CN101188409A - 音质调整电路和信号特性调整电路 - Google Patents

Abstract

提供音质调整电路和信号特性调整电路。在音调控制电路中设定频带的电容器容量大，难以内置于集成电路。由LPF(30)从原声音信号(S_IN)中提取低音域成分(S_LO)。低音域调整电路(38)对S_LO进行增益调整并生成低音域调整信号(S_LT)。另外由反转电路(32)将S_LO反转，通过加法电路(34)与S_IN相加而提取高音域成分(S_HO)。高音域调整电路(36)对S_HO进行增益调整而生成高音域调整信号(S_HT)。合成电路(24)将S_IN和S_HT、S_LT合成，生成分别对高音域、低音域实施提升或削减处理的S_OUT。LPF(30)由RC有源滤波器构成，决定其截止频率的电阻由使用开关和电容器电路的等效电阻构成。

Description

音质调整电路和信号特性调整电路

技术领域

本发明涉及一种对于设定的多个频带中的每一个频带调整原信号强度的信号特性调整电路，特别是涉及一种如音调控制电路(tone control)、图形均衡器(graphic equalizer)那样的音质调整电路。

背景技术

在音频装置中，采用进行使规定的频带级增加的提升处理和使规定的频带级减少的削减处理的音调控制电路、图形均衡器。

图8是表示以往的音调控制电路的基本结构的电路图。该电路在输入端子IN和输出端子OUT之间串联连接高音频带模块(treble band block)2和低音频带模块(bass band block)4，输入到输入端子IN中的声音信号依次通过高音频带模块2和低音频带模块4而从输出端子OUT输出。该电路由作为集成电路而一体构成在半导体基板上的主要部件和连接在该集成电路的外部端子6～10上的外置部件构成。

高音频带模块2对声音信号的高频成分进行提升处理或者削减处理。在高音频带模块2的外置端子6上连接电容器C₁。在进行提升处理的情况下将开关SW₁、SW₃设定为导通。由此高音频带模块2构成具有微分作用的非反转放大电路，对输入的声音信号的高频成分进行放大。在进行削减处理的情况下将开关SW₂、SW₄设定为导通。由此高音频带模块2构成低通滤波器(Low Pass Filter：LPF)，使输入的声音信号的高频成分衰减。

另一方面，低音频带模块4对声音信号的低频成分进行提升处理或者削减处理。在低音频带模块4的外置端子8、10上连接电容器C₂、C₃和电阻R₁。在进行提升处理的情况下将开关SW₁、SW₃设定为导通。由此低音频带模块4构成具有积分作用的非反转放大电路，对输入的声音信号的低频成分进行放大。在进行削减处理的情况下将开关SW₂、SW₄设定为导通。由此低音频带模块4构成高通滤波器(High Pass Filter：HPF)，使输入的声音信号的低频成分衰减。

高音频带模块2、低音频带模块4在集成电路内分别具备多级串联连接的电阻。该电阻的串联连接体12、14根据将设置在该多个位置上的开关中的哪一个设为导通来以各种比率进行二分割，由此能够调节提升或者削减的增益。

另外，根据按照电阻的串联连接体12、14的分割方法所确定的电阻值、以及外置部件的电容和电阻值，来确定由高音频带模块2、低音频带模块4进行提升或者削减的频带。在此，高音频带模块2为了将作为处理对象的频率区域设定为声音信号中的高频带例如10kHz左右以上的区域，需要将串联连接体12的电阻值、电容器C₁设为比较大的值。同样地，低音频带模块4在将作为处理对象的频率区域设定为声音信号中的低频带例如100Hz左右以下的区域的情况下，需要将串联连接体14的电阻值、电容器C₂、C₃设为比较大的值。

专利文献1：日本特开平5-090926号公报

发明内容

发明要解决的问题

在集成电路中有时需要根据封装尺寸等的制约来限制销等外部端子的数量，减少外置部件。另外，外置部件的减少还能够有助于抑制组装工时、降低成本等。根据这种观点，考虑将电容器C₁～C₃内置在集成电路中。

但是，如上所述电容器C₁～C₃需要比较大的值。因此，当想要将它们内置在集成电路中时，存在在半导体基板上需要较大的面积而使芯片尺寸变大的问题。在此，通过增加串联连接体12、14的电阻值，能够不改变提升、削减的频率特性而实现C₁～C₃各个容量的降低，但是如果这样则存在串联连接体12、14需要的面积变大的问题。另外，由开关和电容器构成的等效电阻能够在比较小的面积上实现较大的电阻值。但是，在上述电阻的串联连接体12、14中必须分别由开关和电容器构成串联连接的多数电阻，从而具有导致电路复杂化并且规模变大的问题。由于这些问题，不容易将C₁～C₃内置在集成电路中。

本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于在对原信号、声音信号中的每个频带调节增益的信号特性调整电路和音质调整电路中，使设定频带的电容器小型化，进而实现电路的小型化、抑制构成为集成电路的情况下的外置部件、销数量。

用于解决问题的方案

本发明所涉及的音质调整电路对于原声音信号在第1至第n(n是2以上的整数)频带中的每个频带中调整增益，该音质调整电路具有：第1至第n提取电路，该第1至第n提取电路分别对应于所述第1至第n的各频带进行设置，提取所述原声音信号的对应频带的成分并进行输出；第1至第n增益调节电路，该第1至第n增益调节电路分别对应于所述第1至第n提取电路进行设置，对于对应提取电路的输出信号进行增益调节并生成第1至第n音域调整信号；以及合成电路，其可以对所述原声音信号合成所述第1至第n音域调整信号。

本发明所涉及的其它音质调整电路具有：第1滤波器，该第1滤波器是具备高频通过特性和低频通过特性中的任一规定的一个特性的单带通滤波器；以及第k滤波器，该第k滤波器是所述单带通滤波器，具有比第(k-1)(在此k是满足2≤k≤n-1的任意整数)滤波器宽的通过频带，其中，所述第1提取电路通过所述第1滤波器从所述原声音信号中提取所述第1频带的成分，所述第k提取电路生成对于所述原声音信号的所述第k滤波器的输出信号和所述第(k-1)滤波器的输出信号之间的差分，作为所述原声音信号中的所述第k频带的成分而进行输出，所述第n提取电路生成所述原声音信号和所述第(n-1)滤波器的输出信号之间的差分，作为所述原声音信号中的所述第n频带的成分而进行输出。

在本发明所涉及的其它音质调整电路中，所述第1至第(n-1)滤波器使用开关和电容器滤波器而构成。

在本发明所涉及的其它音质调整电路中，所述第1至第(n-1)滤波器具备调节滤波器特性的电阻R和电容器C，是该电阻R和电容器C相乘地对截止频率作贡献的RC有源滤波器，所述电阻R由利用开关和电容器的等效电阻构成。本发明的最佳方式是将所述第1至第(n-1)滤波器作为集成电路而形成在半导体基板上的音质调整电路。

另外本发明的其它最佳方式是在所述n为2的情况下，进行对所述原声音信号的高音域和低音域的强度进行调整的音调控制处理的音质调整电路。

本发明所涉及的信号特性调整电路对于原信号在第1至第n(n是2以上的整数)频带中的每个频带中调整增益，该信号特性调整电路具有：第1至第n提取电路，该第1至第n提取电路分别对应于所述第1至第n的各频带进行设置，提取所述原信号的对应频带的成分并进行输出；第1至第n增益调节电路，该第1至第n增益调节电路分别对应于所述第1至第n提取电路进行设置，对于对应提取电路的输出信号进行增益调节，生成第1至第n调整信号；以及合成电路，其可以对所述原声音信号合成所述第1至第n调整信号。

发明的效果

本发明通过设为将提取各频带的成分的提取电路和对提取出的成分进行增益调节的增益调节电路进行分离的结构，从而使提取电路具有与以往的外置部件中设置的电路相当的电容器，另一方面不需要通过开关来改变分割比的电阻的串联连接体。由此，提取电路中使用的电阻的结构被简化，使用与电阻元件等效的电路容易使进行小型化和高电阻化，由此可以使电容器的电容降低、小型化，实现电路的小型化。并且其结果，在作为集成电路而构成的音质调整电路中可以内置该电容器，并可以实现外置部件、销数量的抑制。

附图说明

图1是本发明的第一实施方式即音调控制电路的概要框图。

图2是对各频带中的每一个频带的成分进行增益调整的调整电路的概要框图。

图3是用于说明本发明的第一实施方式中的音调控制原理的示意图。

图4是表示在本发明的实施方式中使用的LPF的概要结构的电路图。

图5是由开关和电容器电路构成图4所示的电阻的LPF的概要电路图。

图6是本发明的第二实施方式即图形均衡器的概要框图。

图7是用于说明本发明的第二实施方式中的各频带成分的提取处理原理的示意图。

图8是表示以往的音调控制电路的基本结构的电路图。

附图标记说明

20、100：滤波器模块；22、102：调整信号生成模块；24、104：合成电路；30、110、112：LPF；32、54、114、116：反转电路；34、118、120：加法电路；36、126：高音域调节电路；38、122：低音域调节电路；40：振幅控制模块；42：相位控制模块；50：衰减器；52：放大器；56：开关电路；124：中音域调整电路。

具体实施方式

下面根据附图说明本发明的实施的方式(以下称为实施方式)。

(实施方式1)

图1是本发明的第一实施方式即音调控制电路的概要框图。该电路基本上作为集成电路(IC)而一体地形成在半导体基板上。该电路包含滤波器模块20、调整信号生成模块22以及合成电路24，对输入端子IN输入原声音信号S_IN，从输出端子OUT输出分别调节高音域、低音域的增益而进行提升处理、削减处理的输出声音信号S_OUT。根据来自外部电路的指示信号，进行该电路中的分别对高音域和低音域的提升/削减的切换、以及提升、削减的增益设定。

滤波器模块20具备从S_IN中提取高音域成分S_HO并进行输出的高音域提取电路和提取低音域成分S_LO并进行输出的低音域提取电路。具体地说，滤波器模块20具有LPF 30，由其构成低音域提取电路。

滤波器模块20还具有反转电路32和加法电路34，它们和LPF 30构成高音域提取电路。将LPF 30所提取的S_LO输入到反转电路32。反转电路32对于所输入的S_LO生成逆相位的信号S_LR。例如，反转电路32使用放大率为1倍的反转放大器构成。反转电路32的输出S_LR通过加法电路34与原声音信号S_IN相加。在此，由于S_LR＝-S_LO，因此在加法电路34中，包含在原声音信号S_IN中的低音域成分S_LO由反转电路32的输出S_LR抵消。加法电路34将从S_IN中除去S_LO而得到的残余成分作为高音域成分S_HO而进行输出。

调整信号生成模块22具有高音域调整电路36和低音域调整电路38。高音域调整电路36、低音域调整电路38分别对从滤波器模块20输出的高音域成分S_HO、低音域成分S_LO进行增益调整，生成高音域调整信号S_HT、低音域调整信号S_LT。

图2是高音域调整电路36、低音域调整电路38的概要框图。高音域调整电路36、低音域调整电路38具有相互共同的结构。在此以高音域调整电路36为例使用图2进行说明。

高音域调整电路36由振幅控制模块40和相位控制模块42构成。振幅控制模块40控制高音域调整信号S_HT相对输入到高音域调整电路36的高音域成分S_HO的振幅比A(≡|S_HT/S_HO|)。相位控制模块42控制将S_HT相对S_HO的相位差设为0°还是180°，并确定相对于S_HO将S_HT设为同极性还是使其反转。通过这些振幅控制模块40和相位控制模块42，高音域调整电路36对S_HO调节使振幅比与极性相一致的增益从而生成S_HT。

振幅控制模块40包含衰减器50和放大器52。放大器52根据S_OUT相对S_IN的增益G_OUT的调节幅度来设定增益G_C，以该增益G_C对来自衰减器50的输入信号进行放大从而生成信号S_HB，并输出到相位控制模块42。如后所述，与增益G_OUT的所期望的调节幅度对应的增益G_C在提升动作时和削减动作时可以是不同的值。因此，放大器52构成为能够从外部电路输入对提升/削减进行指定的模式信号D_M，并根据该信号D_M切换G_C的设定值。

衰减器50从外部电路被输入指示增益调整量的增益控制信号D_G，根据该信号D_G使S_HO衰减并输出到放大器52中。在将衰减器50构成为例如能够衰减到-∞[dB]的情况下，振幅控制模块40能够在G_C～-∞[dB]的范围内调整振幅比A。

相位控制模块42包含反转电路54和开关电路56。反转电路54生成相对于从振幅控制模块40输入的S_HB逆相位的信号S_HC。例如反转电路54使用放大率为1倍的反转放大器构成。另外，S_HC＝-S_HB。

开关电路56被输入来自振幅控制模块40的S_HB和来自反转电路54的S_HC并选择性地输出任意一个。根据模式信号D_M进行选择，在提升时将S_HB作为S_HT而输出，削减时将S_HC作为S_HT而输出。

以上说明了高音域调整电路36，但是低音域调整电路38也进行相同的处理，从S_LO生成低音域调整信号S_LT。即，在提升时从S_LO生成保持极性相同并且改变了振幅而得到的信号S_LB并作为S_LT而输出，另一方面在削减时生成使S_LB的极性反转的信号S_LC并作为S_LT而输出。

如图1所示，将高音域调整电路36和低音域调整电路38所输出的高音域调整信号S_HT和低音域调整信号S_LT输入到合成电路24。合成电路24还被输入原声音信号S_IN，将这些S_IN、S_HT、S_LT相加合成并作为S_OUT而输出。

图3是用于说明该电路中的音调控制原理的示意图。图3的(a)～(e)分别表示频谱，横轴是频率f，纵轴是以S_IN为基准的信号增益G。在图3的(a)中，频谱60、62、64分别表示原声音信号S_IN、低音域成分S_LO、高音域成分S_HO。

图3的(b)表示提升高音域而得到的频谱70。如上所述，在高音域提升时高音域调整电路36输出S_HB作为S_HT。通过合成电路24将该S_HB叠加到S_IN中，生成具有频谱70的S_OUT。

图3的(c)表示削减高音域而得到的频谱72。在高音域削减时，高音域调整电路36输出S_HC作为S_HT。该S_HC与S_IN的高音域成分S_HO具有逆极性。因此当通过合成电路24将S_HC和S_IN合成时，S_IN的高音域成分S_HO根据S_HC的强度而被抵消，生成具有频谱72的S_OUT。

图3的(d)表示提升低音域而得到的频谱74。在低音域提升时，低音域调整电路38输出S_LB作为S_LT。通过合成电路24将该S_LB重叠在S_IN中，生成具有频谱74的S_OUT。

图3的(e)表示削减低音域而得到的频谱76。在低音域削减时，低音域调整电路38输出S_LC作为S_LT。由于该S_LC与S_IN的低音域成分S_LO具有逆极性，因此通过合成电路24中的S_LC和S_IN的合成，S_IN的低音域成分S_LO根据S_LC的强度而被抵消，生成具有频谱76的S_OUT。

在此，具体说明构成为例如能够在±12dB的范围内调整增益G_OUT的情况。在此，当将G_OUT的调整范围的上限值或者下限值表示为G_max[dB]、将此时的S_IN和S_OUT的振幅比S_OUT/S_IN表示为A_m时下式成立。

G_max＝20log₁₀A_m                ……(1)

在最大提升时，从图3的(b)、(d)中也可知，放大器52的输出信号S_HB或者S_LB成为S_IN的(A_m-1)倍。另一方面，在最大削减时，从图3的(c)、(e)中可知，放大器52的输出信号S_HB或者S_LB成为S_IN的(1-A_m)倍。在这些最大提升时和最大削减时，由于设定衰减器50的衰减率为0dB，因此S_HB和S_LB对S_IN的振幅比|A_m-1|与放大器52的增益G_C对应。即，

G_C＝20log₁₀|A_m-1|          ……(2)。

根据(1)、(2)式，对于与最大提升时对应的G_OUT＝+12dB的G_C的设定值为大约9.5dB，对于与最大削减时对应的G_OUT＝-12dB的G_C的设定值为大约-2.5dB。如上所述与模式信号D_M联动地进行这些提升时和削减时不同的G_C的设定值的切换。

下面进一步说明LPF 30。图4是表示LPF 30的概要结构的电路图。在本装置中使用的LPF 30的基本结构是RC有源滤波器(active filter)，包含运算放大器80、电阻82、84以及电容器86，它们一体地形成在半导体基板上。输入到音调控制电路的输入信号S_IN被输入到输入端子FIN，运算放大器80的输出端子成为输出端子FOUT。在输入端子FIN和运算放大器80的反转输入端子之间串联连接有电阻82。另外，在运算放大器80的输出端子和反转输入端子之间并联连接有电阻84和电容器86。例如当设电阻82、84的电阻值为R_C、电容器86的电容值为C_C时，该LPF 30的截止频率f_C用下式求出。

f_C＝1/(27πR_CC_C)           ……(3)

电阻82、84由可以实现高电阻的电阻电路构成。例如作为这种电阻电路，存在使用了MOSFET的电阻电路等，通过使用这种电路，与在IC上使用多晶硅和扩散层形成的一般电阻元件相比，能够抑制电阻82、84的基板占有面积，并且实现它们的高电阻化。

在本音调控制电路中，采用开关和电容器电路作为分别构成电阻82、84的电阻电路，将LPF 30构成为开关和电容器滤波器。图5是由开关和电容器电路构成电阻82、84的LPF 30的概要电路图。

开关和电容器电路包含电容C_SC和开关元件SW₁～SW₄。在开关和电容器电路的输入端子和输出端子之间串联插入电容C_SC，在输入端子及输出端子与C_SC之间设置开关元件SW₁、SW₂。

电容C_SC的两端可以分别通过开关元件SW₃、SW₄连接到成为基准电压源的地线上。各开关元件在半导体基板上使用晶体管而构成。该开关和电容器电路通过周期性地交替开闭开关元件SW₁和SW₂的组以及开关元件SW₃和SW₄的组，对电容C_SC进行充放电。由此引起电荷移动，在开关和电容器电路的两端子间流过脉冲状电流，如果开关频率f_SC足够高则平均电流与通过电阻的电流等效。也就是说，开关和电容器电路等效地作为电阻元件而发挥功能。其电阻值R_SC用下式表示。

R_SC＝1/(C_SCf_SC)        ……(4)。

如(4)式所示，能够与f_SC的降低成反比例地增加R_SC。即，如果使用开关和电容器电路则能够根据f_SC增加R_C，降低C_C，并将电容器86设为可以容易形成在半导体基板上的尺寸。

例如设f_SC＝250kHz、C_SC＝1pF的开关和电容器电路的R_SC为4MΩ。在将LPF 30的截止频率f_C设定为1kHz的情况下，如果使用该开关和电容器电路构成R_C则C_C成为40pF。即，即使使C_C与构成开关和电容器电路的C_SC一致，LPF 30所需的电容也为40pF左右，可以包含这些电容而将LPF 30一体地形成在IC上。

如以上说明的那样，LPF 30通过将R_C设定为高电阻值，从而可以将电容器86内置在IC中来实现外置销、部件件数的减少。具有高电阻值R_C的电阻82、84可以例如通过使用开关和电容器电路来抑制IC上的占有面积而构成。在此，电阻电路由多个元件构成并需要某种程度以上的尺寸。因此，如图8所示的电路，在包含分别具有比较小的电阻值的很多电阻元件的滤波器电路中，即使用电阻电路分别置换这些电阻元件，也难以得到抑制半导体基板上的面积的优点。但是如上所述，由于LPF 30是仅包含少数具有大电阻值的电阻元件的结构，因此可以通过利用电阻电路进行置换而使面积抑制的效果变大。另外，根据这个观点，LPF 30的结构不限于图4示出的结构，还可以采用通过使少数电阻元件高电阻化而可使电容器小型化的其它电路结构。

此外，将本实施方式的音调控制电路设为通过使用LPF 30提取出的低音域和原声音信号之间的差分来生成高音域的结构，但是相反也可以设为通过使用HPF提取出的高音域和原声音信号之间的差分来生成低音域的结构。

(实施方式2)

图6是本发明的第二实施方式即图形均衡器的概要框图。上述第一实施方式的音调控制电路是调整高音域和低音域这两个频带的增益的电路。与此相对，本实施方式的图形均衡器在调整高音域、中音域以及低音域这3个频带的增益这一点上与第一实施方式的音调控制电路不同，但是具有基本上共同的点。

该电路作为IC而一体地形成在半导体基板上。该电路对输入端子IN输入原声音信号S_IN，能够分别对高音域、中音域以及低音域的各频带进行提升处理和削减处理，从输出端子OUT输出分别调节各频带的增益后的输出声音信号S_OUT。根据来自外部电路的指示信号进行该电路中的对各频带的提升/削减的切换、以及提升、削减的增益设定。

该电路包含滤波器模块100、调整信号生成模块102以及合成电路104。滤波器模块100包含LPF 110、112、反转电路114、116、以及加法电路118、120。另外，调整信号生成模块102包含低音域调整电路122、中音域调整电路124、以及高音域调整电路126。

可以将LPF 110、112分别设为与第一实施方式相同的结构，特别是可以设为使用开关和电容器来实现电容器的内置化的结构。在此，将LPF 110的截止频率f_C1设定为低于LPF 112的截止频率f_C2。

另外，反转电路114、116是与第一实施方式的音调控制电路中的反转电路32相同的电路，加法电路118、120同样是与加法电路34相同的电路。低音域调整电路122、中音域调整电路124、以及高音域调整电路126可以设为例如图2示出的结构。

滤波器模块100按各频带中的每一个频带具备提取电路，从S_IN中提取高音域成分S_HO、中音域成分S_MO、低音域成分S_LO。具体地说，LPF 110构成低音域提取电路。另外，LPF 110、112、反转电路114以及加法电路118构成中音域提取电路。并且LPF112、反转电路116以及加法电路120构成高音域提取电路。

图7是用于说明该电路的各频带成分的提取处理原理的示意图。图7的(a)、(b)分别表示频谱，横轴是频率f、纵轴是以S_IN为基准的信号增益G。在图7的(a)中，频谱130、132、134分别表示原声音信号S_IN、LPF 110的输出信号S_LPF1、LPF 112的输出信号S_LPF2。另外，图7的(b)所示的频谱136、138、140分别表示包含在原声音信号S_IN中的低音域成分S_LO、中音域成分S_MO、高音域成分S_HO。

将LPF 110的输出信号S_LPF1作为低音域成分S_LO从滤波器模块100输出，并输入到低音域调整电路122。即，频谱130和频谱136是共同的。另外，通过反转电路114将S_LO反转后输入到加法电路118。加法电路118进一步从LPF 112被输入S_LPF2，如下式所示求出S_LPF2和S_LPF1之间的差分，提取以频谱138表示的中音域成分S_MO。将提取出的S_MO从滤波器模块100输入到中音域调整电路124。

S_MO＝S_LPF2-S_LPF1             ……(5)

将LPF 112的输出信号S_LPF2输入到上述的加法电路118，另一方面还输入到反转电路116。反转电路116将S_LPF2反转并输入到加法电路120。加法电路120进一步输入原声音信号S_IN，如下式所示求出S_IN和S_LPF2之间的差分，提取以频谱140表示的高音域成分S_HO。将提取出的S_HO从滤波器模块100输入到高音域调整电路126。

S_HO＝S_IN-S_LPF2           ……(6)

在调整信号生成模块102中，低音域调整电路122、中音域调整电路124、高音域调整电路126分别对输入的低音域成分S_LO、中音域成分S_MO、高音域成分S_HO进行增益调整，生成低音域调整信号S_LT、中音域调整信号S_MT、高音域调整信号S_HT。

将从调整信号生成模块102输出的低音域调整信号S_LT、中音域调整信号S_MT、高音域调整信号S_HT输入到合成电路104。合成电路104还输入原声音信号S_IN，将这些S_IN、S_LT、S_MT、S_HT相加合成并作为S_OUT输出。

如上所述，与第一实施方式同样地，各调整信号S_LT、S_MT、S_HT在图2所示的电路中根据模式信号D_M，在提升时作为正极性信号而生成，在削减时作为负极性信号而生成。合成电路104将这些调整信号合成到原声音信号S_IN中，从而生成在叠加有正极性调整信号的频带中实施提升处理、在由负极性调整信号抵消的频带中实施削减处理的S_OUT。

在本实施方式中，作为最简单的情况对将原声音信号分为三个频带进行调整的图形均衡器的例子进行了说明，但是本发明也可以应用于分为n个频带(n≥3)进行调整的图形均衡器。在这种情况下使用(n-1)个LPF。将第k LPF(1≤k≤n-1)的截止频率表示为f_Ck时，与第k频带和第(k+1)频带的边界相对应地设定f_Ck，

f_C1＜f_C2＜…＜f_C(n-2)＜f_C(n-1)     ……(7)成立。

第1提取电路通过第1 LPF从原声音信号中提取最低的第1频带的成分。在上述实施方式中LPF 110相当于第1 LPF。

第k提取电路(2≤k≤n-1)生成对于原声音信号的第k LPF的输出信号和第(k-1)LPF的输出信号之间的差分，作为第k频带成分而输出。在上述实施方式中生成S_MO时的(5)式所表示的处理相当于生成该差分的处理。

第n提取电路生成原声音信号和第(n-1)LPF的输出信号之间的差分，作为第n频带的成分而输出。在上述实施方式中生成S_HO时的(6)式所表示的处理相当于生成该差分的处理。

此外，本实施方式的图形均衡器的结构为使用LPF 110、112来提取各频带的成分，但是相反也可以构成为使用HPF提取各频带的成分。

上述实施方式说明了将声音信号作为原信号而调整其特性的音质调整电路。但是，本发明也可以应用于将声音信号以外的信号作为原信号输入并对其每个频带进行增益调整的信号特性调整电路。例如作为这种信号特性调整电路，将影像信号作为原信号。例如本发明可以应用于对构成影像信号的亮度信号分别进行高频成分、低频成分的提升/削减的信号特性调整电路。

Claims (7)

1.一种音质调整电路，对于原声音信号，在第1至第n(n是2以上的整数)频带中的每个频带中调整增益，其特征在于，具有：

第1至第n提取电路，该第1至第n提取电路分别对应于所述第1至第n的各频带进行设置，提取所述原声音信号的对应频带的成分并进行输出；

第1至第n增益调节电路，该第1至第n增益调节电路分别对应于所述第1至第n提取电路进行设置，对于对应提取电路的输出信号进行增益调节并生成第1至第n音域调整信号；以及

合成电路，其可以对所述原声音信号合成所述第1至第n音域调整信号。

2.根据权利要求1所述的音质调整电路，其特征在于，具有：

第1滤波器，该第1滤波器是具备高频通过特性和低频通过特性中的任一规定的一个特性的单带通滤波器；以及

第k滤波器，该第k滤波器是所述单带通滤波器，具有比第(k-1)(在此k是满足2≤k≤n-1的任意整数)滤波器宽的通过频带，

所述第1提取电路通过所述第1滤波器从所述原声音信号中提取所述第1频带的成分，

所述第k提取电路生成对于所述原声音信号的所述第k滤波器的输出信号和所述第(k-1)滤波器的输出信号之间的差分，作为所述原声音信号中的所述第k频带的成分而进行输出，

所述第n提取电路生成所述原声音信号和所述第(n-1)滤波器的输出信号之间的差分，作为所述原声音信号中的所述第n频带的成分而进行输出。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的音质调整电路，其特征在于，

所述第1至第(n-1)滤波器使用开关和电容器滤波器而构成。

4.根据权利要求3所述的音质调整电路，其特征在于，

所述第1至第(n-1)滤波器具备调节滤波器特性的电阻R和电容器C，是该电阻R和电容器C相乘地对截止频率作贡献的RC有源滤波器，

所述电阻R由利用开关和电容器的等效电阻构成。

5.根据权利要求4所述的音质调整电路，其特征在于，

所述第1至第(n-1)滤波器作为集成电路形成在半导体基板上。

6.根据权利要求1至权利要求5中的任意一项所述的音质调整电路，其特征在于，

在所述n为2的情况下，进行对所述原声音信号的高音域和低音域的强度进行调整的音调控制处理。

7.一种信号特性调整电路，对于原信号，在第1至第n(n是2以上的整数)频带中的每个频带中调整增益，其特征在于，具有：

第1至第n提取电路，该第1至第n提取电路分别对应于所述第1至第n的各频带进行设置，提取所述原信号的对应频带的成分并进行输出；

第1至第n增益调节电路，该第1至第n增益调节电路分别对应于所述第1至第n提取电路而进行设置，对于对应提取电路的输出信号进行增益调节并生成第1至第n调整信号；以及

合成电路，其可以对所述原声音信号合成所述第1至第n调整信号。

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