CN101635562A - 声波装置,制作声波装置和传输设备的方法 - Google Patents

声波装置,制作声波装置和传输设备的方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种声波装置，制作声波装置和传输设备的方法。一种声波装置包括衬底和形成在衬底上的多个压电薄膜谐振器。多个压电薄膜谐振器中的每个包括设置在衬底上的下电极，设置在下电极上的压电薄膜，设置在压电薄膜上并且经过压电薄膜与下电极相对的上电极。每个压电薄膜谐振器由衬底部分地支持并且在衬底上延伸以在衬底与每个下电极之间形成空腔。空腔在多个压电薄膜谐振器下方连续地延伸。

Description

声波装置，制作声波装置和传输设备的方法
技术领域
本发明实施例涉及一种声波装置、制作方法和使用声音装置的传输设备。
背景技术
随着由手机所代表的无线装置的迅速扩散，对于紧凑的、重量轻的谐振器以及与谐振器相结合的滤波器有不断增长的需求。对于此需求，虽然已经主要地使用了介质滤波器和表面声波(SAW)滤波器，但是压电薄膜谐振器已经吸引了注意力。因为压电薄膜滤波器是一种可以被减小尺寸并被整体集成的装置，其具有特别地涉及高频率的极好的特性。
压电薄膜谐振器可以被归类为诸如薄膜体声波谐振器(FBAR)和固嵌式谐振器(SMR)。通过在衬底上层叠下电极、压电膜和上电极使FBAR成形。空腔空间形成在下电极和上电极经过谐振的压电膜互相相对的位置下方，这部分被称作膜区域。
在这里，在FBAR中已知两种类型的空腔空间，一种为形成在膜区域之间的空腔空间(空腔)，另一种为穿过膜区域下方的衬底所形成的空腔空间(导通孔)。
通过湿法蚀刻、干法蚀刻等将导通孔形成在衬底中。基于例如衬底背侧处理制作的具有导通孔的FBAR(这里称作“导通孔型FBAR”)。
具有空腔的FBAR(下文中称作“空腔型FBAR”)的制作方法的一个示例为以在日本公开专利申请No.2000-69594中示出的方法为例的衬底表面处理方法。另一个例子为以在日本公开专利申请No.2006-211296和No.2007-208728中示出的方法为例的空气桥方法。任意一个方法都可以通过湿法蚀刻在衬底表面和膜区域之间的牺牲层以形成空腔。
在此方法中，例如，牺牲材料形成在用于进一步形成空腔的区域中，并且之后下电极、压电膜和上电极形成在其之上，其中电极和压电膜主要构成压电薄膜谐振器。在层叠这些层之后，形成通孔以从压电薄膜谐振器的上表面到达牺牲层，并且由通过通孔执行蚀刻以移除牺牲层。
因为空腔型FBAR的制作过程不需要从衬底的后侧(背侧)形成空腔空间的过程，所以从将芯片切割为小块以处理每个切割的芯片的角度来看，空腔型FBAR比导通孔型FBAR更适合于大批量生产。
如上所示，空腔型FBAR需要装置的表面上的一部分，作为用于移除蚀刻层的蚀刻剂的入口和流动通路。此部分成为不起到谐振器的功能的死区。具体地，死区是减少通过使多个FBAR相互连接所构造的梯型滤波器的尺寸的大障碍。
作为问题的解决办法，提出了一种在衬底的后侧(背侧)形成用于移除蚀刻层的蚀刻剂的入口的方法，以在日本公开专利申请No.2005-333642中的方法为例。
发明内容
因此，本发明的目的为减少使用FBAR的声波装置中的死区和减小声波装置的尺寸。
根据本发明的一个方面，一种声波装置包括衬底和形成在衬底上的多个压电薄膜谐振器。多个压电薄膜谐振器中的每个包括设置在衬底上的下电极，设置在下电极上的压电薄膜，设置在压电薄膜上并且经过压电薄膜与下电极相对的上电极。每个压电薄膜谐振器由衬底部分地支持并且在衬底上延伸以在衬底与每个下电极之间形成空腔。空腔在多个压电薄膜谐振器下方连续地延伸。
通过在权利要求中具体指出的元件和组合的作用，将会认识并达到本发明的目的和优点。
将要认识到前面的概括描述和以下的详细描述都是示范性和说明性的，并且不限制如权利要求所主张的本发明。
附图说明
图1为制作声波装置的过程中的半成品装置的透视图和示出了分解形式下的半成品装置的层结构的分解透视图；
图2A为图1中的半成品装置的俯视平面图，图2B为沿着图2A中的线A-A′所取半成品装置的截面图，图2C为沿着图2A中的线B-B′所取的截面图；
图3A到图3C为示出了包括为每个FBAR所形成的空腔的声波装置的半成品装置，图3A为半成品装置的俯视平面图，图3B为沿着图3A中的线A-A′所取的半成品装置截面图，图3C为沿着图3A中的线B-B′所取的截面图；
图4A到图4J示出了图1和图2A到图2C中所示出的声波装置的制作方法；
图5A为通孔形成在谐振区域的中央的结构的平面图，图5B为沿图5A中的线A-A′所取的此结构的截面图，图5C为通孔81形成在空腔空间的外周边部分和谐振区域的外侧的结构的平面图，图5D为沿图5C中的线A-A′所取的此结构的截面图；
图6A和图6B为分别示出负载谐振Q(Qr)和负载反谐振Q(Qa)的图示；
图7A和图7B分别为串联谐振器S和并联谐振器P的等效电路图，图7C为示出了串联谐振器S和并联谐振器P的频率特性的图示；
图8A为由串联谐振器S1到S4以及平行谐振器P1到P3组成的梯形滤波器的等效电路图，图8B示出了此滤波器的通过特性；
图9A为对应于图8A的等效电路图的梯形滤波器的俯视图，图9B为沿着图9A中的线A-A′所取的截面图；
图10为第三实施例的声波装置的截面图。
具体实施方式
如前所述，所提出的用于在衬底的后侧或背侧上形成用于移除牺牲层的蚀刻剂的入口的方法减少了生产率，而生产率是空腔型FBAR的优点。
将参考附图解释本发明的优选实施例。
根据实施例，多个压电薄膜谐振器也可以共享下电极。通过在多个压电薄膜谐振器中共享下电极，可以容易地实现在其之间共享一个空穴空间的结构。
此外，优选地在每个压电薄膜谐振器的膜区域之外的区域中形成通孔，因此该通孔从压每个电薄膜谐振器的上表面到达空腔空间。通过在膜区域之外的区域中形成通孔，有可能防止由压电薄膜的端部的面积增加所引起的压电薄膜的特性恶化。
另一方面，通过在衬底上由空腔空间所占据的区域的中心附近形成通孔，相比于在该区域的周边部分附近形成通孔的情况，压电薄膜谐振器的膜区域更不可能与衬底相接触。因此，稳定了压电薄膜谐振器的特性。
根据本发明的实施例，空腔空间可以被形成在平坦的衬底上。因此，在形成在空腔空间上的多个压电薄膜谐振器之间所共享的压电膜可以沿着空腔空间被制作成平坦的。因此，压电膜的不连续的表面更不可能在压电薄膜谐振器之间出现。因此，可以相互靠近地布置压电薄膜谐振器，并且可以更容易地使声波装置减小尺寸。
根据本发明的实施例，优选地靠着衬底形成诸如穹顶突起的空腔空间。因此，可以防止与空腔空间相对的下电极与压电薄膜谐振器的膜区域中的衬底相接触。
根据本发明的实施例，压电膜由氮化铝或者氧化锌制成，每个都具有示出为(002)方向的主轴的朝向。这些材料可以提供包括具有良好的谐振特性的压电谐振器的声波装置。
(第一实施例)
声波装置的制作方法包括：形成用于在衬底上形成空腔空间的牺牲层；通过在牺牲层和衬底上形成下电极、压电膜层和上电极，在牺牲层上形成多个膜区域，每个膜区域都包括经过压电膜互相相对的上电极和下电极；形成穿过下电极、压电膜和上电极中至少一个的通孔；以及，从通孔提供蚀刻剂以移除牺牲层。
根据此制造方法，因为多个膜区域被形成在牺牲层上，所以相比于为多个膜区域的每个形成牺牲层的情况有可能减少通孔的数目。
[声波装置的结构]
使用空腔型FBAR获得根据第一实施例的声波装置。图1为制作声波装置的过程中的半成品装置50的透视图和示出了分解形式下的半成品装置的层结构的分解透视图。图1中的声波装置的半成品装置50包括衬底1、牺牲层3、下电极2、压电膜4和两个上电极6。因为牺牲层3最终将会被移除，所以牺牲层3的一个区域将变为空腔。通孔形成在压电膜4和下电极2的中央部分附近以穿过其接近牺牲层3。由此形成的通孔8被用来移除牺牲层3。
图2A为从上方观察时图1中的半成品装置50的平面图。在图2A中，由虚线示出了用于形成牺牲层3的区域，其中该区域在随后的步骤中被移除。图2B为沿着图2A中的线A-A′所取的截面图。图2C为沿着图2A中的线B-B′所取的截面图。
如图2A到图2C所示，在此实施例的声波装置的半成品装置中，一个牺牲层3形成在衬底1上，并且一个下电极2被层叠在牺牲层3的几乎整个上表面上。此外，压电膜4形成在整个衬底表面上以覆盖牺牲层3和下电极2。两个上电极6都被形成为经过压电膜4与下电极2相对。膜区域为下电极2和上电极6经过压电膜4相互相对的区域。一个膜区域对应于一个FBAR。
在此实施例中，两个膜区域形成在一个牺牲层3上。通过这种结构，两个FBAR形成在一个牺牲层3上。在移除牺牲层3以形成空腔之后，两个FBAR形成在一个空腔上。即，获得了包括共享空腔的多个FBAR的声波装置。在图1和图2A到图2C所示处的示例中，两个FBAR也共享下电极2。以此方式，在此实施例的声波装置中，共享下电极的两个FBAR共享牺牲层3。
这里，下电极2和上电极6可以由例如铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钨(W)、钽(Ta)、铂(Pt)、钌(Ru)、铑(Rh)、铱(Ir)、铬(Cr)、钛(T)或者包括其组合的层叠材料制成。压电膜4可以由例如氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、锆钛酸铅(PZT)或钛酸铅(PbTiO3)制成。此外，衬底10可以由例如硅、玻璃或GaAs制成。
在图1和图2A到图2C所示处的示例中，从上方所观察时膜区域为矩形，但是膜区域可以具有任意的形状，诸如在实践中的椭圆形或五边形。此外，FBAR的层结构不限于上述包括下电极2、压电膜4和上电极6的结构。例如，由氮化铝所制成的支持层可以被设置在衬底1和下电极2之间。通过这种结构，膜区域可以被更稳定地支撑。
图3A到图3C为示出了包括为每个FBAR所形成的空腔的声波装置的半成品装置55的示例。图3A为从上方观察时半成品装置55的平面图。在图3A中，由虚线示出了用于形成牺牲层3的区域，其中该区域在随后的步骤中被移除以形成空腔。图3B为沿着图3A中的线A-A′所取的截面图。图3C为沿着图3A中的线B-B′所取的截面图。
在图3A到图3B所示出的示例中，在衬底100上形成两个牺牲层103。在两个牺牲层103中的每个上形成膜区域，更确切地，形成下电极102和上电极106经过压电膜104相互相对的FBAR。牺牲层103最终将会被移除以形成空腔。形成每个通孔108以移除牺牲层103。
在图3A到图3B所示出的示例中，每个FBAR的膜区域被牺牲层103所抬升。因此，在相邻的FBAR之间的压电膜相比于周围的部分逐渐降低到更低的水平。
如果将诸如AlN或ZnO的具有纤锌矿晶体结构的压电材料用作压电膜104，FBAR之间的降低的区域107的膜中的朝向倾向于是不连续的，并且这种不连续可能容易破裂。具体地，相邻的FBAR形成得越靠近，朝向的不连续更容易趋向于发生。图3A和图3C中的结构在缩短FBAR之间的距离上具有实践的限制。
相反，在图1、图2A到图2C中示出的声波装置50，在位于FBAR之间的压电膜4中，没有诸如图3C中的降低的区域107的降低的区域。因此，使声波装置50的压电膜4沿着平坦的衬底表面保持平坦。因此，即使将具有强朝向性的压电材料用作压电膜，位于FBAR之间的压电膜不表现出不连续的朝向，并且破裂破坏更加不可能发生。因此，相邻FBAR之间的距离可以被减少到光刻的极限。以此方式，图1、图2A到图2C的结构允许牺牲层的数目统一，而不是为每个FBAR形成牺牲层，并且FBAR之间的距离可以被相当大地减小。
此外，因为在图3A到3C的这种结构中，每个牺牲层103被设置在独立FBAR中，应当为每个牺牲层103形成通孔108。因此，比图1和图2A到图2C中的结构需要更多的通孔。该通孔不具有谐振器的功能，而是用来在制作过程中移除牺牲层。因此，通孔变为芯片上的死区以减小了声波装置的尺寸。
另一方面，如果如图1和图2A到2C中所示的多个FBAR共享牺牲层，可以减小通孔的数目，这有助于装置尺寸的减小。通过减小装置的尺寸，可以增加晶元的生产量，这对成本有利。
[声波装置的制作方法]
图4A到图4J示出了图1和图2A到图2C中所示出的声波装置50的制作方法。首先，通过溅射或真空蒸发在Si衬底1上(或石英衬底上)将形成牺牲层3的MgO形成为薄膜(厚度约为20nm)(图4A到图4B)。牺牲层3可以由可以被溶解到蚀刻剂中的任何材料制成而没有任何具体限制，诸如除MgO之外的ZnO、Ge、和Ti。
接下来，通过光刻和蚀刻将牺牲层3形成期望的形状的式样(图4C)。
接下来，按顺序形成下电极2、压电膜4和上电极6(图4D到图4G)。更具体地，下电极2由层叠薄膜制成，该层叠薄膜是通过在Ar气气氛中在0.6到1.2Pa压力下通过溅射形成的(图4D)，此外，通过光刻和蚀刻形成期望的形状的式样(图4E)。其后，使用Al靶在Ar/N2混合气氛中在约0.3Pa的压力下，通过溅射将形成压电膜4的AlN形成为薄膜(图4F)。之后，在Ar气气氛中在约0.6到1.2Pa的压力下，通过溅射Ru将作为上电极的Ru薄膜形成为薄膜(图4G)。
这里如果将示出(002)优选的朝向的氮化铝或氧化锌用作压电膜4，可以制造具有更良好的谐振特性的FBAR。
由此形成的叠层受到光刻和蚀刻(湿法蚀刻或干法蚀刻)以将上电极6和压电膜4形成为期望形状的式样(图4H)。在此形成式样的过程后，通孔8形成在压电膜4中(图4I)。通过用于引导蚀刻剂以将牺牲层3蚀刻掉的通孔8提供蚀刻剂，由此形成空腔空间(空腔)9(图4J)。
在图4I的状态下，优选地在对复合薄膜施加压应力的状态下，构造包括下电极2、压电膜4和上电极6的复合薄膜。通过这种结构，复合薄膜如图4J所示的膨胀，以在下电极2与衬底1之间形成穹顶空腔9。给出其示例，如果对复合薄膜设置300Mpa的压应力，可以形成穹顶空腔9。
以此方式，如果将空腔形成为穹顶形状，阻止下电极2粘附到衬底1上。此外，可以减少用于形成空腔9的牺牲层3的厚度。在这里，穹顶形状可以为使得空腔9的周边部分处于低的水平并且高度朝向空腔的内部部分增加的形状。此外，用于形成穹顶空腔的方法不限于上者。
[通孔和空腔之间的位置关系]
以下描述通孔和空腔之间的位置关系。图5A和图5B示出了用于示出此关系的空腔型FBAR的结构示例。图5A为此结构的平面图，其中用于蚀刻掉牺牲层的蚀刻剂的入口(通孔81)形成在谐振器区域(膜区域)的中央并且图5B为沿图5A中的线A-A′所取的此结构的截面图。图5C为此结构的平面图，其中通孔81形成在空腔空间的外周边部分和谐振区域的外侧(环绕区域)，并且图5D为沿图5C中的线A-A′所取的此结构的截面图。
在图5A和图5B中的FBAR中，通孔81形成在区域、或者下电极21经过压电膜41与上电极61相对的膜区域的中央(从上方观察时的中央)。空腔31稍微大于膜区域并且因此通孔81也位于空腔31的中央。
在图5C和图5D中，通孔82形成在区域、或者下电极22经过压电膜42与上电极62相对的膜区域的中央(从上方观察时的中央)，以及如图5D所示在靠近空腔32的外部边缘的外部周边部分处。
图6A和图6B中的由5A或5C所表示的数据分别对应于包括图5A和5B或图5C和5D中示出的结构的FBAR的质量因数Q的特性。图6A为示出了负载谐振Q(Qr)的图示。图6B为示出了负载反谐振Q(Qa)的图示。
在图6A和6B中比较数据5A和数据5C，包括图5A和图5B中示出的结构的FBAR特性比包括图5C和图5D中示出的结构的FBAR的特性更稳定，因为数据5A的分布比数据5C的分布更狭窄。即，具有形成在围绕牺牲层或空腔的中央处的通孔的FBAR相比于具有形成在牺牲层或空腔处的通孔的FBAR提供更稳定的Q特性。其原因将会在下文中详细描述。
在通过蚀刻移除牺牲层的步骤之后，通过诸如纯水的漂洗制剂很好地替换或消除了用于移除牺牲层的化学制剂。之后，在漂洗制剂被干燥之后，空腔型FBAR完成了。在此漂洗处理中，多种有机溶剂可以被用作漂洗制剂。
在移除牺牲层之后的干燥处理中，当漂洗制剂干燥时表面张力产生作用。因此，在膜区域中产生了附着到衬底的力。在图5C和5D的结构中，漂洗制剂首先在周围部分干燥。因此，附着到衬底的力在膜区域的中央最大化。
另一方面，在图5A和图5B的结构中，漂洗制剂首先在膜区域的中央干燥。因此，附着到衬底的力在膜区域的周围部分最大化。
因为FBAR为薄膜结构，膜区域的中央部分趋向于弯曲变形，而膜区域的周围部分更不可能弯曲变形。因此，如果类似的表面张力作用到膜区域的中央以及外周部分，那么比表面张力作用到周围部分的情况下到附着到衬底的力更低。因此，认识到具有图5A和图5B中示出的结构的FBAR的特性(图6A中的5A)比具有图5C和图5D中示出的结构的FBAR的特性(图6A和6B中的5C)更稳定。
上面描述了在蚀刻剂的入口形成在FBAR的谐振区域(膜区域)的中央的情况下特性更稳定的事实。但是，如图6A和图6B所示，图5A和图5B的FBAR的Q因数的平均值小于图5C和图5D的FBAR的Q因数的平均值。以下将详细描述其原因。
在诸如压电膜、上电极和下电极的每个薄膜的形成中，在许多情况下每个薄膜的边缘不垂直于衬底表面。例如，在基于光刻的薄膜处理中，每个薄膜通常形成有倾斜的边缘。
在谐振和反谐振频率处的厚度模式的声波不仅以衬底表面的法线方向传播，还以衬底表面方向传播。因此，如果压电膜的边缘与衬底表面之间具有夹角的话，以衬底表面方向传播的波在此边缘处倾斜地反射。因此，引起了厚度延伸模式波之外的模式。
FBAR的压电膜通常具有衬底表面的法线方向的偏振轴。因此，如果声波没有衬底表面的法线方向之外的方向中的位移，那么震动可能不引起压电效应，并且其振动能量导致能量损失。总之，Q因数被减小了。
如图5A和5B所示，压电膜的端部的面积相对于谐振器的面积增加。因此，Q因数被减小了。
考虑到图6A和图6B中的上述描述，可能防止多个FBAR具有差的特性并且可以通过在多个FBAR所共享的牺牲层3的近似中央形成通孔8以提供稳定的特性。图1和图2A到图2C中示出的具有这种结构的FBAR在每个膜区域中没有由于通孔8所产生的边缘。因此，图1和图2A到图2B中示出的结构可能导致高的生产率并且可以实现更好的FBAR的特性。
在这里，牺牲层(或空腔)3的中央不严格地限制于中央，而是可以被设置为远离外部边缘的位置，因此在牺牲层的移除过程之后的干燥过程中，空腔的周边部分最后干燥。
(第二实施例)
第二实施例涉及一种使用第一实施例的声波装置的滤波器。使用FBAR的滤波器主要为梯形滤波器。梯形滤波器被构造为使得在输入端Tin和输出端Tout之间，串联谐振器和并联谐振器分别串联或并联地连接。
图7A和图7B分别为串联谐振器S和并联谐振器P的等效电路图。图7C为示出了串联谐振器S和并联谐振器P的频率特性的图示。串联谐振器S的通过量(由实线表示)在谐振频率frs处示出了最大值而在反谐振频率fas处示出了最小值，其中通过量为输入功率与输出功率的振幅响应比率。并联谐振器P的通过量(由虚线表示)在谐振频率frs处示出了最小值而在反谐振频率fas处示出了最大值。
图8A为由串联谐振器S1到S4以及平行谐振器P1到P3组成的梯形滤波器的等效电路图。图8B示出了此滤波器的通过特性。串联谐振器S1到S4的谐振频率frs和并联谐振器P1到P3的反谐振频率fas被设置为基本相同的水平，并且构造了带通滤波器。
图9A为对应于图8A的等效电路图的梯形滤波器的俯视图。图9B为沿着图9A中的线A-A′所取的截面图。
串联谐振器S1到S4和并联谐振器P1到P3包括下电极24A、24B和24C经过压电膜44分别地与上电极64A、64B和64C相互相对的膜区域。这七个谐振器形成在三个空腔34、35和36上，其每个区域都由粗虚线所示出。换言之，谐振器S1和P1共享空腔34，谐振器S2、S3和P2共享空腔35，并且谐振器S4和P3共享空腔36。之后，用于移除牺牲层的通孔84、85和86形成在空腔34、35和36的每个中央附近。空腔34、35和36的独立形式为穹顶形。
串联谐振器S1和并联谐振器P1的膜区域共享对应于图8A中示出的梯形滤波器输入端Tin的下电极24A。串联谐振器S4和并联谐振器P3的膜区域共享对应于图8A中示出的梯形滤波器输出端Tout的下电极24B。并联谐振器P1、P2和P3的相应膜区域的上电极64A、64B和64C相互连接并与相当于接地端。在这里，虽然未示出，由Ti制成的附加薄膜可以形成在并联谐振器P1到P3的上电极64A、64B和64C上。串联谐振器S1和S2共享上电极64D，串联谐振器S3和S4共享上电极64E。通过控制附加薄膜的厚度，可以调整并联谐振器P1到P3的谐振频率以实现带通滤波器的期望的特性。调整谐振特性的方法不限于前者。
第一实施例的声波装置包括FBAR，其中FBAR诸如S2和S3，其中S2和S3共享空腔35和在由压电膜44所组成的膜区域的外侧的通孔85。因此，可以互相非常接近地形成S2和S3。此外，因为多个FBAR共享空腔，可以减少通孔的数目，由此可以减小滤波装置的尺寸。
本实施例描述了七个谐振器S1到S4和P1到P3共享三个空腔34到36的例子，但是可以以另一种方式共享空腔。例如，串联谐振器S1到S4和并联谐振器P1到P3可以共享一个空腔。可选择地，谐振器S1到S4可以共享一个空腔，而并联谐振器P1、P2和P3可以具有独立的空腔。
虽然本实施例描述了梯形滤波器的例子，但是其他类型的滤波器可以被类似地制造，并且可以获得类似的优点。此外，诸如双工器的使用本实施例的滤波器的模块和使用该滤波器的通讯设备被认为是本发明的实施例。
(第三实施例)
根据本发明的第三实施例，空腔形成在衬底中的由衬底表面处理方法所形成的埋孔中。图10为第三实施例的声波装置的截面图。在图10中的声波装置中，衬底15的表面上的一部分被处理为空腔(空腔空间)35，并且下电极25和上电极65经过压电膜45所层叠的区域形成在空腔35上。两个膜区域形成在空腔35上。换言之，两个FBAR共享一个空腔35。
可以以与第一实施例相类似的方式形成空腔35。例如，在在形成在衬底上的凹痕或空腔中形成牺牲层之后，层叠下电极25、压电膜45和上电极65，之后通过通孔85移除牺牲层以由此获得空腔35。
以此方式，基于衬底表面处理方法形成了空腔，使得有可能沿着平坦的表面形成压电膜45。因此，可以获得具有高取向性的压电膜。因此，可以减小膜区域之间的距离。
这里所详述的所有的例子和有条件的语言是为了教学的目的以帮助读者了解本发明和由发明人贡献以促进本领域的概念，并且被理解为不被限制为这些具体引用的例子和条件，说明书中的这些例子的组合不涉及本发明的优点和缺点的展示。虽然详细地描述了本发明，应该理解可以在不超出本发明的精神和范围的条件下做出各种修改、替换和变化。

Claims (9)

1.一种声波装置，包括：
衬底；和
形成在所述衬底上的多个压电薄膜谐振器，所述多个压电薄膜谐振器中的每个包括：
设置在所述衬底上的下电极，
设置在所述下电极上的压电薄膜，
设置在所述压电薄膜上并且经过所述压电薄膜与所述下电极相对的上电极，每个所述压电薄膜谐振器由所述衬底部分地支持并且在所述衬底上延伸以在所述衬底与每个所述下电极之间形成空腔，所述空腔在所述多个压电薄膜谐振器下方连续地延伸。
2.根据权利要求1所述的声波装置，其中所述多个压电薄膜谐振器形成在所述下电极上。
3.根据权利要求1所述的声波装置，其中通孔从所述压电薄膜谐振器的上表面，穿过所述上电极或所述下电极中的至少一个延伸到所述空腔。
4.根据权利要求1所述的声波装置，其中通孔从所述压电薄膜谐振器的上表面延伸到所述空腔的中央。
5.根据权利要求1所述的声波装置，其中所述空腔形成在所述衬底的平坦表面上。
6.根据权利要求1所述的声波装置，其中所述空腔具有穹顶突出的形状。
7.根据权利要求1所述的声波装置，其中所述压电薄膜由氮化铝或氧化锌制成，其中氮化铝或氧化锌都具有示出(002)方向的主轴的朝向。
8.一种传输设备，包括：
一种声波设备，包括，
衬底；和
形成在所述衬底上的多个压电薄膜谐振器，
所述多个压电薄膜谐振器中的每个包括，
设置在所述衬底上的下电极，
设置在所述下电极上的压电薄膜，
设置在所述压电薄膜上并且经过所述压电薄膜与所述下电极相对的上电极，每个所述压电薄膜谐振器由所述衬底部分地支持并且在所述衬底上延伸以在所述衬底和每个所述下电极之间形成空腔，所述空腔在所述多个压电薄膜谐振器下方连续地延伸。
9.一种制作声波装置的方法，包括：
在衬底上形成用于提供空腔的牺牲层；
在所述牺牲层和所述衬底上层叠下电极、压电薄膜和上电极，以提供夹在所述下电极和所述上电极之间的所述压电薄膜的多个部分；
形成通孔，其穿过所述下电极、所述上电极或所述压电薄膜中的至少一个；
用穿过所述通孔的蚀刻剂移除所述牺牲层。
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