CN101116180B

CN101116180B - 固定载体、固定载体的制造方法、固定载体的使用方法、以及基板收纳容器

Info

Publication number: CN101116180B
Application number: CN2006800040623A
Authority: CN
Inventors: 小田岛智; 细野则义
Original assignee: Shin Etsu Polymer Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Polymer Co Ltd; Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date: 2005-02-03
Filing date: 2006-01-27
Publication date: 2011-08-17
Anticipated expiration: 2026-01-27
Also published as: EP1858058B1; US20060243620A1; CN101116180A; KR20070091187A; ATE541307T1; KR100929471B1; EP1858058A4; EP1858058A1; WO2006087894A1; TW200631123A; TWI301653B

Abstract

提供一种能够适合于输送容易翘曲、容易破裂的被搭载物品的固定载体、固定载体的制造方法、固定载体的使用方法、以及基板收纳容器。具备：凹陷形成在具有刚性的基材(2)的表面上且被保持半导体晶片(W)的保持层(8)层叠覆盖的划分空间(3)、与该划分空间(3)并列地设置而接触支撑保持层(8)的多个突起(4)、和在基材(2)上穿孔而将被保持层(8)覆盖的划分空间(3)的空气向外部导引的排气通路(6)。由于不是将容易翘曲、容易破裂的半导体晶片(W)直接收纳在基板收纳容器的容器主体中，而是在被固定载体(1)的保持层(8)保持的状态下收纳，所以能够安全且适当地输送到工厂。

Description

固定载体、固定载体的制造方法、固定载体的使用方法、以及基板收纳容器

技术领域

本发明涉及由以半导体晶片及石英玻璃等为代表的基板、印刷配线板、芯片部件、其他难以单独把持的部件构成的被搭载物品用的固定载体、固定载体的制造方法、固定载体的使用方法以及基板收纳容器。

背景技术

近年来，半导体晶片的口径从200mm扩大为300mm，而该300mm类型的半导体晶片在表面上布图形成电路后，鉴于层叠结构的封装要求等，在表面上粘贴背面磨削用的保护带，并且通过背面磨削装置对背面的背面磨削而进行薄化处理，然后供给到切片工序中，将保护带剥离，并且粘贴切片工序用的切片带。

这样被粘贴了切片带的半导体晶片被从工厂输送到其他工厂而被IC芯片化，在搭载在专用的载体上的状态下被实施接合及封固等的加工(参照专利文献1)。

专利文献1：特开昭59-227195号公报

以往的半导体晶片被如以上那样加工，通过背面磨削而变得非常薄而容易翘曲、容易破裂，所以有难以不弄伤而适当地从工厂输送到其他工厂的较大的问题。

作为解决该问题的方法，考虑使用上述的专用的载体的方法，但该载体只是在工厂内的输送中使用的专用品，并不是考虑到恶劣的输送条件等的结构，所以不能在从工厂向工厂的长时间的输送中使用。

此外，在从工厂向工厂的输送时，在半导体晶片上长时间粘贴有切片带的情况下，有可能切片带的粘接剂转印到电路的凸块上而导致不良状况。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而做出的，目的是提供一种能够适当地输送容易翘曲、容易破裂的被搭载物品的固定载体、固定载体的制造方法、固定载体的使用方法、以及基板收纳容器。

在本发明中，为了解决上述课题，在基材上重叠设置有拆装自如地保持被搭载物品的能够变形的保持层，其特征在于，

包括形成在基材上而被保持层覆盖的划分空间、设在该划分空间中而接触并支撑保持层的突起、和设在基材上而将被保持层覆盖的划分空间的气体向外部导引的排气通路。

另外，可以将基材形成为平面大致圆形的板而赋予刚性，使保持层为弹性体。

此外，可以对保持层的变形区域的至少一部分进行非粘接处理。

此外，可以使保持层的变形区域为不与突起接触的保持层的非接触部的表面。

此外，可以使保持层的与突起接触的接触部的表面为非粘接面。

此外，可以使被搭载物品为背面磨削后的半导体晶片。

此外，优选地使突起为0.05mm以上的高度。

此外，可以使突起为多个，在突起与突起之间形成有间隙。

此外，可以包括连接到排气通路上、将划分空间的气体向外部排出而使保持层变形的负压源。

此外，在本发明中，为了解决上述课题，在技术方案1～9中任一项所述的固定载体的制造方法中，其特征在于，使压模的凹凸面接触在热塑性的树脂薄片上而加热加压，在加压状态下冷却，在基材、划分空间、突起、以及排气通路中至少形成突起。

另外，优选地在到从树脂薄片的玻璃转移点上升50℃的温度范围内加热加压，在从玻璃转移点降低20℃以上的温度下冷却。

此外，在本发明中，为了解决上述课题，其特征在于，使用技术方案1～8中任一项所述的固定载体输送被搭载物品。

进而，在本发明中，为了解决上述课题，是收纳技术方案1～9中任一项所述的固定载体的容器，其特征在于，包括收纳固定载体的正面开口的容器主体、和开闭该容器主体的正面的盖体，在容器主体的两侧壁上分别形成有支撑固定载体的齿。

另外，优选的是，齿包括设在容器主体的侧壁上而沿着固定载体的侧部周缘的平板、形成在该平板的前部内侧而支撑固定载体的前部中厚区域、和形成在平板的后部而支撑固定载体的后部中厚区域。

这里，技术方案中的基材及固定载体可以形成为平面大致圆形、大致椭圆形、大致矩形、大致多边形等，既可以收纳在基板用的收纳容器中也可以不收纳在基板用的收纳容器中。此外，在被搭载物品中，至少可包括单个或多个精密基板、液晶玻璃、石英玻璃、光掩模、电路基板、芯片部件、检查用的引线框架、各种纸张、较薄的电子部件等。在该被搭载物品是精密基板的情况下，包括口径200mm、300mm、400mm、450mm的半导体晶片(Si晶片或GaP晶片)。

保护层由具有挠性的各种弹性体或橡胶构成，既可以与突起粘附，也可以不是。该保持层的变形区域的至少一部分被非粘接处理为单个或多个直线、十字形、X字形、螺旋形、栅格形、水珠模样、龟甲形、鳞片形、万字形的连接图案或者将它们组合的图案，或者被非粘接处理以显示公司名、既定的文字或字符等。非粘接处理只要至少在作为被搭载物品的拆卸的引发部左右的大小、范围内进行就可以。

突起可以形成为圆柱形、方柱形、圆锥梯形、方锥梯形等，中空、实心并没有限制。此外，排气通路是单个或者多个都可以。固定载体不仅在从工厂向其他工厂的输送时能够使用，在工厂内输送被搭载物品等的情况下也能够使用。进而，在基板收纳容器中，有FOSB、FOUP、SMALLFOUP类型等，可以是任一种类型。该基板收纳容器的容器主体对于透明、不透明、半透明并没有限制。

根据本发明，只要将被搭载物品搭载在叠合于固定载体的基材上的保持层上并推压，就能够将被搭载物品保持在保持层上。此时，由于被搭载物品密接在保持层上，所以即使例如较薄，弯曲而翘曲的情况也较少。

根据本发明，具有即使在被搭载物品是例如容易翘曲、容易破裂的半导体晶片的情况下也能够一边防止损伤一边适当地移动、搬运、运送、输送的效果。

此外，如果将保持层的变形区域作为不与突起的顶端面接触的保持层的非接触部的表面、对该变形区域的至少一部分进行非粘接处理，就能够在保持层的变形时在保持层的非粘接处理部分与被搭载物品之间迅速地形成气体的流路、作为被搭载物品的拆卸的引发部。

此外，如果使突起为0.05mm以上的高度，则能够使被保持层覆盖的划分空间足够高，并且能够使气体顺利地流通而使保持层变形。

此外，如果使突起为多个并在突起与突起之间形成间隙，则能够以稳定的姿势支撑保持层或被搭载物品，或者使气体流入到突起与突起之间的间隙中而使保持层变形。

此外，如果在到从树脂薄片的玻璃转移点上升50℃的温度范围内加热加压、以从玻璃转移点降低20℃以上的温度冷却，则能够抑制在作为基材的树脂薄片上产生缺陷、或者在树脂薄片的厚度中产生不均匀，由此能够期待良好的成形。

进而，如果由设在容器主体的侧壁上而沿着固定载体的侧部周缘的平板、形成在该平板的前部内侧而支撑固定载体的前部中厚区域、和形成在平板的后部上而支撑固定载体的后部中厚区域形成齿，则能够使前部中厚区域与后部中厚区域以高精度大致水平地支撑固定载体，所以能够防止固定载体在上下方向等倾斜而使出入变得困难。

附图说明

图1是示意地表示有关本发明的固定载体的实施方式的半导体晶片的保持状态的俯视说明图。

图2是示意地表示有关本发明的固定载体的实施方式的半导体晶片的俯视说明图。

图3是示意地表示有关本发明的固定载体的实施方式的俯视说明图。

图4是示意地表示有关本发明的固定载体的实施方式的基材与突起的剖视说明图。

图5是示意地表示有关本发明的固定载体与固定载体的使用方法的实施方式的剖视说明图。

图6是示意地表示有关本发明的固定载体与固定载体的使用方法的实施方式的保持层的变形状态的剖视说明图。

图7是示意地表示有关本发明的基板收纳容器的实施方式的整体立体说明图。

图8是示意地表示有关本发明的基板收纳容器的实施方式的仰视图。

图9是示意地表示有关本发明的基板收纳容器的实施方式的主视说明图。

图10是示意地表示有关本发明的基板收纳容器的实施方式的容器主体的剖视说明图。

图11是示意地表示有关本发明的基板收纳容器的实施方式的收纳有固定载体的容器主体的剖视俯视说明图。

图12是示意地表示有关本发明的基板收纳容器的实施方式的容器主体的剖视俯视说明图。

图13是示意地表示有关本发明的基板收纳容器的实施方式的容器主体的主视说明图。

图14是示意地表示有关本发明的基板收纳容器的实施方式的一对齿的立体说明图。

图15是示意地表示有关本发明的基板收纳容器的实施方式的盖体的锁止机构的主视说明图。

图16是示意地表示有关本发明的固定载体的第2实施方式的半导体晶片的保持状态的俯视说明图。

图17是示意地表示有关本发明的固定载体的第2实施方式的俯视说明图。

图18是示意地表示有关本发明的固定载体的制造方法的实施方式的剖视说明图。

图19是示意地表示有关本发明的固定载体的制造方法的实施方式的将与突起接触的变形状态的保持层的接触部表面做得粗糙而进行非粘接处理的状态的剖视说明图。

图20是示意地表示有关本发明的固定载体、固定载体的制造方法、固定载体的使用方法、以及基板收纳容器的其他实施方式的半导体晶片的俯视说明图。

附图标记说明

1 固定载体

2 基材

3 划分空间

4 突起

5 顶端面

6 排气通路

7 真空装置(负压源)

8 保持层

9 非粘接线

10 树脂薄片

11 压模

12 凹凸面

13 接触部表面

14 磨石辊

20 基板收纳容器

21 容器主体

26 框缘部(开口)

29 齿

30 平板

31 前部中厚区域

32 前部厚壁区域

33 后部中厚区域

34 后部厚壁区域

35 后保持器

38 盖体

39 箱体

42 锁止机构

46 盖板

W 半导体晶片(被搭载物品)

具体实施方式

以下，参照附图说明本发明的优选的实施方式，则本实施方式的固定载体1如图1至图15所示，具备具有刚性的基材2、和覆盖在该基材2上而保持口径300mm(12英寸)类型的半导体晶片W的可弹性变形的保持层8，收纳在半导体晶片W用的基板收纳容器20中。

半导体晶片W如图1及图2所示，基本上由具有750μm左右的厚度的圆硅晶片构成，在周缘部上切口有直线的定位平面O(orientation flat)或缺口N，该定位平面O或缺口N起到结晶方位的判断及定位用的功能。该半导体晶片W在作为布图形成有电路的镜面的表面上粘接有保护带，并且背面被背面磨削装置背面磨削而薄化处理为100μm以下的厚度，然后，由未图示的专用的机器人保持在保持层8上。

固定载体1设其整体的厚度为0.3～2.5mm的范围、优选为0.5～1.5mm的范围、更优选为0.5～1.2mm的范围。这是因为，如果固定载体1的厚度在该范围内，则能够充分确保被背面磨削的较薄的半导体晶片W的加固性，同时在收纳到基板收纳容器20中或从其中取出时充分确保机器人的叉的插入间隔。此外，还能够实现固定载体1的轻量化。

固定载体1的基材2如图4至图6所示，使用既定的材料形成为与半导体晶片W相同的大小、或者稍大的平面圆形的较薄的平板，以便能够可靠地收纳到基板收纳容器20中，在除了表面的周缘部以外的大部分上，以0.05mm以上的深度凹陷形成有被保持层8层叠覆盖的平面圆形的划分空间3，在该划分空间3的底面上，隔开间隔突设有从下方接触支撑保持层8的多个突起4，并且穿孔有连通到划分空间3的排气通路6。

基材2使用例如耐冲击性、耐热性、透明性等良好的柔软的聚碳酸酯、聚丙烯、聚乙烯、丙烯酸树脂、玻璃纤维强化环氧树脂、铝合金、镁合金、不锈钢、玻璃等形成，以便也能够承受伴随着飞机的输送的气压变化等。

多个突起4如图4至图6所示，在突起4与突起4之间形成有空气流通用的间隙，各突起4形成为刚性的圆柱形或圆锥梯形，与基材2的表面周缘部的高度对齐，并且一体化在划分空间3的底面上，发挥经由保持层8间接地支撑半导体晶片W的功能。该突起4形成为0.05mm以上的高度，这是因为，在小于0.05mm的高度的情况下，不能形成足够的划分空间3、或者使空气顺畅地流通，有可能给保持层8的变形带来障碍。

作为突起4的形成方法，并没有特别限定，但可以举出例如将基材2与突起4一体成形的方法、通过丝网印刷形成突起4的方法、在基材2上层叠光敏抗蚀剂材料后经过曝光及显影而形成突起4的方法、通过电铸法将金属以既定形状析出的方法、通过蚀刻将金属制的基材表面侵蚀除去而留下突起4的预定部分的方法、通过喷砂将基材表面除去而留下突起4的预定部分的方法等。

排气通路6如该图所示，由在基材2的厚度方向上穿孔而在俯视中位于多个突起4之间的圆的贯通孔构成，从下方拆装自如地连接有图5所示的真空装置7，起到将划分空间3的空气引导到该真空装置7中(参照图5、图6的箭头)的功能。并且，通过该真空装置7进行吸引动作，保持层8对应于多个突起4的形态而凹凸地变形，在与半导体晶片W之间形成空气流入用的间隙，通过该间隙能够将保持在保持层8上的半导体晶片W卸下。

真空装置7例如由各种真空泵构成，内置在将半导体晶片W薄化处理的背面磨削装置(未图示)、或者搭载基板收纳容器20而开口的开启器(未图示)中。

保持层8如图3、图4至图6所示，使用例如弹性、可弯曲性、柔性、耐热性、粘接性、密接性等良好的氨酯类、氟类、硅类的较薄的弹性体形成为与半导体晶片W相同大小、或者稍大的平面圆形的薄膜，并且根据需要而添加有加固性填料或疏水性硅石等，分别粘接在基材2的表面的周缘部和各突起4的平坦的顶端面5上，起到拆装自如地密接保持半导体晶片W的表面或背面的功能。

保持层8的制造方法没有特别限定，但可以举出例如通过压轧法、挤压法、涂层法、或者印刷法等成形层而将该层粘接到基材2的表面侧的方法等。

对于保持层8的即使在半导体晶片W的卸下时变形也与半导体晶片W接触的部分、换言之、粘接在突起4上的部分的表面，有选择地实施使半导体晶片W的卸下变得容易的加工。具体而言，通过非粘接层的涂层及UV处理等，有选择地实施使保持层8的密接保持力比保持层8的非粘接部低的加工。

基板收纳容器20如图7至图15所示，具备能够收纳多片固定载体1的容器主体21、配设在该容器主体21的两侧壁上而支撑固定载体1的多对齿29、安装在容器主体21的背面壁上而经由保持槽37保持固定载体1的后部周缘的后保持器35、和拆装自如地开闭容器主体21的开口的正面的盖体38而构成。

容器主体21如图7、图8、图10所示，使用由例如聚碳酸酯等构成的既定的树脂而成形为正面开口的前开口盒，起到将多片(例如25或26片)固定载体1沿上下方向排列而整齐收纳的功能。在该容器主体21的底面上，拆装自如地安装有平面大致Y字形的底板22，在该底板22的前部两侧与后部中央，配设有多个定位件23，各定位件23被搭载基板收纳容器20的背面磨削装置或开启器的定位销高精度地定位。

在底板22的后部有选择地嵌入有拆装自如的识别体24，通过用加工装置的传感器检测该识别体24，能够掌握基板收纳容器20的种类及半导体晶片W的片数等。此外，各定位件23形成为截面大致M字形、大致V字形、大致倒Y字形、或者凹陷的椭圆形等。

在容器主体21的顶壁中央部上，如图7所示，一体或拆装自如地安装有平面矩形的机械式法兰盘25，通过用称作OHT(高架提升传输设备)的未图示的自动输送机构保持该机械式法兰盘25，来输送基板收纳容器20。

通过将容器主体21的开口的正面的周缘部弯曲而向外方向伸出而形成的框缘部26，在该框缘部26的上下分别凹陷形成有多个盖体锁止用的卡止孔27。此外，在容器主体21的两侧壁外表面上，分别有选择地安装有厚壁的圆板形、大致L字形、或者倒U字形的输送手柄28，通过由作业员把持该输送手柄28，来输送基板收纳容器20。

多对齿29如图10～图14所示，具备多个从容器主体21的两侧壁内表面向内方向突出而相互对置、水平地支撑固定载体1的基材2的左右一对的齿29，将该一对的齿29沿上下方向以既定的间距排列。

各齿29如图11、图12、图14等所示，具备形成为平面大致く字形或大致半圆弧形而沿着固定载体1的侧部周缘的平板30、一体形成在该平板30的前部内侧上的平坦的前部中厚区域31、一体形成在平板30的前部外侧上而位于前部中厚区域31的外侧、换言之位于容器主体21的侧壁侧的平坦的前部厚壁区域32、一体形成在平板30的后部上的后部中厚区域33、和形成在平板30的后部、位于后部中厚区域33的前方且以较小的面积位于容器主体21的侧壁附近的平坦的后部厚壁区域34而形成。

在前部中厚区域31与前部厚壁区域32之间，稍稍形成有与固定载体1的侧部周缘接触的垂直的阶差。此外，前部厚壁区域32形成为对应于固定载体1的厚度的高度、具体而言是0.3～2.5mm左右的高度，在盖体38的卸下时作为挡块限制固定载体1从容器主体21飞出。

在前部中厚区域31与后部中厚区域33之间，形成有稍稍凹陷的薄壁区域，该薄壁区域经由较小的间隙与固定载体1的侧部周缘对置。这样的结构的齿29将基材背面的侧部周缘在维持高精度的同时水平地支撑在平坦的前部中厚区域31与后部中厚区域33上。

后保持器35如图10及图13所示，具备安装在容器主体21的背面壁内面上的纵长的支撑板36，在该支撑板36上，沿上下方向排列形成有多个截面大致V字形的保持槽37，将固定载体1的后部周缘水平地保持在各保持槽37中。

支撑板36从保持槽37分别与固定载体1嵌合接触的观点出发，使用比齿29柔软性、滑动性、弹性好的材料成形。具体而言，使用聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚醚醚酮、聚醚砜、含氟树脂等作为材料。

盖体38如图7、图9、图15所示，具备拆装自如地嵌合在容器主体21的框缘部26内的截面大致盘形的箱体39、分别设置在该箱体39的开口的表面的两侧部上的左右一对的锁止机构42、和拆装自如地安装在箱体30的开口的表面上而覆盖锁止机构42的盖板46，被推压嵌合到容器主体21的框缘部26内，封闭为密封状态。

箱体39形成为四角部被倒角的横长的正面大致矩形，在周壁上，拆装自如地嵌合有夹在容器主体21与盖体38之间的密封垫圈40。该密封垫片40使用例如氟橡胶或硅橡胶等成形为环状，在盖体38的嵌合时压接在框缘部26的内周面上而变形，抑制防止含有尘埃的空气从容器主体21的外部流入到内部中。此外，在箱体39的背面中央部安装有弹性的前保持器41，该前保持器41经由夹持槽水平地夹持收纳在容器主体21中的固定载体1的前部周缘。

各锁止机构42如图15所示，轴支撑在箱体39的表面侧部上，具备通过未图示的盖体开闭装置的钥匙的从外部的操作而旋转操作的旋转卷轴43、可滑动地支撑在箱体39上并连结在旋转卷轴43上且基于旋转卷轴43的旋转而沿盖体38的内外上下方向直线地滑动的多个进退移动棒44、和设在各进退移动棒44的前端部上且从箱体39的周壁的开口出没而嵌合卡止在框缘部26的卡止孔27中的卡止爪45，将封闭了容器主体21的框缘部26的盖体38锁止。

盖板46形成为对应于箱体39的开口的表面的形状，对置于旋转卷轴43的表面中心部的锁止机构42用的贯通操作孔47被穿孔为正面矩形，盖体开闭装置的钥匙贯通到该左右一对的贯通操作孔47中。

在上述实施方式中，在将背面磨削后的半导体晶片W从工厂向其他工厂输送的情况下，首先，通过机器人将背面磨削后的半导体晶片W推压而密接保持在固定载体1的保持层8上，将该固定载体1经由机器人收纳到基板收纳容器20的容器主体21中，将盖体38嵌合到容器主体21的正面上，然后，使锁止机构42动作而将盖体38锁止，就能够将背面磨削后的半导体晶片W从工厂向其他工厂输送。

在上述收纳时，半导体晶片W由于被无间隙地密接搭载在固定载体1上，所以即使较薄也不会向下方弯曲而翘曲，能够安全且可靠地收纳在基板收纳容器20的容器主体21中。

接着，在想要将输送后的半导体晶片W取出而实施切片、接合、或者封固的加工的情况下，首先使盖体38的锁止机构42解锁动作而将盖体38从容器主体21卸下，经由机器人将固定载体1从容器主体21取出后，将真空装置7连接到固定载体1的排气通路6上而进行吸引动作，就能够通过机器人将半导体晶片W从固定载体1的变形的保持层8简单地吸附并卸下。

根据上述结构，由于不是将较薄而容器翘曲、容易破裂的半导体晶片W直接收纳在容器主体21中，而是密接保持在具有刚性的固定载体1上而间接收纳，所以能够以简单的结构、安全且适当地输送到其他工厂。特别是，由于固定载体1强度及刚性良好，即使是气压变化等的恶劣的输送条件也能够充分地承受，所以即使例如从工厂向工厂的输送需要较长时间，也能够安全地输送半导体晶片W。

此外，由于还能够缩短或省略切片带的密接时间，所以切片带的粘接剂转印到半导体晶片W的电路的凸块上的可能性实际上很小。此外，由于将固定载体1的背面的侧部周缘在维持高精度的同时水平地支撑在齿29的前部中厚区域31和后部中厚区域33上，所以能够防止固定载体1沿上下方向倾斜而使通过机器人的叉进行的出入变得困难。

进而，由于固定载体1及其基材2与半导体晶片W为大致相同尺寸且较薄，所以能够不特别变更以没有被背面磨削的半导体晶片W的收纳为前提的已有的基板收纳容器20的尺寸及形状等而自动地收纳或取出。

接着，图16、图17是表示本发明的第2实施方式的图，在此情况下，在保持层8的变形区域的一部分上形成多个非粘接线9，来实现半导体晶片W的拆装的容易化。

多个非粘接线9通过对保持层8的变形区域、换言之对不与各突起4的顶端面5接触的保持层8的非接触部(凹陷的部分)的表面部分地实施非粘接处理而布图形成为通过保持层8的中心的平面十字形，各端部延伸到保持层8的周缘部，起到作为半导体晶片W的拆卸的引发部的功能。作为对该保持层8的非粘接处理，可以举出例如UV处理、粗糙面化处理、非粘接橡胶的层叠、具有非粘接性的粘接剂的涂层等。

在上述实施方式中，在制造固定载体1的情况下，通过例如热塑性的树脂薄片10的成形，一体成形基材2、多个突起4以及排气通路6，将薄膜的保持层8粘接到基材2的表面的至少周缘部和各突起4的平坦的顶端面5上，能够制造固定载体1。

在该制造作业时，在保持层8的变形区域的一部分上事先形成有多个非粘接线9。关于其他部分，由于与上述实施方式同样，所以省略说明。

在本实施方式中也能够期待与上述实施方式同样的作用效果，并且，由于在保持层8的变形区域的一部分上形成有不密接在半导体晶片W上的非粘接线9，所以可知不论保持层8的粘接强度如何，都能够在变形的保持层8的非粘接线9与半导体晶片W之间迅速且可靠地形成空气的流通路径而直接导入空气、成为半导体晶片W的拆卸的引发部。

因而，与在保持层8的变形区域中没有形成非粘接线9、密接的半导体晶片W的拆卸要花费时间的情况相比，能够较高地期待半导体晶片W的迅速的拆卸。

接着，图18、图19是表示第3实施方式的图，在此情况下，使压模11的凹凸面12接触在热塑性的树脂薄片10上而加热加压，在加压状态下冷却，一体形成带有划分空间3的基材2、多个突起4以及排气通路6。

基材2通过使用热塑性的树脂薄片10的压模11成形为具有刚性的薄板、做成与半导体晶片W相同大小或者稍稍扩径的圆板，以使其能够可靠地收纳在基板收纳容器20中。作为该基材2的材料的树脂薄片10并没有特别限定，但可以使用例如由耐热性、耐冲击性、透明性良好的柔软的聚碳酸酯、聚丙烯、聚乙烯、丙烯酸树脂、氯乙烯等构成的薄片。

关于保护层8，基本上与上述实施方式相同，但保持层8的与各突起4的顶端面5接触的接触部表面13由磨石辊14等有选择地物理上较粗地形成而成为非粘接面。在此情况下，由JIS B0601-2001规定的表面的算术平均粗糙度Ra为1.6a以上、优选为1.6～12.5a的范围。

接触部表面13的算术平均粗糙度Ra为1.6a以上、优选为1.6～12.5a的范围是因为，如果是该范围的粗糙面化，则不会导致保持层8的劣化，能够非粘接化，并且能够实现半导体晶片W的拆卸的容易化。

在上述实施方式中，在制造固定载体1的情况下，首先通过将压模11的凹凸面12压接在准备的树脂薄片10上而加热加压、将树脂薄膜10在加压状态下冷却而一体形成基材2、划分空间3、多个突起4以及排气通路6，然后将基材2的不需要部分除去。

在作为模具发挥功能的压模11上，预先形成有一次成形基材2、划分空间3、多个突起4以及排气通路6的凹凸面12、换言之是腔体面。

在成形作业时，优选地在树脂薄片10的玻璃转移点Tg～Tg+50℃的范围内加热加压、在玻璃转移点Tg～Tg-20℃以下的温度下冷却。这是因为，如果不在该范围内进行加热加压或冷却，则树脂薄片10的树脂完全熔融而小于空气压，会卷入空气而在基材2及突起4上发生缺陷、或在基材2及突起4的厚度上产生不均匀。

接着，将薄膜的保持层8粘接在基材2的表面的至少周缘部上而覆盖多个突起4的顶端面5，在这些多个突起4与保持层8之间形成空间。在这样在多个突起4与保持层8之间形成空间后，将真空装置7连接在基材2的排气通路6上而使其动作，使保持层8对应于多个突起4而凹凸地变形后，将与各突起4的顶端面5接触的变形状态的保持层8的接触部表面13通过磨石辊14等粗糙化而进行非粘接处理，就能够制造固定载体1。关于其他部分，由于与上述实施方式同样，所以省略说明。

在本实施方式中，也能够期待与上述实施方式同样的作用效果，并且，由于不是通过喷砂法等花费时间而在基材2的表面上形成多个突起4，而是将基材2与多个突起4一体成形，所以可知能够实现生产性及量产性的显著提高，并且能够使多个突起4的高度高精度地一致。

此外，在通过涂层或UV处理将与多个突起4接触的保持层8的接触部表面13做成非粘接面的情况下，对应于突起数(例如，在口径300mm的半导体晶片W的情况下，突起数为约7万个)而使掩模的制造成本提高，并且掩模的定位很困难，但根据本实施方式，由于将保持层8的接触部表面13粗糙化而做成非粘接面，所以可知能够降低掩模的制造成本或者省略掩模的定位作业，能够对应所有的突起4的形态。

此外，在对背面磨削后的半导体晶片W使用固定载体1的情况下，对固定载体1的保持层8要求高精度的平面性，但因为保持层自身及粘接剂的厚度不均匀而很难维持高精度的平面性。为了确保该平面性，只要使保持层8变薄就可以，但如果这样，会新产生保持层8的耐久性显著降低、或将保持层8粘接到基材2的周缘部上时的作业性及加工性大幅恶化的问题。

相对于此，根据本实施方式，由于能够使用高精度的磨石辊14等将保持层8的接触部表面13高精度地加工，所以能够在维持耐久性的同时简单地对保持层8赋予高精度的平面性。

另外，在上述实施方式中，在半导体晶片W的周缘部上切口有定位平面O，但也可以如图20所示，在半导体晶片W的周缘部上切口出发挥与定位平面O同样的功能的大致半圆形的缺口N。此外，基材2与保持层8既可以是相同直径的大小也可以不是。保持层8既可以是微粘接性也可以不是微粘接性。

此外，上述实施方式的基材2、划分空间3、多个突起4以及排气通路6也可以一体形成，但并没有特别限定。例如，也可以通过在基材2上层叠光敏抗蚀剂层并进行蚀刻而形成基材2的周缘部和多个突起4。此外，也可以在将基材2与多个突起4一体化后用钻等穿孔出排气通路6。

此外，也可以在保持层8的变形区域的大部分上设置多个非粘接线9。多个非粘接线9既可以是相同的长度或宽度也可以不是，此外，有无断续或连续也没有特别限制。进而，也可以对应于密接保持的被搭载物品的大小而设计变更非粘接线9的形状、长度、宽度等。进而，也可以使齿29的前部厚壁区域32的高度为固定载体1的厚度加上半导体晶片W的厚度后的高度。

Claims

1.一种固定载体，在基材上重叠设置有拆装自如地保持被搭载物品的能够变形的保持层，

2.如权利要求1所述的固定载体，将基材形成为平面圆形的板而赋予刚性，使保持层为弹性体。

3.如权利要求1所述的固定载体，对保持层的变形区域的至少一部分进行非粘接处理。

4.如权利要求3所述的固定载体，使保持层的变形区域为不与突起接触的保持层的非接触部的表面。

5.如权利要求1所述的固定载体，使保持层的与突起接触的接触部的表面为非粘接面。

6.如权利要求1所述的固定载体，使被搭载物品为背面磨削后的半导体晶片。

7.如权利要求1所述的固定载体，使突起为0.05mm以上的高度。

8.如权利要求1所述的固定载体，使突起为多个，在突起与突起之间形成有间隙。

9.如权利要求1所述的固定载体，包括连接到排气通路上、将划分空间的气体向外部排出而使保持层变形的负压源。

10.一种固定载体的制造方法，是权利要求1～9中任一项所述的固定载体的制造方法，使压模的凹凸面接触在热塑性的树脂薄片上而加热加压，在加压状态下冷却，在基材、划分空间、突起、以及排气通路中至少形成突起。

11.如权利要求10所述的固定载体的制造方法，在从树脂薄片的玻璃转移点到上升50℃的温度范围内加热加压，在从玻璃转移点降低20℃以上的温度下冷却。

12.一种固定载体的使用方法，其特征在于，使用权利要求1～8中任一项所述的固定载体输送被搭载物品。

13.一种基板收纳容器，是收纳权利要求1～9中任一项所述的固定载体的基板收纳容器，包括收纳固定载体的正面开口的容器主体和开闭该容器主体的正面的盖体，在容器主体的两侧壁上分别形成有支撑固定载体的齿。

14.如权利要求13所述的基板收纳容器，齿包括设在容器主体的侧壁上而沿着固定载体的侧部周缘的平板、形成在该平板的前部内侧而支撑固定载体的前部中厚区域、和形成在平板的后部而支撑固定载体的后部中厚区域。