氧羰基、苯氧羰基、萘氧羰基和吡啶基氧羰基等。
从在有机溶剂中的溶解性和合成的容易性等考虑,优选甲氧羰基、乙氧羰基、辛基氧羰基、苯氧羰基、萘氧羰基和吡啶基氧羰基。
作为由式R-6表示的取代的硫代羧酸基,例举的有被烷基、芳基、芳烷基或一价杂环基取代的硫代羧酸基。该取代的硫代羧酸基通常具有约2至60个碳原子,并且优选2至48个碳原子。具体地,例举的有甲基硫代羧酸基、乙基硫代羧酸基、丙基硫代羧酸基、异丙基硫代羧酸基、正丁基硫代羧酸基、异丁基硫代羧酸基、叔丁基硫代羧酸基、戊基硫代羧酸基、己基硫代羧酸基、环己基硫代羧酸基、庚基硫代羧酸基、辛基硫代羧酸基、2-乙基己基硫代羧酸基、壬基硫代羧酸基、癸基硫代羧酸基、3,7-二甲基辛基硫代羧酸基、十二烷基硫代羧酸基、苯基硫代羧酸基、萘基硫代羧酸基和吡啶基硫代羧酸基等。
从在有机溶剂中的溶解性和合成的容易性等考虑,优选甲基硫代羧酸基、乙基硫代羧酸基和苯基硫代羧酸基。
作为由式R-7表示的取代氨基羰基,例举的有被选自烷基、芳基、芳基烷基和一价杂环基中的一个或两个基团取代的氨基羰基。该取代氨基羰基通常具有约1至60个碳原子,优选为2至48个碳原子。
具体地,例举的有甲基氨基羰基、二甲基氨基羰基、乙基氨基羰基、二乙基氨基羰基、丙基氨基羰基、二丙基氨基羰基、异丙基氨基羰基、二异丙基氨基羰基、正丁基氨基羰基、异丁基氨基羰基、叔丁基氨基羰基、戊基氨基羰基、己基氨基羰基、环己基氨基羰基、庚基氨基羰基、辛基氨基羰基、2-乙基己基氨基羰基、壬基氨基羰基、癸基氨基羰基、3,7-二甲基辛基氨基羰基、十二烷基氨基羰基、环戊基氨基羰基、二环戊基氨基羰基、环己基氨基羰基、二环己基氨基羰基、吡咯烷基羰基、哌啶基羰基、苯基氨基羰基、二苯基氨基羰基、(C1-C12烷基苯基)氨基羰基、二(C1-C12烷基苯基)氨基羰基、1-萘基氨基羰基、2-萘基氨基羰基、吡啶基氨基羰基、哒嗪基氨基、嘧啶基氨基羰基、吡嗪基氨基羰基、三嗪基氨基羰基、苯基-C1-C12烷基氨基羰基、C1-C12烷基苯基-C1-C12烷基氨基羰基、二(C1-C12烷基苯基-C1-C12烷基)氨基羰基、1-萘基-C1-C12烷基氨基羰基和2-萘基-C1-C12烷基氨基羰基等。
从在有机溶剂中的溶解性和合成的容易性等考虑,优选甲基氨基羰基、二甲基氨基羰基、乙基氨基羰基、二乙基氨基羰基、叔丁基氨基羰基、哌啶基羰基、苯基氨基羰基、二苯基氨基羰基、(C1-C12烷基苯基)氨基羰基和二(C1-C12烷基苯基)氨基羰基。更优选二甲基氨基羰基、二乙基氨基羰基、二苯基氨基羰基和二(C1-C12烷基苯基)氨基羰基。
作为可以被取代的的甲酰基,从合成的容易性等考虑,优选甲酰基、取代羰基、羧酸基、取代氧羰基、甲酰胺基和取代氨基羰基。从在有机溶剂中的溶解性考虑,优选取代羰基、取代氧羰基和取代氨基羰基。
作为由式R-8至R-11表示的可以被取代的硫代甲酰基,例举的有硫代甲酰基、取代硫代羰基(式R-8)、取代氧硫代羰基(式R-9)、二硫代羧酸基、取代二硫代羧酸基(式R-10)、氨基硫代羰基和取代氨基硫代羰基(式R-11)。
作为由式R-8表示的取代硫代羰基,例举的有被烷基、芳基、芳烷基或一价杂环基取代的硫代甲酰基。该硫代甲酰基通常具有约2至60个碳原子,并且优选2至48个碳原子。具体地,例举的有甲基硫代羰基、乙基硫代羰基和苯基硫代羰基等。
作为由式R-9表示的取代氧硫代羰基,例举的有被烷基、芳基、芳烷基或一价杂环基取代的羟基硫代羰基。该取代的氧硫代羰基通常具有约2至60个碳原子,并且优选2至48个碳原子。具体地,例举的有甲氧硫代羰基、乙氧硫代羰基和苯氧硫代羰基等。
作为由式R-10表示的取代二硫代羧酸基,例举的有被烷基、芳基、芳烷基或一价杂环基取代的二硫代羧酸基。该取代二硫代羧酸基通常具有约2至60个碳原子,并且优选为2至48个碳原子。具体地,例举的有甲基二硫代羧酸基、乙基二硫代羧酸基和苯基二硫代羧酸基等。
作为由式R-11表示的取代氨基硫代羰基,例举的有被烷基、芳基、芳烷基或一价杂环基取代的氨基羰基。该取代氨基硫代羰基通常具有约2至60个碳原子,并且优选为2至48个碳原子。具体地,例举的有二甲基氨基硫代羰基、二乙基氨基硫代羰基、苯基氨基硫代羰基和二苯基氨基硫代羰基等。
作为可以被取代的硫代甲酰基,从合成的容易性考虑,优选硫代甲酰基、取代硫代羰基、取代氧硫代羰基、氨基硫代羰基和取代氨基硫代羰基。从在有机溶剂中的溶解性考虑,优选取代硫代羰基、取代氧硫代羰基和取代氨基硫代羰基。
作为由式R-12至R-15和R-28表示的并且可以被取代的亚胺残基,例举的有从亚胺化合物(该亚胺化合物表示在分子中具有-N=C-的有机化合物。其实例包括醛亚胺、酮亚胺以及在氮上的氢原子被烷基等取代的化合物)上除去一个氢原子而形成的残基。亚胺残基通常具有约2至20个碳原子,并且优选为2至18个碳原子。具体地,举例的有由下列结构式表示的基团等。
Figure S2006800252152D00191
作为由式R-16至R-19表示的并且可以被取代的羟基,例举的有羟基、烷氧基、芳基氧基、芳烷基氧基(式R-16)和取代羰氧基(式R-17)等。
由式R-16表示的烷氧基可以被直链、支链和环状链中的任一个取代。碳原子数量通常具有约1至20个碳原子,并且优选为3至20个碳原子。其实例包括甲氧基、乙氧基、丙基氧基、异丙基氧基、正-丁氧基、异丁氧基、叔-丁氧基、戊基氧基、己基氧基、环己基氧基、庚氧基、辛基氧基、2-乙基己基氧基、壬基氧基、癸基氧基、3,7-二甲基辛基氧基和十二烷基氧基。
从在有机溶剂中的溶解性和合成的容易性等考虑,或从当将本发明的芳族接枝聚合物用于聚合物LED中时在器件性质和耐热性之间的平衡考虑,优选戊基氧基、己基氧基、辛基氧基、2-乙基己基氧基、癸基氧基和3,7-二甲基辛基氧基。
由式R-16表示的芳基氧基通常具有约6至60个碳原子,并且优选7至48个碳原子。其具体实例包括苯氧基、C1-C12烷基苯氧基、1-萘基氧基和2-萘基氧基。
从在有机溶剂中的溶解性和合成的容易性等考虑,或从当将本发明的芳族接枝聚合物用于聚合物LED中时在器件性质和耐热性之间的平衡考虑,优选C1-C12烷基苯氧基。
C1-C12烷基苯氧基的具体实例包括甲基苯氧基、乙基苯氧基、二甲基苯氧基、丙基苯氧基、1,3,5-三甲基苯氧基、甲基乙基苯氧基、异丙基苯氧基、正丁基苯氧基、异丁基苯氧基、叔丁基苯氧基、戊基苯氧基、异戊基苯氧基、己基苯氧基、庚基苯氧基、辛基苯氧基、壬基苯氧基、癸基苯氧基和十二烷基苯氧基。
由式R-16表示的芳烷基氧基通常具有约7至60个碳原子,并且优选为7至48个碳原子。其具体实例包括苯基-(C1-C12)烷氧基,比如苯基甲氧基、苯基乙氧基、苯基-正-丁氧基、苯基戊基氧基、苯基己基氧基、苯基庚基氧基和苯基辛基氧基;C1-C12烷基苯基-(C1-C12)烷氧基、1-萘基-(C1-C12)烷氧基和2-萘基-(C1-C12)烷氧基。
从在有机溶剂中的溶解性和合成的容易性等考虑,或从当将本发明的芳族接枝聚合物用于聚合物LED中时在器件性质和耐热性之间的平衡考虑,优选C1-C12烷基苯基-C1-C12烷氧基。
作为由式R-17表示的取代羰氧基,例举的有被烷基、芳基、芳烷基或一价杂环基取代的羰氧基。该取代羰氧基通常具有约2至60个碳原子,并且优选为2至48个碳原子。其具体实例包括乙酰基氧基、丙基羰氧基、正丁基羰氧基、异丁基羰氧基、叔丁基羰氧基、苯甲酰基氧基、苄基羰氧基、2-噻吩羰氧基和3-噻吩羰氧基。
作为可以被取代的羟基,从合成的容易性考虑,优选羟基、烷氧基、芳基氧基和芳烷基氧基。从在有机溶剂中的溶解性或从当将本发明的芳族接枝聚合物用于聚合物LED中时在器件性质和耐热性之间的平衡考虑,优选、烷氧基、芳基氧基和芳烷基氧基。
作为由式R-20至R-23表示的并且可以被取代的巯基,例举的有巯基,烷基硫基、芳基硫基、芳烷基硫基(式R-20)和取代羰基硫基(式R-21)等。
由式R-20表示的烷基硫基可以是直链、支链和环状链中的任一种。碳原子的数量通常为约1至20个碳原子,并且优选为3至20个碳原子。其具体实例包括甲基硫基、乙基硫基、丙基硫基、异丙基硫基、正丁基硫基、异丁基硫基、叔丁基硫基、戊基硫基、己基硫基、环己基硫基、庚基硫基、辛基硫基、2-乙基己基硫基、壬基硫基、癸基硫基、3,7-二甲基辛基硫基和十二烷基硫基。
从在有机溶剂中的溶解性和合成的容易性等考虑,或从当将本发明的芳族接枝聚合物用于聚合物LED中时在器件性质和耐热性之间的平衡考虑,优选戊基硫基、己基硫基、辛基硫基、2-乙基己基硫基、癸基硫基和3,7-二甲基辛基硫基。
由式R-20表示的芳基硫基通常具有约3至60个碳原子,并且其具体实例包括苯基硫基、C1-C12烷基苯基硫基、1-萘基硫基和2-萘基硫基。
从在有机溶剂中的溶解性和合成的容易性等考虑,或从当将本发明的芳族接枝聚合物用于聚合物LED中时在器件性质和耐热性之间的平衡考虑,优选C1-C12烷基苯基硫基。
由式R-20表示的芳基烷基硫基通常具有约7至60个碳原子,并且优选为7至48碳原子。其具体实例包括苯基-(C1-C12)烷基硫基、C1-C12烷基苯基-(C1-C12)烷基硫基、1-萘基-(C1-C12)烷基硫基和2-萘基-(C1-C12)烷基硫基。
从在有机溶剂中的溶解性和合成的容易性等考虑,或从当将本发明的芳族接枝聚合物用于聚合物LED中时在器件性质和耐热性之间的平衡考虑,优选C1-C12烷基苯基-(C1-C12)烷基硫基。
作为由式R-21表示的取代羰基硫基,例举的有被烷基、芳基、芳烷基或一价杂环基取代的羰基硫基。该取代羰基硫基通常具有约2至60个碳原子,并且优选为2至48个碳原子。其具体实例包括乙酰基硫基、丙基羰基硫基、正丁基羰基硫基、异丁基羰基硫基、叔丁基硫基、苯甲酰基硫基和联苯酰基羰基硫基。
作为可以被取代的巯基,从合成的容易性考虑,优选巯基、烷基硫基、芳基硫基和芳烷基硫基。从在有机溶剂中的溶解性或从当将本发明的芳族接枝聚合物用于聚合物LED中时在器件性质和耐热性之间的平衡考虑,优选烷基硫基、芳基硫基和芳烷基硫基。
作为由式R-24至R-27和R-29表示的并且可以被取代的氨基,例举的有氨基、取代氨基(式R-24)、酰胺基(式R-25)和酸亚胺基(式R-29)。
由式R-24表示的取代氨基包括被选自烷基、芳基、芳基烷基或一价杂环基的一个或两个基团取代的氨基。其碳原子数量通常为约1至60个碳原子,并且优选为2至48个碳原子。
其具体实例包括甲基氨基、二甲基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、丙基氨基、二丙基氨基、异丙基氨基、二异丙基氨基、正丁基氨基、异丁基氨基、叔丁基氨基、戊基氨基、己基氨基、环己基氨基、庚基氨基、辛基氨基、2-乙基己基氨基、壬基氨基、癸基氨基、3,7-二甲基辛基氨基、十二烷基氨基、环戊基氨基、二环戊基氨基、环己基氨基、二环己基氨基、吡咯烷基、哌啶基、二苯基氨基、(C1-C12烷基苯基)氨基、二(C1-C12烷基苯基)氨基、1-萘基氨基、2-萘基氨基、吡啶基氨基、哒嗪基氨基、嘧啶基氨基、吡嗪基氨基、三嗪基氨基、苯基-(C1-C12)烷基氨基、C1-C12烷基苯基-(C1-C12)烷基氨基、二(C1-C12烷基苯基-(C1-C12)烷基)氨基、1-萘基-(C1-C12)烷基氨基和2-萘基-(C1-C12)烷基氨基。
从在有机溶剂中的溶解性和合成的容易性等考虑,优选甲基氨基、二甲基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、叔丁基氨基、哌啶基、苯基氨基、二苯基氨基、C1-C12烷基苯基氨基和二(C1-C12烷基苯基)氨基。
从在有机溶剂中的溶解性、合成的容易性或当将本发明的芳族接枝聚合物用于聚合物LED中时器件性质和耐热性之间的平衡考虑,优选二苯基氨基和二(C1-C12烷基苯基)氨基。
作为由式R-25表示的酰胺基,例举的由被选自烷基、芳基、芳基烷基或一价杂环基中的一个或两个基团取代的酰胺基,并且其碳原子的数量为约1至60个碳原子,优选为2至48个碳原子。其具体实例包括甲酰胺基、乙酰胺基、丙酰胺基、丁酰胺基、苯甲酰胺基、三氟乙酰胺基、五氟苯甲酰胺基、N-甲基甲酰胺基、N-苯基乙酰胺基和N-苯基苯甲酰胺基。
从在有机溶剂中的溶解性和合成的容易性等考虑,优选甲酰胺基、乙酰胺基、N-甲基甲酰胺基、N-苯基乙酰胺基和N-苯基苯甲酰胺基。
由式R-29表示的酸酰胺基的实例包括从酸亚胺比如琥珀酰亚胺、邻苯二甲酰亚胺和1,2,4,5-苯四甲酰亚胺上除去与氮原子结合的氢原子获得的残基,并且其碳原子数量为约4至20个碳原子。优选地,举例的有下列基团。
Figure S2006800252152D00231
作为可以被取代的氨基,从合成的容易性考虑,优选氨基、取代氨基、酰胺基和酸亚胺基。从在有机溶剂中的溶解性或从当将本发明的芳族接枝聚合物用于聚合物LED中时在器件性质和耐热性之间的平衡考虑,优选取代氨基和酸亚胺基。
作为卤素原子,例举的有例如,氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。
从本发明芳族接枝聚合物的稳定性考虑,优选氟原子。
作为由式R-34表示的取代磺酰基,例举的有被烷基、芳基、芳烷基或一价杂环基取代的磺酰基。其碳原子数量通常为约2至60个碳原子,并且优选为2至48个碳原子。其具体实例为C1-C12烷基磺酰基、苯磺酰基、C1-C12烷氧基苯基磺酰基、C1-C12烷基苯基砜基、1-萘基磺酰基、2-萘基磺酰基、苯基-(C1-C12)烷基磺酰基、C1-C12烷基苯基-(C1-C12)烷基磺酰基、1-萘基-(C1-C12)烷基磺酰基和2-萘基-(C1-C12)烷基磺酰基。
从耐热性和在有机溶剂中的溶解性考虑,优选苯磺酰基、C1-C12烷基苯基磺酰基、1-萘基磺酰基、2-萘基磺酰基和苯基-(C1-C12)烷基磺酰基。从耐热性考虑,更优选苯磺酰基、1-萘基磺酰基和2-萘基磺酰基。
作为由式R-35表示的并且可以被取代的甲硅烷基,例举的有被选自烷基、芳基、芳基烷基和一价杂环基中的一个、两个或三个基团取代的甲硅烷基。该取代甲硅烷基的碳原子数量通常为约1至60个碳原子,并且优选3至48个碳原子。
甲硅烷基的具体实例包括三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三丙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、二甲基异丙基甲硅烷基、二乙基异丙基甲硅烷基、叔丁基甲硅烷基二甲基甲硅烷基、戊基二甲基甲硅烷基、己基二甲基甲硅烷基、庚基二甲基甲硅烷基、辛基二甲基甲硅烷基、2-乙基己基-二甲基甲硅烷基、壬基二甲基甲硅烷基、癸基二甲基甲硅烷基、3,7-二甲基辛基-二甲基甲硅烷基、十二烷基二甲基甲硅烷基、苯基-(C1-C12)烷基甲硅烷基、C1-C12烷基苯基-(C1-C12)烷基甲硅烷基、1-萘基-(C1-C12)烷基甲硅烷基、2-萘基-(C1-C12)烷基甲硅烷基、苯基-(C1-C12)烷基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、三-对-甲基苯基甲硅烷基、三苄基甲硅烷基、二苯基甲基甲硅烷基、叔丁基二苯基甲硅烷基和二甲基苯基甲硅烷基。
作为由式R-36表示的并且可以被取代的硅烷醇基,例举的有被选自烷基、芳基、芳基烷基或一价杂环基中的一个、两个或三个基团取代的硅烷醇基。该取代硅烷醇基的碳原子数量通常为约1至60个碳原子,并且优选为3至48个碳原子。具体地,例举的有三甲氧基甲硅烷基、三乙氧基甲硅烷基和三苯氧基甲硅烷基。
从提高在有机溶剂中的溶解性考虑,作为在本发明的芳族接枝聚合物中由R或Ra表示的取代基,优选为烷基、芳基、芳烷基、一价杂环基、可以被取代的链烯基、可以被取代的炔基、取代羰基、取代氧羰基、取代氧硫代羰基、取代氨基羰基、取代氨基硫代羰基、可以被取代的亚胺残基、烷氧基、芳氧基、芳烷基氧基、取代羰氧基、烷基硫基、芳基硫基、芳烷基硫基、取代羰基硫基、取代氨基、酰胺基、酸亚胺基、取代磺酰基和可以被取代的甲硅烷基。更优选烷基、芳基、芳烷基、一价杂环基、烷氧基、芳氧基、芳烷基氧基、烷基硫基、芳基硫基和芳烷基硫基。还更优选烷基、烷氧基和烷基硫基。
从提高耐热性和化学稳定性考虑,优选烷基、芳基、芳烷基、一价杂环基、取代羰基、取代氨基羰基、烷氧基、芳氧基、芳烷基氧基、烷基硫基、芳基硫基、芳烷基硫基、取代氨基、酰胺基、酸亚胺基、卤素原子和取代磺酰基。更优选烷基、芳基、芳烷基、取代氨基羰基、烷氧基、芳氧基、芳烷基氧基、烷基硫基、芳基硫基、芳烷基硫基、取代氨基、酰胺基、酸亚胺基和氟原子。还更优选烷基、芳基和芳烷基。
当本发明芳族接枝聚合物被用于聚合物LED时,从在有机溶剂中的溶解性、器件性质和合成的容易性等与耐热性之间的平衡考虑,优选烷基、芳基、芳烷基、一价杂环基、可以被取代的链烯基、可以被取代的炔基、可以被取代的亚胺残基、烷氧基、芳氧基、芳烷基氧基、烷基硫基、芳基硫基、芳烷基硫基、取代氨基、酸亚胺基、卤素原子、可以被取代的甲硅烷基、和氰基。更优选烷基、芳基、芳烷基、一价杂环基、可以被取代的亚胺残基、烷氧基、芳氧基、芳烷基氧基、烷基硫基、芳基硫基、芳烷基硫基、酸亚胺基、氟原子和氰基。还更优选烷基、芳基、一价杂环基、可以被取代的亚胺残基、烷氧基、芳基氧基、烷基硫基、芳基硫基、酸亚胺基、氟原子和氰基。
当本发明的芳族接枝聚合物被用作聚合物电解质比如用于燃料电池的质子导电膜时,从提高合成的容易性、在有机溶剂中的溶解性、耐热性和离子交换能力的平衡考虑,优选烷基、芳基、取代羰基、羧酸基、取代氨基羰基、羟基、烷氧基、芳基氧基、酰胺基、酸亚胺基、卤素原子、取代磺酰基、磺酸基和膦酰基。更优选烷基、取代羰基、氟原子、取代磺酰基、磺酸基和膦酰基。
在由R′和R″表示的取代基上的氢原子可以被卤素原子比如F、Cl、Br、I取代。卤素原子中,优选氟原子。其具体实例包括氟原子取代的烷基,比如三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基和全氟辛基;氟原子取代的芳基,比如五氟苯基等;氟原子取代的取代羰基,比如三氟乙酰基、五氟苯甲酰基等;氟原子取代的取代氧羰基,比如三氟甲氧羰基、五氟乙氧羰基、全氟丁氧羰基、全氟己基氧羰基、全氟辛基氧羰基;氟原子取代的取代硫代羧酸基,比如三氟甲基硫代羧酸基、五氟乙基硫代羧酸基、全氟丁基硫代羧酸基、全氟己基硫代羧酸基和全氟辛基硫代羧酸基;氟原子取代的氨基羰基,比如二(三氟甲基)氨基羰基和五氟苯基氨基羰基;氟原子取代的取代烷氧基,比如三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己基、全氟辛基等;氟原子取代的取代羰氧基,比如三氟乙酰基氧基和五氟苯甲酰基氧基;氟原子取代的取代巯基,比如三氟甲基硫基;氟原子取代的取代羰基硫基,比如三氟乙酰基硫基和五氟苯甲酰基硫基;氟原子取代的取代氨基,比如二(三氟甲基)氨基;以及,氟原子取代的取代磺酰基,比如五氟苯基磺酰基等。
当各自由R′和R″表示的取代基都包含芳基或一价杂环基时,在所述芳基或一价杂环基上的氢原子可以被如下的基团取代:可以被烷基取代的链烯基、可以被烷基取代的炔基、可以被烷基取代的甲酰基、可以被烷基取代的硫代甲酰基、可以被烷基取代的亚胺残基、可以被烷基取代的羟基、可以被烷基取代的巯基、可以被烷基取代的氨基、可以被卤素原子和烷基取代的磺酰基、可以被烷基取代的甲硅烷基、可以被烷基取代的硅烷醇基、磺酸基、膦酰基、氰基或硝基。这些中,优选可以被烷基取代的链烯基、可以被烷基取代的炔基、可以被烷基取代的甲酰基、可以被烷基取代的亚胺残基、可以被烷基取代的羟基、可以被烷基取代的巯基、可以被烷基取代的氨基、卤素原子、磺酸基、膦酰基、氰基和硝基。更优选可以被烷基取代的甲酰基、可以被烷基取代的亚胺残基、可以被烷基取代的羟基、可以被烷基取代的巯基、可以被烷基取代的氨基、卤素原子、磺酸基、膦酰基、氰基和硝基。还更优选烷氧基和烷基硫基。其具体实例包括含有C1-C12烷氧基取代基的基团,比如,C1-C12烷氧基苯基、C1-C12烷氧基苯基-(C1-C12-)烷基、C1-C12烷氧基苯基-(C2-C12)链烯基、C1-C12烷氧基苯基-(C2-C12)炔基、C1-C12烷氧基苯基氨基羰基、二(C1-C12烷氧基苯基)氨基羰基、C1-C12烷氧基苯基-(C1-C12)烷基氨基羰基、二(C1-C12烷氧基苯基-(C1-C12)烷基)氨基羰基、C1-C12烷氧基苯氧基、C1-C12烷氧基苯基-(C1-C12)烷氧基、C1-C12烷氧基苯基硫基、C1-C12烷氧基苯基-(C1-C12)烷基硫基、C1-C12烷氧基苯基氨基、二(C1-C12烷氧基苯基)氨基、C1-C12烷氧基苯基-(C1-C12)烷基氨基、二(C1-C12烷氧基苯基-(C1-C12)烷基)氨基、C1-C12烷氧基苯基-(C1-C12)烷基甲硅烷基等。C1-C12烷氧基的具体实例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙基氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3,7-二甲基辛氧基和十二烷氧基。
当由R′和R″表示的取代基包含亚烷基链时,在亚烷基链中的任何-CH2-基团可以被含有二价杂原子比如氧、硫和氮的二价基团,含杂原子的二价基团,或通过将两个以上的基团结合而形成的二价基团取代。作为二价杂原子和含杂原子的二价基团,例举的有由式X-1至X-6表示的基团。
-O-  -S-
X-1  X-2        X-3          X-4         X-5           X-6
此处,R″表示与上述给出的相同定义。
作为将2个以上的二价杂原子或含杂原子的二价基团结合而成的二价基团,例举的例如有由下式X-7至X-10表示的下列基团。
Figure S2006800252152D00281
X-7                   X-8                 X-9               X-10
在由式X-1至X-10表示的基团中,优选由式X-1、X-2、X-3、X-5和X-6表示的基团,并且更优选由式X-1和X-2表示的基团。还更优选由式X-1表示的基团。具体地,例举的有甲氧基甲基氧基和2-甲氧基乙基氧基。
在式(2)中,k表示3以上的整数。
在式(2)中,E1表示氢原子、卤素原子或取代基。作为由E1表示的卤素原子,例举的有氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。作为由E1表示的卤素原子,从化学稳定性考虑,优选为氟原子。
作为由E1表示的取代基,例举的有烷基(优选C1-C12烷基)、烷氧基(优选C1-C12烷氧基)和烷基硫基(优选C1-C12烷基硫基)。它们的定义和实例与在Ar1的取代基中烷基、烷氧基和烷基硫基的定义和实例相同。
作为由E1表示的基团,优选氢原子、氟原子、烷基(优选C1-C12烷基)和烷氧基(优选C1-C12烷氧基)。更优选氢原子和烷基(优选C1-C12烷基),并且还更优选烷基(优选C1-C12烷基)。
在式(2)中,Ar2表示具有π-共轭环状化合物的二价残基的基团。作为由Ar2表示的并且具有π-共轭环状化合物的二价残基的基团,例举的有π-共轭环状化合物的二价残基以及具有含π-共轭环状化合物结构的有机配体的金属配位化合物的二价残基。
作为由Ar2表示的π-共轭环状化合物二价残基,其中由式(2)表示的侧链被氢原子或取代基取代的那种二价残基在由Ar1表示的π-共轭环状化合物的二价残基中的定义和实例中有定义和例举。
作为由Ar2表示的亚芳基,从合成的容易性考虑,优选式1A-1至1A-14中的亚苯基(式1A-1)、萘-二基(式1A-2)和芴-二基(式1A-13)。这些中,优选亚苯基(式1A-1)和萘-二基(式1A-2)。
当将本发明的芳族接枝聚合物用于聚合物LED时,从提高器件性质比如电荷传输性质、荧光强度和发光效率考虑,作为由Ar2表示的亚芳基,优选式1A-1至1A-14中的亚苯基(式1A-1)、萘-二基(式1A-2)、二氢菲-二基(式1A-10)、芴-二基(式1A-13)和苯并芴-二基(式1A-14)。在这些中,优选亚苯基(式1A-1)、芴-二基(式1A-13)和萘-二基(式1A-2)。
作为由Ar2表示的π-共轭环状化合物的二价残基,例举的还有下列式3A-1至3A-4。
3A-1                    3A-2                    3A-3                   3A-4
(其中,Ra表示与上面相同的意义。)
当将本发明的芳族接枝聚合物用于聚合物LED时,从提高器件性质比如电荷传输性质、荧光强度和发光效率考虑,作为由Ar2表示的含π-共轭体系的二价杂环化合物基,在式2A-1至2A-53和3A-1至3A-4中,优选吡啶-二基(式2A-1)、喹啉-二基(式2A-6)、异喹啉-二基(式2A-7)、喹喔啉-二基(式2A-8)、菲咯啉-二基(2A-18)、噻吩-二基(式2A-22)、咪唑-二基(式2A-24)、噁唑-二基(式2A-26)、噻唑-二基(2A-27)、含氮、硫和氧作为杂原子并且含有稠合苯环的5-元杂环基(式2A-30至2A-32、2A-34至2A-40、3A-1至3A-3),以及具有芴-类似骨架的含有硅、氮、氧和硫作为杂原子的杂环基(式2A-41至2A-44、2A-46至2A-47)以及由(式2A-48至2A-53)表示的具有稠环结构的杂环基。更优选噻吩-二基(式2A-22)、噻唑-二基(式2A-27)、苯并噻唑-二基(式2A-39)、二苯并甲硅烷醇-二基(式2A-41)、咔唑-二基(式2A-42)、二苯并呋喃-二基(式2A-43)、二苯并噻吩-二基(式2A-44)、氮杂芴-二基(式2A-47)、二苯并吡喃-二基(式2A-49)、噁二唑-二基(3A-2)和硫代噁二唑-二基(3A-3)。这些中,还更优选噻吩-二基(式2A-22)、噻唑-二基(式2A-27)、苯并噻二唑-二基(式2A-39)、二苯并甲硅烷醇-二基(式2A-41)、咔唑-二基(式2A-42)、二苯并呋喃-二基(式2A-43)、二苯并噻吩-二基(式2A-44)、二苯并吡喃-二基(式2A-49)和噁二唑-二基(3A-2)。
由Ar2表示的具有含π-共轭环状化合物结构的有机配体的金属配位化合物的二价残基是将包含在这样的π-共轭体系上的碳原子上的两个氢原子除去而获得的残余二价基团:具有π-共轭环状化合物结构的金属配位化合物的配体的π-共轭体系。
有机配体的碳原子数量通常为约4至60个,并且其实例包括8-喹啉醇及其衍生物、苯并喹啉醇及其衍生物、2-苯基-吡啶及其衍生物、2-苯基-苯并喹啉醇及其衍生物、2-苯基-苯并噁唑及其衍生物和卟啉及其衍生物。
作为配合物的中心金属,例举的有铝、锌、铍、铱、铂、金、铕和铽等。
作为具有含π-共轭环状化合物结构的有机配体的金属配位化合物,例举的有作为低分子量荧光材料的已知金属配合物和三重态发光配合物,以及磷光材料。
具体地,作为具有含π-共轭环状化合物结构的有机配体的金属配位化合物的二价残基,例举的有下列式4A-1至4A-7。
Figure S2006800252152D00311
Figure S2006800252152D00321
在式4A-1至4A-7中,R表示键合、氢原子或取代基。所存在的两个以上R中的任意两个R表示键合。当存在两个以上的由R表示的取代基时,它们可以相同或不同。上面所述的取代基与由R表示的取代基的例举相同。
作为由Ar2表示的并且具有π-共轭环状化合物二价残基的基团,优选亚芳基和二价杂环基。更优选具有稠合结构的亚芳基和二价杂环基。还更优选具有稠合结构的亚芳基和具有稠合结构的二价杂环基。
在式(2)中,X1表示选自直接键合、-NQ1-、-PQ2-和-BQ3-中的二价基团。Q1、Q2和Q3表示取代基。作为由Q1至Q3表示的取代基,例举的有烷基、芳基、芳烷基和一价杂环基,并且其定义和具体实例与在Ar1的取代基中的烷基、芳基、芳烷基和一价杂环基的定义和具体实例相同。作为由Q1、Q2和Q3表示的取代基,特别优选芳基和一价杂环基。在由X1表示的二价基团中,从将本发明的芳族聚合物用于聚合物LED考虑,特别优选由-NQ1-表示的基团。
在式(2)中,Z表示直接键合或二价连接基团。作为由Z表示的二价连接基团,例举的有由下列式表示的基团或邻苯二甲酰亚胺-N,4-二基和均苯四酸亚胺-N,N′-二基。此外,例举的是通过将选自上述基团中并且可以相同或不同的两个以上的基团结合而形成的二价基团,以及选自上述基团中并且可以相同或不同的一个以上的基团与选自由X1表示的二价基团中的一个以上的基团结合而形成的二价基团。
-O-  -S-
Figure S2006800252152D00332
Figure S2006800252152D00334
-C≡C-  -N=N-
Figure S2006800252152D00335
-B=N-  -N=B-
Figure S2006800252152D00336
(其中、Q4、Q5、Q6、Q7、Q8、Q9、Q10、Q11、Q12和Q13各自独立地表示选自氢原子、烷基、芳基、芳烷基、一价杂环基、甲酰基、取代羰基、卤素原子和氰基中的基团。当Q4、Q5、Q6、Q7、Q8、Q9、Q10、Q11、Q12和Q13分别存在两个以上时,它们可以相同或不同。由Q4、Q5、Q6、Q7、Q8、Q9、Q10、Q11、Q12和Q13表示的烷基、芳基、芳烷基、一价杂环基和取代羰基的定义和具体实例与在Ar1的取代基中的烷基、芳基、芳烷基、一价杂环基、取代羰基和卤素原子的定义和具体实例相同)。
作为通过将选自上述中的并且可以相同或不同的两个以上的基团结合而形成的二价基团,以及通过将选自上述中的并且可以相同或不同的一个以上的基团与选自由X1表示的二价有机基团中的一个以上的基团结合而形成的二价基团,例举的有由下列式表示的基团以及,在C2至C20烷基链中的一个或多个的-CH2-基团中的任一个和C2至C20烷基链被选自上述基中的并且可以相同或不同的一个以上的基团取代而形成的基团。
Figure S2006800252152D00341
在式(2)中,从耐热性和在有机溶剂中的溶解性考虑,Z优选为直接键合或由NQ1-、-CQ4Q5-、-SiQ6Q7-、-C(=O)-或-SO2-表示的基团,以及通过将选自上述基团中的两个以上的基团结合而形成的基团。更优选直接键合、亚烷基链或含有由NQ1-、-O-、-S-、-SiQ6Q7-、-C(=O)-或-SO2-表示的基团的亚烷基链,并且还优选直接键合。
从在有机溶剂中的溶解性、器件性质和合成的容易性与当本发明的芳族接枝聚合物被用于聚合物LED中时的耐热性之间的平衡考虑,优选直接键合和由-NQ1-、-SiQ6Q7-、-CQ8=CQ9-和-C≡C-表示的基团。更优选直接键合或由-NQ1-和-SiQ6Q7-表示的基团,并且还优选直接键合或含烷基链的基团。
当将本发明的芳族接枝聚合物用于聚合物LED时,预期当由式(2)表示的侧链有助于电荷传输性质和电荷注入性质时,Z优选为直接键合。
在式(2)中,当k表示3以上的整数并且存在两个以上的Ar2、X1和Z时,它们可以各自相同或不同。当在本发明的芳族接枝聚合物中存在两个以上的由式(2)表示的侧链时,它们可以各自相同或不同。
在本发明的芳族接枝聚合物中,由式(2)表示的侧链具有重复单元,由此有效地表现出所述功能。因此,由式(2)表示的侧链要求k是3以上的整数。优选地,k是4以上的整数,更优选5以上,还更优选6以上。
尽管k的上限没有特别的限制,但是将不损失本发明的芳族接枝聚合物在有机溶剂中的溶解性的值设置为k的上限。K优选为1×104以下的整数,并且更优选为5×103以下,还更优选为1000以下,并且特别优选为500以下。当本发明的芳族接枝聚合物中包含两个以上的由式(2)表示的有机侧链时,存在的两个以上的k可以相同或不同,并且k可以不包含在优选范围内。
由于本发明的芳族接枝聚合物包含式(2)表示的重复单元中的由X1表示的二价有机基团,因此预期该侧链的功能得到加强。因此,在由下式(3)限定的表示侧链长度的参数f中,优选满足f≥4的条件,更优选f≥5,还更优选f≥6。
f=k+m(3)
在参数f中,m表示在由式(2)所示侧链中由X1表示的直接键合和二价基团中的二价基团的数量。
预期本发明的芳族聚合物被式(2)表示的侧链高度功能化。例如,本发明的芳族聚合物在固态时具有电荷传输性质或光致发光。因此,优选的是,由式(2)表示的侧链具有响应用途的功能。例如,当本发明的化合物用于聚合物LED时,优选的是,化合物赋予主链比如空穴注入/传输功能和电子注入/传输功能之类的电荷注入/传输功能,以及比如荧光或磷光反射、溶解性、耐热性之类的功能。从这种观点考虑,作为由式(2)表示的侧链,例举的有如下。
作为具有空穴注入/传输性质的侧链,例举的有含有比如如下物质的骨架的侧链:聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在侧链或主链上具有芳族胺的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、均二苯代乙烯衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚(p-亚苯基1,2-亚乙烯基)或其衍生物、聚(2,5-亚噻吩基1,2-亚乙烯基)或其衍生物,等。
作为具有电子注入和传输性质的取代基,例举的含有骨架比如如下物质的侧链:噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷或其衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷或其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯或其衍生物、二苯酚合苯醌衍生物,或者8-羟基喹啉或其衍生物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物和聚芴或其衍生物的金属配合物。
作为荧光取代基,可以使用含有骨架比如如下物质的侧链:萘衍生物、蒽或其衍生物、苝或其衍生物、染料比如聚甲炔染料、呫吨染料、香豆素染料、花青染料、8-羟基喹啉或其衍生物的金属配合物、芳族胺、四苯基环戊烷或其衍生物或者四苯基丁二烯或其衍生物。
作为磷光取代基,列举的是含骨架比如如下物质的侧链:使用铱作为中心金属原子的三重态发光配合物,比如Ir(ppy)3和Btp2Ir(acac);使用铂作为中心金属原子的PtOEP;以及,使用铕作为中心金属的Eu(TTA)3phen。
除由式(1)表示的重复单元之外,本发明的芳族接枝聚合物还可以包含另外的重复单元。作为另外的重复单元,优选选自下列式(5)、(6)、(7)、(8)和(9)中的基团的重复单元。
-Ar4-              (5)
-Ar5-              (6)
_Ar6-X2_pAr7-    (7)
-Ar8-X3-           (8)
-X4-               (9)
其中,Ar4表示在式(1)的Ar1中由式(2)表示的侧链被氢原子取代的重复单元。Ar5、Ar6、Ar7和Ar8各自独立地表示具有π-共轭环状化合物的二价残基的二价基团。X2、X3和X4各自独立地表示二价连接基团。p表示1或2。
由Ar5、Ar6、Ar7和Ar8表示的具有π-共轭环状化合物二价残基的二价基团的定义和实例与由Ar2表示的并且具有π-共轭环状化合物二价残基的二价基团的定义和实例相同。
由X2、X3和X4表示的二价连接基团的定义和实例与由X1或Z表示的基团的定义和实例相同。
作为由X2、X3和X4表示的二价连接基团,从耐热性考虑,优选为由-NQ1-、-CQ4Q5-、-SiQ6Q7-、-C(=O)-和-SO2-表示的基团,以及通过将选自-NQ1-、-CQ4Q5-、-SiQ6Q7-、-C(=O)-和-SO2-中的两个以上的基团结合而形成的基团。
从在有机溶剂中的溶解性的观点考虑,优选为烷基链;由-NQ1-、-O-、-S-、-CQ4Q5-、-SiQ6Q7-、-C(=O)-或-SO2-表示的基团;以及含有这些基团的烷基链。
从比如在有机溶剂中的溶解性、器件性质和合成的容易性与当本发明的芳族接枝聚合物被用于聚合物LED时的耐热性之间的平衡考虑,优选由-NQ1-、-SiQ6Q7-、-CQ8=CQ9-和-C≡C-表示的基团,并且更优选由-NQ1-和-SiQ6Q7-表示的基团。
当本发明的芳族接枝聚合物只包含由式(1)和(9)表示的重复单元以及当芳族接枝聚合物只包含由式(1)、(5)和(9)表示的重复单元时,从耐热性和化学稳定性考虑,由式(9)表示的重复单元相比于由式(1)、(5)和(9)表示的所有重复单元的比率优选40%以下,并且更优选30%以下。
当本发明的芳族接枝聚合物只包含由式(1)和(8)表示的重复单元时,并且当该芳族接枝聚合物只包含由式(1)、(5)和(8)表示的重复单元时,从耐热性和化学稳定性考虑,由式(8)表示的重复单元相比于由式(1)、(5)和(8)表示的所有重复单元的比率优选50%以下,更优选30%以下。
作为不同于Ar1的直接与式(1)中由Ar1表示的重复单元结合的重复单元,在由式(5)、(6)、(7)、(8)和(9)表示的重复单元中,优选由式(5)、(6)、(7)表示的重复单元以及其中的在由式(8)表示的重复单元中由Ar8表示的π-共轭环状化合物二价残基与Ar1结合的重复单元。更优选由式(5)、(6)和(7)表示的重复单元。
作为包含在本发明的芳族接枝聚合物中的除由式(1)表示的重复单元之外的重复单元,从耐热性和化学稳定性考虑,优选由式(5)、(6)和(7)表示的重复单元。
当本发明的芳族接枝聚合物用于聚合物LED等的电子材料领域时,含有由式(1)表示的重复单元的主链优选为共轭聚合物化合物。
当本发明的芳族接枝聚合物用于聚合物LED时,从改变发光波长、提高发光效率和提高耐热性考虑,作为由式(6)表示的重复单元,在式1A-1至1A-14、2A-1至2A-53和3A-1至3A-4中,优选亚苯基(式1A-1)、萘-二基(式1A-2)、二氢菲-二基(式1A-10)、芴-二基(式1A-13)、苯并芴-二基(式1A-14)、噻吩-二基(式2A-22)、噻唑-二基(式2A-27)、苯并噻二唑-二基(式2A-39)、二苯并甲硅烷醇-二基(式2A-41)、咔唑-二基(式2A-42)、二苯并呋喃-二基(式2A-43)、二苯并噻吩-二基(式2A-44)、氮杂芴-二基(式2A-47)、二苯并吡喃-二基(式2A-49)、噁二唑-二基(3A-2)和硫代噁二唑-二基(3A-3)。这些中,更优选亚苯基(式1A-1)、萘-二基(式1A-2)、芴-二基(式1A-13)、苯并芴-二基(式1A-14)、噻吩-二基(式2A-22)、噻唑-二基(式2A-27)、苯并噻二唑-二基(式2A-39)、二苯并甲硅烷醇-二基(式2A-41)、咔唑-二基(式2A-42)、二苯并呋喃-二基(式2A-43)、二苯并噻吩-二基(式2A-44)、二苯并吡喃-二基(式2A-49)和噁二唑-二基(3A-2)。还更优选亚苯基(式1A-1)、萘-二基(式1A-2)、芴-二基(式1A-13)和苯并芴-二基(式1A-14)。
当本发明的芳族接枝聚合物用于聚合物LED时,从改变发光波长、提高发光效率和提高耐热性考虑,优选由下列式(10)和(11)表示的重复单元作为由式(7)表示的重复单元。
Figure S2006800252152D00401
其中,R1和R2各自独立地表示烷基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳烷基、芳烷基氧基、芳烷基硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、硅烷醇基、取代甲硅烷基、卤素原子、取代羰基、取代羰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸亚胺基、一价杂环基、羧酸基、取代氧羰基、氰基或硝基。q和qq各自独立地表示0至4的整数。R3和R4各自独立地表示氢原子、烷基、芳基、一价杂环基、羧基、取代氧羰基或氰基。当存在两个以上的R1和R2时,它们可以相同或不同。
Figure S2006800252152D00402
其中,Ar9、Ar10、Ar11和Ar12各自独立地表示π-共轭环状化合物的二价残基。Ar13、Ar14和Ar15各自独立地表示芳基或一价杂环基。Ar9、Ar10、Ar11、Ar12、Ar13、Ar14和Ar15可以具有取代基。r和rr各自独立地表示0或1。
在由式(10)和(11)表示的重复单元中,从耐热性考虑,更优选由式(11)表示的重复单元。
当本发明的芳族接枝聚合物用于聚合物LED时,从改变发光波长、提高发光效率和提高耐热性考虑,优选通过将由式(6)至(9)表示的重复单元结合而获得的并且由下列式(12)、(13)、(14)和(15)表示的重复单元。
Figure S2006800252152D00411
其中,R5表示烷基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳烷基、芳烷基氧基、芳烷基硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、硅烷醇基、取代甲硅烷基、卤素原子、取代羰基、取代羰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸亚胺基、一价杂环基、羧酸基、取代氧羰基、氰基或硝基。sss表示0至2的整数。Ar16和Ar17各自独立地表示具有π-共轭环状化合物二价残基的二价基团。s和ss各自独立地表示0或1;G1表示O、S、SO、SO2、Se或Te。当存在两个以上的R5时,它们可以相同或不同。
Figure S2006800252152D00421
其中,R6和R7各自独立地表示烷基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳烷基、芳烷基氧基、芳烷基硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、硅烷醇基、取代甲硅烷基、卤素原子、取代羰基、取代羰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸亚胺基、一价杂环基、羧酸基、取代氧羰基、氰基或硝基。t和tt各自独立地表示0至4的整数。G5表示O、S、SO2、Se、Te、N-R8或SiR9R10;G6和G7各自独立地表示N或C-R11;R8、R9、R10和R11各自独立地表示氢原子、烷基、芳基、芳基烷基或一价杂环基。当存在两个以上的R6、R7和R11时,它们可以相同或不同。
作为由式(15)表示的重复单元的中心5-元环的实例,例举的有噻二唑、噁二唑、三唑、噻吩、呋喃、甲硅烷醇等。
Figure S2006800252152D00422
在上式中,R12和R13各自独立地表示烷基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳烷基、芳烷基氧基、芳烷基硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、硅烷醇基、取代甲硅烷基、卤素原子、取代羰基、取代羰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸亚胺基、一价杂环基、羧酸基、取代氧羰基、氰基或硝基。v和w各自独立地表示0至4的整数。R14、R15、R16和R17各自独立地表示氢原子、烷基、芳基、一价杂环基、羧酸基、取代氧羰基或氰基。Ar18表示具有π-共轭环状化合物二价残基的二价基团。当存在两个以上的R12和R13时,它们可以相同或不同。
Figure S2006800252152D00431
其中,Ar19和Ar20各自独立地表示具有π-共轭环状化合物二价残基的二价基团。x表示1或2。
当本发明的芳族接枝聚合物用于聚合物LED时,从改变发光波长、提高发光效率和提高耐热性考虑,作为包含在本发明芳族接枝聚合物中的不同于由式(1)表示的重复单元之外的重复单元,优选由式(5)、(6)、(7)、(10)、(11)、(12)、(13)、(14)和(15)表示的重复单元,并且还更优选的是由式(5)、(6)、(11)、(12)、(13)和(15)表示的重复单元。
在本发明的芳族接枝聚合物中,优选由式(1)所示重复单元中的任意唯一一种构成的芳族接枝聚合物;由选自式(1)所示重复单元中两种以上重复单元构成的芳族接枝聚合物;由式(1)所示重复单元中任意唯一一种和式(5)所示重复单元组成的芳族接枝聚合物;由选自式(1)所示重复单元中两种以上的重复单元和式(5)所示重复单元组成的芳族接枝聚合物;以及,基本上由选自式(1)所示重复单元中一种以上的重复单元和一种以上的式(5)至(15)所示重复单元组成的芳族接枝聚合物。
本发明的芳族接枝聚合物在其主链结构上还可以是无规或嵌段共聚物,或者,本发明的芳族接枝聚合物可以是具有其中间结构的共聚物,例如具有嵌段性质的无规共聚物。
当本发明的芳族接枝聚合物用于聚合物LED时,从获得高的发光效率考虑,优选的是,主链结构不是完全的无规共聚物,而是具有嵌段性质的无规共聚物和嵌段共聚物。
本发明的芳族接枝聚合物在由式(2)表示的侧链结构上还可以是无规或嵌段共聚物,或者本发明的芳族接枝聚合物是具有其中间结构的共聚物,例如,具有嵌段性质的无规共聚物。
在本发明的芳族接枝聚合物中,由式(1)表示的重复单元被布置在主链末端上,由此由式(2)表示的侧链可以具有实质的主链末端结构。
在当将本发明的芳族接枝聚合物用于聚合物LED时,在制备器件的情况下,由于按原样保留的聚合活性基团可以降低发光性质和寿命,因此聚合活性基团可以被稳定基团保护。
在本发明的芳族接枝聚合物中,预期主链的功能受由式(2)表示的侧链的调节和改进,或者预期由侧链赋予新的功能,而不损伤主链的功能,由此,优选的是,主链的结构和侧链的结构分别表现不同的性质。更具体地,优选的是,在侧链上的重复单元和在主链上的重复单元是基本上不同的重复单元,或在侧链上的重复单元的组合和在主链上的重复单元的组合是基本上不同的组合。
在本发明的芳族接枝聚合物中,由式(1)表示的所有重复单元的总量相对于包含在本发明的芳族接枝聚合物主链中的重复单元的总量的比率没有特别的限制,只要包含在本发明的芳族接枝聚合物中由式(1)表示的重复单元中的由式(2)表示的侧链的性质可以得到表现即可。从合成的容易性考虑,优选的是,该比率通常为0.1mol%以上和100mol%以下,优选为1.0摩尔%以上,更优选为5摩尔%以上、还更优选为10摩尔%以上,特别优选为20摩尔%以上。本发明的主链被定义为包含大部分的由式(1)表示的重复单元的聚合物链。当由式(1)表示的重复单元位于聚合物链的末端时,包含在主链中的全部重复单元的总量不包含位于聚合物链末端的由式(1)表示的重复单元所含有的由式(2)所示侧链中的重复单元。
在本发明的芳族接枝聚合物中由式(1)表示的重复单元的总量相对于包含在本发明的芳族接枝聚合物主链中由式(1)和式(5)至(9)表示的重复单元的总量的比率通常为0.1mol%以上和100mol%以下,并且优选为1mol%以上和100mol%以下。这些中,当本发明的芳族接枝聚合物用于聚合物LED时,当由式(2)表示的侧链是用于提供电子注入和传输性质的功能侧链时,为了更有效地实现高功能化,该比率优选为11mol%以上,更优选16mol%以上,并且还更优选为20mol%以上。当侧链含有荧光或磷光染料,并且该染料为调节发光波长而引入时,染料的量优选为0.3mol%以上,并且更优选为1mol%以上。
另一方面,从合成的容易性考虑,上限优选为80摩尔%以下,更优选为60摩尔%以下,还优选为40摩尔%以下。这些中,当由式(2)表示的侧链含有荧光或磷光染料,并且该染料为调节发光波长而引入时,从效率考虑,该染料的量优选为30摩尔%以下,更优选为20摩尔%以下,还更优选为15摩尔%以下。
本发明的芳族接枝聚合物根据聚苯乙烯的数均分子量没有特别限制,从溶解性和膜成型性考虑,为约103至108,优选为3x103至106,更优选为5x103至5x105。根据聚苯乙烯的重均分子量通常为约103至108,从膜可成型性考虑,优选为3x103至1x107,并且更优选为5x103至5x106
尽管本发明的芳族接枝聚合物的分散度(重均分子量/数均分子量)没有特别的限制,但是在使用本发明的芳族接枝聚合物作为对其它聚合物的添加剂的应用上,分散度优选为低的,并且更优选为12以下。
当本发明的芳族接枝聚合物包含唯一的由式(1)表示的重复单元时,并且由式(1)所示重复单元和由式(5)所示重复单元组成时,优选的是,GPC的洗脱曲线具有基本上明显的单峰并且分散度为1.0以上和12以下,并且更优选为1.0以上和7以下。
GPC的洗脱曲线通常由GPC(凝胶渗透色谱)测量。在本发明中,通过使用示差折光计为检测器,根据标准聚苯乙烯,测量GPC的洗脱曲线。GPC可以被称作SEC(尺寸排除色谱)。
作为用于本发明的芳族接枝聚合物的良溶剂,例举的有氯溶剂,比如氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷和o-二氯苯;醚溶剂比如四氢呋喃和茴香醚;以及,烃溶剂,比如甲苯、二甲苯、均三甲基苯、正丁基苯、四氢化萘和十氢化萘。尽管取决于芳族接枝聚合物的结构和分子量,通常地,该芳族接枝聚合物可以在这些溶剂中溶解0.1重量%以上。
作为用于合成本发明的芳族接枝聚合物的方法,例举的有方法(a),即,分别合成都具有彼此反应形成键的特征基团的主链和侧链,然后使主链与侧链通过反应结合,以提供芳族接枝聚合物;方法(b),即,合成具有与作为侧链的单体反应以产生键的特征基团的主链,再使作为侧链的单体聚合,并且从主链上生长出侧链,从而提供芳族接枝聚合物;以及,方法(c),即,合成含侧链的大分子单体,然后将该大分子单体聚合以合成含有侧链的主链,从而提供芳族接枝聚合物,等。
作为在合成方法(a)、(b)和(c)中用于合成主链的方法,例举的有这样的方法:使用已知的缩合反应,必要时将具有与缩合聚合有关的特征基团的相应单体或大分子单体溶解在有机溶剂中,并且例如使用碱或合适的催化剂,使所述相应的单体或大分子单体进行缩聚。
作为用于缩聚的方法,可以使用在如下文献中描述的已知方法:例如,Organic Reactions,第14卷,270-490页,John Wiley&Sons,Inc.1965;Organic Syntheses,Collective Volume VI,407-411页,John Wiley&Sons,Inc.1988;Chemical Review(Chem.Rev.),95卷,2457页(1995);Journal ofOrganometallic Chemistry(J.Organomet.Chem.),576卷,147页(1999);以及,Macromolecular Chemistry,Macromolecular Symposium(Makromol.Chem.Macromol.Symp.),第12卷,229页(1987)。
作为缩聚的方法,在产生双键的情况下,它可以通过例如在JP-A-5-202355中描述的方法进行制备。即,可例举的有在含甲酰基的化合物和含膦甲基的化合物之间的Wittig反应进行的聚合;通过具有甲酰基和膦甲基的化合物的Wittig反应进行的聚合;通过含乙烯基的化合物和含卤素原子的化合物的Heck反应进行的聚合;通过具有两个以上的单-卤代甲基的化合物的脱卤化氢方法进行的缩聚;通过具有两个以上的锍甲基的化合物的锍盐分解方法而进行的缩聚;通过含甲酰基的化合物和含氰甲基的化合物的Knoevenagel反应进行的聚合;以及通过具有两个以上的甲酰基的化合物的McMurry反应进行的聚合。
当本发明的聚合化合物在主链上具有通过缩聚反应产生三键时,例如,可以使用通过含乙炔化物基团的化合物如锡和含卤素原子化合物之间的Stille乙炔偶联反应进行的聚合,以及通过在含乙炔基的化合物和含卤素原子的化合物的Sonogashira反应进行的聚合。
当既不形成双键也不形成三键时,例如,例举的有:通过在具有硼酸基或硼酸酯基的化合物和具有磺酸酯基比如卤素原子或三氟甲烷磺酸酯基的化合物之间的Suzuki偶联反应进行聚合的方法;通过在具有卤化镁基团的化合物和含卤素原子的化合物之间的Grignard反应进行聚合的方法;具有磺酸酯基的化合物比如卤素原子或三氟甲烷磺酸酯被Ni(0)配合物聚合的方法;通过氧化剂比如FeCl3进行聚合的方法;电化学氧化聚合;以及,通过具有合适离去基团的中间体聚合物的分解的方法。
在这些中,由于容易控制结构,所以优选通过Wittig反应的聚合、通过Heck反应进行的聚合、通过Knoevenagel反应进行的聚合、通过Suzuki偶联反应进行的聚合、通过Grignard反应进行聚合的方法以及通过镍Ni(0)配合物进行聚合的方法。
详细地说,作为在合成方法(a)和(b)中用于合成主链的方法,例举的有:方法(d),即,通过所述方法合成主链,然后,通过卤化剂比如溴和N-卤代琥珀酰亚胺的卤化、亲电取代反应,比如通过锂化试剂比如烷基锂的锂化,引入与侧链或作为侧链的单体反应产生键的特征基团,并且再进行官能团的转变反应等,从而合成出具有该特征基团的主链;以及方法(e),即,当通过该产生键合的方法合成主链时,使用具有与主链或作为侧链的单体反应的特征基团的单体,合成具有特征基团的主链;以及
方法(f),即,当通过所述方法合成主链时,通过使用具有可以改变为特征基团的官能团的单体合成主链,然后,通过各种已知的官能团转变反应等,将该官能团转变为特征官能团的方法,从而合成具有特征基团的主链。
作为在方法(a)中合成侧链的方法,例举的有通过缩聚的方法。详细地说,例举的有:方法(g),即,通过所述方法合成侧链,然后,通过卤化剂比如溴或N-卤代琥珀酰亚胺的卤化、亲电取代反应比如通过锂化试剂比如烷基锂的锂化,引入与主链反应产生键的特征基团,并且再进行官能团的转变反应等,从而合成出具有该特征基团的侧链;以及方法(h),即,当通过所述方法合成侧链时,使用具有与主链反应产生键的特征基团的单体,合成具有特征基团的侧链;以及方法(i),即,当通过所述方法合成侧链时,通过使用具有可以改变为特征基团的官能团的单体合成侧链,然后,通过转变成具有所述特征基团的侧链的各种已知官能团转变反应,将该官能团转变为特征官能团的方法,从而合成具有特征基团的侧链;等。
作为在方法(a)中将主链和侧链偶联而产生碳-碳共轭键的反应,例举的有:通过Suzuki偶联反应的偶联法、通过Grignard反应的偶联法以及通过Ni(0)配合物的偶联法。从抑制交联反应和容易控制反应考虑,优选通过Suzuki偶联反应的偶联法以及通过Grignard反应的偶联法。
作为在方法(b)中将主链和作为侧链的单体进行缩聚而产生碳-碳共轭键的方法,例举的有:通过Suzuki偶联反应的聚合法、通过Grignard反应的聚合法以及通过Ni(0)配合物的聚合法。从抑制交联反应和容易控制反应考虑,优选通过Suzuki偶联反应的聚合法以及通过Grignard反应的聚合法。作为包含在作为侧链的单体中并且与缩聚有关的特征基团,优选使用含有彼此在同一个单体中结合形成键的特征基团的基团,比如卤素原子-硼酸基、卤素原子-硼酸酯基和卤素原子-卤化镁基,由此抑制交联反应。
接着,说明本发明的芳族接枝聚合物的应用。
本发明的芳族接枝聚合物在固态时具有荧光或磷光,并且它可以被用作发光聚合物(高分子量发光材料)。
而且,该聚合化合物具有优异的电荷传输性质,并且可以被合适地用作用于聚合物发光器件的材料和电荷传输材料。含有发光聚合物的聚合物发光器件是可以在低电压下和高效率地驱动的高性能的聚合物发光器件。因此,聚合物发光器件可以被优选用于装置,比如作为背光的液晶显示器、用于照明的平面或曲面光源、节段显示器和点矩阵平板显示器等。
而且,本发明的芳族接枝聚合物还可以被用作激光染料、有机太阳能材料、用于有机晶体管的有机半导体和电导性薄膜材料,比如导电薄膜和有机半导体薄膜。
此外,它可以被用作发射荧光或磷光的发光薄膜材料。
接着,说明本发明的聚合物发光器件。
本发明的聚合物发光器件的特征在于,它在由阳极和阴极组成的电极之间具有含有有机层的层,并且该有机层含有本发明的芳族接枝聚合物。
有机层可以是发光层、空穴传输层、空穴注入层、电子传输层、电子注入层和夹层中的任一种。然而,优选地,该有机层为发光层。
在此,发光层指的是具有发光功能的层。空穴传输层指的是具有传输空穴功能的层。电子传输层指的是具有传输电子功能的层。夹层在发光层和阳极之间并且与发光层邻接,而且起着使发光层与阳极或发光层与空穴注入层或空穴传输层隔离的作用。在此,电子传输层和空穴传输层被总称作电荷传输层。此外,电子注入层和空穴注入层被总称作电荷注入层。发光层、空穴传输层、空穴注入层、电子传输层和电子注入层可以各自独立地以两个以上的层使用。
当有机层为发光层时,该发光层(它是有机层)还可以包含空穴传输材料、电子传输材料或发光材料。此处,发光材料是发射荧光和/或磷光的材料。
当本发明的芳族接枝聚合物与空穴传输材料混合时,空穴传输材料基于全部混合物的混合比率为1重量%至80重量%,并且优选为5重量%至60重量%。当本发明的聚合物材料与电子传输材料混合时,电子传输材料基于全部混合物的混合比率为1重量%至80重量%,并且优选为5重量%至60重量%。而且,当本发明的芳族接枝聚合物与发光材料混合时,发光材料基于全部混合物的混合比率为1重量%至80重量%,并且优选为5重量%至60重量%。当本发明的芳族接枝聚合物与发光材料、空穴传输材料和/或电子传输材料混合时,发光材料基于全部混合物的混合比率为1重量%至50重量%,优选为5重量%至40重量%。空穴传输材料和电子传输材料基于它们之和的比率为1重量%至50重量%,优选为5重量%至40重量%。由此,本发明的芳族接枝聚合物的含量为98重量%至1重量%,并且优选为90重量%至20重量%。
作为被混合的空穴传输材料、电子传输材料和发光材料,可以使用已知的低分子量化合物、三重态发光配合物或聚合化合物,并且优选使用聚合化合物。
作为聚合化合物的空穴传输材料,电子传输材料和发光材料,例举的有:聚芴、其衍生物和共聚物;聚芳撑、其衍生物和共聚物;聚芳撑1,2-亚乙烯基、其衍生物和共聚物;以及,芳族胺、其衍生物和(共)聚合物;它们都在下列专利中有公开:WO99/13692、WO99/48160、GB2340304A、WO00/53656、WO01/19834、WO00/55927、GB2348316、WO00/46321、WO00/06665、WO99/54943、WO99/54385、US5777070、WO98/06773、WO97/05184、WO00/35987、WO00/53655、WO01/34722、WO99/24526、WO00/22027、WO00/22026、WO98/27136、US573636、WO98/21262、US5741921、WO97/09394、WO96/29356、WO96/10617、EP0707020、WO95/07955、JP-A-2001-181618、JP-A-2001-123156、JP-A-2001-3045、JP-A-2000-351967、JP-A-2000-303066、JP-A-2000-299189、JP-A-2000-252065、JP-A-2000-136379、JP-A-2000-104057、JP-A-2000-80167、JP-A-10-324870、JP-A-10-114891、JP-A-9-111233和JP-A-9-45478等。
作为低分子量的发光材料,可以使用例如,萘衍生物、蒽或其衍生物、苝或其衍生物;染料,比如聚甲炔染料、呫吨染料、香豆素染料、花青染料;8-羟基喹啉或其衍生物的金属配合物、芳族胺、四苯基环戊烷或其衍生物、或者四苯基丁二烯或其衍生物。
具体地,例如,可以使用已知化合物,比如在JP-A-57-51781和JP-A-59-194393中描述的那些。
作为三重态发光配合物,例举的有例如使用铱作为中心金属原子的Ir(ppy)3和Btp2Ir(acac)、含有铂作为中心金属原子的PtOEP以及含有铕作为中心金属原子的Eu(TTA)3phen。
Figure S2006800252152D00511
例如,三重态发光配合物在下列文献中有描述:Nature,(1998)395,151;Appl.Phys.Lett.(1999),75(1),4;Proc.SPIE-Int.Soc.Opt.Eng.(2001),4105(Organic Light emitting materials and Devices IV),119;J.Am.Chem.Soc.(2001),123,4304;Appl.Phys.Lett.(1997),71(18),2596;Syn.Met.(1998),94(1),103;Syn.Met.(1999),99(2),1361;Adv.Mater.(1999),11(10),852,Jpn.J.Appl.Phys.34,1883(1995)。
本发明的组合物包含选自空穴传输、电子传输和发光材料中的至少一种材料以及本发明的芳族接枝聚合物。该组合物可以被用作发光材料或电子传输材料。
选自空穴传输、电子传输和发光材料中的至少一种材料相对于本发明的芳族接枝聚合物的含量比率可以根据该组合物的应用而确定。然而,当组合物被用作发光材料时,优选该含量比与在发光层中的含量比相同。
本发明聚合物组合物根据聚苯乙烯的数均分子量通常为约103至108,并且优选为104至106。根据聚苯乙烯的重均分子量通常为约103至108,并且从被用于器件时的膜成型性和效率考虑,优选为1x104至5x106。此处,聚合物组合物的平均分子量指的是通过采用GPC分析由两种以上的聚合物化合物混合而获得的组合物所确定的值。
作为在本发明的聚合物发光器件中发光层的膜厚度,最佳值根据所使用材料而不同,并且可以选择最佳值使得驱动电压和发光效率变为合适的值。例如它为1nm至1μm,优选为2nm至500nm,并且更优选为5nm至200nm。
作为发光层的形成方法,例如,例举的有由溶液成膜法。作为由溶液成膜法,可以使用涂布方法,比如旋涂法、流延法、微照相凹板涂布法、照相凹板涂布法、棒涂法、辊涂法、丝棒涂布法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法和喷墨印刷法。从容易形成图案和印刷多颜色考虑,优选印刷法,比如丝网印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法和喷墨印刷法。
作为印刷法等使用的油墨组合物,可以包含至少一种本发明的芳族接枝聚合物,并且除本发明的芳族接枝聚合物之外,还可以包含空穴传输材料、电子传输材料、发光材料、溶剂和添加剂比如稳定剂。
在油墨组合物中,相对于不包括溶剂在内的组合物的总重量,本发明的芳族接枝聚合物的比率通常为20重量%至100重量%,并且优选为40重量%至100重量%。
当油墨组合物中包含溶剂时,相对于组合物的总重量,溶剂的比率为1重量%至99.9重量%,优选为60重量%至99.5重量%,并且更优选为80重量%至99.0重量%。
油墨组合物的粘度根据印刷方法而变化,并且当油墨组合物经过比如喷墨印刷法的释放装置时,优选的是,在25℃的粘度在1至20mPa·s的范围内,以防止堵塞和在释放时偏移。
除本发明的芳族接枝聚合物之外,本发明的溶液还可以包含用于调节粘度和/或表面张力的添加剂。作为添加剂,可以将用于提高粘度的高分子量聚合物化合物(增稠剂)、不良溶剂、用于降低粘度的低分子量的化合物和用于降低表面张力的表面活性剂等适当组合并使用。
作为上述的高分子量聚合物化合物,可以使用可溶解在本发明的芳族接枝聚合物所用的相同溶剂中并且不阻碍发光也不阻碍电荷传输性质的那些。例如,可以使用高分子量聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯或本发明的高分子量芳族接枝聚合物。重均分子量优选为500,000以上,并且更优选为1,000,000以上。
不良溶剂可以被用作增稠剂。即,通过少量的不良溶剂添加到溶液中的固含量中,可以增加溶液的粘度。当为此目的添加不良溶剂时,可以在溶液中的固含量不沉淀的范围内选择溶剂的种类和添加量。考虑到储存过程中的稳定性时,不良溶剂的量相对于总溶液为优选50重量%以下,并且还更优选30重量%以下。
除本发明的芳族接枝聚合物之外,为了提高储存稳定性,本发明的溶液还可以包含抗氧化剂。作为抗氧化剂,可以使用在与本发明的芳族接枝聚合物所用相同溶剂中可溶解并且既不干扰发光也不干扰电荷传输性质的那些。例举的有例如酚抗氧化剂和磷抗氧化剂等。
尽管用于油墨组合物的溶剂没有特别的限制,但是优选能够溶解或均匀地分散构成油墨组合物的材料的溶剂。作为该溶剂,例举的有氯溶剂比如氯仿、二氯甲烷、1,2-二氯乙烷、1,1,2-三氯乙烷、氯苯和o-二氯苯等;醚溶剂,比如四氢呋喃、二噁烷和茴香醚;芳族烃溶剂,比如甲苯和二甲苯;脂族烃溶剂比如环己烷、甲基环己烷、正戊烷、正己烷和正庚烷、正辛烷、正壬烷和正癸烷;酮溶剂,比如丙酮、甲基乙基酮、环己酮、二苯甲酮和苯乙酮;酯溶剂,比如乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基-乙酸溶纤剂、苯甲酸甲酯和乙酸苯酯;多元醇及其衍生物,比如乙二醇、二甘醇单丁基醚、乙二醇单乙基醚、乙二醇单甲基醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲烷、三甘醇单乙基醚、甘油和1,2-己二醇;醇溶剂,比如甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇和环己醇;亚砜溶剂,比如二甲亚砜;以及酰胺溶剂,比如N-甲基-2-吡咯烷酮和N,N-二甲基甲酰胺。这些有机溶剂可以单独使用或组合使用。
它们中,从聚合物化合物等的溶解性、成膜均匀性和粘度性质等考虑,优选芳族烃溶剂、醚溶剂、脂族烃溶剂、酯溶剂、酮溶剂。优选的是,甲苯、二甲苯、乙苯、二乙基苯、三甲基苯、正丙基苯、异丙基苯、正丁基苯、异丁基苯、仲丁基苯、正己基苯、环己基苯、1-甲基萘、四氢化萘、茴香醚、乙氧基苯、环己烷、二环己基、环己烯基环己酮、正庚基环己烷、正己基环己烷、十氢化萘、苯甲酸甲酯、环己酮、2-丙基-环己酮、2-庚烷、3-庚烷、4-庚烷、2-辛酮、2-壬酮、2-癸酮、二环己基酮、苯乙酮和二苯甲酮。
至于在溶液中的溶剂种类,从成膜性和器件特性等考虑,优选为两种以上,更优选2至3种,并且还更优选2种。
当溶液包含2种溶剂时,溶剂中的一种可以在25℃时为固态。从成膜性考虑,优选的是,一种溶剂的沸点为180℃以上、并且更优选为200℃以上。从粘度考虑,优选的是,在60℃使用两种溶剂能够溶解1重量%以上的芳族接枝聚合物,并且在25℃时,使用两种溶剂中的一种能够溶解1重量%以上的芳族接枝聚合物。
当溶液中包含2种以上的溶剂时,从粘度和成膜性考虑,优选的是,沸点最高的溶剂的重量优选为溶液中所有溶剂的重量的40至90重量%,更优选为50至90重量%,并且还更优选为65至85重量%。
该溶液可以含有1种或2种以上的本发明芳族接枝聚合物,并且在不损害器件性质的范围内,溶液可以包含不同于本发明芳族接枝聚合物的聚合化合物。
本发明的溶液可以包含在1至1000ppm范围内的水、金属及其盐。作为金属,具体例举的有锂、钠、钙、钾、铁、铜、镍、铝、锌、铬、锰、钴、铂和铱等。溶液还可以包含在1至1000ppm范围的硅、磷、氟、氯和溴。
使用本发明的溶液,通过旋涂法、流延法、微照相凹板涂布法、照相凹板涂布法、棒涂法、辊涂法、丝棒涂布法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法和喷墨印刷法等,可以制备薄膜。这些中,本发明的溶液被优选通过丝网印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法和喷墨印刷法进行成膜。该溶液更优选通过喷墨印刷法进行成膜。
在所述印刷方法中,喷墨法更优选用于1μm以下的形成图案的或多彩涂布薄膜,并且从用于1μm以上的形成图案的或多彩涂布薄膜的生产率和成本考虑,优选丝网印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法或照相凹板涂布法。
作为能够使用本发明的溶液制备的薄膜,例举的有发光薄膜、导电薄膜和有机半导体薄膜。
优选的是,本发明的导电薄膜具有1KΩ/见方以下的表面电阻。通过将用路易斯酸和离子化合物掺杂到薄膜中,可以提高该薄膜的导电率。表面电阻更优选为100Ω/见方以下,并且还更优选10Ω/见方以上。
至于本发明的有机半导体薄膜,电子迁移率或空穴迁移率中更大的那个优选为10-5cm2/V/秒以上,更优选为10-3cm2/V/秒,还更优选为10-1cm2/V/秒。
在其上已经形成有由SiO2等制备的绝缘膜和栅极电极的Si基底上,形成有机半导体薄膜。由Au等形成源极电极和漏极电极,并且由此可以获得有机晶体管。
至于本发明的聚合物发光器件,当在阳极和阴极之间施加3.5V以上的电压时,从器件亮度等考虑,最大的外部量子产率优选为1%以上,并且更优选1.5%以上。
作为本发明的聚合物发光器件,列举的有在阴极和发光层之间安置有电子传输层的聚合物发光器件;在阳极和发光层之间安置有空穴传输层的聚合物发光器件;以及,在阴极和发光层之间安置有电子传输层并且在阳极和发光层之间安置有空穴传输层的聚合物发光器件。
例如,具体例举的有下列结构a)-d)。
a)阳极/发光层/阴极
b)阳极/空穴传输层/发光层/阴极
c)阳极/发光层/电子传输层/阴极
d)阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极
(其中,“/”表示层的邻接层叠。下文中,这同样适用。)
至于这些结构中的每一种,还例举的有在发光层和阳极之间邻接发光层安置夹层的结构。即,例举的有下列结构a′)至d′)。
a′)阳极/夹层/发光层/阴极
b′)阳极/空穴传输层/夹层/发光层/阴极
c′)阳极/夹层/发光层/电子传输层/阴极
d′)阳极/空穴传输层/夹层/发光层/电子传输层/阴极
当本发明的聚合物发光器件具有空穴传输层时,作为所使用的空穴传输材料,可以例举的有聚乙烯基咔唑或其衍生物;聚硅烷或其衍生物;在侧链或主链上具有芳族胺的聚硅氧烷衍生物;吡唑啉衍生物;芳基胺衍生物;均二苯代乙烯衍生物;三苯基二胺衍生物;聚苯胺或其衍生物;聚噻吩或其衍生物;聚吡咯或其衍生物;聚(对-亚苯基1,2-亚乙烯基)或其衍生物;以及聚(2,5-亚噻吩基1,2-亚乙烯基)或其衍生物等。
具体地,作为空穴传输材料,可以例举的有在JP-A-63-70257、63-175860、2-135359、2-135361、2-209988、3-37992和3-152184中描述的那些。
它们中,作为在空穴传输层中使用的空穴传输材料,优选聚合物的空穴传输材料,比如聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在侧链或主链上具有芳族胺化合物基团的聚硅氧烷衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚(对-亚苯基1,2-亚乙烯基)或其衍生物以及聚(2,5-亚噻吩基1,2-亚乙烯基)或其衍生物,更优选聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物和在侧链或主链上具有芳族胺化合物的聚硅氧烷衍生物。
作为具有低分子量化合物的空穴传输材料,例举的有吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、均二苯代乙烯衍生物和三苯基二胺衍生物。在具有低分子量的空穴传输材料的情况下,优选被分散在聚合物粘结剂中进行使用。
被混合的聚合物粘结剂优选为不极端地干扰电荷传输性质的那种,并且适合使用不具有对可见光强吸收的那种。作为这样的聚合物粘结剂,例举的有聚(N-乙烯基咔唑)、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚(对-亚苯基1,2-亚乙烯基)或其衍生物、聚(2,5-亚噻吩基1,2-亚乙烯基)或其衍生物、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧烷等。
聚乙烯基咔唑或其衍生物可以通过例如乙烯基单体的阳离子或自由基聚合而获得。
作为聚硅烷或其衍生物,例举的有在Chem.Rev.第89卷、1359页(1989)和GB2300196公布说明书中描述的化合物。对于合成,可以使用在这些中描述的方法并且可以特别合适地使用Kipping法。
作为聚硅氧烷或其衍生物,因为硅氧烷骨架结构具有差的空穴传输性能,因此,适合使用的是在侧链或主链上具有更低分子量的空穴传输材料的结构的那些。尤其地,例举的有在侧链或主链上具有空穴传输性质的芳族胺的那些。
用于形成空穴传输层的方法没有限制,并且在具有更低分子量的空穴传输层的情况下,例举的有由具有聚合物粘结剂的混合溶液形成层的方法。在聚合物空穴传输材料的情况下,例举的有由溶液形成层的方法。
优选的是,用于由溶液形成膜的溶剂可以溶解或均匀地分散空穴传输材料。
作为溶剂,例举的有氯溶剂比如氯仿、二氯甲烷、1,2-二氯乙烷、1,1,2-三氯乙烷、氯苯和o-二氯苯等;醚溶剂,比如四氢呋喃、二噁烷和茴香醚;芳族烃溶剂,比如甲苯和二甲苯;脂族烃溶剂比如环己烷、甲基环己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷和正癸烷;酮溶剂,比如丙酮、甲基乙基酮、环己酮、二苯甲酮和苯乙酮;酯溶剂,比如乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基-乙酸溶纤剂、苯甲酸甲酯和乙酸苯酯;多元醇及其衍生物,比如乙二醇、二甘醇单丁基醚、乙二醇单乙基醚、乙二醇单甲基醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲烷、三甘醇单乙基醚、甘油和1,2-己二醇;醇溶剂,比如甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇和环己醇;亚砜溶剂,比如二甲亚砜;以及酰胺溶剂,比如N-甲基-2-吡咯烷酮和N,N-二甲基甲酰胺。这些有机溶剂可以单独使用或组合使用。
作为用于由溶液形成膜的方法,可以使用涂布法,比如旋涂法、流延法、微照相凹板涂布法、照相凹板涂布法、棒涂法、辊涂法、丝棒涂布法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法和喷墨印刷法。
至于空穴传输层的厚度,最佳值根据所使用的材料而不同,并且可以适当选择使得驱动电压和发光效率变为恰当值,并且至少不产生针孔的厚度是必需的,并且不优选太大的厚度,因为器件的驱动电压增加。因此,空穴传输层的厚度为例如1nm至1μm,优选为2nm至500nm,还更优选为5nm至200nm。
当本发明的聚合物发光器件具有电子传输层时,使用已知化合物作为电子传输材料,并且例举的有噁二唑衍生物;蒽醌二甲烷或其衍生物,苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷或其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯或其衍生物、二苯酚合苯醌衍生物或者8-羟基喹啉或其衍生物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物以及聚芴或其衍生物的金属配合物等。
具体地,例举的有在下列专利中描述的那些:JP-A-63-70257、63-175860、2-135359、2-135361、2-209988、3-37992和3-152184。
它们中,优选噁二唑衍生物、苯醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物或8-羟基喹啉或其衍生物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物的金属配合物,并且还优选2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑、苯醌、蒽醌、三(8-喹啉基)铝和聚喹啉。
用于形成电子传输层的方法没有特别的限制。在具有更低分子量的电子传输材料的情况下,例举的有从粉末的真空沉积方法和从溶液或熔融状态进行的膜形成的方法,并且在聚合物电子传输材料的情况下,例举的有从溶液或熔融状态进行成膜的方法。在由溶液或熔融状态进行成膜时,可以将聚合物粘结剂一起使用。
优选的是,在用于由溶液成膜的溶剂可以溶解或均匀地分散电子传输材料和/或聚合物粘结剂。作为溶剂,例举的有氯溶剂比如氯仿、二氯甲烷、1,2-二氯乙烷、1,1,2-三氯乙烷、氯苯、o-二氯苯等;醚溶剂,比如四氢呋喃、二噁烷和茴香醚;芳族烃溶剂,比如甲苯和二甲苯;脂族烃溶剂比如环己烷、甲基环己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷和正癸烷;酮溶剂,比如丙酮、甲基乙基酮、环己酮、二苯甲酮和苯乙酮;酯溶剂,比如乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基-乙酸溶纤剂、苯甲酸甲酯和乙酸苯酯;多元醇及其衍生物,比如乙二醇、二甘醇单丁基醚、乙二醇单乙基醚、乙二醇单甲基醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲烷、三甘醇单乙基醚、甘油和1,2-己二醇;醇溶剂,比如甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇和环己醇;亚砜溶剂,比如二甲亚砜;以及酰胺溶剂,比如N-甲基-2-吡咯烷酮和N,N-二甲基甲酰胺。这些有机溶剂可以单独使用或组合使用。
作为由溶液或熔融状态进行膜形成的方法,可以使用涂布法,比如旋涂法、流延法、微照相凹板涂布法、照相凹板涂布法、棒涂法、辊涂法、丝棒涂布法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法和喷墨印刷法。
至于电子传输层的厚度,最佳值根据所使用的材料而不同,并且可以选择使得驱动电压和发光效率变为恰当值。至少不产生针孔的这样的厚度是需要的,并且不优选太大的厚度,因为器件的驱动电压增加。因此,电子传输层的厚度为例如1nm至1μm,优选为2nm至500nm,并且更优选为5nm至200nm。
在邻接电极设置的电荷传输层中,尤其是,具有提高来自电极的电荷注入效率的作用以及具有降低器件的驱动电压作用的层通常被特别称作电荷注入层(空穴注入层、电子注入层)。
此外,为了改善与电极的粘附以及提高来自电极的电荷注入,可以邻接电极设置厚度为2nm以下的电荷注入层或绝缘层,并且为了提高界面的粘附和防止混合,可以将薄的缓冲层插入到在电荷传输层和发光层的界面内。
考虑器件的发光效率和寿命时,可以适当地利用被层叠的层的顺序和数量以及各个层的厚度。
在本发明中,作为设置的具有电荷注入层(电子注入层、空穴注入层)的聚合物发光器件,例举的是邻接阴极安置有电荷注入层的聚合物发光器件以及邻接于阳极安置有电荷注入层的聚合物发光器件。
例如,具体例举的有下列结构e)至p)。
e)阳极/电荷注入层/发光层/阴极
f)阳极/发光层/电荷注入层/阴极
g)阳极/电荷注入层/发光层/电荷注入层/阴极
h)阳极/电荷注入层/空穴传输层/发光层/阴极
i)阳极/空穴传输层/发光层/电荷注入层/阴极
j)阳极/电荷注入层/空穴传输层/发光层/电荷注入层/阴极
k)阳极/电荷注入层/发光层/电子传输层/阴极
l)阳极/发光层/电子传输层/电荷注入层/阴极
m)阳极/电荷注入层/发光层/电子传输层/电荷注入层/阴极
n)阳极/电荷注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极
o)阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/电荷注入层/阴极
p)阳极/电荷注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电荷注入层/阴极
至于每一个这些结构,还例举的是在发光层和阳极之间邻接发光层安置夹层的结构。在这种情况下,夹层可以是作为空穴注入层和/或空穴传输层的双层(double)。
作为电荷注入层的具体实例,例举的是含有导电聚合物的层;安置在阳极和空穴传输层之间并且包含这样的材料的层,该材料具有介于在阳极材料的电离电势和包含于空穴传输层中的空穴传输材料的电离电势之间的中间电离电势;以及设置在阴极和电子传输层之间并且包含这样的材料的层,该材料具有介于在阴极材料的电子亲和势和包含于电子传输层中的电子传输材料的电子亲和势之间的电子亲和势中间值;等。
当电荷注入层是含有导电聚合物的层时,该导电聚合物的导电率优选为10-5S/cm以上和103S/cm以下,并且为了降低发光象素之间的漏电流,更优选10-5S/cm以上和102S/cm以下,还更优选10-5S/cm以上和101S/cm以下。
当电荷注入层是含有导电聚合物的层时,该导电聚合物的导电率优选为10-5S/cm以上和103S/cm以下,并且为了降低发光象素之间的漏电流,更优选10-5S/cm以上和102S/cm以下,还更优选10-5S/cm以上和101S/cm以下。
通常地,为了使导电聚合物的导电率为10-5S/cm以上和103S/cm以下,将合适量的离子掺杂到该导电聚合物中。
至于掺杂离子的种类,在空穴注入层中使用阴离子,而在电子注入层中使用阳离子。作为阴离子的实例,例举的有聚苯乙烯磺酸根离子、烷基苯磺酸根离子、樟脑磺酸根离子等。作为阳离子的实例,例举的有锂离子、钠离子、钾离子和四丁基铵离子等。
电荷注入层的厚度为例如1nm至100nm,并且优选为2nm至50nm。
用于电荷注入层中的材料可以考虑到与电极和相邻层的材料的关系而适当选择,并且例举的有导电性聚合物,比如聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚亚苯基1,2-亚乙烯基及其衍生物、聚亚噻吩基1,2-亚乙烯基及其衍生物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、在主链或侧链上含有芳族胺结构的聚合物等;金属酞菁(铜酞菁等);以及碳等。
厚度为2nm以下的绝缘层具有使电荷注入容易的功能。作为用于绝缘层的材料,列举的有金属氟化物、金属氧化物、有机绝缘材料等。作为安置有膜厚度为2nm以下的绝缘层的聚合物发光器件,列举的有具有邻接阴极安置并且厚度为2nm以下的绝缘层的聚合物发光器件;以及具有邻接阳极安置并且厚度为2nm以下的绝缘层的聚合物发光器件。
具体地,列举的有下列结构q)至ab)。
q)阳极/厚度为2nm以下的绝缘层/发光层/阴极
r)阳极/发光层/厚度为2nm以下的绝缘层/阴极
s)阳极/厚度为2nm以下的绝缘层/发光层/厚度为2nm以下的绝缘层/阴极
t)阳极/厚度为2nm以下的绝缘层/空穴传输层/发光层/阴极
u)阳极/空穴传输层/发光层/厚度为2nm以下的绝缘层/阴极
v)阳极/厚度为2nm以下的绝缘层/空穴传输层/发光层/厚度为2nm以下的绝缘层/阴极
w)阳极/厚度为2nm以下的绝缘层/发光层/电子传输层/阴极
x)阳极/发光层/电子传输层/厚度为2nm以下的绝缘层/阴极
y)阳极/厚度为2nm以下的绝缘层/发光层/电子传输层/厚度为2nm以下的绝缘层/阴极
z)阳极/厚度为2nm以下的绝缘层/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极
aa)阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/厚度为2nm以下的绝缘层/阴极
ab)阳极/厚度为2nm以下的绝缘层/空穴传输层/发光层/电子传输层/厚度为2nm以下的绝缘层/阴极
关于这些结构中的每一种,还例举的是在发光层和阳极之间邻接发光层安置夹层的结构。在这种情况下,夹层还可以用作空穴注入层和/或空穴传输层。
关于将夹层应用于结构a)-ab)的结构,优选的是,将夹层由安置在阳极和发光层之间并且具有介于在阳极、空穴注入层或空穴传输层的电离电势和构成发光层的聚合物化合物的电离电势之间的中间电离电势的材料构成。
作为用于夹层的材料,例举的有聚乙烯基咔唑或其衍生物;在侧链或主链上具有芳族胺的聚芳撑衍生物和含有芳基胺比如芳基胺衍生物和三苯基二胺衍生物的聚合物。
用于膜形成夹层的方法没有特别的限制。例如,当使用聚合材料时,例举的是从溶液形成层的方法。
作为用于由溶液成膜的溶剂,优选能够溶解并且均匀分散用于夹层的材料的溶剂。作为这样的溶剂,例举的有氯溶剂比如氯仿、二氯甲烷、1,2-二氯乙烷、1,1,2-三氯乙烷、氯苯和o-二氯苯;醚溶剂,比如四氢呋喃、二噁烷和茴香醚;芳族烃溶剂,比如甲苯和二甲苯;脂族烃溶剂比如环己烷、甲基环己烷、正戊烷、正己烷和正庚烷、正辛烷、正壬烷和正癸烷;酮溶剂,比如丙酮、甲基乙基酮、环己酮、二苯甲酮和苯乙酮;酯溶剂,比如乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基乙酸溶纤剂、苯甲酸甲酯和乙酸苯酯;多元醇及其衍生物,比如乙二醇、二甘醇单丁基醚、乙二醇单乙基醚、乙二醇单甲基醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲烷、三甘醇单乙基醚、甘油和1,2-己二醇;醇溶剂,比如甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇和环己醇;亚砜溶剂,比如二甲亚砜;以及酰胺溶剂,比如N-甲基-2-吡咯烷酮和N,N-二甲基甲酰胺。这些有机溶剂可以单独使用或组合使用。
作为用于由溶液成膜的方法,可以使用涂敷法,比如由溶液的旋涂法、流延法、微照相凹板涂布法、照相凹板涂布法、棒涂法、辊涂法、丝棒涂布法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法。
作为夹层的膜厚度,最佳值根据所使用的材料而不同,并且可以选择使得驱动电压和发光效率变为适度值。例如,它为1nm至1μm,优选为2nm至500nm,更优选为5nm至200nm。
当夹层邻接于发光层安置时,并且尤其是,这两个层都通过涂布法形成时,这两个层的材料的混合对器件性质等产生不适宜的影响。当通过涂布法形成夹层,并且通过涂布法形成发光层时,作为用于使这两层的材料的混合减少的方法,例举的是这样的一种方法:通过涂布法形成夹层,将该夹层加热,使得加热的夹层不溶于用于制备发光层的有机溶剂中,并且形成发光层。加热温度通常为约150℃至300℃,而时间通常为约1分钟到1小时。在这种情况下,为了将通过加热而不溶于溶剂中的组分除去,在加热之后和形成发光层之前,可以通过用于形成发光层的溶剂漂洗夹层并除去。当通过加热使溶剂的不溶解充分进行时,使用溶剂的漂洗可以省略。优选的是,用于夹层的聚合化合物在分子中包含至少一个可聚合基团,以充分进行通过加热充分进行溶剂的不溶解。优选的是,能够被聚合的基团的数量相对于在分子中的重复单元的数量为5%以上。
形成本发明的聚合物发光器件的基底可以优选在形成电极和有机材料的层时不发生改变的基底,并且例举的有玻璃、塑料、聚合物膜、硅基底等。在不透明基底的情况下,优选的是,反电极是透明或半透明的。
通常地,本发明的聚合物发光器件的阳极或阴极中至少一种是透明或半透明的。优选地,阳极为透明或半透明的。
作为用于阳极的材料,使用的是导电金属氧化物膜、半透明金属薄膜等。具体地,使用的是氧化铟、氧化锌、氧化锡、膜(NESA等),所述膜(NESA等)使用由铟/锡氧化物(ITO)、铟/锌氧化物等(它们都是金属氧化物配合物)构成的导电玻璃制备的,并且使用金、铂、银、铜等。它们中,优选ITO、铟/锌氧化物、氧化锡。作为制备方法,例举的有真空沉积法、溅射法、离子电镀法、电镀法等。作为阳极,还可以使用有机透明导电膜,比如聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等。
阳极的厚度可以考虑光透射率和导电率而适当选择,例如它可以为10nm至10μm,优选为20nm至1μm,更优选为50nm至500nm。
此外,为了容易电荷注入,可以在阳极上安置含有酞菁衍生物、导电性聚合物、碳等的层;或者,含有金属氧化物、氟化物和有机绝缘材料等并且平均膜厚度为2nm以下的层。
作为在本发明的聚合物发光器件中使用的阴极的材料,优选具有更低功函数的材料。例如,可以使用金属,比如锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、钪、钒、锌、钇、铟、铈、钐、铕、铽、镱等;或者,由这些金属中的两种以上形成的合金;或者,含有一种以上的这些金属和一种以上的金、银、铂、铜、锰、钛、钴、镍、钨和锡的合金;石墨;或者,石墨插层化合物等。合金的实例包括镁-银合金、镁-铟合金、镁-铝合金、铟-银合金、锂-铝合金、锂-镁合金、锂-铟合金、钙-铝合金等。可以将阴极形成两个以上层的层叠结构。
阴极的厚度可以考虑导电率和耐久性而适当选择,例如,它为10nm至10μm,优选为20nm至1μm,还优选为50nm至500nm。
作为制备阴极的方法,使用真空沉积法、溅射法、其中在热和压力下粘合金属薄膜的层压法等。另外,还可以在阴极和有机层之间,安置含有导电聚合物的层或者含有金属氧化物、金属氟化物、有机绝缘材料等的平均膜厚度为2nm以下的层。在制备阴极之后,还可以安置保护聚合物LED的保护层。为了长时间稳定地使用聚合物发光器件,优选安置保护层和/或保护罩,以保护该器件免受外部损害。
作为保护层,可以使用聚合化合物、金属氧化物、金属氟化物、金属硼酸盐等。作为保护罩,可以使用具有进行了低-水渗透处理的表面的金属板、玻璃板、塑料板等。合适使用的方法是通过热固性树脂或光固化树脂将罩与器件基底粘合,以进行密封。如果使用隔体保持间隔,可以容易地保护器件免受损伤。如果将惰性气体比如氮和氩气密封在该间隔内,可以防止阴极的氧化,并且进一步地,通过在间隔内放置干燥剂比如氧化钡,可以容易地抑制器件被在制备步骤过程粘附的水分或渗透穿过固化树脂的少量水分所伤害。它们中,优选采用任何一种以上的措施。
本发明的聚合物发光器件可以作为背光用于平面光源、段型显示器、点矩阵显示器和液晶显示器。
为了通过使用本发明的聚合物发光器件获得平面形式的发光,可以将平面形式的阳极和阴极彼此层叠放置。此外,为了获得图案形式的发光,方法有:将具有图案形式的窗的掩模安置在平面发光器件上的方法;其中形成非发光部分的有机层以获得基本上提供不发光的非常大厚度的方法;以及将阳极或阴极中的任一个或将它们两个都形成图案的方法。通过由这些方法中的任一种形成图案并且通过将多个电极安置成它们能够独立地达到开/关,可以获得能够显示数字、字符和简单符号等的段型显示器。此外,为了形成点矩阵器件,可以形成条形的阳极和阴极,并且将它们直角交叉放置。通过分开放置多种发射不同颜色光的聚合荧光物质的方法或者使用滤色器或荧光转化过滤器的方法,可以获得区域色彩显示和多重色彩显示。通过无源驱动或通过与TFT等结合的有源驱动,可以驱动点矩阵器件。这些显示器件可以被用作显示器,比如计算机、电视、便携式终端、便携式电话、汽车导航和摄影机的检测取景器。
此外,平面形式的发光器件是薄的自发光器件,并且可以被合适地优选用作用于液晶显示器的背光的平面光源或作为用于照明的平面光源。此外,如果使用挠性板,则它还可以被用作曲面光源或显示器。
下文中,下列实施例将更详细地描述本发明,但是本发明并不限于这些实施例。
(数均分子量和重均分子量)
此处,由GPC测量数均分子量(Mn)、重均分子量(Mw)和峰顶分子量(Mp)作为根据聚苯乙烯的数均分子量(Mn)、重均分子量(Mw)和峰顶分子量(Mp)。
<GPC分析方法A>
在40℃,使用由Shimadzu Corporation制造的GPC LC-10 Avp(产品名)在0.6mL/min的流量下进行该分析,该GPC LC-10 Avp由两个TSKgelSuper HM-H(产品名,由Tosoh Corporation制造)的柱子和与这两个柱子串联连接的Super H2000(产品名,由Tosoh Corporation制造)柱子组成的柱系统并且使用四氢呋喃作为展开溶剂。作为检测器,使用示差折光率检测器(RID-10A(产品名),由Shimadzu Corporation制造)。
<GPC分析方法B>
在70℃,使用由聚合物Laboratories Ltd制造的PL-GPC210系统(产品名)(RI检测)进行该分析,并且该系统使用由聚合物Laboratories Ltd.制造的三个PLgel 10μm MIXED-B(产品名)的柱子组成的柱并且使用o-二氯苯(0.01%2,6-二-叔丁基-4-甲基苯酚w/v含量)作为展开溶剂。
<GPC分析方法C>
在40℃,0.6mL/min的流量下,使用由Tosoh Corporation制造的HLC-8220GPC系统(产品名)(RI检测)进行分析,并且该系统使用由三个TSKgel Super HM-H(产品名,由Tosoh Corporation制造)的柱子直接串联在一起的柱,并且使用四氢呋喃作为展开溶剂。作为检测器,使用示差折光率检测器。
(HPLC分析)
分析器:LC-10AVp(产品名),由Shimadzu Corporation制造
分析条件:L-柱ODS(产品名),5μm,2.1×150mm;
A液体:乙腈;B液体:THF
梯度(gradient)
B液体:0%→(60min.)→0%→(10min.)→100%→(10min.)→100%,
样品浓度:5.0mg/mL(THF溶液),
加入量:1μL
检测波长:254nm
(NMR分析)
使用由Varian Inc.制造的INOVA 300核磁共振装置,并且使用氘代四氢呋喃溶液作为聚合物,在室温进行NMR分析。
合成实施例1
<聚合物1的合成:2,7-二溴-9,9-二-正辛基芴和2,7-二溴-9,9-二(3-甲基丁基)芴的缩聚>
Figure S2006800252152D00671
将26.3g 2,7-二溴-9,9-二-正辛基芴(48.0mmol)、5.6g 2,7-二溴-9,9-二(3-甲基丁基)芴(12.0mmol)和22g 2,2′-联吡啶(14.1mmol)溶解在1,600mL无水四氢呋喃中。然后,将氮气在其内鼓泡,以用氮气吹扫系统。在氮气氛下,将二(1,5-环辛二烯)镍(0){Ni(COD)2}(40.66g(147.8mmol)加入该溶液中。将温度升高至60℃,并且在搅拌下,使溶液反应8小时。在反应之后,将反应溶液冷却到室温(约25℃)。然后,将该溶液滴加到1,200mL 25%氨水、1,200mL甲醇和1,200mL去离子水的混合溶液中,将所得溶液搅拌0.5小时。然后,在减压下,将所形成的沉淀物过滤,并且干燥2小时。然后,将所得产物溶解在1,110mL甲苯中,然后,过滤溶液。将甲苯加入滤液中,获得约2,800mL的溶液。然后,有机层用2,000mL的1N盐酸洗涤1小时,用2,200mL 4%铵水洗涤10分钟,用1,000mL去离子水洗涤10分钟,用1,000mL去离子水洗涤另外的10分钟。将有机层在减压下于50℃浓缩至592g,然后被逐滴加入到3,330mL甲醇中。将所得溶液搅拌0.5小时。将所形成的沉淀物过滤,用500mL甲醇洗涤两次,然后在50℃、减压下干燥5小时。所得共聚物的产量为12.6g。这种共聚物将被称作″聚合物1″。根据聚苯乙烯的数均分子量和重均分子量分别为Mn=8.7×104和Mw=1.8×105(GPC分析方法B)。在聚合物1中,9,9-二-正辛基芴相对于9,9-二(3-甲基丁基)芴重复单元的比率为80∶20。
1H-NMR(300MHz/CDCl3):积分值(衍生自烷基的质子/衍生自芳基的质子)=5.25。
合成实施例2
<聚合物2的合成:聚合物1的溴化>
Figure S2006800252152D00681
在氩气氛下,将聚合物1(500mg,根据芴重复单元计为1.345mmol)和25mL氯仿装入到50mL烧瓶中,并且在室温将所得溶液通过搅拌溶解。然后,向溶液中继续加入2.07mL三氟乙酸和29.0μL溴(0.57mmol,苯并芴单元的42mole%),并且在光屏蔽下搅拌16小时。在搅拌下,将反应物料滴加到500mL甲醇中,以引起形成沉淀物。
将所得沉淀物过滤,用甲醇洗涤,在减压下干燥,获得526mg聚合物。所得聚合物将被称作″聚合物2″。根据聚苯乙烯,聚合物2具有:数均分子量Mn=8.4×104,重均分子量Mw=1.8×105,峰顶分子量Mp=1.5×105和分散度Mw/Mn=2.1(GPC分析方法B)。
元素分析的结果显示,具有Br基团的重复单元(式P-3、P-4)相对于没有Br基团的重复单元(式P-1、P-2)的比率为{(P-1)+(P-2)}/{(P-3}+(P-4)}=66/34,并且(全部芴重复单元)/Br基团的比率为75/25。
元素分析测量结果:C 83.58%、H 9.38%、N <0.3%、Br 6.74%
元素分析计算结果:C 83.83%、H 9.43%、N 0%、Br 6.74%(由{(P-1)+(P-2)}/{(P-3}+(P-4)}=66/34计算的值)
1H-NMR分析的结果显示,由烷基的质子获得的峰在高磁场侧没有变化,但是由芳基的质子获得的峰在低磁场侧有变化。此外,芳基质子相对于烷基质子的积分比降低,由此证实Br基团已经被引入到芴的芳族环部分上。
1H-NMR(300MHz/CDCl3):δ0.83(bs),1.16(bs),2.19(bs),7.3至9.3(m),积分值(衍生自烷基的质子/衍生自芳基的质子)=5.65。
合成实施例3
<N,N′,N′-三-(4-正-丁基苯基)-N-(4-(4,4,5,5-四甲基-[1,3,2]二氧杂环戊硼烷-2-基)苯基)-1,1′-二苯基-4,4′-二胺(化合物M-3)的合成>
(化合物M-1的合成)
Figure S2006800252152D00691
在氩气氛下,将N-苯基-1,4-亚苯基二胺(5.53g,30mmol),4-溴-正-丁基苯(25.57g,120mmol),Pd2(dba)3(820mg,0.9mmol),t-BuONa(8.65g,90mmol)和甲苯(120mL)在300mL 4-口烧瓶中混合。然后,反应溶液中加入(t-Bu)3P(360mg,1.8mmol),然后在100℃加热3小时。冷却之后,该溶液中加入200mL甲苯,然后用含水NaCl(100mL×3)和水(200mL)洗涤。有机层用硫酸钠干燥,然后浓缩。所得液体通过硅胶柱色谱(甲苯∶己烷=1∶3)纯化,并且将所得溶液再次通过硅胶柱色谱(己烷→甲苯∶己烷=1∶3)纯化,以获得10.2g化合物M-1。
1H-NMR;δ0.97(9H,t),1.37(6H,m),1.58(6H,m),2.55(6H,t),6.85-7.07(18H,m),7.17(2H,t)。
(化合物M-2的合成)
Figure S2006800252152D00701
在氩气氛下,将化合物M-1(1.45g,2.5mmol)、NBS(0.49g,0.27mmol)和DMF(20mL)在100mL4-口烧瓶中混合,并且将所得溶液在0℃搅拌4小时。在反应完成之后,溶液中加入100mL己烷,然后用含水KCl(100mL×2)和水(100mL×2)洗涤。有机层用硫酸钠干燥,然后浓缩。所得液体通过硅胶柱色谱(甲苯∶己烷=1∶6)纯化两次,获得960mg化合物M-2。
LC-MS(APCI法;m/z 660.2([M+H]+)
(化合物M-3的合成)
Figure S2006800252152D00711
式中,Mol.Wt.指“重均分子量”。
在氩气氛下,将化合物M-2(1.06g,1.6mmol)和THF(10mL)在200mL4-口烧瓶中混合,并且将所得溶液冷却到-78℃。然后滴加仲-BuLi(0.99M己烷溶液)(2mL,1.7mmol),历时20分钟。将反应溶液在-78℃搅拌3小时,然后滴加IPA-频哪醇二硼(pinacolato diboran)(0.33g,1.7mmol)。将溶液温度升高到室温,然后将该溶液搅拌3小时。在反应完成之后,向溶液中加入甲苯(50mL),然后用水(50mL×2)洗涤。在硅胶快速柱色谱(甲苯)之后,浓缩至干燥,并且用乙醇重结晶,获得目标产物(720mg,64%)。
1H-NMR;δ0.94(9H,t),1.29(12H,s),1.34-1.41(6H,m),1.58(6H,m),2.56(6H,t),6.96-7.10(18H,m),7.55(2H,t)。
实施例1
<芳族接枝聚合物1的合成>
将聚合物2(300mg,根据芴重复单元为0.742mmol)、化合物M-3(271mg,0.384mmol)、乙酸钯(II)(2.9mg,0.013mmol)和三环己基膦(7.07mg,0.025mmol)加入到200mL烧瓶中。在用氩气吹扫烧瓶之后,向该烧瓶中加入75mL商购无水甲苯,并且将所得溶液在室温搅拌溶解。将温度升高至110℃,然后向溶液中充入含水氢氧化四乙基铵(1.4mol/L,1.13mL,1.59mmol)。然后,将该溶液在110℃搅拌2.5小时。在冷却至室温之后,加入60mL蒸馏水,洗涤该溶液。将有机层浓缩,然后溶解在氯仿中。将这种混合物滴加到丙酮中,以引起形成沉淀物。将所得沉淀物过滤,用丙酮洗涤,然后在减压下干燥,获得363mg粗聚合物(称作″粗聚合物1-1″)。
在室温,将这种粗聚合物1-1(330mg)溶解在60mL甲苯中,并且将所得溶液通过硅胶柱和铝柱,该硅胶柱和铝柱已经预先被甲苯流过。然后,再用甲苯洗涤溶液、浓缩,然后在氯仿中溶解。将这种混合物滴加到甲醇中,以再次引起形成沉淀物。将该沉淀物过滤,用甲醇洗涤,然后在减压下干燥,获得277mg粗聚合物(称作″粗聚合物1-2″)。
将所得粗聚合物1-2(239mg)溶解在15mL甲苯中,并且将所得溶液滴加到丙酮(220mL)中,以再次引起形成沉淀物。将该沉淀物过滤,用丙酮洗涤,然后在减压下干燥,获得225mg聚合物。
这种聚合物将被称作″芳族接枝聚合物1″。根据聚苯乙烯,芳族接枝聚合物1具有:数均分子量Mn=9.0×104,重均分子量Mw=2.0×105,峰顶分子量Mp=1.5×105和分散度Mw/Mn=2.3(GPC分析方法B)。
元素分析的结果表明,重复单元(式P-1和P-2)、具有Br基团的重复单元(式P-3和P-4)和具有侧链的重复单元(式P-5和P-6)的比率为{(P-1)+(P-2)}/{(P-3}+(P-4)}/{(P-5)+(P-6)}=83/0/17,并且全部芴重复单元相对于侧链的摩尔比率,即全部芴/侧链为85/15。
元素分析测量结果:C 88.13%,H 9.52%,N 1.00%,Br<0.1%
元素分析计算结果:C 89.26%,H 9.74%,N 1.00%,Br 0%(由{(P-1)+(P-2)}/{(P-3)+(P-4)}/{(P-5)+(P-6)}=87/0/17计算的值)
在芳族接枝聚合物1中,在本发明中分别表示侧链重复单元的数量和侧链长度的参数k和f为k=3和f=5。
Figure S2006800252152D00731
合成实施例3
<聚合物3的合成:聚合物1的溴化>
在氩气氛下,将聚合物1(2.00g,根据芴重复单元为5.38mmol)和100mL氯仿加入到200mL烧瓶中,并且将所得溶液在室温进行搅拌溶解。然后,向溶液中连续加入8.3mL三氟乙酸和104μL溴(2.05mmol,芴重复单元的38mole%),并且在光屏蔽下搅拌20小时。在搅拌下,将反应物料滴加到500mL甲醇中,以引起形成沉淀。将所得沉淀物过滤,用甲苯洗涤,并且在减压下干燥,获得2.17g聚合物。这种聚合物将被称作″聚合物3″。根据聚苯乙烯,聚合物3具有:数均分子量Mn=9.2×104,重均分子量Mw=1.7×105,峰顶分子量Mp=1.4×105和分散度Mw/Mn=1.90(GPC分析方法C)。
元素分析的结果表明,含Br基团的重复单元(式P-3,P-4)与不含Br基团的重复单元(式P-1,P-2)的比率为{(P-1)+(P-2)}/{(P-3}+(P-4)}=63/37,并且(全部芴重复单元)/Br基团的比率为73/27。
元素分析测量结果:C 82.48%,H 9.25%,N <0.3%,Br 7.44%
元素分析计算结果:C 83.21%,H 9.35%,N 0%,Br 7.44%(由{(P-1)+(P-2)}/{(P-3}+(P-4)}=63/37计算的值)
Figure S2006800252152D00741
实施例2
<芳族接枝聚合物2的合成>
将聚合物3(300mg,根据芴重复单元为0.748mmol),化合物M-3(96.2mg,0.136mmol),乙酸钯(II)(0.65mg,0.0028mmol)和三环己基膦(1.6mg,0.0056mmol)加入到100mL烧瓶中。在用氩气吹扫烧瓶之后,向该烧瓶中加入72mL商购无水甲苯,并且将所得溶液在室温搅拌溶解。向溶液中加入含水氢氧化四乙基铵(1.4mol/L,1.0mL,1.4mmol),然后在110℃搅拌3小时。将加热临时停止,然后,向溶液中加入196.3mg 4-(4,4,5,5-四甲基-[1,3,2]二氧杂环戊硼烷-2-基)丁基甲苯,0.65mg乙酸钯(II),1.64mg三环己基膦和含水氢氧化四乙基铵(1.4mol/L,1.0mL,1.4mmol)。将温度再次升高到110℃,并且将溶液搅拌3小时。在冷却到室温之后,用15mL甲苯稀释该溶液。移出溶液,然后用18mL的15%盐水洗涤两次。将所得有机层通过已经预涂布有3g钠沸石(由Showa Chemical Industry Co.Ltd.生产)的过滤器,然后用18mL甲苯洗涤该过滤器。将所得有机层浓缩,然后滴加到丙酮中,以引起形成沉淀物。将所得沉淀物过滤,用丙酮洗涤,然后在减压下干燥,获得306mg粗聚合物。
在室温,将305mg这种粗聚合物溶解在60mL甲苯中,并且将所得溶液通过硅胶柱和铝柱,该硅胶柱和铝柱已经预先被甲苯流过。该溶液再用甲苯洗涤,然后用3%氨水和蒸馏水洗涤两次,并且在减压下浓缩。将所得溶液滴加到甲醇中,以再次形成沉淀物。将该沉淀物过滤,用甲醇洗涤,然后在减压下干燥,获得270mg聚合物。
这种聚合物将被称作″芳族接枝聚合物2″。根据聚苯乙烯,芳族接枝聚合物2具有:数均分子量Mn=9.6×104,重均分子量Mw=1.8×105,峰顶分子量Mp=1.4×105和分散度Mw/Mn=1.9(GPC分析方法C)。
元素分析的结果表明,重复单元(式P-1和P-2)、含Br基团的重复单元(式P-3和P-4)和具有侧链的重复单元(式P-5和P-6)的比率为{(P-1)+(P-2)}/{(P-3}+(P-4)}/{(P-5)+(P-6)}=90/0/10,并且全部芴重复单元相对于侧链的摩尔比率,即全部芴/侧链为91/9。
元素分析测量结果:C 89.10%,H 9.83%,N 0.66%,Br<0.1%
元素分析计算结果:C 88.51%,H 10.83%,N 0.66%,Br 0%(由{(P-1)+(P-2)}/{(P-3}+(P-4)}/{(P-5}+(P-6)}=90/0/10计算的值)。
在芳族接枝聚合物2中,在本发明中分别表示侧链重复单元的数量和侧链长度的参数k和f为k=3和f=5。
Figure S2006800252152D00761
合成实施例4
<化合物E和化合物G的合成>
(化合物A的合成)
Figure S2006800252152D00762
化合物A
在惰性气氛下,将5.00g 1-萘硼酸(29mmol),6.46g的2-溴苯甲醛(35mmol),10.0g碳酸钾(73mmol),36mL甲苯和36mL去离子水加入到300mL三-口烧瓶中,并且在室温搅拌的同时,将所得溶液用氩气鼓泡20分钟。接着,向溶液中加入16.8mg四(三苯基膦)钯(0.15mmol),然后在室温搅拌的同时,用氩气鼓泡另外的10分钟。将溶液的温度升高到100℃,然后使该溶液反应25小时。在冷却到室温之后,有机层用甲苯萃取,然后用硫酸钠干燥。溶剂通过蒸馏移除,并且使用甲苯∶环己烷=1∶2的混合溶剂作为展开溶剂,将所得混合物通过硅胶柱纯化,获得5.18g白色晶体形式的化合物A(收率86%)。
1H-NMR(300MHz/CDCl3):
δ7.39~7.62(m,5H),7.70(m,2H),7.94(d,2H),8.12(dd,2H),9.63(s,1H)
MS(APCI(+)):(M+H)+233
(化合物B的合成)
Figure S2006800252152D00781
化合物B
在惰性气氛下,将8.00g同上述方式那样合成的化合物A(34.4mmol)和46mL无水THF加入到300mL三-口烧瓶中,并且将所得溶液冷却到-78℃。接枝,滴加52mL溴化正-辛基溴化镁(1.0mol/L THF溶液),历时30分钟。在加入之后,然后将溶液温度升高到0℃。将溶液搅拌1小时,然后,将溶液的温度增加到室温,并且将溶液搅拌45分钟。在冰浴下,向溶液中加入20mL 1N盐酸,以结束反应。有机层用乙酸乙酯萃取,然后用硫酸钠干燥。通过蒸馏除去溶剂,然后使用甲苯∶己烷=10∶1的混合溶剂作为展开溶剂,将所得混合物通过硅胶柱纯化,获得7.64g浅黄色油状物质的化合物B(收率64%)。尽管在HPLC分析下观察到两个峰,但是从这些峰在LC-MS分析下具有相同的质量数的事实,证实该物质为同分异构体的混合物。
(化合物C的合成)
Figure S2006800252152D00782
化合物C
在惰性气氛下,将5.00g化合物B(同分异构体的混合物)(14.4mmol)和74mL无水环己烷加入到500mL三-口烧瓶中,并且将所得溶液在室温进行搅拌溶解。接着,滴加1小时的三氟化硼的醚酯配合物,在加入之后,将所得溶液在室温搅拌4小时。在搅拌下,向该溶液中,缓慢加入125mL乙醇。在将生热消除之后,有机层用氯仿萃取,用水洗涤两次,并且用硫酸镁干燥。通过蒸馏除去溶剂,然后使用己烷作为展开溶剂,将所得混合物通过硅胶柱纯化,以获得3.22g无色油状的化合物C(收率68%)。
1H-NMR(300MHz/CDCl3):
δ0.90(t,3H),1.03~1.26(m,14H),2.13(m,2H),4.05(t,1H),7.35(dd,1H),7.46~7.50(m,2H),7.59~7.65(m,3H),7.82(d,1H),7.94(d,1H)、8.35(d,1H),8.75(d,1H)
MS(APCI(+)):(M+H)+329
(化合物D的合成)
Figure S2006800252152D00791
化合物D
在惰性气氛下,将20mL去离子水加入到200mL三-口烧瓶。然后向溶液中加入少量的18.9g氢氧化钠(0.47mols),同时搅拌溶解。将溶液的温度冷却到室温,然后向溶液中加入20mL甲苯、5.17g同上述方式那样合成的化合物C(15.7mmol)以及1.52g溴化三丁基铵(4.72mmol)。将溶液的温度增加到50℃。滴加正-辛基溴,加入之后,将溶液在50℃反应9小时。在反应完成之后,有机层用甲苯萃取,用水洗涤两次,并且用硫酸钠干燥。使用己烷作为展开溶剂,将所得产物通过硅胶柱纯化,获得5.13g黄色油形式的化合物D(收率74%)。
1H-NMR(300MHz/CDCl3):
δ0.52(m,2H),0.79(t,6H),1.00~1.20(m,22H),2.05(t,4H),7.34(d,1H),7.40~7.53(m,2H),7.63(m,3H),7.83(d,1H),7.94(d,1H),8.31(d,1H)8.75(d,1H)
MS(APCI(+)):(M+H)+441
(化合物E的合成)
化合物E
在空气气氛下,将4.00g化合物D(9.08mmol)和57mL乙酸∶二氯甲烷=1∶1的混合溶剂加入到50mL三-口烧瓶中,并且在室温将所得溶液进行搅拌溶解。然后,将7.79g三溴化苄基三甲基铵(20.0mmol)加入到溶液中,并且在搅拌下加入氯化锌,直到三溴化苄基三甲基铵完全溶解为止。将溶液在室温搅拌20小时,然后加入10mL的5%的含水亚硫酸氢钠以结束该反应。有机层用氯仿萃取,用碳酸钾水溶液洗涤两次,然后用硫酸钠干燥。在使用己烷作为展开溶剂,两次通过快速柱之后,所得产物用乙醇∶己烷=1∶1和10∶1的混合溶剂重结晶,获得4.13g白色晶体形式的化合物E(收率76%)。
1H-NMR(300MHz/CDCl3):
δ0.60(m、4H),0.91(t,6H),1.01~1.38(m,20H),2.09(t,4H),7.62~7.75(m,4H),7.89(s,1H),8.20(d,1H),8.47(d,1H),8.72(d,1H)
MS(APPI(+)):M+596
(化合物G的合成)
Figure S2006800252152D00811
(化合物G)
100mL 4-口圆底烧瓶用氩气吹扫,然后加入同上述方式那样合成的化合物E(3.2g,5.3mmol)、二频哪醇二硼(3.8g,14.8mmol),PdCl2(dppf)(0.39g,0.45mmol),二(二苯基膦基)二茂铁(0.27g,0.45mmol)和乙酸钾(3.1g,32mmol)。然后将45mL无水二噁烷加入得到的溶液。在氩气氛下,将溶液的温度增加到100℃,并且使溶液反应36小时。在移出冷却之后,采用2g硅藻土(Celite)作为预涂层,对溶液进行过滤,然后浓缩,以获得黑色液体。将这种液体溶解在50g己烷中,并且用活性碳除去有色组分,以获得37g浅黄色液体(在过滤过程中,使用5g钠沸石(由ShowaChemical Industry Co.Ltd.生产)进行了预涂布)。向这种液体中,加入6g乙酸乙酯,12g无水甲醇和2g己烷,并且将所得溶液浸渍在干冰-甲醇浴中,获得2.1g无色晶体形式的化合物G。
合成实施例5
<聚合物4的合成>
在氩气氛下,将37.7g化合物E(63mmol)和43.6g同合成实施例4相同的方式合成的化合物G(63mmol)加入到200mL烧瓶中,该烧瓶与Dimroth冷凝器连接。将所得混合物溶解于70mL甲苯中,然后将氩气鼓泡通入其中,以除去空气。然后,向该混合物中,加入42mg乙酸钯和266mg三(邻-甲氧基苯基)膦。在升高温度的同时,滴加283.4mL含水碳酸二(四乙基铵)(33重量%),然后将所得溶液回流24小时。向该溶液中,加入10.8g溴苯,并且进一步回流1小时。向溶液中再次加入8.9g硼酸苯酯,并且再回流1小时。油层用2N含水盐酸洗涤两次,用10%含水乙酸洗涤两次,并且用水洗涤6次。然后,将油层过滤通过硅藻土,并且在减压下浓缩。将所得溶液滴加到甲醇中,以引起形成沉淀物。将所得固体滤出,在减压下干燥,然后重新溶解于甲苯中,并且将所得溶液在甲醇中再次沉淀。将这一系列步骤进行总共两次,由此获得22.4g聚合物(下面称作″聚合物4″)。根据聚苯乙烯的数均分子量和重均分子量为Mn=7.3×104和Mw=1.8×105
(GPC分析方法C)。
由于聚合物4没有侧链,因此在本发明中分别用于表示侧链重复单元的数量和侧链长度的参数k和f的值为零。
Figure S2006800252152D00821
(聚合物4)
合成实施例6
<聚合物5的合成:聚合物4的溴化>
在氩气氛下,将聚合物3(5.00g,根据苯并芴重复单元为11.4mmol)和150mL氯仿装入到500mL烧瓶中,并且在室温将所得溶液通过搅拌溶解。然后,向溶液中继续加入17.6mL三氟乙酸和236μL溴(4.6mmol,苯并芴单元的40mole%),并且在光屏蔽下搅拌24小时。在搅拌下,将反应物料滴加到1,250mL甲醇中,以引起形成沉淀物的混合物。
将所得沉淀物滤出,用甲醇洗涤,在减压下干燥,获得5.29g聚合物。这种聚合物将被称作″聚合物5″。根据聚苯乙烯,聚合物5具有:数均分子量Mn=7.5×104,重均分子量Mw=1.6×105,峰顶分子量Mp=1.2×105和分散度Mw/Mn=2.1(GPC分析方法C)。
元素分析的结果表明,含Br基团的重复单元(式P-8)相对于不含Br基团的重复单元(式P-7)的比率为(P-7)/(P-8)=61/39,并且(全部苯并芴重复单元)/Br基团的比率为72/28。
元素分析测量结果:C 84.93%,H 9.06%,N <0.3%,Br 6.57%
元素分析计算结果:C 84.48%,H 8.94%,N 0%,Br 6.57%(由(P-7)/(P-8)=61/39计算的值)
Figure S2006800252152D00841
实施例3
<芳族接枝聚合物3的合成>
向100mL烧瓶中,加入300mg聚合物5、83.44mg化合物M-3、0.43mg乙酸钯(II)和1.09mg三环己基膦。在用氩气吹扫烧瓶之后,向该烧瓶中加入36mL商购无水甲苯,并且将所得溶液在室温搅拌溶解。将温度提高到110℃,然后向溶液中加入0.70mL的含水氢氧化四乙基铵(1.4M)。然后将该溶液在110℃搅拌3小时。将加热临时停止,然后,向溶液中加入169mg4-(4,4,5,5-四甲基-[1,3,2]二氧杂环戊硼烷-2-基)丁基甲苯、0.50mg乙酸钯(II)、1.09mg三环己基膦和0.70mL的含水氢氧化四乙基铵(1.4M)。将温度再次升高到110℃,并且将溶液搅拌3小时。在冷却到室温之后,用15mL甲苯稀释该溶液。分离溶液,然后所得混合物用20mL的15%盐水洗涤两次。将所得有机层通过已经预涂布有3g钠沸石(由Showa Chemical IndustryCo.Ltd.生产)的过滤器,然后用20mL甲苯洗涤。将所得有机层浓缩,然后滴加到丙酮中,以引起形成沉淀物。将所得沉淀物过滤出,用丙酮洗涤,然后存减压下干燥,获得318mg粗聚合物。
在室温,将317mg这种粗聚合物溶解在70mL甲苯中,并且将所得溶液通过硅胶柱和铝柱,该硅胶柱和铝柱已经预先被甲苯流过。该溶液再用甲苯洗涤,然后用3%氨水和蒸馏水洗涤两次,并且在减压下浓缩。将所得溶液滴加到甲醇中,以再次形成沉淀物。将该沉淀物过滤出,用甲醇洗涤,然后在减压下干燥,获得308mg聚合物。
这种聚合物将被称作″芳族接枝聚合物3″。根据聚苯乙烯,芳族接枝聚合物3具有:数均分子量Mn=8.5×104、重均分子量Mw=1.7×105、峰顶分子量Mp=1.2×105和分散度Mw/Mn=2.0(GPC分析方法C)。
元素分析的结果表明,重复单元(式P-7)、含Br基团的重复单元(式P-8)和含取代基的重复单元(式P-9)的比率为(P-7)/(P-8)/(P-9)=89/0/11,并且苯并芴重复单元相对于侧链的摩尔比率,即苯并芴/侧链为90/10。
元素分析测量结果:C 89.31%、H 9.15%、N 0.61%、Br<0.1%
元素分析计算结果:C 89.91%、H 9.47%、N 0.61%、Br 0%(由(P-7)/(P-8)/(P-9)=89/0/11计算的值)。
在芳族接枝聚合物3中,在本发明中分别表示侧链重复单元的数量和侧链长度的参数k和f为k=3和f=5。
Figure S2006800252152D00861
合成实施例7
<化合物N的合成>
(4-叔丁基-2,6-二甲基溴苯的合成)
Figure S2006800252152D00871
在惰性气氛下,向500mL3-口烧瓶中,加入225g乙酸,然后加入24.3g 5-叔丁基-间-二甲苯。接着,该向烧瓶中加入31.2g溴,并且将所得溶液在15至20℃反应3小时。
向反应溶液中,加入500mL水,并且将形成的沉淀物滤出。将所得产物用250mL水洗涤两次,获得34.2g白色固体。
1H-NMR(300MHz/CDCl3):
δ(ppm)=1.3[s,9H]、2.4[s,6H]、7.1[s,2H]
MS(FD+)M+241
(N,N-二苯基-N-(4-叔丁基-2,6-二甲基苯基)-胺的合成)
Figure S2006800252152D00881
在惰性气氛下,向300mL3-口烧瓶中,加入100mL脱气无水甲苯,然后加入16.9g二苯基胺和25.3g 4-叔丁基-2,6-二甲基溴苯。接着,向该烧瓶中,加入0.92g三(二苯亚甲基丙酮)二钯和12.0g叔丁氧钠,然后加入1.01g三(叔丁基)膦。然后,将所得溶液在100℃反应7小时。
将反应溶液加入到饱和盐水中,然后所得混合物用100mL甲苯萃取。甲苯层用稀盐酸和饱和盐水洗涤,然后除去溶剂获得黑色固体。将这种固体通过硅胶柱色谱(己烷∶氯仿9/1)的纯化进行分离,获得30.1g白色固体。
1H-NMR(300MHz/CDCl3):δ(ppm)=1.3[s,9H]、2.0[s,6H]、6.8~7.3[m,10H]
(N,N-二(4-溴苯基)-N-(4-叔丁基-2,6-二甲基苯基)-胺的合成)
Figure S2006800252152D00882
在惰性气氛下,向1,000mL3-口烧瓶中,加入333mL无水N,N-二甲基甲酰胺和166mL己烷,然后将29.7g同上述方式那样合成的N,N-二苯基-N-(4-叔丁基-2,6-二甲基苯基)-胺溶解在该溶液中。然后,在光屏蔽并且在冰浴中,滴加在100mL N,N-二甲基甲酰胺中的33.6g N-溴琥珀酰亚胺,并且将所得溶液反应一天一夜。
将反应溶液在减压下浓缩至200mL,并且将所得产物加入到100mL水中。将形成的沉淀物过滤出。将所得晶体用DMF/甲醇重结晶两次,获得23.4g白色固体。
1H-NMR(300MHz/CDCl3):
δ(ppm)=1.3[s,9H]、2.0[s,6H]、6.8[d,2H]、7.1[s,2H]、7.3[d,2H],
MS(APCI(+)):M+488
<化合物N的合成>
Figure S2006800252152D00891
化合物N
((4-溴苯基)-(4-叔丁基-2,6-二甲基苯基)-[4-(4,4,5,5-四甲基-[1,3,2]二氧杂环戊硼烷-2-基)-苯基]胺的合成)
在氩气氛下,向干燥四-口烧瓶中,加入91.89g二-(4-溴苯基)-(4-叔丁基-2,6-二甲基苯基)胺(188.58mmol),然后加入2,750mL无水四氢呋喃。然后将所得溶液进行均化。将反应溶液冷却至-70℃,然后,将正-丁基锂在正-己烷中的98mL 1.54M溶液(150.9mmol)滴加到其中,历时78分钟。然后将该溶液原样搅拌65分钟。接着,将-70℃,历时60分钟加入35.1g 2-异丙氧基-4,4,5,5-四甲基-[1,3,2]二氧杂环戊硼烷(188.65mmol),并且将该溶液原样搅拌1小时。然后,将该溶液的温度增加到15至20℃。将该溶液搅拌2小时,然后在室温加入1L水。然后在减压下,通过浓缩将四氢呋喃除去。向该浓缩的悬浮液中加入2L甲苯,并且将所得混合物搅拌。将油层从水层分离。将这种分离操作重复三次,并且将所得油层加在一起。向这种混合物中加入无水硫酸钠并搅拌。通过过滤除去无水硫酸钠,并且将所得滤液在减压下浓缩,获得113.54g白色固体。使用甲苯和正己烷作为展开溶液,这种白色固体通过硅胶柱色谱纯化,然后浓缩并且通过干燥固化,获得45.5g黄色固体。将这种黄色固体溶解在800mL四氢呋喃中,并且在25℃滴加800mL蒸馏水,历时3小时,由此沉淀出晶体。在搅拌1小时之后,将溶液过滤。将这种四步骤操作重复7次。将获得的晶体在减压下干燥,获得白色固体形式的目标化合物(4-溴苯基)-(4-叔丁基-2,6-二甲基苯基)-[4-(4,4,5,5-四甲基-[1,3,2]二氧杂环戊硼烷-2-基)-苯基]胺(化合物N)(产量:40.2g;收率:37.8%;LC面积百分比:98.0%)
1H-NMR:1.32(s,9H)、1.32(s,12H)、1.98(s,6H)、6.87(d,2H)、6.90(d,2H)、7.09(s,2H)、7.28(d,2H)、7.63(d,2H)
LC-MS:535.1(M+H)
实施例4
<芳族接枝聚合物4的合成>
向100mL烧瓶中,加入300mg聚合物5、791mg化合物N、3.9mg乙酸钯(II)和9.8mg三环己基膦。在用氩气吹扫烧瓶之后,向该烧瓶中加入36mL商购无水甲苯,并且将所得溶液在室温搅拌溶解。向该溶液中加入6.2mL含水氢氧化四乙基铵(1.4M)。将温度提高到110℃,并且将该溶液在110℃搅拌3小时。将加热临时停止,然后,向溶液中加入166mg 4-(4,4,5,5-四甲基-[1,3,2]二氧杂环戊硼烷-2-基)丁基苯、3.88mg乙酸钯(II)、9.69mg三环己基膦和1.2mL含水氢氧化四乙基铵(1.4M)。将温度再次升高到110℃,并且将溶液搅拌3小时。在冷却到室温之后,用15mL甲苯稀释该溶液。分离溶液,然后所得混合物用15mL的15%盐水洗涤两次。将所得有机层通过已经预涂布有3g钠沸石(由Showa Chemical Industry Co.、Ltd.生产)的过滤器,然后用18mL甲苯洗涤。将所得有机层浓缩,然后滴加到丙酮中,以引起形成沉淀物。将所得沉淀物过滤出,用丙酮洗涤,然后在减压下干燥,获得730mg粗聚合物。
在室温,将728mg这种粗聚合物溶解在140mL甲苯中,并且将所得溶液通过硅胶柱和铝柱,该硅胶柱和铝柱已经预先被甲苯流过。该溶液再用甲苯洗涤,然后在减压下浓缩。将所得溶液滴加到丙酮中,以再次形成沉淀物。将该沉淀物过滤出,用丙酮洗涤,然后在减压下干燥,获得705mg聚合物。
这种聚合物将被称作″芳族接枝聚合物4″。根据聚苯乙烯,芳族接枝聚合物4具有:数均分子量Mn=4.2×104、重均分子量Mw=1.8×105、峰顶分子量Mp=1.6×105和分散度Mw/Mn=4.4(GPC分析方法C)。
元素分析的结果表明,芳族接枝聚合物4由重复单元(式P-7)和具有侧链的重复单元(式P-10)构成,并且侧链长度为三苯基胺衍生物重复单元(在下面(式P-10)中由字母n表示)长度的4.1倍。该结果还表明,比率(P-7)/(P-10)=61/39,并且苯并芴重复单元相对于三苯基胺衍生物重复单元的比率,即苯并芴/侧链为38/62。
元素分析测量结果:C 88.57%、H 8.57%、N 2.32%、Br<0.1%
元素分析计算结果:C 88.94%、H 8.74%、N 2.32%、Br 0%(由(P-7)/(P-10)=61/39计算的值)。
在芳族接枝聚合物4中,在本发明中分别表示侧链重复单元的数量和侧链长度的参数k和f为k=8和f=12。
参考合成实施例1
<聚合物6的合成>
将2,7-二溴-9,9-二-正辛基芴(0.700g,1.28mmol)、N,N′-二(4-n-丁基苯基)-N,N′-二(4-溴苯基)-1,4-亚苯基二胺(0.046g,0.067mmol)和2,2′-联吡啶(0.525g)溶解在40mL无水四氢呋喃中。然后,将氮气鼓泡以用氮气吹扫系统。在氮气气氛下,向溶液中,加入二(1,5-环辛二烯)镍(0){NiCOD)2}(0.924g)。将温度提高到60℃,并且将溶液在搅拌的同时反应5小时。在反应之后,将反应溶液冷却到室温(约25℃),然后滴加到5mL 25%氨水、50mL甲醇和50mL去离子水的混合溶液中,并且将所得溶液搅拌1小时。然后,将所形成的沉淀物滤出,并且在减压下干燥2小时。然后将所得产物溶解在50mL甲苯中,并且将溶液过滤。滤液通过铝柱子纯化。然后将所得有机层用50mL 5.2%含水盐酸洗涤3小时,用50mL 4%铵水洗涤2小时,然后用50mL去离子水洗涤。接着,将有机层滴加到约100mL甲醇中,并且将所得溶液搅拌1小时。将所形成的沉淀物滤出,然后在减压下干燥2小时。所得的共聚物的产量(下文中,称作″聚合物6″)为252mg。
根据聚苯乙烯的数均分子量和重均分子量分别为Mn=8.6×104和Mw=1.8×105(GPC分析方法A)。
从在聚合物6中的加入比率估算出的重复单元(P-7)至(P-11)的比率为(P-7)/(P-11)=95/5。
由于聚合物6没有侧链,在本发明中分别表示侧链重复单元的数量和侧链长度的参数k和f的值为零。
参考合成实施例2
<N-(4-(4,4,5,5-四甲基-[1,3,2]二氧杂环戊硼烷-2-基)苯基)-N-(4-叔丁基-2,6-二甲基苯基)-N-苯基胺的合成>
(N-(4-溴苯基)-N-(4-叔丁基-2,6-二甲基苯基)-N-苯基胺的合成)
Figure S2006800252152D00941
向干燥的3-口烧瓶中,加入3.0g同上述方式那样合成的N,N-二苯基-N-(4-叔丁基-2,6-二甲基苯基)-胺(9.1mmol)。容器的内部用氩气吹扫,并且用注射器将105mL的无水二甲基甲酰胺注入到其中。然后,将所得溶液均匀化。用冰浴将反应溶液冷却到0至5℃,然后滴加由1.5g(0.9当量)N-溴琥珀酰亚胺和5.2mL无水二甲基甲酰胺组成的溶液,历时30分钟。然后,将所得溶液原样搅拌30分钟。接着,将冰浴移开,并且将溶液的温度返回到室温。然后,将溶液搅拌5小时。接着,向反应溶液中,加入130mL蒸馏水和150mL氯仿,然后进行彻底搅拌。有机层与水层分离,用无水硫酸镁干燥,浓缩,并且干燥形成固体。将这种固体溶解在200mL甲苯中,并且通过硅胶柱,然后将溶液浓缩,并且干燥形成固体。采用氯仿和环己烷作为展开溶液,将固体通过硅胶柱色谱纯化,然后浓缩,并且通过干燥固化,以获得2.0g白色固体形式的N-(4-溴苯基)-N-(4-叔丁基-2,6-二甲基苯基)-N-苯基胺(LC面积百分比:99.7%;收率:53.3%)。
1H-NMR(300MHz、CDCl3):δ1.32(s,9H),2.00(s,6H),6.81-6.98(m,5H),7.09(s,2H),7.1 6-7.27(m,4H)
LC/MS(APPI(+)):M+407
(N-(4-(4,4,5,5-四甲基-[1,3,2]二氧杂环戊硼烷-2-基)苯基)-N-(4-叔丁基-2,6-二甲基苯基)-N-苯基胺的合成)
Figure S2006800252152D00951
向干燥的3-口烧瓶中,加入7.78g同上述方式那样合成的N-(4-溴苯基)-N-(4-叔丁基-2,6-二甲基苯基)-N-苯基胺(19.1mmol)。容器内部用氩气吹扫,并且将76mL无水四氢呋喃和191mL无水二乙醚加入其中,将所得溶液搅拌。将反应溶液冷却到-76℃,然后在30分钟内,向其中滴加正-丁基锂在正-己烷(21.0mmol)的13.61mL 1.54mol/L溶液。然后将溶液原样搅拌0.5小时。接着,在-76℃,滴加5.83mL 2-异丙氧基-4,4,5,5-四甲基-[1,3,2]二氧杂环戊硼烷(28.6mmol),历时20分钟,并且将溶液原样搅拌1小时。然后,将溶液的温度增加到室温,并且搅拌2小时。历时15分钟将反应溶液滴加到200mL被冷却到0℃的0.2N盐酸中,并且将所得溶液在室温搅拌15分钟。然后,有机层从水层中分离。水层用二乙醚萃取,并且所得溶液加入到有机层。这种混合物接连用蒸馏水、5%的碳酸氢钠水溶液,然后蒸馏水进行洗涤。所得有机层用无水硫酸钠干燥,浓缩,干燥形成固体,由此获得9.0g浅桃红色的粗组合物。在50℃,将8.6g这种粗组合物通过加热溶解在17.1g四氢呋喃中。向所得溶液中,缓慢地加入85.6g甲醇,以引起形成晶体。将这些晶体滤出,然后在减压下干燥,获得7.6g白色固体形式的N-(4-(4,4,5,5-四甲基-[1,3,2]二氧杂环戊硼烷-2-基)苯基)-N-(4-叔丁基-2,6-二甲基苯基)-N-苯基胺(LC面积百分比:98.5%;收率:86.7%)。在LC给定值为1.5%时,这种产物包含杂质N,N-二苯基-N-(4-叔丁基-2,6-二甲基苯基)-胺。
1H-NMR(300MHz、CDCl3):δ1.32(s,9H),1.32(s,12H),2.00(s,6H),6.81-6.98(m,3H),7.01(d,2H),7.09(s,2H),7.15-7.27(m,2H),7.62(d,2H),
LC/MS(APPI(+)):[M+H]+456
参考合成实施例3
<聚合物7的合成>
向100mL烧瓶中,加入600mg聚合物5、147mg N-(4-(4,4,5,5-四甲基-[1,3,2]二氧杂环戊硼烷-2-基)苯基)-N-(4-叔丁基-2,6-二甲基苯基)-N-苯基胺、0.96mg乙酸钯(II)和2.40mg三环己基膦。在该烧瓶用氩气吹扫之后,将72mL商购无水甲苯加入到烧瓶中,并且将所得溶液在室温搅拌溶解。将温度升高到110℃,然后向该溶液中,加入1.55mL含水氢氧化四乙基铵(1.4M)。然后,将溶液在110℃搅拌3小时。将加热临时停止,然后,向溶液中加入336mg 4-(4,4,5,5-四甲基-[1,3,2]二氧杂环戊硼烷-2-基)丁基苯、1.00mg乙酸钯(II)、2.43mg三环己基膦和1.55mL含水氢氧化四乙基铵(1.4M)。将温度再次升高到110℃,并且将溶液搅拌3小时。在冷却到室温之后,用30mL甲苯稀释该溶液。溶液分离,然后用36mL的15%盐水洗涤所得混合物两次。将所得有机层通过已经预涂布有6g钠沸石(由ShowaChemical Industry Co.Ltd.生产)的过滤器,然后用36mL甲苯洗涤该过滤器。将所得有机层浓缩,然后滴加到丙酮中,以引起形成沉淀物。将所得沉淀物滤出,用丙酮洗涤,然后在减压下干燥,获得630mg粗聚合物。
在室温,将630mg这种粗聚合物溶解在130mL甲苯中,并且将所得溶液通过硅胶柱和铝柱,该硅胶柱和铝柱已经预先被甲苯流过。该溶液再用甲苯洗涤,然后用3%氨水和蒸馏水洗涤两次,并且在减压下浓缩。将所得溶液滴加到甲醇中,以再次形成沉淀物。将该沉淀物滤出,用甲醇洗涤,然后在减压下干燥,获得627mg聚合物。
所得聚合物将被称作″聚合物7″。根据聚苯乙烯,得到的聚合物7的数均分子量Mn=8.3×104,重均分子量Mw=1.6×105,峰顶分子量Mp=1.3×105和分散度Mw/Mn=1.9(GPC分析方法C)。
所得元素分析显示,重复单元(P-7)相对于具有取代基的重复单元(式P-12)的比率为(P-7)/(P-12)=82/18,并且苯并芴重复单元相对于取代基的比率,即苯并芴/侧链为85/15。
元素分析测量结果:C 90.46%、H 9.18%、N 0.49%、Br<0.1%
元素分析计算结果:C 90.08%、H 9.43%、N 0.49%、Br 0%(由(P-7)/(P-12)=82/18计算的值)
在聚合物7中,在本发明中分别表示侧链重复单元的数量和侧链长度的参数k和f是k=2和f=3。
Figure S2006800252152D00971
实施例5
溶液的制备
将上述芳族接枝聚合物2溶解在甲苯中,以制备聚合物浓度为1.5重量%的甲苯溶液。
EL器件的制备
使用聚(3,4)亚乙基二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(BaytronP AI 4083(产品名)、由H.C.Starck生产)溶液,该溶液已经使用0.1μm膜过滤器进行了过滤,并且将该溶液旋涂在其上溅射有150nm厚的ITO膜的玻璃基底上,形成厚度为80nm的薄膜。将该薄膜在200℃的热板上干燥15分钟。然后,通过在2,500rpm的旋转速率下的旋涂将上述甲苯溶液沉积在其上。沉积之后的膜厚度为约86nm。在氮气气氛下,将所制备的基底在90℃干燥1小时。在干燥过程中,氧浓度和水分浓度为10ppm以下。将约4nm的氟化锂沉积到该底基上,在其上作为阴极,沉积约5nm的钙和约100nm的铝,从而制备出EL器件。注意,金属的沉积是在真空度达到1x10-4Pa以下才开始的。
EL器件的性能
向如此获得的EL器件施加电压,获得来自该器件的峰在465nm的EL发射。器件在4.2V开始显示发光,并且具有的最大发光效率为1.37cd/A。由这种测量获得的电压(V)-电流(I)特征曲线显示在图1中。
实施例6
除了采用芳族接枝聚合物3代替实施例5的芳族接枝聚合物2,以及在旋涂过程中的旋转速度为1,700rpm之外,以与实施例5相同的方式制备EL器件。在沉积之后的膜厚度为约81nm。向该EL器件施加电压,获得来自该器件的峰在475nm的EL发射。该器件在3.2V开始显示发光,并且最大发光效率为3.72cd/A。由这种测量获得的电压(V)-电流(I)特征曲线显示在图2中。
实施例7
除了采用芳族接枝聚合物4代替实施例5的芳族接枝聚合物2,以及在旋涂过程中的旋转速度为1,300rpm之外,以与实施例5相同的方式制备EL器件。在沉积之后的膜厚度为约81nm。向该EL器件施加电压,获得来自该器件的峰在465nm的EL发射。该器件在2.8V开始显示发光,并且最大发光效率为0.72cd/A。由这种测量获得的电压(V)-电流(I)特征曲线显示在图3中。
比较例1
除了采用聚合物6代替实施例5的芳族接枝聚合物2,以及在旋涂过程中的旋转速度为2,000rpm之外,以与实施例5相同的方式制备EL器件。在沉积之后的膜厚度为约121nm。向该器件施加电压,获得来自该器件的峰在480nm的EL发射。该器件在4.7V开始显示发光,并且最大发光效率为2.28cd/A。由这种测量获得的电压(V)-电流(I)特征曲线显示在图4中。
比较例2
除了采用聚合物4代替实施例5的芳族接枝聚合物2,以及在旋涂过程中的旋转速度为1,300rpm之外,以与实施例5相同的方式制备EL器件。在沉积之后的膜厚度为约103nm。向该EL器件施加电压,获得来自该器件的峰在470nm的EL发射。该器件在4.4V开始显示发光,并且最大发光效率为0.18cd/A。由这种测量获得的电压(V)-电流(I)特征曲线显示在图5中。
比较例3
除了采用芳族接枝聚合物7代替实施例5的芳族接枝聚合物2,以及在旋涂过程中的旋转速度为1,700rpm之外,以与实施例5相同的方式制备EL器件。在沉积之后的膜厚度为约83nm。向该EL器件施加电压,获得来自该器件的峰在460nm的EL发射。该器件在3.3V开始显示发光,并且最大发光效率为0.69cd/A。由这种测量获得的电压(V)-电流(I)特征曲线显示在图6中。
如果将实施例1与比较例1进行比较,则采用芳族接枝聚合物2的聚合物发光器件比在使用聚合物6的情况下具有更低的发光开始电压以及更高的电流值。这些特性表明,对于芳族接枝聚合物,载流子迁移率特别高,当被用作发光材料或电荷输送材料时,这有助于降低驱动电压。
类似地,与相应的聚合物4相比,芳族接枝聚合物3和4还具有更低的发光开始电压,在低电场区域内特别大的电流值,以及高的发光效率。还可以明白的是,相比于具有短侧链的聚合物7,侧链越长,这发光开始电压变得越低,并且在低电场区域内的电流值变得越大。
根据本发明的芳族接枝聚合物具有优异的用作聚合物发光器件中使用的材料的特性。
工业可适用性
预期本发明的芳族接枝聚合物作为有利的聚合材料,用于制备在电子工业材料、化学、能源材料和医药领域等中的各种高功能材料。

Claims (26)

1.一种芳族接枝聚合物,其包含一种以上的由下式(1)表示的重复单元,
-Ar1-    (1)
其中,Ar1表示具有由下式(2)表示的侧链的π-共轭环状化合物的二价残基,并且所述侧链与包含在由Ar1表示的π-共轭环状化合物的二价残基的环结构中并且具有sp2杂化轨道的碳原子结合,
_Ar2-X1-Z_kE1    (2)
其中,Ar2表示具有π-共轭环状化合物的二价残基的基团;X1表示直接键合或选自NQ1-、-PQ2-和-BQ3-中的二价基团,其中Q1至Q3各自独立地表示取代基;Z表示直接键合或二价连接基团;k是3以上的整数;E1表示氢原子、卤素原子或一价有机基团;当存在多个Ar2、X1和Z时,Ar2、X1和Z各自可以相同或不同,并且当存在多个由式(2)表示的侧链时,所述侧链可以相同或不同。
2.根据权利要求1所述的芳族接枝聚合物,其中芳族接枝聚合物具有这样的侧链:即对于所述侧链,由下式(3)限定的并且表示由式(2)所示侧链的长度的参数f满足f≥4的条件,
f=k+m(3)
其中,m表示在由式(2)表示的侧链中,在由X1表示的直接键合和二价基团中二价基团的数量。
3.根据权利要2所述的芳族接枝聚合物,其中所述参数f满足f≥5的条件。
4.根据权利要3所述的芳族接枝聚合物,其中k为5以上。
5.根据权利要求1至4中任一项的芳族接枝聚合物,其中含有所述一种以上的由式(1)所示重复单元的芳族接枝聚合物是还包含另外的重复单元的共聚物。
6.根据权利要5所述的芳族接枝聚合物,其中所述另外的重复单元是选自下列式(5)至(9)中的重复单元,
-Ar4-              (5)
-Ar5-              (6)
_Ar6-X2_pAr7-    (7)
-Ar8-X3-           (8)
-X4-               (9)
其中Ar4表示其中在式(1)的Ar1中的侧链被氢原子取代的重复单元;Ar5、Ar6、Ar7和Ar8各自独立地表示具有π-共轭环状化合物的二价残基的基团;并且X2、X3和X4各自独立地表示二价连接基团。
7.根据权利要求1至6中任一项的芳族接枝聚合物,其中由式(1)表示的重复单元的总量相对于包含在主链中并且由式(1)和式(5)至(9)表示的重复单元的总量为11mol%以上并且100mol%以下。
8.根据权利要求1至4中任一项的芳族接枝聚合物,其中所述芳族接枝聚合物包含由式(1)表示的重复单元。
9.根据权利要求6或7的芳族接枝聚合物,其中所述芳族接枝聚合物包含由式(1)和(5)表示的重复单元。
10.根据权利要求8或9的芳族接枝聚合物,其中分散度(重均分子量/数均分子量)为1以上并且12以下。
11.根据权利要求1至10中任一项的芳族接枝聚合物,其中根据聚苯乙烯的数均分子量为103至108
12.根据权利要求1至11中任一项的芳族接枝聚合物,其中所述芳族接枝聚合物在固态时具有电荷传输性质或光致发光。
13.一种聚合物组合物,其特征在于包含选自空穴传输材料、电子传输材料和发光材料中的至少一种材料以及根据权利要求1至12中任一项所述的芳族接枝聚合物。
14.一种溶液,其特征在于包含根据权利要求1至12中任一项所述的芳族接枝聚合物。
15.一种溶液,其特征在于包含根据权利要求13所述的聚合物组合物。
16.一种发光薄膜,其特征在于包含根据权利要求1至12中任一项所述的芳族接枝聚合物,或根据权利要求13所述的聚合物组合物。
17.一种导电薄膜,其特征在于包含根据权利要求1至12中任一项所述的芳族接枝聚合物,或根据权利要求13所述的聚合物组合物。
18.一种有机半导体薄膜,其特征在于包含根据权利要求1至12中任一项所述的芳族接枝聚合物,或根据权利要求13所述的聚合物组合物。
19.一种有机晶体管,其特征在于包含根据权利要求18所述的有机半导体薄膜。
20.一种用于形成根据权利要求16至18中任一项所述的薄膜的方法,其特征在于使用喷墨法。
21.一种用于形成根据权利要求16至18中任一项所述的薄膜的方法,其特征在于使用丝网印刷法、苯胺印刷法或胶版印刷法。
22.一种聚合物发光器件,其特征在于在由阳极和阴极组成的电极之间具有有机层,其中所述有机层包含根据权利要求1至12中任一项所述的芳族接枝聚合物,或根据权利要求13所述的聚合物组合物。
23.一种平面光源,其特征在于包含根据权利要求22所述的聚合物发光器件。
24.一种节段显示器,其特征在于包含根据权利要求22所述的聚合物发光器件。
25.一种点矩阵显示器,其特征在于包含根据权利要求22所述的聚合物发光器件。
26.一种液晶显示器,其特征在于包含由根据权利要求22所述的聚合物发光器件构成的背光。
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