CN101202053A - 磁记录介质、其制造方法、以及磁记录装置 - Google Patents

磁记录介质、其制造方法、以及磁记录装置 Download PDF

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镰田芳幸
白鸟聪志
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Abstract

一种磁记录介质、其制造方法、以及磁记录装置，所述磁记录介质包括：基底(51)；和形成在基底(51)上具有对应伺服区和记录区的凸起和凹陷图形的磁记录层(53)，其中位于记录区每个凹陷中的磁记录层(53)的厚度(T2)小于对应于每个凸起的磁记录层(53)的厚度(T1)的三分之二，在记录区每个凹陷中剩余的磁记录层(53)的厚度(T2)为1nm或更高，而磁记录介质表面上的高度差为7nm或更小。

Description

磁记录介质、其制造方法、以及磁记录装置
技术领域
本发明的一个实施例涉及一种离散磁道型磁记录介质、其制造方法、以及磁记录装置。
背景技术
近来，组合至硬盘驱动器(HDD)的磁记录介质中经常出现的问题是，相邻磁道之间的干扰妨碍了改进磁道密度。特别是，如何减小由来自磁头的磁场所产生的边缘效应引起的写渗漏(bleeding)是一个重要的技术问题。
为解决该问题，提出了一种离散磁道磁记录介质(DTR介质)，其具有处理的磁记录层以相互物理分隔记录磁道。DTR介质可抑制侧边擦除现象和侧边读取现象，在所述侧边擦除现象中，邻近磁道中的信息在写操作时被擦除，在所述侧边读取现象中，邻近磁道中的信息在读操作时被读取，从而使得磁道密度提高。因此，期望DTR介质为可获得高记录密度的磁记录介质。
在常规DTR介质中，从记录区中的相邻记录磁道之间的凹陷向下去除磁记录层直至衬层中。然后将由非磁性材料制成的嵌入层填入凹陷以平化介质表面(例如参见日本专利申请KOKAI公开2006-92659)。在DTR介质中，填充在凹陷中的嵌入层具有和衬层接触的底部以及和形成为凸起的磁记录层接触的侧壁。因此，嵌入层与不同材料接触，造成粘接变差。因此，当驱动磁记录装置时，嵌入层被剥离，同时使介质表面的平整性降低。另外，磁头有可能不利地被破坏。
另一方面，已知一种磁记录介质，其中选择性蚀刻一部分磁记录介质，并在凹陷中剩余磁记录介质(美国专利6,999,279)。但是，磁记录介质的表面存在大高度差。这不利地使磁头的浮动特征退化。
发明内容
本发明的目标在于提供一种磁记录介质，其提供磁头的合适浮动特性，并可防止嵌入层受到剥离。
根据本发明的一个实施例，提供一种磁记录介质，包括：基底；和磁记录层，其被形成在所述基底上，且具有对应于伺服区和记录区的凸起和凹陷的图形，其特征在于，位于所述记录区的每个凹陷中的磁记录层的厚度小于对应于每个凸起的磁记录层的厚度的三分之二，在所述记录区的每个凹陷中剩余的磁记录层的厚度为1nm或更高，而在所述磁记录介质的表面上的高度差为7nm或更小。
根据本发明的另一个实施例，提供一种磁记录介质，包括：基底；磁记录层，其被形成在所述基底上，且具有对应于伺服区和记录区的凸起和凹陷的图形；以及，填充在所述记录区的凹陷中的非磁性材料的嵌入层，其特征在于，位于所述记录区的每个凹陷中的磁记录层的厚度小于对应于每个凸起的磁记录层的厚度的三分之二，在所述记录区的每个凹陷中剩余的磁记录层的厚度为1nm或更高，而在所述磁记录介质的表面上的高度差为7nm或更小。
而根据本发明的另一个实施例，提供一种制造磁记录介质的方法，包括：在基底上形成磁记录层；以及选择性向下蚀刻一部分磁记录层至大于所述磁记录层的厚度的三分之一的深度，以形成对应于伺服区和记录区的凸起和凹陷的图形，使得在所述记录区的每个凹陷中剩余的磁记录层的厚度为1nm或更高，而在所述磁记录介质的表面上的高度差为7nm或更小。
本发明可以提供一种提供磁头的合适浮动特性、以及可防止嵌入层受到剥离的磁记录介质。
在下面的描述中列举了本发明其它的目标和优点，并且这些目标和优点可部分地从该描述清楚，或者可由通过实施本发明而获知。可通过在下文特别指出的手段和组合实现和获得本发明的目标和优点。
附图说明
组合在说明书中、并构成说明书一部分的附图示出了本发明的实施例，其与上面的总描述和下面对实施例的详述一起解释本发明的原理。
图1为根据本发明的磁记录介质的示意俯视图；
图2为伺服区和记录区的示意图；
图3为示出伺服区和记录区中磁图形的俯视图；
图4为根据本发明第一实施例的磁记录介质中记录区的横截面图；
图5为根据本发明第二实施例的磁记录介质中记录区的横截面图；
图6A、6B、6C、6D、6E和6F为示出制造根据本发明磁记录介质方法的横截面图；以及
图7为根据本发明实施例的磁记录装置的结构图。
具体实施方式
下面将参考附图描述本发明的各种实施例。
将参考附图描述根据本发明的磁记录介质。
图1示出了根据本发明磁记录介质1的示意俯视图。图1示出了记录区2和伺服区3。记录区2中记录了用户数据。磁记录介质为具有由同心磁图形形成的离散磁道的DTR介质。下面将参考图2描述记录磁道。在伺服区3中，定位磁头所需要的伺服信息形成在磁图形中。伺服区3的形状为对应于访问磁记录介质的磁头滑块的轨迹的圆弧。伺服区3形成为随着伺服区3径向位置接近记录介质外周而增加的周向长度。图1示出了15个伺服区3，但在实际介质中形成了不少于100个的伺服区3。
参考图2和3，将描述伺服区、记录区以及磁图形的示意图。
在记录区2内以预定的磁道间距Tp形成由构成多个凸起的磁图形制成的记录磁道21。用户数据记录在记录磁道21中。沿横跨磁道的方向相互邻近的记录磁道21由凹陷或者以非磁性材料制成的保护带22相互隔开。在本发明的实施例中，比对应于记录磁道21中每个凸起的磁记录层薄的磁记录层留在保护带22的底部。在横跨磁道的方向上的记录磁道21宽度与保护带22宽度之比例如为2∶1。即，记录区2中记录磁道21的面积比大约为67％。适当地设置该比率。
伺服区3包括前导区31、寻址区32、和脉冲区33。提供伺服信号的磁记录层图形形成在伺服区3的前导区31、寻址区32、和脉冲区33中。这些区具有下述功能。
前导区31允许执行：当介质旋转偏心产生时间差时同步伺服信号读取时钟的PLL过程、以及适当维持信号读取宽度的AGC过程。前导部分31具有磁图形，所述磁图形组成沿径向连续延伸而不被隔开以基本形成圆弧的凸起，并且所述磁图形在周向重复形成。组成前导部分31中凸起的磁图形的面积比大约为50％。
在寻址部分32，称为伺服标记的伺服信号识别代码、扇区信息、柱面信息等等以和采用Manchester代码的前导部分31周向间距相同的间距形成。特别是，柱面信息具有其中信息随伺服磁道变化的图形。因此，为减小寻道操作时寻址读取错误的不利影响，将柱面信息转换为尽量降低相邻磁道间信息差的格瑞码，然后将格瑞码转换为Manchester代码以进行记录。组成寻址部分32中凸起的磁图形的面积比也为大约50％。
脉冲部分33为偏离磁道探测区，用于探测柱面地址相对于在磁道上状态的偏离磁道量。通过沿径向移动图形相位，而在脉冲部分33中形成四种标记(称为A脉冲、B脉冲、C脉冲、和D脉冲)。在每个脉冲中，以和前导部分周向上相同的间距设置多个标记。每个脉冲的径向周期与寻址图形变化的周期成比例，换言之，与伺服磁道周期成比例。在周向上形成大约10个周期的每个脉冲。可以以伺服磁道周期两倍的间距在径向重复形成脉冲。组成脉冲部分33中凸起的磁图形的面积比为大约75％。
脉冲部分33中的标记设计为矩形，或者严格意义上的在磁头访问时为倾斜的平行四边形。但是，根据压模的处理精度或者处理性能例如转移成形使该标记稍微变圆。脉冲部分33中位置探测的原理将不详细描述。通过运算处理来自每个脉冲A、B、C和D的读取信号的平均幅度值计算偏离磁道的量。
图4示出了根据本发明第一实施例的垂直磁记录介质中记录区的横截面图。图4中，在基底51上形成软衬层52、组成凸起和凹陷图形的磁记录层53、以及保护层55。选择性蚀刻一部分磁记录层53以形成凹陷。但是，在每个凹陷底部剩余有磁记录层的较薄部分。在图4所示出的记录区中，凹陷深度D大于对应于每个凸起的磁记录层的厚度T1的三分之一。在记录区每个凹陷中剩余的磁记录层厚度T2应当优选为1nm或更小。在本实施例中，在凹陷中不填充嵌入层，但是磁记录介质表面上的高度差应当优选为7nm或更小。
在图4的磁记录介质中，对应于每个凸起用作记录磁道的磁记录层具有足够的厚度以及充分的磁特性，以稳定保持记录磁化。另一方面，位于每个凹陷中的磁记录层厚度较小以不影响相邻磁道的记录磁化。即，当具有足够小的厚度时，位于每个凹陷中的磁记录层的磁化相比于记录磁道较不稳定，从而产生了随机磁化。为防止每个凹陷中的磁记录层影响记录磁道中的记录磁化，有必要使凹陷深度D大于对应于每个凸起的磁记录层厚度T1的三分之一，并使留在凹陷底部中的磁记录层厚度T2小于对应于每个凸起的磁记录层厚度T1的三分之二。
另一方面，为保证磁记录装置中磁头的浮动稳定性，优选减小介质表面上的高度差。可基于着陆压力评估磁头的浮动稳定性，当磁记录装置在减小压力下使用时，磁头在着陆压力下与介质接触。如果特定压力值尽可能低，则可改进浮动稳定性。为保证表示浮动稳定性合适的0.5个大气压的着陆压力，介质表面上的高度差需要为7nm或更低。满足该条件则消除了将嵌入层填充入凹陷的需要。
在嵌入层不填入凹陷的情况下，为使留在凹陷底部的磁记录层厚度T2小于对应于每个凸起的磁记录层厚度T1的三分之二，并使介质表面上的高度差为7nm或更小，使对应于每个凸起的磁记录层的厚度T1为10nm或者更小，而使留在凹陷底部的磁记录层厚度T2例如为大于等于8nm且小于等于10nm。
另外，当选择性蚀刻部分磁记录层以形成凹陷时，优选处理时间较短。增加留在每个凹陷中磁记录层的厚度减少了需要的处理时间。与当磁记录层从凹陷完全去除时相比，当留在凹陷底部的磁记录层厚度T2设置为1nm或更大时，处理时间有利地较短。
在根据本发明的磁记录介质中，一次处理记录区和伺服区。因此，记录区和伺服区中凹陷深度相同。在伺服区形成的伺服图形沿垂直于介质表面的方向磁化。通过读取磁记录层厚度变化而引起的信号强度变化，利用伺服图形进行磁头定位。为保证伺服信号的对比度，每个凹陷中的磁记录层的厚度T2应当小于对应每个凸起的磁记录层厚度T1的三分之二。
图5是根据本发明第二实施例垂直磁记录介质中记录区的横截面图。图5中，在基底51上形成软衬层52、组成凸起和凹陷图形的磁记录层53、填入凹陷部分的嵌入层54、以及保护层55。选择性蚀刻一部分磁记录层53以形成凹陷。但是，磁记录层的较薄部分留在每个凹陷的底部。而且在图5所示出的记录区中，凹陷深度D大于对应于每个凸起的磁记录层厚度T1的三分之一。留在记录区每个凹陷中的磁记录层厚度T2应当为1nm或更大。这些要求的原因与上述第一实施例的相同。
在第二实施例中，在凹陷中形成嵌入层54，表面上的高度差为7nm或更小。在该情况中，因为表面容易平化，所以对应于每个凸起的磁记录层厚度T1与每个凹陷中磁记录层的厚度T2之差不必为7nm或更小。即使该两个位置之差大于7nm，也足以使经后来进行的平化处理最终制造的磁记录介质的表面高度差为7nm或更小。
在第二实施例中，不仅嵌入层54的侧壁而且其底部与磁记录层53接触。因此，嵌入层54的所有部分与相同材料接触，同时形成均匀薄膜。因此改进了嵌入层54的粘接。这防止了嵌入层54即使当驱动磁记录装置时受到剥离的影响。
现在，参考图6A、6B、6C、6D、6E和6F，将描述采用根据本发明的压印方法制造磁记录介质的方法。
如图6A所示，在基底51上形成软衬层52和磁记录层53。在磁记录层53上涂敷抗蚀剂60。
基底51例如为玻璃基底、Al基合金基底、陶瓷基底、碳基底、具有氧化物表面的Si单晶体基底、以及镀有Nip等的任何这些基底。
软衬层52由包括Fe、Ni或者Co的材料组成。软衬层52材料的特别实例包括：FeCo基合金，例如FeCo或者FeCoV；FeNi基合金，例如FeNi、FeNiMo、FeNiCr、或者FeNiSi；FeAl基合金和FeSi基合金，例如FeAl、FeAlSi、FeAlSiCr、FeAlSiTiRu、或者FeAlO；以及FeTa基合金，例如FeTa、FeTaC、或者FeTaN；以及FeZr基合金，例如FeZrN。
磁记录层53例如由主要包括Co以及至少包括Pt并且还包括氧化物的磁性材料组成，并具有垂直磁各向异性。该氧化物特别优选为氧化硅或者二氧化钛。
通过下面描述的压印将凸起和凹陷图形转印至抗蚀剂60，抗蚀剂60然后用作用于在磁记录层53中形成凹陷和凸起的掩模材料。抗蚀剂材料使得在施加至磁记录层之后可通过压印转印凹陷和凸起。抗蚀剂材料的实例包括聚合物材料、低分子量有机物材料、以及液体Si基抗蚀剂。本实施例采用作为液体Si基抗蚀剂的旋涂玻璃(SOG)。
在图6B中，通过压印将凸起和凹陷的图形转印至抗蚀剂。通过采用同步双面转印压印装置的压印光刻完成转印步骤。将其上形成有期望凸起和凹陷图形的压印模(未示出)均匀按压在形成于基底每个相对表面上的抗蚀剂(SOG)整个表面。通过转印步骤形成的抗蚀剂60中的凹陷对应在磁记录层53中形成的凹陷。
图6C中，处理磁记录层53。留在抗蚀剂60凹陷中具有图6B凸起和凹陷图形的抗蚀剂残渣被去除以露出磁记录层53。然后，以剩余的构图的抗蚀剂为掩模进行离子铣以形成磁记录层53中的凹陷。为将磁记录层53的较薄部分留在凹陷底部，例如控制离子铣所需要的时间。
在图6D中，蚀刻除去剩余的抗蚀剂。第一实施例中，如图4所示出，然后形成保护膜。
在图6E中，通过溅射形成足够厚度的嵌入层54。嵌入层54由非磁性材料组成，例如碳(C)、氧化物例如SiO2或者Al2O3或者金属例如Ti。
在图6F中，嵌入层54被回蚀刻至磁记录层53，以将嵌入层54填入凹陷，使得平化磁记录层53的表面。
随后在磁记录层53的表面上形成保护层。期望保护层防止垂直磁记录层被腐蚀，并防止当磁头与介质表面接触时破坏介质表面。保护层的材料包括例如碳(C)、SiO2或ZiO2。然后将润滑剂涂敷在保护层的表面上。
现在，将描述磁记录装置，其中安装根据本发明的磁记录介质。图7示出了根据本发明实施例的磁记录装置的结构图。该图示出了仅仅在磁记录层顶部表面上的磁头滑块。但是，在磁记录层的两个表面上都形成有具有离散磁道的垂直磁记录介质层。在磁记录介质的上表面上和底面下分别提供向下磁头和向上磁头。磁记录装置的配置基本上与常规磁记录装置的配置相似，只是前者采用根据本发明的磁记录介质。
盘驱动器包括称为磁头盘组件(HDA)100的主体部分以及印刷电路板(PCB)200。
磁头盘组件(HDA)100具有磁记录介质(DTR介质)1、旋转磁记录介质1的主轴电动机101、围绕轴102移动的致动器臂103、连至致动器臂103端部的悬臂104、由悬臂104支持的磁头滑块105，并包括读磁头和写磁头、驱动致动器臂103的音圈电动机(VCM)106、以及放大至磁头的输入信号以及从磁头发出的输出信号的磁头放大器(未示出)。磁头放大器(HIC)置于致动器臂103上并经柔性缆线(FPC)120连至印刷电路板(PCB)200。如上所述在致动器臂103上提供磁头放大器(HIC)可有效降低磁头信号中的噪声。但是，磁头放大器(HIC)可固定至HDA主体。
在如上所述的磁记录介质1的两个表面上形成垂直磁记录层。在每个相对的垂直磁记录层上形成圆弧形的伺服区以和磁头移动时所沿着的位置一致。磁记录介质规格满足适合于驱动器的外径、内径和读/写特性。由伺服区形成的圆弧半径指定为从轴到磁头元件的距离。
在印刷电路板(PCB)200上安装四个主系统LSI。该四个主系统LSI包括磁盘控制器(HDC)210、读/写信道IC220、MPU230、以及电动机驱动器IC240。
MPU230为驱动系统的控制部分，并包括ROM、RAM、CPU、和逻辑处理部分，用于实施根据本实施例的磁头定位控制系统。逻辑处理部分是由执行高速运算处理的硬件电路组成的运算处理部分。逻辑处理部分的固件(FW)存储在ROM中。MPU根据FW控制驱动器。
盘控制器(HDC)210为硬盘中的接口部分，并利用盘驱动器和主机系统(例如个人电脑)、MPU、读/写信道IC、和电动机驱动器IC之间的接口交换信息，以控制整个驱动器。
读/写信道IC220为由将信道切换至磁头放大器(HIC)并处理读/写信号的电路组成的磁头信号处理部分。
电动机驱动器IC240为音圈电动机(VCM)77和主轴电动机72的驱动器部分。电动机驱动器IC240控制主轴电动机72至指定转速，并从MPU230向VCM77提供作为电流值的VCM操纵变量，以驱动磁头移动机构。
实例
样品1-1、1-2、1-3和1-4
以外径为48mm并具有内径12mm的中心孔的troidal玻璃基底用作基底。FeCoV沉积在基底上以形成厚度为100nm的软衬层。CoCrPt然后沉积在软衬层上以形成厚度为15nm的磁记录层。旋涂玻璃(SOG)然后旋涂在磁记录层上至大约70nm的厚度作为抗蚀剂。
将厚度0.4mm的Ni压模制备为压印模。图3中所示出的这种图形已形成在Ni压模上。磁道间距为100nm。Ni压模上图形的凹陷深度为50nm。
在常规大气压的大气中以200MPa的压力将压印模按压至上面涂敷抗蚀剂的基底上1分钟。将压印模上的凹陷和凸起转印至抗蚀剂表面。抗蚀剂中凹陷的深度等于压印模中凹陷的深度，即50nm。
所获得的抗蚀剂图形采用CF4气体蚀刻以去除凹陷底部的抗蚀剂残渣而暴露磁记录层。然后以剩余的抗蚀剂图形为掩模进行Ar离子铣以蚀刻磁记录层，使得在凹陷底部剩余有磁记录层。采用CF4气体蚀刻除去剩余的抗蚀剂图形。另外形成如类金刚石碳(DLC)保护层。将润滑剂施加至保护层以制造磁记录介质。
以这种方式制造四个样品即1-1、1-2、1-3和1-4。蚀刻后留在凹陷中的磁记录层具有如下厚度11nm(样品1-1)、10nm(样品1-2)、8nm(样品1-3)、或者7nm(样品1-4)。
样品2
在基底上形成的磁记录层厚度设置为10nm，并在离子铣步骤中蚀刻除去3.3nm的磁记录层，使得在凹陷底部剩余厚度为6.6nm的磁记录层。除了上述步骤，以和样品1系列相同的方式制造磁记录介质(样品2)。
样品3
在基底上形成厚度为15nm的磁记录层，并在离子铣步骤中蚀刻除去12nm的磁记录层，使得在凹陷底部剩余厚度为3nm的磁记录层。通过溅射沉积碳以形成厚度为50nm的嵌入层。然后将该嵌入层回蚀刻至磁记录层的表面。磁记录层中的凹陷如此被填充嵌入层，使得平化磁记录层的表面。除了上述步骤，以和样品1系列相同的方式制造磁记录介质(样品3)。介质表面上的高度差为7nm。
样品4
在基底上形成厚度为15nm的磁记录层，并在离子铣步骤中蚀刻除去10nm的磁记录层，使得在凹陷底部剩余厚度为5nm的磁记录层，但是在磁记录层的凹陷中不填充嵌入层。除了上述步骤，以和样品3相同的方式制造磁记录介质(样品4)。介质表面上的高度差为10nm。
样品5
在基底上形成厚度为15nm的磁记录层，并在磁记录层的整体厚度15nm上蚀刻除去磁记录层从而暴露衬层，并将嵌入层填充在凹陷中。除了上述步骤，以和样品3相同的方式制造磁记录介质(样品5)。介质表面上的高度差为7nm。
制造其中安装样品1-1、1-2、1-3和1-4、2、3、4、和5的相应介质以及读/写磁头的硬盘驱动器。用于垂直磁记录介质的读/写磁头的磁写入宽度为100nm、磁读取宽度为80nm、浮动高度11nm，在所述磁记录介质中，磁记录层未经过构图过程。对于上述驱动器，进行降低压力的着陆测试、10个小时的大气压下磁头的随机寻道测试、以及伺服跟踪测试。
如果驱动器的着陆压力为0.5个大气压或者更低，则在着陆测试中可接受。如果以显微镜观察介质表面时，经过寻道操作的驱动器没有表现出薄膜剥离，则在寻道测试中可接受。如果驱动器定位精度为0.6nm或更低，则在伺服跟踪测试中可接受。表1中示出了这些结果。
其中安装样品4的介质的驱动器在磁头寻道测试中没有遇到任何问题，但是着陆压力为0.7个大气压。其中安装样品5的介质的驱动器的着陆压力为0.4个大气压。但是，驱动器在磁头寻道测试中引起磁头破坏。另外，在该驱动器中，在磁头表面上发现从介质剥离的嵌入层片段。
其中安装样品1-1的介质、凹陷中磁记录层厚度为11nm的驱动器示出低伺服信号强度，这使得读/写磁头不可能进行跟踪。认为这是因为凸起和凹陷之间的小信号强度差。相比之下，证实了在其中安装样品1-2、1-3或1-4的介质、凹陷中磁记录层厚度为10nm或更小的驱动器中，读/写磁头进行了良好的跟踪。从这些结果发现，留在凹陷中的磁记录层的厚度应当小于凸起上的磁记录层厚度的三分之二。
其中安装样品1-4的介质、表面高度差为8nm的驱动器的着陆压力为0.65个大气压，而没有通过着陆测试。与之相比，其中安装样品1-1、1-2、或1-3的介质、表面高度差为7nm或更小的驱动器通过了着陆测试。从这些结果可以发现介质表面高度差应当为7nm或更小。
其中安装样品2或3的介质的驱动器在着陆测试、磁头寻道测试、以及伺服跟踪测试中没有遇到任何问题。
表1
样品   凸起上的磁性层的厚度   凹陷中的磁性层的厚度     表面高度差   着陆压力(大气压)   剥离测试   伺服跟踪测试
    1-1   15nm   11nm     4nm   0.3   好   不行
    1-2   15nm   10nm     5nm   0.4   好   好
    1-3   15nm   8nm     7nm   0.5   好   好
1-4 15nm 7nm 8nm   0.65不行 好 好
    2   10nm   6.6nm     3.3nm   0.3   好   好
    3   15nm   3nm     7nm   0.5   好   好
4 15nm 5nm 10nm   0.7不行 好 好
    5   15nm   0nm     7nm   0.5   不行   好
本领域技术人员容易知道其它优点和修改。因此，更广方面的本发明不限于这里所示出和描述的特别细节和代表性实施例。因此，在不偏离由所附权利要求及其等同物所限定的总发明构思的精神或者范围下，可进行各种修改。

Claims (12)

1.一种磁记录介质，包括：
基底(51)；和磁记录层(53)，其被形成在所述基底(51)上，且具有对应于伺服区和记录区的凸起和凹陷的图形，其特征在于，位于所述记录区的每个凹陷中的磁记录层(53)的厚度(T2)小于对应于每个凸起的磁记录层(53)的厚度(T1)的三分之二，在所述记录区的每个凹陷中剩余的磁记录层(53)的厚度(T2)为1nm或更高，而在所述磁记录介质的表面上的高度差为7nm或更小。
2.根据权利要求1的介质，其特征在于，对应于每个凸起的磁记录层(53)的厚度(T1)为15nm或更小，并且在所述记录区的每个凹陷中剩余的磁记录层(53)的厚度(T2)为10nm或更小。
3.根据权利要求1的介质，其特征在于，对应于每个凸起的磁记录层(53)的厚度(T1)为10nm或更小，并且在所述记录区的每个凹陷中剩余的磁记录层(53)的厚度(T2)为6.6nm或更小。
4.一种磁记录介质，包括：
基底(51)；磁记录层(53)，其被形成在所述基底(51)上，且具有对应于伺服区和记录区的凸起和凹陷的图形；以及，填充在所述记录区的凹陷中的非磁性材料的嵌入层(54)，其特征在于，位于所述记录区的每个凹陷中的磁记录层(53)的厚度(T2)小于对应于每个凸起的磁记录层(53)的厚度(T1)的三分之二，在所述记录区的每个凹陷中剩余的磁记录层(53)的厚度(T2)为1nm或更高，而在所述磁记录介质的表面上的高度差为7nm或更小。
5.根据权利要求4的介质，其特征在于，对应于每个凸起的磁记录层(53)的厚度(T1)为15nm或更小，并且在所述记录区的每个凹陷中剩余的磁记录层(53)的厚度(T2)为10nm或更小。
6.根据权利要求4的介质，其特征在于，对应于每个凸起的磁记录层(53)的厚度(T1)为10nm或更小，并且在所述记录区的每个凹陷中剩余的磁记录层(53)的厚度(T2)为6.6nm或更小。
7.一种制造磁记录介质的方法，其特征在于，包括：
在基底(51)上形成磁记录层(53)；以及
选择性向下蚀刻一部分磁记录层(53)至大于所述磁记录层(53)的厚度(T1)的三分之一的深度(D)，以形成对应于伺服区和记录区的凸起和凹陷的图形，使得在所述记录区的每个凹陷中剩余的磁记录层(53)的厚度(T2)为1nm或更高，而在所述磁记录介质的表面上的高度差为7nm或更小。
8.根据权利要求7的方法，其特征在于，所述磁记录层(53)的厚度(T1)为15nm或更小，并且在所述记录区的每个凹陷中剩余的磁记录层(53)的厚度(T2)为10nm或更小。
9.根据权利要求7的方法，其特征在于，所述磁记录层(53)的厚度(T1)为10nm或更小，并且在所述记录区的每个凹陷中剩余的磁记录层(53)的厚度(T2)为6.6nm或更小。
10.根据权利要求7的方法，其特征在于，还包括：通过DC溅射在所述记录区的凹陷中形成非磁性材料的嵌入层(54)，以将所述磁记录介质的表面上的高度差设置为7nm或更小。
11.一种磁记录装置，其特征在于包括：根据权利要求1的磁记录介质；以及磁头(105)。
12.一种磁记录装置，其特征在于包括：根据权利要求4的磁记录介质；以及磁头(105)。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4296204B2 (ja) * 2007-03-26 2009-07-15 株式会社東芝 磁気記録媒体
JP4382843B2 (ja) * 2007-09-26 2009-12-16 株式会社東芝 磁気記録媒体およびその製造方法
JP5497326B2 (ja) * 2009-04-21 2014-05-21 ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド 磁気ディスクの評価方法及び磁気ディスクの製造方法並びに磁気ディスク
JP2014170602A (ja) * 2013-03-01 2014-09-18 Toshiba Corp 磁気記録媒体、及びその製造方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3116531B2 (ja) 1992-02-29 2000-12-11 ソニー株式会社 磁気記録媒体及び記録方法
EP0568753A1 (en) * 1992-05-07 1993-11-10 International Business Machines Corporation High-density optical data storage unit and method for writing and reading information
US5723033A (en) * 1995-09-06 1998-03-03 Akashic Memories Corporation Discrete track media produced by underlayer laser ablation
US6055139A (en) 1995-12-14 2000-04-25 Fujitsu Limited Magnetic recording medium and method of forming the same and magnetic disk drive
JP3806205B2 (ja) 1996-12-17 2006-08-09 大日本印刷株式会社 磁気記録媒体
JP2001034939A (ja) * 1999-07-16 2001-02-09 Fuji Electric Co Ltd マスター磁気情報担持体及びその製造方法並びに磁気記録媒体の製造方法
US6999279B2 (en) * 2002-10-29 2006-02-14 Imation Corp. Perpendicular patterned magnetic media
JP3940711B2 (ja) * 2003-07-24 2007-07-04 株式会社東芝 追記型情報記録媒体
JP3816911B2 (ja) * 2003-09-30 2006-08-30 株式会社東芝 磁気記録媒体
JP4031456B2 (ja) 2004-03-31 2008-01-09 株式会社東芝 磁気記録媒体および磁気記憶媒体製造方法
US7136252B2 (en) 2004-07-14 2006-11-14 Tdk Corporation Magnetic recording and reproducing apparatus with recording layer having predetermined convex-concave pattern
JP3796256B2 (ja) * 2004-07-14 2006-07-12 Ｔｄｋ株式会社 磁気記録再生装置
JP2006048769A (ja) * 2004-07-30 2006-02-16 Toshiba Corp 磁気記録装置
JP2006092659A (ja) 2004-09-24 2006-04-06 Tdk Corp 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体
JP4718946B2 (ja) * 2004-09-27 2011-07-06 株式会社東芝 板状構造体の製造装置
JP2006277868A (ja) 2005-03-30 2006-10-12 Toshiba Corp ディスクリートトラック媒体およびその製造方法
JP4649262B2 (ja) * 2005-04-19 2011-03-09 株式会社東芝 磁気記録媒体の製造方法
JP4552743B2 (ja) * 2005-04-28 2010-09-29 Ｔｄｋ株式会社 情報記録媒体、記録再生装置およびスタンパー
JP2007012117A (ja) * 2005-06-28 2007-01-18 Toshiba Corp 磁気記録媒体、磁気記録媒体用基板、および磁気記録装置
JP4594811B2 (ja) * 2005-06-28 2010-12-08 株式会社東芝 磁気記録媒体用基板、磁気記録媒体および磁気記録装置
JP4469774B2 (ja) * 2005-09-27 2010-05-26 株式会社東芝 磁気記録媒体および磁気記録装置

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