CN101213640B - 基板处理装置的控制装置及基板处理装置的控制方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的是提供一种能够根据产品处理灵活地对基板处理装置进行控制的控制装置。第一存储部(255a)中存储四个处理方案(PM1～PM4)，第二存储部(255b)中存储与各处理方案对应的高温用、中温用、低温用预定方案。处理方案特定部(260)根据操作员指定的方案，从第一存储部(255a)中特定出与所指定方案对应的处理方案。工作台温度取得部(265)从特定的处理方案中取得工作台温度。预定方案选择部(270)从存储在第二存储部(255b)中的三种预定方案中选择一个与工作台温度对应的预定方案。其结果是，能够在晶片(W)成膜前，根据所选择的预定方案将基板处理装置(PM：处理模块)保持在良好的状态。

Description

基板处理装置的控制装置及基板处理装置的控制方法
技术领域
本发明涉及按照方案来控制基板处理装置的控制装置以及控制方法。
背景技术
在现有技术中，通过等离子体的作用对基板进行成膜、蚀刻等所希望处理的基板处理装置已经是众所周知。该处理通过控制装置根据进行基板处理用的方案(以下简称“处理方案”)，控制基板处理装置来执行(例如参照专利文献1)。该处理中所使用的处理方案是按照时间序列来定义表示处理基板用的处理条件(例如：温度、气体流量、RF输出)的数据的。一个产品处理必须对应一个处理方案。
原来，由于硬件的性能，一个基板处理装置只能执行单一的处理，所以对于一个基板处理装置也只需要准备一个处理方案。因而，在处理基板前，也只需要准备一个使基板处理装置内达到最佳状态的方案(以下简称“预定方案”)来对应一个基板处理装置。
但是，近几年，由于硬件性能的提高，在一个基板处理装置上执行多种处理已经成为可能。例如：在成膜装置中，已经可以在原有的CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)处理的基础上加上ALD(Atomic Layer Deposition：原子层沉积)处理进行并用。为了不让多种原料气体在到达基板之前发生反应，ALD中采用随时切换原料气体供给并且一种一种地交互供给的方式，和原有的成膜处理相比能够在较低温度下在基板上形成非常薄的膜。具体而言，对于在处理方案中所设置的温度来说，在原有的成膜处理中需要650℃左右的高温，而采用ALD的成膜处理则只需要450℃左右的低温。
从到目前为止的各种处理的实验中已经表明：像这样，在处理方案中所设定的温度根据处理的种类而大不相同时，必须将预定方案中定义的气体流量以及RF输出等数据重新设定为与处理方案的温度变化没有连续性的最佳值。而且，通过这样将预定方案的数据根据各个处理来进行优化，就能根据处理使处理基板前的基板处理装置内保持良好的状态，结果，也就可以在基板上实施最佳的等离子体处理。
日本特开平第9-129529号公报
发明内容
但是，当基板处理装置中执行的处理的种类改变时，操作员必须手动地将预定方案的数据更改注册为最佳值。这样不仅需要为该注册花费相当的时间，没有效率，而且假如在注册时发生了输入错误，由于基板处理装置是按照错误输入的方案被控制的，就无法得到最佳的处理效果，也无法在基板上实施良好的等离子体处理。进而，对于今后硬件的进一步发展，为了能够适应灵活性，通过搭建自动控制基板处理装置的系统，也能够有效地提高昂贵的基板处理装置的商品价值。
因此，本发明提供能够适应各种处理，灵活地控制基板处理装置的控制装置以及控制程序。
即，为了解决上述课题，根据本发明的一些观点，提供了一种基板处理装置的控制装置，该控制装置根据包含有表示基板处理装置的控制顺序的数据的预定方案控制上述基板处理装置，根据包含有表示被处理基板的处理顺序的数据的处理方案对搬入上述基板处理装置中的被处理基板进行处理。
该控制装置包括：第一存储部，存储一个或者两个以上的处理方案；第二存储部，分别存储与各处理方案对应的多种预定方案，使得能够根据包含在上述各处理方案中的特定数据改变上述基板处理装置的控制顺序；特定部，按照在成为处理对象的一个或者两个以上被处理基板上所使用的方案的指定，从上述第一存储部中存储的多个处理方案中，特定与上述被指定的方案对应的处理方案；取得部，从包含在上述特定的处理方案中的数据中取得上述特定数据；和选择部，与上述特定的处理方案对应，从存储在上述第二存储部中的多种预定方案中选择一个与上述取得的特定数据对应的预定方案。
由此，从存储在第二存储部中的多种预定方案中选择出一个和处理方案特定的数据对应的预定方案。这样，每当基板处理装置中被执行的处理的种类改变时，不仅可以不再需要操作员手动将预定方案的数据重新注册为最佳值，变得更加有效率，而且还能防止注册时的错误输入。结果也就可以根据最佳的预定方案，将基板处理装置内保持为与处理相应的最佳状态。这样，也就能够根据处理方案，在保持良好状态的基板处理装置内对被处理基板实施最佳的处理。
上述取得部，也可以取得上述特定的处理方案中所包含的关于温度的数据、即温度数据，作为上述特定数据。作为从处理方案中取得的温度数据的一个例子，可以举出例如：工作台加热器设定温度、喷淋加热器等。而且，工作台加热器设定温度可以是工作台加热器外缘侧的设定温度，也可以是工作台加热器中心侧的设定温度。此外，特定的数据不限于温度的相关数据，例如也可以是：压力数据、气体流量数据、等离子体施加电力数据。
也可以是上述第二存储部，对应各处理方案存储表示控制顺序的多种预定方案，上述控制顺序按照控制上述基板处理装置的温度而不同；也可以是上述选择部，比较上述取得的温度数据和所给的阙值，根据比较得出的结果，从存储在上述第二存储部中的多种预定方案中选择出与上述取得的温度数据对应的预定方案。
更为具体而言，也可以是上述第二存储部，对应各处理方案分别存储与控制上述基板处理装置的温度相对应的高温用预定方案、中温用预定方案以及低温用预定方案；也可以是上述选择部，将上述取得的温度数据与用于区分高温和中温的第一阙值进行比较，如果比较得出的结果是上述温度数据在第一阙值以上，则选择存储在上述第二存储部中的高温用预定方案，如果上述温度数据比第一阙值小，则再将上述温度数据与用于区分中温和低温的第二阙值进行比较，如果比较得出的结果是上述温度数据在第二阙值以上，则选择存储在上述第二存储部中的中温用预定方案，如果上述温度数据比第二阙值小，则选择存储在上述第二存储部中的低温用预定方案。
从目前为止的各种处理实验中已经表明：如果处理方案中设定的温度根据处理的不同种类而具有较大差异时，例如分别为：450℃、550℃、650℃，那么就有必要将预定方案中定义的气体流量以及RF输出等数据重新设置为与处理方案的温度变化没有连续性的最佳值。针对这一点，根据本发明，从存储在第二存储部中的高温用预定方案、中温用预定方案以及低温用预定方案中选择出一个对应于处理方案中定义的温度数据的预定方案。像这样被选择出来的预定方案具有对每个处理最优化的数据。由此，能够根据选择的预定方案得到最佳的处理结果。其结果，即使没有配合各种产品的处理，没有使处理方案和预定方案一对一链接、进行保存，也能够灵活地根据各种产品的处理控制基板处理装置。
成为上述处理对象的一个或者两个以上被处理基板，也可以通过接受包含多个被处理基板的批次识别信息或者被处理基板的识别信息的至少任意一种的指定而被特定。
上述特定部，也可以根据第一批次识别信息的指定、第一批次所使用的第一方案的指定以及第二批次识别信息的指定、第二批次所使用的第二方案的指定，从存储在上述第一存储部中的多个处理方案中分别特定与上述指定的第一方案以及第二方案对应的第一处理方案以及第二处理方案；上述取得部，也可以从包含在上述特定的第一处理方案以及第二处理方案中的数据中分别取得与上述温度相关的第一温度数据以及第二温度数据；上述选择部，也可以当上述第一温度数据和第二温度数据不同时，为了在上述第一批次以及第二批次的处理前通过预定方案分别控制上述基板处理装置，从存储在上述第二存储部中的多种预定方案中分别选择一个与上述第一处理方案以及第二处理方案对应的预定方案。
由此，即使在连续执行不同处理温度(温度数据)的批次的情况下，在处理基板前(即，连续执行的第一批次的基板处理前以及第二批次的基板处理前)，可以根据对应第一处理方案以及第二处理方案所分别选定的预定方案，将基板处理装置内调整为在各个处理中的最佳状态。其结果是，可以在需要连续执行的各个批次中，对各批次所属的基板实施最佳的处理。
作为上述基板处理装置的控制装置，也可以还包括修正部，上述修正部求出包含在上述选择部所选择的预定方案中的温度相关数据和由上述取得部所取得的温度数据之间的差异程度，根据求出的差异程度对包含在上述被选择的预定方案中的规定数据进行修正。
由此，根据预先确定的规定的规则，修正包含在预定方案中的规定数据。这样，不仅能够针对每个产品处理的温度数据方面较大的差异(100℃左右)，根据产品处理(处理方案的温度数据)从多种预定方案中选择最佳的预定方案来对应，而且对于处理方案的温度数据和所选择的预定方案的温度数据的微小差异(几℃～几十℃左右)，也可以通过修正所选择的预定方案来对应。像这样，通过预定方案的数据的选择以及修正这两个阶段的最优化处理，能够更加细致地根据产品处理调整好基板处理装置内的状态。结果也就可以在具备非常良好的状态的基板处理装置内对被处理基板实施均一并且良好的处理。而且，还能够根据处理方案的温度数据和所选择的预定方案的温度数据的差值与预定方案的温度数据相对处理方案的温度数据的比率等求出处理方案的温度数据和预定方案的温度数据之间的差异程度。
此外，为了解决上述课题，根据本发明的其他观点，提供了一种基板处理装置的控制程序，根据包含有表示基板处理装置的控制顺序的数据的预定方案控制上述基板处理装置，根据包含有表示被处理基板的处理顺序的数据的处理方案对搬入上述基板处理装置中的被处理基板进行处理，使上述处理由计算机执行，其特征在于，使下述处理由计算机执行：将一个或者两个以上的处理方案存储在第一存储部中的处理；将与各处理方案对应的多种预定方案分别存储在第二存储部中，以能够根据上述各处理方案中包含的特定数据来改变上述基板处理装置的控制顺序的处理；按照在成为处理对象的一个或者两个以上被处理基板上所使用的方案的指定，从上述第一存储部中存储的多个处理方案中，特定与上述被指定的方案对应的处理方案的处理；从包含在上述特定的处理方案中的数据中取得上述特定的数据的处理；与上述特定的处理方案对应，从存储在上述第二存储部中的多种预定方案中选择一个与上述取得的特定数据对应的预定方案的处理。
由此，从存储在第二存储部中的多种预定方案中选择出一个和处理方案中定义的特定数据对应的预定方案。这样，每当基板处理装置中被执行的处理的种类改变时，不仅可以不再需要操作员手动重新注册预定方案的数据而变得有效率，而且还能防止注册时的错误输入。结果也就可以根据具有最佳值的预定方案，将基板处理装置内保持为与处理相对应的最佳状态，这样也就可以在非常良好的环境下根据处理方案对被处理基板实施最佳的处理。
此外，像这样通过利用软件自动控制基板处理装置这样的硬件(即，通过硬件和软件的协作)，即使面对今后硬件的进一步发展，也能够自动灵活地处理，其结果是，能够进一步提高高额的基板处理装置的商品价值。
如上所述，根据本发明，能够适应各种处理，灵活地控制基板处理装置。
附图说明
图1是表示本发明各实施方式中的基板处理系统的示意图。
图2是表示各实施方式中的EC的硬件结构图。
图3是表示各实施方式中的基板处理系统的硬件结构图。
图4是表示各实施方式中的各个PM的纵向截面图。
图5是表示第一实施方式中的EC的功能结构图。
图6是表示包含在处理方案中的数据的一部分的示例图。
图7是表示在各实施方式中执行的成膜处理程序的流程图。
图8是表示在各实施方式中执行的预定方案自动选择处理程序的流程图。
图9是表示在第一实施方式中执行的方案执行处理程序的流程图。
图10是第二实施方式涉及的EC的功能结构图。
图11表示在第二实施方式中执行的方案执行处理程序的流程图。
图12是表示修正预定方案的规则的一部分的示例图。
标号说明
100：主计算机
200：EC
300：操纵控制器
400：PM
250：输入部
255a：第一存储部
255b：第二存储部
260：处理方案特定部
265：工作台温度取得部
270：预定方案选择部
275：方案执行部
280：通信部
285：输出部
290：修正部
PM：处理模块
具体实施方式
以下，参照附图，详细说明本发明的具体实施方式。其中，在以下的说明以及附图中，对于含有同一结构以及功能的结构要素，采用同一符号标注，省略其重复说明。
并且，本说明书中1Torr为(101325/760)Pa，lsccm为(10-6/60)m3/sec。
(第一实施方式)
首先，参照图1，说明使用在本发明第一实施方式中所涉及的控制装置的基板处理系统。其中，在本实施方式中，以在基板上形成Ti膜(或者，TiN膜)的处理为例进行说明。
(基板处理系统)
基板处理系统10包括主计算机100、主控制器(以下简称EC200(EC：Equipment controller))、n个操纵控制器(操纵控制器300a～300n)以及n个PM(处理模块)(PM400a～400n)。主计算机100和EC200通过英特网等网络(network)500连接。另外，EC200和操纵控制器通过LAN(局域网：Local Area Network)等网络600连接。
主计算机100进行数据管理等，管理着基板处理系统10的整体。EC200保存为了控制基板的成膜处理所使用的方案(处理方案以及预定方案)，根据方案给操纵控制器300a～300n发送控制成膜处理的指令，进行保存所使用的方案的记录等的管理。
操纵控制器300a～300n根据从EC200发送的指令分别控制PM400a～400n，各PM400a～400n依据该控制对所搬入的晶片W进行成膜处理。处理数据(例如：温度、压力以及气体流量等随时间的变化)由操纵控制器300a～300n经由EC200发送给主计算机100。
接下来，参照图2、3分别说明EC200以及PM400的硬件结构。其中，主计算机100以及操纵控制器300的硬件结构虽然未图示出来，但是是和EC200相同的结构。
(EC硬件结构)
如图2所示，EC200包含ROM205、RAM210、CPU215、总线220、内部接口(内部I/F)225以及外部接口(外部I/F)230。
ROM205中记录有在EC200中执行的基本程序、异常时起动的程序、处理方案、预定方案等。RAM210中积累了各种程序或数据。ROM205以及RAM210是存储装置的一个举例，也可以是EEPROM、光盘、光磁盘等存储装置。
CPU215根据处理方案或预定方案控制基板的成膜处理。总线220是ROM205、RAM210、CPU215、内部接口225以及外部接口230的各装置间交换信息的路径。
就内部接口225来说，通过操作员的操作，从键盘705或者触摸屏710输入成膜处理的相关数据，将必要的数据输出到监视器715或扬声器720。就外部接口230来说，和连接到网络500的主计算机100进行数据收发，并且，和连接到网络600的各操纵控制器300进行数据收发。
(PM的硬件结构)
如图3所示，基板处理系统10包括搬入搬出晶片W的搬送系统H和对晶片W进行成膜处理的处理系统S。搬送系统H和处理系统S经由负载锁定(load lock)室405(负载锁定室405a、405b)进行连结。
搬送系统H包括盒工作台410和搬送工作台420。盒工作台410中设置有容器载置台410a，在容器载置台410a上载置有3个盒式容器410b1～410b3。各盒式容器410b例如最多能够多级收纳25枚晶片W。
搬送工作台420中，在其中心位置上设置有沿搬送方向延伸的导轨420a。在导轨420a上支承着搬送晶片W的两根搬送臂420b1、420b2，使其通过磁驱动在导轨420a上滑动移动。搬送臂420b1、420b2分别具有可屈伸以及旋转的多关节状搬送臂本体420b11、420b21以及安装在搬送臂本体420b1的前端的分叉物(fork)420b12、420b22，使得将晶片W保持在分叉物420b12、420b22上。
在搬送工作台420的一端设置有决定晶片W的位置的定位机构420c。定位机构420c使得旋转台420c1在载置着晶片W的状态下转动，并通过光学传感器420c2检测晶片W周边部的状态，进行晶片W的位置定位。
两个负载锁定室405a、405b的内部分别设置有载置晶片W的载置台405a1、405b1，并且在其两端还分别气密地设置有可开闭的闸阀405a2、405a3、405b2、405b3。通过这样的结构，搬送系统可以在盒式容器410b1～410b3和负载锁定室405a、405b以及定位机构420c之间搬送晶片W。
另一方面，在处理系统S中设置有移载室430以及四个处理模块PM1～PM4(PM：Process Module，相当于基板处理装置)。移载室430经由可开闭的闸阀440a～440d分别和PM1～PM4气密地连接。移载室430上设置有可屈伸以及旋转的臂430a。
PM1～PM4上分别设置有载置晶片的基座450a～450d。移载室430以及PM1～PM4的室内分别被抽真空至所希望的程度。通过这样的结构，处理系统使用臂430a将晶片W从负载锁定室405经由移载室430搬入各PM，在载置在各基座450上的状态下进行过成膜处理以后，再次经由移载室430搬出到负载锁定室405。
并且，在本实施方式中，晶片W被搬入PM1或者PM3中实施Ti膜处理，其后，被搬入PM2或者PM4实施TiN膜处理。但是，PM1～PM4除了能够进行这样的成膜处理以外，还能够进行扩散处理、蚀刻处理、灰化处理、和溅射处理等各种处理。
此外，PM1～PM4能够分别以一台执行高温(650℃左右)下的成膜处理、中温(550℃左右)下的成膜处理、和低温(450℃左右)下的成膜处理。作为低温下的成膜处理，例如能够举出ALD、LTTi(LowTemperature Ti)。作为中温下的成膜处理，例如，能够举出SJ(ShallowJunction：浅结)条件，作为高温下的成膜处理，例如，能够例举出一直以来所采用的现有成膜处理。
(各PM的内部结构)
接下来，参照图4中所示的PM纵截面图对各PM的内部结构进行说明。PM具有气密地构成的近似圆筒状的腔室C，其内部设置有前文所描述的载置晶片W的基座450。基座450由例如AIN等陶瓷构成，通过圆筒状的支承部件451进行支承。
在基座450的外缘部上设置有导向环452，该导向环在为晶片W导向的同时进行等离子体调焦。此外，在基座450的内部埋置有工作台加热器454。工作台加热器454连接腔室C外部的交流电源456，通过从交流电源456输出的交流电压将工作台加热器454的温度保持在处理方案中所定义的工作台加热器的设定温度，由此，使得晶片W达到规定的温度。
在腔室C的顶棚壁部458a上，经由绝缘部件459设置有喷头460。该喷头460由上段块体460a、中段块体460b以及下段块体460c构成。
上段块体460a中形成有气体通路460a1和气体通路460a2。中段块体460b中形成有与气体通路460a1相连通的气体通路460b1以及与气体通路460a2相连通的气体通路460b2。下段块体460c中交互式地形成有多个分别和气体通路460b1以及气体通路460b2连通的喷射孔460c1以及喷射孔460c2。喷头460通过气体管线465a、465b和气体供给机构470连接。
气体供给机构470由气体供给源470a～470e、多个阀472、多个质量流量控制器(massflow controller)474、多个阀476以及阀478构成，通过控制各阀472、476、478的开闭，使得从各气体供给源有选择性地将处理气体供给到腔室C内。此外，各质量流量控制器474分别控制供给的处理气体的流量，由此，使得能够将处理气体调整为所希望的浓度。
在气体供给源中，ClF3气体供给源470a供给作为清洗气体的ClF3气体，TiCl4气体供给源470b为了Ti膜的形成而供给含有Ti的TiCl4气体，Ar供给源470c供给作为等离子体激励气体的Ar气体。此外，H2供给源470d供给作为还原气体的H2气体，NH3气体供给源470e为了氮化Ti膜而供给含有N的NH3气体。
ClF3气体供给源470a、TiCl4气体供给源470b以及Ar供给源470c连接着前述气体管线465a。H2供给源470d以及NH3气体供给源470e连接着气体管线465b。而且，TiCl4气体供给源470b经由气体管线465c与排气装置480连接。
喷头460通过匹配器490和高频电源492连接。另一方面。基座450中埋设有电极494，作为喷头460的相对电极。电极494经由匹配器496与高频电源498连接，通过从高频电源498向电极494供给高频电力，生成偏电压。
腔室C的底部壁面458b上设置有排气管499，排气管499连接有包含真空泵的排气装置480。排气装置480通过排气管499排出腔室C内的气体，使得腔室C内减压为规定的真空度。
通过这样的结构，由高频电源492供给喷头460的高频电力使得从气体供给机构470经由喷头460供给腔室C的处理气体被等离子体化，通过其等离子体，晶片W被实施成膜处理。例如在于PM1中形成Ti膜的情况下，在晶片W被搬送来以后，从TiCl4气体供给源470b供给的TiCl4气体将Ar气体作为载体，通过气体管线465a、气体通路460a1、460b1，从喷射孔460c1喷射入腔室C。另一方面，从H2供给源470d供给的H2气体通过气体管线465b、气体通路460a2、460b2，从喷射孔460c2喷射入腔室C。这样，使得TiCl4气体和H2气体被完全独立地供给到腔室C中，在被供给到腔室C内后，进行混合并通过高频电力被等离子体化，由此，在晶片W上形成Ti膜(TiSi2膜)。
像这样形成Ti膜后的晶片W，进一步根据需要，被搬送到PM2中，实施对其表面进行的氮化处理。这种情况下，Ar气体通过气体管线465a、气体通路460a1、460b1从多个喷射孔460c1喷射入腔室C中，NH3气体以及H2气体通过气体管线465b，气体通路460a2、460b2，从多个喷射孔460c2喷射入腔室C内。所供给的气体通过高频电力而被离子体化，这样，晶片W就被氮化处理(TiN膜形成处理)。并且，在规定枚数的晶片W被成膜以后，通过向腔室C内供给ClF3气体，对腔室C内进行清洗。
(EC的功能结构)
接着，参照以框图表示各功能的图5，对EC200的各功能进行说明。EC200具有由输入部250、第一存储部255a、第二存储部255b、处理方案特定部260、工作台温度取得部265、预定方案选择部270、方案执行部275、通信部280以及输出部285的各框所示的功能。
在按下批次起动按钮之前，如果操作员使用例如键盘705或触摸屏710，输入系统方案，即一个或者两个以上的批次ID(批次号)以及晶片W向各PM的搬送顺序和在作为搬送目的地的PM中所分别执行的处理方案名称的组合，则输入部250将其读入。
此处，通过输入部250读入的特定成膜处理对象的信息不限于批次ID，例如也能够通过对每个晶片W所预先确定的晶片ID(晶片No)来特定。即，成膜处理的对象，能够通过接受指定批次ID的识别信息或者晶片W的识别信息中的至少任意一种，而进行特定。同样地，识别处理方案的信息也不限于处理方案名，例如也可以通过输入对每个处理方案所预先注册的处理方案No来进行特定。此外，还可以预先作好系统方案，在批次开始时指定系统方案名。
第一存储部255a中分别存储有1个或者多个在PM1～PM4中分别执行的处理方案PM1～PM4。处理方案是系统方案的一部分，是具有按照时间序列表示晶片W的处理顺序的数据的表格(table)。例如，处理方案PM1的一部分内容如图6所示，显示了在处理方案PM1中，将图4的工作台加热器454的设定温度固定为640℃，形成Ti膜的处理顺序。
如步骤项目以及时间所示，在处理方案PM1中，首先STEP1为10秒，然后STEP2为5秒，STEP3为5秒……像这样，每个步骤，按照时间序列定义了晶片W的处理流程。例如，根据处理方案PM1，PM1内，在最初的10秒(STEP1)，控制其压力为2(Torr)，H2气体流量为20(sccm)，在接下来的5秒内(STEP2)，控制其压力为5(Torr)，TiCl4气体流量为20(sccm)，H2气体流量为20(sccm)，然后接下来的5秒内(STEP3)，控制其压力为0(Torr)，Ar气体的流量为1000(sccm)，……这样，表示晶片W的处理流程的数据被按照每一步骤详细地表示出来。这样，搬入PM1中的晶片W被按照处理方案PM1中的处理流程进行处理。
并且，第一存储部255a保存有使处理方案名和同其名称相一致的处理方案相链接的连接信息(未图示)。例如：第一存储部255a也可以将收纳有与各名称对应的处理方案的地址作为连接信息，使之与各名称相对应，进行存储。
第二存储部255b中分别对应各处理方案存储有多种预定方案，使得能够根据包含在处理方案中的特定的数据改变PM的控制流程。具体而言，第二存储部255b中对应各处理方案分别存储有高温处理用方案(高温用预定方案)、中温处理用方案(中温用预定方案)、以及低温处理用方案(低温用预定方案)。例如：关于处理方案PM1，对应于处理方案PM1中所包含的工作台加热器的设定温度(也称温度数据)，存储有预定方案PM1—H(高温用预定方案)、预定方案PM1—M(中温用预定方案)以及预定方案PM1—L(低温用预定方案)。对于处理方案PM2～PM4来说，也同样分别存储有三种预定方案。
预定方案是包括表示晶片W处理前的PM控制流程的数据的表格。预定方案用于在处理晶片W前使PM内达到最佳的状态。并且，第二存储部255b保存有使处理方案名和同其名称相一致的三种预定方案相链接的连接信息(未图示)。此外，实际上，存储在第一存储部255a以及第二存储部255b中的数据保存于图2的ROM205、RAM210或者未图示的其他存储器中。
处理方案特定部260(相当于特定部)根据从输入部250输入的批次ID以及方案名，从存储在第一存储部255a中的多个处理方案中，根据连接信息，特定出与操作员所指定的方案名相对应的处理方案。例如：输入的方案名为“PM1”时，处理方案特定部260利用连接信息取得存储有与“PM1”对应的方案(特定处理方案PM1)的地址，由此，特定处理方案PM1。
工作台温度取得部265(相当于取得部)从包含在处理方案特定部260所特定的处理方案中的数据中，取出作为特定数据的工作台加热器设定温度(温度数据)。并且，从处理方案中取得的温度数据不限于工作台加热器设定温度，例如还可以是喷淋加热器的温度(即设置在喷头460上的加热器的温度)等。而且，由于工作台加热器454具有面内温度梯度，所以工作台加热器的设定温度可以是工作台加热器454外缘侧的设定温度，也可以是工作台加热器454中心侧的设定温度。此外，特定的数据不限于温度相关的数据，例如，还可以是压力数据、气体流量数据、等离子体施加电力数据。
预定方案选择部270(相当于选择部)从存储在第二存储部255b中的对应于处理方案特定部260所特定的处理方案的三种预定方案中，选择出一个和工作台温度取得部265所取得的温度数据相对应的预定方案。
方案执行部275根据预定方案选择部270所选择的预定方案，在晶片处理前控制PM以后，根据处理方案特定部260所特定的处理方案，控制被搬入PM内的晶片W上的成膜处理。
通信部280如果从方案执行部275接收用于控制上述成膜处理的指令，则据此将用于控制PM的控制信号发送给操纵控制器300。由此，在依照预定方案于晶片处理前被控制了的PM中，晶片W被依照处理方案实施成膜处理。
在成膜处理的执行过程中，当发生方案校验错误(参数中设置的方案不可执行)等问题时，输出部285在通过监视器715显示表示该问题的警告文字的同时，从扬声器720发出警报。
并且，对于以上说明的EC200的各功能，实际上，可以通过CPU215执行记录有实现这些功能的处理流程的程序，或者通过控制未图示的用于实现各功能的IC等来实现。例如：在本实施方式中，处理方案特定部260、工作台温度取得部265、预定方案选择部270、方案执行部275的各功能是通过由CPU215执行记录有实现这些功能的处理流程的程序来实现的。
(EC的动作)
接下来，参照图7～图9对EC的动作进行说明。图7是表示EC200执行的成膜控制处理(主程序)的流程图。图8是表示图7的主程序中被调用的预定方案自动选择处理(子程序)的流程图。图9是表示图7的主程序中被调用的方案执行处理(子程序)的流程图。
而且，在开始成膜控制处理之前，事先设置有必要的装置参数。其中之一包括：低温/中温切换温度T1、中温/高温切换温度Th。低温/中温切换温度T1在判定从存储在第二存储部255b中的三种预定方案中选择低温用预定方案还是选择中温用预定方案的时候使用。中温/高温切换温度Th在判定选择中温用预定方案还是选择高温用预定方案的时候使用。因此，本实施方式中的“高温”是指中温/高温切换温度Th以上的温度，“中温”是比中温/高温切换温度Th低的温度，是低温/中温切换温度T1以上的温度。“低温”是比低温/中温切换温度T1低的温度。
本实施方式中定义的是：低温/中温切换温度T1＝500℃，中温/高温切换温度Th＝600℃。但是，只要低温/中温切换温度T1和中温/高温切换温度Th在以下范围内，不管哪个值都可以：450℃≤低温/中温切换温度T1<550℃，550℃≤中温/高温切换温度Th≤650℃。
此外，在开始成膜控制处理之前，预定方案自动选择功能的设定值被定为“有效”或者“无效”。该值在用户开始基板处理系统10的运用以前(通常在基板处理系统10输出前)就被确定，但是在开始基板处理系统10的运用以后，用户也能够重新设定。此外，在本实施方式中，对于预定方案自动选择功能的设定值为“有效”时的情况，稍后再对EC200的动作进行说明，而预定方案自动选择功能的设定值为“无效”时，不进行从三种预定方案中选择出最佳预定方案的处理，依据现有的预定方案像现有技术一样控制PM。
另外，对于保存在刚刚处理过的批次中所使用的工作台加热器设定温度Tp用的变量Tpold，其初始设定值设置为“0”。
此外，在开始成膜控制处理之前，由操作员指定作为成膜处理对象的批次ID以及方案名。在连续地处理多个批次的情况下，指定多个批次ID以及与各个批次ID对应的方案名。
(成膜控制处理)
像这样，由操作员指定了作为成膜处理对象的批次ID以及方案名以后(连续处理多个批次的情况下，在分别指定多个批次ID以及各个批次适用的方案名以后)，操作员将批起动按钮设为“ON”，则从图7的步骤700开始成膜控制处理，进入步骤705，处理方案特定部260利用存储在第一存储部255a中的连接信息，从存储在第一存储部255a中的处理方案中特定出对应于操作员指定的(即通过输入部250输入的)方案名的处理方案。
然后，进入步骤710，工作台温度取得部265从特定的处理方案内的数据中取得工作台加热器的设定温度Tp。接着，进入步骤715，预定方案选择部270执行预定方案自动选择处理。
(预定方案自动选择处理)
预定方案自动选择处理从图8的步骤800开始，进入步骤805，预定方案选择部270判定工作台加热器的设定温度Tp是否在中温/高温切换温度Th之上。在执行高温的成膜处理时，预定方案选择部270在步骤805中判定为“YES”，进入步骤810，利用存储在第二存储部255b中的连接信息，对应特定的处理方案，从存储在第二存储部255b中的三种预定方案中，选择高温用预定方案，进入步骤895，结束本处理。
另一方面，执行中温的成膜处理时，预定方案选择部270在步骤805中判定为“NO”，进入步骤815，判定工作台加热器的设定温度Tp是否在低温/中温切换温度T1之上。执行中温的成膜处理时，预定方案选择部270在步骤815中判定为“YES”，进入步骤820，对应于特定的处理方案，从存储在第二存储部255b中的三种预定方案中，选择中温用预定方案，进入步骤895，本结束处理。
再一方面，执行低温的成膜处理时，预定方案选择部270在步骤815中判定为“NO”，进入步骤825，对应特定的处理方案，从存储在第二存储部255b中的三种预定方案中，选择低温用预定方案，进入步骤895，本处理结束。
像这样执行了预定方案自动选择处理之后，返回图7的步骤720，执行方案执行处理(晶片W的成膜处理)的控制。
(方案执行处理)
具体而言，方案执行处理由图9所示的步骤900开始，进入步骤905，方案执行部275判定是否选择有预定方案。如果判定为选择有预定方案，则进入步骤910，方案执行部275判定工作台加热器的设定温度Tp是否等于刚刚进行过的成膜处理中所应用的工作台加热器的设定温度Tpold，并且，工作台加热器的设定温度Tpold是否不为“0”。
在该时刻，工作台加热器的设定温度Tpold是被设置为“0”的。所以，方案执行部275在步骤910中判定为“NO”，进入步骤915，判定是否存在有选择好的预定方案(即，是否存储在第二存储部255b中)。
如果存在有选择好的预定方案，则进入步骤920，方案执行部275检查是否为方案校验错误。判定为没有方案校验错误时，进入步骤925，方案执行部275根据选择好的预定方案中所示的流程进行PM的控制。
其后，进入步骤930，方案执行部275进行控制，使得一枚一枚地搬送属于所指定的该批次ID中的晶片W。然后进入步骤935，方案执行部275对依据特定的处理方案而搬送入PM内的晶片W一枚一枚地进行成膜处理，进入步骤995，结束本处理。通过这样选择出最佳的预定方案，在具备了良好状态的PM内，在晶片W上形成均一并且优质的Ti膜(或者TiN膜)。
另一方面，如果步骤905中判定未选择预定方案，就不再是根据选择好的预定方案进行PM内的控制，而是直接进入步骤930将相应晶片W搬送入PM内，进入步骤935进行成膜处理，进入步骤995后本处理结束。在工作台加热器的设定温度Tp与适用于刚刚结束的成膜处理中的工作台加热器的设定温度Tpold相等(并且Tpold≠0)的情况下，也是一样，不根据选择好的预定方案进行PM内的控制，直接执行步骤930以后的处理，关于这些稍后再进行描述。
此外，在步骤915中判定不存在有选择好的预定方案时，或者在步骤920中判定有方案校验错误时，进入步骤940，输出部285在监视器715中显示表示异常的提示信息，并且通过扬声器720发出了警告音以后，进入步骤995，本处理结束。
包含在由操作员指定的批次ID中的25枚晶片W的成膜处理像这样结束以后，进入图7的步骤725，处理方案特定部260判定是否指定有必须连续执行的批次。在通过操作员指定的是单一的批次ID的情况下，处理方案特定部260在步骤725中判定为“NO”，进入步骤795，本处理结束。
(批次的连续处理)
另一方面，如果由操作员指定的是多个批次ID，则处理方案特定部260在步骤725中判定为“YES”，进入步骤730，将工作台加热器的设定温度Tp保存为工作台加热器的设定温度Tpold。
接着，进入步骤735，处理方案特定部260根据指定的方案名，特定出用于处理随后所连续处理的批次ID的处理方案。接着，进入步骤740，工作台温度取得部265从特定的处理方案中取得新的工作台加热器的设定温度Tp，进入步骤745，判定取得的工作台加热器的设定温度Tp是否与刚刚进行过的成膜处理中所适用的工作台加热器的设定温度Tpold相等。
在工作台加热器的设定温度与刚刚进行过的成膜处理时的设定温度相同的情况下，工作台温度取得部265在步骤745中判定为“YES”，返回步骤720，方案执行部275再次控制方案执行处理(晶片W的成膜处理)。
(连续批次的方案执行处理：工作台加热器的设定温度相同的情况下)
具体而言，从图9所示的步骤900开始方案执行处理，在步骤905中，方案执行部275判定有否选择有预定方案。在判定为选择有预定方案时，进入步骤910，方案执行部275判定工作台加热器的设定温度Tp是否等于刚刚进行过的成膜处理中所应用的工作台加热器的设定温度Tpold，并且，工作台加热器的设定温度Tpold是否不为“0”。
由于此时工作台加热器的设定温度Tp等于刚刚进行过的成膜处理的设定温度Tpold(并且Tpold≠0)，方案执行部275在步骤910为判定“YES”，进入步骤930，并不根据预定方案控制PM内部，而是进行控制使得属于指定的相应批次ID的晶片W被一枚一枚地搬送，再进入步骤935，根据处理方案，如前所述一枚一枚地对需要连续执行的批次中所属的晶片W进行成膜处理。
(连续批次的方案执行处理：工作台加热器的设定温度不同的情况下)
另一方面，在工作台加热器的设定温度Tp和刚刚进行过的成膜处理时的设定温度Tpold不同时，工作台温度取得部265在图7的步骤745中判定为“NO”，返回至步骤715，预定方案选择部270在步骤715中重新选择预定方案，进入步骤720，方案执行部275再次控制方案执行处理(晶片W的成膜处理)。
此时，工作台加热器的设定温度Tp和刚刚进行过的成膜处理的设定温度Tpold不同。因此，方案执行部275在图9的步骤905的后续步骤910中判定为“NO”，在步骤915、920的后续步骤925中根据预定方案控制PM内部以后，进入步骤930，进行控制使得属于指定的相应批次ID的晶片W被一枚一枚地搬送，再进入步骤935，根据处理方案，如前所述一枚一枚地对需要连续执行的批次中所属的晶片W进行成膜处理。
由此，即使是在连续执行不同处理温度(工作台加热器的设定温度)的批次的情况下，也能在成膜处理前(即连续执行的批次和批次之间)根据重新选择的预定方案将PM内重新调整为适合新的成膜处理的最佳状态。其结果是，可以在各个需要连续执行的批次中，对晶片W实施最佳的成膜处理。
在到目前为止所进行的各种产品处理的实验中已经表明：如果在不同的产品处理中，处理方案中所定义的温度数据大不相同时，必须将预定方案中定义的气体流量以及RF输出等数据重新设置为与处理方案中定义的温度数据的变化程度没有连续性的最佳值。即，在根据处理的种类，设定温度发生了较大变化时，气体流量、RF输出等预定方案的内容自身也会大不相同。
但是，如果每当执行的处理的种类改变时，操作员都必须手动地重新将预定方案的数据注册为最佳值的话，不仅需要为该注册花费相当的时间，没有效率，而且假如在注册时发生了输入错误，由于基板处理系统10的各PM是被按照错误输入的预定方案进行控制的，就无法得到最佳的处理效果，无法对晶片W实施最佳的成膜处理。
再者，通过PM自身(硬件)和控制PM的软件的协作，通过搭建自动控制PM的系统使得即使将来硬件进一步发展也可以灵活地应对，这对于提高昂贵的PM的商品价值意义重大。
因此，如上所述，根据本实施方式中的基板处理系统10，处理方案是针对产品处理一对一地设置的，与此相对，预定方案则不是针对处理方案(即产品处理)一对一地设置的，而是针对处理方案设计出多种预定方案，例如：对于处理方案的特定数据(例如：温度数据)，设计出高温、中温、低温用的预定方案，能够从中选择一种预定方案。
而且，通过选择预定方案来对应处理方案的特定数据，在本实施方式中的基板处理系统10中，能够在处理晶片W之前根据处理将PM内保持在最佳状态，其结果是，能够在晶片W上形成更加均一并且优质的膜。
并且，即使在低温/中温切换温度T1和中温/高温切换温度Th为相同温度，或者低温/中温切换温度T1设置得比中温/高温切换温度Th更高的情况下，预定方案选择部270也都可以根据图8所示的步骤顺序选择预定方案。
此外，如图6所示，在处理方案中有在方案内将工作台加热器设定温度固定为一定值的方案固定项目进行指定的方法，也有在每个方案步骤进行指定的方法。在由固定项目指定工作台加热器的设定温度时，如前所述，工作台温度取得部265取得固定项目中所示的工作台加热器的设定温度作为温度数据。另一方面，在每个方案步骤中指定有工作台加热器的设定温度时，工作台温度取得部265可以取得处理方案的第一步中所示的工作台加热器的设定温度作为温度数据。而且，在工作台加热器设定温度的设定之际，设定了在批次开始时可以更改可变参数的情况下，工作台温度取得部265也可以取得批次开始时由操作员指定的可变参数的设定温度作为温度数据。
另外，在图9的步骤940中发出警报的情况下，方案执行处理结束，所以，有必要在将处理中的批次处理中断之后，再次开始属于其批次的晶片W的成膜处理。
此外，上述的成膜处理时的处理数据(例如：温度、压力以及气体流量等随时间的变化)从各操纵控制器300a～300n经由EC200发送给主计算机100。
(第二实施方式)
接着，对第二实施方式中的基板处理系统10进行说明。在修正所选择的预定方案的规定数据这一点上，第二实施方式中的基板处理系统10和不具备这样的修正功能的第一实施方式中的基板处理系统10在功能上有差别。因此，以该差异点为中心对本实施方式中的基板处理系统10进行说明。
(EC的功能结构)
参照图10说明EC200的功能。EC200在第一实施方式中的EC200的各框图中所示功能的基础上，还多具备了如修正部290的框图所示的功能。
修正部290求出有关包含在预定方案中的温度的数据和从处理方案中取得的温度数据(工作台加热器的设定温度)之间的差异程度，根据求得的差异程度修正预定方案中所包含的规定数据。而且，修正部290的功能还可以通过由CPU215执行记录有实现这些功能的处理流程的程序来实现。
(EC的动作)
接着，参照图11说明EC的动作。图11是表示图7的主程序中调用的方案执行处理的流程图。并且，在本实施方式中，也和第一实施方式相同，由图7的步骤700开始成膜控制处理，在步骤705、710随后的步骤715中执行预定方案自动选择处理(参照图8)，根据从处理方案中取得的温度数据选择出最佳的预定方案。然后，进入步骤720，进行包含有以下将说明的修正处理的方案执行处理，经过步骤725～745，适宜地，反复进行步骤715～745的处理以后，进入步骤795，结束本处理。
(方案执行处理)
首先，如果从图11的步骤1100开始本实施方式的方案执行处理，则方案执行部275在步骤905～步骤920中，执行与所选择的预定方案相关的各种错误判定处理(步骤905、915、920)以及与设定温度相关的判定处理(步骤910)，在不存在规定的错误等的情况下，在步骤920判定为“NO”，进入步骤1105，修正部290根据事先确定的规则修正所选择的预定方案。
例如，在事先确定有如图12所示的规则时，首先，修正部290从在处理方案中所定义的工作台加热器的设定温度求出定义在所选择的预定方案中的加热器温度的差值作为温度差dif。接着，修正部290对包含在所选择的预定方案中的规定数据进行修正。具体而言，例如：修正部290进行修正，使得预定方案中所定义的TiCl4气体流量仅变为TiCl4气体流量×温度差dif/100。对于其他规定的处理条件，修正部290也都按照规则进行修正。
接着，进入步骤1110，方案执行部275按照修正了的预定方案中所示的流程对PM进行控制。其后，在步骤930、步骤935中，方案执行部275根据处理方案中所示的流程，对搬送入PM内的晶片W一枚一枚地进行成膜处理，进入步骤1195后本处理结束。通过这样将预定方案修正成为相对后续执行的处理方案的最佳数据，就能在具备更好的状态的PM内，在晶片W上形成更加均一并且优质的Ti膜(或者TiN膜)。
并且，处理方案的温度数据和所选择的预定方案的温度数据的差异程度不限于其温度数据的差值，例如，还能够根据预定方案的温度数据相对处理方案的温度数据的比率来求得。
如上所述，通过本实施方式的基板处理系统10，预定方案中所包含的规定数据被按照规定的规则进行了修正。由此，如第一实施方式中所示，对于与产品处理相应的工作台加热器设定温度的较大的差异，从多种预定方案中选择适合产品处理(处理方案)的最佳预定方案来对应，并且对于同种处理中的工作台加热器的设定温度的微小偏差，也能够如本实施方式所示，通过修正所选择的预定方案来进行对应。这样，通过对预定方案的数据进行选择以及修正这两个阶段的最佳化处理，能够进一步根据产品处理更为细腻地调整PM内的状态。其结果是，能够在被调整为极度优良的状态下的PM内，对晶片W实施更加均一并且优质的成膜处理。
在以上的说明中，处理方案特定部260、工作台温度取得部265、预定方案选择部270、方案执行部275、修正部190的各功能是通过由EC200的CPU215执行图7～图9以及图11中所示的各步骤来实现的。但是，在各操纵控制器300具有CPU的情况下，由EC200以及操纵控制器300中的任一个来分担执行图7～图9以及图11所示的各步骤均可。例如：图7中所示的各步骤中，可以在EC200侧处理步骤705、720、725、745，在操纵控制器300侧处理步骤710、步骤715、步骤730～740。
因此，本发明的控制装置的功能是由EC200或者操纵控制器300的至少任意一种来达成的。此外，像这样通过利用EC200以及操纵控制器300来使处理的负荷分散，能够更为顺利地控制成膜处理。
在上述实施方式中，各部的动作互相关联，在考虑相互关联的同时，能够作为一连串的动作进行替换。此外，通过将上述各部的动作和各部的处理替换，可以作为程序的实施方式进行。并且，通过将程序存储在计算机可读取的存储介质中，能够成为将程序的实施方式记录在程序中的计算机可读取存储介质的实施方式。
以上参照附图对本发明适宜的实施方式进行了说明，本发明不限于相关示例，这一点不言自明。非常明显，只要是本行业者，在专利申请的范围内所记载的范畴内，可以想到各种变形例或者修正例。这些当然也都属于本发明的技术范围之内。
此外，本发明的(构成PM)基板处理装置可以是微波等离子体处理装置、电感耦合型等离子体处理装置以及电容耦合型等离子体处理装置的任一种。
另外，本发明的基板处理装置不限于成膜处理，可以执行所有的基板处理，包括热扩散处理、蚀刻处理、灰化处理、溅射处理等。
产业上的可利用性
本发明可适用于针对各种处理可灵活地控制基板处理装置的各种基板处理装置的控制装置。

Claims (8)

1.一种基板处理装置的控制装置，根据包含有表示基板处理装置的控制顺序的数据的预定方案控制所述基板处理装置，根据包含有表示被处理基板的处理顺序的数据的处理方案对搬入所述基板处理装置中的被处理基板进行处理，其特征在于，包括：
第一存储部，存储一个或者两个以上的处理方案；
第二存储部，分别存储与各处理方案对应的多种预定方案，使得能够根据包含在所述各处理方案中的特定数据改变所述基板处理装置的控制顺序；
特定部，按照在成为处理对象的一个或者两个以上被处理基板上所使用的方案的指定，从所述第一存储部中存储的多个处理方案中，特定与所述被指定的方案对应的处理方案；
取得部，从包含在所述特定的处理方案中的数据中取得所述特定数据；
选择部，与所述特定的处理方案对应，从存储在所述第二存储部中的多种预定方案中选择一个与所述取得的特定数据对应的预定方案；和
方案执行部，根据由所述选择部所选择的预定方案在基板处理前对基板处理装置进行了控制之后，根据由所述特定部所特定的处理方案对被搬入到所述基板处理装置内的基板上的成膜处理进行控制。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置的控制装置，其特征在于：
所述取得部，取得所述特定的处理方案中所包含的关于温度的数据、即温度数据，作为所述特定数据。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置的控制装置，其特征在于：
所述第二存储部，对应各处理方案存储表示控制顺序的多种预定方案，所述控制顺序按照控制所述基板处理装置的温度而不同；
所述选择部，比较所述取得的温度数据和所给的阙值，根据比较得出的结果，从存储在所述第二存储部中的多种预定方案中选择出与所述取得的温度数据对应的预定方案。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置的控制装置，其特征在于：
所述第二存储部，对应各处理方案分别存储与控制所述基板处理装置的温度相对应的高温用预定方案、中温用预定方案以及低温用预定方案；
所述选择部，将所述取得的温度数据与用于区分高温和中温的第一阙值进行比较，如果比较得出的结果是所述温度数据在第一阙值以上，则选择存储在所述第二存储部中的高温用预定方案，如果所述温度数据比第一阙值小，则再将所述温度数据与用于区分中温和低温的第二阙值进行比较，如果比较得出的结果是所述温度数据在第二阙值以上，则选择存储在所述第二存储部中的中温用预定方案，如果所述温度数据比第二阙值小，则选择存储在所述第二存储部中的低温用预定方案。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置的控制装置，其特征在于：
成为所述处理对象的一个或者两个以上被处理基板，通过接受包含多个被处理基板的批次识别信息或者被处理基板的识别信息的至少任意一种的指定而被特定。
6.根据权利要求2所述的基板处理装置的控制装置，其特征在于：
所述特定部，根据第一批次识别信息的指定、第一批次所使用的第一方案的指定以及第二批次识别信息的指定、第二批次所使用的第二方案的指定，从存储在所述第一存储部中的多个处理方案中分别特定与所述指定的第一方案以及第二方案对应的第一处理方案以及第二处理方案；
所述取得部，从包含在所述特定的第一处理方案以及第二处理方案中的数据中分别取得与所述温度相关的第一温度数据以及第二温度数据；
所述选择部，当所述第一温度数据和第二温度数据不同时，为了在所述第一批次以及第二批次的处理前通过预定方案分别控制所述基板处理装置，从存储在所述第二存储部中的多种预定方案中分别选择一个与所述第一处理方案以及第二处理方案对应的预定方案。
7.根据权利要求2所述的基板处理装置的控制装置，其特征在于：
作为所述基板处理装置的控制装置，还包括，
修正部，求出包含在所述选择部所选择的预定方案中的温度相关数据和由所述取得部所取得的温度数据之间的差异程度，根据求出的差异程度对包含在所述被选择的预定方案中的规定数据进行修正。
8.一种基板处理装置的控制方法，根据包含有表示基板处理装置的控制顺序的数据的预定方案控制所述基板处理装置，根据包含有表示被处理基板的处理顺序的数据的处理方案对搬入所述基板处理装置中的被处理基板进行处理，其特征在于，包括以下步骤：
第一存储步骤，将一个或者两个以上的处理方案存储在第一存储部中；
第二存储步骤，将与各处理方案对应的多种预定方案分别存储在第二存储部中，以能够根据所述各处理方案中包含的特定数据来改变所述基板处理装置的控制顺序；
特定步骤，按照在成为处理对象的一个或者两个以上被处理基板上所使用的方案的指定，从所述第一存储部中存储的多个处理方案中，特定与所述被指定的方案对应的处理方案；
取得步骤，从包含在所述特定的处理方案中的数据中取得所述特定的数据；
选择步骤，与所述特定的处理方案对应，从存储在所述第二存储部中的多种预定方案中选择一个与所述取得的特定数据对应的预定方案；和
方案执行步骤，根据在所述选择步骤中所选择的预定方案在基板处理前对基板处理装置进行了控制之后，根据在所述特定步骤所特定的处理方案对被搬入到所述基板处理装置内的基板上的成膜处理进行控制。
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