CN101080143A - 去除基板外围金属残余的方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一光阻层涂布在阵列基板上，利用光罩移转检测线路的引线的图案后，接着再一次曝光将阵列基板外围光阻层去除，可有效解决金属残余造成的检测信号短路问题，并且不会增加光罩的曝光次数。

Description

去除基板外围金属残余的方法

技术领域

本发明涉及一种去除基板外围金属残余的方法，特别是提供一种在制造基板的导电层时去除基板外围金属残余的方法。

背景技术

一般在液晶显示器的阵列(Array)基板制程中进行光阻涂布时，光阻涂布厚度的分布是基板外围较基板中心厚，因此在进行阵列基板后续制程之前会利用外围曝光技术，先将外围厚度较厚的光阻去除，避免造成后续的制程不良，且此技术会运用至所有的阵列基板制程中光阻涂布至面板曝光后的阶段进行。但是，此技术的缺点在于其路光精度误差约为±550um，无法达到路光机的精度误差±0.8um的要求。

请参阅图1所示为现有技术使用拼接式光罩搭配外围路光技术进行阵列基板制程中的曝光、显影、蚀刻后，会在母基板12外围与阵列基板14间形成外围金属残余18，当外围金属残余18与阵列基板14上的电路图案(Pattern)16相接触时，会造成阵列基板14中的信号短路，如区域A所示。现有技术是在阵列基板14曝光时，利用光罩上的空白图样在阵列基板14与母基板12外围会形成短路的区域A进行曝光，接着进行光阻的显影和金属蚀刻制程，将短路的线路去除，解决外围金属残余18造成的信号短路问题。其缺点为，当外围金属残余18形成短路问题时，需增加曝光次数将母基板12外围形成的外围金属残余18去除，增加阵列基板14制作时间，降低经济效益，此外，因外围路光机的精度限制，无法有效地解决外围金属残留的问题。

在面板3.5的生产线上，基于成本考量，中小尺寸面板的设计一般皆考虑密集或无间隙的排版；而电路在玻璃上的方式(chip-on-glass，COG type)也是主流方向。在此限制之下，IC内部无足够空间置入大型尺寸机台，例如日本公司(MJC)的探针脚位的设计，而仅能以简易点灯的探针脚位设计，如PDI(美国的圣荷西PDI公司，Photon DynamicsINC.)检测回路。利用PDI检测回路进行阵列线路检查时需要：〔1〕面板外围检查线路、〔2〕外围路光余裕度设计。

PDI的检测回路搭配拼接式光罩的设计可在制作完成后进行阵列基板良率全面检查，但在实际机种的设计与生产过程中，在每一道光阻涂布完成，进行光罩曝光之后，会利用外围路光机将基板外围厚度不均匀的光阻利用曝光显影的方式移除后，再进行蚀刻。但是外围路光机的移动精度为±550um。故若仅使用重叠区域延伸3～10um的设计方式，将无法解决外围金属残余造成PDI检测回路的短路问题。

现有技术是在阵列基板曝光时，利用光罩上的空白图案在阵列基板和母基板外围接近短路部分进行曝光，接着进行光阻的显影和金属蚀刻制程，解决外围金属残留造成的信号短路问题，但此种方式会增加曝光次数，延长制作时间，增加制作成本。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足与缺陷，减少光罩的曝光次数，本发明的一实施例提出一种去除基板外围金属残余的方法。利用光罩上的特殊设计，可有效解决金属残留在阵列基板与母基板的连接处，避免造成检测信号短路问题。

为了解决光罩的曝光次数，本发明的一实施例还提供一种去除基板外围金属残余的方法。通过二次曝光的方式解决金属残留的问题，减少继续再曝光的程序，可降低成本及时间以提高经济效益。

为达到上述目的，本发明提供一种去除基板外围金属残余的方法，包括步骤：沉积一导电层在一基板上，该导电层在该基板上设有数个检测线路延伸至该基板外缘；涂布一光阻层在该基板上；对该光阻层进行曝光将该检测线路上的光阻去除，再对该基板进行外围曝光，最后产生一光阻图案；对该光阻图案进行显影，并以该光阻图案作为蚀刻液的屏障，进行金属蚀刻，将该导电层不需要的区域去除；及将该光阻图案剥离，进行后续清洗。

附图说明

图1为现有技术的阵列基板上导电层有外围金属残余的示意图。

图2为液晶面板导电层制造方法流程图；

图3a为在阵列基板上沉积一金属层后的上视图；

图3b为图3a的AA’剖视图；

图4a为光阻层涂布在金属层后的上视图；

图4b为图4a的沿AA’切线剖视图；

图5a为光阻层曝光及其外围路光后的上视图；

图5b为图5a的沿AA’切线剖视图；

图6a为第二次曝光后的上视图；

图6b为图6a的沿AA’切线剖视图；

图7a为一具有图案的金属层留在阵列基板的上视图；

图7b为图7a的沿AA’切线剖视图。

图中符号说明

12          大基板

14          面板

16          电路图案

18          外围金属残余

22          光阻层

24          第一金属层

26          阵列基板

28、28’    检测线路

具体实施方式

液晶显示装置的下基板，亦称为薄膜晶体管(TFT)阵列基板，包括：第一金属层、半导体层、第二金属层、绝缘层与像素电极层。其中，本发明对于第一金属层的成膜方法如图2所示，步骤S200沉积一金属层在阵列基板上，请同时参阅图3a，以金属镀膜方式将第一金属层24镀在阵列基板26上，并设置数个检测线路延伸至阵列基板26边缘，检测线路为具有导电性的金属线，且与金属层24为同一层，延AA’切线剖视图如图3b所示；其中，阵列基板26为一母基板的部分并由透明材质所组成，如玻璃等。

步骤S201布设一光阻层，请同时参阅图4a，在第一金属层24上形成一层光阻层22，沿AA’切线剖视图如图4b所示，光阻层22外围的光阻厚度较中心部份厚，必须利用外围路光机将阵列基板26外围厚度不均匀的光阻利用曝光显影的方式移除，使得光阻层22均匀分布在第一金属层24上。其中，光阻层22以涂布或印刷的方式布设在第一金属层24上。

步骤S202对光阻层曝光及其外围路光，请同时参阅图5a，利用光罩图案(pattern)对金属引线末端进行微影与移除，使得金属线末端的光阻层22去除，曝路出金属引线28、28’，沿AA’切线剖视图如图5b所示。接着，执行阵列基板26外围光阻路光，将阵列基板26周围进行第二次曝光，再去除阵列基板26外围的光阻层，结果如图6a所示，其沿AA’切线剖视图如图6b所示。

步骤S203对光阻图案形进行显影，以光阻显影及金属蚀刻方式将欲保留的金属部分留在玻璃基板26上，最后步骤S204将光阻层剥离，进行后续清洗，如图7a为一具有图案的金属层24留在阵列基板26上，延AA’切线剖视图则如图7b所示。

另外，再接着对半导体层、第二金属层及电极层作相同的流程，利用光罩上的图案进行曝光，不但可将检测线路连接引出至检测的焊垫(pad)，同时可避免因外围路光的金属残余形成的检测回路短路，并可减少曝光次数，缩短制作时程，增加经济效益。

根据上述，本发明的特征之一在于利用光罩上的图案设计，让检测线路向外延伸1100um以上，并搭配外围路光机，在面板和基板外围进行第二次曝光，如此可有效解决金属残留造成的检测信号短路问题，并且不会增加光罩的曝光次数，有效地减少光罩的曝光次数，提高经济效益。

以上所述的实施例仅为说明本发明的技术思想及特点，其目的在使本领域技术人员能够了解本发明的内容并据以实施，当不能以之限定本发明的保护范围，即大凡依本发明所揭示的精神所作的均等变化或修饰，仍应涵盖在本发明的专利范围内。

Claims (12)

1.一种去除基板外围金属残余的方法，其特征在于，包括步骤：

沉积一导电层在一基板上，该导电层在该基板上设有数个检测线路延伸至该基板外缘；

涂布一光阻层在该基板上；

对该光阻层进行曝光将该检测线路上的光阻去除，再对该基板进行外围曝光，最后产生一光阻图案；

对该光阻图案进行显影，并以该光阻图案作为蚀刻液的屏障，进行金属蚀刻，将该导电层不需要的区域去除；及

将该光阻图案剥离，进行后续清洗。

2.如权利要求1所述的去除基板外围金属残余的方法，其中，该基板为一阵列基板，且该基板为一母基板的部分，该基板为一透明材质所组成。

3.如权利要求2所述的去除基板外围金属残余的方法，其中，该基板为一玻璃板。

4.如权利要求1所述的去除基板外围金属残余的方法，其中，所述的检测线路为具有导电性的金属线。

5.如权利要求1所述的去除基板外围金属残余的方法，其中，该光阻层是以涂布或印刷的方式布设在该基板上。

6.如权利要求1所述的去除基板外围金属残余的方法，其中，该光阻层除去步骤，是使用反应性离子蚀刻系统。

7.如权利要求1所述的去除基板外围金属残余的方法，其中，该光阻层除去步骤，是使用紫外线灰化系统。

8.如权利要求1所述的去除基板外围金属残余的方法，其中，对该基板进行外围曝光是使用外围路光机实施。

9.如权利要求1所述的去除基板外围金属残余的方法，其中，该基板上有一金属层。

10.如权利要求1所述的去除基板外围金属残余的方法，其中，该基板上有一金属层和一半导体层。

11.如权利要求1所述的去除基板外围金属残余的方法，其中，该基板上有一第一金属层、一第二金属层与一半导体层介于该第一金属层与该第二金属层之间。

12.如权利要求1所述的去除基板外围金属残余的方法，其中，该基板上有一第一金属层、一第二金属层与一半导体层介于该第一金属层与该第二金属层之间、一绝缘层位于该第二金属层上，及一电极层位于该绝缘层上。

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