CN101083086A

CN101083086A - 被构图介质、该介质的制造方法以及磁记录/再现装置

Info

Publication number: CN101083086A
Application number: CNA2007101054526A
Authority: CN
Inventors: 喜喜津哲; 镰田芳幸; 樱井正敏; 白鸟聪志
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2006-05-31
Filing date: 2007-05-30
Publication date: 2007-12-05
Also published as: JP2007323724A; US20070281078A1

Abstract

一种被构图介质包括被处理成磁道图形、伺服区图形或数据区图形的磁性膜(33)，以及被填充在所述磁性膜(33)上的磁道图形、伺服区图形或数据图形之间的非磁性填充材料，该填充材料包括基材(34、35)和由不组成所述基材(34、35)的金属构成的阻挡材料(36)。

Description

被构图介质、该介质的制造方法以及磁记录/再现装置

技术领域

本发明的一个实施例涉及到被构图介质、制造被构图介质的方法以及使用这种被构图介质的磁记录/再现装置。

背景技术

近年来，作为实现高密度磁记录/再现装置(HDD)的技术，被构图介质得到了积极的研究。在常规的HDD介质中，通过读写头在连续磁性膜上的任意位置处进行信息的记录和再现。与之相对照，被构图介质具有被构图的磁性膜，该磁性膜被提前处理成指定图形，其中，信息的记录和再现由读写头依照所述图形来进行。就处理过的图形的配置来说，研究了一种所谓的离散磁道介质(DTM、DTR)，其中，只有伺服数据和记录磁道被处理过，并依照常规方法在圆周方向上进行记录；以及一种所谓的离散比特介质(或比特被构图介质，bit patterned media)，其中，比特单元的图形连同伺服数据在圆周方向上被处理。

这种离散磁道介质或离散比特介质具有下述优点。首先，提前在介质上形成伺服数据就可以减少通常磁记录伺服数据所需要的制造时间，也减少了设备成本。此外，在磁道之间或在磁化反转单元之间没有磁性膜，从而不会从这里产生噪声，这就可以提高信号质量(SNR)。这样就能够制造高密度磁记录介质和磁记录装置。

另一方面，在离散磁道介质或离散比特介质中，由于需要将磁性膜处理成精细的图形，在处理期间就会有损伤磁性膜的危险。例如，有可能由于磁性元素如Co的氧化而使磁性膜的磁特性退化，这会导致对记录/再现信息有不利的影响。尽管进行处理时维持高的真空，但有可能由于湿气或作为处理气体或处理设备所含杂质的氧而发生退化。此外，有一种可能性，根据磁记录装置要安装的环境，衬层所含的元素或许会洗脱(elution)出来在介质表面上形成凸起。在这种情况下，在介质表面上10nm数量级的高度上飞行的读写头会与所述凸起相撞，导致坠毁。近年来发展中的垂直磁记录介质具有复杂的薄膜结构，其中，使用软衬层(SUL)并且沉积的多种元素与常规介质相比相对较厚。所以，进一步需要考虑元素的洗脱。在离散磁道介质或离散比特介质中，存在没有记录层的部分。即使这些部分填充以非磁性膜，仍然有一种可能性，即，元素从衬层中洗脱的方式不同于介质在整个表面上被覆盖一层记录层的情形。

通常，已知有了一种被构图介质，它使用终止层、下非磁性膜和上非磁性膜等三层膜作为要填充在磁性膜的图形之间的填充材料(参见Jpn.Pat.Appln.KOKAI Publication No.2005-135455)。然而，所述终止层被打算用来防止磁性膜在平坦化腐蚀时被腐蚀。事实上，现有技术没有考虑如上所述的防止元素从衬层中洗脱出来的问题。此外，由于所述终止层的腐蚀速率低于非磁性膜的腐蚀速率，所述终止层也残留在磁性膜上。

发明内容

本发明的目标是，通过防止磁记录层的退化以及由元素从衬层中洗脱出来所导致的凸起的形成，来提供高密度被构图介质。

根据本发明的一个方面，提供一种被构图介质，它包括被处理成用于磁道、伺服区或数据区的图形的磁性膜；以及被填充在磁性膜上的用于磁道、伺服区或数据区的图形之间的非磁性填充材料，该填充材料包括基材和由不组成基材的金属所构成的阻挡材料。

根据本发明的另一个方面，提供一种被构图介质的制造方法，它包括：将磁性膜处理成磁道图形、伺服区图形或数据区图形；沉积阻挡材料和基材，以在磁性膜的磁道图形、伺服区图形或数据区图形之间和之上形成非磁性填充材料；蚀刻在磁性膜图形之上的基材和阻挡材料，所述阻挡材料的蚀刻速率高于所述基材的蚀刻速率。

根据本发明的另一个方面，提供一种磁记录/再现装置，包括：上述的被构图介质；以及结合在滑块中的读写头，其设计的飞行高度为15nm或更小。

根据本发明的实施例的被构图介质在要填充在磁性膜的图形之间的非磁性材料中包含了由金属构成的阻挡材料，因此可以防止记录层在处理期间由于氧化而产生的退化，以及由元素从衬层中洗脱出来所导致的凸起的形成。于是，能够提供高密度被构图介质。

本发明其它的目标和优点将在下面的描述中阐述，并且部分地由该描述而变得显而易见，或者可以通过本发明的实践而得知。这些目标依靠下文所具体指出的手段及其组合来获得。

附图说明

结合进来并构成说明书的一部分的附图显示了本发明的实施例，并与上面给出的一般性描述以及在下面给出的实施例的详细描述一起，用来解释本发明的原理。

图1是一个透视图，示意地显示了被构图介质；

图2是一个放大了的平面图，显示了离散磁道介质的数据区和伺服区；

图3是一个放大了的平面图，显示了离散比特介质的数据区和伺服区；

图4是根据本发明的第一实施例所述的被构图介质的剖面图；

图5是根据本发明的第二实施例所述的被构图介质的剖面图；

图6是根据本发明的第三实施例所述的被构图介质的剖面图；

图7A、7B、7C、7D、7E、和7F为剖面图，显示了根据本发明的第一实施例所述的被构图介质的一种制造方法；

图8A、8B、8C、和8D为剖面图，显示了根据本发明的第一实施例所述的被构图介质的另一种制造方法；

图9A和9B为剖面图，显示了由根据本发明的其它实施例所述的制造方法制造的被构图介质；

图10是根据本发明的实施例所述的磁盘装置的透视图。

具体实施方式

下文将参考附图描述根据本发明的各种实施例。总的来说，根据本发明的一个实施例，提供一种被构图介质，它包括：被处理成磁道图形、伺服区图形或数据区图形的磁性膜；以及被填充在磁性膜上的磁道图形、伺服区图形或数据图形之间的非磁性填充材料，该填充材料包括基材和由不组成所述基材的金属构成的阻挡材料。根据本发明的另一个实施例，提供一种被构图介质的制造方法，它包括：将磁性膜处理成磁道图形、伺服区图形或数据区图形；沉积阻挡材料和基材，以在磁性膜的磁道图形、伺服区图形或数据区图形之间和之上形成非磁性填充材料；蚀刻在磁性膜图形之上的基材和阻挡材料，所述阻挡材料的蚀刻速率高于所述基材的蚀刻速率。根据本发明的另一个方面，提供一种磁记录/再现装置，它包括：上述的被构图介质；以及结合在滑块中的读写头，其设计的飞行高度为15nm或更小。

图1是一个透视图，示意地显示了被构图介质。在被构图介质11的表面上形成有扇区。在所述扇区中，有写入了用户数据的数据区12和用于寻道及数据访问控制的伺服区13，伺服区13包括脉冲信号、地址、前导码等。图1用线条示意地显示了这些区在磁盘表面上的安排。

图2是一个放大的平面图，显示了离散磁道介质的数据区和伺服区。在图2中的数据区12中，磁性膜的图形由非磁性填充材料分隔开，从而在圆周方向上形成连续的磁道。在图2中的伺服区13中，所形成的磁性膜图形对应着现有磁记录介质的伺服图形。伺服区13包括，例如，进行寻道控制的脉冲信号14。

图3是一个放大的平面图，显示了离散比特介质的数据区和伺服区。在图3中的数据区12中，磁性膜的图形由非磁性填充材料分隔开，从而形成数据位(data bits)。

图4是一个剖面图，显示了根据本发明的第一个实施例的被构图介质。衬层32和由被构图磁性膜构成的磁记录层33形成在基底31上。在所述磁记录层33上各图案间的凹陷处填充着通过层叠第一填充材料34、阻挡(barrier)材料36和第二嵌入层35而形成的非磁性填充材料。在所述结构之上形成保护层37。

所述基底31可以是，例如，玻璃基底、铝合金基底、陶瓷基底、碳基底、其表面上有一层氧化物的Si单晶基底、以及在上述基底的表面上镀有NiP层所形成的基底。所述玻璃基底包括非晶玻璃和晶化玻璃。所述非晶玻璃包括通常所用的钠钙玻璃和硅铝酸盐玻璃。所述晶化玻璃包括锂基晶化玻璃。所述陶瓷基底包括一种烧结体，该烧结体主要由通常所用的氧化铝、氮化铝或氮化硅、或者通过对烧结体进行纤维强化而形成的材料所构成。

所述衬层32包括一种通常用于HDD介质的材料。一般地，非磁性薄膜的使用是为了控制记录层的晶体取向或精细结构。在垂直磁记录介质的记录层使用CoCrPt合金的情形中，所述衬层使用Pt、Pd、Ru、Ti、W、Ta、或通过在这些元素中加入SiO₂而获得的一种材料。考虑到制造以及成本效率的问题，所述衬层最好尽量地薄。通常，衬层的厚度在1nm到50nm的范围内。具体说，在垂直磁记录介质的情形中，使用所谓的软磁性衬层。

提供所述软衬层，以便使来自诸如单极头这样的磁头的记录磁场通过，从而磁化其中的垂直记录层，并使所述记录磁场返回在所述记录磁极附近安置的返回磁轭。就是说，所述软衬层提供了写磁头的一部分功能，用来施加一个陡峭的垂直磁场到记录层上，从而提高记录和再现效率。所述软衬层可以由至少含有Fe、Ni和Co之一的材料构成。这种材料包括FeCo合金(如FeCo和FeCoV)、FeNi合金(如FeNi、FeNiMo、FeNiCr和FeNiSi)、FeAl合金和FeSi合金(如FeAl、FeAlSi、FeAlSiCr、FeAlSiTiRu和FeAlO)、FeTa合金(如FeTa、FeTaC和FeTaN)、以及FeZr合金(如FeZrN)。所述软衬层可以由具有微晶结构或颗粒结构的材料构成，该颗粒结构包含分散在诸如FeAlO、FeMgO、FeTaN和FeZrN等基体中的细颗粒，而每种基体含有60at％或更多的Fe。所述软衬层也可以由其它材料构成，比如，由含有Co以及Zr、Hf、Nb、Ta、Ti和Y中的至少之一的Co合金构成。这种材料优选含有80at％或更多的Co。当Co合金通过溅射法沉积时，很容易形成非晶层。非晶软磁性材料呈现非常优秀的软磁性，这是因为它免于受磁晶各向异性、晶体缺陷和颗粒边界的影响。使用非晶软磁性材料可以减小介质噪声。优选的非晶软磁性材料包括，例如，CoZr-、CoZrNb-和CoZrTa-基合金。

在所述软衬层之下可以提供另一个衬层，以便提高所述软衬层的结晶性和对基底的附着性。用于该衬层的材料包括，Ti、Ta、W、Cr、Pt以及其合金、含有上述金属的氧化物和氮化物。

在软衬层和记录层之间可以提供一个中间层。所述中间层用来切断软衬层和记录层之间的交换耦合相互作用，并控制记录层的结晶性。用于中间层的材料包括，Ru、Pt、Pd、W、Ti、Ta、Cr、Si及其合金、含有上述金属的氧化物和氮化物。

为了防止尖锐噪声(spike noise)，可以将所述软衬层分为若干层，在这些层的两两之间通过厚度为0.5到1.5nm的Ru层使彼此之间形成反铁磁耦合。或者，所述软衬层可以与一个钉扎层形成交换耦合，该钉扎层由诸如CoCrPt、SmCo和FePt等具有面内各向异性的硬磁层或者由诸如IrMn和PtMn等反铁磁层构成。在这种情况下，为了控制交换耦合力，可以在所述Ru层之上或之下提供一层诸如Co的磁层或者诸如Pt的非磁层。

所述软衬层的厚度优选是在1nm到200nm的范围内。在厚度小于1nm的情形中，不能产生连续的薄膜，从而不能充分获得使记录磁场返回的功能。如果厚度超过200nm，由于有内应力，故剥落很容易发生，而且介质的成本不利地增加。软衬层的厚度更优选为在10nm到80nm的范围内。

作为磁记录层33，可以使用通常的纵向磁记录层或者垂直磁记录层。由于被构图介质已经发展成为高密度HDD介质，故通常使用垂直磁记录层。

垂直记录层33优选由一种主要含有Co、至少含有Pt、以及还含有氧化物的材料构成。需要的话，垂直磁记录层可以含有Cr。特别合适的氧化物为硅的氧化物和钛的氧化物。垂直记录层优选具有这样一种结构，其中磁性颗粒，即具有磁性的晶体颗粒，分散在该层中。所述磁性颗粒优选具有柱形形状，穿过所述垂直记录层。这样的结构能提高垂直记录层中的磁性颗粒的取向和结晶性，使其可以提供适合于高密度记录的信噪比(SNR)。氧化物的量对于获得上述结构是很重要的。

要含有的氧化物的量对于获得这样一种结构是很重要的。氧化物占Co、Pt和Cr总量的含量优选是大于等于3mol％且小于等于12mol％，更优选的是大于等于5mol％且小于等于10mol％。如果垂直记录层的氧化物含量在上述范围内，氧化物会沉淀在磁性颗粒的周围，使其可以隔离磁性颗粒并减小其大小。如果氧化物的含量超出上述范围，那么，氧化物会保留在磁性颗粒中，使其取向和结晶性退化。此外，氧化物会沉淀在磁性颗粒的上下，妨碍了穿过垂直记录层的柱形结构的形成。另一方面，如果氧化物的含量不足上述范围，则不能充分地隔离磁性颗粒并减小其尺寸。这样就增加了再现时的介质噪声，并使得不可能获得适合于高密度记录的SNR。

垂直记录层中的Cr含量优选大于等于0at％且小于等于16at％，更优选的是大于等于10at％且小于等于14at％。当Cr含量在上述范围内时，可以维持高的磁化，而不需要不合适地减小磁性颗粒的单轴磁各向异性常数Ku。这样会产生适合于高密度记录的读/写特性，以及充分的热涨落特性。如果Cr含量超出上述范围，磁性颗粒的Ku会减小，使热涨落特性退化，并使磁性颗粒的结晶性和取向退化。于是，读/写特性就会退化。

垂直记录层中的Pt含量优选大于等于10at％且小于等于25at％。当Pt含量在上述范围内时，垂直记录层具有所需要的单轴磁各向异性常数Ku。此外，磁性颗粒呈现好的结晶性和取向，使热涨落特性和读/写特性适合于高密度记录。如果Pt含量超出上述范围，磁性颗粒内会形成一层fcc结构，使结晶性和取向退化。另一方面，如果Pt含量不足上述范围内时，所获得的Ku不可能提供适合高密度记录的热涨落特性。

所述垂直记录层不仅可以含有Co、Pt、Cr以及氧化物，而且可以含有一种或多种添加元素，所述添加元素从由B、Ta、Mo、Cu、Nd、W、Nb、Sm、Tb、Ru和Re构成的组中选择。这些添加元素有助于减小磁性颗粒的尺寸或者改善结晶性和取向。这样反过来就可以提供更加适合高密度记录的读/写特性和热涨落特性。这些添加元素的总含量优选为8at％或更少。如果总含量超过8at％，在磁性颗粒内会形成一种有别于hcp相的相。这会使磁性颗粒的结晶性和取向退化，使得不可能提供适合高密度记录的读/写特性和热涨落特性。

用于垂直记录层的其它材料包括，CoPt合金、CoCr合金、CoPtCr合金、CoPtO、CoPtCrO、CoPtSi、和CoPtCrSi。垂直记录层可以由多层膜构成，该多层膜包含一层Co膜和一层合金膜，该合金膜主要含有从Pt、Pd、Rh和Ru构成的组中选择出来的一种元素。该垂直记录层可以由这样的多层膜构成，比如CoCr/PtCr、CoB/PdB、CoO/RhO，这些膜通过在上述多层膜的每层中加入Cr、B或O而形成。

所述垂直记录层的厚度优选在1nm到60nm的范围内，更预选的是在5nm到40nm的范围内。厚度在上述范围内的垂直记录层适合于高密度记录。如果垂直记录层的厚度少于1nm，那么，读输出趋向于很低，使得噪声成分变得相对很高。另一方面，如果垂直记录层的厚度超过60nm，那么，读输出趋向于很高，使得波形失真。垂直记录层的矫顽力优选为237,000A/m(3kOe)或更大。如果矫顽力小于237,000A/m(3kOe)，那么，热涨落容差会退化。垂直记录层的垂直矩形比(perpendicular squareness)优选为0.8或更大。如果垂直矩形比小于0.8，热涨落容差趋向于退化。

保护层37用来防止垂直记录层的侵蚀，并防止当磁头与介质接触时对介质表面造成损伤。用于保护层的材料包括，例如，C、SiO₂、ZrO₂。保护层的厚度优选为1nm到10nm。当保护层的厚度在上述范围内时，磁头和介质之间的距离可以减小，这适合于高密度记录。碳可以分为sp²键合的碳(石墨)和sp³键合的碳(金刚石)。sp³键合的碳在耐用性和抗蚀刻性上更优良，但表面平滑性不如石墨。通常，使用石墨靶通过溅射来沉积碳。这种方法会形成非晶碳，其中，sp²键合的碳(石墨)和sp³键合的碳是混合的。sp³键合的碳含量比例高的非晶碳被称作类金刚石碳(DLC)。DLC呈现优异的耐用性和抗蚀刻性，而且表面平滑性也很优异，因为它是非晶的。在化学气相沉积(CVD)中，通过在等离子体中激发和分解原材料气体以及通过被分解核素的反应来产生DLC，得以产生sp³键合的碳更加富有的DLC。

可以在保护层上提供一层润滑层。润滑层中所用润滑剂包括众所周知的材料，比如，全氟聚醚(perfluoropolyether)、乙醇氟化物(fluorinatedalcohol)、以及羧酸氟化物(fluorinated carboxylic acid)。

现在参考图4，将详细描述根据本发明的第一实施例所述的被构图介质。

如图1和图2所示，对磁记录层33进行处理并将之隔离成伺服信号图形、磁道图形、或磁化反转单元(magnetization reversal unit)图形。磁层33上图形之间已经去掉了磁记录层33的凹陷处应该是非磁性的。因为空气也是非磁性的，所以，去掉磁性膜后的凹陷处可以保持原样。然而，考虑到磁头的飞行稳定性，优选在所述凹陷处填充非磁性膜。在本说明书中，要填充在这些部分中的材料被称作(非磁性)填充材料。在磁记录层33上有填充材料的情形中，其厚度优选是尽可能地小，以便减少间隔损耗(spacingloss)。一般地，该非磁性填充材料包括SiO₂、C、TiO、TiN等。

在本发明中，非磁性填充材料由基材34、35和阻挡材料36组成。所述基材由与常规非磁性填充材料的基材相同的材料构成。具体说，所述基材由C构成或由Si、Ta或Ti与O或N的化合物构成。所述阻挡材料由与基材不同的一种金属构成。具体说，阻挡材料至少包含从Mg、Al、Ti、V、Cu、Zn、Ga、Ge、Sr、Zr、Nb、Mo、In、Sn、Sb、Te、Be、Hf、Ta和W构成的组中选出来的一种元素。在基材由氧化物或者由一种含有氧作为杂质的材料(诸如SiN、TiN、或TaN)构成的情形中，有一种可能性，即，氧在沉积过程中被释放出来，释放出来的氧可以氧化磁性膜并使之退化。在基材由C构成而没有氧的情形中，有一种可能性，即，磁性膜由包含在处理气体(例如用于溅射的Ar气体)中的杂质气体(如O或H₂O)所氧化并产生退化。另一方面，在根据本发明的磁记录介质的情形中，由于填充材料中含有由金属构成的阻挡材料，而阻挡材料能优先被氧化，即，具有吸收氧的功能，因此就可以防止磁性膜的氧化。具体说，优选使用Mg、Al、Ti、Sr、Zr、In、Sn、Te、Ba、Hf、Ta或W，因为它们与氧的亲合性很高。此外，由于这样所形成的阻挡材料的氧化物含有稳定的化学键，该氧化层具有阻挡层的功能，能防止基底一侧中出现的元素扩散到表面一侧。

所述阻挡材料可以存在于非磁性填充材料中。在假设处理过程中不包含大量氧的情形中，只要少量的阻挡材料就足够了。图4显示了一种情况，其中，阻挡材料36以第一基材34和第二基材35之间的一层的形式存在。换言之，第一基材层34设置在衬层32之上，阻挡材料层36设置在第一基材层34之上，以及第二基材层35设置在阻挡材料层36之上。第一基材34和第二基材35可以相同，也可以不同。在材料相同的情况下，优点是制造过程被简化了。另一方面，在材料不同(包括它们的组分或精细结构不同的情形)的情况下，它们的功能可以彼此不同。例如，可以赋予第一基材34一种提高附着性和减弱内应力的功能，赋予第二基材35提高与保护层37的附着性的功能。

阻挡层36不必总是层状的，只要它在处理过程中能捕获氧就行。现在参考图5，描述根据本发明的第二实施例的被构图介质。在该图中，阻挡材料36的颗粒分散在第一基材34和第二基材35中。

并不总是使用两个基材。现在参考图6，描述根据本发明的第三个实施例的被构图介质。在该图中，阻挡材料层36设置在衬层32之上，基材层35设置在阻挡材料层36之上。同样在这种情形中，阻挡材料36可以是颗粒，和图5中的方式一样。此外，阻挡材料36的颗粒可以分散在一种基材34的中心部分。这对应着图5中第一基材34和第二基材35由相同材料构成的情形。

在图4到图6的任何一个图中，阻挡材料36可以设置在磁记录层33之上。然而，在磁记录层33之上的阻挡材料36优选是尽可能地薄，以便减少间隔损耗。

现在参考图7A、7B、7C、7D、7E和7F，描述根据本发明的第一实施例的被构图介质的制造方法。在这些图中，为了简单计，没有示出基底31。

首先，在衬层32上沉积一层磁性膜。通过用已知的工艺处理所述磁性膜而形成被构图的磁记录层32。此时，作为一种使磁性膜图形化的方法，可以使用诸如压印光刻或电子束光刻的技术(图7A)。接着，通过溅射之类的方法沉积第一基材34(图7B)。然后，通过溅射之类的方法沉积阻挡材料36(图7C)。进一步，通过溅射之类的方法沉积第二基材35(图7D)。

接着，通过蚀刻进行平坦化过程。此时，在基材由SiO₂构成的情形中，通过使用CF₄的RIE来进行平坦化。在基材由C构成的情形中，通过使用O的RIE来进行平坦化。可以采用Ar或类似物而不使用反应气体来进行溅射蚀刻，或者，可以采用在Ar或类似物中添加上述反应气体来进行反应溅射蚀刻。所述蚀刻可以在沉积第一基材34和/或第二基材35的同时进行。例如，可以进行偏置溅射，或者，进行偏置溅射时混合一种用于RIE的反应气体。通过这些蚀刻过程，在磁记录层33上几乎没有基材存在了，而另一方面，在磁记录层33的图形之间设置有了填充材料(图7E)。结果，与图7A所示的形成磁记录层33的图形之后的情形相比，表面不规则性变小了。磁头飞行状态在表面不规则性小的介质上是稳定的。之后，沉积一层保护层37(图7F)。

即使在上述过程中氧作为杂质是存在的，阻挡材料36也能捕获氧，使得磁记录层33的氧化得到抑制。根据回蚀处理的条件，阻挡材料36可以以层的形式被留下，或者，阻挡材料36能以颗粒的形式形成，而这些颗粒分散在基材中。无论在哪一种情形中，磁记录层33的氧化可以得到抑制。阻挡材料36也能防止衬层32中的元素扩散到表面。可以根据所用处理条件、衬层材料、磁记录层材料、以及介质成本来恰当地选择阻挡材料36的形态。例如，可以通过在上述过程中去掉沉积第一基材的过程来制造图6所示的衬层32之上没有设置第一基材的被构图介质。

本发明人也发现，通过用阻挡材料作氧陷阱可以制造出更稳定的被构图介质。下面参考图8A、8B、8C和8D描述被构图介质的制造方法。图8A对应着图7D。此时，作为阻挡材料36，所用的材料在随后回蚀中的蚀刻速率比基材34和35的蚀刻速率更高。

首先，蚀刻第二基材35。结果，阻挡材料36被暴露在磁记录层33之上(图8B)。通过使用等离子体谱或滤质器(mass filter)监视阻挡材料36的组分元素，可以探测到第二基材35的蚀刻终止点。基于初步的测试，第二基材35的蚀刻可以由时间来控制。在这个蚀刻中，可以使用稍稍含有氧或杂质的气体。例如，SiO₂或C可以在高压Ar中被高速蚀刻。另外，SiO₂可以在含CF₄的气氛中被蚀刻，或者C可以在含氧的气氛中被蚀刻。此时，阻挡材料36可以捕获杂质气体，从而可以防止在气体状态中杂质与基材相混合。

接着，在像氧这样的杂质的量较小的条件下进行蚀刻。例如，使用高纯Ar，以相对低的速率进行蚀刻。此时，由于阻挡材料36的蚀刻速率比基材34和35的蚀刻速率高，所以磁记录层33上的阻挡材料36首先被去掉。于是，可以进一步减小表面不规则性(图8C)。然后，在损伤较小的条件下进行蚀刻，当磁记录层33被完全暴露出来后或者在磁记录层33上剩有少量基材时，停止蚀刻(图8D)。之后，沉积保护层37，如图7F所示。

在上述制造方法中，第二基材34可以被去掉，如图9A所示。或者，阻挡材料36可以被去掉，如图9B所示。在图9B的情形中，尽管不能期望在保护层的沉积过程中防止氧化的功能以及抑制元素从衬层中扩散出来的功能，但是介质的成本可以降低，因为不需要沉积厚的阻挡材料或第二基材了。

参考图8A、8B、8C和8D所描述的被构图介质的制造方法的主要目的是，使用一种金属作为阻挡材料，其中该金属的蚀刻速率比基材的蚀刻速率要高，在阻挡材料上沉积基材，然后进行蚀刻。可以进行也可以不进行沉积第一基材的过程。

日本专利申请KOKAI公开No.2005-135455公布了一种方法，类似于图8A、8B、8C和8D中描述的根据本发明的被构图介质的制造方法。在该文件中，使用终止层、下非磁性膜和上非磁性膜的层叠作为非磁性填充材料。然而，终止层的蚀刻速率比非磁性膜的蚀刻速率要低。在这一方面，所公布的方法与本发明中的方法具有相反的关系。如该文件中所公布的，广泛使用蚀刻速率很低的终止层，以便通过蚀刻进行平坦化，因此，该技术很容易实现。相反，本发明采用与上述技术具有相反关系的阻挡材料和基材，并且不能基于常规技术容易地实现。此外，在上述文件所描述的制造方法中，由于终止层的蚀刻速率较低，该终止层不可避免地会剩在磁性膜上。所以，不能获得如本发明中的图4、5和6所示的结构。尽管上述文件中描述了磁性膜上的终止层可以被去掉，但它没有具体公布这是如何实现的。因此，这样一种方法似乎实质上是不可能的。

例子

例1

在本例中，制造如图4所示的被构图介质。在1.8英寸的玻璃盘基底上沉积下列薄膜。膜的构造如下：玻璃基底/由80nm厚的CoZrNb构成的软衬层/由5nm厚的Ti构成的中间层/由10nm厚的Ru构成的中间层/由15nm厚的CoCrPt-SiO₂构成的磁记录层。在这个结构上，用溅射法沉积5nm厚的碳作为保护层。

在保护层上，用旋涂法施加一层抗蚀剂。用SOG(spin-on-glass，旋涂玻璃)作抗蚀剂，它能在高温下通过烧结变为SiO₂。用下面描述的压印光刻法来制造被构图介质。提前准备好Ni压模。所述Ni压模具有：对应着离散磁道介质的图形，其中，伺服信号和记录磁道已经由凸起形成；以及对应着离散比特介质(比特图形介质)的图形，其中，伺服信号和比特图形已经由凸起形成。所述压模使用类似于制造DVD压模的技术来制造。所述压模在2000bar下紧压抗蚀剂60秒，以便将所述图形转印到抗蚀剂上(压印)。为了保留被压印的SOG上的凸起，在450℃下进行高温烧结。在氧中暴露的处理过程对于保留SOG上的凸起也是有效的。应该注意，抗蚀剂不限于SOG，还可以使用：烷氧铝(aluminum alkoxide)或者分散有氧化铝颗粒的抗蚀剂，它能通过在氧中暴露或者在高温下烧结而变成铝氧土(alumina)；分散有氧化钛颗粒的抗蚀剂，它能通过在氧中暴露或者在高温下烧结而变成二氧化钛(titania)。

之后，顺序层叠第一基材34、阻挡材料36、和第二基材35，然后通过蚀刻进行平坦化。在平坦化过程之后，用CVD沉积由C组成的保护层37，然后加一层润滑剂。表1显示了用作第一基材、阻挡材料和第二基材的材料。

就所制造的介质，用断面TEM(透射电子显微镜)观察了基材的显微结构。用EDX识别元素时发现，基材中出现了阻挡材料。根据基材或层叠结构的差异，阻挡材料形成颗粒状或层状。表1显示了阻挡材料是形成颗粒状还是形成层状。“对照例”表示只用了单一的基材所制成的介质。“控制”表示普通的HDD介质，而不是被构图介质。

用Kerr效应测量来估计介质的磁特性。成核场(nucleation field)Hn被用来作为一个评估项目，因为该值很好地反映了由于氧化而产生的磁特性的退化所导致的变化。通过在半径为16mm的圆周上的八个点处测量Hn值然后将其平均来确定Hn值。表1显示了Hn值。

此外，使用安装了介质的驱动器来进行飞行测试，该驱动器中磁头滑块的飞行高度为9nm(平均值为9nm，偏差±1nm)。

图10是一个透视图，显示了根据本发明的实施例的磁记录/再现装置(HDD)。所述磁记录装置在装盒50中包括，磁记录介质11、用来使磁记录介质11转动的主轴电动机51、含有读写头的磁头滑块55、用来支撑磁头滑块55的磁头悬件组件(悬件54和致动器臂53)、音圈马达(VCM)56、和电路板。磁记录介质11安装在主轴电动机51上并随之转动，在磁记录介质11上依照垂直磁记录系统记录着各种数字化数据。装在磁头滑块55中的磁头是所谓的复合头，包括具有单极结构的写磁头和采用GMR膜或TMR膜的读磁头。悬件54安置在致动器臂53的一端，磁头滑块55由悬件54支撑，面向磁记录介质11的记录面。致动器臂53被附着到枢轴52上。作为致动器的音圈马达(VCM)56设置于致动器臂53的另一端。磁头悬件组件由音圈马达(VCM)56驱动，并且磁头被定位在磁记录介质11上的任意的径向位置。电路板装有磁头IC，产生用于音圈马达(VCM)的驱动信号，并产生控制信号用于控制由磁头进行的读/写操作。

如下面所述进行飞行测试，用来估计是否有由元素弥散引起的凸起。介质在60℃和80％RH的环境中存放一个月，然后进行两个小时的连续操作。之后，进行AE(acoustic emission，声发射)测量。在AE测试中，如果在10分钟的飞行操作中观察到了与转动同步的信号，那么就能判断出存在不能去掉的凸起，这种凸起的出现就被确定为“不合格”。AE测试栏就显示“合格”和“不合格”。

如表1中所清楚看到的，如果阻挡材料存在于基材中，磁性膜的氧化就得到抑制，导致Hn只有轻微的变化。与控制样品的2.5kOe相比，Hn轻微地降低了，这表明了一种可能性，即，引起了轻微的氧化。然而，如果Hn只降低到这个程度，那么，只要这种介质不用于高密度硬盘驱动器中，这种介质就不会有问题。另一方面，在对照例中，Hn减小为负值，这对应着正的外磁场。所以，可以假设，氧化或类似情况引起了磁特性的大的变化。此外，根据本发明的实施例的在填充材料中含有阻挡材料的所有的被构图介质在AE测试中都被确定为“合格”。从这些结果中发现，填充材料中的阻挡材料具有防止由元素沉淀导致的凸起的形成的效果。甚至在第一基材和第二基材使用不同材料的情形中也能获得这些效果。

当使用置于0.7atm的减弱的压强下的HDD进行类似的AE测试时，一些在填充材料中含有阻挡材料的被构图介质被确定为“不合格”。在这些不合格的被构图介质中，防止元素沉淀的效应似乎微微受到弱化。然而，0.7atm的条件是非常苛刻的，是车载HDD所要求的，在这个AE测试中失败的被构图介质可以充分地用于正常的使用中。

表1

	第一基材	阻挡材料	第二基材	阻挡材料的形态	Hn(kOe)	AE测试
	第一基材	阻挡材料	第二基材	阻挡材料的形态	Hn(kOe)	AE测试	例	Cu	Fe	Cu	层	2	合格
例	Cu	Tb	Cu	颗粒	1.7	合格	例	Cu	Fe	Cu	层	2	合格
例	Cu	Tb	Cu	颗粒	1.7	合格	例	Cu	Nd	Cu	层	1.9	合格
例	Cu	Bi	Cu	颗粒	1.7	合格	例	Cu	Nd	Cu	层	1.9	合格
例	Cu	Bi	Cu	颗粒	1.7	合格	例	SiAlON	Fe	SiAlON	颗料	1.6	合格
例	SiAlON	Tb	SiAlON	颗粒	1.4	合格	例	SiAlON	Fe	SiAlON	颗料	1.6	合格
例	SiAlON	Tb	SiAlON	颗粒	1.4	合格	例	ZrO	Nd	ZrO	颗粒	1.6	合格
例	ZrO	Bi	ZrO	颗粒	1.4	合格	例	ZrO	Nd	ZrO	颗粒	1.6	合格
例	ZrO	Bi	ZrO	颗粒	1.4	合格	例	Cu	Fe	CuTa	层	1.9	合格
例	Cu	Tb	CuTa	层	1.7	合格	例	Cu	Fe	CuTa	层	1.9	合格
例	Cu	Tb	CuTa	层	1.7	合格	例	Cu	Nd	CuTa	层	1.8	合格
例	Cu	Bi	CuTa	层	1.5	合格	例	Cu	Nd	CuTa	层	1.8	合格
例	Cu	Bi	CuTa	层	1.5	合格	对照例	Cu	-	-	-	-0.2	不合格
对照例	SiAlON	-	-	-	-0.8	不合格	对照例	Cu	-	-	-	-0.2	不合格
对照例	SiAlON	-	-	-	-0.8	不合格	对照例	ZrO	-	-	-	-0.5	不合格
对照例	Cu	-	-	-	-1.2	不合格	对照例	ZrO	-	-	-	-0.5	不合格
对照例	Cu	-	-	-	-1.2	不合格	控制	-	-	-	-	2.5	合格

例2

制造了构造类似于例1的被构图介质和磁记录/再现装置。然而，C、SiO₂、TaO、或TiN被用作基材，而Fe、Tb、Nd或Bi被用作阻挡材料。

表2显示了用于第一基材、阻挡材料和第二基材的材料。表2也显示了进行类似于例1中的估计所获得的结果。根据基材所用材料、层叠结构、或阻挡材料所用材料，阻挡材料可以形成颗粒状或形成层状。阻挡材料的形态似乎受材料之间的浸润性或者受沉积中颗粒能量的差异的影响。和例1一样，尽管根据本发明的实施例的在填充材料中含有阻挡材料的被构图介质显示了Hn有轻微的降低，但这种降低在可允许范围内，并且它们通过了AE测试。在减弱的压强之下进行的AE测试中，有一种倾向，即，使用由氧化物构成的基材的介质很可能会“不合格”，但这些结果的详细原因还不清楚。如上所述，即使在减弱的压强下进行的AE测试的结果是“不合格”，也不会有什么问题发生，因为产品的质量在某种程度上是有保证的。

在例2中，与例1相比，Hn降低的程度减小了。其原因被认为是，由于使用了不同的基材，磁性层的氧化受到了抑制。由于考虑到系统的性能，较高的Hn是有利的，所以发现使用C、SiO₂、TaO或TiN作为基材是优选的。在第一基材和第二基材使用不同材料的情形中能够获得这些效果。

表2

	第一基材	阻挡材料	第二基材	阻挡材料的形态	Hn(kOe)	AE测试	减压下的AE测试
	第一基材	阻挡材料	第二基材	阻挡材料的形态	Hn(kOe)	AE测试	减压下的AE测试	例	C	Fe	C	层	2	合格	合格
例	C	Tb	C	层	2.3	合格	合格	例	C	Fe	C	层	2	合格	合格
例	C	Tb	C	层	2.3	合格	合格	例	C	Nd	C	层	2.1	合格	合格
例	C	Bi	C	颗粒	2	合格	合格	例	C	Nd	C	层	2.1	合格	合格
例	C	Bi	C	颗粒	2	合格	合格	例	SiO₂	Fe	SiO₂	颗粒	2.3	合格	不合格
例	SiO₂	Tb	SiO₂	层	2.5	合格	不合格	例	SiO₂	Fe	SiO₂	颗粒	2.3	合格	不合格
例	SiO₂	Tb	SiO₂	层	2.5	合格	不合格	例	TaO	Nd	C	层	2.2	合格	不合格
例	TaO	Bi	C	颗粒	2.2	合格	不合格	例	TaO	Nd	C	层	2.2	合格	不合格
例	TaO	Bi	C	颗粒	2.2	合格	不合格	例	C	Fe	TiN	层	2.1	合格	合格
例	C	Tb	TiN	层	2	合格	合格	例	C	Fe	TiN	层	2.1	合格	合格
例	C	Tb	TiN	层	2	合格	合格	控制	-	-	-	-	2.5	合格	合格

例3

制造了构造类似于例1的被构图介质和磁记录/再现装置。然而，Cu、CuTa、或SiAlON被用作基材，Mg、Al、Ti、V、Cu、Zn、Ga、Ge、Sr、Zr、Nb、Mo、In、Sn、Sb、Te、Ba、Hf、Ta或W被用作阻挡材料。

表3显示了用于第一基材、阻挡材料和第二基材的材料。表3也显示了进行类似于例1中的估计所获得的结果。根据基材所用材料、层叠结构或阻挡材料所用材料，该阻挡材料可以形成颗粒状或形成层状。和例1一样，尽管根据本发明的实施例的在填充材料中含有阻挡材料的被构图介质显示了Hn有轻微的降低，但这种降低在可允许范围内，并且它们通过了AE测试。和例2一样，在减弱的压强之下进行的AE测试中，有一种倾向，即，使用由氧化物构成的基材的介质很可能会“不合格”，但这些结果的详细原因也还不清楚。如上所述，即使在减弱的压强下进行的AE测试的结果是“不合格”，也不会有什么问题发生，因为产品的质量在某种程度上是有保证的。

在例3中，与例1相比，Hn降低的程度减小了。例3中的Hn与例2中的Hn在同一个水平上。即使在例3中，也假设与例2一样获得了抑制磁层氧化的效果。然而，要使用例2和例3中的哪些被构图介质要根据系统所需规格或根据制造介质的容易程度来恰当地选择。即使在第一基材和第二基材使用不同材料的情形中也能获得这些效果。

表3

	第一基材	阻挡材料	第二基材	阻挡材料的形态	Hn(kOe)	AE测试	减压下的AE测试
	第一基材	阻挡材料	第二基材	阻挡材料的形态	Hn(kOe)	AE测试	减压下的AE测试	例	Cu	Mg	Cu	层	2.2	合格	合格
例	Cu	Al	Cu	层	2.3	合格	合格	例	Cu	Mg	Cu	层	2.2	合格	合格
例	Cu	Al	Cu	层	2.3	合格	合格	例	Cu	Ti	Cu	层	2.1	合格	合格
例	Cu	V	Cu	层	2	合格	合格	例	Cu	Ti	Cu	层	2.1	合格	合格
例	Cu	V	Cu	层	2	合格	合格	例	Cu	Zn	Cu	层	2.3	合格	合格
例	Cu	Ga	Cu	层	2.1	合格	合格	例	Cu	Zn	Cu	层	2.3	合格	合格
例	Cu	Ga	Cu	层	2.1	合格	合格	例	Cu	Ge	Cu	层	2	合格	合格
例	Cu	Sr	Cu	层	2.3	合格	合格	例	Cu	Ge	Cu	层	2	合格	合格
例	Cu	Sr	Cu	层	2.3	合格	合格	例	Cu	Zr	Cu	层	2.1	合格	合格
例	Cu	Nb	Cu	层	2	合格	合格	例	Cu	Zr	Cu	层	2.1	合格	合格
例	Cu	Nb	Cu	层	2	合格	合格	例	Cu	Mo	Cu	层	2.3	合格	合格
例	Cu	In	Cu	层	2.1	合格	合格	例	Cu	Mo	Cu	层	2.3	合格	合格
例	Cu	In	Cu	层	2.1	合格	合格	例	Cu	Sn	Cu	层	2	合格	合格

例	Cu	Sb	Cu	层	2.3	合格	合格
例	Cu	Sb	Cu	层	2.3	合格	合格	例	Cu	Te	Cu	层	2.1	合格	合格
例	Cu	Ba	Cu	层	2	合格	合格	例	Cu	Te	Cu	层	2.1	合格	合格
例	Cu	Ba	Cu	层	2	合格	合格	例	Cu	Hf	Cu	层	2.3	合格	合格
例	Cu	Ta	Cu	层	2.1	合格	合格	例	Cu	Hf	Cu	层	2.3	合格	合格
例	Cu	Ta	Cu	层	2.1	合格	合格	例	Cu	W	Cu	层	2	合格	合格
例	SiAlON	Mg	SiAlON	颗粒	2.3	合格	不合格	例	Cu	W	Cu	层	2	合格	合格
例	SiAlON	Mg	SiAlON	颗粒	2.3	合格	不合格	例	SiAlON	Cu	SiAlON	颗粒	2.5	合格	不合格
例	ZrO₂	Mg	ZrO₂	颗粒	2.2	合格	不合格	例	SiAlON	Cu	SiAlON	颗粒	2.5	合格	不合格
例	ZrO₂	Mg	ZrO₂	颗粒	2.2	合格	不合格	例	ZrO₂	Al	ZrO₂	颗粒	2.2	合格	不合格
例	Cu	Al	CuTa	层	2.1	合格	合格	例	ZrO₂	Al	ZrO₂	颗粒	2.2	合格	不合格
例	Cu	Al	CuTa	层	2.1	合格	合格	例	Cu	Al	CuTa	层	2	合格	合格
控制	-	-	-	-	2.5	合格	合格	例	Cu	Al	CuTa	层	2	合格	合格

例4

制造了构造类似于例1的被构图介质和磁记录/再现装置。然而，SiO₂或C被用作基材，Mg、Al或Ti被用作阻挡材料。在第一基材、阻挡材料和第二基材作为填充材料被顺序沉积之后，通过使用Ar离子的离子铣削来回蚀所述填充材料。此时，利用一个简化的离子分析装置(MALIN系列，ULVAC制造)来实时监视阻挡材料的蚀刻是否发生。该离子分析装置甚至在溅射气压下也能进行离子质量分析。尽管只能测量质量数最高为37的离子，但是能够分析本例中所用的阻挡材料，因此，使得能够进行实时探测。在实践中，提前获得蚀刻量和由质量分析所得到的探测量之间的关系，用这个关系来控制蚀刻。

表4显示了用于第一基材、阻挡材料和第二基材的材料。表4也显示了进行类似于例1中的估计所获得的结果。TEM观察的结果是，所有的阻挡材料都形成了一个层。这是因为沉积的阻挡层稍厚，使得可以由质量分析探测到理想的蚀刻量。与例1到例3不同，本例中被构图介质的Hn增加了。这被认为是因为本例中所选择的基材和阻挡材料的组合是理想的，并且磁性膜的氧化几乎完全被抑制了。另外，在磁性膜被理想地图形化的情况中，被构图形状接近矩形，导致退磁场的减少。Hn的增加似乎是由于这些原因。此外，在减弱压强下的AE测试中以及在正常压强下的AE测试中，所有的装置都合格了。这些结果的获得似乎是因为由阻挡材料产生的抑制元素洗脱的效果提高了。有一种可能性，即，低程度的氧化会导致磁头-磁盘界面(HDI)特性的提高。即使在第一基材和第二基材使用不同材料的情形中也能获得这些效果。如在本例中发现，使用SiO₂或C作第一和第二基材、同时使用Mg、Al、或Ti作阻挡材料的介质中能够获得作为硬盘驱动器的最佳特性。

表4

	第一基材	阻挡材料	第二基材	阻挡材料的形态	Hn(kOe)	AE测试	减压下的AE测试
	第一基材	阻挡材料	第二基材	阻挡材料的形态	Hn(kOe)	AE测试	减压下的AE测试	例	C	Mg	C	层	2.9	合格	合格
例	C	Al	C	层	2.8	合格	合格	例	C	Mg	C	层	2.9	合格	合格
例	C	Al	C	层	2.8	合格	合格	例	C	Ti	C	层	3	合格	合格
例	SiO₂	Mg	C	层	3	合格	合格	例	C	Ti	C	层	3	合格	合格
例	SiO₂	Mg	C	层	3	合格	合格	例	SiO₂	Al	C	层	2.8	合格	合格
例	SiO₂	Ti	C	层	3	合格	合格	例	SiO₂	Al	C	层	2.8	合格	合格
例	SiO₂	Ti	C	层	3	合格	合格	例	C	Mg	SiO₂	层	2.7	合格	合格
例	C	Al	SiO₂	层	2.8	合格	合格	例	C	Mg	SiO₂	层	2.7	合格	合格
例	C	Al	SiO₂	层	2.8	合格	合格	例	C	Ti	SiO₂	层	2.7	合格	合格
例	SiO₂	Mg	SiO₂	层	2.9	合格	合格	例	C	Ti	SiO₂	层	2.7	合格	合格
例	SiO₂	Mg	SiO₂	层	2.9	合格	合格	例	SiO₂	Al	SiO₂	层	2.8	合格	合格
例	SiO₂	Ti	SiO₂	层	2.7	合格	合格	例	SiO₂	Al	SiO₂	层	2.8	合格	合格
例	SiO₂	Ti	SiO₂	层	2.7	合格	合格	例	SiO₂	Mg	SiO₂	层	2.8	合格	合格
例	SiO₂	Al	SiO₂	层	2.7	合格	合格	例	SiO₂	Mg	SiO₂	层	2.8	合格	合格
例	SiO₂	Al	SiO₂	层	2.7	合格	合格	例	SiO₂	Ti	SiO₂	层	2.7	合格	合格
控制	-	-	-	-	2.5	合格	合格	例	SiO₂	Ti	SiO₂	层	2.7	合格	合格

对那些本领域技术人员来说，容易发现其它的优点和修正。所以，本发明就其更广泛的方面而言不限于这里所显示和描述的具体细节和有代表性的实施例。因此，可以进行各种修正而不偏离由附属权利要求书及其等价说法所定义的总的发明性概念的精神或范围。

Claims

1.一种被构图介质，其特征在于包括：

被处理成用于磁道、伺服区或数据区的图形的磁性膜(33)；以及

被填充在所述磁性膜(33)上的用于磁道、伺服区或数据区的各图形之间的非磁性填充材料，该填充材料包括基材(34、35)和由不组成所述基材(34、35)的金属构成的阻挡材料(36)。

2.根据权利要求1所述的被构图介质，其特征在于，所述基材(34、35)由C构成或由Si、Ta或Ti与O或N的化合物构成。

3.根据权利要求1所述的被构图介质，其特征在于，所述阻挡材料(36)由从Mg、Al、Ti、V、Cu、Zn、Ga、Ge、Sr、Zr、Nb、Mo、In、Sn、Sb、Te、Ba、Hf、Ta和W构成的组中选出来的至少一种金属形成。

4.根据权利要求1所述的被构图介质，其特征在于，所述阻挡材料(36)形成一个层。

5.根据权利要求1所述的被构图介质，其特征在于，所述填充材料的结构为第一基材(34)、阻挡材料(36)和第二基材(35)相互层叠。

6.被构图介质的制造方法，其特征在于包括：

将磁性膜(33)处理成用于磁道、伺服区或数据区的图形；

沉积阻挡材料(36)和基材(34、35)，以在所述磁性膜(33)的用于磁道、伺服区或数据区的各图形之间和之上形成非磁性填充材料；以及

蚀刻在所述磁性膜(33)的所述图形之上的所述基材(34、35)和所述阻挡材料(36)，所述阻挡材料(36)的蚀刻速率高于所述基材(34、35)的蚀刻速率。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，沉积第一基材(34)、阻挡材料(36)和第二基材(35)。

8.一种磁记录/再现装置，其特征在于包括：

根据权利要求1所述的被构图介质(11)；以及

结合在滑块(55)中的读写头，其设计的飞行高度为15nm或更小。