CN101103467A - 具有反射接合焊盘的发光器件及制造具有反射接合焊盘的发光器件的方法 - Google Patents

具有反射接合焊盘的发光器件及制造具有反射接合焊盘的发光器件的方法 Download PDF

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Abstract

发光器件包括半导体材料的有源区(14)和在有源区上的第一接触(18)。配置第一接触(18)以便由有源区(14)发射的光子通过第一接触。吸收光子的线接合焊盘(22)提供在第一接触上。线接合焊盘(22)具有小于第一接触的面积的面积。反射结构(30)设置在第一接触(18)和线接合焊盘(22)之间以便反射结构(30)具有与线接合焊盘基本上相同的面积。相对于有源区从第一接触提供第二接触(20)。反射结构(30)可仅设置在第一接触和线接合焊盘之间。还提供了制造这种器件的方法。

Description

具有反射接合焊盘的发光器件及制造具有反射接合焊盘的发光器件的方法
技术领域
本发明涉及半导体发光器件以及制造发光器件的方法。
背景技术
半导体发光器件，例如发光二极管(LED)或激光二极管，在很多应用中被广泛使用。正如本领域技术人员熟知的，半导体发光器件包括具有被配置用于在其通电时发射相干和/或非相干光的一个或多个半导体层的半导体发光元件。如本领域技术人员所熟知的，发光二极管或激光二极管，总体上包括在微电子衬底上的二极管区域。微电子衬底可以是，例如，砷化镓，磷化镓，其合金，碳化硅和/或蓝宝石。LED的继续发展已经带来能覆盖可见光谱或更远的高效率和机械稳固的光源。这些特征，与固态器件的潜在的长使用寿命相耦合，可实现多种新显示应用，并可将LED置于与牢固确立的白炽灯和荧光灯竞争的位置上。
许多发展兴趣和商业活动近期集中在制造在碳化硅中或上面的LED，因为这些LED能发射在可见光谱的蓝色/绿色部分中的辐射。参见，例如，Edmond等人的题目为“Blue Light-Bmitting Diode WithHigh External Quantum Efficiency”的美国专利5,416,342，其被赋予本申请的受让人，在此并入其公开的全部内容作为参考。对LED还有很多关注，包括在碳化硅衬底上的氮化镓基二极管区域，因为这些器件还可发射具有高效率的光。参见，例如，Linthicum等人的题目为“Pendeoepitaxial Gallium Nitride Semiconductor Layers OnSilicon Carbide Substrates”的美国专利6,177,688，在此并入其公开的全部内容作为参考。
传统LED的效率会因它们不能发射由它们的有源区产生的所有光而受到限制。当LED被通电时，从它的有源区发出的光(在所有方向上)可能由于例如光吸收线接合焊盘而被阻止脱离该LED。典型地，在氮化镓基LED中，提供电流扩展接触层以改善跨越发光器件的截面的载流子注入的均匀性。电流通过接合焊盘和p型接触注入到LED的p侧。p型接触层提供基本上均匀的载流子注入到有源区中。这样，跨越有源区的基本均匀的光子发射可由电流扩展层的使用获得，例如基本上透明的p型接触层。然而，线接合焊盘一般不是透明结构，且因此入射到线接合焊盘上的从LED的有源区发射的光子可被线接合焊盘吸收。例如，在一些情况下，入射到线接合焊盘上的大约70％的光可被吸收。这样的光子吸收可减少从LED逃逸的光的量并会降低LED的效率。
发明内容
本发明的一些实施例提供发光器件和/或制造包括半导体材料的有源区和在有源区上的第一接触的发光器件的方法。配置第一接触以便由有源区发射的光子穿过第一接触。在第一接触上提供吸收光子的线接合焊盘。该线接合焊盘具有小于第一接触的面积的面积。反射结构设置在第一接触和线接合焊盘之间以便该反射结构具有比第一接触小的面积。从第一接触与有源区相对地提供第二接触。
在一些实施例中，反射结构具有与线接合焊盘基本相同的面积。例如，反射结构可全同于线接合焊盘。在一些实施例中，反射结构没有延伸超过线接合焊盘。
在本发明的一些实施例中，p型半导体材料设置在第一接触和有源区之间。在本发明的其它实施例中，n型半导体材料设置在第一接触和有源区之间。有源区可以是III族氮化物基有源区。
在本发明的特定实施例中，反射结构包括反射金属层。反射结构可与线接合焊盘自对准。在本发明的一些实施例中，反射结构包括第一接触的粗糙化区域并且线接合焊盘直接在第一接触上。粗糙化区域可与线接合焊盘自对准。
在本发明的另外的实施例中，反射结构包括第一接触的粗糙化区域和在第一接触的粗糙化区域上的反射金属层。
附图说明
图1是示出根据本发明的一些实施例的具有反射接合焊盘结构的半导体发光器件的截面图。
图2A和2B是示出根据本发明的一些实施例的半导体器件的制造的截面图。
图3是根据本发明的另外的实施例的发光器件的截面图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述本发明，其中示出了本发明的实施例。然而，本发明不应该理解为局限于这里所列出的实施例。更确切地说，提供这些实施例以便本公开将是全面的和完整的，并且将向本领域技术人员全面传达本发明的范围。在附图中，为了清楚起见放大了层和区域的厚度。类似的数字始终代表类似的元件。如在这里使用的，术语“和/或”包括相关列举的项的一个或多个的任何和所有组合。
这里使用的术语只是描述具体实施例的目的，并不意味着限制本发明。如这里使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”还意味着包括复数形式，除非上下文另外清楚地说明了。还将理解的是，当用在该说明书中时，术语“包括”和/或“包含”规定存在所述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件，但是不排除存在或者增加一个或者多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件、和/或其组合。
将理解的是，当称元件，例如层、区域或者衬底在另一个元件“上面”或者延伸到其“上面”时，它可以直接在另一个元件上面或者直接延伸到另一个元件上面或者还可以存在插入元件。相比之下，当称元件“直接”在另一个元件“之上”或者“直接”延伸到另一个元件“之上”时，则不存在插入元件。还将理解的是，当称元件“连接”或者“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或者耦接到另一元件或者可以存在插入元件。相比之下，当称元件“直接连接”或者“直接耦接”到另一元件时，则不存在插入元件。在整个说明书中类似的数字表示类似的元件。
将理解的是，尽管这里可以使用术语第一、第二等等描述多个元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应当受到这些术语的限制。仅仅使用这些术语来区分一个元件、部件、区域、层或者部分和另一个区域、层或者部分。因此，在不脱离本发明的教导的情况下，可以将下面所述的第一元件、部件、区域、层或者部分称做第二元件、部件、区域、层或者部分。
而且，相对术语，例如这里可以使用“下”或者“底部”和“上”或者“顶部”描述图中所示的一个元件和另一元件的关系。将理解的是，相对术语意味着除了图中所描述的方向之外还包括器件的不同方向。例如，如果图中的器件翻转，那么描述为在其它元件的“下”侧上的元件将定向为其它元件的“上”侧上。因此，根据图的具体方向，示例性术语“下”可以包括“下”和“上”的方向。类似地，如果其中一个图中的器件翻转，描述为在其它元件“下面”或者“下方”的元件将定向为在其它元件的“上面”。因此，示例性术语“下面”或者“下方”可以包括上面和下面的方向。
这里参考截面图描述本发明的实施例，这些截面图是本发明的理想实施例的示意性表示。因而，例如，预期会出现因制造技术和/或容差导致的图示的形状的变化。因此，本发明的实施例不应当解释为局限于这里所示的区域的具体形状，而是包括由例如制造导致的形状的偏离。例如，被示为矩形的刻蚀区将通常具有锥形的、圆形的或者曲线的特征。因此，图中所示的区域实际上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出器件的区域的精确形状，也不旨在限制本发明的范围。
除非另外限定，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)与本发明所述领域的普通技术人员通常所理解的具有相同的意义。还将理解的是，例如通常在字典中限定的那些术语应当解释为具有和它们在相关领域的上下文中的意义一致的意义，并且将不以理想化的或者太正式的意义来解释，除非这里明确如此限定。
本领域技术人员还将理解的是，对和另一特征“相邻”设置的结构或特征的引用可以具有与该相邻特征重叠或者位于该相邻特征下面的部分。
尽管在这里公开的LED的多种实施例包括衬底，但是本领域技术人员将理解，其上生长包括LED的外延层的结晶外延生长衬底可被去除，且独立的外延层可安装在替换的支撑衬底或基座上，其可具有比原始衬底更好的热、电、结构和/或光特性。在这里描述的本发明不局限于具有结晶外延生长衬底的结构且可以结合其中外延层从它们的原始生长衬底被去除并被接合到替换的支撑衬底的结构一起使用。
本发明的一些实施例通过降低和/或阻止线接合焊盘的光子吸收可提供改善的发光器件的效率。由此，本发明的一些实施例可提供发光器件和制造具有在线接合焊盘和发光器件的欧姆接触之间的反射结构的发光器件的方法。通过反射在线接合焊盘区域中入射的光子，由线接合焊盘吸收的光子数量可减少。在本发明的一些实施例中，发光器件效率的增加可与线接合焊盘的大小成比例。
本发明的实施例可以尤其适合在氮化物基发光器件中使用，例如III族氮化物基器件。如这里使用的，术语“III族氮化物”指的是在氮和周期表中的III族元素，通常为铝(Al)、镓(Ga)和/或铟(In)之间形成的那些半导体化合物。该术语还指的是三元和四元化合物，例如AlGaN和AlInGaN。如本领域技术人员所理解的，III族元素可以和氮结合形成二元的(例如GaN)、三元的(例如AlGaN、AlInN)和四元的(例如AlInGaN)化合物。这些化合物都具有经验式，其中一摩尔的氮和全部一摩尔的III族元素结合。因此，通常使用分子式例如AlxGa1-xN描述它们，其中0≤x≤1。然而，尽管这里本发明的实施例参考III族氮化物基发光器件来描述，例如氮化镓基发光器件，但是本发明的特定实施例可适合用在其它半导体发光器件中，例如GaAs和/或GaP基器件。
根据本发明的一些实施例的发光器件可包括发光二极管，激光二极管和/或其它半导体器件，其包括一个或多个半导体层，其可包括硅，碳化硅，氮化镓和/或其它半导体材料、衬底，其可包括蓝宝石，硅，碳化硅和/或其它微电子衬底、和一个或多个接触层，其可包括金属和/或其它导电层。在一些实施例中，可提供紫外线，蓝色和/或绿色LED。半导体发光器件的设计和制造对本领域技术人员来说是熟知的且不需要在这里详细描述。
例如，根据本发明的一些实施例的发光器件可包括制造在碳化硅衬底上的例如氮化镓基LED的结构和/或激光器结构，例如由NorthCarolina，Durham的Cree，Inc.制造和出售的那些器件。本发明可以适合与提供有源区的LED和/或激光器结构一起使用，例如在美国专利Nos.6,201,262；6,187,606；6,120,600；5,912,477；5,739,554；5,631,190；5,604,135；5,523,589；5,416,342；5,393,993；5,338,944；5,210,051；5,027,168；5,027,168；4,966,862和/或4,918,497中所描述的，在此并入其公开的全部内容作为参考。其它适合的LED和/或激光器结构在下述中被描述：在2003年1月9日公开的题目为“Group III Nitride Based Light Emitting DiodeStructures With a Quantum Well and Superlattice，Group IIINitride Based Quantum Well Structures and Group III NitrideBased Superlattice Structures”的公开的美国专利公布号No.US2003/0006418A1，与其同时提交的题目为“GROUP III NITRIDE BASEDQUANTUM WELL LIGHT EMITTING DEVICE STRUCTURES WITH AN INDIUMCONTAINING CAPPING STRUCTURE”的美国专利申请序列号No._____(代理人案号No.5308-204IP)，以及题目为“Light Emitting DiodesIncluding Modifications for Light Extraction andManufacturing Methods Therefor”的公开的美国专利公布号No.US2002/0123164A1。而且，涂有磷的LED也可适用于本发明的实施例，例如在2003年9月9日提交的题目为“Phosphor-Coated LightEmitting Diodes Including Tapered Sidewalls and FabricationMethods Therefor”的美国申请序列号No.10/659,241中所描述的那些，在此并入其公开的全部内容作为参考。这些LED和/或激光器可被配置用于操作使得光发射通过衬底发生。在这样的实施例中，可构图衬底以便增强器件的光输出，这例如在上面引用的美国专利公布号No.US2002/0123164A1中被描述。这些结构可按照这里所描述的被修改以提供根据本发明的一些实施例的反射结构。
这样，例如，本发明的实施例可与具有不同形状或大小的接合焊盘的发光器件一起使用。发光器件可在不同的衬底上，例如碳化硅，蓝宝石，氮化镓，硅或其它适合用于提供III族氮化物器件的衬底。发光器件可适于随后的单数并安装在合适的载体上。发光器件可包括，例如单量子阱，多量子阱和/或体有源区器件。本发明的一些实施例可与利用在器件的p侧上的隧穿接触的器件一起使用。
图1是根据本发明的一些实施例的发光器件的截面示意图。正如在图1中所看到的，衬底10，例如n型碳化硅衬底，具有设置在其上的可选的n型半导体层12，例如氮化镓基层。n型半导体层12可包括多层，例如缓冲层等。在本发明的一些实施例中，n型半导体层12被提供作为掺杂硅的AlGaN层，其可以是均匀的或梯度组分，以及掺杂硅的GaN层。
尽管这里参考碳化硅衬底描述，但是在本发明的一些实施例中其它衬底材料可被使用。例如，蓝宝石衬底，GaN或其它材料可被使用。在这种情况下，接触20可位于例如接触n型半导体层12的凹进中，以便提供器件的第二接触。还可使用其它设置。
有源区14，例如单或双异质结构，量子阱，多量子阱或其它这样的有源区可提供在n型半导体层上。正如这里所使用的，术语“有源区”是指发光器件的半导体材料的区域，其可以是一个或多个层和/或其部分，其中当工作时由器件发射的光子的相当大的部分通过载流子复合产生。在本发明的一些实施例中，有源区指的是其中由器件发射的基本上所有的光子通过载流子复合产生的区域。
在图1中还示出了可选的p型半导体层16。该p型半导体材料层16可以例如是氮化镓基层，例如GaN层。在本发明的特定实施例中，p型半导体层16包括掺杂镁的GaN。p型半导体层16可包括一个或多个层并可以是均匀的或梯度组分。在本发明的一些实施例中，p型半导体层16是有源区14的一部分。
还设置了提供与p型半导体材料层16欧姆接触的接触金属的第一接触金属层18。在一些实施例中，第一接触金属层18可起到电流扩展层的作用。在本发明的特定实施例中，其中p型半导体材料层16是GaN，第一接触金属层18可以是Pt。在本发明的特定实施例中，第一接触金属层18是光可透过的并且在一些实施例中基本上是透明的以便由有源区14发射的光子可通过第一接触金属层18。在一些实施例中，第一接触金属层18可以是相对薄的Pt层。例如，第一接触金属层18可以是大约54厚的Pt层。线接合焊盘22或其它光吸收区域提供在第一接触金属层18上。在本发明的一些实施例中，第一接触金属层18被提供作为非常薄的具有小于大约10的厚度的层，如在与其同时提交的题目为“ULTRA-THIN OHMIC CONTACTS FOR P-TYPE NITRIDE LIGHTEMITTING DEVICES”的美国临时专利申请序列号No.______(代理人案号No.5308-463PR)中所描述的，在此并入其公开的全部内容作为参考。
还设置了提供与n型半导体材料欧姆接触的接触金属的第二接触金属层20。第二接触金属层20可提供在与有源区14相对的衬底10的一侧上。第二接触金属层20还可提供在衬底10的与有源区14相同的侧上。正如上面所讨论的，在本发明的一些实施例中，第二接触金属层20可提供在n型半导体材料层12的一部分上，例如，在凹进中或在包括有源区的台面的基底处。而且，在本发明的一些实施例中，可选的背侧注入或附加外延层可提供在衬底10和第二接触金属层20之间。
如图1进一步示出的，反射结构通过设置在线接合焊盘22和第一金属接触层18之间的反射金属层30来提供。反射金属层30具有与第一接触金属层18上的线接合焊盘22的面积基本上相同的形状和/或面积。在本发明的一些实施例中，反射金属层30具有比线接合焊盘22稍大的面积，然而在本发明的其它实施例中，反射金属层30还可具有比线接合焊盘22稍小的面积。这样的变化可以例如是制造容差的结果或由制造次序、对准容差等导致的变化。在特定实施例中，反射金属层30还可具有与线接合焊盘22完全相同的面积。反射金属层30可以是银(Ag)，铝(Al)或其它反射导电金属的层。
通过在吸收光子的线接合焊盘和有源区间提供反射结构，由线接合焊盘吸收的光子的量可降低。而且，借助与线接合焊盘面积基本上相同的反射结构，还可提供穿过p接触金属层的光子发射。从而，可增加从器件的所有光提取。
图2A和2B示出根据本发明的一些实施例用来形成具有图1所示的反射结构的发光器件的操作。如图2A所示，制造发光器件的各个层/区域。发光器件的制造中的具体操作将取决于被制造的结构，并在这里被并入作为参考的美国专利和/或申请中被描述和/或是本领域技术人员所熟知的，且因此不需要在此重复。图2A还示出具有窗口42的掩模40的形成，其暴露相应于将形成线接合焊盘22的区域的第一接触层18的一部分。
利用掩模40沉积反射层30以与线接合焊盘22的区域基本上对准，如图2B所示。沉积反射导电金属的技术是本领域技术人员熟知的并且不需要在这里进一步描述。在反射层30形成后，线接合焊盘22可形成在窗口42中。这样，在本发明的一些实施例中，线接合焊盘22和反射层30可自对准。线接合焊盘22可例如通过下述形成：形成一层或多层金属，由其形成线接合焊盘22，然后平面化这些层以提供线接合焊盘22。掩模40接下来可被去除。可选择地，掩模40可由绝缘材料构成，例如SiO2和/或AlN，并可保留在器件上作为例如钝化层或者被去除。可替换地，反射金属和/或接合焊盘金属的层可以被毯式沉积，然后被蚀刻以提供反射层30和线接合焊盘22。
图3示出根据本发明的另外的实施例的发光器件。在图3中，第一接触金属层18包括在线接合焊盘22的区域外的第一部分55和在线接合焊盘22的区域内的第二部分57。第二部分57包括粗糙化区域50，其中第一接触金属层18的表面提供比由第一接触金属层18的第一部分55的表面提供的更大的入射到表面上的光子的内反射。例如，粗糙化区域50可包括有角度的表面，光子从其被反射而不是通过。粗糙化区域50可具有与在第一接触金属层18上的线接合焊盘22的面积相同的形状和/或面积。在本发明的一些实施例中，粗糙化区域50具有比线接合焊盘22稍大的面积，而在本发明的其它实施例中，粗糙化区域50具有比线接合焊盘22稍小的面积。在本发明的具体实施例中，粗糙化区域具有与线接合焊盘22完全相同的形状和面积。
粗糙化区域50可通过例如蚀刻形成线接合焊盘22的区域来提供。这样的蚀刻可使用图2A示出的掩模40，其可在线接合焊盘22形成前提供。粗糙化界面的其它技术也可被使用。
通过在线接合焊盘下面提供粗糙化区域，有角度的表面可被提供作为反射结构，其增加了向后进入接触层的光的内反射。这样，由线接合焊盘吸收的光的量可降低。
尽管参考具体的发光器件结构在图1到3中示出了本发明的实施例，但是还可提供根据本发明的一些实施例的其它的结构。这样，本发明的实施例可通过包括上面所描述的一个或多个不同的反射结构的任何发光结构来提供。例如，根据本发明的一些实施例的线接合焊盘反射结构可结合在此被并入作为参考的美国专利和/或申请中所讨论的示例性发光器件结构来提供。
本发明的实施例已经参考线接合焊盘22被描述。如这里所使用的，术语接合焊盘指的是吸收光的接触结构，随后将线接合到其。接合焊盘可以是单层或多层，可以是金属和/或金属合金和/或可以是均匀的或非均匀的组分。
本发明的实施例已经参考提供在p型半导体材料的接触上的线接合焊盘被描述，然而，可替换地，线接合焊盘可以提供给n型半导体材料，例如衬底10。在这种情况下，上面描述的反射结构能设置在第二接触金属层20和在该层上的线接合焊盘之间。而且，任何适合的接触金属和/或反射金属可用于第一和第二接触金属层18和20以及反射层30。例如，金属和反射层以及层的堆叠可如在下述中所描述的那样来提供：2002年9月5日公开的且题目为“Light Emitting DiodesIncluding Modifications For Light Extraction andManufacturing Methods Therefore”的美国专利公布号No.US2002/0123164 A1，和/或2003年9月11日公开的且题目为“Reflective Ohmic Contacts For Silicon Carbide Including aLayer Consisting Essentially of Nickel，Methods ofFabricating Same，and Light Emitting Devices Including theSame”的美国专利公布号No.US2003/0168663A1，在此并入其公开的全部内容作为参考。
而且，尽管本发明的实施例已经参考操作的具体顺序被描述，然而可以提供所描述的顺序的变化同时仍受益于本发明的教导。由此，两个或更多步骤可结合成在这里所描述的顺序以外执行的单个或多个步骤。由此，本发明的实施例不应该解释为局限于这里描述的操作的具体顺序，除非在此另外说明。
本领域技术人员可以理解，本发明的各个实施例已经结合图1-3被单独描述。然而可以提供根据本发明的各个实施例的图1-3的实施例的组合和子组合。例如，图1和3的结构可通过在粗糙化区域50上提供反射层30而被组合。
在附图和说明书中，已经公开了本发明的实施例，并且尽管采用了特定的术语，但是它们只是在一般的和描述性的意义上来使用的，并且不是用于限制的目的，本发明的范围在下面的权利要求中被阐明。

Claims (24)

1.一种发光器件，包括
包括半导体材料的有源区；
在有源区上的第一接触，配置该第一接触以便由有源区发射的光子通过该第一接触；
在第一接触上的吸收光子的线接合焊盘，该线接合焊盘具有小于第一接触的面积的面积；
反射结构，其设置在第一接触和线接合焊盘之间且具有小于第一接触的面积的面积；以及
从第一接触与有源区相对的第二接触。
2.权利要求1的发光器件，进一步包括设置在第一接触和有源区之间的p型半导体材料。
3.权利要求1的发光器件，进一步包括在第一接触和有源区之间的n型半导体材料。
4.权利要求1的发光器件，其中有源区包括III族氮化物基有源区。
5.权利要求1的发光器件，其中反射结构包括反射金属的层。
6.权利要求1的发光器件，其中反射结构与线接合焊盘自对准。
7.权利要求1的发光器件，其中反射结构包括第一接触的粗糙化区域并且其中线接合焊盘直接在第一接触上。
8.权利要求7的发光器件，其中该粗糙化区域与线接合焊盘自对准。
9.权利要求1的发光器件，其中反射结构包括：
第一接触的粗糙化区域；和
在第一接触的粗糙化区域上的反射金属层。
10.权利要求1的发光器件，其中反射结构没有延伸超过线接合焊盘。
11.权利要求1的发光器件，其中反射结构具有与线接合焊盘基本相同的面积。
12.权利要求1的发光器件，其中反射结构基本上全同于线接合焊盘。
13.一种制造发光器件的方法，包括：
形成半导体材料的有源区；
在有源区上形成第一接触，配置该第一接触以便由有源区发射的光子通过该第一接触；
在第一接触上形成反射结构并具有小于第一接触的面积的面积；
在反射结构上形成吸收光子的线接合焊盘，读线接合焊盘具有比第一接触的面积小的面积；以及
形成从第一接触与有源区相对的的第二接触。
14.权利要求13的方法，进一步包括形成设置在第一接触和有源区之间的p型半导体材料。
15.权利要求13的方法，进一步包括在第一接触和有源区之间形成n型半导体材料。
16.权利要求13的方法，其中形成有源区包括形成III族氮化物基有源区。
17.权利要求13的方法，其中形成反射结构包括形成反射金属的层。
18.权利要求13的方法，其中形成反射结构并形成线接合焊盘包括：
在第一接触上形成掩模层，该掩模层具有开口，其暴露相应于在第一接触上的线接合焊盘的位置的第一接触的一部分；
在掩模层的开口中沉积反射金属层；以及
在掩模层的开口中的反射金属层上形成线接合焊盘。
19.权利要求13的方法，其中形成反射结构包括使第一接触的区域变粗糙并且其中形成线接合焊盘包括在第一接触上直接形成线接合焊盘。
20.权利要求19的方法，其中使第一接触的区域变粗糙并形成线接合焊盘包括：
在第一接触上形成掩模层，该掩模层具有开口，其暴露相应于在第一接触上的线接合焊盘的位置的第一接触的一部分；
粗糙化被掩模层的开口暴露的第一接触的该部分；并且
在掩模层的开口中的第一接触的粗糙化部分上形成线接合焊盘。
21.权利要求13的方法，其中形成反射结构包括：
形成第一接触的粗糙化区域；以及
在第一接触的粗糙化区域上形成反射金属层。
22.权利要求13的方法，其中反射结构没有延伸超过线接合焊盘。
23.权利要求33的方法，其中反射结构具有与线接合焊盘基本相同的面积。
24.权利要求33的方法，其中反射结构与线接合焊盘基本全同。
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