CN101163950B - 热分析传感器 - Google Patents

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Abstract

一种用于热量测量的热分析传感器与恒温装置协作,并且包括形成在传感器上的至少一个测量位置,建立在恒温装置和所述至少一个测量位置之间的热流路径,以及至少一个温度测量元件,其特征在于,传感器具有实质上由陶瓷元件形成的多个层,所述陶瓷元件通过一起经历烧结过程而彼此牢固粘合在对方上,并且在它们的生料状态下可被结构化,以使得陶瓷元件的至少一部分被结构化。

Description

热分析传感器
技术领域
本发明涉及一种用于热量测量的热分析传感器。
背景技术
热量测量(calorimetric measurement)用于确定化学或物理过程中转换的热量值以及物质的比热。为了实施这种测量,物质,特别是物质试样,在受控的条件下在量热器中被加热,并且借助于热分析传感器(thermoanalytical sensor)观测物质试样和恒温装置(即用于加热和/或冷却的装置)之间的热流。热流通常通过沿着试样和恒温装置之间的热流路径的温差来确定。
量热器通常包括至少一个测量室,其具有热分析传感器,在热分析传感器上布置着至少一个测量位置。传感器一方面热耦合至恒温装置,另一方面热耦合至接触传感器的试样和/或参照物(reference)。恒温装置和/或传感器通过适宜的方式连接到至少一个控制单元。
量热器可被用于,例如,热分析领域,以测量大部分物质。一般而言,物质试样安放于形成在传感器上的试样位置上,并且借助于恒温装置被加热,在大多数情况下试样被保持在专用杯中,杯可被封闭。恒温装置和试样之间出现的热流被测量和评估。这可以提供关于物质结构和成分的信息,例如其热容量、相变和氧化稳定性。还可以观察动态反应和/或确定纯度。
在需要以高精度和大温度范围进行的热量测量中,一般程序是测量相对于参照物热流的试样热流。热量测量可以实施于量热器中,量热器具有彼此分开的测量室,以及用于至少一个试样和至少一个参照物的公共测量室。
为了以高可再现性进行精确测量,重要的是传感器具有高机械、化学以及热稳定性。本领域中当前公知的传感器经常包括盘形载具,其具有至少一个热电偶装置和形成在传感器上的至少一个测量位置。热电偶装置以及测量位置可以例如借助于薄膜技术或厚膜技术制成。
具有通过薄膜技术产生的、构成热电偶装置的热电偶的一部分的传感器描述于例如F.X.Eder的Arbeitsmethoden derThermodynamik(热动力学领域的工作方法),卷2,施普林格出版社1983年,第240页。借助于薄膜技术产生的传感器的缺点是生产工艺昂贵,可以获得的最大厚度很小,在很多情况下具有低机械和/或化学耐受性。
借助于厚膜技术可以产生更多的电阻传感器。其上形成有一个试样位置和一个参照物位置、并且具有至少两个热电偶装置的传感器公开于DE3916311C2。
利用厚膜技术产生的传感器可以具有形成在载体基板上的若干厚膜涂层。涂层的最大整体厚度为大约100μm,各层的典型厚度在5和20μm之间。各个涂层可以包括电路例如热电偶装置,并且通过绝缘层彼此分隔。各个层通过软膏和丝网印刷技术沉积,并且通常每个印刷步骤之后需要跟着一个焙烧过程。结果,生产过程,特别是对于若干涂层来说,是非常耗时的。多个烧结步骤可以对结构和所涉及的涂覆材料和/或对载体基板产生有害作用。
为了产生热电偶,至少两种不同的导热膏(thermo-pastes)沉积在载体基板上,在大多数情况下载体基板由陶瓷材料形成。在彼此之间相隔一段距离布置的两个热电偶之间可能具有电压差,通过该电压差,温差可被确定。热电偶可以在为沉积相应的厚膜涂层而预先规定的特定图案中布置。
利用薄膜技术以及利用厚膜技术,可以实现大致二维热电偶装置,其测量包含热电偶的各传感器层中的温度差。热电偶通常沉积在大致水平的传感器层中,既可以在传感器表面本身上也可以靠近其沉积。
然而,传感器中的热流并非限定在一层中,而是在整个传感器中三维传播。因此,利用由薄膜或厚膜技术产生的大致二维热电偶装置,只有一部分的热流可被测量,因而测量结果携带着相应的不稳定性。
发明内容
基于上述背景,本发明的目的是提供一种用于热量测量的热分析传感器,其同传统传感器相比,可以提供更高级别的灵敏度,更重要的是,具有更大的结构灵活性。
上述目的可通过权利要求1中限定的传感器实现。
用于热量测量的热分析传感器与恒温装置协作,并且包括形成在传感器上的至少一个测量位置,和温度测量元件。热流路径本身建立在测量位置和恒温装置之间。传感器主要包括由陶瓷元件形成的多个层,所述陶瓷元件通过一起经历烧结过程而彼此牢固粘合在对方上。陶瓷元件主要由陶瓷形成,陶瓷在其生料状态下可以被提供为某种结构。用于形成传感器的陶瓷元件中的至少一部分被结构化(structured)。
本申请中使用的术语“层”指的是在结合烧结之后由传感器中的陶瓷元件占据的位置和区域。以下使用的术语“陶瓷元件”可表示处在未烧结或生料状态的陶瓷元件。为结合进行的烧结可在陶瓷元件之间产生固实结合,从而形成近乎单体的单元。采用术语“层”在大多数情况下是为了给传感器的构造提供更好的解释。
各陶瓷元件可以在烧结之前单独结构化,从而传感器的形状和结构可以以任何预期方式设定并且成形。传感器通常包括结构化以及未结构化陶瓷元件。陶瓷元件在同一时间烧结在一起,并且因此而全都承受相同的加热轮廓线,从而各陶瓷元件的热应力保持为尽可能小。这一点是有利的,因为这样可以避免因各部分不同的热暴露而在传感器中引起应力。
陶瓷元件由陶瓷制成,即由陶瓷材料形成,优选所有元件使用相同陶瓷。在其未烧结或生料状态,该陶瓷可以被构造为某一结构。使用单一的陶瓷是有利的,因为这使得陶瓷元件可以通过相同方法结构化,从而制造成本可以显著降低。
为测量热流,传感器包括至少一个热电偶装置,其被沿着热流路径形成。热电偶装置产生热电信号,利用该信号,热流可通过传统方式被确定。
一般而言,热流可直接或间接通过温度测量而被测量。取决于具体构造,绝对温度或温差可借助于所述至少一个温度测量元件而被测量。温度测量元件可以例如包括电阻器或具有至少两个热电偶的测量链。
彼此相隔一定距离定位的至少两个热电偶可以形成测量链,所述测量链可以通过适宜的连接触点而构成热电偶装置的一部分。利用测量链,构成测量链的热电偶之间的温差可被确定。如果测量链为所谓的冷端电路,其中一个热电偶形成传感器内侧、另一个热电偶形成传感器外侧,则测量链还可以被用于确定绝对温度。
属于热电偶装置的至少一个热电偶被形成在传感器的层中或层上。
在层中或层上传播的热流可通过至少一个测量链而被确定。形成测量链的热电偶可以形成在层内和/或层上,或是形成在不同的层内和/或层上。
确定在层上或层中二维传播的热流通常利用多个测量链实现,测量链在大多数情况下构成热电偶装置的一部分并且安置在层上和/或层中。
为了确定垂直于层传播的热流,热电偶装置可以设置成主要包括在两个或更多个层之间延伸的测量链。
在优选实施方式中,传感器包括若干测量链,所述测量链包括安置在层上和/或层中和/或安置在不同层上和/或不同层中的热电偶。这使得可以测量三维传播的热流。
热电偶通常包括两种不同导电性材料,它们彼此接触。热电偶优选通过向陶瓷元件上和/或陶瓷元件中沉积和/或注射含金属的导热膏而制成。可行的是,例如通过丝网印刷向陶瓷元件施加至少两种不同的导热膏,或者设在各陶瓷元件中的凹槽可以被充填不同的导热膏。现有技术中的热电偶包括下述材料,例如金、银、铜、钯、铂以及这些金属的合金。在本申请中,术语“凹槽”包括陶瓷元件上的凹坑以及穿通陶瓷元件的通道。
传感器可以具有测量链,其可以相对于测量位置沿水平和/或竖直方向延伸,其中一或多个测量链(每个包括至少两个热电偶)优选不仅安置在一个层内和/或一个层上,而且安置在两个或更多个层上和/或之间。
水平和/或竖直测量链的构造使得可以观察热流沿水平以及竖直方向的传播。测量链的构造具有很高的灵活性,从而,取决于传感器的设计,还可以例如将由热电偶构成的测量链安置在形成于传感器中用于容置试样或参照物的凹槽的竖直壁中。取决于测量链的构造,热流传播可以被二维或三维观测。
水平和竖直测量链的组合还能够实现真正的热电偶三维结构,并因此而三维观测传感器中的热流模式。这一点非常有利,因为热量测量的精度取决于热电偶在传感器中和/或传感器上的数量和分布。已发现,围绕测量位置的大致圆形分布的热电偶特别有益。热电偶因此而优选分布在传感器表面上和/或靠近传感器表面的层中,以及在传感器内侧的所有空间尺度中分布,以便尽可能多地俘获热流和建立在试样或参照物与恒温装置之间的温度梯度。
在另一代表性实施方式中,热电偶装置包括至少一个热电偶,其在烧结过程之后形成在传感器的表面上。该热电偶优选通过传统厚膜或薄膜技术制成。还可以在烧结之后在传感器上制成一或多个厚膜或薄膜涂层。一或多个测量链可以作为热电偶装置的一部分形成于这些涂层中,通过测量链,在传感器表面上传播的热流可以俘获。
温度测量元件还可以包括电阻器,其可以形成在层中和/或层上,和/或在烧结之后形成在传感器表面上。温度检测可以仅通过一或多个电阻器实现,仅通过测量链实现,以及通过电阻器和测量链的组合实现。设计有大表面面积的电阻器还可以被用作加热电阻,从而局部加热装置被布置在传感器上或传感器中。
热电偶、电路、电阻器和/或加热电阻可以例如在烧结之前借助于丝网印刷技术形成在陶瓷元件上,或在烧结之后形成在传感器表面上。
在另一代表性实施方式中,传感器包括至少一个用于流体、特别是用于恒温流体的管路。通过该管路,传感器和/或与传感器相接触的试样或参照物可以被调温,即加热或冷却。所用的恒温流体优选为液体、气体或液化气体。取决于恒温流体及其温度,传感器可以被加热和/或冷却。管路可以被设计成任何预期形状。为确保恒温流体和传感器之间均匀的热交换,可以设想,将流体在管路中保持移动,这可以通过传统装置例如泵实现。
由于可以向陶瓷元件提供某一结构,因此可行的是,改变至少一个传感器区域的导热率,从而该区域具有同陶瓷相比更高或更低的导热率。这样的传感器区域既可以具有至少一个凹槽和/或充填的凹槽,也可以包括印刷有导热率与陶瓷不同的材料的陶瓷元件。
各陶瓷元件的结构化可行性取决于它们的尺寸和所用的陶瓷。有利的是,陶瓷元件含有氧化铝。
根本上讲,传感器是通过在一个过程中一起烧结各结构化和/或未结构化陶瓷元件的构造而产生的。各陶瓷元件的大小被设置成适合于成品传感器的尺寸和形状。取决于各陶瓷元件规定的结构,可行的是,产生具有不同性能和形状的热分析传感器。
传感器的形状可能会影响其灵敏度、可再现性和动态性能,因为这些性能主要是通过热流在传感器中的空间分布而确定的。传感器的灵敏度主要受传感器中不同区域的热阻的影响,即受热电偶之间的拓扑学结构和材料以及温度测量元件和/或测量链在传感器中的布置方式的影响。
根据本发明的传感器制造方法包括不同的步骤,并且主要遵从于所谓的LTCC(低温共烧结陶瓷)方法。
制造陶瓷元件所用的基料为未烧结或生陶瓷材料。这种类型的也被用于LTCC陶瓷的生陶瓷材料是商业供应的并且可以从不同的制造商以卷料的形式或已经预切割成不同尺寸的片材的形式获得,例如DuPont或Heraeus。基料的厚度为优选大约50至大约300μm。
为产生各个具有给定尺寸的陶瓷元件或陶瓷元件阵列(类似于硅晶片,在之后的时间包含多个彼此分隔的陶瓷元件),以卷料的形式或已经预切割成片材的形式获得的陶瓷材料可以例如通过激光切割、锯切、模具冲裁、铣削或超声波切割而被切割成小板块、陶瓷元件或陶瓷元件阵列。
如有必要,各陶瓷元件或工业生产过程中的元件阵列可以随后被结构化。各陶瓷元件的结构化可以实施于各陶瓷元件以及实施于阵列。这样的阵列在过程的后续步骤中被分离为各陶瓷元件,例如在层合或烧结后。
在结构化后,陶瓷元件一般会被彻底清洗。
最终将形成传感器的陶瓷元件以规定的次序彼此上下叠加。传感器的性能和形状主要通过结构化和未结构化陶瓷元件的分布顺序来确定。
以这种方式组合的叠层在烧结之前经历层合操作,从而在烧结之前陶瓷元件已经彼此附着,并且不能偏移彼此相对于对方的位置。在低于大约100℃的温度在压力下或在真空中实施层合。
随后,叠层被烧结一次。烧结温度高于层合温度,典型地低于大约900℃。通过烧结,已经彼此附着的陶瓷元件将彼此牢固粘合在对方上,并且形成几乎单体式单元。
陶瓷元件的结构化可以包括一或多个下述步骤:可以通过例如模具冲裁、激光切割、切割或钻削制出一或多个凹槽。在一些情况下,这些凹槽同样可以被充填不同的材料,从而在陶瓷元件中的这些部分,或后续的时间内在层中,可以在特定点和/或在特定区域中改变材料成分。如果导热率不同于陶瓷的材料被用于充填凹槽,则可以在点和/或在区域中改变传感器的导热率。可以使用的材料包括例如金属,例如金、铂、钯、铜、银和这些金属的合金,其具有高导热率或良导热率,和/或气体例如空气,其具有低或差导热率。
金属可以以含金属的软膏的形式使用,其性能被设置成适合于所使用的陶瓷。然而,其它有机、无机或金属材料也可以用于充填凹槽。
另外,通过这种方式预先结构化的陶瓷元件以及未结构化陶瓷元件可以被印刷或涂覆不同的材料。还可以在层合或烧结之后向未精整的传感器表面涂覆或印刷附加的涂层。建议为该目的使用在厚膜和薄膜技术领域公知的丝网印刷方法,还可以使用传统公知的溶胶-凝胶工艺,因此而产生不同的图案。这些涂层可以包括一或多个附加温度测量元件和/或一或多个测量位置,以及其它可行措施。
作为结构化的另一种方式,可行的是,使用不同尺寸的陶瓷元件,从而传感器的外形可以改变或单独设定。
形成凹槽并后续充填,和/或印刷陶瓷元件,和/或印刷烧结的传感器,还可以用于在传感器上形成至少一个测量位置。
在许多情况下,所使用的陶瓷材料具有在烧结过程中收缩的特性。因此实际上可以将各陶瓷元件制作得略大于传感器的期望尺寸。如果层主要包括结构化陶瓷元件,还可能导致它们的收缩不均匀。
为了在生产过程中满足关于尺寸和形状的规定许用公差,可能需要对传感器进行机械精整加工。机械精整可以包括例如分离陶瓷元件阵列的叠层,使传感器的边缘平滑化,和/或通过例如切割、磨削、钻削和/或铣削等方法对传感器的最终形式进行成形。传感器的尺寸和形状也可能对传感器的灵敏度和测量精度具有影响。
在烧结之后,传感器可以被机械精整,并且形成于传感器中的至少一个温度测量元件可以电连接至测量单元,并且可能还连接至控制单元。
在生产过程中形成于陶瓷元件和/或陶瓷元件上的结构,安置到传感器上的和/或结构,构成了成品传感器中的不同元件,例如下述一组中的至少一种:温度测量元件、热电偶装置、电阻器、加热电阻、热电偶、测量链、流体管路和/或导热率不同于陶瓷材料的传感器区域。
传感器的性能和形状主要通过相同地或不同地结构化和/或未结构化陶瓷元件的分布顺序来确定。传感器内的较大中空空间可以例如通过将若干在相同位置具有凹槽和/或切除部的陶瓷元件彼此上下叠置而产生,在这种情况下,可能需要在层合和烧结过程中用空间保持填料来充填较大空腔,以便确保凹槽或中空空间的形状在烧结之后得以保持。
还可以通过这种方式在传感器中形成一或多个管状管路。由于在烧结过程中各陶瓷元件彼此牢固粘合在对方上,因此这些管路在烧结之后将具有封闭的壁,并且可以被用于承载恒温流体。作为恒温流体,优选地使用液体、气体或液化气体。取决于流体及其温度,这可使得传感器被加热或冷却。通过例如对壁进行后续的涂覆,管路的防漏性能可以进一步提高。
恒温流体管路可以被构造成任何理想的形状,其中管路可以在测量位置下面以螺旋形状延伸,或以大致曲折形状延伸。管路具有从传感器通向外侧的连接器,通过连接器,管路可以从外侧供应恒温流体。为了通过流体均匀地传输或吸引热量,需要维持流体在管路中的移动,这可以通过传统装置例如泵实现。
最后,所述至少一个温度测量元件和/或热电偶装置设有电触点终端,从而传感器中和/或传感器上的一个位置和/或不同位置的温度可被测量,并且热流可被确定。
附图说明
下面将参照附图来描述热分析传感器的不同实施例,在附图中:
图1表示具有若干测量链的热分析传感器的示意性剖视图,其热耦合至恒温装置,并且通过形成在传感器上的测量位置热耦合至试样杯和参照物杯;
图2显示了图1的放大细节;
图3提供了具有水平和竖直布置的测量链的热分析传感器的示意性放大图;
图4提供了具有用于杯的升高支座区的热分析传感器的示意性放大图;
图5提供了具有用于杯的下沉支座区的热分析传感器的示意性放大图;
图6提供了具有整体组合式试样容器的热分析传感器的示意性放大图;
图7提供了具有导热率不同于陶瓷材料的区域的热分析传感器的示意性放大图;
图8提供了具有形成在传感器内的恒温流体管路的热分析传感器的示意性放大图。
具体实施方式
图1和2示出了用于热量测量(测热)装置的热分析传感器的优选实施方式的例子。盘形传感器1大致显示在图1中,其包括通过一起经历烧结过程而彼此牢固粘合在对方上的多个层2,在烧结之后施加在传感器1上的至少一个涂层33,以及恒温装置5和用于试样和参照物的各一个杯12。为了更清楚,图2显示了图1的局部放大图。下面将更详细地一起描述图1和2。
为了更好地理解传感器的结构,各层显示在所有图中,尽管在烧结之后这些层不能彼此完全区分开,而是构成近乎单体结构,其中形成各功能元件。
传感器1包括若干结构化陶瓷元件,其中,通过使多层的组件经过低温下的结合烧结过程而产生包含多个层2的传感器。随后,在图示的例子中,烧结的传感器被涂覆至少一个附加层33,其通过例如厚膜技术施加。
在烧结之前和/或在烧结之后,通过对各陶瓷层进行结构化,在传感器1的与恒温装置5接触的底侧形成两个凹槽3。这些凹槽定位在测量位置6、7下面,并且减小传感器在这些区域中的厚度。凹槽3包围着真空或被充填空气或气体。所述凹槽由恒温装置5限定边界,在这种情况下,恒温装置主要为由银构成的加热块。
与杯12接触的传感器表面大致为平表面,并且被涂覆至少一个涂层33,其包括结构化部分和绝缘部分,并且在本例中通过使用厚膜技术施加。结构化涂层部分包括两个测量位置6、7,并且分别围绕每个测量位置6、7形成热电偶装置,每个热电偶装置分别包括两个形成在涂层33的结构化部分中的测量链8、9。每个测量链8、9具有至少两个热电偶。
显示于图1和2中的传感器1包括若干测量链8、9、10、11。测量链8、9形成于涂层33中,测量链10、11形成于铺设在传感器内侧的层2中和/或形成在其上。测量链8、9、10、11围绕测量位置6、7基本上沿径向延伸。这使得温度波动不仅可围绕各测量位置6、7沿径向被检测,还能在测量位置6、7下面的不同深度处被检测。
此外,在每个杯下面设有大面积电阻器4,其在本例中形成于涂层33中并且用作温度测量元件以确定绝对温度。
传感器1包括由陶瓷材料构成的多个层2,陶瓷材料中含有氧化铝,并且与现有技术的LTCC过程中使用的材料类型相同。为了形成测量链10、11,由两种不同导热膏构成的两个热电偶形成在至少一个层上和/或层中。测量链设置在传感器1内。
在通过对各陶瓷元件进行适宜的结构化以实现层合之前,测量链10、11已被形成。它们与测量链8、9一起,允许实现在经受调查的物质和/或参照物与恒温装置5之间移动的热流的三维测量。
通过测量链8、9和测量链10、11之间的空间分隔,特别是竖直距离,同传统传感器相比,至少两倍数量的热电偶可以形成于传感器1中,这是因为热电偶分布在一或多个层2上以及传感器的涂层33中。传感器的灵敏度因此而同传统传感器相比提高。
在烧结之后形成的两个测量位置6、7限定了传感器的表面区域,在测量过程中,经受调查的物质和/或参照物布置在所述表面区域上。一般而言,经受调查的物质被放入杯中,所述杯可以由罩盖13封闭,如显示于图1。作为参照物,空杯可以使用,被充填了纯物质或参照物质的杯也可使用。不同种类的杯是公知的,但为了精确的热量测量,所使用的杯的热学、机械和化学性能需要得知。为了热量测量,通常使用金属或合金的杯。相同的杯总是被用于参照物和试样。典型的杯材料包括铝、陶瓷、钢和蓝宝石等等。
LTCC陶瓷的独特之处在于,它们包括大致上由相同陶瓷材料构成的多个结构化陶瓷元件,这些陶瓷元件一起经受烧结过程。典型的烧结温度低于大约900℃。由于相对低烧结温度,热电偶还可以形成有导热膏,其含有低熔点金属例如金、银、铜、铂、钯和这些金属的合金,而没有导致包含导热膏的图形和结构变形的危险。
除了测量链10、11之外,通过结构化未烧结陶瓷元件并且在烧结之后只机械精整而类似地产生了凹槽3。机械精整工作可能是必需的,因为基板材料在烧结过程中收缩一定的比例,大约为10%至20%。
在前面描述的生产过程中,不同的温度测量元件例如热电偶和/或电阻器可以形成在不同的陶瓷元件上和/或陶瓷元件内。这些热电偶可以形成测量链,这些测量链不仅平行于传感器表面延伸,而且垂直于传感器表面延伸,如显示于图3。
图3表示热分析传感器的一部分的放大图,其中竖直测量链15、水平测量链14和加热电阻16形成在杯12下面。传感器本身在很大程度上类似于图1和2中的传感器,相同附图标记用于表示相同的特征。
加热电阻16被构造为层2上的大面积电阻器并且在本例中用作传感器的局部电阻加热装置,从而既可以作为图1所示恒温装置的附加而进行局部加热杯12,也可以仅仅利用电阻器16加热杯12。
传感器具有竖直测量链15和水平测量链14,它们优选构造为围绕着设置在传感器表面上的测量位置的圆形图案。竖直测量链15包括至少两个热电偶,它们形成在彼此之间具有竖直距离的两个层内和/或层上。
水平测量链14用于检测彼此水平相隔并且形成在层2内和/或层上的至少两个热电偶之间的温差。
测量链包括彼此相连的至少两个热电偶,其中每个热电偶包括具有不同的传导率的至少两种金属材料。各热电偶可以布置成围绕测量位置的任何理想的二维或三维图案。
围绕测量位置57布置并且分别具有至少两个热电偶的测量链14、15组合于一个热电偶装置中,热电偶装置可以检测沿着热流路径的温度波动,热流路径本身建立在测量位置57和恒温装置(见图1)之间。将测量链14、15组合到热电偶装置中是通过形成测量链14、15的热电偶之间的适宜电连接部而实现的,其中不同的热电偶通常被串联。触点终端可以用于印刷在各层或烧结之后沉积的涂层上(见图1和2)的导电迹线,以及用于安装在成品传感器上的导电体。
位于传感器内和/或传感器上的水平和竖直布置的测量链允许三维检测在操作过程中在支靠于测量位置57上的试样或参照物与恒温装置(见图1)之间的流动的热流。
布置在传感器中的竖直测量链15和水平测量链14的热电偶已经在结构化陶瓷元件的过程中制成,或至少被预先形成并且在后续烧结中制成。
图4显示了多层传感器的另一种可行构造。所显示的形式大致类似于图3,并且相同的特征被赋予相同附图标记。
在本实施方式中,热分析传感器具有两个水平测量链18、20和一个竖直测量链19,它们均布置在传感器内侧。每个测量链18、19、20具有至少两个热电偶,它们被大致构造成围绕测量位置17的圆形图案。测量链18、20布置于沿竖直方向彼此相隔的层中,并且测量链19在传感器中的定向正交于测量链18、20。
测量位置17设置在升高支座区21上,该升高支座区类似地通过结构化各陶瓷元件而形成。升高支座区21通过结构化若干较小陶瓷元件而形成。完成后的传感器随后被层合和烧结,从而具有前面描述的特征的多层传感器被形成。
图5显示的传感器具有下沉支座区22,用于容置可封闭的试样杯或参照物杯12。测量位置37形成在下沉区22的底板上,杯12可以放置在底板上并且可以被罩盖13覆盖。完成后的传感器包括烧结陶瓷层2,所述烧结陶瓷层包含彼此沿竖直方向相隔的若干水平测量链23、24、25、26。测量链23、24、25、26布置在不同的层2层上和/或层内,从而杯3 7被测量链23、24、25、26沿横向以及从下面围绕。
下沉区22可以通过从未烧结陶瓷元件上模具冲裁或切割相应区域而产生,或通过后期在烧结的传感器中形成凹槽22而产生,例如通过铣削或钻削。优选地在烧结过程之前形成下沉区或凹槽22,因为后续的机加工可能引起各热电偶损坏。
传感器的另一实施方式显示在图6中。传感器包括用于试样或参照物的容器,其中容器大致上构成传感器的一部分。凹槽34形成于传感器中,传感器表示为用于容置试样或参照物的杯。凹槽34通过盖子28而被覆盖或封闭,盖子类似地优选由LTCC陶瓷构成,LTCC陶瓷包括烧结在一起的若干陶瓷元件2。这样产生了可以通过罩盖28封闭的试样室34,其中将被检测的试样29可以直接安置于试样室34中。
在凹槽或试样室34的底板上,同样形成有测量位置47,其被测量链23、24、25、26围绕,这些测量链布置在彼此竖直相隔的多个层中。在本例中,通过向未烧结陶瓷元件上和/或其内沉积和/或注射不同的导热膏,形成测量链23、24、25、26的热电偶被类似地产生,其中至少两个空间分隔的热电偶之间的距离,以及因此而测量链23、24、25、26的长度,可以彼此不同,如图中通过代表测量链23、24、25、26的条的不同长度所示。
根据本发明的热分析传感器中包含的多层陶瓷结构的导热率可以在生产过程中如下改变,即通过将导热率高于陶瓷的材料嵌入传感器的特定区域中,或通过在未烧结陶瓷元件中产生凹槽,凹槽随后被充填材料导热率低于陶瓷的材料,例如空气或真空。
具有高导热率的区域既可以通过将具有某种导热膏的图案印刷在各陶瓷元件而产生,也可以通过在陶瓷元件中制作一或多个凹槽并且在另一步骤中以导热材料填充所述凹槽而产生。
具有降低导热率的区域可以通过形成于这些区域内并被充填具有较低导热率的材料的中空空间或凹槽而产生。中空空间的尺寸一方面取决于制作在陶瓷元件中的切除部的尺寸,另一方面取决于彼此的切除部相连的多个陶瓷元件的相互叠置。
具有导热率设定区域的传感器的例子显示在图7。所示出的传感器部分地类似于图2,并且相同的特征被赋予相同附图标记。在位于凹槽3和测量位置7之间的传感器部分中,有些部分包含有绝热材料31,例如空气或其它绝热体。由于绝热材料31,传感器该区域中的导热率下降,从而凹槽3的绝热效果被进一步增强。作为降低的导热率的结果,这些传感器部分被绝热,从而热电偶装置和热流路径之间的相互作用程度降低了。
在边界处或在两个测量位置之间的传感器区域应当具有较高导热率,这是为了促进恒温装置和测量位置7之间的热传导。这些区域至少部分地直接接触恒温装置。这些区域中导热率的提高是通过被充填了导热率高于陶瓷材料的材料30的空腔而实现的,或是通过在各陶瓷元件上以预先设定的局部限定图案来沉积材料30而实现的。
图8显示了一种热分析传感器,其具有用于恒温流体的管路32,该管路在本例中具有曲折形状。在所示出的实施方式中,管路32被主要布置在测量位置7下面,在理想情况下在形成测量位置的整个区域下面延伸。管路还可以例如是螺旋形的。管路32包括互联中空空间,它们形成在未烧结陶瓷元件中。在烧结过程中,各陶瓷元件彼此永久性粘结在一起,从而具有实体限定壁的管状管路32被产生,恒温流体可以被传输通过所述管路。管路32可被用于冷却以及用于加热传感器和/或放置在其上的杯。取决于应用领域,恒温液体或气体例如水、空气或液氮被发送通过管路32。流体通过例如与管路32连接的传统泵(未显示在图中)而被移动。管路32以下述方式安置在传感器中,即其具有至少一个由传感器引出的开口。
这里示出的实施方式代表具有不同性能和特征的热分析传感器。为了更清楚地总览,不同的性能和特征显示在不同的实施方式中,但也可以单独地实施所述特征和性能,以及在一个传感器中组合所公开的特征和性能中的一些或全部。
取决于至少一个传感器的构造,根据本发明的热分析传感器可以是根据功率补偿原理或根据差分方法进行操作以用于热量测量的传感器。
这里作为示例给出的实施方式主要包括具有两个测量位置的热分析传感器,即试样位置和参照物位置。然而,传感器还可以具有至少一个参照物位置和一个以上的试样位置;或者,至少一个试样以及一个参照物安置在至少两个传感器上,所述传感器彼此分开并且只连接到至少一个测量单元,还可能连接到控制单元。
根据本发明的传感器包括至少一个热电偶装置,其形成于传感器中并且可以包括安置在传感器表面上的至少一个附加热电偶。
图1至8中所有的传感器均显示在纵向剖视图中。所示出的传感器结构特征,例如热电偶、管路和具有降低的导热率的部分,既可以是二维构造,也可以是三维构造。
测量链可以被设计成根据任何理想的图案围绕测量位置,但优选的图案在最大程度上为圆形或星形。如果传感器包括若干热电偶以在传感器的不同层中形成不同的测量链,建议将热电偶在各层中彼此相对于对方置于交错位置,从而热流可以总体上在更大的区域中俘获。不仅在层内、而且还可以在多个层上面形成热电偶和/或测量链。
根据本发明的热分析传感器主要用于热量测量,但也可以利用这种传感器确定物质和/或材料的导热率。
每个测量链总是包括由不同材料构成的至少两个热电偶。热电偶可以例如由含有金、铂、银、钯、铜和这些金属的合金的导热膏形成。
作为测量链的替代或附加,可以通过借助于电阻器测量温度的温度测量元件来实现温度测量和/或确定绝对温度。电阻器可以形成在一个层中或多个层中,和/或形成于在烧结过程之后通过例如厚膜技术沉积的涂层中。
附图标记列表:
1传感器            20竖直测量链
2层                21升高支座区
3切除部,凹槽      22凹槽,下沉区
4电阻器            23水平测量链
5恒温装置          24水平测量链
6测量位置          25水平测量链
7测量位置          26水平测量链
8测量链            27测量位置
9测量链            28罩盖,盖子
10测量链           29物质
11测量链           30导热材料
12杯               31绝热区,中空空间
13罩盖,盖子       32管路
14水平测量链       33涂层
15竖直测量链       34凹槽,试样室
16电阻器           37测量位置
17测量位置         47测量位置
18水平测量链       57测量位置
19水平测量链

Claims (23)

1.一种用于热量测量的热分析传感器,其与恒温装置协作,所述热分析传感器包括形成在传感器上的至少一个测量位置,建立在恒温装置和所述至少一个测量位置之间的热流路径,其中,传感器包括实质上由结合烧结的陶瓷元件形成的多个层,所述陶瓷元件通过一起经历烧结过程而彼此牢固粘合在对方上,并且陶瓷元件的至少一部分在烧结之前被结构化;
所述热分析传感器包括至少一个热电偶装置,所述热电偶装置沿着所述热流路径形成,用于产生热电信号;
所述热分析传感器包括若干测量链,所述测量链包括安置在一层上和/或一层中和/或安置在不同层上和/或不同层中的热电偶,以使得由此形成的所述热电偶装置测量三维传播的热流。
2.根据权利要求1所述的热分析传感器,其特征在于,所述测量链包括至少两个热电偶并且构成所述至少一个热电偶装置的一部分。
3.根据权利要求1所述的热分析传感器,其特征在于,所述热电偶装置包括形成在层中或该层上的至少一个热电偶。
4.根据权利要求1所述的热分析传感器,其特征在于,所述热电偶装置包括形成在层中和/或该层上的至少两个热电偶。
5.根据权利要求1所述的热分析传感器,其特征在于,所述热分析传感器包括形成在不同层中和/或所述层上的至少两个热电偶。
6.根据权利要求1所述的热分析传感器,其特征在于,热电偶装置包括至少一个热电偶,其在烧结过程之后形成在传感器的表面上。
7.根据权利要求1所述的热分析传感器,其特征在于,所述热分析传感器还包括至少一个电阻器。
8.根据权利要求1所述的热分析传感器,其特征在于,至少一个加热电阻形成于传感器中。
9.根据权利要求1所述的热分析传感器,其特征在于,至少一个用于流体的管路形成于传感器中。
10.根据权利要求1所述的热分析传感器,其特征在于,至少一个用于恒温流体的管路形成于传感器中。
11.根据权利要求1所述的热分析传感器,其特征在于,所述热分析传感器的至少一个传感器部分的导热率不同于未结构化陶瓷元件的导热率。
12.根据权利要求11所述的热分析传感器,其特征在于,具有给定导热率的所述传感器部分包括至少一个未充填的中空空间和/或至少一个充填的中空空间。
13.根据权利要求1所述的热分析传感器,其特征在于,陶瓷元件包括氧化铝。
14.一种制造根据权利要求1所述的用于热量测量的热分析传感器的方法,所述制造方法包括以下述步骤制造低温共烧结陶瓷的过程:制造具有预定尺寸和厚度的陶瓷元件;结构化陶瓷元件的至少一部分;叠置陶瓷元件;层合叠置的陶瓷元件;在单一的焙烧过程中烧结叠置的陶瓷元件,从而各陶瓷元件彼此牢固粘合在对方上。
15.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,陶瓷元件的结构化包括一或多个下述步骤:形成至少一个中空空间,和/或充填至少一个中空空间。
16.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,所述结构化包括涂覆和/或印刷陶瓷元件的表面。
17.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,在传感器中和/或传感器上形成一或多个下述元件:热电偶装置,流体管路,加热电阻,具有与陶瓷材料的导热率不同的导热率的传感器部分。
18.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,在传感器中和/或传感器上形成一或多个温度测量元件。
19.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,在传感器中和/或传感器上形成一或多个电阻器。
20.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,在传感器中和/或传感器上形成一或多个热电偶。
21.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,在传感器中和/或传感器上形成一或多个测量链。
22.根据权利要求17所述的方法,其特征在于,构成热电偶装置一部分的至少一个热电偶在烧结之后形成在传感器的表面区域上。
23.根据权利要求22所述的方法,其特征在于,所述热电偶装置被设置触点终端并且在烧结之后连接至控制单元。
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7510323B2 (en) * 2006-03-14 2009-03-31 International Business Machines Corporation Multi-layered thermal sensor for integrated circuits and other layered structures
JP5027573B2 (ja) * 2006-07-06 2012-09-19 株式会社小松製作所 温度センサおよび温調装置
DE102008033058A1 (de) * 2008-07-14 2010-02-04 Continental Automotive Gmbh Brennkraftmaschine und Verfahren zum Betreiben einer solchen Brennkraftmaschine
CN101769911B (zh) * 2008-12-29 2014-09-03 北京卫星环境工程研究所 石英晶片低温频温曲线测试装置
CN102422136B (zh) * 2009-03-13 2016-03-02 丹佛斯公司 温度传感器单元和用于制造温度传感器单元的方法
EP2325628B1 (de) * 2009-11-23 2013-06-26 Mettler-Toledo AG Thermoanalysevorrichtung
WO2013142384A2 (en) * 2012-03-22 2013-09-26 California Institute Of Technology Nanoscale calorimeter on chip and related methods and devices
DE102013102088B3 (de) * 2013-03-04 2014-07-17 Netzsch-Gerätebau GmbH Verfahren und Vorrichtung zur Materialanalyse
EP2921833B1 (de) 2014-03-18 2016-12-28 Mettler-Toledo GmbH Thermoanalytischer Sensor und Verfahren zu dessen Herstellung
CN104502405B (zh) * 2014-12-31 2018-03-20 梁胜 差示扫描量热仪及其制作方法
DE102015217636A1 (de) * 2015-09-15 2017-03-16 Linseis Messgeräte GmbH Kalorimetrischer Sensoraufbau nach dem Tian-Calvet-Prinzip
CN105203250B (zh) * 2015-10-21 2017-10-10 美新半导体(无锡)有限公司 一种热式压力传感器
GB2547113B (en) * 2016-02-05 2019-02-27 Waters Technologies Corp Calorimeter with diffusion-bonded block
JP6500841B2 (ja) * 2016-05-25 2019-04-17 株式会社デンソー 熱流測定装置
CN108132112B (zh) * 2017-11-13 2019-12-20 北京临近空间飞行器系统工程研究所 一种高超声速飞行器表面热流辨识装置及设计方法
FR3075392B1 (fr) * 2017-12-14 2020-09-11 Thales Sa Surveillance d'un defaut dans un equipement electrique
DE102018113418A1 (de) * 2018-06-06 2019-12-12 Netzsch - Gerätebau Gesellschaft mit beschränkter Haftung Messanordnung und Verfahren für eine thermische Analyse einer Probe
DE102018113417A1 (de) * 2018-06-06 2019-12-12 Netzsch - Gerätebau Gesellschaft mit beschränkter Haftung Messanordnung und Verfahren für eine thermische Analyse einer Probe
DE102018113412A1 (de) * 2018-06-06 2019-12-12 Netzsch - Gerätebau Gesellschaft mit beschränkter Haftung Messanordnung und Verfahren für eine thermische Analyse einer Probe
US11841279B2 (en) * 2019-11-21 2023-12-12 Ta Instruments-Waters Llc Isothermal calorimeter
NL2028305B1 (en) * 2021-05-27 2022-12-08 Veridis Tech B V Massive differential scanning calorimetry analysis method and apparatus

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5989398A (en) * 1997-11-14 1999-11-23 Motorola, Inc. Calorimetric hydrocarbon gas sensor
US6238085B1 (en) * 1998-12-31 2001-05-29 Honeywell International Inc. Differential thermal analysis sensor
US6406181B1 (en) * 1999-03-10 2002-06-18 Robert Bosch Gmbh Temperature sensor
CN1493876A (zh) * 2002-11-01 2004-05-05 日本特殊陶业株式会社 具有包括固体电解质层和氧化铝基片的叠层的气体传感器

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3339002A (en) * 1961-11-01 1967-08-29 Johns Manville Integral molding method of making a thermoelectric generator
US3382714A (en) * 1964-12-29 1968-05-14 Nasa Usa Heat-sensing instrument
US3801949A (en) * 1973-03-08 1974-04-02 Rca Corp Thermal detector and method of making the same
US4007435A (en) * 1973-07-30 1977-02-08 Tien Tseng Ying Sensor device and method of manufacturing same
JPS55106347A (en) * 1979-02-09 1980-08-15 Toyota Motor Corp Thermocouple-type gas sensor
JPS58129228A (ja) * 1982-01-28 1983-08-02 Yasuaki Nakazawa 熱流センサ−およびその製造方法
JPS5927253A (ja) * 1982-08-06 1984-02-13 Shinei Kk ガスセンサおよびその製造法
DE3237912A1 (de) * 1982-10-13 1984-04-19 Eberhard Dipl.-Ing. 3000 Hannover Kammeyer Thermoelektrischer waermestomsensor sowie verfahren zu seiner herstellung
JPS60201224A (ja) * 1984-03-27 1985-10-11 Kyushu Daigaku 多層薄膜熱伝達ゲ−ジ
CH663286A5 (fr) * 1985-08-14 1987-11-30 Glass Advanced Techn Corp Procede et dispositif pour la regulation thermique d'une masse fluide en mouvement.
CH678579A5 (zh) * 1989-04-24 1991-09-30 Mettler Toledo Ag
DE3941837C2 (de) * 1989-12-19 1994-01-13 Bosch Gmbh Robert Widerstandsmeßfühler zur Erfassung des Sauerstoffgehaltes in Gasgemischen und Verfahren zu seiner Herstellung
US5121993A (en) * 1990-04-30 1992-06-16 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Triaxial thermopile array geo-heat-flow sensor
JPH07253411A (ja) * 1994-03-14 1995-10-03 Ngk Insulators Ltd 一酸化炭素センサ及び一酸化炭素濃度の検出方法
US5707148A (en) * 1994-09-23 1998-01-13 Ford Global Technologies, Inc. Catalytic calorimetric gas sensor
US5965606A (en) * 1995-12-29 1999-10-12 Allergan Sales, Inc. Methods of treatment with compounds having RAR.sub.α receptor specific or selective activity
US6036927A (en) * 1997-07-22 2000-03-14 Eastman Kodak Company Micro-ceramic chemical plant having catalytic reaction chamber
US6278051B1 (en) * 1997-10-09 2001-08-21 Vatell Corporation Differential thermopile heat flux transducer
US6071476A (en) * 1997-11-14 2000-06-06 Motorola, Inc. Exhaust gas sensor
US6545334B2 (en) * 1997-12-19 2003-04-08 Imec Vzw Device and a method for thermal sensing
KR19990066851A (ko) * 1998-01-12 1999-08-16 카와무라 히데오 금속용탕 온도측정용 열전대
US6202480B1 (en) * 1998-04-02 2001-03-20 Agilent Technologies, Inc. Thermometric vapor sensor with evaporation surface having micropores
EP0990893B1 (en) * 1998-10-01 2003-03-05 Mettler-Toledo GmbH Single cell calorimeter
US6572830B1 (en) * 1998-10-09 2003-06-03 Motorola, Inc. Integrated multilayered microfludic devices and methods for making the same
JP4050857B2 (ja) * 1999-04-27 2008-02-20 矢崎総業株式会社 流体判別装置及び流量計測装置
US7083710B2 (en) * 1999-12-29 2006-08-01 Robert Bosch Gmbh Gas sensor, in particular a lambda sensor
DE10013882A1 (de) * 2000-03-21 2001-10-04 Bosch Gmbh Robert Sensorelement mit Vorkatalyse
US6444957B1 (en) * 2000-04-26 2002-09-03 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd Heating apparatus
US6773565B2 (en) * 2000-06-22 2004-08-10 Kabushiki Kaisha Riken NOx sensor
US6435005B1 (en) * 2000-12-19 2002-08-20 Delphi Technologies, Inc. Heater patterns for planar gas sensors
FR2822295B1 (fr) * 2001-03-16 2004-06-25 Edouard Serras Generateur thermoelectrique a semi-conducteurs et ses procedes de fabrication
US20020174937A1 (en) * 2001-05-25 2002-11-28 Motorola, Inc. Methods and apparatus for manufacturing patterned ceramic green-sheets and multilayered ceramic devices
US7280028B2 (en) * 2001-12-04 2007-10-09 Delphi Technologies, Inc. Temperature sensor and method of making the same
US6984298B2 (en) * 2002-01-09 2006-01-10 Delphi Technologies, Inc. Gas sensor having an insulating layer
US6759940B2 (en) * 2002-01-10 2004-07-06 Lamina Ceramics, Inc. Temperature compensating device with integral sheet thermistors
US7189360B1 (en) * 2002-01-24 2007-03-13 Sandia Corporation Circular chemiresistors for microchemical sensors
US7473030B2 (en) * 2002-04-01 2009-01-06 Palo Alto Research Center Incorporated Thermal sensing
JP4172279B2 (ja) * 2002-04-03 2008-10-29 株式会社デンソー ガスセンサ
CA2397102C (en) * 2002-08-07 2012-05-29 Mathis Instruments Ltd. Direct thermal conductivity measurement technique
JP2005331489A (ja) * 2003-07-25 2005-12-02 Denso Corp セラミック積層体の製造方法
DE10340748A1 (de) * 2003-08-29 2005-03-17 Robert Bosch Gmbh Rußpartikelsensor
WO2005088285A1 (ja) * 2004-03-17 2005-09-22 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology マイクロ熱電式ガスセンサ
US7338640B2 (en) * 2005-03-31 2008-03-04 General Electric Company Thermopile-based gas sensor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5989398A (en) * 1997-11-14 1999-11-23 Motorola, Inc. Calorimetric hydrocarbon gas sensor
US6238085B1 (en) * 1998-12-31 2001-05-29 Honeywell International Inc. Differential thermal analysis sensor
US6406181B1 (en) * 1999-03-10 2002-06-18 Robert Bosch Gmbh Temperature sensor
CN1493876A (zh) * 2002-11-01 2004-05-05 日本特殊陶业株式会社 具有包括固体电解质层和氧化铝基片的叠层的气体传感器

Also Published As

Publication number Publication date
US20080080586A1 (en) 2008-04-03
CN101163950A (zh) 2008-04-16
WO2006114394A8 (de) 2007-03-08
EP1875181A1 (de) 2008-01-09
EP1717566A1 (de) 2006-11-02
WO2006114394A1 (de) 2006-11-02
EP1875181B1 (de) 2016-10-12
US7588367B2 (en) 2009-09-15
EP1875181B8 (de) 2016-12-21
JP5014328B2 (ja) 2012-08-29
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