CN101207966A - 等离子体处理装置 - Google Patents

等离子体处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101207966A
CN101207966A CNA2007103021495A CN200710302149A CN101207966A CN 101207966 A CN101207966 A CN 101207966A CN A2007103021495 A CNA2007103021495 A CN A2007103021495A CN 200710302149 A CN200710302149 A CN 200710302149A CN 101207966 A CN101207966 A CN 101207966A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
plasma
gas
processing apparatus
plasma processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2007103021495A
Other languages
English (en)
Inventor
五味一博
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN101207966A publication Critical patent/CN101207966A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/2406—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/2406—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
    • H05H1/2431—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes using cylindrical electrodes, e.g. rotary drums
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/2406—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
    • H05H1/2443—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes the plasma fluid flowing through a dielectric tube

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明提供一种可在短时间内处理工件被处理面的简单结构的等离子体处理装置。该等离子体处理装置(1)包括：具有从上端贯通到下端的中空部(40)的第一电极(2)、用于设置工件(10)的工件设置部(100)、隔着工件设置部(100)与第一电极(2)的下端相对地配置的第二电极(3)、在中空部(40)的下端侧的开口部(422)的外周侧沿圆周方向形成的处理气体喷出部(5)、具有在第一电极(2)与第二电极(3)之间施加电压的电源(72)的电源电路(7)、向处理气体喷出部(5)供给用于生成等离子体的处理气体的气体供给装置(8)，其构成为，通过在第一电极(2)与第二电极(3)之间施加电压来活化从处理气体喷出部(5)喷出并存在于开口部(422)附近的处理气体，从而生成等离子体，并利用该等离子体对工件(10)的被处理面(101)进行等离子体处理。

Description

等离子体处理装置
技术领域
本发明涉及一种等离子体处理装置。
背景技术
在加工材料的表面时，进行所谓等离子体chemical vaporizationmachining(以下简称“等离子体CVM”)，它是向施加电压或高频的电极供给反应气体，生成基于反应气体的基团(radical)，通过去除由该基团与工件的基团反应而生成的生成物质进行加工。
近年来，在采用由等离子体激励的基团等活性种的所谓蚀刻法中，提高基团密度并提高加工速度变得尤为重要。
为了与此对应，已知的有使用可生成高密度基团的辊电极的等离子体处理装置(例如日本专利文献1)。此外，已知有使用空心阴极放电电极(hollow cathode discharge electrode)的等离子体处理装置(例如，日本专利文献2)。
另一方面，随着近年来的处理面积大规模化，需要一种可应对各种尺寸工件的简易构造的等离子体处理装置。
为了与此对应，在现有技术的等离子体处理装置中，采用一种例如扫描电极或工件而改变相互位置关系的同时进行处理的方法。
然而，在上述的等离子体处理装置中，工件的加工效率、加工速度等不高，装置本身结构也称不上简单。
【专利文献1】日本专利特开2001-120988号公报
【专利文献2】日本专利特开2001-35692号公报
【专利文献3】日本专利特开平1-125829号公报
发明内容
本发明的目的在于提供一种可以在短时间内处理工件的被处理面的简单结构的等离子体处理装置。
可以通过下述的本发明来达到上述目的。
关于本发明的等离子体处理装置，其包括：第一电极，具有从上端贯通到下端的中空部；工件设置部，用于设置工件；第二电极，隔着上述工件设置部与上述第一电极的下端相对地配置；处理气体喷出部，在上述中空部的下端侧开口的外周侧上沿着圆周方向形成；电源电路，具有在上述第一电极与上述第二电极之间施加电压的电源；以及气体供给装置，向上述处理气体喷出部供给用于生成等离子体的处理气体。其中，该等离子体处理装置的构成为，通过在上述第一电极与上述第二电极之间施加电压来活化从上述处理气体喷出部喷出并且存在于上述下端侧开口附近的上述处理气体，从而生成等离子体，并利用该等离子体对上述工件的被处理面进行等离子体处理。
这样，由于等离子体聚集于贯通的中空部下端侧开口的正下方附近，所以可以提高对工件的被处理面的等离子体处理的效率。
在本发明的等离子体处理装置中，从上述等离子体喷出部喷出的上述处理气体优选由朝向上述下端侧开口的方向的气流和离开上述下端侧开口的方向的气流构成。
这样，由于处理气体易于聚集在下端侧开口的正下方附近，所以等离子体密度增大，可以在短时间内高效率地加工工件的被处理面。
在本发明的等离子体处理装置中，优选在上述中空部内形成从上述下端侧开口朝向上端侧的方向的处理气体的气流。
这样，由于通过等离子体处理产生的反应生成物流向中空部的上端侧，所以不降低等离子体处理的效率。
在本发明的等离子体处理装置中，上述处理气体喷出部优选在上述下端侧开口的外周侧上沿着圆周方向间断地形成。
这样，由于处理气体在下端侧开口的正下方附近高效率地流动，所以用较少的气体量即可提高下端侧开口的正下方附近的气体压力。
在本发明的等离子体处理装置中，上述处理气体喷出部优选在上述下端侧开口的周围沿着全周形成为环状。
这样，由于在下端侧开口的正下方附近处理气体较多，并且均匀地流动，所以下端侧开口的正下方附近的气体压力进一步升高，可以生成高密度的等离子体。
在本发明的等离子体处理装置中，上述处理气体喷出部优选构成为，从该喷出部喷出的上述处理气体的喷出方向可向连接上述中空部的上述上端与上述下端的线段的延长线倾斜。
这样，由于处理气体可靠地向线段的延长线流动，所以下端侧开口的正下方附近的气体压力进一步升高，可以生成高密度的等离子体。
在本发明的等离子体处理装置中，优选包括从上述第一电极的上述中空部上端排放从上述处理气体喷出部喷出的处理气体的气体排放装置。
这样，由于可以可靠地排放通过等离子体处理产生的反应生成物，所以不降低等离子体处理的效率。
此外，还可以排放、去除电极间或电极与工件间的异常放电所产生的垃圾(电极材质等)，所以不降低等离子体处理的效率。
在本发明的等离子体处理装置中，上述气体排放装置优选具有调整从上述中空部上端排放的处理气体的排气流量的排气流量调整装置。
这样，由于可以将处理气体设定为合适的排气流量，所以可以在下端侧开口的正下方附近维持等离子体，并且可靠地排放反应生成物。
此外，由于处理气体的喷出而容易导致加工形状紊乱，所以可以通过断续地控制(调整)排放时间、并调整第一电极下的气体压力来控制处理形状(加工痕迹)。
而且，还可以通过断续地控制(调整)排放时间、并控制(高)等离子体产生区域中的基团滞留时间来控制处理速度(加工速度)。
在本发明的等离子体处理装置中，上述排气流量调整装置优选包括：连接于上述中空部的上端的排出管、开闭上述排出管内的流路的阀、通过上述阀而设置于上述排出管的下游侧的泵。
这样，可以可靠地设定处理气体的排气流量，在下端侧开口的正下方附近维持等离子体、并可靠地排放反应生成物。
在本发明的等离子体处理装置中，优选包括用于冷却上述第一电极的冷却装置。
这样，由于可以冷却由于放电而发热的第一电极，所以可以稳定地产生高密度的等离子体。
此外，通过减小第一电极的孔径可以抑制第一电极发热，所以可以抑制因放电而产生的热量对工件的影响。
在本发明的等离子体处理装置中，优选上述第一电极的至少与上述第二电极相对的面的一侧用电介质部覆盖。
这样，在一对电极之间，由于没有露出作为电极的金属等，所以可以防止电弧放电并产生均匀的电场。
在本发明的等离子体处理装置中，上述处理气体喷出部优选形成于电介质部。
这样，在第一电极与第二电极之间，由于没有露出作为电极的金属等，所以可以均匀地产生电场，并获得类似辉光(glow-like)放电。
在本发明的等离子体处理装置中，上述电介质部的外径比上述第一电极的外径大。
这样，由于处理气体在从朝向中空部的下端侧开口的方向离开的方向上不发生紊流地进行流动，所以可以控制处理气体的流动。
在本发明的等离子体处理装置中，优选包括多个上述第一电极。
这样，可以实施符合工件的被处理面的处理。
附图说明
图1是示出本发明的等离子体处理装置的第一实施方式的概略构成的纵剖面图；
图2是图1中的A-A线的剖面图；
图3是图1中的电介质部的仰视图；
图4是示出本发明的等离子体处理装置的第二实施方式的电介质部的仰视图；
图5是示出本发明的等离子体处理装置的第三实施方式的概略构成的纵剖面图；
图6是示出本发明的等离子体处理装置的第五实施方式的概略构成的纵剖面图；以及
图7是示出本发明的等离子体处理装置的第六实施方式的概略构成的纵剖面图。
具体实施方式
以下，根据在附图中示出的优选实施方式对本发明的等离子体处理装置进行详细说明。
<第一实施方式>
图1是示出本发明的等离子体处理装置的第一实施方式的概略构成的纵剖面图，图2是图1中的A-A线剖面图，图3是电介质部的仰视图。
此外，在以下的说明中，将图1中的上侧称为“上”，将下侧称为“下”。
如图1所示，等离子体处理装置1包括：第一电极2，具有从上端贯通到下端的中空部40；工件设置部100，用于设置工件10；第二电极3，隔着工件设置部100与第一电极2的下端相对地配置；电介质部4，用于收容第一电极2；处理气体喷出部5，在中空部40的下端侧的开口部422的外周侧上沿着圆周方向形成；处理气体供给流路6，将从气体供给装置8供给的处理气体引导到处理气体喷出部5；电源电路7，具有在第一电极2与第二电极3之间施加电压的电源72；气体供给装置8，向处理气体喷出部5供给用于生成等离子体的处理气体；以及排气装置9，从中空部40上端排放从处理气体喷出部5喷出的处理气体。
该等离子体处理装置1是如下所述装置：通过在第一电极2与第二电极3之间施加电压，活化从处理气体喷出部5喷出并且存在于下端侧的开口部422的正下方附近的处理气体而生成等离子体，并利用该等离子体处理工件10的被处理面101。
本实施方式中，对利用等离子体进行蚀刻处理或切割(dicing)处理的情况进行说明。
以下，对等离子体处理装置1的各部构成进行说明。
第一电极2与设置于工件设置部100的工件10相对地配置。第一电极2是形成有从其上端面中心部21贯通到下端面中心部22的中空部40的筒状电极(即所谓的中空阴极，hollow cathodeelectrode)电极。
由于第一电极具有中空部40，所以产生所谓电子抑制效果，即、在中空部40内通过放电而产生的电子反复向第一电极2的内壁冲撞的。然后，其电子的一部分或者由其电子电离的气体的离子冲撞到电极，由此而产生二次电子的一部分从下端侧的开口部422飞出到该开口部422的正下方附近(以下简称“高密度等离子体产生区域301”)。因此，中空部40以及高密度等离子体产生区域301的电子密度提高。其结果是，中空部40以及高密度等离子体产生区域301的电场强度增大。其后，可以通过供给处理气体，在中空部40和高密度等离子体产生区域301中产生高密度的等离子体，高效地处理工件10的被处理面101。
该中空部40具有：在第一电极2的上端面开口的上端面开口部401和在第一电极2的下端面开口的下端面开口部402。而且，上端面开口部401与后述的气体排放装置9相连通。此外，下端面开口部402与下端侧开口(以下简称“开口部”)422相连通。
此外，对中空部40的横截面形状没有特别限定，可以列举的有圆形、椭圆形、四边形等。
第一电极2被收容在上表面411开口并且具有凹部412的大致圆柱形电介质部4中(图1中第一电极2的上端部以外的部分)。
这样，通过将第一电极2收容在电介质部4中，在第一电极2与第二电极3之间，没有露出作为电极的金属等，所以可以在第一电极2中均匀地产生电场。
此外，可以防止阻抗的增大，可以以比较低的电压产生期望的放电并且可靠地产生等离子体。
而且，可以防止施加电压时的绝缘破坏，而适当地防止产生电弧放电，并且获得类似辉光(glow-like)的稳定的放电。
该电介质部4包括具有凹部412的本体41，并且在本体41的下表面侧上形成有外径扩展的扩径部(凸缘部)42。
通过将扩径部42的外径扩大为大于本体41的直径，可以防止气流的紊流，从而平稳控制处理气体的流动。
在本体41上，在凹部412的外周侧上沿着圆周方向形成有后述的处理气体供给流路6。
此外，本体41的形状例如有圆柱形、圆锥台和方形等，没有特别限定。
在扩径部42的下表面421上，如图3所示，在其中心部上设置有开口部(中空部40的下端侧开口)422，用于将通过等离子体处理产生的反应生成物从第一电极2与第二电极3之间(以下称作“等离子体产生区域30”)排放出。
这样，通过在扩径部42的下表面421设置开口部422，可以将包含由等离子体处理产生的反应生成物的处理气体从等离子体产生区域30排放出来，所以，可以防止因该反应生成物残存于等离子体产生区域30中而导致的处理速度降低。
此外，通过在下表面421设置开口部422，处理气体从开口部422向中空部40的上端流动，所以，可以防止反应生成物附着在工件10的被处理面101上。
此外，由于高密度等离子体产生区域301中等离子体密度高，反应生成物易于聚集在中心部，所以可以通过在下表面421的中心部设置开口部422来高效率地排放反应生成物。
在扩径部42的下表面421上，如图3所示，在开口部422的外周侧上沿着圆周方向间断地形成有处理气体喷出部5。而且，处理气体喷出部5在扩径部42的下表面421上开口，并且设置在与工件10相对的位置上。
这样，由于在开口部422的外周侧上沿着圆周方向间断地形成处理气体喷出部5，处理气体在等离子体产生区域30高效率地流动，所以可以用更少的气体量来提高等离子体产生区域30的气体压力。
此外，从等离子体喷出部5向连接中空部40的上端与下端的线段的延长线(以下简称“线段20”)的方向流动的处理气体在线段20处分别发生冲撞而向离开线段20的方向流动。因此，由于被活化(电离、离子化、受激等)的处理气体存在于等离子体产生区域30的时间增长，所以处理率上升。
此外，处理气体喷出部5的横截面形状例如有圆形、带状等，没有特别限定。
该处理气体喷出部与沿着电介质部4的本体41内的上下方向延伸设置的处理气体供给流路6相连通。
处理气体供给流路6包括：将处理气体导入处理气体喷出部5的气体供给装置8侧的导入路61、将从导入路61分开并将处理气体导向处理气体喷出部5的分支流路62、将来自导入路61的处理气体导入分支流路62的圆环流路63。
圆环流路63呈圆环形地形成于电介质部4的本体41的中间部。与在本体41的内部，沿着上下方向延伸的导入路61的一端连通至其圆环流路63。该导入路61的另一端在本体41的上表面411上开口，并与气体供给装置8的处理气体管84相连通。本实施方式中，隔着第一电极2在本体41的相对位置上设置有两条导入路61。
此外，与在本体41的内部沿着上下方向延伸的分支流路62的一端连通至圆环流路63。该分支流路62的另一端与处理气体喷出部5相连通。在本实施方式中，如图1、2所示，从圆环流路63等间隔地配置有八条分支流路62。
此外，导入路61、分支流路62、圆环流路63的横截面形状分别是例如圆形、带状等，没有特别限定。
由于处理气体供给流路6形成上述的结构，与用一条导入路61向处理气体喷出部5导入处理气体相比，可以减少流入导入路61(分支流路62)的处理气体的流路抵抗，可以高效率地向分支流路62分配处理气体。
作为前述的电介质部4的构成材料，可以列举的有，例如、聚四氟乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯等各种塑料，石英玻璃等各种玻璃，无机氧化物等。作为所述无机氧化物，可以列举的有，例如，Al2O3(氧化铝)、SiO2、ZrO2、TiO2等金属氧化物，氮化硅等氮化物，BaTiO3(钛酸钡)等复合氧化物等的电介质材料等。其中，优选金属氧化物，氧化铝更合适。通过使用这样的材料，可以可靠地防止在电场中产生电弧放电。
第一电极2的上端部从电介质部4露出。而且，由于该第一电极2是用于施加电压的电极，所以为了在该露出位置上获得电连接而通过导线71连接于电源72。
作为第一电极2的构成材料，没有特别限定，可以列举的有，例如，铜、铝、铁、银等金属单质，不锈钢、黄铜、铝合金等各种合金、金属间化合物、各种碳材料等。
此外，第一电极2的形状只要是具有中空部的形状即可，没有特别限定，可以列举的有，例如，圆筒状、角柱体等。
第二电极3隔着设置在工件设置部100上的工件10与第一电极2相对配置，并且通过导线71直接接地。而且，由于第二电极3还具有作为工件设置部100的功能，所以在第二电极3的上表面(工件设置部100)上接触地设置有工件10。
第二电极3的构成材料可以列举与第一电极2相同的材料，没有特别限定。此外，第二电极3的形状也可列举与第一电极2相同的形状，没有特别限定。
电源电路7包括：在第一电极2与第二电极3之间施加电压的高频电源72、以及导通第二电极3和高频电源72和第一电极2的导线71。而且，虽然没有图示，但是可以根据需要设置对供给电力的匹配电路(阻抗匹配电路)、改变高频电源72的频率的频率调整装置(电路)、改变高频电源72的施加电压最大值(振幅)的电压调整装置(电路)等。这样，可以适当调整对工件10的等离子体处理的处理条件。
第一电极2上通过导线(缆线)71连接有高频电源(电源部)72，此外，第二电极3通过导线71连接有高频电源72，由此构成电源电路7。该电源电路7的一部分，即，第二电极3侧的导线71接地。
当对工件10进行等离子体处理时，高频电源72动作，从而在第一电极2与第二电极3之间施加电压。此时，在该第一电极2的中空部40内与第一电极2和第二电极3之间产生电场，当供给气体时，发生放电而生成等离子体。
此外，高频电源72的频率虽然没有特别限定，但是，优选为10～70MHz，进一步优选为10～40MHz。
气体供给装置8向处理气体供给流路6供给用于生成等离子体的处理气体。该气体供给装置8包括：填充并供给规定气体的气体存储瓶(气体供给源)81、调整从气体存储瓶81供给的气体的流量的质量流量控制器(流量调整装置)82、在质量流量控制器82的下游端侧开闭处理气体管84内的流路的阀(流路开闭装置)83、以及与处理气体供给流路6相连接的处理气体管84。
这样的气体供给装置8从气体存储瓶81送出规定气体，并利用质量流量控制器82调节流量。而且，通过处理气体管84，从在电介质部4的本体41的上表面411开口的导入路61向处理气体喷出部5导入(供给)处理气体。
对于在上述等离子体处理中所使用的气体(处理气体)，可以根据处理目的而使用各种气体。如在本实施方式中，当以蚀刻处理或切割处理为目的时，可以使用例如CF4、C2F6、C3F6、C4F8、CClF3、SF6等含氟原子的化合物气体，或Cl2、BCl3、CCl4等含氯原子的化合物气体等各种卤素类气体。
此外，当为其它处理目的时，可以根据不同目的而使用以下所示的处理气体。
(a)当以加热工件10的被处理面101为目的时，可以使用例如N2、O2等。
(b)当以使工件10的被处理面101防水(防液)化为目的时，可以使用例如所述含氟原子的化合物气体。
(c)当以使工件10的被处理面101亲水(亲液)化为目的时，可以使用例如O3、H2O、空气等的含氧原子的化合物、N2、NH3等含氮原子的化合物、SO2、SO3等含硫原子的化合物。由此，在工件10的被处理面101可以形成羰基、羟基、氨基等亲水性官能团而提高表面能，并获得亲水性表面。此外，可以使用丙烯酸、甲基丙烯酸等具有亲水基的聚合性单体来堆积(形成)亲水性聚合膜。
(d)当以对工件10的被处理面101附加电的、光学的功能为目的时，为了在工件10的被处理面101上形成SiO2、TiO2、SnO2等金属氧化物薄膜，可以使用Si、Ti、Sn等金属的金属-氢化合物、金属-卤素化合物、金属醇盐(有机金属化合物)等。
(e)当以抗蚀处理或去除有机物污染为目的时，可以使用例如氧类气体。
这样的处理气体通常可以使用由上述处理气体与运载气体构成的混合气体(以下简称“气体”)。此外，“运载气体”是指为了开始放电和保持放电而导入的气体。
在这种情况下，在气体存储瓶81内，可以填充混合气体(处理气体+载体气体)而使用，也可以将处理气体和运载气体分别填充到分开的气体存储瓶中，并在处理气体管84的中途以它们的规定混合比进行混合地构成。
作为运载气体，可以使用He、Ne、Ar、Xe等稀有气体。它们可以单独地或者以混合两种以上的方式进行使用。
混合气体中的处理气体所占比例(混合比)根据处理的目的不同而稍有差异，虽然没有特别限定，但是例如优选混合气体中的处理气体比例为1～10％，5～10％更合适。这样，可以高效率地开始放电，并且利用处理气体进行期望的等离子体处理。
供给的气体的流量可根据气体种类、处理目的、处理程度等来适当选择。通常，优选为30SCCM～50SLM左右。因此，因为高效率地提高等离子体产生区域30的压力，可以进行微细加工。
气体排放装置9将在等离子体产生区域30生成的等离子体、反应生成物、未活化的处理气体等从中空部40的上端面开口部401排出并回收。
该气体排放装置9包括：调整从中空部40的上端面开口部401排放的处理气体的排气流量的排气流量调整装置90和设置在排出管91的下游端侧上的PFC除害装置或洗涤装置等除害设备95。
该排气流量调整装置90包括：与中空部40的上端面开口部401相连接的排出管91、开闭排出管91内的流路的阀(流路开闭装置)92、调整由泵94排出的气体的流量的质量流量控制器93、通过阀92设置在排出管91的下游侧上的泵94。
这样的气体排放装置9在打开阀92的同时，使泵94动作，使中空部40暂时地变成减压状态。接着，气体排放装置9使质量流量控制器93动作，调整排气流量。然后，气体排放装置9将含有反应生成物和等离子体的处理气体从上端面开口部401向排出管91排放，并从除害设备95向外部排放。
从处理气体喷出部5喷出的处理气体沿以下两个方向流动，即，朝向线段20的方向的流动和离开线段20的方向的流动。向线段20流动的处理气体到达线段20附近(高密度等离子体产生区域301)，处理气体的压力增大。此时，气体排放装置9的泵94动作，而使排出管91内暂时地变成减压状态，因此，高密度等离子体产生区域301与排出管91的压力差使处理气体从高密度等离子体产生区域301向开口部422流动。而且，形成从中空部40的下端面开口部402朝向中空部40的上端面开口部401的处理气体的流动。其结果是，处理气体从上端面开口部401向排出管91排放。
如上所述，等离子体处理装置1包括气体排放装置9，因此，气体排放装置9可促进排气流量，所以可以可靠地排放由等离子体处理产生的反应生成物。
此外，由于气体排放装置9可以调整处理气体的排气流量，所以可以将高密度的等离子体滞留在高密度等离子体产生区域301中。其结果是，不会降低处理率，而且可以在短时间内处理工件10的被处理面101。
此外，由于可靠地形成从开口部422朝向中空部40的上端面开口部401的处理气体的气流，所以，可以高效率地向高密度等离子体产生区域301供给新的处理气体。
而且，由于处理气体从中空部40的下端侧向上端侧流动，所以，气体排放装置9可以排放由第一电极2的放电产生的第一电极2本身的异物(电极材质等垃圾)、等离子体产生区域30中的异常放电所产生的异物。其结果是，可以防止该异物对被处理面101的污染，同时可以防止等离子体处理效率降低。
此外，由于来自等离子体喷出部5的处理气体的喷出容易使加工形状散乱，所以断续地控制(调整)排放时间，并且调整第一电极2下方的气体压力，从而可以控制处理形状(加工痕迹)。
而且，通过断续地控制(调整)排放时间并且控制等离子体产生区域30(301)中的基团的滞留时间(radical stays)，可以控制处理速度。
此外，即使在没有气体排放装置9时，如后述的第四实施方式，由于高密度等离子体产生区域301的压力升高，所以根据与大气的压力差，形成从开口部422朝向中空部40的上端面开口部401的处理气体的自然流动。
作为工件10，没有特别限定，在本实施方式中，可以列举的有例如作为电子器件基板使用的工件。作为具体的材料，可以列举例如由以下电介质材料构成的材料：石英玻璃、无碱玻璃、水晶等各种玻璃，氧化铝、二氧化硅、二氧化钛等各种陶瓷，硅、锗-砷等各种半导体材料，聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚四氟乙烯、聚酰亚胺、液晶聚合物、酚醛树脂、环氧树脂、丙烯酸类树脂等各种塑料(树脂材料)等。其中，特别优选使用水晶或石英等各种玻璃或各种半导体材料。
作为工件10的形状，可以列举的有板状物、较长长度的层状物。
[2]处理装置的动作方法
接着，对处理装置1的作用(动作)进行说明。
将工件10设置于第二电极3的中央(工件设置部100)。在使电源电路7动作的同时，打开阀83。然后，通过质量流量控制器82调整气体流量，并从气体存储瓶81送出气体。这样，从气体存储瓶81送出的气体流过处理气体管84内，并被导入到导入路61。被导入到导入路61的处理气体向下方流动，流过本体41的中间部的圆环流路63。然后，流过圆环流路63的处理气体向下方流过分支流路62，并从处理气体喷出部5喷出。
从处理气体喷出部5喷出的处理气体在喷出之后紧接着向正下方喷出，但是，碰到处理气体喷出部5的正下方的工件10后，一部分向朝向线段20的方向(高密度等离子体产生区域301方向)、一部分向离开线段20的方向(外圆周方向)进行分流。然后，处理气体聚集在高密度等离子体产生区域301中，气体压力增大。
另一方面，通过电源电路7的动作，在第一电极2与第二电极3之间施加高频电压，在等离子体产生区域30以及中空部40中产生电场。
此时，中空部40所产生的电子反复冲撞中空部40的内壁，促进电离效率。而且，这些电子的一部分、或者被这些电子电离的气体的离子撞击电极而产生的二次电子的一部分，从开口部422飞到高密度等离子体产生区域301。其结果是，中空部40以及高密度等离子体产生区域301中的电场强度增大。
此外，越是朝向高密度等离子体产生区域301的外周，处理气体的密度越是变小，所以形成辉光放电状态。
流入等离子体产生区域30的处理气体通过放电而被活化，并产生等离子体。
而且，所产生的等离子体(被活化的气体)与工件10的被处理面101相接触，并且对该被处理面101进行加工(蚀刻和切割等)。
在高密度等离子体产生区域301中，由于气体压力增大，所以根据高密度等离子体产生区域301与排出管91的压力差，使得包含未反应的处理气体、等离子体或由离子体处理产生的反应生成物的处理气体向开口部422流动。朝向开口部422流动的这些处理气体从开口部422向下端面开口部402流动。接着，处理气体从下端面开口部402通过中空部40向上端面开口部401流动。
此时，使泵94动作，同时打开阀92。而且，通过质量流量控制器93调整气体的排气流量。由此，吸引处理气体，处理气体流过与上端面开口部401相连接的排出管91，并从除害设备95向外部进行排放。此外，反应生成物从除害设备95向外部进行排放，或被回收到除害设备95中。
在这种等离子体处理装置1中，利用移动装置(未图示)，相对于设置在第二电极3上的工件10，沿x轴方向、y轴方向移动第一电极2，同时对工件10上的期望位置进行等离子体处理。
例如，在产生了等离子体的状态下，沿被处理面101的y轴正方向扫描第一电极2后，以规定的间距(pitch)(例如，只是第一电极2的外径)沿x轴方向移动，并沿y轴负方向扫描。也可以依次反复进行这样的扫描(移动)，并对工件10的被处理面101的整个表面进行处理。
此外，在上述的第一电极2的扫描方法中，也可以是，在以规定的间距沿x轴方向移动时，暂时停止等离子体的产生，并且在以规定的间距沿x轴方向移动后，再次产生等离子体并进行加工。
根据以上动作，无论工件10的大小如何，均可以高效率地处理工件10的被处理面101。
此外，也可以是，代替移动第一电极2，与上述的第一电极2的移动一样，使设置有工件10的第二电极3(工件设置部100)或工件10移动。
以上说明的处理装置1可以适用于晶体谐振器加工、传感器基板的开孔、槽加工、电极形成(太阳能电池、滤波器、层压基板)、印刷基板的去污处理、HDD部件的图案加工等电子部件领域、IC树脂模封装(resin mold package)的去飞边、设备薄片(device wafer)的打孔、陶瓷晶片的槽加工等半导体相关领域、导电膜剥离阻挡层(barrier)形成等FPD相关领域、以及其他氧化绝缘膜的加工和去除、玻璃(石英)等的无失真加工、水晶加工等。此外，可以还用于MEMS等。此外，如果采用光抗蚀剂掩模，还可以形成微细的图案。
<第二实施方式>
图4示出本发明的等离子体处理装置的第二实施方式的概略构成，是电介质部的仰视图。
以下，对于第二实施方式的等离子体处理装置，以与前述第一实施方式的不同点为中心进行说明，省略对其相同部分的说明。
在本实施方式的等离子体处理装置1中，处理气体喷出部5在开口部422的外周侧上沿着圆周方向全周形成为环形，这点与第一实施方式不同。因此，圆环流路63的全周将本体41直接向下方延伸并形成分支流路62，从而与处理气体喷出部5连通。
这样，通过将处理气体喷出部5在开口部422的外周侧上沿着圆周方向全周配置成环状，处理气体通过高密度等离子体产生区域301更多地均匀地流动，因此，可以进一步提高高密度等离子体产生区域301的气体压力，并产生高密度的等离子体。
此外，由于分支流路62形成为圆环状的流路，所以，与第一实施方式的情况相比，可以降低流过分支流路62的处理气体的阻抗。
<第三实施方式>
图5是示出本发明的处理装置的第三实施方式的概略构成的纵剖面图。
此外，在以下的说明中，将图5中的上侧称为“上”，下侧称为“下”。
以下，对于第三实施方式的处理装置，以与前述第一实施方式的不同点为中心进行说明，省略对其相同情况的说明。
本实施方式的等离子体处理装置1与第一实施方式的等离子体处理装置1在以下方面不同。
形成在扩径部42的下表面421上的处理气体喷出部(喷嘴)5朝向高密度等离子体产生区域301倾斜。
这样，通过使喷嘴5向高密度等离子体产生区域301的方向倾斜，可以使喷出的处理气体可靠地流入高密度等离子体产生区域301，所以利用处理气体的围绕效果可以使处理气体进一步聚集。其结果是，高密度等离子体产生区域301的气体压力升高，并且可以产生高密度的等离子体。
喷嘴5更靠近内周侧的扩径部42的下表面421中，形成有将该下表面421作为底面423的凹部424。
此外，在电介质部4的本体41的下端部上形成有圆环状的圆环流路63。导入路61的一端与该圆环流路63连通。导入路61的另一端在本体41的下端部侧面413上开口，与气体供给装置8的处理气体管84相连通。
此外，圆环流路63与沿着本体41的上下方向延伸的分支流路62的一端相连通。分支流路62的另一端与向高密度等离子体产生区域301倾斜的喷嘴5相连通。而且，喷嘴5在凹部424的侧面上开口。本实施方式中，在凹部424的侧面上间断地形成有八个喷嘴5。
此外，喷嘴5也可以在开口部422的周围全周形成环状。此时，喷嘴5形成为圆锥台状。
喷嘴5相对于线段20的倾斜角度没有特别限定，例如可以设为0.5～40°左右。此外，还可以是，喷嘴5的倾斜角度设定为可在例如0(与第一实施方式相同)～40°的范围内适当变化的结构(例如，使用可动喷嘴的结构、可相对本体41自由装卸(可更换)扩径部42的结构等)。
<第四实施方式>
对于第四实施方式的等离子体处理装置，以与前述第三实施方式不同的点为中心进行说明，省略对其相同情况的说明。
本实施方式的等离子体处理装置1，除了不包括气体排放装置9以外，其余与第一实施方式相同。
本实施方式的等离子体处理装置1由于不包括气体排放装置9，所以，可以使等离子体处理装置1的装置结构为简单的结构。此外，由于等离子体处理装置1不包括气体排放装置9，所以可以减小等离子体处理装置1的设置空间。
此外，由于本实施方式的等离子体处理装置1不包括气体排放装置9，所以处理气体的排气动作与第三实施方式不同。
即，从处理气体喷出部5喷出的处理气体向以下两个方向流动，即，朝向线段20的方向的流动和离开线段20的方向的流动。向线段20流动的处理气体到达线段20附近(高密度等离子体产生区域301)，处理气体的压力增大。此时，由于高密度等离子体产生区域301与排出管91的压力差，处理气体从高密度等离子体产生区域301向开口部422流动。然后，形成从中空部40的下端面开口部402朝向中空部40的上端面开口部401的处理气体的自然流动。其结果是，处理气体可从上端面开口部401排出。
此外，本实施方式的等离子体处理装置1也可以设置用于将所排放的处理气体排放到规定位置的排气管。
<第五实施方式>
图6是示出本发明的等离子体处理装置的第五实施方式的概略构成的纵剖面图。
以下，对于第五实施方式的等离子体处理装置，以与前述第一实施方式不同的点为中心进行说明，省略对其相同情况的说明。
本实施方式的等离子体处理装置1，除了设置有冷却装置50以外，其他与第一实施方式相同。
该冷却装置50包括：存储并供给制冷剂的制冷剂容器501、制冷剂管502、与制冷剂管502相连接的制冷剂套管503、从制冷剂套管503排出制冷剂的制冷剂排出管504、回收制冷剂的制冷剂回收容器505。
制冷剂容器501存储有可用于冷却第一电极2的制冷剂。
这种制冷剂可以使用各种制冷剂。典型地，可使用水。此外，也可以使用例如代替氟利昂系列制冷剂、氨或二氧化碳等无机化合物系列制冷剂、异丁烷等有机化合物系列制冷剂等。这些制冷剂可以组合两种以上而进行使用。
制冷剂套管503在电介质部4的本体41内与第一电极2的外周面相接触地设置。而且，为围绕第一电极2，制冷剂套管503形成螺旋状。
这样，制冷剂套管503与第一电极2的外周面接触地设置，可以可靠地冷却第一电极2。
制冷剂套管503的一端侧在本体41的上表面411上开口，与制冷剂管502连通。另一方面，在螺旋状的制冷剂套管503的外周侧上，制冷剂套管503的另一端侧与沿着本体41内的上下方向延伸的制冷剂排出管504相连通。
通过设置这样的冷却装置50，可以将由于放电而发热的第一电极2的温度保持为一定温度，因此，可以高稳定性地生成等离子体。其结果是，可以以一定的处理效率处理工件10的被处理面101。
接着，说明冷却装置50的动作的一例。
在使电源电路7动作之前，将制冷剂从制冷剂容器501向制冷剂管502送出。送出到制冷剂管502的制冷剂以规定的流量流入制冷剂套管503内，并且通过制冷剂排出管504回收到制冷剂回收容器中。回收的制冷剂可以再次作为制冷剂使用。
此时，在制冷剂流过制冷剂套管503的期间，与第一电极2进行热交换，从而冷却第一电极2。
此外，制冷剂套管503也可以以与前述结构相同的结构设置在第一电极2内。
此外，冷却装置50也可以是内径变小的中空部40。通过缩小中空部40的内径，可以抑制第一电极2因放电而产生的发热，因此可以防止、抑制因放电产生的热对工件10的被处理面101产生不良影响。
<第六实施方式>
图7是示出本发明的等离子体处理装置的第六实施方式的概略构成的纵剖面图。
此外，在以下的说明中，将图7中的上侧称为“上”，将下侧称为“下”。
以下，对于第六实施方式的处理装置，以与前述第一实施方式不同的点为中心进行说明，省略对其相同情况的说明。
本实施方式的等离子体处理装置1，除了并列连接三个收容在电介质部4中的第一电极2、且互相兼用第一电极2之间的处理气体供给流路6以外，其余与第一实施方式相同。
本实施方式的等离子体处理装置1，如图7所示，第一电极2为了获得各电连接而通过导线71连接于电源72。
此外，气体排放装置9的排出管91形成分支，分别连接于上端面开口部401。
此外，气体供给装置的处理气体管84形成分支，分别连接于导入路61。
此外，第一电极2也可以分别可装卸自如地构成。这样可以应对所有种类的工件10。
通过这样地使等离子体处理装置1包括多个第一电极2，可以形成第一电极2的数量的等离子体产生区域30，因此可以极其迅速地处理工件10的被处理面101。
此外，由于具有多个第一电极2，所以也可以应对所有种类的工件10，例如大面积的工件10。
如上所述，根据图示的各实施方式，对本发明的等离子体处理装置进行了说明，但是本发明不局限于此。构成等离子体处理装置的各部件可以与能够发挥相同功能的任意构成部件进行置换。此外，也可以附加任意的构成物。
此外，本发明的等离子体处理装置也可以是组合所述各实施方式中的任意两种以上的构成(特征)而形成的装置。例如，可以是组合第一实施方式与第四实施方式的构成的结构、组合第三实施方式与第五实施方式的构成的结构、组合第四实施方式与第六实施方式的构成的结构等等。
此外，对用于移动第二电极的移动装置没有特别限定，例如可以列举各种移动机构。
如果是相同电位的情况，高频电源也可以是直流的。
附图标记
1    等离子体处理装置     2   第一电极
21   上端面中心部         22  下端面中心部
3    第二电极             4   电介质部
41   本体                 411 上表面
412  凹部                 413 下端部侧面
42   扩径部               421 下表面
422  开口部               423 底面
424  凹部                 5   处理气体喷出部
6    理气体供给流路       61  导入路
62   分支流路             63  圆环流路
7    电源电路             71  导线
72   电源                 8   气体供给装置
81   气体存储瓶           82  质量流量控制器
83   阀                   84  处理气体管
9    气体排放装置         91  排出管
92   阀                   93  质量流量控制器
94   泵                   95  除害设备
10   工件                 101 被处理面
20   线段                 30  等离子体产生区域
301  高密度等离子体产生区 40  中空部
401  上端面开口部         402 下端面开口部
50   冷却装置             501 制冷剂容器
502  制冷剂管             503 制冷剂套管
504  制冷剂排出管         505 制冷剂回收容器
90   排气流量调整装置     100 工件设置部

Claims (14)

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
第一电极，具有从上端到下端贯通的中空部；
工件设置部，用于设置工件；
第二电极，隔着所述工件设置部与所述第一电极的下端相对配置；
处理气体喷出部，在所述中空部的下端侧开口的外周侧上沿着圆周方向形成；
电源电路，具有在所述第一电极与所述第二电极之间施加电压的电源；以及
气体供给装置，向所述处理气体喷出部供给用于生成等离子体的处理气体，
所述等离子体处理装置的构成为，通过在所述第一电极与所述第二电极之间施加电压来活化从所述处理气体喷出部喷出、且存在于所述下端侧开口附近的所述处理气体，从而生成等离子体，并利用所述等离子体对所述工件的被处理面进行等离子体处理。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，从所述等离子体喷出部喷出的所述处理气体包括朝向所述下端侧开口的方向的流和从所述下端侧开口离开的方向的流。
3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，在所述中空部内形成从所述下端侧开口朝向上端侧的方向的处理气体的流。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其中，在所述下端侧开口的外周侧，沿着圆周方向间断地形成所述处理气体喷出部。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其中，所述处理气体喷出部在所述下端侧开口的周围沿着全周形成为环状。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的等离子体处理装置，其中，所述处理气体喷出部构成如下：从所述喷出部喷出的所述处理气体的喷出方向朝着用于连接所述中空部的所述上端与所述下端的线段的延长线倾斜。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的等离子体处理装置，其还包括气体排放装置，所述气体排放装置从所述第一电极的所述中空部上端排放从所述处理气体喷出部喷出的处理气体。
8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其中，所述气体排放装置具有用于调整从所述中空部上端排放的处理气体的排气流量的排气流量调整装置。
9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其中，所述排气流量调整装置包括：连接于所述中空部的上端的排出管、用于开闭所述排出管内的流路的阀、通过所述阀而设置于所述排出管的下游侧的泵。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的等离子体处理装置，其中，包括用于冷却所述第一电极的冷却装置。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的等离子体处理装置，其中，所述第一电极的至少与所述第二电极相对的面的一侧用电介质部覆盖。
12.根据权利要求11所述的等离子体处理装置，其中，所述处理气体喷出部形成于电介质部。
13.根据权利要求11或12所述的等离子体处理装置，其中，所述电介质部的外径比所述第一电极的外径大。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的等离子体处理装置，其中，包括多个所述第一电极。
CNA2007103021495A 2006-12-20 2007-12-14 等离子体处理装置 Pending CN101207966A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006342297A JP2008153147A (ja) 2006-12-20 2006-12-20 プラズマ処理装置
JP2006342297 2006-12-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101207966A true CN101207966A (zh) 2008-06-25

Family

ID=39541195

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2007103021495A Pending CN101207966A (zh) 2006-12-20 2007-12-14 等离子体处理装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20080149273A1 (zh)
JP (1) JP2008153147A (zh)
KR (1) KR100935144B1 (zh)
CN (1) CN101207966A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103098183A (zh) * 2010-04-22 2013-05-08 积水化学工业株式会社 等离子处理装置
CN103403536A (zh) * 2011-06-07 2013-11-20 株式会社岛津制作所 放电电离电流检测器
CN107303653A (zh) * 2016-04-19 2017-10-31 不二越机械工业株式会社 喷嘴和工件研磨装置
CN112334599A (zh) * 2018-06-25 2021-02-05 东芝三菱电机产业系统株式会社 活性气体生成装置及成膜处理装置
CN114430935A (zh) * 2019-09-27 2022-05-03 株式会社富士 等离子体发生装置及等离子体处理方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101623680A (zh) * 2008-07-09 2010-01-13 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种进气装置及应用该进气装置的半导体处理设备
KR101020190B1 (ko) * 2008-09-17 2011-03-07 (주)경우이앤씨 유통식 플라즈마 수산기 발생 장치
DE102009006484A1 (de) * 2009-01-28 2010-07-29 Ahlbrandt System Gmbh Vorrichtung zum Modifizieren der Oberflächen von Bahn-, Platten- und Bogenware mit einer Einrichtung zur Erzeugung eines Plasmas
JP5446417B2 (ja) * 2009-04-16 2014-03-19 セイコーエプソン株式会社 プラズマ処理装置
CN102364994A (zh) * 2011-09-28 2012-02-29 南京创能电力科技开发有限公司 低温等离子发生器的阴极电弧控制器
JP6066859B2 (ja) * 2013-08-02 2017-01-25 三菱電機株式会社 プラズマ処理装置、プラズマ処理方法および接着方法
US9263350B2 (en) * 2014-06-03 2016-02-16 Lam Research Corporation Multi-station plasma reactor with RF balancing
JP6749104B2 (ja) * 2016-02-26 2020-09-02 国立大学法人大阪大学 数値制御プラズマ処理方法及びその装置
NL2017198B1 (en) 2016-07-20 2018-01-26 Jiaco Instr Holding B V Decapsulation of electronic devices
TW202117802A (zh) * 2019-07-02 2021-05-01 美商應用材料股份有限公司 固化介電質材料的方法與設備

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6437035U (zh) * 1987-08-31 1989-03-06
WO1996031997A1 (fr) * 1995-04-07 1996-10-10 Seiko Epson Corporation Equipement de traitement de surface
JP3317209B2 (ja) * 1997-08-12 2002-08-26 東京エレクトロンエイ・ティー株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
GB9900955D0 (en) * 1999-01-15 1999-03-10 Imperial College Material deposition
JP2001044180A (ja) * 1999-08-02 2001-02-16 Sharp Corp プラズマによる超精密加工方法及びその装置
JP2003007497A (ja) * 2001-06-19 2003-01-10 Pearl Kogyo Kk 大気圧プラズマ処理装置
US20030207093A1 (en) * 2001-12-03 2003-11-06 Toshio Tsuji Transparent conductive layer forming method, transparent conductive layer formed by the method, and material comprising the layer
US7112393B2 (en) * 2003-07-29 2006-09-26 Canon Kabushiki Kaisha Non-magnetic toner

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103098183A (zh) * 2010-04-22 2013-05-08 积水化学工业株式会社 等离子处理装置
CN103403536A (zh) * 2011-06-07 2013-11-20 株式会社岛津制作所 放电电离电流检测器
CN103403536B (zh) * 2011-06-07 2016-03-09 株式会社岛津制作所 放电电离电流检测器
US9791410B2 (en) 2011-06-07 2017-10-17 Shimadzu Corporation Discharge ionization current detector
CN107303653A (zh) * 2016-04-19 2017-10-31 不二越机械工业株式会社 喷嘴和工件研磨装置
CN112334599A (zh) * 2018-06-25 2021-02-05 东芝三菱电机产业系统株式会社 活性气体生成装置及成膜处理装置
CN112334599B (zh) * 2018-06-25 2023-09-29 东芝三菱电机产业系统株式会社 活性气体生成装置及成膜处理装置
CN114430935A (zh) * 2019-09-27 2022-05-03 株式会社富士 等离子体发生装置及等离子体处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR100935144B1 (ko) 2010-01-06
US20080149273A1 (en) 2008-06-26
JP2008153147A (ja) 2008-07-03
KR20080058178A (ko) 2008-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101207966A (zh) 等离子体处理装置
CN101273439B (zh) 用于从基片上去除边缘聚合物的装置
CN1992164B (zh) 等离子体蚀刻方法
CN101228288B (zh) 注射型等离子体处理设备和方法
US6033484A (en) Method and apparatus for cleaning contaminated surfaces using energetic cluster beams
US20080156264A1 (en) Plasma Generator Apparatus
JP4845936B2 (ja) 液相エッチング装置
CN1732558A (zh) 用于对有机类材料膜进行等离子体蚀刻的方法和装置
EP3041033B1 (en) Etching method
JP3962280B2 (ja) 放電プラズマ処理装置
JP2003218099A (ja) 放電プラズマ処理方法及びその装置
JP2003318000A (ja) 放電プラズマ処理装置
CN106504982A (zh) 一种基片的刻蚀方法
JP6076780B2 (ja) 粉体処理装置および粉体処理方法
JP2003317998A (ja) 放電プラズマ処理方法及びその装置
JP2002144231A (ja) 表面処理方法及び表面処理装置
JP2002094221A (ja) 常圧パルスプラズマ処理方法とその装置
JP2004207145A (ja) 放電プラズマ処理装置
JP5088667B2 (ja) プラズマ処理装置
JP5446417B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2009188344A (ja) ミリング装置及びミリング方法
JP2003142298A (ja) グロー放電プラズマ処理装置
JP2008146994A (ja) 処理装置
JP2008060496A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP4772215B2 (ja) 常圧プラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20080625