TWI390757B - 具有反射焊墊之發光裝置及製造發光裝置之方法 - Google Patents

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Description

具有反射焊墊之發光裝置及製造發光裝置之方法
本發明係關於一種半導體發光裝置及製造發光裝置之方法。
半導體發光裝置，諸如發光二極體(LED)或雷射二極體，已廣泛地用於許多應用中。已為彼等熟悉此項技術者熟知，一半導體發光裝置包括一具有一或多個半導體層之半導體發光元件，該等半導體層經配置後而在其通電中發出相干及/或非相干光。已為彼等熟悉此項技術者熟知，一發光二極體或雷射二極體，通常包括一在一微電子基板上之二極體區域。該微電子基板可為，例如，砷化鎵，磷化鎵，其合金，碳化矽及/或藍寶石。LED之持續發展已導致產生高度有效及機械穩固之光，該光能夠覆蓋可見光譜及其以外區域。該等屬性，耦接固態裝置之潛在持久的使用壽命，能使多種新型顯示器應用可行，且將LED置於與相當穩固之白熾燈及螢光燈相抗衡之位置。
近來，眾多發展興趣及商業活動聚焦於製造在碳化矽中或其上面之LED，因為該等LED能在可見光譜之藍/綠部分發出輻射。例如，見授予Edmond等人之標題為Blue Light－Emitting Diode With High External Quantum Efficiency的美國專利案第5,416,342號，指定本應用之受讓人，其揭示內容就如同本文充分闡述的一般以引用的方式全部併入本文。人們亦對包括在碳化矽基板上之基於氮化鎵之二極體區域的LED產生濃厚興趣，因為該等裝置亦可發射出高效率之光。例如，見授予Linthicum等人之標題為Pendeoepitaxial Gallium Nitride Semiconductor Layers On Silicon Carbide Substrates的美國專利案第6,177,688號，其揭示內容就如同本文充分闡述的一般以引用的方式全部併入本文。
習知之LED的效率會受限於其不能發射出由其作用區產生之所有光。當對一LED通電時，藉由例如一吸收光之導線焊墊會阻止由其作用區(所有方向)發出的光離開LED。通常，在基於氮化鎵之LED中，提供一電流傳播接觸層藉以改善穿過發光裝置之截面之載流子注入的均勻性。將電流通過焊墊及p型接觸面注入LED的p面。該p型接觸層提供予作用區一大體上均勻之載流子的注入。因此，一穿過作用區之大體上均勻的光子發射可由使用一諸如一大體上透明之p型接觸層的電流傳播層而產生。然而，導線焊墊通常不為透明結構，且因此，由LED之作用區發射併入射於該導線焊墊上的光子會為該導線焊墊所吸收。例如，在一些實例中，約70%之入射於該導線焊墊上的光會被吸收。該光子吸收會減少離開LED之光的量且會降低LED的效率。
本發明之一些實施例提供一種包括一半導體材料之作用區及一在該作用區上之第一接觸面的發光裝置及/或製造該發光裝置之方法。配置該第一接觸面以致使藉由該作用區發射之光子穿過該第一接觸面。在該第一接觸面上提供一吸收光子之導線焊墊。該導線焊墊具有小於該第一接觸面之面積的面積。將一反射結構安置於該第一接觸面與該導線焊墊之間藉以致使該反射結構具有比該第一接觸面更小之面積。相對於該第一接觸面，在該作用區的背面提供一第二接觸面。
在一些實施例中，該反射結構具有與該導線焊墊大體上相同之面積。例如，該反射結構可與該導線焊墊疊合。在一些實施例中，該反射結構不延展超出該導線焊墊。
在本發明之一些實施例中，將一p型半導體材料安置於該第一接觸面與該作用區之間。在本發明之其他實施例中，將一n型半導體材料安置於該第一接觸面與該作用區之間。該作用區可為一基於III族氮化物之作用區。
在本發明之特定實施例中，該反射結構包括一反射金屬層。該反射結構可與該導線焊墊自對準。在本發明之一些實施例中，該反射結構包括該第一接觸面之一粗糙區域且該導線焊墊直接在該第一接觸面上。該粗糙區域可與該導線焊墊自對準。
本發明之更進一步之實施例中，該反射結構包括該第一接觸面之一粗糙區域及一在該第一接觸面之該粗糙區域上之反射金屬層。
現將參看隨附圖式在下文中更完整地描述本發明，在其中展示本發明之實施例。然而，本發明不應理解為侷限於本文陳述之實施例中。相反地，提供該等實施例以使得該揭示內容能夠詳盡及完整，並可將本發明之範疇充分地傳達給彼等熟悉此項技術者。在諸圖式中，為清楚起見誇大了層及區域之厚度。貫穿全文，相同數字指的是相同元件。如本文所使用之術語「及/或」包括一或多個相關所列物件的任一及所有組合。
本文使用之術語僅為描述特定實施例，且並非限制本發明。如本文使用之單數形式「一」及「該」亦係傾向於包括複數形式，除非本文另外清楚指出。進一步應瞭解當在該說明書中使用術語「包含(comprise及/或comprising)」指明所述特徵、整體、步驟、操作、元件，及/或組件的存在時，不排除一或多個其他特徵、整體、步驟、操作、元件、組件、及/或其群組的存在或添加。
應瞭解，當諸如層、區域或基板的元件係指在另一元件上或延展至另一元件上時，其可為直接在另一元件上或直接延展至另一元件上，或亦可存在介於其間之元件。相反地，當一元件係指直接在另一元件上或直接延展至另一元件上時，則不存在介於其間之元件。亦應瞭解當一元件係指「連接」或「耦接」至另一元件時，其可為直接連接或耦接至另一元件，或可存在介於其間之元件。相反地，當一元件係指「直接連接」或「直接耦接」至另一元件時，則不存在介於其間之元件。通篇說明書中，相同數字係指相同元件。
應瞭解，雖然本文之「第一」、「第二」等術語係用於描述不同的元件、組件、區域、層及/或截面，但是該等元件、組件、區域、層及/或截面不應受該等術語的限制。該等術語僅用於從另一區域、層或截面中區別出一元件、組件、區域、層或截面。因此，以下敘述之一第一元件、組件、區域、層或截面可被稱為一第二元件、組件、區域、層或截面，而不偏離本發明之教示。
此外，本文之諸如「下端」或「底部」及「上端」或「頂部」之比較術語係用於描述如圖中所說明之一元件與另一元件之間的關係。應瞭解相關術語傾向於涵蓋除圖中所述之方位以外之裝置的不同方位，例如，若將圖中之裝置翻轉，則描述為在其他元件之「下端」側的元件就定位於其他元件之「上端」側。因此，示範性術語「下端」能涵蓋「下端」與「上端」兩方位，端視附圖之特定方位而定。同樣地，若將一圖中之裝置翻轉，則描述為「低於」其他元件或在其他元件「之下」的元件就定位於其他元件之上。因此，示範性術語「低於」或「在…之下」可涵蓋以上及以下兩方位。
本文參看橫截面圖式來描述本發明之實施例，其係本發明之理想化實施例的圖解說明。如此，由於如製造技術及/或容限導致之圖解形狀的變化係為人能預料得到的。因此，本發明之實施例不應理解為侷限於本文說明之區域的特定形狀，但包括由於如製造所導致之形狀的偏差。例如，一說明或描述為矩形之蝕刻區域通常可具有圓形或曲線特徵。因此，圖中所說明之區域實質上係示意性的且其形狀不係用於說明一裝置之一區域的準確形狀且不係用於限制本發明之範疇。
除非另外界定，本文使用的所有術語(包括技術術語及科學術語)具有與本發明所屬技術領域之普通熟悉者之通常理解相同的意思。另外應瞭解諸如在通常使用之字典中所界定的彼等術語應理解為具有與其在本文之相關技術中之意思一致的意思且除非本文特別如此界定，其不應以理想化或極度形式化之意義來解釋。
彼等熟悉此項技術者亦將瞭解，涉及到一「鄰近」安置於另一部件之結構或部件可具有覆蓋於鄰近部件上或位於鄰近部件下的部分。
雖然本文揭示之LED的不同實施例包括一基板，但是應為彼等熟悉此項技術者瞭解的是，可將在其上長成有包含一LED之磊晶層的結晶磊晶成長之基板移除，且獨立式磊晶層可安裝於一可具有比原來基板更好之熱力、電力、結構及/或光學特徵的替代載體基板或底板。本文所述之本發明不侷限於具有結晶磊晶成長之基板的結構且可應用於已將其中之磊晶層自原來成長之基板移除的結構之連接且黏接至替代載體基板。
本發明之一些實施例可經由減少及/或阻止藉由一導線焊墊之光子吸收來提供一發光裝置之改良功效。因此，本發明之一些實施例可提供發光裝置及製造具有一在導線焊墊與發光裝置之一歐姆接觸面之間的反射結構的發光裝置之方法。藉由將入射於導線焊墊之區域中的光子反射，可減少經由該導線焊墊吸收之光子量。在本發明之一些實施例中，發光裝置之效率的增加可與導線焊墊之尺寸成比例。
本發明之實施例尤其可較好地適用於基於氮化物之發光裝置諸如基於III族氮化物之裝置。如本文使用之術語「III族氮化物」係指由氮與元素週期表III族中之通常為鋁(Al)、鎵(Ga)，及/或銦(In)的元素所形成之彼等半導體化合物。該術語亦係指諸如AlGaN及AlInGaN之三元及四元化合物。已為彼等熟悉此項技術者熟知的是，III族元素能與氮化合成二元(例如GaN)、三元(例如AlGaN、AlInN)，及四元(例如AlInGaN)化合物。該等化合物都具有實驗式(empirical formula)，其中一莫耳之氮係與全部一莫耳之III族元素化合。因此，常使用諸如Alx Ga1 － x N之式來描述它們，其中0x1。然而，當本文參考基於III族氮化物之發光裝置諸如基於氮化鎵之發光裝置描述本發明之實施例時，本發明之某些實施例可適用於其他半導體發光裝置，諸如，例如基於GaAs及/或GaP之裝置。
根據本發明之一些實施例的發光裝置可包括一發光二極體、雷射二極體及/或其他半導體裝置，該裝置包括一或多個半導體層，其可包括矽、碳化矽、氮化鎵及/或其他半導體材料；一可包括藍寶石、矽、碳化矽之基板及/或其他微電子基板；及可包括金屬及/或其他導體層之一或多個接觸層。在一些實施例中，可提供紫外線、藍色及/或綠色LED。半導體發光裝置之設計及製造已為彼等熟悉此項技術者熟知且本文不需再詳細說明。
例如，根據本發明之一些實施例的發光裝置可包括諸如基於氮化鎵之LED的結構及/或製造在一諸如藉由Cree,Inc.of Durham,North Carolina生產並出售之彼等裝置的碳化矽基板上之雷射結構。本發明可適合於與提供有諸如美國專利案第6,201,262；6,187,606；6,120,600；5,912,477；5,739,554；5,631,190；5,604,135；5,523,589；5,416,342；5,393,993；5,338,944；5,210,051；5,027,168；5,027,168；4,966,862及/或4,918,497號所述之作用區的LED及/或雷射結構一起使用，專利案的揭示內容就如同本文充分闡述的一般以引用的方式併入本文。其他合適的LED及/或雷射結構描述於已公開之標題為Group III Nitride Based Light Emitting Diode Structures With a Quantum Well and Superlattice,Group III Nitride Based Quantum Well Structures and Group III Nitride Based Superlattice Structures的美國專利公開案第US 2003/0006418 A1號；已於2003年1月9日公開並同時由此歸檔之標題為"GROUP III NITRIDE BASED QUANTUM WELL LIGHT EMITTING DEVICE STRUCTURES WITH AN INDIUM CONTAINING CAPPING STRUCTURE"的第(Attorney Docket No.5308－204IP)號美國專利申請案；及已公開之標題為Light Emitting Diodes Including Modifications for Light Extraction and Manufacturing Methods Therefor的第US 2002/0123164 A1號美國專利公開案中。此外，磷塗層之LED，諸如彼等申請於2003年9月9日之標題為Phosphor－Coated Light Emitting Diodes Including Tapered Sidewalls and Fabrication Methods Therefor的美國申請案序號10/659,241所說明，其揭示內容就如充分闡述的一般以引用的方式併入本文，亦可適用於本發明之實施例。LED及/或雷射可配置成操作以致通過基板產生光發出。在該等實施例中，可將基板圖案化以致增強裝置之光輸出，如例如在上面列舉之第US 2002/0123164 A1號美國專利申請案中所說明。根據本發明之一些實施例該等結構可進行如本文所說明之改良以提供反射結構。
因此，(例如)本發明之一些實施例可為具有不同形狀或尺寸之焊墊的發光裝置所利用。該等發光裝置可在不同的基板上，諸如碳化矽、藍寶石、氮化鎵、矽或其他提供III族氮化物裝置之合適的基板上。該等發光裝置適於隨後之切割，並安裝於一合適的載體上。該等發光裝置可包括(例如)單量子井、多量子井及/或表體作用區裝置。本發明之一些實施例可與該等在裝置之p面應用一穿隧接觸面的裝置一起使用。
圖1係根據本發明之一些實施例之發光裝置的橫截面圖解說明。如圖1中所示，一基板10(諸如一n型碳化矽基板)具有一可選之n型半導體層12(諸如其上提供之一基於氮化鎵之層)。該n型半導體層12可包括多層，例如緩衝層或與其類似之層。在本發明之一些實施例中，提供該n型半導體層12作為一矽摻雜AlGaN之層(其可為均勻或梯度組合)及一摻雜矽之GaN層。
當參考一碳化矽基板描述本文時，在本發明之一些實施例中，可利用其他基板材料。例如，可利用一藍寶石基板，GaN或其他基板材料。在該種狀況中，接觸面20可定位於(例如)一與該n型半導體層12接觸的凹槽中，以提供該裝置一第二接觸面。亦可利用其他組態。
在該n型半導體層上可提供一作用區14，諸如一單獨或雙重異質結構、量子井、多量子井或其他如此之作用區。如本文使用之術語「作用區」係指一發光裝置之一半導體材料區域，其可為一或多層及/或其部分，其中由該裝置在運行中發射之光子的實質部分，係由載子重新結合而產生。在本發明之一些實施例中，該作用區係指大體上所有由該裝置發射之光子係經由載子重新結合而產生的區域。
圖1亦說明一可選之p型半導體層16。該p型半導體材料層16可為(例如)一基於氮化鎵之層，諸如一GaN層。在本發明之特定實施列中，該p型半導體層16包括摻雜鎂之GaN。該p型半導體層16可包括一或多層，且可為均勻或梯度組合。在本發明之一些實施例中，該p型半導體層16為作用區14之部分。
亦提供一將一歐姆接觸面提供至該p型半導體材料層16的接觸金屬之第一接觸金屬層18。在一些實施例中，該第一接觸金屬層18可充當作一電流傳播層。在本發明之特定實施例中，其中該p型半導體材料層16係GaN，該第一接觸金屬層18可為Pt。在本發明之某些實施例中，該第一接觸金屬層18係可透光的，且在一些實施例中，其係大體上透明的以致藉由作用區14發射之光子可穿過該第一接觸金屬層18。在一些實施例中，該第一接觸金屬層18可為一相對細薄之Pt層。例如，該第一接觸金屬層18可為一約54厚之Pt層。在該第一接觸金屬層18上提供一導線焊墊22或其他吸收光之區域。在本發明之一些實施例中，提供第一接觸金屬層18作為一具有小於約10之厚度的極薄層，如標題為"ULTRA－THIN OHMIC CONTACTS FOR P－TYPE NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICES"，並同時由此歸檔之第(Attorney Docket No.5308－463PR)號美國臨時專利申請案所述，其揭示內容就如其整體闡述的一般併入本文。
亦提供一將一歐姆接觸面提供至該n型半導體材料的接觸金屬之第二接觸金屬層20。亦可在基板10之與作用區14相對的一側提供該第二接觸金屬層20。亦可在基板10之與作用區14相同的一側提供該第二接觸金屬層20。如上所述，在本發明之一些實施例中，可在n型半導體材料層12之一部分上提供第二接觸金屬層20，例如，在一包括作用區之臺面的凹槽中或底部。此外，在本發明之一些實施例中，可在基板10與第二接觸金屬層20之間提供一可選之背面插入物或額外磊晶層。
如圖1中進一步說明，藉由將一反射金屬層30安置於導線焊墊22與第一金屬接觸層18之間以提供一反射結構。該反射金屬層30具有與在第一接觸金屬層18上的導線焊墊22大體上一樣之形狀及/或面積。在本發明之一些實施例中，該反射金屬層30具有稍大於導線焊墊22之面積，而在本發明之其他實施例中，該反射金屬層30具有稍小於導線焊墊22之面積。該等變化可為例如生產容限導致之結果或由製造序列、對準容限或其類似原因導致之變化。在某些實施例中，該反射金屬層30亦可具有與導線焊墊22完全相同之面積。該反射金屬層30可為一銀(Ag)、鋁(Al)或其他反射導電金屬之層。
藉由在吸收光子之導線焊墊與作用區之間提供一反射結構可減少經由導線焊墊吸收之光子量。此外，藉由具有與導線焊墊大體上相同之面積的反射結構，更可提供經由P接觸金屬層之光子發射。相應地，可增加裝置之總的光提取。
圖2A及2B說明根據本發明之一些實施例之操作以形成具有一如圖1所說明之反射結構的發光裝置。如圖2A中所示，製造發光裝置之不同層/區域。製造發光裝置之特定操作取決於待製造之結構，並描述於美國專利案及/或申請案中，其以引用的方式倂入本文及/或已為彼等熟悉此項技術者熟知且因此本文不需再重複。圖2A亦說明一具有一視窗42之光罩40的形成，該視窗曝露對應於將形成有導線焊墊22之區域的第一接觸層18之一部分。
如圖2B所示，使用一光罩40以安置一反射層30藉此使得與導線焊墊22之區域大體上對準。反射導電金屬之安置技術已為彼等熟悉此項技術者熟知且本文不需要另外說明。在反射層30形成(構成)後，可在視窗42上形成導線焊墊22。因此，在本發明之一些實施例中，導線焊墊22與反射層30可自對準。例如可藉由形成一層或多層金屬(導線焊墊22藉此形成)並將該等層平面化以提供導線焊墊22從而形成導線焊墊22。隨後可將光罩40移除。視情況地，光罩40可由諸如SiO2 及/或AlN之絕緣材料製成，且可作為例如一鈍化層而保留在裝置上，或被移除。另外，將反射金屬及/或焊墊金屬之層毯覆式安置並隨後將之蝕刻以提供反射層30及導線焊墊22。
圖3說明根據本發明之進一步實施例的發光裝置。在圖3中，第一接觸金屬層18包括一在導線焊墊22之區域外的第一部分55及一在導線焊墊22之區域內的第二部分57。該第二部分57包括一粗糙區域50，在其中之第一接觸金屬層18之表面提供的入射於表面上之光子的內部反射比藉由第一接觸金屬層18之第一部分55的表面所提供的更強。例如，該粗糙區域50可包括有角的表面，光子藉此反射而非穿過。該粗糙區域50可具有與在第一接觸金屬層18上之導線焊墊22之區域一樣的形狀及/或面積。在本發明之一些實施例中，該粗糙區域50具有稍大於導線焊墊22之面積，而在本發明之其他實施例中，該粗糙區域50具有稍小於導線焊墊22之面積。在本發明之特定實施例中，該粗糙區域具有與導線焊墊22完全相同之形狀及面積。
可藉由例如蝕刻形成有導線焊墊22之區域以提供粗糙區域50。可利用在導線焊墊22形成前提供之如圖2A所說明的光罩40來進行該蝕刻。亦可利用其他使介面粗糙的技術。
藉由在導線焊墊下提供一粗糙區域，可提供有角的表面作為一反射結構藉以增加返回接觸層之光的內部反射。因此，可減少藉由導線焊墊吸收之光的量。
參考特定發光裝置結構在圖1至3中說明本發明之實施例時，根據本發明之一些實施例亦可提供其他結構。因此，可藉由包括一或多個如上所述之各種反射結構的任何發光結構以提供本發明之實施例。例如，可連同在以引用的方式併入本文之美國專利案及/或申請案中所述之示範性發光裝置結構，提供根據本發明之一些實施例的導線焊墊反射結構。
已參考導線焊墊22描述本發明之實施例。如本文使用之術語焊墊係指一吸收光之接觸結構，導線在其後與之接合。焊墊可為單層或多層，可為一金屬及/或金屬合金及/或可為均勻或非均勻之組合。
已參考向p型半導體材料提供的接觸面上之導線焊墊描述本發明之實施例，然而，該導線焊墊或者可提供給諸如基板10之n型半導體材料。在該種狀況中，上述之反射結構可安置於第二接觸金屬層20與彼層上之導線焊墊之間。此外，第一及第二接觸金屬層18及20與反射層30可利用任何合適的接觸金屬及/或反射金屬。例如，可提供金屬與反射層及層之堆疊，如2002年9月5日公開之標題為「Light Emitting Diodes Including Modifications For Light Extraction and Manufacturing Methods Therefore」的美國專利公開案第US 2002/0123164 A1號及/或2003年9月11日公開之標題為"Reflective Ohmic Contacts For Silicon Carbide Including a Layer Consisting Essentially of Nickel,Methods of Fabricating Same,and Light Emitting Devices Including the Same"的美國專利公開案第US 2003/0168663 A1號中所述，其揭示內容就如本文充分闡述的一般併入本文。
此外，儘管已參照特定操作序列描述本發明之實施例，但可提供所述序列之變體同時仍從本發明之教示中得到益處。因此，可將兩個或兩個以上之步驟組合成本文所述之序列以外而執行的一單獨步驟或多步驟。因此，除非本文另外說明，本發明之實施例不應理解為侷限於特定操作序列。
彼等熟悉此項技術者將瞭解到已個別地描述關於圖1－3之本發明之不同的實施例。然而，根據本發明之不同的實施例可提供圖1－3之實施例的組合及再組合。例如，可藉由在粗糙區域50上提供反射層30以組合圖1及3之結構。
在圖式與說明書中，已揭示本發明之實施例，且雖然使用特定術語，但是該等術語僅用作一般的及描述的意義而並非具有限制性，下列申請專利範圍中將闡述本發明之範疇。
10．．．基板
12．．．n型半導體材料層
14．．．作用區
16．．．p型半導體材料層
18．．．第一接觸金屬層
20．．．第二接觸金屬層
22．．．導線焊墊
30．．．反射金屬層
40．．．光罩
42．．．視窗
50．．．粗糙區域
55．．．導線焊墊22之區域外的第一部分
57．．．導線焊墊22之區域內的第二部分
圖1為說明根據本發明之一些實施例的具有一反射焊墊結構的半導體發光裝置之橫截面圖。
圖2A及2B為說明根據本發明之一些實施例之半導體裝置之製備的橫截面圖。
圖3為根據本發明之進一步實施例的發光裝置之橫截面圖。
12．．．n型半導體材料層
14．．．作用區
16．．．p型半導體材料層
18．．．第一接觸金屬層
20．．．第二接觸金屬層
22．．．導線焊墊
30．．．反射金屬層

Claims (57)

  1. 一種發光裝置，其包含：一包含半導體材料之作用區；在該作用區上之一第一接觸面；在該第一接觸面上之一光子吸收導線焊墊，該導線焊墊具有小於該第一接觸面之面積的面積；安置於該第一接觸面與該導線焊墊之間的一反射結構，其具有小於該作用區之面積的面積；及一第二接觸面，其相對於該第一接觸面在該作用區的背面；其中該反射結構包含：該第一接觸面的一粗糙面；以及在該第一接觸面之該粗糙面上的一反射金屬層。
  2. 如請求項1之發光裝置，進一步包含安置於該第一接觸面與該作用區之間的一p型半導體材料。
  3. 如請求項1之發光裝置，進一步包含在該第一接觸面與該作用區之間的一n型半導體材料。
  4. 如請求項1之發光裝置，其中該作用區包含一基於III族氮化物之作用區。
  5. 如請求項1之發光裝置，其中該反射結構包含一反射金屬層。
  6. 一種製造發光裝置的方法，其包含：形成一半導體材料之作用區；在該作用區上形成一第一接觸面； 在該第一接觸面上形成一反射結構，且其具有一小於該作用區之面積的面積；在反射結構上形成一光子吸收導線焊墊，該導線焊墊具有一小於該第一接觸面之面積的面積；及在相對於該第一接觸面之該作用區的背面，形成一第二接觸面；其中形成一反射結構包含：形成該第一接觸面之一粗糙面；以及在該第一接觸面之該粗糙面上形成一反射金屬層。
  7. 如請求項6之方法，進一步包含形成安置於該第一接觸面與該作用區之間的一p型半導體材料。
  8. 如請求項6之方法，進一步包含在該第一接觸面與該作用區之間形成一n型半導體材料。
  9. 如請求項6之方法，其中形成一作用區包含形成一基於III族氮化物之作用區。
  10. 一種發光裝置，其包含：一作用區；在該作用區上之一接觸層，該接觸層包含一粗糙面和在該粗糙面之外的一非粗糙面；一反射金屬層，其包含直接在該接觸層之該粗糙面上的銀及/或鋁；以及在該粗糙表面背面的該反射金屬層上之一光子吸收焊墊。
  11. 如請求項10之發光裝置，進一步包含安置於該接觸層與 該作用區之間的一p型半導體材料。
  12. 如請求項10之發光裝置，其中該作用區包含一基於III族氮化物之作用區。
  13. 一種發光裝置，其包含：一作用區；在該作用區上之一接觸層；在該接觸層的一第一部分上且暴露在該接觸層的一第二部分之一光子吸收焊墊；以及安置於該接觸層與該焊墊之間之一反射結構，該反射結構並未從該焊墊延伸至該接觸層之該第二部分，該反射結構包含一層銀及/或鋁。
  14. 如請求項13之發光裝置，其中該反射結構具有大體上與該焊墊相同之面積。
  15. 如請求項13之發光裝置，其中該反射結構大體上與該焊墊完全疊合。
  16. 如請求項13之發光裝置，進一步包含安置於該接觸層與該作用區之間的一p型半導體材料。
  17. 如請求項13之發光裝置，其中該作用區包含一基於III族氮化物之作用區。
  18. 如請求項13之發光裝置，其中該反射結構係與該焊墊自動對準。
  19. 一種製造發光裝置的方法，其包含：在一作用區上形成一接觸層；以及在該接觸層上形成一反射結構，其中形成該反射結構 包含：使該接觸層之一面積粗糙化；在該接觸層上形成一遮罩層，該遮罩層具有一開口，該開口使該接觸層之至少一些被粗糙化的該面積暴露；該遮罩層之該開口中，直接在該接觸層中被粗糙化的該面積上安置包含銀及/或鋁之一金屬層；以及在該遮罩層之該開口中的該金屬層上安置一光子吸收焊墊。
  20. 如請求項19之方法，進一步包含形成安置於該接觸層與該作用區之間的一p型半導體材料。
  21. 如請求項19之方法，其中在一作用區上形成一接觸層係在形成一基於III族氮化物之作用區之後。
  22. 一種製造發光裝置的方法，其包含：在一作用區上形成一接觸層；在該接觸層上形成一遮罩層，該遮罩層具有一開口，該開口使該接觸層之一部分暴露；使暴露在該遮罩層之該開口的該接觸層之該部分中至少一些粗糙化；直接在該接觸層中已被粗糙化的該部分上安置包含銀及/或鋁之一金屬層；以及在該遮罩層之該開口中的該金屬層上安置一光子吸收焊墊。
  23. 如請求項22之方法，進一步包含形成安置於該接觸層與該作用區之間的一p型半導體材料。
  24. 如請求項22之方法，其中在一作用區上形成一接觸層係在形成一基於III族氮化物之作用區之後。
  25. 一種製造發光裝置的方法，其包含：在一作用區上形成一接觸層；形成該接觸層之一粗糙面；直接在該接觸層之該粗糙面上安置包含銀及/或鋁之一金屬層；以及在該金屬層上安置一光子吸收焊墊。
  26. 如請求項25之方法，進一步包含形成安置於該接觸層與該作用區之間的一p型半導體材料。
  27. 如請求項25之方法，其中在一作用區上形成一接觸層係在形成一基於III族氮化物之作用區之後。
  28. 一種發光裝置，其包含：一作用區，其包含半導體材料；在該作用區上之一第一接觸面；在該第一接觸面上之一光子吸收導線焊墊，該導線焊墊具有小於該第一接觸面之面積的一面積；安置於該第一接觸面與該導線焊墊之間的一反射結構，該反射結構具有小於該第一接觸面之面積的一面積；以及一第二接觸面，其相對於該第一接觸面在該作用區的背面；其中該反射結構包含：該第一接觸面之一粗糙面；以及 在該第一接觸面之該粗糙面上之一反射金屬層。
  29. 一種發光裝置，其包含：一作用區，其包含半導體材料；在該作用區上之一第一接觸面；在該第一接觸面上之一光子吸收導線焊墊，該導線焊墊具有小於該第一接觸面之面積的一面積；安置於該第一接觸面與該導線焊墊之間的一反射結構，該反射結構具有小於該第一接觸面之面積的一面積；以及一第二接觸面，其相對於該第一接觸面在該作用區的背面；其中該反射結構包含該第一接觸面之一粗糙面以及其中該導線焊墊係直接地在該第一接觸面上；以及其中該反射結構並未延伸越過該導線焊墊。
  30. 如請求項29之發光裝置，進一步包含安置於該第一接觸面與該作用區之間的一p型半導體材料。
  31. 如請求項29之發光裝置，進一步包含在該第一接觸面與該作用區之間的一n型半導體材料。
  32. 如請求項29之發光裝置，其中該作用區包含一基於III族氮化物之作用區。
  33. 如請求項29之發光裝置，其中該反射結構包含一反射金屬層。
  34. 如請求項29之發光裝置，其中該反射結構係與該導線焊墊自動對準。
  35. 如請求項29之發光裝置，其中該粗糙區域係與該導線焊墊自動對準。
  36. 如請求項29之發光裝置，其中該反射結構具有大體上與該導線焊墊相同之面積。
  37. 如請求項29之發光裝置，其中該反射結構大體上與該導線焊墊完全疊合。
  38. 一種製造發光裝置之方法，其包含：形成一半導體材料之作用區；在該作用區上形成一第一接觸面；在該第一接觸面上形成一反射結構，且其具有小於該第一接觸面之面積的一面積；在該反射結構上形成一光子吸收導線焊墊，該導線焊墊具有小於該第一接觸面之面積的一面積；及在相對於該第一接觸面之該作用區的背面，形成一第二接觸面；其中形成一反射結構包含使該第一接觸面之一面積粗糙化；以及其中形成一反射結構及形成一導線焊墊包含：在該第一接觸面上形成一遮罩層，該遮罩層具有一開口，該開口使該第一接觸面的一部分暴露，且該部分係對應於該第一接觸面上的該導線焊墊位置；在該遮罩層之該開口中安置一反射金屬層；以及在該遮罩層之該開口中的該反射金屬層上形成該導線焊墊。
  39. 一種製造發光裝置之方法，其包含：形成半導體材料之一作用區；在該作用區上形成一第一接觸面；在該第一接觸面上形成一反射結構，且其具有小於該第一接觸面之面積的一面積；在該反射結構上形成一光子吸收導線焊墊，該導線焊墊具有小於該第一接觸面之面積的一面積；及在相對於該第一接觸面之該作用區的背面，形成一第二接觸面；其中形成一反射結構包含使該第一接觸面之一面積粗糙化，及其中形成一導線焊墊包含直接在該第一接觸面上方形成一導線焊墊；以及其中使該第一接觸面之一面積粗糙化及形成一導線焊墊包含：在該第一接觸面上形成一遮罩層，該遮罩層具有一開口，該開口使該第一接觸面的一部分暴露，且該部分係對應於該第一接觸面上的該導線焊墊位置；使暴露於該遮罩層之該開口中的該第一接觸面之該部分粗糙化；在該遮罩層之該開口中該第一接觸面之被粗糙化的該部分上形成該導線焊墊。
  40. 一種製造發光裝置的方法，其包含：形成半導體材料之一作用區；在該作用區上形成一第一接觸面； 在該第一接觸面上形成一反射結構，且其具有小於該第一接觸面之面積的一面積；在該反射結構上形成一光子吸收導線焊墊，該導線焊墊具有較該第一接觸面面積小之一面積；及在相對於該第一接觸面之該作用區的背面，形成一第二接觸面；其中形成一反射結構包含：形成該第一接觸面之一粗糙面；以及在該第一接觸面之該粗糙面上形成一反射金屬層。
  41. 如請求項40之方法，進一步包含形成一安置於該第一接觸面與該作用區之間的p型半導體材料。
  42. 如請求項40之方法，進一步包含形成一在該第一接觸面與該作用區之間的n型半導體材料。
  43. 如請求項40之方法，其中形成一作用區包含形成一基於III族氮化物之作用區。
  44. 如請求項40之方法，其中該反射結構並未延伸越過該導線焊墊。
  45. 如請求項40之方法，其中該反射結構具有大體上與該導線焊墊相同之面積。
  46. 如請求項40之發光裝置，其中該反射結構大體上與該導線焊墊完全疊合。
  47. 一種發光裝置，其包含：一作用區，其包含半導體材料；在該作用區上之一第一接觸金屬，該第一接觸金屬具 有相鄰於該作用區之一第一面以及與該作用區相隔很遠之一第二面，並且該第一接觸金屬係足夠薄的，使得從該作用區發射的光子能從該第一面到該第二面的方向穿過該第一接觸金屬；在該第一接觸金屬之該第二面上的一光子吸收導線焊墊，該導線焊墊具有小於該第一接屬金屬之面積的一面積；完全安置於該第一接觸金屬之該第二面與該導線焊墊之間的一反射結構，且該反射結構在該第一接觸金屬之該第二面上延伸至大體上與該導線焊墊完全疊合；以及在相對於該第一接觸金屬之該作用區的背面之一第二接觸金屬，其中該反射結構包含直接在該第一接觸金屬之該第二面上之一銀或鋁的金屬層。
  48. 如請求項47之發光裝置，進一步包含安置於該第一接觸金屬與該作用區之間的一p型半導體材料。
  49. 如請求項47之發光裝置，進一步包含在該第一接觸金屬與該作用區之間的一n型半導體材料。
  50. 如請求項47之發光裝置，其中該作用區包含一基於III族氮化物之作用區。
  51. 如請求項47之發光裝置，其中該反射金屬層係與該導線焊墊自動對準。
  52. 一種製造發光裝置之方法，其包含：形成一半導體材料之作用區； 在該作用區上形成一第一接觸金屬，該第一接觸金屬具有相鄰於該作用區之一第一面以及與該作用區相隔很遠之一第二面，並且該第一接觸金屬係足夠薄的，使得從該作用區發射的光子能從該第一面到該第二面的方向穿過該第一接觸金屬；形成一反射結構，該反射結構係完全在該第一接觸金屬之該第二面上，並且具有小於該第一接觸金屬之一面積的一面積；在該反射結構上形成一光子吸收導線焊墊，該導線焊墊係與該反射結構大體上完全疊合；以及相對於該第一接觸金屬在該作用區之背面形成一第二接觸金屬，其中形成一反射結構包含形成一反射結構，其包含直接在該第一接觸面之該第二面上之一銀或鋁的金屬層。
  53. 如請求項52之方法，進一步包含形成安置於該第一接觸金屬與該作用區之間的一p型半導體材料。
  54. 如請求項52之方法，進一步包含在該第一接觸金屬與該作用區之間形成一n型半導體材料。
  55. 如請求項52之方法，其中形成一作用區包含形成一基於III族氮化物之作用區。
  56. 如請求項52之方法，其中形成一反射金屬層包含形成一反射金屬層，其係完全在該第一接觸金屬之該第二面上。
  57. 如請求項52之方法，其中形成一反射結構且形成一導線焊墊包含： 在該第一接觸面上形成一光罩層，該光罩層具有一開口，該開口使該第一接觸面的一部分暴露，且該部分係對應於該第一接觸面上的該導線焊墊之位置；在該光罩層之該開口中安置一反射金屬層；及在該光罩層之該開口中之該反射金屬層上，形成該導線焊墊。
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