CN101125657A - 高纯二氧化硅生产方法 - Google Patents
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Abstract
本发明高纯二氧化硅生产方法,该方法通过将工业水玻璃分别经加压石灰除杂、CO2碳分沉淀硅、加压酸洗脱杂、高纯水洗涤和高温烘干脱水,即可得到纯度达到99.999%以上的高纯二氧化硅。本方法工艺简单,液固分离容易,环境污染小,技术附加值高,产品二氧化硅纯度高。
Description
技术领域
本发明属于化工湿法合成高纯二氧化硅的方法,更具体地说,涉及一种用水玻璃制取高纯二氧化硅的生产方法。
背景技术
随着电子工业、大型和超大型集成电路、光纤通信、太阳能电池、激光磁盘等高科技领域的发展,对高纯二氧化硅的需求量也越来越大。用途不同,对高纯二氧化硅的纯度要求也不同,当用于大型和超大型集成电路的封装剂时,对高纯二氧化硅中杂质含量的要求尤为严格:金属杂质总量<10μg/g,放射性元素铀(U)和钍(Th)含量均<0.001μg/g。高纯二氧化硅分成两类,天然的和合成的。由纯度很高的天然石英、硅石通过精制得到的高纯二氧化硅不仅数量有限,而且质量上也难以满足电子工业的要求,合成的高纯二氧化硅以硅的卤化物、硅醇、硅酸钠或氟硅酸铵等为原料,通过人工合成而得,不仅数量上可根据需要来生产,而且质量上可满足不同工业部门的特殊要求。合成高纯二氧化硅有两种方法:一是以硅的卤化物或硅醇为原料,用干法(气相法)制得;二是以硅酸钠(即水玻璃)或氟硅酸铵为原料用湿法(沉淀法)制得,前者由于原料价格较贵,腐蚀性强,具有可燃性,对生产装置要求高,投资大,因而生产成本高;后者所用原料价格较便宜,操作安全,对生产装置要求不高,投资也较小,因而生产成本低。但现有的湿法合成二氧化硅方法,其产品质量达不到国内电子工业的要求,而且有些方法环境污染大,原材料消耗较高。
发明内容
本发明克服了现有以水玻璃(即硅酸钠)为原料制取高纯二氧化硅方法的不足,提供了一种产品纯度高、环境污染小、原材料消耗低的以水玻璃(即硅酸钠)为原料湿法合成高纯二氧化硅的生产方法。
实现本发明的步骤是:
(1)将工业水玻璃稀释4~5倍,加入石灰调浆,然后加入加压釜中,控制温度120℃~160℃、压力0.5~1.2MPa进行加压除杂反应,溶液中的杂质元素钛、铁、铜、锌等与石灰反应,生成难溶沉淀物质,达到去除钛、铁、铜、锌等杂质的目的;
(2)加压除杂反应获得的滤液通入CO2气体在50℃~80℃条件下碳分反应析出偏硅酸沉淀和碳酸钠溶液;
(3)碳分获得的偏硅酸沉淀用20~50g/L的盐酸溶液在加压釜中控制温度120℃~160℃、压力0.5~1.2MPa进行酸洗,进一步脱除偏硅酸沉淀中的铝、钠、铜、锌、铁等杂质;
(4)酸洗脱杂产出的偏硅酸用高纯水在50℃~80℃下搅拌洗涤2~3次,烘干脱水后得到99.9990%~99.9995%二氧化硅产品。
其中:所述的除杂反应为石灰加压除杂;偏硅酸沉淀反应为CO2气体沉淀偏硅酸;酸洗脱杂为加压酸洗脱杂。
本发明的有益效果为:因石灰除杂和酸洗脱杂都在加压釜中进行,反应温度高,强化了反应条件,除杂效率高,得到的料浆过滤性能好;同时使用CO2气体作沉淀剂沉淀偏硅酸,即化学反应式为Na2SiO3+CO2+H2O→H2SiO3↓+Na2CO3,产出的碳酸钠溶液蒸发浓缩后可以用做生产水玻璃原料,酸洗脱杂后溶液进行蒸馏回收盐酸,洗涤偏硅酸后的高纯水用作配制盐酸酸洗前液,故过程没有废液产出,降低了生产成本和避免了对环境的污染。该技术还具有工艺流程短、原材料价廉易得、技术附加值高等优点。
具体实施例
实施例1、工业水玻璃溶液含铝0.038g/L,钛0.13g/L,铁0.34g/L,稀释到4倍,加石灰调浆,然后加入容积为2L的加压釜中,在温度120℃、压力0.5MPa的条件下进行石灰除杂。溶液中的杂质元素钛、铁、铜、锌等与石灰反应,生成难溶沉淀物质,达到去除钛、铁、铜、锌等杂质的目的;
钛除去率99.69%、铁除去率96.35%,石灰除杂后液含SiO276.0g/L,铝0.0091g/L,钛0.0001g/L,铁0.0031g/L。
石灰除杂后液在50℃下通入CO2气体中和溶液终点pH值11后,静置1h过滤,硅沉淀率90.51%,得到的偏硅酸用20g/L盐酸溶液在120℃、压力0.5MPa下进行酸洗脱杂。进一步脱除偏硅酸沉淀中的铝、钠、铜、锌、铁等杂质;
酸洗脱杂获得的偏硅酸用高纯水在50℃下搅拌洗涤2次,烘干脱水后获得纯度为99.9990%的SiO2产品。
实施例2、工业水玻璃溶液含铝0.040g/L,钛0.15g/L,铁0.26g/L,稀释到5倍,加石灰调浆,然后加入容积为2L的加压釜中,在温度160℃、压力1.2MPa的条件下进行石灰除杂。溶液中的杂质元素钛、铁、铜、锌等与石灰反应,生成难溶沉淀物质,达到去除钛、铁、铜、锌等杂质的目的;
钛除去率99.60%、铁除去率95.19%,石灰除杂后液含SiO265.0g/L,铝0.008g/L,钛0.0002g/L,铁0.0025g/L。
石灰除杂后液在80℃下通入CO2中和溶液终点pH值11后,静置1h过滤,硅沉淀率91.45%,得到的偏硅酸用50g/L盐酸溶液在160℃、压力1.2MPa下进行酸洗脱杂。进一步脱除偏硅酸沉淀中的铝、钠、铜、锌、铁等杂质;
酸洗脱杂获得的偏硅酸用高纯水在80℃下搅拌洗涤3次,烘干脱水后获得纯度为99.99995%SiO2产品。
实施例3、工业水玻璃溶液含铝0.032g/L,钛0.18g/L,铁0.38g/L,稀释到5倍,加石灰调浆,然后加入容积为2L的加压釜中,在温度130℃、压力0.8MPa的条件下进行石灰除杂。溶液中的杂质元素钛、铁、铜、锌等与石灰反应,生成难溶沉淀物质,达到去除钛、铁、铜、锌等杂质的目的;
钛除去率99.69%、铁除去率97.63%,石灰除杂后液含SiO266.2g/L,铝0.0064g/L,钛0.00009g/L,铁0.0018g/L。
石灰除杂后液在60℃下通入CO2中和溶液终点pH值11后,静置1h过滤,硅沉淀率90.85%,得到的偏硅酸用35g/L盐酸溶液在130℃、压力0.8MPa下进行酸洗脱杂。进一步脱除偏硅酸沉淀中的铝、钠、铜、锌、铁等杂质;
酸洗脱杂获得的偏硅酸用高纯水在60℃下搅拌洗涤2次,烘干脱水后获得纯度99.9992%SiO2产品。
实施例4、工业水玻璃溶液含铝0.032g/L,钛0.18g/L,铁0.38g/L,稀释到4倍,加石灰调浆,然后加入容积为2L的加压釜中,在温度140℃、压力0.9MPa的条件下进行石灰除杂。溶液中的杂质元素钛、铁、铜、锌等与石灰反应,生成难溶沉淀物质,达到去除钛、铁、铜、锌等杂质的目的;
钛除去率99.25%、铁除去率95.87%,石灰除杂后液含SiO279.0g/L,铝0.008g/L,钛0.00020g/L,铁0.0020g/L。
石灰除杂后液在65℃下通入CO2中和溶液终点pH值11后,静置1h过滤,硅沉淀率91.10%,得到的偏硅酸用40g/L盐酸洗液在140℃、压力0.9MPa下进行酸洗脱杂。进一步脱除偏硅酸沉淀中的铝、钠、铜、锌、铁等杂质;
酸洗脱杂获得的偏硅酸用高纯水在65℃下搅拌洗涤3次,烘干脱水后获得纯度99.9991%SiO2产品。
实施例5、工业水玻璃溶液含铝0.032g/L,钛0.18g/L,铁0.38g/L,稀释到5倍,加石灰调浆,然后加入容积为2L的加压釜中,在温度150℃、压力1.0MPa的条件下进行石灰除杂。溶液中的杂质元素钛、铁、铜、锌等与石灰反应,生成难溶沉淀物质,达到去除钛、铁、铜、锌等杂质的目的;
钛除去率99.69%、铁除去率97.63%,石灰除杂后液含SiO268.3g/L,铝0.0048g/L,钛0.00028g/L,铁0.0013g/L。
石灰除杂后液在70℃下通入CO2中和溶液终点pH值11后,静置1h过滤,硅沉淀率91.46%,得到的偏硅酸用45g/L盐酸溶液在150℃、压力1.0MPa下进行酸洗脱杂。进一步脱除偏硅酸沉淀中的铝、钠、铜、锌、铁等杂质;
酸洗脱杂获得的偏硅酸用高纯水在70℃下搅拌洗涤2次,烘干脱水后获得纯度为99.9993%SiO2产品。
实施例6、工业水玻璃溶液含铝0.032g/L,钛0.18g/L,铁0.38g/L,稀释到5倍,加石灰调浆,然后加入容积为2L的加压釜中,在温度155℃、压力1.1MPa的条件下进行石灰除杂。溶液中的杂质元素钛、铁、铜、锌等与石灰反应,生成难溶沉淀物质,达到去除钛、铁、铜、锌等杂质的目的;
钛除去率99.69%、铁除去率97.63%,石灰除杂后液含SiO266.2g/L,铝0.0051g/L,钛0.0002g/L,铁0.0021g/L。
石灰除杂后液在75℃下通入CO2中和溶液终点pH值11后,静置1h过滤,硅沉淀率91.75%,得到的偏硅酸用30g/L盐酸溶液在155℃、压力1.1MPa下进行酸洗脱杂。进一步脱除偏硅酸沉淀中的铝、钠、铜、锌、铁等杂质;
酸洗脱杂获得的偏硅酸用高纯水在75℃下搅拌洗涤3次,烘干脱水后获得纯度99.9994%SiO2产品。
Claims (4)
1.一种高纯二氧化硅生产方法,其步骤是:
(1)将工业水玻璃稀释4~5倍,加入石灰调浆,然后加入加压釜中,控制温度120℃~160℃、压力0.5~1.2MPa进行加压除杂反应,溶液中的杂质元素钛、铁、铜、锌与石灰反应,生成难溶沉淀物质,达到去除钛、铁、铜、锌杂质的目的;
(2)加压除杂反应获得的滤液通入CO2气体在50℃~80℃条件下碳分反应析出偏硅酸沉淀和碳酸钠溶液;
(3)碳分获得的偏硅酸沉淀用20~50g/L的盐酸溶液在加压釜中控制温度120℃~160℃、压力0.5~1.2MPa进行酸洗脱杂,进一步脱除偏硅酸沉淀中的铝、钠、铜、锌、铁杂质;
(4)经酸洗脱杂产出的偏硅酸用高纯水在50℃~80℃下搅拌洗涤2~3次,烘干脱水后得到99.9990%~99.9995%二氧化硅产品。
2.根据权利要求1所述的高纯二氧化硅生产方法,其特征是:所述的除杂反应为石灰加压除杂。
3.根据权利要求1所述的高纯二氧化硅生产方法,其特征是:所述的偏硅酸沉淀反应为CO2气体沉淀偏硅酸。
4.根据权利要求1所述的高纯二氧化硅生产方法,其特征是:所述的酸洗脱杂为加压酸洗脱杂。
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