CN101191036A - 一种用于化学机械抛光的淤浆组合物及其前体组合物 - Google Patents
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Abstract
公开了一种用于化学机械抛光的淤浆组合物及其前体组合物。该抛光淤浆组合物含有磨料颗粒、pH值调节剂、表面活性剂和去离子水，其中，所述表面活性剂包括两个或更多个离子部分和两个或更多个亲脂基团。该组合物对具有阶梯高度的半导体的凸面进行抛光的抛光速率高于作为半导体抛光停止层的凹面的抛光速率，从而使抛光可以自动停止，以减少抛光过程后表面缺陷的产生，并且具有高度的抛光平面化和优良的分散稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于化学机械抛光的抛光淤浆组合物，更具体地涉及一种含有具有两个或更多个离子部分(即，亲水部分)和两个或更多个亲脂基团的表面活性剂的抛光淤浆组合物。
背景技术
高度集成的半导体设备在开发需要大的数据存储容量和高的数据处理速度的电子媒体中起到重要的作用。由于多功能移动电子媒体的发展，半导体设备小型化的重要性也得到加强。高度集成和小型化的需求使平面化方法在小线宽的半导体设备的制造中具有重要的作用。
化学机械抛光(CMP)过程已经用于制备具有小线宽的半导体设备。一般情况下，用于CMP过程的抛光淤浆含有去离子水、磨料颗粒以及选择性地含有的抛光性能助剂或稳定剂。这种CMP过程基于一种原则，即在以下情况下供应抛光淤浆：将待抛光的材料放置在与抛光衬垫接触的位置，使抛光淤浆与所述材料的表面发生化学反应，与此同时抛光衬垫相对于所述材料移动，对不规则的材料进行物理平面化。
通过用于制备半导体层间电介质(ILD)的CMP过程，以高于作为单层材料抛光停止层的凹面的抛光速率的速率，对具有阶梯高度的单层材料的凸面进行抛光，从而使该单层材料平面化。一般情况下，用于ILD抛光的淤浆在半导体的凹面和凸面之间的抛光速率稍微不同，从而使抛光过程的自动停止变得困难。此外，淤浆通常在表面性能和存储稳定性方面存在很多问题。
如上所述，由于半导体设备变的更加集成化和小型化，因此，CMP过程将越来越重要。然而，为了制造具有超细线宽的设备，仍然需要许多改进，例如，高度平面化和减少缺陷。
发明内容
本发明提供了一种化学机械抛光淤浆组合物，在需要高度平面化的半导体的抛光过程中，该组合物能够以高于作为单层材料抛光停止层的凹面的抛光速率的速率，对具有阶梯高度的单层材料的凸面进行抛光，从而使抛光过程能够自动停止，能够减少抛光过程后表面缺陷的发生，并且具有高度的抛光平面性和良好的分散稳定性。
本发明还提供了一种化学机械抛光淤浆组合物的前体组合物。
根据本发明，所述抛光淤浆组合物可以含有磨料颗粒、pH值调节剂、表面活性剂和去离子水，其中，所述表面活性剂包括两个或更多个离子部分和两个或更多个亲脂基团。
本发明的实施方式中，基于所述淤浆组合物的总重量，所述表面活性剂的含量约为0.001-10重量％。
本发明另一实施方式中，所述表面活性剂可以为下式1或2的化合物：
其中，Ra、Rb、Rc、Rd、Re和Rf各自独立地为C1-C20的烷基，X为卤素，p和q各自独立地为1-10的整数；或
其中，Ra、Rb、Rc、Rd、Re和Rf各自独立地为C1-C20的烷基，X为卤素，p和q各自独立地为1-10的整数，n为1-20的整数。
本发明另一实施方式中，所述磨料颗粒可以选自热解法二氧化硅颗粒、胶态二氧化硅颗粒、氧化铝颗粒、二氧化铈颗粒、和它们的混合物。
本发明另一实施方式中，所述磨料颗粒可以包括平均粒径约为50-500nm的二氧化铈颗粒，基于所述淤浆组合物的总重量，所述二氧化铈颗粒的含量约为0.25-20重量％。
本发明另一实施方式中，所述磨料颗粒可以包括热解法二氧化硅颗粒，该热解法二氧化硅颗粒在使用前进行了单分散，以形成平均粒径约为100-400nm的团聚体(aggregate)。
本发明另一实施方式中，所述pH值调节剂可以选自KOH、氨、四甲基氢氧化铵(TMAH)、三甲基乙氧基氢氧化铵、N，N-二甲基哌啶鎓氢氧化物、和它们的混合物。
本发明另一实施方式中，所述淤浆组合物还可以含有阴离子聚合物。
本发明另一实施方式中，所述阴离子聚合物可以为通过将分子结构中具有羧酸基团或磺酸基团的单体进行聚合而得到的聚合物，所述聚合物的重均分子量可以不超过10000。
根据本发明，提供了一种抛光淤浆前体组合物，该组合物含有pH值调节剂、表面活性剂和去离子水，其中，所述表面活性剂包括两个或更多个离子部分和两个或更多个亲脂基团。
本发明一实施方式中，所述表面活性剂可以为下式1或2的化合物：
其中，Ra、Rb、Rc、Rd、Re和Rf各自独立地为C1-C20的烷基，X为卤素，p和q各自独立地为1-10的整数；或
其中，Ra、Rb、Rc、Rd、Re和Rf各自独立地为C1-C20的烷基，X为卤素，p和q各自独立地为1-10的整数，n为1-20的整数。
具体实施方式
现在，通过以下对本发明的详细描述而更充分地描述本发明，其中描述了部分实施方式而非全部的实施方式。实际上，本发明可以以许多不同的形式进行实施，而不应认为限于在此所描述的实施方式，而应该理解为，提供这些实施方式是为了使这种公开能够满足所适用的法律要求。
本发明提供了一种用于化学机械抛光的淤浆组合物，该组合物在需要高度平面化的半导体的抛光过程中显示出较高的平面化，能够使抛光过程自动停止，能够大幅度地减少抛光过程后表面缺陷的发生。本发明还提供了一种所述淤浆组合物的前体组合物。
本发明的抛光淤浆组合物可以含有磨料颗粒、pH值调节剂、表面活性剂和去离子水，其中，所述表面活性剂包括两个或更多个离子部分和两个或更多个亲脂基团。
磨料颗粒的例子包括但不限于热解法二氧化硅颗粒；胶态二氧化硅颗粒；金属氧化物颗粒，例如，氧化铝颗粒或二氧化铈颗粒；和它们的混合物。本发明一示范性实施方式可以使用平均粒径约为50-500nm的二氧化铈颗粒，以所述淤浆组合物的总重量为基准，所述二氧化铈颗粒的用量约为0.25-20重量％。当所述磨料颗粒包括热解法二氧化硅颗粒时，所述热解法二氧化硅颗粒可以在使用前进行单分散，以形成平均粒径约为100-400nm的团聚体。这种热解法二氧化硅颗粒的单分散可以通过以下方法实现：将含有所有共混入其中的组分的淤浆在高压下进行加速，以在小孔中形成剪切力、碰撞和气穴现象(见，申请号为1998-39212和1999-34608的韩国专利申请)。
因为液体中存在有分散状态的所述金属氧化物颗粒，因此，可以加入一种或多种添加剂以稳定金属氧化物颗粒。这种添加剂的例子包括通过静电作用能够得到分散稳定性的pH值调节剂，考虑到颗粒的界面特性而加入的表面活性剂，以及考虑到颗粒的电学性能而加入的聚合物。
用于本发明抛光淤浆组合物的pH值调节剂可以为有机碱。合适的有机碱的例子包括KOH、氨、四甲基氢氧化铵(TMAH)、三甲基乙氧基氢氧化铵和N，N-二甲基哌啶鎓氢氧化物。这些有机碱可以单独使用也可以混合使用。所述pH值调节剂可以用于调节最终淤浆组合物的pH值。对于pH值调节，以所述淤浆组合物的总重量为基准，所述pH值调节剂的用量可以为约0.02-5重量％。
当所述磨料颗粒为固有离子性为正值的二氧化铈颗粒时，考虑到颗粒的电学性能，可使用阴离子聚合物。所述阴离子聚合物可以通过将分子结构中具有羧酸基团或磺酸基团的单体进行聚合而制得，并且阴离子聚合物的重均分子量可以不超过10000。以所述淤浆组合物的总重量为基准，所述阴离子聚合物的含量可以为约0.02-5重量％。本发明所用的阴离子聚合物的例子可以包括但不限于聚丙烯酸、聚磺酸、聚丙烯酸/马来酸共聚物、聚丙烯酸/酰胺共聚物、和它们的混合物。
本发明的淤浆组合物还可以含有具有两个或更多个离子部分和两个或更多个亲脂基团的表面活性剂。通常的表面活性剂具有由一个离子部分和一个亲脂基团的结构，并且在不同的界面表现出其固有的界面特性。与通常的表面活性剂相比，本发明淤浆组合物所用的表面活性剂具有两个或更多个离子部分和两个或更多个亲脂基团，具有相对较低的临界胶束浓度(CMC)，并且取向数(orientation number)(n)在相对较窄的范围内。因此，本发明所用的表面活性剂能够表现出改进的界面特性，例如，乳化作用、分散性和吸附。这种表面活性剂被称为“双子表面活性剂(gemini surfactant)”。本发明人在抛光淤浆组合物和其前体组合物中引入了一种双子表面活性剂，以增强待抛光层状材料的平面化，并尽量减少表面缺陷的发生。所述双子表面活性剂如以下式1或2所示：
其中，Ra、Rb、Rc、Rd、Re和Rf各自独立地为C1-C20的烷基，X为卤素，p和q各自独立地为1-10的整数；或
其中，Ra、Rb、Rc、Rd、Re和Rf各自独立地为C1-C20的烷基，X为卤素，p和q各自独立地为1-10的整数，n为1-20的整数。
式1中，Ra、Rb、Rc、Rd，、Re和Rf可以各自为碳原子数为1-12的烷基，例如，碳原子数为1-4的烷基；p和q可以各自为1-3的整数，例如1；X可以为Cl。
式2中，Ra、Rb、Rc、Rd、Re和Rf可以各自为碳原子数为1-4的烷基；n可以为1-8的整数，例如，1-4的整数；p和q可以各自为1-3的整数，例如1；X可以为Cl。
本发明所用双子表面活性剂具有以下作用。
首先，所述双子表面活性剂能够控制具有阶梯高度的半导体的表面突出部分(凸表面)的抛光速率与半导体的表面凹陷部分(凹表面)的抛光速率的比值，因此，可以得到高平面化的半导体。这种控制基于双子表面活性剂的表面吸附现象。通常的抛光淤浆的缺点在于半导体的凸表面和凹表面的抛光速率没有本质的差异。相反，当本发明的含有双子表面活性剂的抛光淤浆用于抛光半导体时，在初始阶段，其仅抛光半导体表面的突出部分，其后继续抛光直到半导体凸表面的高度达到半导体凹表面的高度。结果，本发明的淤浆组合物能够自动停止抛光过程，这是因为双子表面活性剂的亲水部分附着于半导体的表面。由于通常的抛光淤浆中并没有发现此现象，半导体的凹表面和凸表面同时被抛光至某种程度。双子表面活性剂在本发明抛光淤浆组合物中的应用使半导体凸表面和凹表面的相对抛光速率得到控制。
根据待抛光的层状材料的种类，所述双子表面活性剂的量可以稍做改变。在多数氧化物层状材料中，以所述淤浆组合物的总重量为基准，所述双子表面活性剂的用量约为0.001-10重量％，例如，约0.001-5重量％。
其次，由于所述双子表面活性剂具有较低的临界胶束浓度，并且与通常的表面活性剂相比更容易使颗粒分散，因此它可以显著地稳定磨料颗粒的性态。此外，由于所述双子表面活性剂在抛光后能够提供优良的清洁特性，因此它可以提高淤浆组合物的储存稳定性，并能够减少抛光后表面缺陷的发生。
另一方面，在二氧化铈颗粒用作磨料颗粒的情况下，分别制备以下两种溶液，即，i)在去离子水中含有金属氧化物磨料颗粒和少量分散剂的溶液，和ii)在去离子水中含有pH值调节剂、分散剂和表面活性剂的前体组合物溶液。此后，在半导体抛光前，将两种溶液混合在一起。这种二元溶液体系能够使淤浆组合物的分散稳定性最大化。
在下文中，参考以下实施例对本发明进行更加详细的说明。然而，这些实施例的给出仅是为了说明的目的，而不应认为是对本发明范围的限制。
实施例
对比例1
(1)用于ILD的含二氧化硅的淤浆组合物的制备
将875g热解法二氧化硅颗粒充分均匀地分散在6508g去离子水中。然后，在搅拌槽中以500rpm搅拌下，将35g KOH加入至分散液中。添加20分钟后，在搅拌下将28g TMAH加入到搅拌槽中，得到淤浆。使该淤浆通过3μm的过滤器，得到抛光淤浆组合物。使用该淤浆抛光组合物进行抛光。
(2)抛光性能的检测
将8”硅晶片放置于抛光头上，该硅晶片上具有通过正硅酸乙酯等离子体(TEOS-plasma)的化学气相沉积(CVD)而形成的氧化硅膜，用于基片附着的膜靠着压板粘附在该抛光头上，以使氧化硅膜朝下。所述压板由抛光台和附着于抛光台的抛光衬垫组成。抛光的条件如下。
首先，以200ml/min的速率使淤浆组合物在压板上转动一分钟，以对所述二氧化硅进行抛光。抛光结束后，在抛光头上取下所述硅晶片，然后，依次用去离子水、稀氢氟酸(HF)和稀氨水清洗。通过旋转干燥去除清洗后的硅晶片上的水滴。使用总体厚度测试仪(blanket thickness tester)分别测量抛光前和抛光后的层厚度的变化，计算抛光速率并全面观察绝缘膜层表面产生的表面缺陷。
对凸面和凹面间的阶梯高度为3000的用于ILD的图案(pattern)进行抛光。使用图案厚度测试仪检测凸面和凹面的层厚度。通过所述厚度的值计算抛光速率和平面化程度。
通过以下过程计算所述抛光淤浆的分散稳定性或储存稳定性。
首先，将所述磨料颗粒溶液与前体组合物的其它组分混合。混合物在室温下放置3天。检测混合物中沉降的淤浆颗粒的高度。计算沉降的淤浆颗粒的高度与淤浆颗粒的整体高度的比值。
抛光器和测试仪
抛光器：Mirra(AMAT)
抛光衬垫：IC1010/Suba IV Stacked(Rodel)
晶片：PE-TEOS 8”blanket wafer(15,000)
用于ILD的带有图案的晶片(阶梯高度：3,000)
总体厚度测试仪：N&K-1500(N&K)
缺陷检测系统：Surfscan-6420(KLA-Tencor)
图案厚度测试仪：Opti-Probe 2600(Therma Wave)
-抛光条件
轴转速：87rpm
压板转速：93rpm
晶片压力：4.0psi
固定环压力：5.0psi
调节环压力：6.0psi
直线压力：4.0psi
淤浆组合物的流率：200ml/min
温度：25℃
对比例2
(1)含有二氧化铈的淤浆组合物的制备
将5重量％的平均粒径为300nm的二氧化铈颗粒作为金属氧化物颗粒分散至去离子水中，得到磨料颗粒溶液。分别将30重量％的丙烯酸/马来酸共聚物(平均分子量：3000)的去离子水溶液(2.0重量％)和用作pH值调节剂的20重量％的TMAH的去离子水溶液(3.0重量％)加入至去离子水中，得到稀释的前体组合物。将磨料颗粒溶液、前体组合物和去离子水以1∶6∶3的比例混合，以制备淤浆组合物。使用淤浆组合物进行抛光。
(2)抛光性能的检测
通过与对比例1相同的方法，对所述淤浆组合物的抛光性能进行检测。
对比例3
通过与对比例2相同的方法制备淤浆组合物，不同的是，以淤浆组合物的总重量为基准，加入0.75重量％辛基二甲基铵作为阳离子表面活性剂，该表面活性剂包括一个离子部分和一个亲脂基团。使用该淤浆组合物进行抛光，通过与对比例1相同的方法，对所述淤浆组合物的抛光性能进行检测。
对比例4
通过与对比例2相同的方法制备淤浆组合物，不同的是，以淤浆组合物的总重量为基准，加入0.75重量％的加成有7摩尔环氧乙烷的聚氧乙烯基辛基醚作为表面活性剂。使用该淤浆组合物进行抛光，通过与对比例1相同的方法，对所述淤浆组合物的抛光性能进行检测。
实施例1-6
通过与对比例2相同的方法制备淤浆组合物，不同的是，以淤浆组合物的总重量为基准，分别加入0.75重量％的如表1中式3所示的双子表面活性剂作为表面活性剂。使用该淤浆组合物进行抛光，通过与对比例1相同的方法，对所述淤浆组合物的抛光性能进行检测。
实施例7
通过与对比例1相同的方法制备淤浆组合物，不同在于的是，以淤浆组合物的总重量为基准，加入0.75重量％的如表1中式3所示的双子表面活性剂作为表面活性剂。使用该淤浆组合物进行抛光，通过与对比例1相同的方法，对所述淤浆组合物的抛光性能进行检测。
表1
| 实施例编号 | 抛光颗粒 | 表面活性剂 | *1(/min.) | *2(/min.) | *3(数量) | *4 | *5(％) | ||
| 式3 | 其它 | ||||||||
| Ra，Rc，Rd，Rf | Rb，Re | ||||||||
| 对比例1 | 热解法二氧化硅 | - | - | - | 2600 | 1320 | 23 | 23 | 2 |
| 对比例2 | 二氧化铈 | - | - | - | 1643 | 430 | 83 | 32 | 36 |
| 对比例3 | 二氧化铈 | - | - | 辛基二甲基铵 | 643 | 84 | 45 | 28 | 24 |
| 对比例4 | 二氧化铈 | - | - | 聚氧乙烯基辛基醚 | 323 | 125 | 98 | 42 | 26 |
| 实施例1 | 二氧化铈 | 甲基 | 甲基 | 2432 | 160 | 21 | 6 | 4 | |
| 实施例2 | 二氧化铈 | 乙基 | 乙基 | 2136 | 143 | 15 | 7 | 6 | |
| 实施例3 | 二氧化铈 | 甲基 | 正丁基 | 2523 | 172 | 20 | 5 | 5 | |
| 实施例4 | 二氧化铈 | 甲基 | 正己基 | 1827 | 103 | 16 | 10 | 10 | |
| 实施例5 | 二氧化铈 | 甲基 | 正辛基 | 1136 | 56 | 22 | 13 | 18 | |
| 实施例6 | 二氧化铈 | 甲基 | 正十二烷基 | 837 | 23 | 18 | 15 | 23 | |
| 实施例7 | 热解法二氧化硅 | 甲基 | 甲基 | 2827 | 520 | 13 | 8 | 1 | |
注：
*1带有图案的晶片的凸面的抛光速率
*2带有图案的晶片的凹面的抛光速率
*3缺陷：晶片外部抛光后，使用Surfscan-6420检测的晶片表面的缺陷的数量
*4平面化程度：带有图案的晶片的晶片全部表面上凸面的抛光速率的一致性
*5沉降比：在磨料颗粒溶液与前体组合物混合并将该混合物放置3天后，计算沉降的淤浆颗粒与全部淤浆颗粒的高度比。
从表1的结果可以看出，虽然根据磨料颗粒的种类具有细微的差异，但实施例1-7制备的含有双子表面活性剂的淤浆组合物与对比例1-2制备的不含表面活性剂的淤浆组合物和对比例3-4制备的含有常规表面活性剂的淤浆组合物相比，凸面和凹面之间的抛光速率存在较大的差异。此外，含有双子表面活性剂的淤浆组合物抛光后表现出较少的表面缺陷、高度的平面化和优良的分散稳定性。
随着作为双子表面活性剂亲脂基团的烷基的碳原子数的增加，实施例4-6制备的淤浆组合物的抛光性能和其它物理性能逐渐降低。这是由于，随着作为亲脂基团的烷基大小的增加，亲水基团的吸附性降低。
实施例8
通过与对比例2相同的方法制备淤浆组合物，不同的是，以淤浆组合物的总重量为基准，加入0.75重量％的如表2中式4(n＝1)所示的双子表面活性剂作为表面活性剂。使用该淤浆组合物进行抛光，通过与对比例1相同的方法，对所述淤浆组合物的抛光性能进行检测。
实施例9
通过与对比例2相同的方法制备淤浆组合物，不同的是，以淤浆组合物的总重量为基准，加入0.75重量％的如表2中式4(n＝2)所示的双子表面活性剂作为表面活性剂。使用该淤浆组合物进行抛光，通过与对比例1相同的方法，对所述淤浆组合物的抛光性能进行检测。
实施例10
通过与对比例2相同的方法制备淤浆组合物，不同的是，以淤浆组合物的总重量为基准，加入0.75重量％的如表2中式4(n＝4)所示的双子表面活性剂作为表面活性剂。使用该淤浆组合物进行抛光，通过与对比例1相同的方法，对所述淤浆组合物的抛光性能进行检测。
实施例11
通过与对比例1相同的方法制备淤浆组合物，不同的是，以淤浆组合物的总重量为基准，加入0.75重量％的如表2中式4(n＝1)所示的双子表面活性剂作为表面活性剂。使用该淤浆组合物进行抛光，通过与对比例1相同的方法，对所述淤浆组合物的抛光性能进行检测。
表2
| 实施例编号 | 抛光颗粒 | 表面活性剂 | *1(/min.) | *2(/min.) | *3(number) | *4 | *5(％) | ||
| 式3 | 其它 | ||||||||
| Ra，Rc，Rd，Rf | Rb，Re | ||||||||
| 对比例1 | 热解法二氧化硅 | - | - | - | 2600 | 1320 | 23 | 23 | 2 |
| 对比例2 | 二氧化铈 | - | - | - | 1643 | 430 | 83 | 32 | 36 |
| 对比例3 | 二氧化铈 | - | - | 辛基二甲基铵 | 643 | 84 | 45 | 28 | 24 |
| 对比例4 | 二氧化铈 | - | - | 聚氧乙烯基辛基醚 | 323 | 125 | 98 | 42 | 26 |
| 实施例8 | 二氧化铈 | 甲基 | 甲基 | 2120 | 104 | 24 | 4 | 5 | |
| 实施例8 | 二氧化铈 | 乙基 | 乙基 | 1743 | 86 | 22 | 6 | 8 | |
| 实施例10 | 二氧化铈 | 甲基 | 正丁基 | 2236 | 112 | 23 | 4 | 7 | |
| 实施例11 | 热解法二氧化硅 | 甲基 | 甲基 | 2675 | 320 | 18 | 8 | 2 | |
注：
*1凸面的抛光速率
*2凹面的抛光速率
*3缺陷
*4平面化程度
*5沉降比
从表2的结果可以看出，虽然根据磨料颗粒的种类具有细微的差异，但实施例8-11制备的含有双子表面活性剂的淤浆组合物与对比例1-2制备的不含表面活性剂的淤浆组合物和对比例3-4制备的含有常规表面活性剂的淤浆组合物相比，凸面和凹面之间的抛光速率存在较大的差异。此外，含有双子表面活性剂的淤浆组合物抛光后表现出较少的表面缺陷，高度的平面化和优良的分散稳定性。
正如前面所述，本发明提供了一种含有双子表面活性剂的淤浆组合物和的它的前体组合物。由于本发明的淤浆组合物在抛光过程中，对具有阶梯高度的半导体的凸面进行抛光的抛光速率高于作为半导体的抛光停止层的凹面的抛光速率，因此，本发明能够提供一种可以自动停止的抛光过程，能够减少抛光过程后表面缺陷的产生，还能够具有高度的抛光平面化和优良的分散稳定性。
本发明所属技术领域的技术人员通过上述描述的教导，能够想到本发明的多种修改和其它实施方式。因此，应当理解的是，本发明并不限于公开的具体实施方式，本发明的修改和其它实施方式也包括在所附的权利要求书的范围内。虽然在此应用了具体的术语，但它们仅为一般的描述性的意义并且并不是用于限制的目的，本发明的范围在权利要求书中进行限定。
Claims (23)
1.一种抛光淤浆组合物，该组合物含有磨料颗粒、pH值调节剂、表面活性剂和去离子水，其中，所述表面活性剂包括两个或更多个离子部分和两个或更多个亲脂基团。
2.根据权利要求1所述的抛光淤浆组合物，其中，以所述淤浆组合物的总重量为基准，所述表面活性剂的含量约为0.001-10重量％。
3.根据权利要求1所述的抛光淤浆组合物，其中，所述表面活性剂为下式1的化合物：
其中，Ra、Rb、Rc、Rd、Re和Rf各自独立地为C1-C20的烷基，X为卤素，p和q各自独立地为1-10的整数。
4.根据权利要求3所述的抛光淤浆组合物，其中，式1中的Ra、Rb、Rc、Rd、Re和Rf各自为碳原子数为1-12的烷基。
5.根据权利要求3所述的抛光淤浆组合物，其中，式1中的p和q各自为1-3的整数。
6.根据权利要求3所述的抛光淤浆组合物，其中，式1中的X为Cl。
7.根据权利要求1所述的抛光淤浆组合物，其中，所述表面活性剂为下式2的化合物：
其中，Ra、Rb、Rc、Rd、Re和Rf各自独立地为C1-C20的烷基，X为卤素，p和q各自独立地为1-10的整数，n为1-20的整数。
8.根据权利要求7所述的抛光淤浆组合物，其中，式2中的Ra、Rb、Rc、Rd、Re和Rf各自为碳原子数为1-4的烷基。
9.根据权利要求7所述的抛光淤浆组合物，其中，式2中的n为1-8的整数。
10.根据权利要求7所述的抛光淤浆组合物，其中，式2中的X为Cl。
11.根据权利要求1所述的抛光淤浆组合物，其中，所述磨料颗粒选自热解法二氧化硅颗粒、胶态二氧化硅颗粒、氧化铝颗粒、二氧化铈颗粒、及它们的混合物。
12.根据权利要求11所述的抛光淤浆组合物，其中，所述磨料颗粒包括平均粒径约为50-500nm的二氧化铈颗粒，以所述淤浆组合物的总重量为基准，所述二氧化铈颗粒的含量约为0.25-20重量％。
13.根据权利要求11所述的抛光淤浆组合物，其中，所述磨料颗粒包括热解法二氧化硅颗粒，该热解法二氧化硅颗粒在使用前进行了单分散，以形成平均粒径约为100-400nm的团聚体。
14.根据权利要求1所述的抛光淤浆组合物，其中，所述pH值调节剂包括选自KOH、氨、四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、三甲基乙氧基氢氧化铵、N，N-二甲基哌啶鎓氢氧化物、和它们的混合物的pH值调节剂。
15.根据权利要求1所述的抛光淤浆组合物，其中，以所述淤浆组合物的总重量为基准，所述pH值调节剂的含量约为0.02-5重量％。
16.根据权利要求1所述的抛光淤浆组合物，其中，所述淤浆组合物的最终pH约为3-12。
17.根据权利要求1所述的抛光淤浆组合物，其中，所述淤浆组合物还含有阴离子聚合物。
18.根据权利要求17所述的抛光淤浆组合物，其中，以所述淤浆组合物的总重量为基准，所述阴离子聚合物的含量约为0.02-5重量％。
19.根据权利要求17所述的抛光淤浆组合物，其中，所述阴离子聚合物包括通过将分子结构中具有羧酸基团或磺酸基团的单体进行聚合而得到的聚合物，所述阴离子聚合物的重均分子量不超过约10000。
20.根据权利要求17所述的抛光淤浆组合物，其中，所述阴离子聚合物选自聚丙烯酸、聚磺酸、聚丙烯酸/马来酸共聚物、聚丙烯酸/酰胺共聚物、和它们的混合物。
21.一种抛光淤浆前体组合物，该组合物含有pH值调节剂、表面活性剂和去离子水，其中，所述表面活性剂包括两个或更多个离子部分和两个或更多个亲脂基团。
22.根据权利要求21所述的抛光淤浆前体组合物，其中，所述表面活性剂为下式1的化合物：
其中，Ra、Rb、Rc、Rd、Re和Rf各自独立地为C1-C20的烷基，X为卤素，p和q各自独立地为1-10的整数。
23.根据权利要求21所述的抛光淤浆前体组合物，其中，所述表面活性剂为下式2的化合物：
其中，Ra、Rb、Rc、Rd、Re和Rf各自独立地为C1-C20的烷基，X为卤素，p和q各自独立地为1-10的整数，n为1-20的整数。
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101875182A (zh) * | 2009-04-29 | 2010-11-03 | 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 | 用来对基板进行化学机械抛光的方法 |
| CN103361028A (zh) * | 2012-04-10 | 2013-10-23 | 盟智科技股份有限公司 | 研磨液组成物 |
| CN109153888A (zh) * | 2016-05-16 | 2019-01-04 | 凯斯科技股份有限公司 | 高阶梯差抛光料浆组合物 |
| CN111732898A (zh) * | 2019-03-25 | 2020-10-02 | 三星Sdi株式会社 | Cmp浆料组成物和使用其抛光图案化钨晶片的方法 |
| CN113046187A (zh) * | 2019-12-27 | 2021-06-29 | 凯斯科技股份有限公司 | 表面处理组合物及使用其的表面处理方法 |
| WO2023116860A1 (zh) * | 2021-12-23 | 2023-06-29 | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 | 一种绝缘膜抛光液及其使用方法 |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009187984A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-20 | Fujimi Inc | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| US8506661B2 (en) * | 2008-10-24 | 2013-08-13 | Air Products & Chemicals, Inc. | Polishing slurry for copper films |
| KR101178717B1 (ko) | 2008-12-22 | 2012-08-31 | 제일모직주식회사 | 다결정 실리콘 연마용 ｃｍｐ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 |
| KR101178716B1 (ko) | 2008-12-22 | 2012-08-31 | 제일모직주식회사 | 다결정 실리콘 연마용 ｃｍｐ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 |
| US8551887B2 (en) | 2009-12-22 | 2013-10-08 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for chemical mechanical planarization of a copper-containing substrate |
| US8492277B2 (en) * | 2010-03-16 | 2013-07-23 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc | Method of polishing a substrate comprising polysilicon and at least one of silicon oxide and silicon nitride |
| US8431490B2 (en) * | 2010-03-31 | 2013-04-30 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of chemical mechanical polishing a substrate with polishing composition adapted to enhance silicon oxide removal |
| US8232208B2 (en) * | 2010-06-15 | 2012-07-31 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Stabilized chemical mechanical polishing composition and method of polishing a substrate |
| CN102533123B (zh) * | 2010-12-28 | 2013-10-30 | 上海华明高技术（集团）有限公司 | 用于抛光半导体晶片的化学机械抛光液 |
| JP5957292B2 (ja) * | 2012-05-18 | 2016-07-27 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物並びにそれを用いた研磨方法及び基板の製造方法 |
| CN102888193A (zh) * | 2012-06-25 | 2013-01-23 | 上海应用技术学院 | 一种led衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液及其制备方法 |
| EP3161859B1 (en) * | 2014-06-25 | 2023-03-08 | CMC Materials, Inc. | Methods for fabricating a chemical-mechanical polishing composition |
| US9771496B2 (en) | 2015-10-28 | 2017-09-26 | Cabot Microelectronics Corporation | Tungsten-processing slurry with cationic surfactant and cyclodextrin |
| KR102618423B1 (ko) * | 2016-08-19 | 2023-12-27 | 오씨아이 주식회사 | 실리콘 텍스쳐링 조성물 및 이의 제조방법 |
| US10037889B1 (en) | 2017-03-29 | 2018-07-31 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Cationic particle containing slurries and methods of using them for CMP of spin-on carbon films |
| JP7081010B2 (ja) * | 2019-02-13 | 2022-06-06 | 株式会社トクヤマ | オニウム塩を含む半導体ウェハの処理液 |
| US20220073820A1 (en) * | 2019-02-13 | 2022-03-10 | Tokuyama Corporation | Onium salt-containing treatment liquid for semiconductor wafers |
| JPWO2021210310A1 (zh) * | 2020-04-16 | 2021-10-21 | ||
| JPWO2022070801A1 (zh) * | 2020-09-29 | 2022-04-07 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8811953D0 (en) * | 1988-05-20 | 1988-06-22 | Unilever Plc | General-purpose cleaning compositions |
| KR20000006595A (ko) * | 1998-09-22 | 2000-02-07 | 유현식 | 반도체소자 cmp용 금속산화물 슬러리의 제조방법 |
| KR100310234B1 (ko) | 1999-08-20 | 2001-11-14 | 안복현 | 반도체 소자 ｃｍｐ용 금속산화물 슬러리의 제조방법 |
| JP3841995B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2006-11-08 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 化学的機械的研磨用スラリー |
| KR100396881B1 (ko) * | 2000-10-16 | 2003-09-02 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 연마에 이용되는 슬러리 및 이를 이용한 화학기계적 연마 방법 |
| KR100516886B1 (ko) * | 2002-12-09 | 2005-09-23 | 제일모직주식회사 | 실리콘 웨이퍼의 최종 연마용 슬러리 조성물 |
| JP2004204116A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Kao Corp | 微小うねり低減剤 |
| JP2006303348A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Asahi Glass Co Ltd | 化学的機械的研磨用研磨剤、研磨方法および半導体集積回路装置の製造方法 |
-
2006
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101875182A (zh) * | 2009-04-29 | 2010-11-03 | 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 | 用来对基板进行化学机械抛光的方法 |
| CN101875182B (zh) * | 2009-04-29 | 2012-12-05 | 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 | 用来对基板进行化学机械抛光的方法 |
| CN103361028A (zh) * | 2012-04-10 | 2013-10-23 | 盟智科技股份有限公司 | 研磨液组成物 |
| CN103361028B (zh) * | 2012-04-10 | 2015-09-16 | 盟智科技股份有限公司 | 研磨液组成物 |
| CN109153888A (zh) * | 2016-05-16 | 2019-01-04 | 凯斯科技股份有限公司 | 高阶梯差抛光料浆组合物 |
| CN111732898A (zh) * | 2019-03-25 | 2020-10-02 | 三星Sdi株式会社 | Cmp浆料组成物和使用其抛光图案化钨晶片的方法 |
| CN111732898B (zh) * | 2019-03-25 | 2021-12-07 | 三星Sdi株式会社 | Cmp浆料组成物和使用其抛光图案化钨晶片的方法 |
| CN113046187A (zh) * | 2019-12-27 | 2021-06-29 | 凯斯科技股份有限公司 | 表面处理组合物及使用其的表面处理方法 |
| WO2023116860A1 (zh) * | 2021-12-23 | 2023-06-29 | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 | 一种绝缘膜抛光液及其使用方法 |
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