CN107863948A - 声波谐振器和包括该声波谐振器的滤波器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种声波谐振器和包括该声波谐振器的滤波器，所述声波谐振器包括：压电层的第一压电部，设置在腔体上并且具有第一平均厚度；及压电层的第二压电部，被设置为与第一压电部的边缘相邻并且具有与第一平均厚度不同的第二平均厚度。

Description

声波谐振器和包括该声波谐振器的滤波器
本申请要求于2016年9月21日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0120664号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用包含于此。
技术领域
下面的描述涉及一种声波谐振器和包括该声波谐振器的滤波器。
背景技术
声波谐振器为使能量以特定频率谐振的设备。例如，这样的声波谐振器用在滤波器、振荡器和频率计数器中。声波谐振器的示例为在厚度方向上使用声波的设备。这样的声波谐振器被广泛地应用于从高频带中对频率进行滤波。
上面描述的声波谐振器主要在厚度方向上产生声波，而且在与厚度方向垂直的水平方向上也不可避免地产生谐振。然而，在水平方向上产生的谐振会引起声波谐振器的噪声。因此，期望开发能够使在水平方向上产生的谐振最小化或者防止在水平方向上产生谐振的声波谐振器。
发明内容
提供本发明内容在于以简化形式介绍以下在具体实施方式中进一步描述的选择的发明构思。本发明内容不意图限定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，本发明内容也不意图用于帮助确定所要求保护的主题的范围。
在一个总的方面，一种声波谐振器包括：压电层的第一压电部，设置在腔体上并且具有第一平均厚度；以及压电层的第二压电部，被设置为与第一压电部的边缘相邻并且具有与第一平均厚度不同的第二平均厚度。
所述第一平均厚度可大于所述第二平均厚度。
所述第一压电部的最小厚度可大于所述第二压电部的最小厚度。
所述第一压电部的最小厚度可小于所述第二压电部的最小厚度。
所述第一压电部的最大厚度可小于所述第二压电部的最大厚度。
所述第二压电部的最大厚度偏差可小于所述第二压电部的宽度。
所述声波谐振器还可包括分别形成在第一压电部和第二压电部的上方和下方的第二电极层和第一电极层。
所述声波谐振器还可包括设置在第二压电部的边缘处的第三压电部。
所述第三压电部的宽度可等于或小于所述第二压电部的宽度。
所述第三压电部可具有第三平均厚度，所述第三平均厚度大于第一平均厚度和第二平均厚度。
所述第一压电部可具有第一表面粗糙度，且所述第二压电部可具有与第一表面粗糙度不同的第二表面粗糙度。
一种滤波器可包括所述声波谐振器。
在另一总的方面，一种声波谐振器包括：压电层的第一压电部，具有第一最大厚度偏差；以及压电层的第二压电部，设置在第一压电部的边缘处，并具有与第一最大厚度偏差不同的第二最大厚度偏差。
所述第二最大厚度偏差可大于所述第一最大厚度偏差。
所述第一压电部的平均厚度可不同于所述第二压电部的平均厚度。
所述第一压电部的最大厚度可小于或等于所述第二压电部的最大厚度。
所述声波谐振器还可包括：第一电极层，设置在第一压电部的第一表面上；以及第二电极层，设置在第一压电部的第二表面上。
所述声波谐振器还可包括腔体，所述腔体设置在第一压电部和基板之间。
所述第一最大厚度偏差可由于第一压电部的表面的粗糙度而形成，且所述第二最大厚度偏差可由于第二压电部的表面的粗糙度而形成。
所述第二压电部的宽度与所述第二最大厚度偏差的比可以在6到10的范围内。
其他特征和方面将通过下面的具体实施方式、附图和权利要求而显而易见。
附图说明
图1是根据实施例的声波谐振器的截面图。
图2是图1中示出的压电层的放大图。
图3是图2中示出的A部分的放大图。
图4是根据另一实施例的声波谐振器的截面图。
图5是图4中示出的压电层的放大图。
图6是图5中示出的B部分的放大图。
图7是根据另一实施例的声波谐振器的截面图。
图8是图7中示出的压电层的放大图。
图9是图8中示出的C部分的放大图。
图10是根据另一实施例的声波谐振器的截面图。
图11是图10中示出的压电层的放大图。
图12是图11中示出的D部分的放大图。
图13是根据实施例的滤波器的框图。
在整个附图和具体实施方式中，相同的标号指示相同的元件。附图可不按比例绘制，为了清楚、示出和方便起见，可夸大附图中元件的相对尺寸、比例和绘制。
具体实施方式
提供以下的具体实施方式，以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在此描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改以及等同物在理解了本申请的公开内容后将是显而易见的。例如，在此描述的操作的顺序仅仅是示例，并不限于在此所阐述的示例，而是除了必须以特定顺序进行的操作之外，可在理解了本申请的公开内容后做出将是显而易见的改变。此外，为了更加清楚和简洁，可省略对本领域中已知的特征的描述。
在此描述的特征可按照不同的形式实施，并且不应该被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例仅为了示出在理解了本申请的公开内容后将是显而易见的实现在此描述的方法、设备和/或系统的许多可行方式中的一些方式。
在整个说明书中，当诸如层、区域或基板的元件被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，所述元件可以直接“在”另一元件“上”、直接“连接到”另一元件或直接“结合到”另一元件，或者可存在介于他们之间的一个或更多个其他元件。相比之下，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可不存在介于他们之间的其他元件。
如在此使用的，术语“和/或”包括任何两个或更多个相关联的所列项目中的任何一个以及任何组合。
虽然可在此使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语所限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中所称的第一构件、组件、区域、层或部分也可称作第二构件、组件、区域、层或部分。
为了描述的方便，可在此使用与空间相关的术语(诸如，“在……之上”、“上方”、“在……之下”以及“下方”等)，以描述如图中示出的一个元件与另一个元件的关系。除了附图中描绘的方位之外，这样的与空间相关的术语意在包括装置在使用或操作时的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则描述为相对于另一元件位于“之上”或“上方”的元件之后将相对于另一元件位于“之下”或“下方”。因此，基于装置的特定方位，术语“在……之上”包含“在……之上”和“在……之下”的两种方位。装置也可以以其他方式定位(例如，旋转90度或处于其他方位)，并可对在此使用的与空间相关的术语进行相应地解释。
在此使用的术语仅用于描述各个示例，而不用于限制本公开。除非上下文中另外清楚地指明，否则单数形式也意于包括复数形式。术语“包含”、“包括”和“具有”列举存在的所述的特征、数量、操作、构件、元件和/或他们的组合，但不排除存在或增加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、元件和/或他们的组合。
由于制造技术和/或公差，可出现附图中所示的形状的变化。因此，在此描述的示例不限于附图中所示的特定形状，而是包括在制造期间出现的形状上的改变。
在理解本申请的公开内容之后将显而易见的是，在此描述的示例的特征可以以各种方式结合。此外，尽管在此描述的示例具有各种构造，但是在理解本申请的公开内容之后将显而易见的是，其他构造是可能的。
图1示出了根据实施例的声波谐振器100。参照图1，声波谐振器100包括基板110、腔体130、第一电极层150和第二电极层152以及压电层160。
基板110被构造为支撑腔体130、第一电极层150和第二电极层152以及压电层160。例如，基板110的大小和形状为使得其上一体地设置有腔体130、第一电极层150和第二电极层152以及压电层160。此外，基板110具有能够一体地支撑腔体130、第一电极层150和第二电极层152以及压电层160的强度。根据实施例，基板110为硅基板或绝缘体上硅(SOI)基板。
基板110被构造为保持预定的形状。例如，基板110被构造为不被蚀刻工艺变形。为此，使绝缘层120形成在基板110的一个表面上。绝缘层120可用于在形成腔体130的操作中保护基板110。绝缘层120可通过对二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氧化铝(Al2O3)和氮化铝(AlN)中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合执行化学气相沉积工艺、RF磁控溅射工艺或者蒸发工艺而形成在基板110上。然而，绝缘层120的材料不限于上述材料。
腔体130形成在基板110上或基板110中。例如，腔体130是在基板110的一个表面上由一个或更多个层包围的一个或更多个空的空间。根据示出的实施例，腔体130形成在绝缘层120和设置在绝缘层120上的膜层140之间。如上所述形成的腔体130能够使得压电层160以特定频率谐振。
腔体130可通过包括如下步骤的蚀刻工艺形成：在绝缘层120上形成用于腔体130的牺牲层图案，在牺牲层图案上形成膜层140，然后对牺牲层图案进行蚀刻并将其去除。在这种情况下，膜层140用作保护基板110的保护层或氧化保护膜。虽然在图1中未示出，但是由氮化铝(AlN)形成的种子层或具有HCP结构的电介质或金属可形成在膜层140上。例如，在种子层由金属形成的情况下，金属可以是钛(Ti)或钛(Ti)合金。特别地，种子层可设置在膜层140和第一电极层150之间。
第一电极层150和第二电极层152设置在压电层160上。例如，第一电极层150设置在压电层160下方，第二电极层152设置在压电层160上方。第一电极层150和第二电极层152被设置为彼此不接触。例如，第一电极层150在压电层160的底部上从基板110的一侧(例如，图1中的左侧)延伸，第二电极层152在压电层160的顶部上从基板110的另一侧(例如，图1中的右侧)延伸。根据上述布置，基板110、绝缘层120、腔体130、膜层140、第一电极层150、压电层160和第二电极层152顺序地设置在声波谐振器100的中部。
第一电极层150和第二电极层152由导电材料形成。例如，第一电极层150和第二电极层152由诸如金(Au)、钼(Mo)、钌(Ru)、铝(Al)、铂(Pt)、钛(Ti)、钨(W)、钯(Pd)、铬(Cr)、镍(Ni)、钽(Ta)或铱(Ir)的金属或者任意所述金属的合金形成。如上所述设置的第一电极层150和第二电极层152可使压电层160响应于外部信号而谐振，以产生设定的谐振频率和反谐振频率。
第一电极层150和第二电极层152还可分别包括第一连接电极层180和第二连接电极层190。第一连接电极层180和第二连接电极层190可关于压电层160以基本对称的形式(symmetricalform)分别设置在第一电极层150和第二电极层152上。例如，第一连接电极层180从第一电极层150的一端形成到压电层160的一端，第二连接电极层190从第二电极层152的一端形成到压电层160的另一端。
如上所述形成的第一连接电极层180和第二连接电极层190可用于确定声波谐振器100的滤波器特性并且执行声波谐振器100的必要的频率微调。
压电层160被构造为机械地振动。例如，压电层160设置在第一电极层150和第二电极层152之间，以响应于从第一电极层150和第二电极层152发送的信号而振动。压电层160在其厚度方向上振动。例如，压电层160设置在腔体130的上方，以使腔体130中的空气在竖直方向(例如，压电层160的厚度方向)上振动。
例如，压电层160可由氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)或锆钛酸铅(PZT；PbZrTiO3)形成。例如，压电层160可由氮化铝(AlN)形成。在压电层160由AlN形成的情况下，压电层160还可包含稀土金属。稀土金属可包括钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的任意一种或任意两种或更多种的任意组合。
压电层160设置在基本平坦的部分上。例如，压电层160形成在第一电极层150的平坦的部分上，不形成在第一电极层150的倾斜的部分上。如上所述设置的压电层160可容易地沉积在第一电极层150上，并且可具有与第一电极层150的优良的粘合力。
如图1所示，声波谐振器100的谐振部被分为有效区域(active region)和非有效区域(non-active region)。谐振部的有效区域指第一电极层150、压电层160和第二电极层152全部在竖直方向上顺序地堆叠的区域。压电现象使谐振部的有效区域在预定方向上振动，以执行谐振。例如，当诸如无线电信号的电能被施加到第一电极层150和第二电极层152以在压电层160中感应出电场时，谐振部的有效区域通过压电现象而在预定方向上振动。谐振部的非有效区域指第一电极层150、压电层160和第二电极层152中的一些在竖直方向上堆叠的区域，并且指通过压电层160的压电现象基本不谐振的区域。谐振部的非有效区域可位于有效区域的边缘。
具有如上所述的构造的声波谐振器100可使用压电层160的压电效应来过滤特定频率的无线电信号。例如，声波谐振器100使压电层160响应于施加到第一电极层150和第二电极层152的RF信号而振动，以产生具有特定谐振频率和反谐振频率的声波。
当施加的RF信号的半波长与压电层160的厚度匹配时，可发生压电层160的谐振现象。当发生谐振现象时，电阻抗迅速变化。声波谐振器100可利用上述现象用作用于选择特定频率的滤波器。此外，由于声波谐振器100根据在压电层160中发生的振动而具有预定的谐振频率，因此声波谐振器100可仅输出在输入RF信号中与谐振部的谐振频率匹配的信号。
谐振频率由压电层160的厚度、包围压电层160的第一电极层150和第二电极层152的厚度、压电层160的固有的声波速度以及声波谐振器100的各种组件的材料和构造确定。作为参考，随着压电层160的厚度减小，谐振频率可增大。
声波谐振器100还可包括保护第一电极层150和第二电极层152以及压电层160的组件。例如，声波谐振器100还包括保护层170。保护层170形成在第二电极层152和压电层160上，以防止第二电极层152和压电层160暴露到外部环境和被氧化。
下面将参照图2和图3来详细描述压电层160的构造。
参照图2和图3，压电层160包括第一压电部162和第二压电部164。第一压电部162设置在压电层160的中部并且位于腔体130的中部上方，第二压电部164被设置为与第一压电部162的边缘相邻并且位于腔体130的边缘部的上方。也就是说，第一压电部162与腔体130的中部在竖直方向上大体上对齐，第二压电部164与腔体130的边缘部在竖直方向上大体上对齐。第二压电部164可被设置为关于第一压电部162左右对称的形式(bisymmetricalform)。如上所述设置的第一压电部162激活在压电层160的厚度方向(竖直方向)上的振动，第二压电部164抑制在压电层160的长度方向(水平方向)上的振动。
如图3所示，第一压电部162和第二压电部164具有不同的厚度。例如，第一压电部162的平均厚度Ta1与第二压电部164的平均厚度Ta2不同。例如，第一压电部162的平均厚度Ta1大于第二压电部164的平均厚度Ta2。可通过选择性蚀刻工艺来产生第一压电部162和第二压电部164之间的平均厚度差异。
第一压电部162和第二压电部164可具有不同的表面粗糙度。例如，第一压电部162的最大厚度偏差Td1与第二压电部164的最大厚度偏差Td2不同。此外，第二压电部164的表面(例如，顶表面)可比第一压电部162的表面(例如，顶表面)粗糙。可通过选择性蚀刻工艺来产生第一压电部162的表面的粗糙度和第二压电部164的表面的粗糙度之间的差异。
例如，第一压电部162的表面具有由于其相邻的低点和高点得到的第一粗糙度，第二压电部164具有由其相邻的低点和高点提供的第二表面粗糙度。最大厚度偏差Td1可与从第一压电部162的低点到第一压电部162的高点在厚度方向上的最大距离对应。最大厚度偏差Td2可与从第二压电部164的低点到第二压电部164的高点在厚度方向上的最大距离对应。
第一压电部162和第二压电部164可具有预定的尺寸关系。例如，第一压电部162的最大厚度Tx1与第二压电部164的最大厚度Tx2基本相同，但是第一压电部162的最小厚度Tm1大于第二压电部164的最小厚度Tm2。
第一压电部162可形成为比第二压电部164宽。例如，第一压电部162的宽度W1大于第二压电部164的宽度W2。
第二压电部164的宽度W2可与第二压电部164的厚度具有预定的关系。在示例中，在6到10的范围内选择第二压电部164的宽度W2与第二压电部164的最大厚度偏差Td2的比W2/Td2。
通常可在0.3至50μm的范围内选择第二压电部164的宽度W2，通常可在5至500nm的范围内选择第二压电部164的最大厚度偏差Td2。然而，第二压电部164的宽度W2和最大厚度偏差Td2不限于上述尺寸。例如，第二压电部164的宽度W2和最大厚度偏差Td2可根据声波谐振器100的尺寸和类型而改变。
由于第一压电部162和第二压电部164具有不同的物理特性，如上所述，由第一压电部162引起的水平振动或平面谐振波可被分散或减弱。因此，声波谐振器100可有效地减小由水平振动而导致的噪声。
接下来，将参照图4至图6来描述根据本公开的另一实施例的声波谐振器102。作为参考，在下面的描述中，将通过相同的标号来指示与上面图1至图3的实施例的组件相同的组件，并将省略相同的组件的描述。
参照图4至图6，声波谐振器102与上面描述的声波谐振器100的不同之处在于：声波谐振器102包括具有第三压电部166的压电层160a。例如，压电层160a包括第一压电部162、第二压电部164和第三压电部166。
第一压电部162设置在压电层160a的中部。第二压电部164被设置为与第一压电部162的边缘相邻，第三压电部166可被设置为与第二压电部164的边缘相邻。也就是说，第二压电部164和第三压电部166可被设置成关于第一压电部162左右对称的形式。
第三压电部166可具有比第一压电部162的厚度和第二压电部164的厚度大的厚度。例如，第三压电部166的平均厚度Ta3可大于第一压电部162的平均厚度Ta1和第二压电部164的平均厚度Ta2。
第三压电部166可具有与第二压电部164的宽度基本相同的宽度。例如，第三压电部166的宽度W3与第二压电部164的宽度W2相同。
第二压电部164的宽度W2可与第二压电部164的厚度具有预定的关系。在示例中，在6到10的范围内选择第二压电部164的宽度W2与第二压电部164的最大厚度偏差Td2的比W2/Td2。
通常可在0.3至50μm的范围内选择第二压电部164的宽度W2，通常可在5至500nm的范围内选择第二压电部164的最大厚度偏差Td2。然而，第二压电部164的宽度W2和最大厚度偏差Td2不限于上述尺寸。例如，第二压电部164的宽度W2和最大厚度偏差Td2可根据声波谐振器100的尺寸和类型而改变。
第三压电部166的宽度W3可与第二压电部164的宽度W2具有预定的关系。例如，可在0.8至1.2的范围内选择第二压电部164的宽度W2与第三压电部166的宽度W3的比W2/W3。在示例中，可在0.3至50μm的范围内选择第三压电部166的宽度W3。
如上所述构造的第三压电部166可与第二压电部164一起来分散并减弱由第一压电部162引起的水平振动或平面谐振波。
下面将参照图7至图9来描述根据另一实施例的声波谐振器104。
参照图7至图9，关于第一压电部162a和第二压电部164a之间的尺寸关系，声波谐振器104与之前的实施例的声波谐振器不同。
参照图7至图9，声波谐振器104包括具有第一压电部162a、第二压电部164a和第三压电部166的压电层160b。第二压电部164a可比第一压电部162a厚。例如，第二压电部164a的最小厚度Tm2可大于第一压电部162a的最小厚度Tm1，第二压电部164a的最大厚度Tx2可大于第一压电部162a的最大厚度Tx1。此外，第二压电部164a的平均厚度Ta2可大于第一压电部162a的平均厚度Ta1，第二压电部164a的最大厚度偏差Td2可大于第一压电部162a的最大厚度偏差Td1。
下面将参照图10至图12来描述根据另一实施例的声波谐振器106。
参照图10至图12，关于第一压电部162b和第二压电部164b之间的尺寸关系，声波谐振器106与之前的实施例的声波谐振器102和104不同。
参照图10至图12，声波谐振器106包括具有第一压电部162b、第二压电部164b和第三压电部166的压电层160c。例如，第二压电部164b可比第一压电部162b厚。例如，第二压电部164b的最大厚度Tx2可大于第一压电部162b的最大厚度Tx1。此外，第二压电部164b的最大厚度偏差Td2可大于第一压电部162b的最大厚度偏差Td1。然而，第二压电部164b的最小厚度Tm2可小于第一压电部162b的最小厚度Tm1。此外，第二压电部164b的平均厚度Ta2可小于第一压电部162b的平均厚度Ta1。
基于蚀刻停止层122和蚀刻停止部126的构造，声波谐振器106还与上面描述的之前的实施例不同。
例如，蚀刻停止层122形成在绝缘层120上。蚀刻停止层122可用于在蚀刻工艺中保护基板110和绝缘层120。蚀刻停止部126、腔体130和牺牲层图案124形成在蚀刻停止层122上。蚀刻停止部126、腔体130和牺牲层图案124可形成为基本相同的高度。因此，声波谐振器106可制造得比声波谐振器100、102和104薄，并且可去除制造台阶。
腔体130设置在第一电极层150之下，以使包括第一电极层150、压电层160c和第二电极层152的谐振部可在预定的方向上振动。腔体130可通过蚀刻工艺形成，所述蚀刻工艺包括：在蚀刻停止层122上形成牺牲层、在牺牲层上顺序地堆叠第一电极层150、压电层160c和第二电极层152、然后对牺牲层进行蚀刻并将其部分地去除。
蚀刻停止部126形成在腔体130的外部。蚀刻停止部126在蚀刻停止层122上形成为突出形状。腔体的外周边界表面可通过蚀刻停止部126限定。蚀刻停止部126可具有在竖直方向上基本倒置的梯形截面。蚀刻停止层122和蚀刻停止部126可由不被蚀刻工艺蚀刻的材料形成。蚀刻停止层122和蚀刻停止部126可由相同的材料形成。去除牺牲层之后的腔体的形状可由被蚀刻停止层122和蚀刻停止部126包围的空间限定。此外，腔体130的下边界表面由蚀刻停止层122限定，腔体130的外周边界表面由蚀刻停止部126限定。
牺牲层图案可形成在蚀刻停止部126的外部。牺牲层图案124可形成为延伸到蚀刻停止部126的外部。牺牲层图案124是牺牲层在蚀刻工艺后残留在蚀刻停止层122上的部分。
参照图13，根据实施例的滤波器200具有梯型(ladder-type)滤波器结构。例如，滤波器200包括多个声波谐振器100。在滤波器200中，一个声波谐振器100串联连接在信号输入端子和信号输出端子之间，其中，输入信号RFin输入到所述信号输入端子，输出信号RFout从所述信号输出端子输出，另一声波谐振器100连接在信号输出端子和地之间。
如上所述，根据这里公开的实施例，可减小由出现在声波谐振器的边缘的水平谐振引起的噪声。
虽然本公开包括具体示例，但将明显的是，在理解了本申请的公开内容后，在不脱离权利要求以及其等同物的精神和范围的情况下，可在形式和细节方面对这些示例做出各种改变。在此描述的示例仅被视为描述意义，而不出于限制的目的。在每个示例中的特征或方面的描述被视为可适用于其他示例中的类似的特征或方面。如果按照不同的顺序执行描述的技术、和/或如果按照不同的方式来组合所描述的系统、架构、装置或电路中的组件、和/或由其他组件或其等同物来替换或增补所描述的系统、架构、装置或电路中的组件，则可获得合适的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及其等同物限定，并且权利要求及其等同物的范围内的全部改变将被理解为包括在本公开中。

Claims (20)

1.一种声波谐振器，包括：
压电层的第一压电部，设置在腔体上并且具有第一平均厚度；及
压电层的第二压电部，被设置为与所述第一压电部的边缘相邻并且具有第二平均厚度，所述第二平均厚度与所述第一平均厚度不同。
2.如权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述第一平均厚度大于所述第二平均厚度。
3.如权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述第一压电部的最小厚度大于所述第二压电部的最小厚度。
4.如权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述第一压电部的最小厚度小于所述第二压电部的最小厚度。
5.如权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述第一压电部的最大厚度小于所述第二压电部的最大厚度。
6.如权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述第二压电部的最大厚度偏差小于所述第二压电部的宽度。
7.如权利要求1所述的声波谐振器，所述声波谐振器还包括分别形成在所述第一压电部和所述第二压电部的上方和下方的第二电极层和第一电极层。
8.如权利要求1所述的声波谐振器，所述声波谐振器还包括设置在所述第二压电部的边缘处的第三压电部。
9.如权利要求8所述的声波谐振器，其中，所述第三压电部的宽度等于或小于所述第二压电部的宽度。
10.如权利要求8所述的声波谐振器，其中，所述第三压电部具有第三平均厚度，所述第三平均厚度大于所述第一平均厚度和所述第二平均厚度。
11.如权利要求1所述的声波谐振器，其中，
所述第一压电部具有第一表面粗糙度，且
所述第二压电部具有第二表面粗糙度，所述第二表面粗糙度与所述第一表面粗糙度不同。
12.一种滤波器，包括权利要求1所述的声波谐振器。
13.一种声波谐振器，包括：
压电层的第一压电部，具有第一最大厚度偏差；及
压电层的第二压电部，设置在所述第一压电部的边缘处，并具有第二最大厚度偏差，所述第二最大厚度偏差与所述第一最大厚度偏差不同。
14.如权利要求13所述的声波谐振器，其中，所述第二最大厚度偏差大于所述第一最大厚度偏差。
15.如权利要求13所述的声波谐振器，其中，所述第一压电部的平均厚度与所述第二压电部的平均厚度不同。
16.如权利要求13所述的声波谐振器，其中，所述第一压电部的最大厚度小于或等于所述第二压电部的最大厚度。
17.如权利要求13所述的声波谐振器，所述声波谐振器还包括：
第一电极层，设置在所述第一压电部的第一表面上；及
第二电极层，设置在所述第一压电部的第二表面上。
18.如权利要求13所述的声波谐振器，所述声波谐振器还包括腔体，所述腔体设置在所述第一压电部和基板之间。
19.如权利要求13所述的声波谐振器，其中，所述第一最大厚度偏差由于所述第一压电部的表面的粗糙度而形成，且
所述第二最大厚度偏差由于所述第二压电部的表面的粗糙度而形成。
20.如权利要求13所述的声波谐振器，其中，所述第二压电部的宽度与所述第二最大厚度偏差的比在6到10的范围内。
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