CN101127214A - 磁头、磁带驱动系统和磁记录带 - Google Patents

磁头、磁带驱动系统和磁记录带 Download PDF

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Abstract

本发明涉及磁头、磁带驱动系统和磁记录带。按照一个实施例一种具有带轴承面的磁头包括多个写入器，每个写入器具有：第一和第二磁极，每个磁极具有位于朝向带轴承面的极尖；界定于极尖之间的前间隙，以及沿所述磁极的电耦合在磁极的远离所述带轴承面的部分被界定的后间隙；其中所述前间隙和后间隙的宽度在平行于带轴承面和平行于其沉积平面的方向被界定，其中所述后间隙的宽度与所述前间隙的宽度的比率小于约3∶1。磁记录带的各种实施例也被公开。

Description

磁头、磁带驱动系统和磁记录带
技术领域
本发明涉及基于磁带的数据存储系统，且更具体地，本发明涉及一种具有减少的写入器节距(writer pitch)的基于磁带的数据存储系统及其构件。
背景技术
商业、科学和娱乐应用依赖于计算机系统来处理和记录数据。在这些应用中，大量的数据经常被存储或传输至非易失性存储介质，比如磁盘、盒式磁带、光盘盒(optical disk cartridges)、软盘或可光读的软盘(flopticaldiskettes)。典型地，磁带是存储或存档数据的最经济、方便和安全的手段。
存储技术被持续地推动以增加存储容量和存储的可靠性。磁存储介质中数据存储容量的改善来源于例如改善的介质材料、改善的纠错技术和减小的面积比特尺寸(areal bit size)。例如，半英寸磁带的数据容量当前以数百千兆字节计。
磁介质数据存储容量的改善在很大程度上来源于用来在磁存储介质上读出和写入数据的磁头组件的改善。传感器技术的一个主要改善随由IBM公司最初研发的磁致电阻(MR)传感器而到来。后来研发了使用GMR效应的传感器。AMR和GMR传感器将磁场变化转化为电阻变化，其被处理以提供数字信号。对于给定的读出传感器宽度，AMR和GMR传感器提供高于从常规的感应读出头可得的信号水平，这样使较小的读出器宽度且因而每英寸更多的磁道成为可能，因而能够实现更高的数据存储密度。而且，传感器输出信号只依赖存储介质中瞬间的磁场强度而与源自传感器/介质相对速度的磁场时间变化率(time-rate-of-change)无关。在工作中，磁存储介质，比如磁带或磁盘表面，经过磁读/写(R/W)头组件以从其读出数据和向其写入数据。
当磁带被写入时，刚写入的数据的跨度(span)是头元件的跨度。然而，在读出之前磁带的任何扩张或者收缩导致数据道之间的间隔及因而数据跨度的扩张和收缩。当前磁带典型地以千分之一或0.1％扩张和收缩。
在当前线性磁带开放协议(LTO)系统中，磁头包括隔开约3mm的伺服读出器。磁带介质也包括具有约3mm的间距的伺服道，因此界定了大约3mm的数据带(data band)。3mm上的0.1％的扩张导致数据带的大约3微米的扩张。因此，数据道本身必须大于读出器宽度加上3微米，否则读回(readback)就会遭受扩张或收缩导致的失准(misregistration)。因此，就考虑增加道密度而言，当前磁带格式达到其极限。为了说明，考虑下面的实例。
在当前的磁带磁头产品中，读出传感器宽度选择为磁带上道宽度的二分之一。假设道宽12微米。那么传感器宽6微米。如果在外道有3微米的失准，那么在外数据带上的读出器可沿数据带的边缘移动。那么读出器就会由于未补偿的横向磁带偏移而离开道。因此，道的宽度(在这个实例中)不能做得更小而不增加由于磁带摇晃所致的误读危险。
补偿磁带横向扩张和收缩的一个方法是静态地旋转磁头，然后进行小角度调节以保持磁头中的读出器/写入器与磁带上的道对准。然而，静态旋转导致与歪斜相关的失准且一般是复杂的且较难实现。例如必须构造倾斜的磁头从而不调整磁带等。
另一个建议的解决方法试图通过控制磁带的张力来控制磁带的宽度。然而，这个办法只在很小的范围内有效，且一般不会提供足够的控制。
发明内容
按照本发明的一个实施例，具有带轴承面(tape bearing surface)的磁头包括多个写入器，每个写入器具有：第一和第二磁极(pole)，每个磁极具有位于朝向带轴承面的极尖；界定于极尖之间的前间隙(the front gap)；以及沿磁极的电耦合位于磁极的远离带轴承面的部分被界定的后间隙。前间隙和后间隙的宽度沿平行于带轴承面和平行于其沉积平面的方向定义。后间隙宽度与前间隙宽度的比率小于约3∶1。
后间隙宽度与前间隙宽度的比率可以小于约1.5∶1。例如，后间隙宽度与前间隙宽度的比率可在约1.5∶1与约0.9∶1之间，以及甚至约1∶1。
写入器可以是薄饼型(pancake-type)写入器，其线圈可以位于沿单一平面设置或者可以以至少两层堆叠。写入器可以线性排列。
在一个实施例中，前间隙的宽度可以在约2微米和约10微米之间。
在另一个实施例中，写入器节距可以在约15微米和约45微米之间，例如，在约28微米和约33微米之间。
伺服读出器可以位于写入器的外侧。在一个实施例中，伺服读出器之间的距离小于约1.55mm。在另一个实施例中，伺服读出器之间的距离小于约0.75mm。在另一个实施例，伺服读出器之间的距离小于0.5mm。
按照本发明的另一个实施例，磁头包括：第一模块，其具有平的轮廓(flatprofile)的带轴承面；和第二模块，其具有平的轮廓的带轴承面。至少模块中的一个具有写入器阵列，其中每个写入器具有位于朝向相关模块的带轴承面的前间隙和沿磁极的电耦合位于磁极的远离相关模块的带轴承面的部分被界定的后间隙。前间隙和后间隙的宽度沿平行于带轴承面和平行于其沉积平面的方向定义，其中后间隙宽度与前间隙宽度的比率小于约2.5∶1。
按照本发明的一个实施例的磁记录带包括多个伺服道，每个伺服道包含一系列的磁定义的条(bar)，其中条的平均高度小于约50微米。
按照本发明的一个实施例的磁记录带包括多个伺服道，每个伺服道包含一系列磁定义的条，其中至少一些条之间的角度大于约10度。
按照另一个实施例的磁记录带包括至少约八个数据带，数据带被界定于伺服道之间。
磁带驱动系统包括上述的磁头、使磁记录带在磁头上通过的驱动机构、以及与磁头通讯的控制器。
本发明的其它方面和优点将从下面的详细描述中变得清晰。此描述结合附图以示例的方式说明了本发明的原理。
附图说明
为了更充分的理解本发明的本质和优点，以及使用的优选模式，应参考结合附图阅读的详细说明。
图1示出了按照本发明的一个实施例的平直搭接的(flat-lapped)的磁带磁头；
图2A是取自图1中线2A的带轴承面的视图；
图2B是取自图2A的圈2B的详细视图；
图2C是现有技术的伺服图案的代表性视图；
图2D是按照本发明一个实施例的现有技术的伺服图案的代表性视图；
图2E是现有技术的元件阵列相对于按照本发明的实施例的二元件阵列的比较视图；
图3A是按照本发明的一个实施例的磁带磁头中写入器阵列的部分视图；
图3B是沿图3A线3B-3B取得的部分视图；
图4是按照本发明一个实施例的写入器的部分视图；
图5是本发明具有背负式(piggybacked)读出器和写入器的说明性实施例的部分平面视图；
图6是按照本发明的一个实施例的具有三个模块的磁带磁头的侧面视图；
图7A和7B示出了按照本发明另外一个实施例的写入器；
图8是按照本发明一个实施例的磁带驱动系统的示意图。
具体实施方式
以下的描述是当前预期的实施本发明的最优方式。该描述的目的是为了说明本发明的一般原则而不是意指限定这里所要求保护的发明概念。此外，这里描述的具体特征能够以各种可能的组合和排列中的每个与所描述的其它特征结合使用。
下面描述的实施例公开了一种新的磁带格式和磁头设计。
图1示出了按照本发明的一个实施例的平直搭接(flat-lapped)的双向、二模块磁带磁头100。如图所示，该磁头包括一对基底(base)102，每个基底102装备有模块104。基底可以是粘着地耦接在一起的“U柱”(U-beams)。每个模块104包括衬底104A和关闭件(closure)104B，读出器和写入器106位于它们之间。使用中，磁带108在模块104上沿着带轴承面(bearingsurface)109以所示方式移动以用读出器和写入器106在磁带108上读出和写入数据。常规地，在磁带108和带轴承面109之间形成局部真空以保持磁带108与读出器和写入器106紧密地接近。
图2A示出了模块104中的一个的带轴承面109。代表性的磁带108以虚线示出。模块足够长以当磁头在数据带之间移动时能够支撑磁带。
磁带108的优选实施例包括12-22个数据带，例如，在半英寸宽的磁带上有16个数据带和17个伺服道202，如图2A所示。数据带被界定在伺服道202之间。每个数据带可以包括若干数据道，例如96个数据道(未示出)。在读/写操作中，元件106位于一个数据带之内。外部读出器，有时称作伺服读出器，读伺服道202。伺服信号又被用来在读/写操作中保持元件106与特定道对准。典型地，粗调定位器(蜗轮等)将磁头定位为基本临近给定的数据道，然后精确定位器(音圈等)使用伺服道保持磁头被对准。
虽然伺服道202的数量大，但给定数据带的宽度小，这样每个伺服道的宽度相应地小。虽然直觉上更多的伺服道将被预期使用更多的磁带面积，这种数据带宽度和伺服道宽度的减小实际上给出了磁带上更多的面积用于数据道。这样，图2A所示的实施例与当前具有四数据带和五伺服道的LTO磁带相比提供了几个百分比的净数据容量增加。
图2C所示的典型的伺服道包括重复的伺服图案240。典型的伺服图案240包括两个或多个磁定义的条(bar)244构成的磁定义的基集(base set)242(例如人字形：/\)，其通常被同时写入。伺服图案240可以包括成组的彼此嵌套的基集242(例如，///\\\)。在本发明的一个实施例中，伺服图案中的条244的高度(Hb)从当前商用的例如LTO相容产品中的伺服图案数据降低到大约四分之一或更小。在图2D所示的一个说明性实施例中，伺服图案250中条254的平均高度(Hb)从约190微米降低到小于约50微米。在一个实施例中，条254的高度约为40微米。由于图案250更高频率地重复，这具有提供更高的精确性的效果。注意人字型伺服图案仅仅是多种可以用在本发明中的图案之一。其它说明性伺服图案包括“M”型(/\/\，|\/|，/|\等)，“N”型(/\/，|\|，/|/等)，等等。“M”或“N”型图案在某些场合比简单的二条人字型伺服图案是更优的，比如，“N”或“M”图案包括平行的条，因此允许系统精确地计算磁带的速度。
伺服基集的前述类型的变型和组合也是可能的。也要注意不需要所有的条都具有相同正角或反向角(direct or inverse angle)。
在各种实施例中，人字形的角度α(界定在不同方向的相邻条之间)增大，因此允许更快的伺服图案重复频率。例如，一个实施例将人字形的角度从现在的6度增大到约10-25度，或者更多。
伺服图案优选地以高线性密度写入，以使得与当前LTO产品相比获得伺服线性密度4倍的改善。
伺服道可以具有在其中嵌入或编码的数据。这样的数据可以包括用于加密的数据、用于确定沿磁带的纵向位置的数据等。
小的数据带宽度也提供对与磁带的尺寸不稳定性即横向扩展相关的读/写问题的更强免疫性。例如，如上所述，当前LTO经历每个数据带3μm的横向扩展，必须设计磁带驱动以处理这种情况。这里呈现的数据带较小的宽度减小横向扩展至每个数据带约0.5至0.7μm。
图2B描绘了形成在图2A的模块104上的间隙208内的多个读和/或写元件106。如图所示，元件106的阵列包括，例如，16个写入器209、16个读出器210和两个伺服读出器212，虽然元件的数目是可以变化的。说明性的实施例每个阵列106包括8、16、32和40个元件。优选实施例每个阵列包括24个读出器和/或每个阵列24个写入器。这就允许磁带行进更慢，因此降低速度导致的跟踪和机械困难。尽管读出器和写入器可以如图2B所示以背负式(piggyback)的结构排列，读出器210和写入器209也可以以交织的结构排列。或者，每个元件106的阵列可以单单是读出器或者写入器，且该阵列可以包括一个或多个伺服读出器。鉴于图1和图2A-B一起考虑注意到，每个模块104可以包括元件106的补集以用于诸如双向读和写、写时读的能力等。
在优选实施例中，伺服磁头的宽度为使得转变增宽效应(transitionbroadening effect)被最小化。巨磁致电阻(GMR)和遂穿磁致电阻(GMR)装置优选地用在伺服读出器中以用于需要伺服读出器具有比如0.5微米的小的道宽度的高级格式中。
按照一个实施例，磁头元件被定位以使得在最外面的伺服元件之间的跨度与当前LTO伺服跨度相比减小到约1/2到1/6。在优选实施例中，跨度被减小到1/5.4。伺服跨度减小因子大致相当于道节距改善因子。这样，按比例减小跨度到约1/5导致在横向不稳定性限制道密度之前磁带上道的最大数目提高到大约5倍。写入器设计来适应新的节距并在下面加以详细描述。
图2E示出了现有LTO元件阵列260和按照本发明一个实施例的元件阵列262的相对尺寸。如图所示，阵列260的伺服至伺服(servo-to-servo)读出器跨度(S1到S2)是阵列260的伺服至伺服读出器跨度(S1到S2)的5.4倍。正如磁头设计领域的技术人员将清楚的，这里描述的新的阵列呈现了空间限制挑战，而这在常规磁头设计中没有遇到。
在本发明的各种实施例中的线性排列的16写入器的阵列中的伺服至伺服读出器跨度可以小于约1.5mm，且在某些实施例中可以小于约1mm，在另外的实施例中小于约0.75mm，以及依然在另外的实施例中小于约0.5mm。在某些实施例中，写入器节距在约15微米到约45微米之间。例如，在一个预期的设计中，写入器节距在约31微米到约33微米之间。在另一个预期的设计中，写入器节距在约28微米到约29微米之间。
为了获得与常规技术水平系统相比跨度和/或节距该量级的减小，需要发明人在几个方面反直觉地且与本领域公认的智慧相反地进行。发明者与公认智慧相偏离的实例在下面陈述。
在已知“薄饼”型写入器中，后间隙的宽度一般是界定在前间隙的道宽度的3倍或者更多。这种设计最小化了后间隙内的阻抗，其改善了写入效率并能够在磁饱和后间隙之前使所需的磁通到达记录间隙。因此，所有已知的磁带磁头设计者均采用了后间隙宽度是前间隙宽度的约3倍的设计。然而，这种设计限制了写入节距并因而限制了写入器阵列的最小宽度。例如，LTO现有产品中的16写入器阵列中的伺服至伺服读出器跨度约为2.9mm。
使问题更加复杂的是，当写入器在一起太近时，它们可磁耦合在一起。这个现象有时被称为写入器耦合。简言之，当写入耦合发生时，在一个写入器中产生的场引起相邻的写入器的磁极中产生场，因此潜在地引起可以导致读回噪音的“幽灵(ghost)”转变的写入。传统智慧是充分隔开写入器以使得写入耦合不存在。
本发明人发现，通过显著减小相对于前间隙宽度的后间隙宽度，结合下面陈述的线圈重新设计，可以得到为获得小的写入器节距所需的紧密的写入间隔而不会引起不可接受的写入耦合。
参照图3A，按照本发明的一个实施例，示出了写入器的线性阵列的两个薄饼型写入器300。每个写入器300具有第一和第二磁极302、304。每个磁极302、304具有至少一个位于朝向磁头的带轴承面306的极尖。注意尽管术语“带轴承面”看起来表明面对磁带的表面与带轴承面直接接触，但这不是必要的情况。更确切地，更典型的是磁带的一部分与带轴承面恒定地或者间歇性地接触，而磁带的另一部分浮(ride)在带轴承面上方有时被称作“空气轴承”(air bearing)的空气层上。
如图3B所示，前间隙307被界定在极尖302、304之间。再次参照图3A，后间隙308在磁极302、304的远离带轴承面306的部分处沿磁极302、304的电耦合被界定。前间隙307和后间隙308的宽度沿平行于带轴承面306且平行于其沉积平面的方向被界定。每个写入器300也包括线圈310。在一个预期的实施例中的线圈包括10到14匝，10到12匝是优选的。
后间隙宽度WB与前间隙宽度WF的比率(例如，后间隙宽度比前间隙中上磁极宽度)小于3∶1，和更优选地小于约2.5∶1，更优选地小于约1.5∶1，且在某些实施例中在约1.5∶1和约0.9∶1之间。图4示出了后间隙宽度WB与前间隙宽度WF的比率约为1∶1的写入器300。说明性的实施例前间隙宽度WF约2微米到约10微米，磁带上写入道宽度约0.5微米到10微米(依赖于道是否被变窄(shingled))。
因为后间隙宽度WB相对较小，跨过后间隙308且平行于带轴承面306的线圈310的直径减小，因此能够最小化写入器节距。通过逐渐减小远离后间隙的线圈的占据面积(footprint)可以进一步减小写入器线圈之间的耦合，如图5所示。同时线圈绕组(coil windings)可被加宽以最小化线圈电阻而不影响写入器之间的串扰。这又允许写入器300在一起间隔更近而不招致写入器耦合的不可接受的水平。另外，设计每个写入器300的线圈310以提供足够的通量，同时最大化相邻线圈的最近点的距离。线圈参数包括线圈纵横比(aspect ratio)、线圈厚度和相邻线圈之间的距离。
为了进一步减小写入耦合的影响，写入器节距可以被改变以进一步最大化相邻线圈最近点的距离。
在前间隙后面的磁极302、304较窄的宽度也提供较小表面积用于通量在磁极间跳变(jump)，因此改善写入精确性和可靠性。
线圈优选地堆叠成两层或更多层。这提供了两个优点。第一，轭长度(yoke length)可以被缩短。这导致较小的减缓场上升时间的涡流，这又导致更快的写入反应时间。第二，通过减少线圈覆盖的面积和增加磁极之间的距离改善了寄生阻抗(parasitic reluctance)。较低的杂散阻抗(stray reluctance)带来较高的总体效率(overall efficiency)及因而一般较低的写入电流。较低的写入电流导致写入器之间较小的串扰。另外，避免了后间隙分离(back gapseparation)。
本发明人还制作了具有上述一些尺度的原型磁头，并发现磁头有效地写入锐利转变(sharp transition)。磁头也提供几个令人惊奇和未预料到的结果。一个结果是磁头提供比现有技术水平磁头更锐利的写入数据的转变。另一个结果是磁头提供比现有技术水平磁头更好的重写(overwrite)性能。依然另一个这样令人惊奇和未预料到的结果是磁头提供了比现有技术水平磁头更好的写入均衡分辨率(write equalized resolution)。
图5描绘了按照一个说明性实施例的说明性的16通道R/W阵列106。如图所示，数据读出器210(R1、R2......)从写入器209(W1、W2......)偏移。伺服读出器212(伺服)也呈现出来。
构造磁头的另一个方法是在不同的模块上进行读和写功能。如图6中写-读-写(W-R-W)磁头600所示，外部的写入模块602、604在单个读出模块606的侧面。如名字所暗示的，外部模块602、604在一个结构中包括两个或更多个写入器阵列，例如，如图3A所示。继续参照图6，读出模块606包括两个或更多读出器阵列。模块602、604和606互相之间偏移并以一种关系设置使得内部包角(wrap angle)被界定在模块602、604和606之间。电缆609连接元件至控制器。
在这个实施例中，模块的带轴承面可以位于平行或接近平行的平面上，但在垂直于平面的方向偏移(offset)。当如图所示地磁带608在磁头600上移动时，空气通过第一外部写入模块602的切片边缘(skived edge)610从磁带608下面避开(skive)，并且代替磁带608从第一外部写入模块602的带轴承面612升起(直觉上应该这样)，在磁带608和带轴承面612之间的区域中减小的空气压力允许大气压力促使磁带靠向带轴承面612。外部写入模块602的拖尾的端(trailing end)620(从该端磁带离开外部写入模块602)最靠近在内部读出模块606的带轴承面上界定包角的参考点。当磁带行进方向相反时，另一个外部写入模块604也是这样。
图6中磁头600的变型包括R-W-R磁头、R-R-W磁头、W-W-R磁头等。例如，在R-W-R磁头中，外部模块602、604进行读出而中间模块606进行写入。在R-R-W磁头中，第一位的模块602和中间模块606进行读出而拖尾的模块604进行写入。在W-W-R磁头中，第一位的模块602和中间模块606进行写入而拖尾的模块604进行读出。此外，第一位的和拖尾的模块602、604可以相互之间同时工作而中间的模块606可以独立工作，或者可以结合两个模块工作。
图7A和7B示出了按照本发明另一个实施例的写入器209。如图所示，写入器209是螺线管(solenoid coil)型写入器。线圈310卷绕上部电极302。
在另一个实施例中，线圈缠绕底部磁极。依然在另一个实施例，线圈以双螺旋结构缠绕两个磁极。
图8示出了一个简单的磁带驱动器，其可以在本发明的环境中被采用。尽管在图8中示出了磁带驱动器的一个具体实施，应该注意的是先前图中的实施例可以在任何类型的磁带驱动系统环境中实施。
如图所示，磁带供给盒(tape supply cartridge)820和卷带轴(take-up reel)821被提供以支承磁带822。这些可以构成可移动盒式磁带的一部分且不必是系统的部分。引导装置825引导磁带822通过这里公开的类型的优选双向的磁带磁头826。这样的磁带磁头826又通过写-读电缆830与控制器组件828耦接。控制器828又控制磁头的功能，比如伺服跟随、写入、读出等。致动器832控制磁头826相对于磁带822的位置。
磁带驱动器，比如图8中所示出的，包括驱动马达，其驱动磁带供给盒820和卷带轴821以在磁头826上线性地移动磁带822。磁带驱动也包括读/写通道从而传输数据到磁头826以在磁带822上记录并接收通过磁头826从磁带822上读出的数据。也提供接口以用于在磁带驱动器和主机(host)(集成的或外部的)之间通讯从而发送和接收数据，并用于控制磁带驱动的工作以及传送磁带驱动的状态到主机，所有这些将能够被本领域的技术人员理解。
本领域的技术人员将意识到上面给出的尺寸和这里的其它方面是以举例的方式呈现的，并可以依设计和制作的约束、性能考虑等制作得更大或者更小。
任何上述实施例或者其部分的结合也可以被应用到已知的和还没有被发明的任何类型的磁带磁头和磁带记录系统。例如，这里的教导可以容易地适应于交织的磁头，其典型地包括相对的模块，每个模块具有配置为提供写时读能力的交替的读出器和写入器的阵列。
虽然上面描述了各种实施例，但应该了解的是它们仅仅以举例的方式呈现，并不是限制的方式。因此，优选实施例的宽度和范围不应被任何上述示范实施例限制，而仅应该按照下面的权利要求和它们的同等物来界定。

Claims (35)

1.一种磁头，具有带轴承面，该磁头包括：
多个写入器，每个写入器具有：第一和第二磁极，每个磁极具有定位为朝向所述带轴承面的极尖；界定于所述极尖之间的前间隙；以及在所述磁极的远离所述带轴承面的部分处沿所述磁极的电耦合界定的后间隙；
其中所述前间隙和后间隙的宽度沿平行于带轴承面且平行于其沉积平面的方向定义，
其中所述后间隙的宽度与所述前间隙的宽度的比率小于约3∶1。
2.如权利要求1的磁头，其中所述后间隙的宽度与所述一前间隙的宽度的比率小于约1.5∶1。
3.如权利要求2的磁头，其中所述后间隙的宽度与所述前间隙的宽度的比率介于约1.5∶1和约0.9∶1之间。
4.如权利要求1的磁头，其中所述后间隙的宽度与所述前间隙的宽度的比率约为1∶1。
5.如权利要求1的磁头，其中所述写入器是薄饼型写入器。
6.如权利要求1的磁头，其中所述前间隙的宽度介于约2微米到约10微米之间。
7.如权利要求1的磁头，其中写入器节距在约15微米和约45微米之间。
8.如权利要求7的磁头，其中所述写入器节距介于约28微米和约33微米之间。
9.如权利要求1的磁头，进一步包括位于所述写入器外侧的伺服读出器，其中所述伺服读出器之间的距离小于约1.5mm。
10.如权利要求9的磁头，其中所述伺服读出器之间的距离小于约0.75mm。
11.如权利要求9的磁头，其中所述伺服读出器之间的距离小于约0.5mm。
12.如权利要求1的磁头，其中每个所述写入器包括线圈，其中所述线圈以至少两层堆叠。
13.如权利要求1的磁头，其中所述写入器被线性排列。
14.一种磁带驱动系统，包括：
磁头，包括：
多个写入器，每个写入器具有：第一和第二磁极，每个磁极具有定位为朝向所述带轴承面的极尖；界定于所述极尖之间的前间隙；
以及在所述磁极的远离所述带轴承面的部分处沿所述磁极的电耦合界定的后间隙；
其中所述前间隙和后间隙的宽度沿平行于带轴承面且平行于其沉积平面的方向定义，
其中所述后间隙的宽度与所述前间隙的宽度的比率小于约3∶1，使磁记录带在磁头上通过的驱动机构；以及
与所述磁头通讯的控制器。
15.一种磁头，包括：
第一模块，具有平的轮廓的带轴承面；以及
第二模块，其具有平的轮廓的带轴承面；
其中至少所述模块之一具有写入器阵列，
其中每个写入器具有定位为朝向所述关联模块的所述带轴承面的前间隙和在所述磁极的远离所述关联模块的所述带轴承面的部分处沿所述磁极的电耦合界定的后间隙，
其中所述前间隙和后间隙的宽度沿平行于所述带轴承面且平行于其沉积平面的方向定义，
其中所述后间隙的宽度与所述前间隙的宽度的比率小于约2.5∶1。
16.如权利要求15的磁头，其中所述后间隙的宽度与所述一前间隙的宽度的比率小于约1.5∶1。
17.如权利要求16的磁头，其中所述后间隙的宽度与所述前间隙的宽度的比率介于约1.5∶1到约0.9∶1之间。
18.如权利要求15的磁头，其中所述后间隙的宽度与所述前间隙的宽度的比率约为1∶1。
19.如权利要求15的磁头，其中所述写入器是薄饼型写入器。
20.如权利要求15的磁头，其中写入器节距介于约15微米到约45微米之间。
21.如权利要求15的磁头，进一步包括位于所述写入器外侧的伺服读出器，其中所述伺服读出器之间的距离小于约1.5mm。
22.一种磁带驱动系统，包括：
如权利要求15所述的磁头；
使磁记录带在所述磁头上通过的驱动机构；以及
与所述磁头通讯的控制器。
23.一种磁记录带，包括：
多个伺服道，每个伺服道包括一系列磁定义的条，
其中所述条的平均高度小于约50微米。
24.如权利要求23的磁记录带，其中每个伺服道包括一系列的磁定义的条的基集，每个基集包括两个条。
25.如权利要求23的磁记录带，其中每个伺服道包括一系列的磁定义的条的基集，每个基集包括三个条。
26.如权利要求23的磁记录带，其中每个伺服道包括一系列的磁定义的条的基集，每个基集包括至少四个条。
27.如权利要求23的磁记录带，其中所述伺服道之间的距离小于约1.5mm。
28.如权利要求23的磁记录带，其中所述伺服道之间的距离小于约0.75mm。
29.如权利要求23的磁记录带，其中所述伺服道之间的距离小于约0.5mm。
30.如权利要求23的磁记录带，其中一所述伺服道中具有编码的数据。
31.一种磁记录带，包括：
多个伺服道，每个伺服道包括一系列磁定义的条，
其中至少一些所述条之间的角度大于约10度。
32.如权利要求31的磁记录带，其中所述角度介于约10度到约25度之间。
33.如权利要求31的磁记录带，其中一所述伺服道中具有编码的数据。
34.一种磁记录带，包括：
至少约八个数据带，所述数据带界定于伺服道之间。
35.如权利要求34的磁记录带，其中约8到约26个数据带存在于所述磁带上。
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