CN101194210A - 曝光方法和曝光装置 - Google Patents
曝光方法和曝光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101194210A CN101194210A CNA2006800203692A CN200680020369A CN101194210A CN 101194210 A CN101194210 A CN 101194210A CN A2006800203692 A CNA2006800203692 A CN A2006800203692A CN 200680020369 A CN200680020369 A CN 200680020369A CN 101194210 A CN101194210 A CN 101194210A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- photomask
- concavity
- convex
- deformed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/7035—Proximity or contact printers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2014—Contact or film exposure of light sensitive plates such as lithographic plates or circuit boards, e.g. in a vacuum frame
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/24—Curved surfaces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
- H05K3/0082—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the exposure method of radiation-sensitive masks
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
本发明提供一种将光掩模上描绘的图案转印到基板上的曝光方法和曝光装置。将光掩模配置在覆盖基板的位置。形成光掩模和基板相互均匀地接触,并且光掩模和基板相对于各自变形为凹状或凸状的状态。在该状态下,通过光掩模对基板上的感光层照射光,由此将尺寸实质上已变化的图案转印到基板上。
Description
技术领域
本发明涉及重叠配置描绘有图案的光掩模和在表面形成有感光层的基板,通过光掩模对基板照射光,将图案转印到基板上的曝光方法和曝光装置。更具体而言,本发明涉及光掩模和基板的对位方法。
背景技术
以往,为了在印刷电路板等的表面形成导电图案等,广泛进行的是重叠配置在表面形成有感光层的基板和描绘有图案的光掩模,通过光掩模对基板照射光,将图案转印到基板表面的感光层的曝光方法。
在该曝光方法中,为了将在光掩模上描绘的图案转印到基板上,在基板的大致整个面上预先设置的多个导电孔等和在光掩模上描绘的图案的对位是必要的。为了进行该对位,在光掩模和基板的相互对应的位置分别附设多个对位标记。
通过CCD相机等光传感器读取在该光掩模和基板上分别附设的对位标记。根据读取的数据,使基板或光掩模的任意一个沿X·Y·θ方向移动,进行光掩模和基板的对位。
进行光掩模和基板的对位后,通过光掩模对基板照射光,将光掩模上描绘的图案转印到基板表面的感光层,曝光处理结束。
可是,由于基板在曝光工序之前接受加热处理等,所以在曝光工序中,具有相比当初收缩了的大小。
一般,从最初开始就在运算中加入所述的加热处理等引起的收缩,在此基础上设计基板。可是,全部基板并不局限于按预测那样收缩。结果,在基板上附设的多个对位标记之间的距离即对位标记间间距的尺寸在各基板中变动。
进而,在光掩模和基板双方中,由于制作误差或温度、湿度的变化等,在对位标记间距的尺寸上产生变动。
因此,在光掩模和基板双方中,在分别附设的多个对位标记间的间距上产生误差。
结果,难以使光掩模的对位标记和基板的对位标记全部完全一致。
因此,在基板和光掩模的对位中,在光掩模和基板的相互对应的位置附设的多对对位标记的各对的对位标记之间的“位置偏移量”平均化。即从基板的中央部向外缘方向,对位标记间的间距的尺寸误差平均分配。
以下,参照附图,说明光掩模和基板的对位方法。图1和图2是表示光掩模和基板重叠的状态的俯视图。基板1的对位标记3(圆)和光掩模2的对位标记4(点)配置在基板1的4个角和与这些角分别对应的光掩模上的位置。图1表示理想的对位状态。在图1中,表示在基板1和光掩模2之间没有尺度(比例尺)的差,因此,在全部的基板1的对位标记3的标记间间距和光掩模2的对位标记4的标记间间距上没有误差,对应的标记彼此的中心一致的理想的对位状态。
再有,即使假设全部的基板1的对位标记3和光掩模2的对位标记4,在标记间的间距上没有误差,实际上由于用于进行对位的控制系统、驱动机构等,会产生对位误差。可是,这些误差由于技术的进步,与对位标记间间距的尺度差引起的对位误差相比,能抑制在允许的范围内。
图2是表示基板1的对位标记3的标记间间距比光掩模2的对位标记4的标记间间距短时的基板1和光掩模2的对位的俯视图。在基板1和光掩模2中,相互对应的对位标记对3、4间的“位置偏移量”在各对上均匀地对位。
如此,如果在基板1和光掩模2之间在对位标记间间距的长度上具有差,即使将所述的控制系统等引起的对位误差抑制在允许范围内,也难以将光掩模2上描绘的图案5以高精度转印到基板1上确定的位置。
在以往的基板中,即使产生这样的尺度差引起的对位误差,但是由于要求的精度低,所以不会成为问题。可是,随着半导体的小型化及基板的精细图案化的发展,该误差成为问题。
因此,希望在基板1和光掩模2之间尽可能减小尺度差,将光掩模2上描绘的图案5以高精度转印到基板1上确定的位置。
作为与此有关的以往的主要对策,为了将光掩模上描绘的图案以高精度转印到基板上确定的位置,制成将对光掩模附设的对位标记的标记间间距的尺度变更为与基板的各对位标记的标记间间距的尺度一致的光掩模来进行应对。
当然,如果改变对光掩模附设的对位标记的标记间间距的尺度,则与对位标记同时描绘的图案的尺度也按比例变化,结果,如果光掩模和基板的对位标记间的间距差减小,就能以高精度将光掩模的图案转印到基板上确定的位置。
可是,即使制成改变对光掩模附设的对位标记的标记间间距的尺度的光掩模来进行应对,基板的尺度也由于所述的理由而分别变化,所以为了实现高的对位精度,必须准备多个具有不同尺度的光掩模,以光掩模和基板的对位精度收敛在允许范围内的方式更换光掩模。
在上述的以往的曝光方法中,即使保持允许的转印精度,也存在制成多个光掩模引起的成本上升、光掩模的更换时间增加引起的生产率的下降等诸多问题。
发明内容
本发明解决这样的以往的问题。本发明的目的在于,以廉价提供能以比以往更高的精度将光掩模和基板对位,并且生产率高的曝光装置和曝光方法。
根据本发明,提供一种曝光方法,将描绘有图案的光掩模配置在表面形成有感光层的基板的覆盖感光层的位置,使所述光掩模和所述基板相互均匀地接触后,通过所述光掩模对所述基板的所述感光层照射光,由此将所述图案转印到所述基板上,其特征在于:
在所述光掩模和所述基板相互均匀地接触且所述光掩模和所述基板相对于各自变形为凹状或凸状的状态下,通过所述光掩模对所述感光层照射光,由此将尺寸实质上已变化的所述图案转印到所述基板上。
作为曝光方法的一形式,也可以使所述光掩模和所述基板相互均匀地接触后,使所述光掩模和所述基板中的一方相对于另一方侧变形为凹状或凸状,且由此所述另一方也仿照所述一方变形为凸状或凹状,在该状态下,通过所述光掩模对所述感光层照射光,由此将尺寸实质上已变化的所述图案转印到所述基板上。
作为曝光方法的另一形式,也可以使所述光掩模和所述基板中的一方相对于另一方侧变形为凹状或凸状后,使所述光掩模和所述基板相互均匀地接触,且由此所述另一方也仿照所述一方变形为凸状或凹状,在该状态下,通过所述光掩模对所述感光层照射光,由此将尺寸实质上已变化的所述图案转印到所述基板上。
可以通过使所述光掩模和所述基板之间的间隙空间变为比其他区域减压的状态,由此使所述光掩模和所述基板相互均匀地接触。
在所述光掩模和所述基板的相互对应的位置分别设置有对位标记时,可以通过标记检测机构检测该对位标记,根据检测出的数据,运算所述光掩模和所述基板的对位标记间的位置偏移量,按照运算结果,控制使所述光掩模和所述基板变形为凹状或凸状的变形量。
作为变形的一形式,可以使所述基板相对于所述光掩模变形为凹状或凸状。
所述基板由板状基板支承构件的主面支承,该基板支承构件其外缘由框状基座构件保持,且安放在基板支承台上,该基板支承台具有用于使所述基板支承构件变形的变形机构时,通过使该变形机构动作,使所述基板支承构件变形,由此可以使所述基板相对于所述光掩模侧变形为凹状或凸状。
所述变形机构可以使所述基板支承构件的中央部区域相对于所述光掩模侧突出或拉入,由此使所述基板相对于所述光掩模侧变形为凹状或凸状。
在所述光掩模和所述基板的相互对应的位置分别设置有对位标记时,可以通过标记检测机构检测该对位标记,根据检测出的数据,运算所述光掩模和所述基板的对位标记间的位置偏移量,按照运算结果,控制基于所述变形机构的所述基板的变形量。
在本发明的曝光方法中,可以使用相互厚度不同的基板和光掩模。
根据本发明,提供一种曝光装置,其用于曝光方法中,所述曝光方法为,将描绘有图案的光掩模配置在表面形成有感光层的基板的覆盖该感光层的位置,使所述光掩模和所述基板相互均匀地接触后,通过所述光掩模对所述基板的所述感光层照射光,由此将所述图案转印到所述基板上,所述曝光装置的特征在于,包括:
用于使所述光掩模和所述基板相互均匀地接触的接触机构;
用于使所述光掩模和所述基板相对于各自变形为凹状或凸状的变形机构;和
在所述接触机构和所述变形机构的作用下,所述光掩模和所述基板相互均匀地接触,且所述光掩模和所述基板相对于各自变形为凹状或凸状的状态下,通过所述光掩模对所述感光层照射光的光照射装置,
将尺寸实质上已变化的所述图案转印到所述基板上。
作为曝光装置的一形式,可以通过所述接触机构使所述光掩模和所述基板相互均匀地接触后,
通过所述变形机构使所述光掩模和所述基板中的一方相对于另一方侧变形为凹状或凸状,且由此所述另一方也仿照所述一方变形为凸状或凹状,
在该状态下,利用所述光照射装置,通过所述光掩模对所述感光层照射光,由此将尺寸实质上已变化的所述图案转印到所述基板上。
作为曝光装置的另一形式,可以通过所述变形机构使所述光掩模和所述基板中的一方相对于另一方侧变形为凹状或凸状后,
通过所述接触机构使所述光掩模和所述基板相互均匀地接触,且由此所述另一方也仿照所述一方变形为凸状或凹状,
在该状态下,利用所述光照射装置,通过所述光掩模对所述感光层照射光,由此将尺寸实质上已变化的所述图案转印到所述基板上。
也可以为所述接触机构包括减压机构,该减压机构使所述光掩模和所述基板之间的间隙空间变为比其他区域减压的状态。
在所述光掩模和所述基板的相互对应的位置分别设置有对位标记时,可以通过标记检测机构检测该对位标记,根据检测出的数据,运算所述光掩模和所述基板的对位标记间的位置偏移量,按照运算结果,控制使所述光掩模和所述基板变形为凹状或凸状的变形量。
也可以为所述变形机构是使所述基板相对于所述光掩模变形为凹状或凸状的机构。
也可以为所述曝光装置包括:板状基板支承构件,其用于将所述基板支承于主面,且其外缘由框状基座构件保持;和
基板支承台,其支承用于使所述基板支承构件相对于所述光掩模侧变形为凹状或凸状的基板支承构件变形机构,
通过使该基板支承构件变形机构动作,由此使所述基板相对于所述光掩模变形为凹状或凸状。
也可以为所述基板支承构件变形机构具备螺钉和电机。
或者也可以为所述基板支承构件变形机构是用空气压力驱动的机构。
也可以为所述基板支承构件变形机构是使所述基板支承构件的中央部区域相对于所述光掩模侧突出或拉入的机构。
在所述光掩模和所述基板的相互对应的位置分别设置有对位标记时,通过标记检测机构检测该对位标记,根据检测出的数据,运算所述光掩模和所述基板的对位标记间的位置偏移量,按照运算结果,控制基于所述变形机构的所述基板的变形量。
所述标记检测机构可以为CCD相机。
可以使用相互厚度不同的所述基板和所述光掩模。
附图说明
图1是表示基板和光掩模用同一尺度制成,在双方的对位标记中,在标记间的间距上没有误差,对应的标记的中心一致,基板和光掩模的理想的对位状态的俯视图。
图2是表示基板的对位标记的标记间间距比光掩模的对位标记的标记间间距短时,基板和光掩模的对位状态的俯视图。
图3是用于说明本发明的原理的相互重叠的基板和光掩模的第一剖视图。
图4是用于说明本发明的原理的相互重叠的基板和光掩模的第二剖视图。
图5是用于说明本发明的原理的相互重叠的基板和光掩模的第三剖视图。
图6是表示基于本发明的一个实施方式的曝光装置的概略侧视图。
图7是用于说明使用了基于本发明一个实施方式的曝光装置的曝光方法的第一状态图。
图8是用于说明使用了基于本发明一个实施方式的曝光装置的曝光方法的第二状态图。
图9是表示基于本发明其他实施方式的曝光装置的概略侧视图。
具体实施方式
图3表示相同长度L的基板1和光掩模2平面状接触并重叠的状态。在光掩模2的一方的主面2A上描绘有图案。通常使用的玻璃制的光掩模2的厚度T2是5mm左右,基板1为印刷电路板时,其厚度T1常常为1mm以下。再有,用单点划线表示光掩模2的厚度T2的中心线2C。
图4表示基板1和光掩模2相互均匀地接触并重叠的状态,表示光掩模2的基板1侧变为凹状,光掩模2和基板1都弯曲的状态。如图所示,光掩模2的厚度T2比较厚,所以弯曲的状态的光掩模2以厚度T2的中心线2C为边界线,基板1侧缩短,其相反侧伸长。而基板1的厚度T1比光掩模2的厚度T2薄很多,所以表背侧的伸缩差很小。再有,作为光掩模2,可以使用描绘有图案的薄膜制掩模与玻璃板紧贴的光掩模。
如在图4中观察的那样,与基板1相接的光掩模2的长度相对于基板1的长度,只缩小以S1表示的值。即与基板1相接的光掩模2的主面2A上描绘的图案(参照图1的图案5)的长度也与该值成比例缩小。
此外,图5表示光掩模2和基板1,与图4相反地弯曲的状态。与基板1相接的光掩模2的长度相对于基板1的长度,只伸长以S2表示的值。
如此可知,如果光掩模2和基板1处于相互均匀接触重叠并且弯曲的状态,光掩模2上描绘的图案的尺度相对于基板1的尺度相对地变化。
本发明使用该原理,在使光掩模2上描绘的图案的尺度与基板的尺度一致地变化的状态下进行曝光,由此将光掩模上描绘的图案以高精度转印到基板上确定的位置。
下面,参照图6~图8说明本发明的一个实施方式的曝光方法和曝光装置。图6是表示本发明的一个实施方式的曝光装置100的图,表示光掩模2和基板1相互隔开间隙对置地平面状配置的状态。该状态下,对基板1和光掩模2附设的对位标记3、4(参照图1和图2)由标记检测机构即CCD相机11读取,根据该数据,使基板1和光掩模2的任意一个沿X·Y·θ方向移动,进行基板1和光掩模2的对位。
对基板1和光掩模2附设的各对位标记3、4的标记间间距的尺度不同时,使对应的各对的对位标记间的位置偏移量均匀化地进行对位,同时,取得与基板1和光掩模2的尺度的差异有关的数据。
下面,参照图6,说明基板1和光掩模2的支承构造和机构。首先,在板状的基板支承构件15的上面(主面),通过设置在基板支承构件15上的吸引孔9吸引支承基板1。吸引孔9与负压源(省略图示)连接。
如图所示,板状的基板支承构件15由框状基座构件6保持周围,通过框状基座构件6安放在基板支承台7上。使该板状基板支承构件15的中央部区域相对于光掩模2侧变形为凹状或凸状的基板支承构件变形机构8由基板支承台7支承。再有,框状基座构件6、基板支承台7、基板支承构件变形机构8、板状基板支承构件15构成基板支承构造100A。
在基板支承构件变形机构8中作为一个例子使用螺钉8a和电机8b。使用电机8b使该螺钉8a围绕轴旋转,由此能将板状基板支承构件15相对于光掩模2侧变形为凹状或凸状。再有,在本实施方式中,图示使外螺钉旋转的情形,但是也可以使与该外螺钉啮合的内螺钉旋转。此外,作为基板支承构件变形机构8的其他结构,也可以采用图9所示的由空气压力驱动的气缸机构8A。再有,只要是能使板状基板支承构件15相对于光掩模2侧变形为凹状或凸状的机构,就能采用其他众所周知的机构。
下面,图7表示基板1和支承基板1的板状基板支承构件15在基板支承构件变形机构8的作用下,相对于光掩模2弯曲为凸状的状态。该基板1和支承基板1的板状基板支承构件15弯曲为凸状的程度即变形量,通过将图6中描述的与基板1和光掩模2的尺度差异有关的数据输入到预先确定的运算式中,由运算出的值来确定,以使基板1和光掩模2的尺度尽量一致。即,按照所述运算的结果,控制基于基板支承构件变形机构8的板状基板支承构件15的移动量,从而控制并确定基板1的变形量。如此,基板支承构件变形机构8在广义上可以说是用于使基板1变形的变形机构。
图8表示图7所示的将基板1和支承基板1的板状基板支承构件15弯曲为凸状的状态下的曝光工序。通过适当的接触机构(未图示),按压光掩模2使其与基板1的整个面均匀地接触。于是,光掩模2也沿着基板1弯曲为与基板1相同的形状。结果,根据图3~图5所示的原理,基板1的设置感光层的侧的表面和光掩模2上的图案5的尺度一致,曝光用的光12在光照射装置(未图示)的作用下通过光掩模2照射到基板1上时,光掩模2上描绘地图案以高精度切实地转印到基板1上。
再有,图6所示的光掩模2和基板1平面状隔开间隙重叠的状态下的基板1和光掩模2的对位并不一定是必须的,也可以在图7所示的将基板1弯曲为凸状的状态下,进行光掩模2和基板1的对位。
此外,在基板支承构件15或其上,包围基板1,设置可与光掩模2的相对面接触的环状的密封构件(未图示),使基板1和光掩模2间的间隙空间,更具体而言,使由环状密封构件、基板支承构件15和光掩模2形成的封闭空间变为比外部的区域减压的状态,由此在基板1的整个面上均匀地接触光掩模2。这时,包括与所述间隙空间连通的负压源(省略图示)的减压机构成为用于使光掩模2和基板1相互均匀地接触的接触机构。
作为其他形式的接触机构,也可以采用使支承光掩模2的周缘的框架10上下移动的机构。
进而,在图6~图9所示的装置结构中,表示使基板支承构件15变形为凹状或凸状的基板支承构件变形机构在基板支承构件15的中央部区域设置一个的情形,但是位置和个数并不限定。
此外,在本实施方式中,在基板1和光掩模2相互均匀地接触的状态下,并且在变形为凹状或凸状的状态下,将光掩模2上描绘的图案切实地转印到基板1上,但是凹状或凸状的具体的形状希望为球面或接近球面的形状。
即,这是由于,在基板1的中央位置设置使其变形的机构,如果使基板支承构件15、基板1和光掩模2变形为球面状,就能从基板1的中央位置向外方向均匀地改变尺度。
再有,作为使基板1和光掩模2变形为球面状的基础的基板支承构件15在图6~图8所示的实施方式中是板状,以由框状基座构件6支承周围的状态表示。可是,为了使基板支承构件15变形为球面状,作为更有效的支承方法,希望在构成以设置有使其变形的机构的基板1的中央位置为中心的圆周的连续区域上,或者沿着内周相互隔开间距排列的多个区域上,或者圆周附近的多个位置,将基板支承构件15支承在框状基座构件6上。
进而,为了使基板支承构件15方便地变形为球面状,基板支承构件15的刚性可以根据位置而不同。刚性的变动可以通过厚度的变化来实现。
在所述的实施方式中,表示了基板1和支承基板1的板状的基板支承构件15弯曲为凸状的状态下的曝光工序,但是支承基板1的板状的基板支承构件15弯曲为凹状的状态下的曝光工序也同样。此外,在图6~图8中,图示了大致水平地配置基板1和光掩模2的情形,但是,即使是基板1和光掩模2大致垂直地配置的装置结构,也能取得同样的作用效果。
此外,除了将基板1弯曲为凹状或凸状后,一边使光掩模2与基板均匀接触,一边使其仿照基板1的形状弯曲的方法以外,相反将光掩模2弯曲为凹状或凸状后,一边使基板1与光掩模2均匀接触,一边使其仿照光掩模2的形状弯曲的方法和用于该方法的装置也是本发明的实施方式。
进而,使基板1和光掩模2相互均匀接触后,使双方一起弯曲为凹状或凸状的方法和用于该方法的装置也是本发明的实施方式。
以上,这次公开的所述实施方式在所有方面都仅是例示,不是限定的解释的根据。因此,本发明的技术范围不只通过所述的实施方式来解释,根据权利要求书的记载来界定。此外,与权利要求书均等的意思和范围内的全部变更包含在本发明中。
根据本发明的曝光方法和曝光装置,在到达曝光工序之前接受的加热处理等中,即使在基板和光掩模中产生尺寸变化,也能将光掩模上描绘的图案以高精度转印到基板上。
Claims (23)
1.一种曝光方法,将描绘有图案的光掩模配置在表面形成有感光层的基板的覆盖感光层的位置,使所述光掩模和所述基板相互均匀地接触后,通过所述光掩模对所述基板的所述感光层照射光,由此将所述图案转印到所述基板上,其特征在于:
在所述光掩模和所述基板相互均匀地接触且所述光掩模和所述基板相对于各自变形为凹状或凸状的状态下,通过所述光掩模对所述感光层照射光,由此将尺寸实质上已变化的所述图案转印到所述基板上。
2.根据权利要求1所述的曝光方法,其特征在于:
使所述光掩模和所述基板相互均匀地接触后,使所述光掩模和所述基板中的一方相对于另一方侧变形为凹状或凸状,且由此所述另一方也仿照所述一方变形为凸状或凹状,在该状态下,通过所述光掩模对所述感光层照射光,由此将尺寸实质上已变化的所述图案转印到所述基板上。
3.根据权利要求1所述的曝光方法,其特征在于:
使所述光掩模和所述基板中的一方相对于另一方侧变形为凹状或凸状后,使所述光掩模和所述基板相互均匀地接触,且由此所述另一方也仿照所述一方变形为凸状或凹状,在该状态下,通过所述光掩模对所述感光层照射光,由此将尺寸实质上已变化的所述图案转印到所述基板上。
4.根据权利要求2或3所述的曝光方法,其特征在于:
通过使所述光掩模和所述基板之间的间隙空间变为比其他区域减压的状态,由此使所述光掩模和所述基板相互均匀地接触。
5.根据权利要求1~4中的任意一项所述的曝光方法,其特征在于:
在所述光掩模和所述基板的相互对应的位置分别设置有对位标记,通过标记检测机构检测该对位标记,根据检测出的数据,运算所述光掩模和所述基板的对位标记间的位置偏移量,按照运算结果,控制使所述光掩模和所述基板变形为凹状或凸状的变形量。
6.根据权利要求1~5中的任意一项所述的曝光方法,其特征在于:
使所述基板相对于所述光掩模变形为凹状或凸状。
7.根据权利要求6所述的曝光方法,其特征在于:
所述基板由板状基板支承构件的主面支承,该基板支承构件其外缘由框状基座构件保持,且安放在基板支承台上,该基板支承台具有用于使所述基板支承构件变形的变形机构,通过使该变形机构动作,使所述基板支承构件变形,由此使所述基板相对于所述光掩模侧变形为凹状或凸状。
8.根据权利要求7所述的曝光方法,其特征在于:
所述变形机构使所述基板支承构件的中央部区域相对于所述光掩模侧突出或拉入,由此使所述基板相对于所述光掩模侧变形为凹状或凸状。
9.根据权利要求6~8中的任意一项所述的曝光方法,其特征在于:
在所述光掩模和所述基板的相互对应的位置分别设置有对位标记,通过标记检测机构检测该对位标记,根据检测出的数据,运算所述光掩模和所述基板的对位标记间的位置偏移量,按照运算结果,控制基于所述变形机构的所述基板的变形量。
10.根据权利要求1~9中的任意一项所述的曝光方法,其特征在于:
使用相互厚度不同的基板和光掩模。
11.一种曝光装置,其用于曝光方法中,所述曝光方法为,将描绘有图案的光掩模配置在表面形成有感光层的基板的覆盖该感光层的位置,使所述光掩模和所述基板相互均匀地接触后,通过所述光掩模对所述基板的所述感光层照射光,由此将所述图案转印到所述基板上,所述曝光装置的特征在于,包括:
用于使所述光掩模和所述基板相互均匀地接触的接触机构;
用于使所述光掩模和所述基板相对于各自变形为凹状或凸状的变形机构;和
在所述接触机构和所述变形机构的作用下,所述光掩模和所述基板相互均匀地接触,且所述光掩模和所述基板相对于各自变形为凹状或凸状的状态下,通过所述光掩模对所述感光层照射光的光照射装置,
将尺寸实质上已变化的所述图案转印到所述基板上。
12.根据权利要求11所述的曝光装置,其特征在于:
通过所述接触机构使所述光掩模和所述基板相互均匀地接触后,
通过所述变形机构使所述光掩模和所述基板中的一方相对于另一方侧变形为凹状或凸状,且由此所述另一方也仿照所述一方变形为凸状或凹状,
在该状态下,利用所述光照射装置,通过所述光掩模对所述感光层照射光,由此将尺寸实质上已变化的所述图案转印到所述基板上。
13.根据权利要求11所述的曝光装置,其特征在于:
通过所述变形机构使所述光掩模和所述基板中的一方相对于另一方侧变形为凹状或凸状后,
通过所述接触机构使所述光掩模和所述基板相互均匀地接触,且由此所述另一方也仿照所述一方变形为凸状或凹状,
在该状态下,利用所述光照射装置,通过所述光掩模对所述感光层照射光,由此将尺寸实质上已变化的所述图案转印到所述基板上。
14.根据权利要求11~13中的任意一项所述的曝光装置,其特征在于:
所述接触机构包括减压机构,该减压机构使所述光掩模和所述基板之间的间隙空间变为比其他区域减压的状态。
15.根据权利要求11~14中的任意一项所述的曝光装置,其特征在于:
在所述光掩模和所述基板的相互对应的位置分别设置有对位标记,通过标记检测机构检测该对位标记,根据检测出的数据,运算所述光掩模和所述基板的对位标记间的位置偏移量,按照运算结果,控制使所述光掩模和所述基板变形为凹状或凸状的变形量。
16.根据权利要求11~15中的任意一项所述的曝光装置,其特征在于:
所述变形机构是使所述基板相对于所述光掩模变形为凹状或凸状的机构。
17.根据权利要求16所述的曝光装置,其特征在于,包括:
板状基板支承构件,其用于将所述基板支承于主面,且其外缘由框状基座构件保持;和
基板支承台,其支承用于使所述基板支承构件相对于所述光掩模侧变形为凹状或凸状的基板支承构件变形机构,
通过使该基板支承构件变形机构动作,由此使所述基板相对于所述光掩模变形为凹状或凸状。
18.根据权利要求17所述的曝光装置,其特征在于:
所述基板支承构件变形机构具备螺钉和电机。
19.根据权利要求17所述的曝光装置,其特征在于:
所述基板支承构件变形机构是用空气压力驱动的机构。
20.根据权利要求17~19中的任意一项所述的曝光装置,其特征在于:
所述基板支承构件变形机构是使所述基板支承构件的中央部区域相对于所述光掩模侧突出或拉入的机构。
21.根据权利要求16~20中的任意一项所述的曝光装置,其特征在于:
在所述光掩模和所述基板的相互对应的位置分别设置有对位标记,通过标记检测机构检测该对位标记,根据检测出的数据,运算所述光掩模和所述基板的对位标记间的位置偏移量,按照运算结果,控制基于所述变形机构的所述基板的变形量。
22.根据权利要求15~21中的任意一项所述的曝光装置,其特征在于:
所述标记检测机构为CCD相机。
23.根据权利要求11~22中的任意一项所述的曝光装置,其特征在于:
所述基板和所述光掩模的厚度不同。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP180085/2005 | 2005-06-21 | ||
JP2005180085 | 2005-06-21 | ||
JP2006031178 | 2006-02-08 | ||
JP031178/2006 | 2006-02-08 | ||
PCT/JP2006/312319 WO2006137396A1 (ja) | 2005-06-21 | 2006-06-20 | 露光方法および露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101194210A true CN101194210A (zh) | 2008-06-04 |
CN101194210B CN101194210B (zh) | 2010-06-16 |
Family
ID=37570425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2006800203692A Active CN101194210B (zh) | 2005-06-21 | 2006-06-20 | 曝光方法和曝光装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3983278B2 (zh) |
KR (1) | KR101435123B1 (zh) |
CN (1) | CN101194210B (zh) |
TW (1) | TW200707137A (zh) |
WO (1) | WO2006137396A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106575086A (zh) * | 2014-08-01 | 2017-04-19 | 株式会社村田制作所 | 直写型曝光装置 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008139643A1 (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Sanei Giken Co., Ltd. | 露光方法および露光装置 |
JP6142450B2 (ja) * | 2011-09-09 | 2017-06-07 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 密着露光装置及び密着露光方法 |
TW201614446A (en) * | 2014-10-14 | 2016-04-16 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Curved surface touch device and manufacturing method for curved surface touch device |
JP6663252B2 (ja) * | 2016-03-01 | 2020-03-11 | 株式会社アドテックエンジニアリング | プリント基板用露光装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6211231A (ja) * | 1985-06-25 | 1987-01-20 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | ウエハとマスクとの密着方法 |
JPH11194507A (ja) * | 1998-01-05 | 1999-07-21 | Adtec Engineeng:Kk | 露光装置 |
JPH11312635A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Ushio Inc | コンタクト露光方法 |
JP2000315638A (ja) * | 1999-04-28 | 2000-11-14 | Teosu Kk | アライメント方法とその装置 |
JP2002091010A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 密着露光装置 |
JP2002367895A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-12-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | フォトレジストの露光方法および装置並びに基板 |
-
2006
- 2006-06-20 KR KR1020087001539A patent/KR101435123B1/ko active IP Right Grant
- 2006-06-20 WO PCT/JP2006/312319 patent/WO2006137396A1/ja active Application Filing
- 2006-06-20 JP JP2007502722A patent/JP3983278B2/ja active Active
- 2006-06-20 CN CN2006800203692A patent/CN101194210B/zh active Active
- 2006-06-21 TW TW095122309A patent/TW200707137A/zh unknown
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106575086A (zh) * | 2014-08-01 | 2017-04-19 | 株式会社村田制作所 | 直写型曝光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080023350A (ko) | 2008-03-13 |
JP3983278B2 (ja) | 2007-09-26 |
KR101435123B1 (ko) | 2014-08-27 |
JPWO2006137396A1 (ja) | 2009-01-22 |
WO2006137396A1 (ja) | 2006-12-28 |
CN101194210B (zh) | 2010-06-16 |
TW200707137A (en) | 2007-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5117672B2 (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
US7371489B2 (en) | Photomask, method for detecting pattern defect of the same, and method for making pattern using the same | |
CN101194210B (zh) | 曝光方法和曝光装置 | |
US7473499B2 (en) | Electroactive polymers for lithography | |
KR20110030477A (ko) | 공작물 상에 연속적으로 패터닝된 층들 사이의 오버레이를 보상하기 위한 방법 및 장치 | |
JP2006310446A (ja) | 半導体装置の製造方法、および露光装置 | |
TW202223556A (zh) | 具有校準的無光罩曝光設備 | |
JP2006278648A (ja) | 両面露光方法 | |
JP2005148531A (ja) | 基板伸縮に対応したプリント配線基板用露光装置 | |
JP2023164945A (ja) | 露光装置およびアライメント方法 | |
KR101089839B1 (ko) | 노광장치 및 위치맞춤 방법 | |
TWI444759B (zh) | 光罩、曝光方法與曝光裝置 | |
JP6861693B2 (ja) | 形成方法、システム、リソグラフィ装置、物品の製造方法、およびプログラム | |
JP7089607B2 (ja) | リソグラフィ装置 | |
JPS61242021A (ja) | 露光装置 | |
JP2005003965A (ja) | 露光装置 | |
JP2005062706A (ja) | 露光装置 | |
JP2020106649A (ja) | パターン複製装置及び検査方法 | |
JP2005338357A (ja) | プリント配線板の製造方法および装置 | |
CN113495437A (zh) | 曝光装置、图案形成装置以及曝光方法 | |
JPH0822131A (ja) | 露光における位置合わせ装置 | |
CN113439238A (zh) | 形成方法、形成装置以及物品的制造方法 | |
JPH01191152A (ja) | プリント基板製作の露光方法及び装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |