CN101158032A - 成膜装置及其使用方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，包括利用第一清洁气体从所述成膜装置的反应室的内面去除副生成物膜的第一清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第一清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第一清洁气体活化的第一温度和第一压力；和利用第二清洁气体从所述反应室的所述内面去除污染物质的第二清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第二清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第二清洁气体活化的第二温度和第二压力，所述第二清洁气体包括含氯气体。

Description

成膜装置及其使用方法
技术领域
本发明涉及一种用于在半导体晶片等被处理基板上形成膜的半导体处理用的成膜装置及该装置的使用方法。在此，半导体处理是指，通过在半导体晶片或LCD(液晶显示器：Liquid Crystal Display)这样的FPD(平板显示器，Flat Panel Display)用的玻璃基板等被处理基板上以规定的图形形成半导体层、绝缘层、导电层等、为了在该被处理基板上制造出包含半导体器件、与半导体器件连接的配线、电极等的结构体而实施的各种处理。
背景技术
在半导体器件的制造工序中，通过CVD(化学气相淀积，ChemicalVapor Deposition)等的处理，进行在被处理基板、例如半导体晶片上形成硅氮化膜、硅氧化膜等薄膜的处理。在这样的成膜处理中，例如按如下所述，在半导体晶片上形成薄膜。
首先，利用加热器将热处理装置的反应管(反应室)内加热到规定的装载温度，并将收纳多片半导体晶片的晶舟装入其中。接着，利用加热器将反应管内加热到规定的处理温度，并从排气端口排出反应管内的气体，将反应管内减压到规定的压力。
接着，一面将反应管内维持在规定的温度及压力(一面继续排气)，一面从处理气体导入管向反应管内供给成膜气体。例如，CVD中，向反应管内供给成膜气体时，引起成膜气体热反应，生成反应生成物。反应生成物堆积在半导体晶片的表面上，在半导体晶片的表面上形成薄膜。
由成膜处理生成的反应生成物，不仅堆积在半导体晶片的表面上，例如，还作为副生成物膜堆积(附着)在反应管的内面和各种器具等上。在副生成物附着在反应管内的状态下继续进行成膜处理时，因构成反应管的石英和副生成物膜的热膨胀系数的不同而产生的应力会使石英和副生成物膜部分地剥离。由此，就会产生微粒，成为使制造出的半导体器件的成品率下降、或者使处理装置的产品劣化的原因。
为此，在多次进行成膜处理后，进行反应管内的清洁。该清洁，向由加热器加热到规定温度的反应管内供给清洁气体例如氟和含卤酸性气体的混合气体。利用清洁气体对附着在反应管的内面等上的副生成物膜进行干蚀刻，将其去除。在日本特开平3-293726号公报公开了该清洁方法。但是，如后所述，本发明者等发现，在现有的该种清洁方法中，即使对反应管内进行清洁，此后进行成膜处理时也会在形成的膜上产生金属污染物，存在制造出的半导体器件的成品率下降的情况。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种能够防止对清洁后形成的膜的污染的半导体处理用的成膜装置和该装置的使用方法。
本发明的第一观点是提供一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，该成膜装置的使用方法包括：利用第一清洁气体从所述成膜装置的反应室的内面去除副生成物膜的第一清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第一清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第一清洁气体活化的第一温度和第一压力；和利用第二清洁气体从所述反应室的所述内面去除污染物质的第二清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第二清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第二清洁气体活化的第二温度和第二压力，所述第二清洁气体包括含氯气体。
本发明的第二观点提供一种半导体处理用的成膜装置，该成膜装置包括：收纳被处理基板的反应室；对所述反应室内进行排气的排气系统；向所述反应室内供给用于在所述被处理基板上形成膜的成膜气体的成膜气体供给系统；向所述反应室内供给用于从反应室的所述内面去除源于所述成膜气体的副生成物膜的第一清洁气体的的第一清洁气体供给系统；向所述反应室内供给用于从所述反应室的所述内面去除污染物质的第二清洁气体的的第二清洁气体供给系统，所述第二清洁气体包括含氯气体；使所述第一清洁气体活化的第一活化机构；使所述第二气体活化的第二活化机构；和控制所述装置的动作的控制部，所述控制部执行以下处理：利用第一清洁气体从所述反应室的所述内面除去副生成物膜的第一清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第一清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第一清洁气体活化的第一温度和第一压力；和，利用所述第二清洁气体从所述反应室的所述内面除去污染物质的第二清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第二清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第二清洁气体活化的第二温度和第二压力。
本发明的第三观点在于提供一种计算机可读取的，包括用于在处理器上执行的程序指令的介质，在利用处理器执行所述程序指令时，在半导体处理用的成膜装置执行以下处理：利用第一清洁气体从所述成膜装置的反应室的内面除去副生成物膜的第一清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第一清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第一清洁气体活化的第一温度和第一压力；和，利用第二清洁气体从所述反应室的所述内面除去污染物质的第二清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第二清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第二清洁气体活化的第二温度和第二压力，所述第二清洁气体包括含氯气体。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的立式热处理装置的图。
图2是图1所示的装置的横截平面图。
图3是表示图1所示的装置的控制部的结构图。
图4是表示本发明的实施方式的成膜处理和清洁处理的方案图。
图5是表示通过实验得到的、实施例PE1及比较例CE1的硅晶片表面上的铁浓度的曲线图。
具体实施方式
本发明者在本发明的研发过程中，针对在对半导体处理用的成膜装置的反应管内进行清洁的现有方法中存在的问题进行了研究。其结果，本发明者就得到了以下所述的见解。
即，在向反应管内供给氟化氢这样的清洁气体的情况下，存在气体供给管内被腐蚀、金属化合物或金属成分附着在反应管的内面上和/或侵入内面内的可能性。这种污染物质就会在反应管内为低压进行处理的成膜时，从反应管的内面被排放出来。为此，在形成的膜上就会产生金属污染物等的污染，就成为制造出的半导体器件的成品率下降的原因。
为了解决该问题，例如可使用氟化氢(HF)溶液清洁反应管。这种情况下，通过湿蚀刻去除副生成物膜。但是，在湿蚀刻中，卸下反应管、手工进行清洁，就必须进行再次安装及调整的作业。此外，由于必须长时间停止热处理装置，就产生大量的停机时间，降低运转率。
下面，参照附图说明根据这种理解而构成的本发明的实施方式。再有，在以下的说明中，对于具有大致相同的机能及结构的构成要素赋予相同的符号，仅在需要时进行重复的说明。
图1是表示本发明的实施方式的立式热处理装置的图。图2是图1所示的装置的横截平面图。如图1所示，热处理装置1具有长边方向朝向垂直方向的近似圆筒状的反应管(反应室)2。反应管2由耐热及耐腐蚀性优良的材料例如石英(或碳化硅(SiC))形成。
在反应管2的上端配设向上端侧缩径的形成为近似圆锥状的顶部3。在顶部3的中央，配设用于对反应管2内进行排气的排气口4。通过气密的排气管5排气部GE被连接于排气口4。在排气部GE处配设有阀、真空排气泵(图1中未示出，图3中用符号127表示)等压力调整机构。利用排气部GE，在将反应管2内的气氛排出的同时，能够将其设定为规定的压力(真空度)。
在反应管2的下方配置盖体6。盖体6由耐热及耐腐蚀性优良的材料例如石英(或碳化硅)形成。盖体6的结构为借助于后述的舟升降机(图1中未示出，图3中用符号128表示)可上下移动。借助于舟升降机使盖体6上升时，封闭反应管2的下方侧(炉口部分)。借助于舟升降机使盖体6下降时，使反应管2的下方侧(炉口部分)敞开。
在盖体6的上部配设保温筒7。保温筒7具有防止因来自反应管2的炉口部分的散热引起的反应管2内的温度下降的由电阻发热体制成的平面状的加热器8。该加热器8被筒状的支撑体9支撑于距盖体6的上面规定的高度。
在保温筒7的上方配设旋转台10。旋转台10作为可旋转地载置收纳被处理基板例如半导体晶片W的晶舟11的载置台起作用。具体地，在旋转台10的下部配设旋转支柱12。旋转支柱12连接在贯通加热器8的中央部使旋转台10旋转的旋转机构13上。
旋转机构13主要由电动机(未图示)和具备从盖体6的下面侧向上面侧以气密状态贯通导入的旋转轴14的旋转导入部15构成。旋转轴14连接到旋转台10的旋转支柱12上，通过旋转支柱12将电动机的旋转力传给旋转台10。为此，利用旋转机构13的电动机使旋转轴14旋转时，将旋转轴14的旋转力传给旋转支柱12，使旋转台10旋转。
晶舟11构成为：在垂直方向上隔开规定的间隔收纳多片例如100片半导体晶片W。晶舟11由耐热及耐腐蚀性优良的材料例如石英(或碳化硅)形成。像这样，由于在旋转台10上载置晶舟11，所以在旋转台10旋转时，晶舟11也旋转，收纳在晶舟11内的半导体晶片W也旋转。
在反应管2的周围，配设例如由电阻发热体制成的加热器16以便包围反应管2。利用该加热器16，使反应管2的内部升温(加热)到规定的温度，其结果，将半导体晶片W加热到规定的温度。
使向反应管2内导入处理气体(例如成膜气体、清洁气体)的处理气体导入管17插通反应管2的下端附近的侧面。处理气体导入管17通过质量流量控制器(MFC)(未图示)连接到处理气体供给部20。
为了通过CVD在半导体晶片W上形成硅氮化膜(产品膜)，例如可使用包括硅烷类气体的第一成膜气体和包括氮化气体的第二成膜气体，作为成膜气体。在此，作为硅烷类气体，可使用二氯硅烷(DCS：SiH2Cl2)气体，作为氮化气体可使用氨(NH3)气。
作为第一清洁气体，为了去除附着在反应管2的内部的副生成物膜，可使用卤酸性气体或卤素气体和氢气的混合气体。在此，作为第一清洁气体，可使用氟、氟化氢气体和作为稀释气体的氮气的混合气体。
作为第二清洁气体，用于去除存在于反应管2的内面上的污染物质，可使用包括含氯气体的气体。在此，作为第二清洁气体，可使用包括DCS的气体。
再有，在图1中仅描述了1个处理气体导入管17，在本实施方式中，如图2所示，可按照气体的种类，插通有多个处理气体导入管17。具体地，使导入DCS气体的DCS导入管17a、导入氨的氨导入管17b、导入氟的氟导入管17c、导入氟化氢的氟化氢导入管17d、以及导入氮的氮导入管17e五个处理气体导入管17插通反应管2的下端附近的侧面。
此外，在反应管2的下端附近的侧面，还插通有净化气体供给管18。净化气体供给管18通过质量流量控制器(MFC)(未图示)连接到净化气体供给部PGS。
此外，热处理装置1具有进行装置各部的控制的控制部100。图3是表示控制部100的结构的图。如图3所示，在控制部100上连接操作面板121、温度传感器(组)122、压力计(组)123、加热控制器124、MFC控制部125、阀控制部126、真空泵127、舟升降机128等。
操作面板121包括显示画面和操作按钮，将操作者的操作指示传给控制部100，此外，在显示画面中显示来自控制部100的各种信息。温度传感器(组)122测定反应管2、排气管5和处理气体导入管17内等各部的温度，将其测定值通知控制部100。压力计(组)123测定反应管2、排气管5和处理气体导入管17内等各部的压力，将测定值通知控制部100。
加热控制器124用于单独控制加热器8和加热器16。加热控制器124根据来自控制部100的指示，对这些加热器通电，对其进行加热。加热控制器124分别测定这些加热器的消耗功率，并通知控制部100。
MFC控制部125控制配设于处理气体导入管17(17a～17e)、净化气体供给管18等各配管上的MFC(未图示)。MFC控制部125将流过各MFC的气体的流量控制在控制部100所指示的量。MFC控制部125还测定实际流过MFC的气体的流量，并通知控制部100。
阀控制部126被配置在各配管上，将配置在各配管的阀的开度控制在由控制部100指示的值。真空泵127被连接在排气管5上，排出反应管2内的气体。
舟升降机128通过使盖体6上升，将载置在旋转台10上的晶舟11(半导体晶片W)装载到反应管2内。舟升降机128还通过使盖体6下降，从反应管2内卸载在旋转台10上载置的晶舟11(半导体晶片W)。
控制部100包括方案存储部111、ROM112、RAM113、I/O端口114和CPU115。它们通过总线116彼此连接，通过总线116在各部之间传递信息。
在方案存储部111中存储设置用方案和多个处理用方案。热处理装置1的制造初期仅保存设置用方案。设置用方案是生成对应各热处理装置的热模型等时所执行的方案。处理用方案是用户实际执行的每一热处理(处理)中所准备的方案。处理用方案规定了从向反应管2的半导体晶片W的装载到将处理完成后晶片W卸载的各部的温度的变化、反应管2内的压力变化、处理气体的供给的开始及停止的计时和供给量等。
ROM112由EEPROM、快闪存储器、硬盘等构成，是存储CPU115的工作程序等的记录介质。RAM113作为CPU115的工作区等起作用。
I/O端口114连接着操作面板121、温度传感器122、压力计123、加热控制器124、MFC控制部125、阀控制部126、真空泵127、舟升降机128、等，控制数据和信号的输入输出。
CPU(中央处理器，Central Processing Unit)115构成控制部100的中枢。CPU115执行存储在ROM112中的控制程序，根据来自操作面板121的指示，按照存储在方案存储部111中的方案(处理用方案)，控制热处理装置1的工作。即，CPU115在温度传感器(组)122、压力计(组)123、MFC控制部125等中，测定反应管2、排气管5及处理气体导入管17内的各部的温度、压力、流量等。此外，CPU115还根据其测定数据，向加热控制器124、MFC125、阀控制部126、真空泵127等输出控制信号等，根据处理用方案来控制上述各部。
接着，参照图4，说明按上述构成的热处理装置1的使用方法。在此，首先在反应管2内，在半导体晶片W上形成硅氮化膜。接着，去除附着在反应管2内的、以硅氮化物为主要成分(意思为50％以上)的副生成物膜。接下来，去除存在于反应管2的内面上的污染物质(特别是金属污染物质)。图4是表示本发明的实施方式的成膜处理和清洁处理的方案图。
其中，在以下说明中，构成热处理装置1的各部的工作由控制部100(CPU115)进行控制。如前所述，控制部100(CPU115)通过控制加热控制器124(加热器8、加热器16)、MFC控制部125(处理气体导入管17、净化气体供给管18)、阀控制部126、真空泵127等使得各处理中的反应管2内的温度、压力、气体的流量等成为遵循图4所示的方案的条件。
在成膜处理中，首先，利用加热器16将反应管2内加热到规定的装载温度，例如如图4(a)所示，加热到300℃。此外，如图4(c)所示，从净化气体供给管18向反应管2内供给规定量的氮气(N2)。接着，将收纳半导体晶片W的晶舟11载置在盖体6上，利用舟升降机128使盖体6上升。由此，将搭载有半导体晶片W的晶舟11装入反应管2内，同时密封反应管2(装载工序)。
接着，如图4(c)所示，从净化气体供给管18向反应管2内供给规定量的氮。与此同时，利用加热器16将反应管2内加热到规定的成膜温度(处理温度)，例如如图4(a)所示的760℃。此外，排出反应管2内的气体，将反应管2减压到规定的压力，例如如图4(b)所示的26.5Pa(0.2Torr)。然后，执行此减压及加热操作，直至反应管2在规定的压力及温度下达到稳定(稳定化工序)。
此外，控制旋转机构13的电动机，使旋转台10旋转，使晶舟11旋转。通过使晶舟11旋转，使得收纳在晶舟11中的半导体晶片W也旋转，能够均匀地加热半导体晶片W。
在反应管2内在规定的压力及温度下稳定时，停止源自净化气体供给管18的氮的供给。然后，从处理气体导入管17(导入管17a、17b)向反应管2内导入包括含硅气体的第一成膜气体和包含氮化气体的第二成膜气体。在此，作为第一成膜气体，供给规定量，例如如图4(e)所示的0.075升/min的DCS(SiH2Cl2)。此外，作为第二成膜气体，供给规定量，例如如图4(d)所示的0.75升/min)的氨(NH3)。
导入反应管2内的DCS和氨，因反应管2内的热而产生热分解反应。借助于此分解成分，生成硅氮化物(Si3N4)，在半导体晶片W的表面上形成硅氮化膜(成膜工序)。
在半导体晶片W的表面上形成规定厚度的硅氮化膜时，停止源自处理气体导入管17的DCS和氨的供给。然后，对反应管2内进行排气，同时如图4(c)所示，从净化气体供给管18向反应管2内供给规定量的氮。由此，将反应管2内的气体通过排出到排气管5(净化工序)。其中，为了可靠地排出反应管2内的气体，优选进行多次反复反应管2内的气体的排出和氮的供给的循环净化。
然后，利用加热器16使反应管2内成为规定的温度，例如如图4(a)所示的300℃。与此同时，如图4(c)所示，从净化空气供给管18向反应管2内供给规定量的氮。由此，如图4(b)所示，使反应管2内的压力恢复为常压。最后，通过利用舟升降机128使盖体6下降，卸载晶舟11(卸载工序)。
多次进行上述这种成膜处理时，由成膜处理生成的硅氮化物不仅堆积(附着)在半导体晶片W的表面，还作为副生成物膜堆积在反应管2的内面等上。为此，为了在进行规定次数的成膜处理后去除以硅氮化物为主要成分的副生成物膜，而进行第一清洁处理。而且，为了去除由第一清洁处理去除副生成物膜后在反应管2的内面上出现的污染物质，而进行第二清洁处理。在第一清洁处理中，使用相对于硅氮化物的蚀刻速度高，相对于形成反应管2的内面的材料(石英)的蚀刻速度低的条件。此外，在第二清洁处理中，使用促进通过铁、铝、镍、钴、钠、钙等金属污染物质和第二清洁气体中氯的反应形成金属氯化物的条件。
在第一清洁处理中，首先，利用加热器16将反应管2内维持在规定的装载温度，例如图4(a)所示的300℃。此外，如图4(c)所示，从净化气体供给管18向反应管2内供给规定量的氮。接着，将没有收纳半导体晶片W的晶舟11载置在盖体6上，利用舟升降机128使盖体6上升。由此，将晶舟11装载在反应管2内，同时密闭反应管2(装载工序)。
接着，如图4(c)所示，从净化气体供给管18向反应管2内供给规定量的氮。与此同时，利用加热器16将反应管2内设定为规定的清洁温度，例如图4(a)所示的300℃。此外，排出反应管2内的气体，将反应管2减压到规定的压力，例如如图4(b)所示的20000Pa(150Torr)。然后，执行此减压及加热操作，直至反应管2在规定的压力和温度下达到稳定(稳定化工序)。
在反应管2内在规定的压力和温度下稳定时，停止源自净化气体供给管18的氮的供给。然后，作为第一清洁气体，从处理气体导入管17(导入管17c、17d及17e)分别向反应管2内导入氟(F2)、氟化氢(HF)和氮。在此，供给规定量，例如如图4(f)所示的2升/min的氟，供给规定量，例如如图4(g)所示的2升/min的氟化氢，供给规定量，例如如图4(c)所示的8升/min的作为稀释气体的氮。
在反应管2内加热第一清洁气体，使第一清洁气体中的氟活化，即变成含有多个具有反应性的自由原子的状态。通过使该活化的氟与附着在反应管2的内面等上的主要成分为氮的副生成物膜接触，来腐蚀副生成物膜，并将其去除(第一清洁工序)。
在第一清洁工序中，优选将反应管2内的温度设定为比400℃低的温度，更优选设定为250℃～380℃。此温度比250℃低时，第一清洁气体很难活化，有可能使得第一清洁气体对硅氮化物的蚀刻速度比所需的值低。此外，此温度比380℃高时，对石英、碳化硅(SiC)的蚀刻速度变高，有可能蚀刻选择比下降。
在第一清洁工序中，优选将反应管2内的压力设定为13.3Pa(0.1Torr)～66.5kPa(500Torr)，更优选设定为13.3kPa(100Torr)～59.85kPa(450Torr)。通过使其在相应的范围内，使得相对硅氮化物的蚀刻速度变高，提高与石英、碳化硅(SiC)的蚀刻选择比。
去除附着在反应管2的内部的副生成物膜时，停止源自处理气体导入管17的第一清洁气体的导入。然后，开始第二清洁处理。
在第二清洁处理中，首先，对反应管2内进行排气，同时如图4(c)所示，从净化气体供给管18向反应管2内供给规定量的氮。由此，将反应管2内的气体排出到排气管5。此外，利用加热器16使反应管2内为规定的温度，例如图4(a)所示的400℃。此外，将反应管2维持在规定的压力，例如如图4(b)所示的13.3Pa(0.1Torr)。然后，执行此操作，直至反应管2在规定的压力及温度下达到稳定(净化/稳定化工序)。
在反应管2在规定的压力及温度下稳定时，停止源自净化气体供给管18的氮的供给。然后，从处理气体导入管17(导入管17a)向反应管2内导入作为第二清洁气体的DCS。在此，供给规定量，例如如图4(e)所示的0.05升/min的DCS。
在反应管2内加热第二清洁气体，使第二清洁气体中的氯活化，即变成含有多个具有反应性的自由原子的状态。通过使该活化的氯与存在于反应管2的内面(其石英的表面上及表面内)的金属污染物质反应，生成金属氯化物。使如此生成的金属氯化物升华，跟随排气气体的流动被排出到反应管2外。由此，就能够抑制源自成膜处理中的反应管2的金属污染物质的扩散，减少形成的膜中的金属污染物等污染(第二清洁工序)。
在第二清洁工序中，优选将反应管2内的温度设定为200℃以上。该温度低于200℃时，含氯气体(DCS)会液化，有可能因残留水分而产生腐蚀。优选反应管2内的温度为700℃以下，更优选为500℃以下。当为比500℃高的高温、特别是比700℃高的高温时，有可能因含氯气体会引起Si成膜。为此，作为含氯气体使用DCS时，优选温度为200℃～700℃，更优选为200℃～500℃。
在第二清洁工序中，优选将反应管2内的压力设定为13.3Pa(0.1Torr)～53332Pa(400Torr)，更优选设定为13.3Pa(0.1Torr)～13333Pa(100Torr)。通过使其在相应的范围内，能够使第二清洁气体中的氯与存在于反应管2的内面上的金属污染物质反应，生成金属氯化物。再有，在本实施方式中，优选将成膜工序的处理压力设定为13.3Pa(0.1Torr)～53332Pa(400Torr)，更优选设定为13.3Pa(0.1Torr)～13333Pa(100Torr)，例如1333Pa(10Torr)以下。按照上述条件，就能够可靠的将成膜处理时可放出的某种金属污染物质转变成金属氯化物，并排出到反应管2之外。
去除存在于反应管2的内面上的金属污染物质后，停止源自处理气体导入管17的第二清洁气体的导入。然后，对反应管2内进行排气，同时如图4(c)所示，从净化气体供给管18向反应管2内供给规定量的氮。由此，将反应管2内的气体排出到排气管5(净化工序)。
然后，利用加热器16使反应管2内为规定的温度，例如图4(a)所示的300℃。与此同时，如图4(c)所示，从净化气体供给管18向反应管2内供给规定量的氮。由此，如图4(b)所示，使反应管2内的压力恢复为常压。最后，通过利用舟升降机128使盖体6下降，卸载晶舟11(卸载工序)。
通过上述这样的处理，就去除了反应管2的内面和晶舟11的表面等上的副生成物膜和金属污染物质。接着，将收纳有新的批次的半导体晶片W的晶舟11载置在盖体6上，按如上所述的方式再次进行成膜处理。
<实验>
作为上述实施方式的实施例PE1，使用图1和图2所示的热处理装置，如上所述执行成膜处理和第一及第二清洁处理，准备反应管2。此外，作为比较例CE1，在与实施例PE1相同的条件下执行成膜处理及第一清洁处理，此后，替代第二清洁处理仅进行氮净化，准备反应管2。将半导体晶片搬入如此准备好的反应管2内，通过将反应管2内升温到800℃，对半导体晶片实施加热处理。此后，从反应管2搬入半导体晶片，测定该晶片表面上的铁(Fe)浓度(atoms/cm2)。
图5是表示通过此实验得到的实施例PE1和比较例CE1的硅晶片表面上的铁浓度的曲线图。如图5所示，可确认通过执行第二清洁处理大幅度地减少了半导体晶片上的铁浓度。此外，即使针对铝(Al)、镍(Ni)而言，也能够确认出在进行同样的浓度测定时，通过执行第二清洁处理减少了半导体晶片上的金属浓度。这是考虑到由于活化的氯与存在于石英(反应管2、晶舟11)上和存在于其中的金属反应，变成金属氯化物而从反应管2排出。
<总结及变化例>
如以上所说明的，根据上述实施方式，在第一清洁处理后执行第二清洁处理，去除存在于反应管2内部的金属污染物质。由此，能够抑制源自成膜处理中的反应管2的金属污染物质的扩散，降低形成的膜中的金属污染物等的污染。
在上述实施方式中，第二清洁气体所包括的含氯气体由DCS组成。关于这点，含氯气体可以包括选自氯、氯化氢、二氯硅烷(DCS)、四氯硅烷、六氯乙硅烷、三氯硅烷和三氯化硼中的1种以上的气体。
作为第二清洁气体的含氯气体，在使用氯、氯化氢或三氯化硼的情况下，当处理温度成为高于700℃的高温，特别是高于1050℃的高温时，构成反应管2的石英有可能被蚀刻。为此，在此情况下，优选第二清洁工序中的反应管2内的温度为200℃～1050℃，更优选为200℃～700℃。
此外，作为第二清洁气体的含氯气体使用二氯硅烷、四氯硅烷、六氯乙硅烷、三氯硅烷的情况下，还能够将它们作为第一成膜气体中的硅源气体来利用。在使用二氯硅烷、四氯硅烷、六氯乙硅烷、三氯硅烷的情况下，在第二清洁工序中的反应管2内的温度成为高温时，就有可能形成Si膜。为此，这种情况下，优选反应管2内的温度为200℃～700℃，优选为200℃～500℃。
在上述实施方式中，作为第一清洁气体中所包含的卤酸性气体或卤素气体和氢气的混合气体，可使用氟、氟化氢气体和作为稀释气体的氮气体的混合气体(不含氯)。但是，第一清洁气体如果是可以去除因成膜处理而附着的副生成物膜的气体的话，也可以是其它气体。此外，由于含有稀释气体而使得处理时间的设定变得容易，所以优选含有稀释气体。但是，第一清洁气体也可以不包含稀释气体。稀释气体优选为不活泼气体，除氮气外，例如还可以使用氦(He)、氖(Ne)、氩(Ar)。
在上述实施方式中，作为能通过第二清洁处理去除的金属污染物质，例示出铁、铝、镍。关于这点，通过第二清洁处理，也能够去除其它的金属污染物质，例如钴(Co)、钠(Na)、钙(Ca)。
在上述实施方式中，将第一和第二清洁气体供给到加热到规定温度的反应管2内，并使它们活化。替代此，例如，也可以在反应管2外在所需处理气体导入管17上配设活化机构GAM(参照图1)，一边继续活化一边向反应管2内供给第一清洁气体和/或第二清洁气体。此情况下，能够降低第一和第二清洁工序中的反应管2内的温度。再有，各活化机构GAM可利用选自热、等离子体、光、催化剂中的1种以上的介质。
在上述实施方式中，去除在半导体晶片W上形成硅氮化膜时附着在反应管2的内部的以硅氮化物为主要成分的副生成物膜。代替此，本发明也可以适用于去除在半导体晶片W上形成其它的含硅绝缘膜时(例如硅氧化膜或硅氮氧化膜)附着在反应管2的内部的副生成物膜的情况。此情况下，为了消除硅氧化膜或硅氮氧化膜，能够供给包括含硅气体的第一成膜气体和包括氧化气体或氮氧化气体的第二成膜气体。
在上述实施方式中，每一气体种类配设处理气体导入管17。替代此，也可以按每一处理工序的种类设置处理气体导入管17。而且，为了从多个处理气体导入管17导入相同的气体也可以在反应管2的下端附近的侧面插通多个。此情况下，能够从多个处理气体导入管17向反应管2内供给处理气体，更均匀地向反应管2内导入处理气体。
在本实施方式中，作为热处理装置，可使用单管结构的分批式热处理装置。替代此，本发明，例如能够适用于反应管由内管和外管构成的双管结构的分批式立式热处理装置。而且，本发明也能够适用于单片式的热处理装置。被处理基板不限于半导体晶片W，例如也可以是LCD用的玻璃基板。
成膜装置的控制部100不限于专用的系统，使用常规的计算机系统就能够实现。例如，通过在通用的计算机中，从保存有用于执行上述处理的程序的记录介质(软盘、CD-ROM等)中安装相应的程序，就能够构成执行上述处理的控制部100。
用于供给这些程序的方法是任意的。程序除了可以通过上述规定的记录介质供给外，例如，也可以通过通信线路、通信网络、通信系统等供给。此情况下，例如，可以在通信网络的公告板(BBS)上公示该程序，将其通过网络重叠在传送波上提供。而且，由于启动这样提供的程序，在OS的控制下，就能够与其它的应用程序一样执行，能够执行上述的处理。

Claims (20)

1.一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，其特征在于，包括：
利用第一清洁气体从所述成膜装置的反应室的内面去除副生成物膜的第一清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第一清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第一清洁气体活化的第一温度和第一压力；和
利用第二清洁气体从所述反应室的所述内面去除污染物质的第二清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第二清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第二清洁气体活化的第二温度和第二压力，所述第二清洁气体包括含氯气体。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述污染物质为金属污染物质。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述金属污染物质包括选自铁、铝、镍、钴、钠和钙中的1种以上的金属。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
所述含氯气体包括选自氯、氯化氢、二氯硅烷、四氯硅烷、六氯乙硅烷、三氯硅烷和三氯化硼中1种以上的气体。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，
所述反应室的所述内面以选自石英、碳化硅中的材料为主要成分。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，
将所述第二温度设定为200～700℃。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，
将所述第二压力设定为13.3～53332Pa。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述副生成物膜包含选自硅氮化物、硅氧化物和硅氮氧化物中的物质作为主要成分，所述第一清洁气体包括卤元素和氢元素。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，
所述第一清洁气体是不含氯的气体，包括选自卤酸性气体、卤元素气体和氢气的混合气体中的1种以上的气体。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，
将所述第一温度设定为250～380℃。
11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，
将所述第一压力设定为3.3kPa～59.85kPa。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
在停止所述第一和第二清洁气体的供给的状态下，隔着向所述反应室内供给不活泼气体的期间，将所述第一清洁气体的供给转换成所述第二清洁气体的供给。
13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
在所述第一和第二清洁处理之前和之后，进一步包括在所述反应室内，利用CVD在被处理基板上形成选自硅氮化物、硅氧化物和硅氮氧化物中的物质的膜的成膜处理，在此，向所述反应室内供给包括含硅气体的第一成膜气体和包括选自氮化气体、氧化气体和氮氧化气体中的气体的第二成膜气体。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，
所述第一成膜气体包括含有硅和氯的气体，也能够作为所述第二清洁气体使用。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，
所述第一成膜气体包括选自二氯硅烷、四氯硅烷、六氯乙硅烷和三氯硅烷中的1种以上的气体。
16.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，
将所述成膜处理的处理压力P0设定为13.3～1333Pa，将所述第一压力P1设定为3.3kPa～59.85kPa，将所述第二压力P2设定为13.3～53332Pa。
17.一种半导体处理用的成膜装置，其特征在于，包括：
收纳被处理基板的反应室；
对所述反应室内进行排气的排气系统；
向所述反应室内供给用于在所述被处理基板上形成膜的成膜气体的成膜气体供给系统；
向所述反应室内供给用于从反应室的所述内面去除来自所述成膜气体的副生成物膜的第一清洁气体的第一清洁气体供给系统；
向所述反应室内供给用于从所述反应室的所述内面去除污染物质的第二清洁气体的第二清洁气体供给系统，所述第二清洁气体包括含氯气体；
使所述第一清洁气体活化的第一活化机构；
使所述第二清洁气体活化的第二活化机构；和
控制所述装置的动作的控制部，
所述控制部执行以下处理：
利用第一清洁气体从所述反应室的所述内面去除副生成物膜的第一清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第一清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第一清洁气体活化的第一温度和第一压力；和
利用第二清洁气体从所述反应室的所述内面去除污染物质的第二清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第二清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第二清洁气体活化的第二温度和第二压力。
18.根据权利要求17所述的装置，其特征在于，
所述第一和第二活化机构中的一个或两个利用选自热、等离子体、光、催化剂中的1种以上的介质。
19.根据权利要求17所述的装置，其特征在于，
在所述第一和第二清洁处理之前和之后，所述控制部还执行在所述反应室内，利用CVD在被处理基板上形成选自硅氮化物、硅氧化物和硅氮氧化物中的物质的膜的成膜处理，
在此，向所述反应室内供给包括含硅气体的第一成膜气体和包括选自氮化气体、氧化气体和氮氧化气体中的气体的第二成膜气体。
20.一种计算机可读取的包括用于在处理器上执行的程序指令的介质，其特征在于，
在利用处理器执行所述程序指令时，在半导体处理用的成膜装置上执行以下处理：
利用第一清洁气体从所述成膜装置的反应室的内面去除副生成物膜的第一清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第一清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第一清洁气体活化的第一温度和第一压力；和
利用第二清洁气体从所述反应室的所述内面去除污染物质的第二清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第二清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第二清洁气体活化的第二温度和第二压力，所述第二清洁气体包括含氯气体。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104498903A (zh) * 2014-12-19 2015-04-08 上海微世半导体有限公司 带氯化氢清洗功能的低压化学气相沉积设备
CN109023408A (zh) * 2018-08-21 2018-12-18 江航 高温合金氧化物还原装置
CN110004484A (zh) * 2019-04-19 2019-07-12 西安理工大学 一种SiC单晶等离子体电化学抛光装置及其抛光方法
CN110691655A (zh) * 2017-05-17 2020-01-14 Ejot两合公司 非接触式清洁装置
CN113355653A (zh) * 2020-03-04 2021-09-07 株式会社国际电气 清洁方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质
TWI783318B (zh) * 2019-12-09 2022-11-11 日商國際電氣股份有限公司 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及程式

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5155070B2 (ja) * 2008-09-02 2013-02-27 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置
JP5067381B2 (ja) 2009-02-19 2012-11-07 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置の運転方法
CN102400110B (zh) * 2011-12-06 2013-06-05 山东国晶新材料有限公司 一种气相沉积用导流防尘控气盘及气相沉积炉内洁净生产的方法
JP5869923B2 (ja) * 2012-03-09 2016-02-24 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
KR101967529B1 (ko) * 2017-06-12 2019-04-09 에스케이머티리얼즈 주식회사 실리콘 질화막의 제조 방법
US10535527B2 (en) * 2017-07-13 2020-01-14 Applied Materials, Inc. Methods for depositing semiconductor films
JP6860537B2 (ja) * 2018-09-25 2021-04-14 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2746448B2 (ja) 1990-02-07 1998-05-06 セントラル硝子株式会社 混合ガス組成物
JPH07122493A (ja) * 1993-10-26 1995-05-12 Iwatani Internatl Corp エピタキシャル成長炉のガスクリーニング方法
JP3247270B2 (ja) * 1994-08-25 2002-01-15 東京エレクトロン株式会社 処理装置及びドライクリーニング方法
TW460942B (en) * 1999-08-31 2001-10-21 Mitsubishi Material Silicon CVD device, purging method, method for determining maintenance time for a semiconductor making device, moisture content monitoring device, and semiconductor making device with such moisture content monitoring device
US6503843B1 (en) * 1999-09-21 2003-01-07 Applied Materials, Inc. Multistep chamber cleaning and film deposition process using a remote plasma that also enhances film gap fill
JP3990881B2 (ja) * 2001-07-23 2007-10-17 株式会社日立製作所 半導体製造装置及びそのクリーニング方法
US20040011380A1 (en) * 2002-07-18 2004-01-22 Bing Ji Method for etching high dielectric constant materials and for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials
US7288284B2 (en) * 2004-03-26 2007-10-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Post-cleaning chamber seasoning method
JP4225998B2 (ja) * 2004-12-09 2009-02-18 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体
TWI365919B (en) * 2004-12-28 2012-06-11 Tokyo Electron Ltd Film formation apparatus and method of using the same

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104498903A (zh) * 2014-12-19 2015-04-08 上海微世半导体有限公司 带氯化氢清洗功能的低压化学气相沉积设备
CN104498903B (zh) * 2014-12-19 2017-08-29 上海微世半导体有限公司 带氯化氢清洗功能的低压化学气相沉积设备
CN110691655A (zh) * 2017-05-17 2020-01-14 Ejot两合公司 非接触式清洁装置
CN110691655B (zh) * 2017-05-17 2022-03-11 Ejot两合公司 非接触式清洁装置
CN109023408A (zh) * 2018-08-21 2018-12-18 江航 高温合金氧化物还原装置
CN110004484A (zh) * 2019-04-19 2019-07-12 西安理工大学 一种SiC单晶等离子体电化学抛光装置及其抛光方法
CN110004484B (zh) * 2019-04-19 2021-02-12 西安理工大学 一种SiC单晶等离子体电化学抛光装置及其抛光方法
TWI783318B (zh) * 2019-12-09 2022-11-11 日商國際電氣股份有限公司 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及程式
CN113355653A (zh) * 2020-03-04 2021-09-07 株式会社国际电气 清洁方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质
CN113355653B (zh) * 2020-03-04 2024-01-12 株式会社国际电气 清洁方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质

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