JP7098453B2 - 弾性波共振器、フィルタ並びにマルチプレクサ - Google Patents

Description

本発明は、弾性波共振器、フィルタ並びにマルチプレクサに関し、例えば単結晶材料の圧電層を有する弾性波共振器、およびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサに関する。

圧電薄膜共振器等の弾性波共振器の圧電層の厚み方向の中央部分に弾性定数の温度係数が圧電層の弾性定数の温度係数と逆符号の温度補償膜を設けることが知られている（例えば特許文献１）。

特開昭５８－１３７３１７号公報

温度補償膜を設けることで、弾性波振器の共振周波数の温度係数を小さくできる。２つの圧電層の間に温度補償膜等の挿入膜を挿入するためには、下部の圧電層上に挿入膜を形成し、挿入膜上に上部の圧電層を形成する。しかしながら、挿入膜上に圧電層を形成しようとすると、上部の圧電層の圧電性が劣化する。このため、電気機械結合係数が低下してしまう。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、弾性波共振器の特性を向上させることを目的とする。

本発明は、基板と、前記基板上に設けられた下部電極と、前記下部電極上に設けられ単結晶圧電基板である第１圧電層と、前記第１圧電層上に設けられ単結晶圧電基板である第２圧電層と、を有する圧電層と、前記圧電層の少なくとも一部を挟み前記下部電極と対向する共振領域を形成するように、前記圧電層上に設けられた上部電極と、前記第１圧電層と前記第２圧電層との間の前記共振領域の少なくとも一部に設けられた挿入膜と、前記挿入膜が設けられた領域以外の領域において前記第１圧電層と前記第２圧電層との間に設けられ、前記挿入膜と異なる材料からなる絶縁膜と、を備える弾性波共振器である。

上記構成において、前記第１圧電層と前記第２圧電層とは前記挿入膜および前記絶縁膜とを介し接合され、前記第１圧電層と前記第２圧電層とは接しない構成とすることができる。

上記構成において、前記第１圧電層と前記挿入膜および前記絶縁膜との界面は略平坦であり、前記第２圧電層と前記挿入膜および前記絶縁膜との間の界面は略平坦である構成とすることができる。

本発明は、基板と、前記基板上に設けられた下部電極と、前記下部電極上に設けられ単結晶圧電基板である第１圧電層と、前記第１圧電層上に設けられ単結晶圧電基板である第２圧電層と、を有する圧電層と、前記圧電層の少なくとも一部を挟み前記下部電極と対向する共振領域を形成するように、前記圧電層上に設けられた上部電極と、前記第１圧電層と前記第２圧電層との間の前記共振領域の少なくとも一部に設けられた挿入膜と、備え、前記挿入膜が設けられた領域以外の領域において前記第１圧電層と前記第２圧電層とは直接接合する弾性波共振器である。

上記構成において、前記第１圧電層および前記挿入膜と前記第２圧電層との界面は略平坦である構成とすることができる。

上記構成において、前記挿入膜の弾性定数は前記圧電層の弾性定数の温度係数とは逆符号の温度係数を有する構成とすることができる。

上記構成において、前記第１圧電層および前記第２圧電層は、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムである構成とすることができる。

本発明は、上記弾性波共振器を含むフィルタである。

本発明は、上記フィルタを含むマルチプレクサである。

本発明によれば、弾性波共振器の特性を向上させることができる。

図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波共振器の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ－Ａ断面図である。 図２（ａ）から図２（ｃ）は、実施例１に係る弾性波共振器の製造方法を示す断面図（その１）である。 図３（ａ）および図３（ｂ）は、実施例１に係る弾性波共振器の製造方法を示す断面図（その２）である。 図４（ａ）から図４（ｃ）は、実施例１に係る弾性波共振器の製造方法を示す断面図（その３）である。 図５（ａ）から図５（ｃ）は、実施例１に係る弾性波共振器の製造方法を示す断面図（その４）である。 図６（ａ）および図６（ｂ）は、実施例１の変形例１に係る弾性波共振器の製造方法を示す断面図である。 図７（ａ）から図７（ｃ）は、実施例１の変形例２に係る弾性波共振器の製造方法を示す断面図である。 図８（ａ）から図８（ｃ）は、実施例１の変形例３に係る弾性波共振器の製造方法を示す断面図（その１）である。 図９（ａ）および図９（ｂ）は、実施例１の変形例３に係る弾性波共振器の製造方法を示す断面図（その２）である 図１０（ａ）は、実施例２に係るフィルタの回路図、図１０（ｂ）は、実施例２の変形例１に係るデュプレクサの回路図である。

以下、図面を参照し実施例について説明する。

図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波共振器の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ－Ａ断面図である。図の左側はラダー型フィルタの直列共振器Ｓを示し、右側は並列共振器Ｐを示す。

図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、基板１０上に、下部電極１２が設けられている。基板１０の上面の窪みにより空隙３０が形成されている。基板１０上に下部電極１２が設けられている。下部電極１２が設けられていない領域には絶縁膜２４が設けられている。下部電極１２および絶縁膜２４上に圧電層１４ａが設けられている。圧電層１４ａ上に挿入膜２８が設けられている。挿入膜２８が設けられていない領域には絶縁膜２６が設けられている。挿入膜２８および絶縁膜２６上に圧電層１４ｂが設けられている。圧電層１４ａと１４ｂとは圧電層１４を形成する。圧電層１４ｂ上に上部電極１６が設けられている。並列共振器Ｐの上部電極１６上に質量負荷膜２０が設けられている。直列共振器Ｓには質量負荷膜２０は設けられていない。並列共振器Ｐの質量負荷膜２０上および直列共振器Ｓの上部電極１６上に質量負荷膜２２が設けられている。

圧電層１４の少なくとも一部を挟み下部電極１２と上部電極１６とが対向する領域は共振領域５０である。共振領域５０は厚み縦振動モードの弾性波が共振する領域である。空隙３０は平面視において共振領域５０を含むように設けられている。

挿入膜２８は温度補償膜であり、挿入膜２８の弾性定数は、圧電層１４の弾性定数の温度係数と逆符号の温度係数を有する。これにより、共振周波数等の周波数温度係数（ＴＣＦ：Temperature Coefficient of Frequency）が小さくなる。よって、弾性波共振器の温度特性が向上する。ＴＣＦを小さくする観点から挿入膜２８は平面視において共振領域５０を完全に含むことが好ましい。

圧電層１４ａおよび１４ｂのそれぞれの分極方向１５ａおよび１５ｂ（例えば窒化アルミニウムのＣ軸方向）は略同じ方向であることが好ましい。圧電層１４ａと１４ｂの材料は同じであることが好ましい。また、圧電層１４ａと１４ｂとの厚さはほぼ同じであることが好ましい。これにより、挿入膜２８の温度補償効果が最も高くなる。圧電層１４ａおよび１４ｂは各々単結晶基板であり平板状であり、圧電層１４ａおよび１４ｂの各々の上面および下面はほぼ平面である。下部電極１２の厚さと絶縁膜２４の厚さはほぼ同じであり、挿入膜２８の厚さと絶縁膜２６の厚さはほぼ同じである。

質量負荷膜２０は並列共振器Ｐと直列共振器Ｓの共振周波数を異ならせるための膜であり、共振領域５０を含むように設けられている。質量負荷膜２２は、共振周波数を微調整するための膜であり、共振領域５０の面積に対する共振領域５０内の質量負荷膜２２の面積により共振器の共振周波数を調整できる。

基板１０として、例えばシリコン基板、サファイア基板、スピネル基板、ガラス基板または水晶基板を用いることができる。圧電層１４ａおよび１４ｂとして、例えば単結晶窒化アルミニウム基板、単結晶タンタル酸リチウム基板または単結晶ニオブ酸リチウム基板を用いることができる。

下部電極１２および上部電極１６としては、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｃｒ（クロム）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）またはイリジウム（Ｉｒ）等の単層膜またはこれらの積層膜を用いることができる。

挿入膜２８として、例えば酸化シリコン膜または弗素等の不純物を添加した酸化シリコン膜を用いることができる。絶縁膜２６および２４として、例えばポリイミド等の樹脂膜を用いることができる。

質量負荷膜２０および２２として、例えば酸化シリコン膜または窒化シリコン膜等の絶縁膜、下部電極１２および上部電極１６として例示した金属膜等を用いることができる。

共振周波数が約２．３ＧＨｚの場合、圧電層１４ａおよび１４ｂは、各々例えば厚さが４００ｎｍの単結晶窒化アルミニウム層、下部電極１２および上部電極１６は例えば厚さが１４５ｎｍのＲｕ膜である。

［実施例１の製造方法］
図２（ａ）から図５（ｃ）は、実施例１に係る弾性波共振器の製造方法を示す断面図である。図２（ａ）に示すように、単結晶材料の圧電基板を圧電層１４ａとして準備する。圧電層１４ａは例えば引き上げ法により成長しスライスした圧電基板である。このため、圧電層１４ａの上面および下面は略平坦である。分極方向１５ａは、上向きとしているが、下向きまたは横向き等任意の方向でもよい。

図２（ｂ）に示すように、圧電層１４ａ上に挿入膜２８を形成する。挿入膜２８は例えばスパッタリング法または真空蒸着法を用い形成し、エッチング法またはリフトオフ法を用いパターニングする。挿入膜２８の大きさは共振領域５０と同じまたは共振領域５０より大きくする。

図２（ｃ）に示すように、圧電層１４ａ上に挿入膜２８を囲むように挿入膜２８が形成されていない領域に絶縁膜２６を形成する。絶縁膜２６は例えばポリイミド膜等の樹脂膜である。挿入膜２８と絶縁膜２６の上面は略平坦であり、挿入膜２８と絶縁膜２６の厚さは略同じである。絶縁膜２６は、例えばスピンコート法により形成し、挿入膜２８と絶縁膜２６の上面はＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法等により平坦化する。

図３（ａ）に示すように、単結晶材料の圧電基板を圧電層１４ｂとして準備する。圧電層１４ｂの上面および下面は略平坦である。圧電層１４ｂの材料は圧電層１４ａと同じであることが好ましいが異なっていてもよい。圧電層１４ｂの厚さは圧電層１４ａの厚さと略同じであることが好ましいが、異なっていてもよい。分極方向１５ｂは、分極方向１５ａと略同じであることが好ましいが異なっていてもよい。

図３（ｂ）に示すように、圧電層１４ｂ上に上部電極１６を形成する。上部電極１６は例えばスパッタリング法または真空蒸着法を用い形成し、エッチング法またはリフトオフ法を用いパターニングする。上部電極１６は共振領域５０と共振領域５０から上部電極１６が引き出される引き出し領域に形成される。

図４（ａ）に示すように、平板状であり、上面および下面が略平坦な基板１０の上面に、窪み３６を形成する。窪み３６の大きさは共振領域５０と同じまたは共振領域５０より大きくする。

図４（ｂ）に示すように、窪み３６内に犠牲層３８を形成する。犠牲層３８の上面と基板１０の上面は略平坦とする。犠牲層３８は例えば酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）または酸化シリコン等のエッチング液またはエッチングガスに容易に溶解できる材料から選択される。

図４（ｃ）に示すように、基板１０上に下部電極１２を形成する。下部電極１２は例えばスパッタリング法または真空蒸着法を用い形成し、エッチング法またはリフトオフ法を用いパターニングする。下部電極１２は共振領域５０と共振領域５０から下部電極１２が引き出される引き出し領域に形成される。基板１０上に下部電極１２を囲むように下部電極１２が形成されていない領域に絶縁膜２４を形成する。絶縁膜２４は例えばポリイミド膜等の樹脂膜である。下部電極１２と絶縁膜２４の上面は略平坦であり、下部電極１２と絶縁膜２４の厚さは略同じである。絶縁膜２４は、例えばスピンコート法により形成し、挿入膜２８と絶縁膜２６の上面はＣＭＰ法等により平坦化する。

図５（ａ）に示すように、図４（ｃ）の下部電極１２および絶縁膜２４上に図２（ｃ）の圧電層１４ａの下面を接合する。接合の方法は、例えば下部電極１２および絶縁膜２４の上面並びに圧電層１４ａの下面を活性化させ、下部電極１２および絶縁膜２４の上面と圧電層１４ａの下面とを常温において直接接合することにより行う。活性化には、イオンビーム、中性ビームまたはプラズマを用いる。

図５（ｂ）に示すように、図５（ａ）の挿入膜２８および絶縁膜２６上に図３（ｂ）の圧電層１４ｂの下面を接合する。接合の方法は、図５（ａ）と同じである。これにより、圧電層１４ａと１４ｂとから圧電層１４が形成される。また、下部電極１２と上部電極１６が対向する共振領域５０が形成される。

図５（ｃ）に示すように、並列共振器Ｐの上部電極１６上に質量負荷膜２０を形成する。並列共振器Ｐの質量負荷膜２０上および直列共振器Ｓの上部電極１６上に質量負荷膜２２を形成する。

その後、犠牲層３８を除去し空隙３０を形成することで、図１（ａ）および図１（ｂ）の弾性波共振器となる。

［実施例１の変形例１］
図６（ａ）および図６（ｂ）は、実施例１の変形例１に係る弾性波共振器の製造方法を示す断面図である。図６（ａ）に示すように、実施例１の図２（ｂ）において、挿入膜２８は圧電層１４ａの上面全体に形成する。

図６（ｂ）に示すように、その後、実施例１と同様の製造工程を行うことで、実施例１の変形例１に係る弾性波共振器となる。実施例１の変形例１のように挿入膜２８は圧電層１４ａの全体に形成することで、図２（ｃ）の絶縁膜２６の形成工程を省略できる。

［実施例１の変形例２］
図７（ａ）から図７（ｃ）は、実施例１の変形例２に係る弾性波共振器の製造方法を示す断面図である。図７（ａ）に示すように、実施例１の図２（ｃ）の後に、挿入膜２８および絶縁膜２６上全面に接合層２７を形成する。接合層２７は、スパッタリング法または真空蒸着法を用い形成する。接合層２７は、例えばチタン、クロムまたはニッケル等の金属膜、または多結晶窒化アルミニウム等の圧電層である。

図７（ｂ）に示すように、その後、実施例１の図３（ａ）から図５（ａ）の製造工程を行う。図５（ｂ）と同様に、接合層２７の上面に圧電層１４ｂの下面を接合する。接合層２７により、挿入膜２８および絶縁膜２６と圧電層１４ｂとを容易に接合することができる。

図７（ｃ）に示すように、その後、実施例１の図５（ｃ）の製造工程を行うことで、実施例１の変形例２に係る弾性波共振器となる。実施例１の変形例２のように挿入膜２８上に接合層２７を形成してもよい。

［実施例１の変形例３］
図８（ａ）から図９（ｂ）は、実施例１の変形例３に係る弾性波共振器の製造方法を示す断面図である。図８（ａ）に示すように、圧電層１４ａを準備する。圧電層１４ａの厚さは挿入膜２８の厚さだけ実施例１より厚い。

図８（ｂ）に示すように、圧電層１４ａの上面の挿入膜２８を設ける領域に挿入膜２８の厚さに相当する深さの窪み２９を形成する。窪み２９は例えばドライエッチング法を用い形成する。

図８（ｃ）に示すように、窪み２９内に挿入膜２８を形成する。挿入膜２８の上面と圧電層１４ａの上面とが略平坦となるようにする。

図９（ａ）に示すように、その後、実施例１の図３（ａ）から図５（ａ）の製造工程を行う。図５（ｂ）と同様に、挿入膜２８および圧電層１４ａの上面に圧電層１４ｂの下面を接合する。図９（ｂ）に示すように、その後、実施例１の図５（ｃ）の製造工程を行うことで、実施例１の変形例３に係る弾性波共振器となる。実施例１の変形例３のように挿入膜２８が形成された以外の領域において、圧電層１４ａと１４ｂとは直接接合されていてもよい。

温度補償膜等の挿入膜２８に用いられる材料は例えば酸化シリコンまたは弗素が添加された酸化シリコン膜であり、圧電層１４ａおよび１４ｂに用いる窒化アルミニウム、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムに比べ音響インピーダンスが低い。このため、圧電層１４ａと１４ｂとの間の共振領域５０の少なくとも一部に挿入膜２８を設けると、電気機械結合係数が劣化する。また、挿入膜２８上にスパッタリング法等を用い多結晶の圧電層１４ｂを設けると、圧電層１４ｂの配向性が劣化し電気機械結合係数が劣化する。

挿入膜２８を圧電層１４と上部電極１６との間に設けると、圧電層１４の配向性は劣化しない。しかし、圧電層１４内に挿入膜２８を設ける場合に比べ挿入膜２８を厚くしないと、同程度の温度補償効果が得られない。これにより、電気機械結合係数が劣化してしまう。

実施例１およびその変形例によれば、圧電層１４ａ（第１圧電層）および圧電層１４ｂ（第２圧電層）が単結晶材料からなる。単結晶材料からなる圧電層は圧電性が高い。これにより、弾性波共振器の電気機械結合係数を大きくできる。また、多結晶の圧電層１４ｂと比べ、挿入膜２８上の圧電層１４ｂの配向性が劣化しない。これにより、弾性波共振器の電気機械結合係数をより大きくできる。このように、弾性波共振器の特性を向上させることができる。

図２（ｂ）のように、単結晶材料からなる圧電層１４ａの上面に挿入膜２８を形成する。図５（ｂ）のように、挿入膜２８が圧電層１４ａ上に形成された状態で、単結晶材料からなる圧電層１４ｂ（第２圧電層）の下面を挿入膜２８に接合する。図５（ａ）のように、圧電層１４ａの下面に下部電極１２を形成する。図３（ｂ）のように、圧電層１４ｂの上面に、挿入膜２８が共振領域５０の少なくとも一部に設けられるように上部電極１６を形成する。弾性波共振器をこのように製造することにより、単結晶からなる圧電層１４ａおよび１４ｂの間に挿入膜２８を設けることができる。また、スパッタリング法等を用い挿入膜２８上に圧電層１４ｂを形成しないため、圧電層１４ｂの圧電性が劣化することを抑制できる。よって、弾性波共振器の電気機械結合係数を向上できる。

図２（ｃ）のように、圧電層１４ａの上面の挿入膜２８が設けられた領域以外の領域に挿入膜２８と異なる材料からなる絶縁膜２６を形成する。図５（ｂ）のように、圧電層１４ａと１４ｂとは挿入膜２８および絶縁膜２６とを介し接合され、圧電層１４ａと１４ｂとは接しない。これにより、平板状の圧電層１４ａおよび１４ｂの間に挿入膜２８を形成できる。

圧電層１４ｂと挿入膜２８および絶縁膜２６との接合（特に常温における接合）は、接合面が平坦でないと難しい。そこで、圧電層１４ａと挿入膜２８および絶縁膜２６との界面を略平坦とし、圧電層１４ｂと挿入膜２８および絶縁膜２６との間の界面を略平坦とする。これにより、圧電層１４ｂと挿入膜２８および絶縁膜２６とを容易に接合できる。なお、略平坦とは、例えば接合が容易な程度に平坦を意味する。

図９（ａ）のように、挿入膜２８が設けられた領域以外の領域において圧電層１４ａと１４ｂとが直接接合するように圧電層１４ｂの下面を挿入膜２８に接合する。これにより、絶縁膜２６を形成する工程を省略できる。なお、圧電層１４ａと１４ｂとを直接接合すると、圧電層１４ａと１４ｂとの間に１０ｎｍ以下のアモルファス層が形成されることがあるが、圧電層１４ａおよび１４ｂの厚さ数１００ｎｍより十分薄く、実質的には直接接合されている。

圧電層１４ａおよび挿入膜２８と圧電層１４ｂとの界面を略平坦とする。これにより、圧電層１４ａおよび挿入膜２８と圧電層１４ｂとを容易に接合できる。

圧電層１４ａおよび圧電層１４ｂをスパッタリング法等を用い形成すると、圧電層１４ａおよび１４ｂは連続した柱状の構造となる。この場合、圧電層１４ａと１４ｂとが接していると、圧電層１４ａと１４ｂとを跨いでクラックが形成される。圧電層１４ａと１４ｂとを図９（ａ）のように直接接合した場合、圧電層１４ａと１４ｂとを跨いでクラックが形成されることを抑制できる。

実施例１およびその変形例において、挿入膜２８として弾性波共振器の温度特性を改善するための温度補償膜を例に説明したが、挿入膜２８は、共振領域５０の中央領域に設けられず、共振領域５０の外周に沿って中央領域を囲むように設けられていてもよい。これにより、中央領域から共振領域５０外へ弾性波が漏洩することを抑制できる。このように、挿入膜２８は共振領域５０の少なくとも一部に設けられていればよい。

圧電層１４ａおよび１４ｂ内の弾性波を反射する音響反射層として空隙３０を例に説明したが、空隙の代わりに音響インピーダンスの異なる膜が積層された音響反射膜を用いてもよい。共振領域５０の平面形状として楕円形状を例に説明したが、四角形状または五角形状等の多角形状でもよい。

実施例２は、実施例１およびその変形例の弾性波共振器を用いたフィルタおよびデュプレクサの例である。図１０（ａ）は、実施例２に係るフィルタの回路図である。図１０（ａ）に示すように、入力端子Ｔ１と出力端子Ｔ２との間に、１または複数の直列共振器Ｓ１からＳ４が直列に接続されている。入力端子Ｔ１と出力端子Ｔ２との間に、１または複数の並列共振器Ｐ１からＰ３が並列に接続されている。１または複数の直列共振器Ｓ１からＳ４および１または複数の並列共振器Ｐ１からＰ３の少なくとも１つの共振器に実施例１およびその変形例の圧電薄膜共振器を用いることができる。ラダー型フィルタの共振器の個数等は適宜設定できる。

図１０（ｂ）は、実施例２の変形例１に係るデュプレクサの回路図である。図１０（ｂ）に示すように、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に送信フィルタ４０が接続されている。共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に受信フィルタ４２が接続されている。送信フィルタ４０は、送信端子Ｔｘから入力された高周波信号のうち送信帯域の信号を送信信号として共通端子Ａｎｔに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ４２は、共通端子Ａｎｔから入力された高周波信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Ｒｘに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。送信フィルタ４０および受信フィルタ４２の少なくとも一方を実施例２のフィルタとすることができる。

マルチプレクサとしてデュプレクサを例に説明したがトリプレクサまたはクワッドプレクサでもよい。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０ 基板
１２ 下部電極
１４、１４ａ、１４ｂ 圧電層
１６ 上部電極
２０、２２ 質量負荷膜
２４、２６ 絶縁膜
２８ 挿入膜
３０ 空隙
３８ 犠牲層
４０ 送信フィルタ
４２ 受信フィルタ
５０ 共振領域

Claims (9)

1. 基板と、
   前記基板上に設けられた下部電極と、
   前記下部電極上に設けられ単結晶圧電基板である第１圧電層と、前記第１圧電層上に設けられ単結晶圧電基板である第２圧電層と、を有する圧電層と、
   前記圧電層の少なくとも一部を挟み前記下部電極と対向する共振領域を形成するように、前記圧電層上に設けられた上部電極と、
   前記第１圧電層と前記第２圧電層との間の前記共振領域の少なくとも一部に設けられた挿入膜と、
   前記挿入膜が設けられた領域以外の領域において前記第１圧電層と前記第２圧電層との間に設けられ、前記挿入膜と異なる材料からなる絶縁膜と、
   を備える弾性波共振器。
2. 前記第１圧電層と前記第２圧電層とは前記挿入膜および前記絶縁膜とを介し接合され、前記第１圧電層と前記第２圧電層とは接しない請求項１に記載の弾性波共振器。
3. 前記第１圧電層と前記挿入膜および前記絶縁膜との界面は略平坦であり、前記第２圧電層と前記挿入膜および前記絶縁膜との間の界面は略平坦である請求項２に記載の弾性波共振器。
4. 基板と、
   前記基板上に設けられた下部電極と、
   前記下部電極上に設けられ単結晶圧電基板である第１圧電層と、前記第１圧電層上に設けられ単結晶圧電基板である第２圧電層と、を有する圧電層と、
   前記圧電層の少なくとも一部を挟み前記下部電極と対向する共振領域を形成するように、前記圧電層上に設けられた上部電極と、
   前記第１圧電層と前記第２圧電層との間の前記共振領域の少なくとも一部に設けられた挿入膜と、
   を備え、
   前記挿入膜が設けられた領域以外の領域において前記第１圧電層と前記第２圧電層とは直接接合する弾性波共振器。
5. 前記第１圧電層および前記挿入膜と前記第２圧電層との界面は略平坦である請求項４に記載の弾性波共振器。
6. 前記挿入膜の弾性定数は前記圧電層の弾性定数の温度係数とは逆符号の温度係数を有する請求項１から５のいずれか一項に記載の弾性波共振器。
7. 前記第１圧電層および前記第２圧電層は、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムである請求項１から６のいずれか一項に記載の弾性波共振器。
8. 請求項１から７のいずれか一項に記載の弾性波共振器を含むフィルタ。
9. 請求項８に記載のフィルタを含むマルチプレクサ。

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