CN101170303A - 压电薄膜谐振器和使用该压电薄膜谐振器的滤波器 - Google Patents

Abstract

本发明涉及压电薄膜谐振器和使用该压电薄膜谐振器的滤波器。该压电薄膜谐振器包括：由基板支撑的下部电极，在该下部电极的下方限定有一空间；设置在下部电极和基板上的压电膜；以及上部电极，该上部电极设置在压电膜上以形成谐振部分，在该谐振部分中，上部电极隔着压电膜与下部电极面对。下部电极和上部电极中的至少一个具有互连部分，该互连部分用于从谐振部分提取信号并位于该空间的上方。下部电极和上部电极中的所述至少一个在其中下部电极和上部电极中的所述至少一个与压电膜接触的区域中具有第一质量每单位面积，并且在谐振部分中具有第二质量每单位面积，该第一质量每单位面积小于该第二质量每单位面积。

Description

压电薄膜谐振器和使用该压电薄膜谐振器的滤波器

技术领域

本发明涉及压电薄膜谐振器和使用该压电薄膜谐振器的滤波器，更具体地说，涉及这样的压电薄膜谐振器和使用该压电薄膜谐振器的滤波器，该压电薄膜谐振器具有位于谐振部分下方的空间，在该谐振部分中，上部电极和下部电极隔着压电膜彼此面对。

背景技术

由于诸如蜂窝式电话的无线设备的迅速普及，对于紧凑且重量轻的谐振器以及使用这种谐振器的滤波器的需求越来越大。在过去，使用介电滤波器和表面声波(SAW)滤波器。近来，对于可以小型化且单片制造的压电薄膜谐振器以及使用这种谐振器的滤波器进行了大量的研究和开发活动。

已知FBAR(薄膜腔声谐振器)型谐振器作为压电薄膜谐振器的一种。FBAR具有由上部电极、压电膜和下部电极构成的膜叠层(filmlaminate)。在下部电极的下方设置有一空间，并且该空间位于其中上部电极和下部电极隔着压电膜彼此重叠的重叠区域(谐振部分)内，该空间可以是通孔(via hole)或空腔。该空间可以形成在设置于下部电极下面的介电膜的下方。可以通过从可用作器件基板的硅基板的背面对该硅基板进行湿蚀刻来限定所述通孔。可以通过在基板的表面上的牺牲层上形成由膜叠层构成的谐振器并去除该牺牲层来限定所述空腔。通过这种方式，压电薄膜谐振器为通孔型或空腔型。

在上部电极和下部电极之间施加高频信号，在夹在上部电极和下部电极之间的压电膜内产生声波。通过逆压电效应及由压电效应引起的变形而激发这样产生的声波。该声波被上部电极(膜)的与空气接触的表面以及下部电极(膜)的与空气接触的表面全反射。因此，该声波是在厚度方向上具有主位移的厚度伸缩波。在当前的装置结构中，在位于开口上方的由上部电极/压电膜/下部电极构成的薄膜叠层结构的总厚度H等于声波波长的1/2的整数倍的频率处会产生谐振。声波的传播速度V由所使用的材料确定，并且谐振频率F被表示成F＝nV/2H。通过利用谐振现象，可以将厚度用作控制参数来控制谐振频率，并实现具有期望频率响应的谐振器和滤波器。

上部电极和下部电极可以是膜叠层，该膜叠层由诸如铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钨(W)、钽(Ta)、铂(Pt)、钌(Ru)、铑(Rh)、铱(Ir)、铬(Cr)或钛(Ti)的金属或者这些金属的任意组合制成。压电膜可以是氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、锆钛酸铅(PZT)或钛酸铅(PbTiO₃)。优选的是，压电膜是具有沿(002)方向的方向轴(orientationaxis)的氮化铝或氧化锌。器件基板可以由硅(Si)、玻璃或砷化镓(GaAs)制成。

如上所述，具有上述结构的压电薄膜谐振器需要具有位于下部电极(或介电膜)正下方的通孔或空腔。在下面的描述中，将通孔限定为贯穿器件基板并连接其上下表面的孔，将空腔限定为设置在表面附近或下部电极正下方的孔。

图1是在Electron.Lett.，1981，vol.17，pp.507-509(以下称为文献1)中描述的传统压电薄膜谐振器的剖面图。在具有热氧化膜(SiO₂)的(100)硅基板11上设置叠层结构，该叠层结构由为Au-Cr膜的下部电极13、为ZnO膜的压电膜14和为铝膜的上部电极15构成。在膜叠层的下方形成有通孔16。可以通过从(100)硅基板11的背面使用KOH或EDP(乙二胺(ethylenediamine)和邻苯二酚(pyrocatechol))进行各向异性蚀刻来形成通孔16。

图2是在日本专利申请公报No.60-189307(文献2)中公开的传统的空腔型压电薄膜谐振器的剖面图。膜叠层由设置在具有热氧化膜(SiO₂)22的器件基板21上的下部电极23、压电膜24和上部电极25构成。在膜叠层的下方限定有空腔26。可以通过对由ZnO制成的岛状牺牲层进行构图、在该牺牲层上形成膜叠层、并使用酸去除位于膜叠层下方的牺牲层，来形成空腔26。

上述压电薄膜谐振器具有其中上部电极15和25隔着压电膜14和24与下部电极13和23面对的谐振部分。振动能量被限制在谐振部分中，从而可以实现高品质因子Q。日本专利申请公报No.2006-128993(文献3)公开了图3的(a)至(c)部分中所示的技术。在具有空腔36的基板31上形成有位于谐振部分37附近的振动介质(该振动介质包括下部电极33、压电膜34和上部电极35)。该振动介质的去除增大了高品质因子Q。

即使在文献2所公开的谐振器中，振动能量也可能通过用于从谐振部分37的上部电极35a提取信号的互连部分38中的上部电极35b并通过上部电极35b下方的压电膜34分散并丧失。这降低了品质因子Q。去除互连部分38中的压电膜34可以抑制谐振部分37的振动能量的分散和丧失。但是，去除互连部分38中的压电膜34使得压电薄膜谐振器的制造工艺变得复杂。

发明内容

鉴于上述情形而提出本发明，并且本发明提供了一种压电薄膜谐振器和使用该压电薄膜谐振器的滤波器，该压电薄膜谐振器能够通过简单的制造工艺来抑制振动能量从谐振部分的分散和丧失。

根据本发明的一个方面，提供了一种压电薄膜谐振器，该压电薄膜谐振器包括：由基板支撑的下部电极，在该下部电极的下方限定有一空间；设置在所述下部电极和所述基板上的压电膜；以及上部电极，该上部电极设置在所述压电膜上以形成谐振部分，在该谐振部分中，所述上部电极隔着所述压电膜与所述下部电极面对，所述下部电极和所述上部电极中的至少一个具有互连部分，该互连部分用于从所述谐振部分提取信号并位于所述空间的上方，所述下部电极和所述上部电极中的所述至少一个在其中所述下部电极和所述上部电极中的所述至少一个与所述压电膜接触的区域中具有第一质量每单位面积，并且在所述谐振部分中具有第二质量每单位面积，所述第一质量每单位面积小于所述第二质量每单位面积。

根据本发明的另一方面，提供了一种由多个谐振器构成的滤波器，该多个谐振器包括如上所述构造的谐振器。

附图说明

下面将结合附图描述本发明的优选实施方式，附图中：

图1是传统的压电薄膜谐振器的剖面图；

图2是另一传统的压电薄膜谐振器的剖面图；

图3在部分(a)中示出了另一传统的压电薄膜谐振器的平面图，在部分(b)中示出了沿部分(a)中的线A-A截取的剖面图；

图4的部分(a)是根据第一实施方式的压电薄膜谐振器的平面图，部分(b)是剖面图；

图5A至图5I是表示第一实施方式的压电薄膜谐振器的制造工艺的剖面图；

图6是第一对比实施例的压电薄膜谐振器的剖面图；

图7示出了第一对比实施例中的作为频率的函数的阻抗的曲线图；

图8示出了第一实施方式中的作为频率的函数的阻抗的曲线图；

图9示意性地示出了第一对比实施例的声波的分散特性；

图10示意性地示出了第一实施方式的声波的分散特性；

图11是根据第二实施方式的压电薄膜谐振器的剖面图；

图12是根据第三实施方式的压电薄膜谐振器的剖面图；

图13是根据第四实施方式的压电薄膜谐振器的剖面图；

图14在部分(a)中示出了根据第五实施方式的压电薄膜谐振器的平面图，在部分(b)中示出了其剖面图；

图15是根据第六实施方式的压电薄膜谐振器的剖面图；

图16A是根据第七实施方式的滤波器的平面图；以及

图16B是沿图16A的线A′-A′截取的剖面图。

具体实施方式

下面将参照附图对本发明的实施方式进行描述。

[第一实施方式]

图4的部分(a)是根据第一实施方式的压电薄膜谐振器的平面图，图4的部分(b)是其剖面图。参照图4，在具有通孔46的硅基板41上形成由钌(Ru)制成的下部电极43。在下部电极43和硅基板41上形成由氮化铝(AlN)制成的压电膜44。在压电膜44上形成由Ru制成的上部电极。谐振部分47是这样的区域，在该区域中，上部电极45和下部电极43隔着压电膜44彼此面对。下部电极43和上部电极45具有位于通孔46上方的用于从谐振部分47提取信号的互连部分48。互连部分48中的上部电极45b的膜厚t2小于谐振部分47中的上部电极45a的膜厚t1。例如，上部电极45a为大约250nm厚，压电膜44为大约1μm厚。另外，谐振部分47中的上部电极45a为大约250nm厚，互连部分48中的上部电极45b为大约75nm厚。谐振部分47具有大到50至200μm的尺寸，并且互连部分48具有大到1至20μm的尺寸。

下面将描述根据第一实施方式的压电薄膜谐振器的制造方法。图5A至5I示意性地示出了晶片的剖面图。参照图5A，制备具有(100)断面(cut)的硅基板41。通过在0.6至1.2Pa的Ar气的气氛中进行溅射，在硅基板41上形成由Ru制成并且厚度为大约250nm的下部电极43。参照图5C，通过光刻和蚀刻将下部电极43形成为预定形状。参照图5D，通过在大约0.3Pa的压力下在Ar/N₂混合气体的气氛中进行溅射，在下部电极43和基板41上淀积厚度为大约1μm并且长轴(major axis)方向为(002)方向的压电膜44。

参照图5E，通过在0.6至1.2Pa的Ar气的气氛中进行溅射，在压电膜44上形成由Ru制成并且厚度为大约250nm的上部电极45。参照图5F，通过光刻和蚀刻将上部电极45形成为预定形状。谐振部分47是这样的区域，在该区域中，下部电极43和上部电极45隔着压电膜44彼此面对。参照图5G，对除了谐振部分47之外的上部电极45进行蚀刻，将其厚度减小为大约75nm。

参照图5H，通过光刻和蚀刻将压电膜44形成为预定形状。参照图5I，从基板41的后面对其进行干蚀刻以在其中形成通孔46，从而横向地包括谐振部分47。因此，下部电极43和上部电极45的横向地超出谐振部分47并且垂直地位于通孔46上方的部分是用于从谐振部分47提取信号的互连部分48。

在图5A中，基板41可以是石英基板、玻璃基板或GaAs基板，而不是硅基板。在图5B和图5E中，下部电极43和上部电极可以由在本发明的背景技术中描述的任何金属制成，而不是由Ru制成。

图6示意性地示出了与第一实施方式在性能方面进行比较的第一对比实施例的剖面。参照图6，第一对比实施例的压电薄膜谐振器具有上部电极45，该上部电极45在谐振部分47和互连部分48中具有均匀的厚度并且厚度为大约250nm。第一对比实施例的其它结构与第一实施方式的相同。

发明人测量了第一对比实施例和第一实施方式的压电薄膜谐振器的阻抗。试验中使用的压电薄膜谐振器的谐振部分的尺寸大约为62μm×87μm，并具有大约2μm长的互连部分。图7具有部分(a)和(b)，它们分别表示第一对比实施例中的作为频率的函数的阻抗的大小|Z|和角度∠Z。图8具有部分(a)和(b)，它们分别表示第一实施方式中的作为频率的函数的阻抗的大小|Z|和角度∠Z。参照与第一对比实施例相关的图7的部分(a)，在谐振频率处的品质因子Qr等于824，而在反谐振频率(anti-resonance frequency)处的品质因子Qa低至153。相对照的是，如与第一实施方式相关的图8的部分(a)所示，在谐振频率处的品质因子Qr等于826，而在反谐振频率处的品质因子Qa高达762。与第一对比实施例相比，第一实施方式具有提高的|Z|的品质因子Qa。因此，如图8的部分(b)所示，与图7的部分(b)中所示的第一对比实施例相比，在第一实施方式中，在反谐振频率处的阻抗的角度∠Z急剧变化。如上所述，第一实施方式能够提高反谐振频率处的品质因子Qa。

下面将描述为什么可以提高反谐振频率处的品质因子Qa的原因。发明人计算了第一对比实施例和第一实施方式中声波的振动模式的分散特性。图9具有部分(a)和(b)，它们分别表示在第一对比实施例中，谐振部分47和互连部分48中的声波的振动模式的分散特性。图9的部分(a)和(b)的曲线的垂直轴表示所激发的频率，水平轴表示在各振动模式下，在波数(k)的情况下沿横向方向的振动的传播常数。水平轴示出了包括右手侧的实数区和左手侧的虚数区的两个象限。在振动模式的传播常数落入实数区内的频率处的声波传播或分散并丧失。在振动模式的传播常数落入虚数区的频率处的声波没有传播或分散并丧失。

参照与第一对比实施例相关的图9的部分(a)，在传播常数为实数区和虚数区之间的零的点A处的频率为谐振频率。反谐振频率位于点A’处。参照图9的部分(b)，因为下部电极43没有设置在互连部分48中，所以互连部分48中的分散特性与谐振部分47中的略有不同。接近谐振部分47的谐振频率的声波的传播常数位于实数区内的点C处。因此，在谐振部分47中谐振的声波的振动能量通过互连部分48分散到周边并丧失。因此，品质因子Q降低。

图10的部分(a)和(b)示意性地示出了第一实施方式的谐振部分47和互连部分48中的声波的振动模式。参照图10的部分(a)，谐振部分47中的分散特性与图9的部分(a)所示的第一对比实施例中的相同。相对照的是，互连部分48中的上部电极45比谐振部分47中的薄。因此，低频处的振动模式的分散特性影响了高频处的振动模式的分散特性。也就是说，第一实施方式的截止频率B高于第一对比实施例的截止频率。当截止频率B高于谐振频率A时，接近谐振部分47中的谐振频率的声波的传播常数落入虚数区D内。因此，在谐振部分47中谐振的振动能量被互连部分48反射而没有分散到周围并丧失。因此，可以抑制品质因子降低。

在图9和图10的部分(a)中在谐振频率A处的角频率ω_A具有如下关系。

$\tan \left(\sqrt{\frac{\mathrm{\ρ}}{c_{33}+\frac{{e_{33}}^2}{{\mathrm{\ϵ}}_{33}}}}{\mathrm{\ω}}_{A}h\right)=\frac{(c_{33}+\frac{{e_{33}}^2}{{\mathrm{\ϵ}}_{33}})\sqrt{\frac{\mathrm{\ρ}}{c_{33}+\frac{{e_{33}}^2}{{\mathrm{\ϵ}}_{33}}}}{\mathrm{\ω}}_A}{{{\mathrm{\ω}}_A}^2{M}^{\′}+\frac{1}{h}\frac{e_{33}}{{\mathrm{\ϵ}}_{33}}}---\left(1\right)$

在图9和图10的部分(b)中在截止频率B处的角频率ω_B具有如下关系。

$\tan \left(2\sqrt{\frac{\mathrm{\ρ}}{c_{44}}}{\mathrm{\ω}}_{B}h\right)=\frac{{{\mathrm{\ω}}_B}^2{M}^{\′\′}}{c_{44}\sqrt{\frac{\mathrm{\ρ}}{c_{44}}}{\mathrm{\ω}}_B}---\left(2\right)$

在等式(1)和(2)中，h是压电膜44的厚度，ρ是压电膜44的密度，c₃₃和c₄₄是压电膜44的刚度，e₃₃是压电膜44的压电常数，ε₃₃是压电膜44的介电常数。符号M′和M”分别表示在谐振部分47和互连部分48中，加载到压电膜44上的下部电极43和上部电极45每单位面积的质量。当上部电极45由单层形成时，M′＝ρ′t₁，M”＝ρ′t₂，其中ρ′是上部电极45的密度，t₁是谐振部分47中的上部电极45a的厚度，t₂是互连部分48中的上部电极45b的厚度。

如上所述，为了抑制品质因子Q降低，使谐振频率A高于截止频率B，即，ω_A＜ω_B。其中互连部分48中的上部电极45b的厚度t₂小于谐振部分47中的上部电极45a的厚度t₁的结构意味着等式(1)和(2)中的M′和M”。

如上所述，第一实施方式通过将互连部分中的上部电极45b的厚度t₂设定为小于谐振部分47中的上部电极45a的厚度t₁而能够提高品质因子Q。这是因为在互连部分48中在上部电极45与压电膜44接触的区域中的上部电极45每单位面积的质量M”小于谐振部分47中的上部电极45每单位面积的质量M′。通过上述结构，通过采用简单的制造工艺可以抑制谐振部分47中的振动能量分散而丧失并且可以防止品质因子Q降低。当互连部分48的至少一部分中的上部电极45b的与压电膜44接触的部分的每单位面积质量比谐振部分47中的小时，可以获得上述效果。

[第二实施方式]

参照图11，示出了根据第二实施方式的压电薄膜谐振器的剖面图。第二实施方式与第一实施方式的不同之处在于，第二实施方式在硅基板中不具有通孔。谐振部分47中的下部电极43被形成为使得在基板41与下部电极43之间形成空腔46a。空腔46a被形成为拱顶形状。第二实施方式的其它结构与图4的部分(b)中所示的第一实施方式的结构相同。根据本发明的第二实施方式，位于互连部分48中并与压电膜44接触的上部电极45的每单位面积质量M”小于谐振部分47中的每单位面积质量M′。因此，可以抑制谐振部分47的振动能量分散而丧失。

[第三实施方式]

参照图12，示出了根据第三实施方式的压电薄膜谐振器的剖面图。上部电极45在谐振部分47和互连部分48中具有均匀的厚度。互连部分48中的下部电极43的部分43b的厚度小于谐振部分47中的下部电极43的部分43a的厚度。第三实施方式的其它结构与第一实施方式中的相同。当在互连部分48中的下部电极43与压电膜44接触的区域中的下部电极43的每单位面积质量M”小于谐振部分47中的下部电极43的每单位面积质量M′时，可以防止谐振部分47中的振动能量分散而丧失。

[第四实施方式]

图13是根据第四实施方式的压电薄膜谐振器的剖面图。

互连部分48中的下部电极43b包含密度比谐振部分47中的材料低的材料53。类似的是，互连部分48中的上部电极45b包含密度比谐振部分47中的材料低的材料55。材料53和55例如可以是铝(Al)。下部电极43和上部电极45中的至少一个的互连部分48的至少一部分的密度低于谐振部分47的密度。因此，在所涉及的互连部分48中下部电极43和上部电极45中的与压电膜44接触的一个电极的每单位面积质量M”可以设定为小于谐振部分47中的每单位面积质量M′。因此，可以抑制谐振部分47中的振动能量分散而丧失。

[第五实施方式]

图14具有部分(a)和(b)，它们分别是根据第五实施方式的压电薄膜谐振器的平面图和剖面图。在互连部分48中，上部电极45b具有多个开口50。开口50可以形成在互连部分48中的下部电极43b中。在互连部分48中的上部电极45b和下部电极43b的至少一个中形成的开口50使得可以将在所涉及的互连部分48中的下部电极43和上部电极45中的与压电膜44接触的一个电极的每单位面积质量M”设定为小于谐振部分47中的每单位面积质量M′。因此，可以抑制谐振部分47中的振动能量分散而丧失。在其中开口50的尺寸小于谐振部分47的激发声波的波长的情况下，开口50的防止机械振动的效果减弱。因此，优选地使开口50的尺寸大于声波的波长。

[第六实施方式]

图15是根据第六实施方式的压电薄膜谐振器的剖面图。互连部分48中的上部电极45不与压电膜44接触。在压电膜44与上部电极45之间限定有空间58。空间58可以形成在下部电极43中。下部电极43和上部电极45中的至少一个可以被形成为与互连部分48中的压电膜44共同限定空间58。因此，可以将所涉及的互连部分48中的下部电极43和上部电极45中的与压电膜44接触的一个电极的每单位面积质量M”设定为小于谐振部分47中的每单位面积质量M′。因此，可以抑制谐振部分47中的振动能量分散而丧失。

在本发明的第一至第六实施方式中，下部电极43和上部电极45都具有用于从谐振部分47提取信号并位于通孔46上方的互连部分48。下部电极43和上部电极45的互连部分48中的至少一个可以形成在通孔46上方。在其中谐振部分47与通孔46横向重合(coincide)的情况下，谐振部分47可以由于形成下部电极43、上部电极45和通孔46的实际精度而与基板41部分重叠。在这种情况下，谐振部分47的振动受到抑制，从而性能降低。因此，将通孔46优选地形成为横向地包括谐振部分47。也就是说，下部电极43和上部电极45的互连部分48形成在通孔46上方。

可以考虑在下部电极43上方的互连部分48中不形成压电膜44。但是，存在这样的区域，在该区域中仅下部电极43设置在通孔46上方。这可能使机械强度降低。因此，压电膜44优选地设置在通孔46上方。

在第一至第六实施方式中，压电膜44可以由长轴方向为(002)方向的氮化铝(AlN)或氧化锌(ZnO)制成。使用这种压电材料有助于提高谐振性能。

[第七实施方式]

第七实施方式是由分别根据第二实施方式构造的多个压电薄膜谐振器组成的滤波器。图16A是该滤波器的平面图，图16B是沿图16A所示的线A′-A′截取的剖面图。各个谐振器的基本结构如与第二实施方式相关的图13所示，并且对相同的部分赋予相同的附图标记。参照图16A，该滤波器为梯型，其中串联谐振器S1至S4串联连接在输入焊盘/输出焊盘52a和52b之间，并且并联谐振器P1至P3连接在传输线上的给定节点与地52c之间。如图16B所示，在各谐振器中，靠近谐振部分47的互连部分48中的上部电极45b比谐振部分47中的上部电极45a薄。

根据第七实施方式，可以防止各个压电薄膜谐振器的品质因子Q降低。因此，可以提供高性能的滤波器。该滤波器可以由根据第一和第三至第六实施方式中的任何一个构造的多个谐振器构成。在理论上，可以通过根据第一至第六实施方式中的任何一个构造滤波器中的至少一个谐振器而获得上述效果。但是，最优选的是，滤波器的各个谐振器都是根据第一至第六实施方式中的任何一个构造的。第一至第六实施方式的谐振器可以应用于其它类型的滤波器。

本发明不限于所具体描述的实施方式，而是在不脱离本发明的范围的情况下可以实现其它实施方式和变型。

本申请基于日本专利申请No.2006-290495，在此通过引用并入其全部公开内容。

Claims (7)

1.一种压电薄膜谐振器，该压电薄膜谐振器包括：

由基板支撑的下部电极，在该下部电极的下方限定有一空间；

设置在所述下部电极和所述基板上的压电膜；以及

上部电极，该上部电极设置在所述压电膜上以形成谐振部分，在该谐振部分中，所述上部电极隔着所述压电膜与所述下部电极面对，

所述下部电极和所述上部电极中的至少一个具有互连部分，该互连部分用于从所述谐振部分提取信号并位于所述空间的上方，

所述下部电极和所述上部电极中的所述至少一个在其中所述下部电极和所述上部电极中的所述至少一个与所述压电膜接触的区域中具有第一质量每单位面积，并且在所述谐振部分中具有第二质量每单位面积，所述第一质量每单位面积小于所述第二质量每单位面积。

2.根据权利要求1所述的压电薄膜谐振器，其中，所述下部电极和所述上部电极中的所述至少一个具有在所述互连部分中的第一部分和在所述谐振部分中的第二部分，所述第一部分比所述第二部分薄。

3.根据权利要求1所述的压电薄膜谐振器，其中，所述下部电极和所述上部电极中的所述至少一个具有在所述互连部分中的第一部分和在所述谐振部分中的第二部分，所述第一部分的密度比所述第二部分的密度小。

4.根据权利要求1所述的压电薄膜谐振器，其中，所述下部电极和所述上部电极中的所述至少一个在所述互连部分中具有开口。

5.根据权利要求1所述的压电薄膜谐振器，其中，所述下部电极和所述上部电极中的所述至少一个在所述基板上在所述互连部分中限定有一空间。

6.根据权利要求1所述的压电薄膜谐振器，其中，所述压电膜由长轴方向为(002)方向的AlN或ZnO制成。

7.一种滤波器，该滤波器由多个谐振器构成，该多个谐振器包括这样的谐振器，该谐振器包括：

由基板支撑的下部电极，在该下部电极的下方限定有一空间；

设置在所述下部电极和所述基板上的压电膜；以及

上部电极，该上部电极设置在所述压电膜上以形成谐振部分，在该谐振部分中，所述上部电极隔着所述压电膜与所述下部电极面对，

所述下部电极和所述上部电极中的至少一个具有互连部分，该互连部分用于从所述谐振部分提取信号并位于所述空间的上方，

所述下部电极和所述上部电极中的所述至少一个在其中所述下部电极和所述上部电极中的所述至少一个与所述压电膜接触的区域中具有第一质量每单位面积，并且在所述谐振部分中具有第二质量每单位面积，所述第一质量每单位面积小于所述第二质量每单位面积。

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