CN101140743B - 显示面板及其驱动方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示面板，其中主和次像素电极分别连接到薄膜晶体管的第一和第二漏电极，从而在1H周期期间接收数据电压作为主和次像素电压。主存储电极交叠主像素电极，从而接收随栅脉冲和数据电压的极性变化的第一公共电压。次存储电极交叠次像素电极，从而接收始终保持在恒定电压水平的第二公共电压。通过第二公共电压始终保持次像素电压，而主像素电压通过第一公共电压而升高或降低。因此，主像素电压可具有高于次像素电压的电压水平。本发明还提供一种显示基板的驱动方法。

Description

显示面板及其驱动方法
技术领域
本发明涉及一种显示面板。更特别地，本发明涉及一种可具有增强的亮度和改善的侧视性(side viewing visibility)的显示面板。
背景技术
为了提高液晶显示器(LCD)的视角，图案化垂直配向(PVA)模式LCD，多畴垂直配向(MVA)模式LCD和超级图案化垂直配向(S-PVA)模式LCD已得到研究和发展，所有这些都具有宽视角。
S-PVA模式LCD可根据其驱动方法分为耦合电容器(CC)型或双晶体管(TT)型。CC型LCD包括主像素电极、次像素电极、以及形成在主和次像素电极之间的耦合电容器，从而降低施加于次像素电极的电压且将所述降低的电压施加于次像素电极作为次像素电压，其低于施加到主像素电极的电压。因而，在CC型驱动方法的情况下，次像素电压的水平在高灰度下被降低，由此恶化了S-PVA模式LCD的亮度。
TT型驱动方法采用在不同时间导通的两个晶体管将具有不同电压水平的主和次像素电压分别施加到主和次像素电极。然而，为了在不同时间驱动两个晶体管，TT型驱动方法要求的驱动频率是CC型驱动方法中采用的驱动频率的两倍，因而增加了功耗。
发明内容
本发明提供一种显示面板，其可具有增强的亮度和改善的侧视性。
本发明的附加特征将在后面的描述中阐述，且部分地将通过该描述而明显，或者可以通过实践本发明来领会。
本发明公开一种包括多个像素的显示面板。每个像素包括栅极线、数据线、主存储电极、次存储电极、主像素电极、次像素电极、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管。在1H周期期间，栅极线接收保持在栅极导通(gate-on)电压的栅脉冲。数据线与栅极线绝缘且相交叉，从而接收数据电压。主存储电极接收随栅脉冲和数据电压极性变化的第一公共电压，次存储电极接收保持在恒定电压水平的第二公共电压。主像素电极电容耦合到主存储电极，次像素电极电容耦合到次存储电极。第一薄膜晶体管连接到栅极线、数据线和主像素电极，第二薄膜晶体管连接到栅极线、数据线和次像素电极。主像素电极在1H周期期间接收来自第一薄膜晶体管的数据电压，然后其电压响应于第一公共电压的变化而改变为不同于数据电压的主像素电压。次像素电极在1H周期期间接收来自第二薄膜晶体管的数据电压，然后其电压保持为次像素电压直到它接收来自第二薄膜晶体管的下一个数据电压。
本发明还公开一种包括多个像素的显示基板。每个像素包括栅极线、数据线、主存储电极、主像素电极、次像素电极、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管。栅极线接收在1H周期期间保持在栅极导通电压的栅脉冲。数据线与栅极线绝缘且相交叉，从而接收数据电压。主存储电极接收随栅脉冲和数据电压极性变化的公共电压。主像素电极电容耦合到主存储电极。主像素电极在1H周期期间接收来自第一薄膜晶体管的数据电压，然后其电压响应于公共电压的变化而改变为不同于数据电压的主像素电压。次像素电极在1H周期期间接收来自第二薄膜晶体管的数据电压，然后其电压保持为次像素电压直到它接收来自第二薄膜晶体管的下一个数据电压。公共电压具有与两帧对应的周期且在低于预定参考电压的第一电压和高于该参考电压的第二电压之间振荡(swing)。
本发明还公开一种LCD面板的驱动方法，包括：在1H周期期间从第一薄膜晶体管施加数据电压到主像素电极；响应于第一公共电压的变化而将主像素电极的电压改变为不同于数据电压的主像素电压；在1H周期期间从第二薄膜晶体管施加数据电压到次像素电极；以及保持次像素电极的电压直到它接收来自第二薄膜晶体管的下一个数据电压。第一公共电压随栅脉冲和数据电压极性而变化。
将理解，前面的概括描述和后面的详细描述都是示范性的和解释性的，且旨在提供要求保护的本发明的进一步说明。
附图说明
提供了对本发明的进一步理解且被引入并构成说明文件的一部分的附图示出了本发明的实施例，且与说明书一起用于说明本发明的原理。
图1为根据本发明一示范性实施例的布置在显示面板上的像素中第(n，m)像素的等效电路图。
图2为显示施加到图1的等效电路图的各种信号的波形图。
图3为显示次像素电压和主像素电压之间的电压比的曲线图。
图4为图1的显示面板的布局图。
图5为沿图4的I-I′线取得的横截面图。
图6是示出与数据电压的极性相反的第一公共电压的极性以及主存储电极、次存储电极和像素之间的连接的视图。
图7A、图7B和图7C为示出图4的阵列基板的制造工艺的平面图。
图8为依照本发明另一示范性实施例的显示面板的布局图。
具体实施方式
下面将参照附图更全面地描述本发明，附图中示出本发明的实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式实现且不应解释为限于这里阐述的实施例。而是，提供这些实施例使得本公开是彻底的，且向本领域技术人员全面传达本发明的范围。在附图中，为了清晰可夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。
将理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上(on)”、“连接到(connected to)”和/或“耦合到(coupled to)”另一元件或层时，它可以直接在该另一元件或层上、直接连接到或耦合到另一元件或层，或者可以存在居间元件或层。相反，当元件被称为“直接”在另一元件或层“上”、“直接连接到”和/或“直接耦合到”另一元件或层时，则没有居间元件或层存在。相似的附图标记始终表示相似的元件。这里使用时，术语“和/或”包括相关列举项目的一个或更多的任何和所有组合。
将理解，虽然术语第一、第二等可以在此用来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一区域、层或部分区别开。因此，下面论述的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分，而不背离本发明的教导。
在这里为了描述的方便，空间相关术语诸如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等可用来描述一个元件或特征与另一元件(或多个元件)或特征(或多个特征)如图所示的关系。将理解，空间相关术语旨在包含除了图中所绘的取向之外装置在使用或操作中的不同取向。例如，如果图中的装置被翻转，则描述为在其他元件或特征的“下方”或“下面”的元件将取向在所述其他元件或特征的“上方”。因此，示范性术语“下方”可以包含下方和上方两种取向。装置也可以有其它取向(旋转90度或其它取向)且相应地解释这里所使用的空间相关描述。
这里所使用的术语仅用于描述特定实施例且无意限制本发明。这里使用时，单数形式“一”和“该”还旨在包括复数形式，除非上下文清楚地另外描述。还将理解，当在本说明书中使用时术语“包括”和/或“包含”表明所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组元的存在，但是不排除一个或更多其他特征、整体、步骤、操作、元件、组元、和/或其组(group)的存在或添加。
除非另外定义，这里使用的所有术语(包括科技术语)具有本发明属于领域的普通技术人员一般理解的相同意义。还将理解，术语诸如一般使用的字典中定义的那些应解释为具有与相关技术背景中它们的涵义一致的涵义，且不应在理想化或过于正式的意义上解释，除非这里明确地如此定义。
在下文中，将参考附图详细说明本发明的示范性实施例。
图1为依照本发明一示范性实施例布置在显示面板上的像素中第(n，m)像素的等效电路图，图2为显示施加到图1的等效电路图的各种信号的波形图。
参考图1和图2，第(n，m)像素包括第n条栅极线GLn、第m条数据线DLm、第一薄膜晶体管Tr1和第二薄膜晶体管Tr2。第一和第二薄膜晶体管Tr1、Tr2的每个连接到第n条栅极线GLn和第m条数据线DLm。特别地，第一薄膜晶体管Tr1包括连接到第n条栅极线GLn的第一栅电极GE1、连接到第m条数据线DLm的第一源电极SE1、以及第一漏电极DE1。第二薄膜晶体管Tr2包括连接到第n条栅极线GLn的第二栅电极GE2、连接到第m条数据线DLm的第二源电极SE2、以及第二漏电极DE2。
第n条栅极线GLn和第m条数据线DLm分别接收栅脉冲Gn和数据电压Vd。在1H周期期间(一个水平扫描周期)栅脉冲Gn保持在栅导通电压。当1H周期期间第一和第二薄膜晶体管Tr1、Tr2响应于栅脉冲Gn而导通时，施加到第一和第二源电极SE1、SE2的数据电压Vd分别输出到第一和第二漏电极DE1和DE2。在1H周期之后，第一和第二薄膜晶体管Tr1、Tr2截止且第一和第二漏电极DE1和DE2彼此断开。
第(n，m)像素还包括主像素和次像素(sub pixel)。主像素连接到第一薄膜晶体管Tr1的第一漏电极DE1，次像素连接到第二薄膜晶体管Tr2的第二漏电极DE2。
主像素包括第一存储电容器Cst1和第一液晶电容器Clc1。由主存储电极、绝缘层和主像素电极定义第一存储电容器Cst1，由主像素电极、液晶层和公共电极定义第一液晶电容器Clc1。
主存储电极接收为交流电压的第一公共电压Vcom1，主像素电极在1H周期期间接收数据电压Vd，公共电极接收为直流电压的第二公共电压Vcom2。
第一公共电压Vcom1为交流电压，其在高于参考电压Vr的第二电压V2和低于参考电压Vr的第一电压V1之间振荡，且第一公共电压Vcom1的一个周期等于两帧。在本示范性实施例中，第二公共电压Vcom2保持在参考电压Vr。
第一公共电压Vcom1依赖于产生栅脉冲Gn的时间和数据电压Vd的极性。当栅脉冲Gn产生时在预定时间间隔后变换第一公共电压Vcom1的电压水平。第一公共电压Vcom1的变换时间Ts在第一时间T1和比第一时间T1迟一帧的第二时间T2之间，在第一时间T1处栅脉冲Gn从栅导通电压降低到栅截止电压。作为本示范性实施例的例子，变换时间Ts在第一时间T1和比第一时间迟半帧的第三时间T3之间。
同时，第一公共电压Vcom1的电压水平根据数据电压Vd的极性向上或向下变换。特别地，当数据电压Vd相对于第二公共电压Vcom2具有正极性时，第一公共电压Vcom1从第一电压V1向上变换至第二电压V2。相反地，当数据电压Vd相对于第二公共电压Vcom2具有负极性时，第一公共电压Vcom1从第二电压V2向下变换至第一电压V1。
当栅脉冲Gn在1H周期期间产生时，将数据电压Vd充入到第一和第二液晶电容器Clc1和Clc2中分别作为主像素电压Vp-m和次像素电压Vp-s。假设数据电压Vd具有正极性，第一公共电压Vcom1在变换时间Ts向上变换。当施加于主存储电极的第一公共电压Vcom1的电压水平向上变换时，充入第一液晶电容器Clc1的主像素电压Vp-m增加了变换电压Vs。因而，在变换时间Ts之后，充入第一液晶电容器Clc1的主像素电压Vp-m具有比充入第二液晶电容器Clc2的次像素电压Vp-s更高的电压水平。在本示范性实施例中，变换电压Vs可具有在约1伏特至约2伏特范围内的电压水平。
在第二时间T2之后，假设数据电压Vd具有负极性，则第一公共电压Vcom1在变换时间Ts向下变换。因而，当施加于主存储电极的第一公共电压Vcom1的电压水平下降时，充入第一液晶电容器Clc1的主像素电压Vp-m降低了变化电压Vs。因此，在变换时间Ts之后，充入第一液晶电容器Clc1的主像素电压Vp-m具有比充入第二液晶电容Clc2的次像素电压Vp-s更低的电压水平。
主像素电压满足下面的公式：
V p - m = V d + C st 1 C st 1 + C gs 1 + C lc 1 V s
在公式中，Vp-m、Vd、Cst1、Clc1、Cgs1和Vs分别指主像素电压、数据电压、第一存储电容器、第一液晶电容器、薄膜晶体管的第一漏电极与源电极之间的寄生电容器、以及变换电压。
如公式所示，主像素电压Vp-m具有比数据电压Vd高或低变换电压Vs的电压水平。另外，根据公式，当第一液晶电容器Clc1和寄生电容器Cgs1的电容减小时，由于变换电压Vs引起的主像素电压Vp-m的变化增大了。相反地，当第一液晶电容器Clc1和寄生电容器Cgs1的电容增大时，由于变换电压Vs引起的主像素电压Vp-m的变化减小了。
图3为示出次像素电压和主像素电压之间的电压比的曲线图。在图3中，当主和次像素电极的面积比为1∶1且第一公共电压Vcom1的变换电压Vs为1.6伏特时，测量主和次像素电压。
此外，在图3中，第一线G1表示根据本示范性实施例的驱动方法的次像素电压与主像素电压的电压比，第二线G2表示根据传统CC型驱动方法的次像素电压与主像素电压的电压比，该传统CC型驱动方法使用电容器将次像素电压Vp-s降低到低于主像素电压Vp-m的电压水平。
参考图3，如第一线G1所示，次像素电压Vp-s与主像素电压Vp-m的电压比在中低灰度范围内降低，次像素电压Vp-s与主像素电压Vp-m的电压比在高灰度范围内增大。相反地，根据第二线G2，与在中低灰度范围内次像素电压Vp-s与主像素电压Vp-m的电压比相比较，在高灰度范围内次像素电压Vp-s与主像素电压Vp-m的电压比降低。
依照第一和第二线G1和G2，本示范性实施例的驱动方法提供了在中低灰度范围内比传统CC型驱动方法低的次像素电压Vp-s与主像素电压Vp-m的电压比，与传统CC型驱动方法相比，其可改善侧视性。此外，本示范性实施例的驱动方法提供了在高灰度范围内比传统CC型驱动方法高的次像素电压Vp-s与主像素电压Vp-m的电压比，与传统CC型驱动方法相比，其可提高亮度。
图4为图1的显示面板的布局图，图5为沿图4的I-I'线取得的横截面图。
参考图4和图5，显示面板100包括阵列基板110、耦合到阵列基板110并面对阵列基板110的对向基板120、以及设置在阵列基板110和对向基板120之间的液晶层130。
阵列基板110包括第一基底基板111和布置在第一基底基板111上的多个像素。每个像素包括栅极线GL、数据线DL、第一薄膜晶体管Tr1、第二薄膜晶体管Tr2、主像素和次像素。
栅极线GL沿第一方向D1延伸且数据线DL沿第二方向D2延伸。数据线DL基本垂直于栅极线GL布置且与栅极线GL绝缘。第一和第二薄膜晶体管Tr1、Tr2中的每个连接到栅极线GL和数据线DL。特别地，第一薄膜晶体管Tr1包括从栅极线GL分支的第一栅电极GE1、第一源电极SE1、以及连接到主像素的第一漏电极DE1。第二薄膜晶体管Tr2包括从栅极线GL分支的第二栅电极GE2、从数据线DL分支的第二源电极SE2、以及连接到次像素的第二漏电极DE2。第一源电极SE1从第二源电极SE2延伸。
第一和第二薄膜晶体管Tr1、Tr2响应于通过栅极线GL施加的栅脉冲分别通过第一和第二漏电极DE1和DE2输出施加到数据线DL的数据电压。因而，主和次像素分别通过第一和第二薄膜晶体管Tr1、Tr2接收数据电压。
主像素包括主像素电极MP和主存储电极，次像素包括次像素电极SP和次存储电极SS。主像素电极MP通过第一接触孔C1连接到第一薄膜晶体管Tr1的第一漏电极DE1，从而接收数据电压。次像素电极SP通过第二接触孔C2连接到第二薄膜晶体管Tr2的第二漏电极DE2，从而接收数据电压。
主和次像素电极MP和SP彼此分隔开。因此，在栅脉冲施加到栅极线GL的1H周期期间，主和次像素电极MP和SP通过第一和第二薄膜晶体管Tr1、Tr2彼此连接，然而，当第一和第二薄膜晶体管Tr1、Tr2在1H周期之后截止时，主和次像素电极MP和SP不彼此连接。在本示范性实施例中，主和次像素电极MP和SP之间的区域通过部分地去除像素电极形成且定义为第一开口O1。
主存储电极包括第一主存储电极MS1和第二主存储电极MS2。第一和第二主存储电极MS1和MS2沿第一方向D1延伸且彼此分隔开预定距离。主和次像素电极MP和SP设置在第一和第二主存储电极MS1和MS2之间。第一主存储电极MS1交叠第一像素组的主像素电极，第一像素组包括与一行对应的像素中偶数编号的像素，第二主存储电极MS2交叠第二像素组的主像素电极，第二像素组包括与所述一行对应的像素中奇数编号的像素。第一和第二主存储电极MS1和MS2接收第一公共电压Vcom1(图2所示)，施加于第一主存储电极MS1的第一公共电压Vcom1具有与施加于第二主存储电极MS2的第一公共电压Vcom1不同的极性。施加于第一和第二主存储电极MS1和MS2的第一公共电压Vcom1的极性周期性反转。
次存储电极SS设置在第一和第二主存储电极MS1和MS2之间且交叠次像素电极SP。次像素电极SS接收始终保持在参考电压的第二公共电压Vcom2(图2所示)。
对向基板120包括第二基底基板121、黑矩阵122、滤色层123和公共电极124。
黑矩阵122包括光阻挡材料且布置在第二基底基板121上。黑矩阵122布置在一像素区域的非有效区域中，从而防止光从像素之间泄露。滤色层123包括红、绿和蓝色像素且布置在一像素区域的有效区域中。公共电极124形成在黑矩阵122和滤色层123上方。然后，公共电极124被构图从而形成穿过其的多个第二开口O2。第二开口O2位于不与第一开口O1对应的位置。特别地，第一开口O1位于两个相邻的第二开口O2之间。
由于第一和第二开口O1和O2，其中液晶分子以不同方向排列的畴限定在一个像素区域中。当液晶分子依照畴(domain)排列在不同方向时，可视性的变化可以由于畴之间的补偿效应而减小，产生具有宽视角的显示面板。
图6为示出与数据电压的极性相反的第一公共电压的极性以及主存储电极、次存储电极和像素之间的连接的视图。
参考图6，显示面板采用2×1点反转(dot-inverting)驱动方法，其中沿列方向数据电压的极性以每两点反转且沿行方向数据电压的极性以每点反转。施加到布置在一行中的像素的数据电压的极性以每个像素反转，使得包括所述一行的偶数编号像素的第一像素组接收具有与施加到包括所述一行的奇数编号像素的第二像素组的数据电压不同的极性的数据电压。在图6中，画阴影的像素构成第一像素组，未画阴影的像素构成第二像素组。
如图6所示，在当前帧期间，第一像素组接收具有正极性(+)的数据电压，第二像素组接收具有负极性(-)的数据电压。在下一帧期间，第一像素组接收具有负极性(-)的数据电压，第二像素组接收具有正极性(+)的数据电压。
同时，第一和第二主存储电极MS1和MS2分别位于与成行像素的上和下侧相邻。第一主存储电极MS1部分交叠第一像素组的主像素电极MP1，第二主存储电极MS2部分交叠第二像素组的主像素电极MP2。当具有正极性(+)的数据电压施加到第一像素组时，第一公共电压Vcom1(图2所示)向上变换到相对于参考电压Vr(图2所示)具有正极性(+)的第二电压V2(图2所示)且被施加到第一主存储电极MS1。另外，当具有负极性(-)的数据电压施加到第二像素组时，第一公共电压Vcom1向下变换到相对于参考电压Vr具有负极性(-)的第一电压V1且被施加到第二主存储电极MS2。
此外，第一主存储电极MS1部分地交叠相邻行中像素的第二像素组的主像素电极，且第二主存储电极MS2部分地交叠相邻行中像素的第一像素组的主像素电极。
次存储电极SS部分地交叠布置在一行中的像素的次像素电极SP1和SP2。次存储电极SS接收始终保持在参考电压Vr的第二公共电压Vcom2。
因此，第一像素组的主像素电极MP1接收由于向上变换的第一公共电压Vcom1而升高了向上变换电压(shifted-up voltage)的主像素电压，第二像素组的主像素电极MP2接收由于向下变换的第一公共电压Vcom1而降低了向下变换电压(shifted-down voltage)的主像素电压。因而，主像素电压可具有比施加到次像素电极的次像素电压更大的绝对值，且可以施加到每个像素的主像素电极。
如上所述，通过提高主像素电压的绝对值，主和次像素电极接收彼此不同的像素电压，这可以提高侧视性和增强亮度。
图7A、图7B和图7C为显示图4的阵列基板的制造工艺的平面图。
参考图7A，栅金属层形成在第一基底基板111上。当栅极金属层被构图时，栅极线GLn、第一和第二栅电极GE1和GE2、次存储电极SS、第一主存储电极MS1、以及第二主存储电极MS2形成在第一基底基板111上。
栅极线GLn沿第一方向D1延伸且第一和第二栅电极GE1、GE2从栅极线GLn分支。第一和第二主存储电极MS1和MS2沿第一方向D1延伸且彼此分隔开。如图7A所示，第一主存储电极MS1位于与前栅极线GLn-1相邻，第二主存储电极MS2位于与栅极线GLn相邻。次存储电极SS形成在第一和第二主存储电极MS1和MS2之间。
然后，栅绝缘层(未显示)形成在第一基底基板111上，从而覆盖栅极线GLn、第一和第二栅电极GE1和GE2、次存储电极SS、第一主存储电极MS1和第二主存储电极MS2。
参考图7B，数据金属层形成在栅绝缘层上。当数据金属层被构图时，数据线DLm、第一源电极SE1、第二源电极SE2、第一漏电极DE1和第二漏电极DE2形成在栅绝缘层上。
数据线DLm沿第二方向D2延伸，基本垂直于第一方向D1。数据线DLm与栅极线GLn绝缘且相交叉。第二源电极SE2从数据线DLm分支，且第一源电极SE1从第二源电极SE2延伸。第一和第二漏电极DE1和DE2分别与第一和第二源电极SE1、SE2分隔开。因此，第一和第二薄膜晶体管Tr1、Tr2在第一基底基板111上完成了。
然后，保护层(未显示)和有机绝缘层(未显示)依次形成在第一基底基板111上，从而覆盖数据线DLm、第一源电极SE1、第二源电极SE2、第一漏电极DE1和第二漏电极DE2。部分地去除保护层和有机绝缘层以提供穿过其形成的第一和第二接触孔C1和C2，由此分别暴露第一和第二漏电极DE1和DE2。
参考图7C，透明导电层例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)形成在有机绝缘层上。当透明导电层被构图时，主和次像素电极MP和SP形成在有机绝缘层上。主和次像素电极MP和SP彼此分隔开且彼此不连接。主像素电极MP通过第一接触孔C1连接到第一漏电极DE1，次像素电极SP通过第二接触孔C2连接到第二漏电极DE2。因此，当第一和第二薄膜晶体管Tr1、Tr2导通时，主和次像素电极MP和SP可通过第一和第二薄膜晶体管Tr1、Tr2彼此连接。
包括布置成行的像素的偶数编号像素的第一像素组的主像素电极部分地交叠第一主存储电极MS1，包括布置成行的像素的奇数编号像素的第二像素组的主像素电极部分地交叠第二主存储电极MS2。此外，次像素电极SP部分地交叠次存储电极SS，完成了阵列基板110。
图8为依照本发明另一示范性实施例的显示面板的布局图。在图8中，同样的附图标记表示与图4中相同或相似的元件，因此将省略相同元件的详细描述。
参考图8，依照本发明另一示范性实施例的显示面板的阵列基板包括多个像素，其每个包括栅极线GL、数据线DL、第一薄膜晶体管Tr1、第二薄膜晶体管Tr2、主像素电极MP、次像素电极SP和主存储电极。另外，主存储电极包括第一主存储电极MS1和第二主存储电极MS2。图8中，在每个像素中去除次存储电极SS(参考图4)。因此，显示面板具有无次Cst(subCst-less)结构。
相应于通过栅极线GL施加的栅脉冲，第一和第二薄膜晶体管Tr1、Tr2分别通过第一和第二漏电极DE1和DE2输出施加于数据线DL的数据电压。因此，主和次像素电极MP、SP分别通过第一和第二薄膜晶体管Tr1、Tr2接收数据电压。
主和次像素电极MP和SP彼此分隔开。因此，在栅脉冲施加到栅极线GL的1H周期期间，主和次像素电极MP和SP通过第一和第二薄膜晶体管Tr1、Tr2彼此连接，然而，当在1H周期之后第一和第二薄膜晶体管Tr1、Tr2截止时，主和次像素电极MP和SP不彼此连接。
第一和第二主存储电极MS1和MS2沿第一方向D1延伸且彼此分隔开预定距离。主和次像素电极MP和SP设置在第一和第二主存储电极MS1和MS2之间。第一主存储电极MS1交叠包括与一行对应的像素中的偶数编号像素的第一像素组的主像素电极，第二主存储电极MS2交叠包括与该行对应的像素中的奇数编号像素的第二像素组的主像素电极。第一和第二主存储电极MS1和MS2接收第一公共电压Vcom1(图2所示)，施加于第一主存储电极MS1的第一公共电压Vcom1具有与施加于第二主存储电极MS2的第一公共电压Vcom1不同的极性。施加于第一和第二主存储电极MS1和MS2的第一公共电压Vcom1的极性周期性反转。
在1H周期期间，主像素电极MP接收来自第一薄膜晶体管Tr1的数据电压，然后其电压响应于施加到第一主存储电极MS1的第一公共电压的变化而改变为不同于数据电压的主像素电压。在1H周期期间，次像素电极SP接收来自第二薄膜晶体管Tr2的数据电压，然后其电压保持为次像素电压直到它接收来自第二薄膜晶体管Tr2的下一个数据电压。
依照该显示面板，施加于主存储电极的第一公共电压的电压水平可以随栅脉冲和数据电压的极性而变化，且主像素电压可基于第一公共电压向上或向下变换。
因此，主像素电压可以具有与次像素电压不同的电压水平，这可以改善侧视性。同样，由于主像素电压可以具有比次像素电压更大的绝对值，所以显示基板的亮度可以得到提高。
本领域普通技术人员将理解，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明作出各种修改和变化。因此，本发明旨在覆盖落入所附权利要求及其等价物范围内的本发明的修改和变化。
本申请要求提交于2006年8月29日的韩国专利申请第10-2006-0082387号的权益和优先权，其在此引用作为参考。

Claims (10)

1.一种显示面板，包括：
多个像素，每个像素包括：
栅极线，接收在一个水平扫描周期即1H周期期间保持在栅导通电压的栅脉冲；
数据线，与该栅极线绝缘且交叉，从而接收数据电压；
主存储电极，接收第一公共电压，该第一公共电压随该栅脉冲以及该数据电压的极性而变化；
次存储电极，接收保持在恒定电压水平的第二公共电压；
主像素电极，电容性耦合到该主存储电极；
次像素电极，电容性耦合到该次存储电极；
第一薄膜晶体管，连接到该栅极线、该数据线和该主像素电极；以及
第二薄膜晶体管，连接到该栅极线、该数据线和该次像素电极；
其中该主像素电极在该1H周期期间接收来自该第一薄膜晶体管的该数据电压，且然后其电压响应于该第一公共电压的变化而改变为不同于该数据电压的主像素电压，且
该次像素电极在该1H周期期间接收来自该第二薄膜晶体管的该数据电压，且然后其电压保持为次像素电压直到它接收来自该第二薄膜晶体管的下一个数据电压。
2.如权利要求1的显示面板，其中该第一公共电压具有与两帧对应的周期且在低于参考电压的第一电压和高于该参考电压的第二电压之间振荡，该第二公共电压具有与该参考电压相同的电压水平。
3.如权利要求2的显示面板，其中该第一公共电压在该栅脉冲从该栅导通电压下降到栅截止电压的第一时间与比该第一时间迟一帧的第二时间之间的一时间上升或下降。
4.如权利要求2的显示面板，其中在该数据电压相对于该第二公共电压从负极性变为正极性之后，该第一公共电压从该第一电压升高至该第二电压，在该数据电压相对于该第二公共电压从正极性变为负极性之后，该第一公共电压从该第二电压降低至该第一电压。
5.如权利要求1的显示面板，其中该第一公共电压改变的量在约1伏特至约2伏特的范围。
6.如权利要求1的显示面板，其中该主像素电极和该次像素电极具有1∶1至1∶2范围的面积比。
7.如权利要求1的显示面板，其中该像素以矩阵构造布置且分为第一极性像素和第二极性像素，该主存储电极沿行方向延伸且分为第一极性存储电极和第二极性存储电极，该第一极性存储电极交叠该第一极性像素的主像素电极并与该第一极性像素的主像素电极绝缘，且该第二极性存储电极交叠该第二极性像素的主像素电极并与该第二极性像素的主像素电极绝缘。
8.如权利要求7的显示面板，其中该像素的极性在列方向上以每两个像素反转，在行方向上以每个像素反转，且以每帧反转。
9.一种显示面板的驱动方法，包括：
在1H周期期间从第一薄膜晶体管施加数据电压到主像素电极；
响应于公共电压的变化而将该主像素电极的电压变为不同于该数据电压的主像素电压；
在该1H周期期间从第二薄膜晶体管施加该数据电压到次像素电极；以及
保持该次像素电极的电压直到它接收来自该第二薄膜晶体管的下一个数据电压，
其中该公共电压随栅脉冲以及该数据电压的极性而变化。
10.如权利要求9的驱动方法，其中该公共电压具有与两帧对应的周期且在低于预定参考电压的第一电压和高于该参考电压的第二电压之间振荡。
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