CN101079597A - 一种射频发射器及其中的驱动器放大电路 - Google Patents

一种射频发射器及其中的驱动器放大电路 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种双功率模式的发射器，用于在该发射器从正常运行模式切换到低功率运行模式时实现节能。该双功率模式发射器通过控制输入级引起的电流量来节能。可选地，发射器可通过调节输入级的输出节点处的电压来节能。

Description

一种射频发射器及其中的驱动器放大电路
技术领域
本发明涉及双功率模式的发射器(transmitter)，更具体地说，涉及能够以正常功率模式和低功率模式工作的发射器。
背景技术
电池体积是限制小型移动设备的制造的一个主要约束。围绕这种限制并将移动设备做得更小的一种设计方式是，使用小型电池，同时提高移动设备的功率效率(power efficiency)。在装配有无线通信功能的移动设备中，例如移动电话、个人数字助理(PDA)和膝上型电脑中，该系统的放大级是其中一个消耗大部分功率的主要电路元件。
通常，移动设备包括放大级，放大级包括可编程增益放大器或缓冲器、功率放大驱动器或驱动放大器以及功率放大器。放大级通常被配置为提供特定功率输出，该输出被优化为适合移动设备的用途。。但是，这种功率输出优化是恒定的。因此，当移动设备进入低功率模式时，放大级仍然消耗与其处于正常或者高功率模式时相同数量的电能。
因此，期待一种具有多种功率操作模式的放大级，例如正常功率模式和低功率模式。还期待一种在低功率模式时消耗较少电能的放大级。
发明内容
本发明的一方面提供一种射频(RF)发射器，包括：
增益控制级，其用于输出具有预设功率水平的RF信号；以及
可调放大级，其用于接收RF信号，该可调放大级配置为放大RF信号并输出具有输出功率水平的放大信号，其中，所述输出功率水平是可调节的且独立于所接收的RF信号的预设功率水平的任何调节。
优选地，所述可调放大级是可调驱动放大器。
优选地，所述可调放大级包括：
第一多个射地-基地级(cascode stage)，每个射地-基地级具有第一端子(terminal)和第二端子，所述第一端子与第一节点连接，所述第二端子与第二节点连接；以及
第二多个射地-基地级，每个射地-基地级具有第三端子和第四端子，所述第三端子与第三节点连接，所述第四端子与第四节点连接；
其中，所述第一多个射地-基地级和第二多个射地-基地级中，相同数量的射地-基地级被偏压。
优选地，第一射地-基地级包括：
第一晶体管，其漏极连接到所述第一节点，栅极连接到偏压控制电路(bias control circuit)；以及
第二晶体管，其漏极连接到所述第一晶体管的源极，其源极连接到
所述第二节点，其栅极连接到第一输入信号；以及
第二射地-基地级包括：
第三晶体管，其漏极连接到所述第三节点，其栅极连接到偏压控制电路；以及
第四晶体管，其漏极连接到所述第三晶体管的源极，其源极连接到
所述第四节点，其栅极连接到第二输入信号。
优选地，所述第一输入信号是所述RF信号的同相信号部分。
优选地，所述第二输入信号与所述第一输入信号异相90°。
根据本发明的另一方方面，提供一种驱动器放大电路，包括：
偏压控制电路；
第一多个射地-基地级，每个射地-基地级具有第一端子、第二端子和第一偏压端子，所述第一端子连接到第一节点，所述第二端子连接到第二节点，所述第一偏压端子连接到所述偏压控制电路；以及
第二多个射地-基地级，每个射地-基地级具有第三端子、第四端子和第二偏压端子，所述第三端子连接到第三节点，所述第四端子连接到第四节点，所述第二偏压端子连接到所述偏压控制电路；
其中，所述第一多个射地-基地级和第二多个射地-基地级中，相同数量的射地-基地级被所述偏压控制电路偏压，以调节所述第一和第三节点上的各自输出电流。
优选地，所述第一多个射地-基地级中的每个射地-基地级包括：
第一晶体管，其漏极连接到第一节点，其栅极连接到偏压控制电路；
以及
第二晶体管，其漏极连接到所述第一晶体管的源极，其源极连接到
第二节点，其栅极连接到第一输入信号；以及
所述第二多个射地-基地级中的每个射地-基地级包括：
第三晶体管，其漏极连接到第三节点，其栅极连接到偏压控制电路；
以及
第四晶体管，其漏极连接到所述第三晶体管的源极，其源极连接到
所述第四节点，其栅极连接到第二输入信号。
优选地，每个所述驱动器放大器级中的每个晶体管具有近似相同的大小。
优选地，每个所述驱动器放大器级的大小彼此不同。
优选地，所述偏压控制电路使用共同的偏压信号来偏压所述第一多个射地-基地级和第二多个射地-基地级。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：
图1是发射器的电路图；
图2A示出了放大器的输入功率和输出功率之间的关系；
图2B示出了放大器在各种操作模式下的频率幅度和时间之间的关系；
图3示出了放大器的输入功率和输出功率之间的关系；
图4示出了在各种模式下运行的放大器的输入功率和输出功率之间的关系；
图5A是根据本发明一实施例的发射器的电路图；
图5B是图5A的发射器在典型应用环境中的电路图；
图6是图1所示的发射器使用的差分放大器；
图7A是根据本发明一实施例的差分输入级的电路图；
图7B是根据本发明的另一实施例的差分输入级的电路图；
图8示出了图5A所示的发射器中的放大器的输入功率和输出功率之间的关系。
具体实施方式
本说明书公开了结合有本发明特征的一个或多个实施例。应注意的是，本说明书中提及的“一个实施例”、“一实施例”、“示例性实施例”等等指的是所描述的实施例可能包括某特定特征、结构或特点，但是并不是每一个实施例都必定包括该特定特征、结构或特点。此外，这些短语不一定指的是同一个实施例。还有，当结合某一实施例描述某特定特征、结构或特点时，无论是否明确说明，本领域的技术人员应当知悉，这些特定特征、结构或特点也可以结合到其它实施例中。在描述特定方法和配置时，应明白这仅仅是对本发明的举例，本领域的技术人员应明白，在不脱离本发明精神和范围时，可使用其他的配置和方法。
图1示出了无线发射器100，其中包括调制器102、一对数模转换器(DAC)110A和110B、一对低通滤波器120A和120B、一对乘法器130A和130B、加法器(summer)140、可编程增益放大器或缓冲级150、功率放大驱动器(poweramplifier driver)或驱动放大器(driver-amplifier)160、变压器170、功率放大器180和天线190。
调制器102用于接收和编码原始数据信号(未示出)。在调制和编码原始数据信号之后，调制器102输出同相(I)数据信号104和正交相(Q)数据信号106。数据信号104和106可以是由中频(intermediate frequency，简称IF)均匀间隔开的信号，或者可以是基带信号。
DAC110A被设置为接收信号104并将其转换成模拟信号112，该模拟信号112将被提供给低通滤波器120A。滤波器120A去除信号112中不想要的频率部分。接着，经由滤波器120A的信号将作为信号122被传送至乘法器130A。
乘法器130A的主要功能是上变换信号122，通过将信号122和本地振荡器的信号相乘，就实现了上变换(up-conversion)。一旦完成了上变换，乘法器130A将上变换后的信号132传送给加法器140。DAC 110B、低通滤波器120B和乘法器130B的功能与DAC 110A、低通滤波器120A和乘法器130A的功能类似，它们之间的主要不同之处是后者处理Q信号，而不是I信号。
如图1所示，加法器140连接到乘法器130A和130B。加法器140配置为接收乘法器130A和130B的信号。加法器130合并信号132和134并生成信号142，信号142被传送给可编程增益放大器(PGA)150。
缓冲级或PGA 150具有两个主要功能。其中一个主要功能是作为PGA 150左侧所有电路元件(加法器140、乘法器130A-B、滤波器120A-B、DAC 110A-B)与功率放大驱动器(PAD)160之间的阻抗可调绝缘体(impedance variationsisolator)。另一个功能是提供合适的信号放大量，以使PAD 160和功率放大器180产生所需的输出功率量。
发射器100还包括PAD 160，用于放大PGA/缓冲器150的输出。PAD 160以特定功率额度提供预放大信号162，使功率放大器180能够输出具有预定功率额度的放大信号182。在发射器100中，变压器170匹配PAD 160的输出阻抗和功率放大器180的输入阻抗。变压器170还将PAD 160输出的差分信号162转换成单端信号(single-ended signal)164。一旦功率放大器180将信号164放大，天线190就发射该放大信号。
如图1所示，线165示出了发射器100中片载部分和非片载部分。功率放大器180通常不是片载的。但是，发射器100也可以配置成让功率放大器180是片载形式。
发射器100可配置为与各种多路系统一起工作，例如时分多址(TDMA)、码分多址(CDMA)和正交频分复用(OFDM)。在OFDM应用的一个实施例中，功率放大驱动器160通常以6dBm左右输出。作为一种设计经验，功率放大驱动器160的1-dB压缩点应该超出运行输出水平10dBm。就是说，OFDM系统中的功率放大驱动器160应该具有16dBm的1-dB压缩点。
在1-dB压缩点上，功率放大驱动器160开始进入压缩模式。图2A示出了输入功率和输出功率的关系，单位为dBm。线202是理想放大器的功率增益线。线204是典型放大器如功率放大器180的功率增益线。如图2A所示，点220示出了功率放大驱动器160的1-dB压缩点的起点。对点220左边的任何基准点，功率放大驱动器160保持在线性运行区。对于点220右边的基准点，功率放大驱动器160是非线性的。通过找到理想放大器和非理想放大器的输出功率相差1dB时的输入功率值，来确定1-dB压缩点。在该实施例中，点210比点220高大约1dB。
图2B示出了各个放大阶段的时域信号。信号260是未放大的信号。信号270是在线性区运行的功率放大器将信号260放大后的信号。信号280是以压缩状态运行的功率放大器将信号260放大后的信号。如图2B所示，信号280的振幅波峰附近有削波部分285。数字信号的放大过程中出现削波，将会丢失数据或者影响数据。
图3示出了功率放大器180在运行区的增益图。点320表示1-dB压缩点。对于OFDM应用，选择1-dB压缩点大约为16dBm的功率放大器。点330是6dBm点，为功率放大驱动器160的期望功率输出。点320和点330之间的10dB缓冲用于防止数据丢失，这对于802.11a、802.11b、802.11g和OFDM信号尤其有用。
如上所述，对于正常操作，功率放大驱动器160设置为输出6dBm左右。但是，对于某些较低功率应用，功率放大驱动器160仅仅需要输出0dBm，即大约1毫瓦。在另一较低功率应用中，功率放大驱动器160仅仅需要输出-5dBm。在这些低功率情况中，因为会使用外部功率放大器将信号的功率水平放大到期望水平，所以不需要高功率输出。
图4示出了一般如何获得低功率。点430是6dBm运行点，而点420为1-dB压缩点420，点440为0dBm运行点。一般地，可通过减少功率放大驱动器160的输入端的输入信号来降低功率放大驱动器160的功率输出。虽然可以减小功率放大驱动器160的输入端的信号振幅或者强度(intensity)，但是功率放大驱动器160的电流能耗是保持一样的。因此，对于正常功率模式和低功率模式，功率放大驱动器160的功耗是相同的。
图5A示出了根据本发明一实施例的无线发射器500。发射器500包括调制器502、一对数字模拟转换器(DAC)510A和510B、一对低通滤波器520A和520B、一对乘法器530A和530B、加法器540、可编程增益放大器或或缓冲级550、可调功率放大驱动器或可调驱动放大器560、变压器570、功率放大器580以及天线590。
调制器502用于接收和编码原始数据信号(未示出)。在调制和编码原始数据信号之后，调制器502输出同相(I)数据信号504和正交相(Q)数据信号506。数据信号502和504可以是由中频(IF)均匀间隔开的信号，或者可以是基带信号。
DAC 501A被设置为接收信号504并将信号504转换成模拟信号512，该信号512将被提供给低通滤波器520A。滤波器520A用于去除信号512中不想要的频率部分。随后，经由滤波器520A的信号作为信号522被传送到乘法器530A。
乘法器530A的主要功能是上转换信号522。通过将混频信号522和本地振荡器(未示出)的信号相乘，就实现了上变换。一旦完成了上转换，乘法器530A将上变换后的信号532传送给加法器540。DAC 510B、低通滤波器520B和乘法器530B的功能与DAC 510A、滤波器520A、乘法器530A的功能类似。它们之间的主要不同之处是后者处理正交相(Q)信号，而不是同相(I)信号。
加法器540连接到乘法器530A和530B。加法器530用于接收来自乘法器530A和530B的信号。加法器合并信号532和信号534并生成信号542，信号542被传送到可编程增益放大器(PGA)550。
缓冲级或PGA 550具有两个主要功能。其中一个主要功能是作为PGA 550左侧所有电路元件(加法器540、乘法器530A-B、滤波器520A-B、DAC 510A-B)与功率放大驱动器(PAD)560之间的阻抗可调绝缘体。另一个功能是提供合适的信号放大量，以使PAD 560产生所需要的输出功率量。
发射器500还包括具有可选功率输出的可调PAD 560。在低功率模式下，通过内部开关方式重新配置可调PAD 560电路，以在从电池获得较小电流时提供较低功率的预放大信号。上述重新配置可在使用PAD 560时实时进行或者在制造PAD 560完成后进行。相反，不管发射器100是正常功率模式还是低功率模式，PAD 160都使用相同的电流量。
图5B示出了以典型的正常功率模式(非低功率模式)应用中的发射器550，其中不需要外部功率放大器。如图5B所示，PAD 560的输出信号没有被放大。当发射器500处于正常功率模式时，它是以高线性运行的。在某些当预定接收器处于较近范围时的应用中，由于该应用中未使用外部功率放大器，所以需要PAD 560具有高度线性，以确保信号强度能达到足够强以到达该接收器。
图6示出了在发射器100的PAD 160中使用的典型差分输入级600。差分输入级600是射地-基地输入级，其被优化以使PAD 160的输出大约为6dBm。在低功率模式下，PAD 160的输出被下调为0dBm，差分输入级600输出较低功率的信号，但输入级600的电流用量保持相同。
差分输入级600包括晶体管610、620、630和640。偏压晶体管630和640的栅极一般由偏压源(未示出)偏压。晶体管610和620的栅极连接到可编程增益放大器150的差分输入信号152。差分输入级600根据差分输入信号552产生差分电流对，每个差分电流的大小取决于晶体管对610、630和620、640的相对大小。通常，所选择的晶体管对610、630和620、640的大小，可让功率放大驱动器160获得期望功率输出。因此，不管发射器100是处于正常功率模式还是低功率模式，这两个晶体管对的电流消耗均保持恒定。
图7A示出了在可调PAD 506一实施例中使用的差分射地-基地输入级700。差分输入级700包括并行连接的多个射地-基地输入级。差分输入级700包括晶体管710A-D、720A-D、730A-D以及740A-D。晶体管720A和740A一起形成输入级。类似地，晶体管710A和730A形成另一个输入级。晶体管710A-D的栅极接收一部分差分预放大信号552(例如，正交部分)。类似地，晶体管720A-D的栅极接收另一部分的差分预放大信号552(例如，同相部分)。晶体管730A-D和740A-D的栅极由偏压控制电路750A和750B偏压。虽然图7中所示的偏压控制电路750A和750B为两个独立的电路，但是偏压控制电路750A-B可以在单个电路中实现。
在差分输入级700中，偏压控制电路750成对地偏压晶体管730A-B和740A-B，以在每个差分分支上偏压相同数量的晶体管。例如，如果晶体管730A的栅极被偏压，那么晶体管740A的栅极也被偏压。在另一实施例中，如果晶体管730A-B的栅极被偏压，那么晶体管740A-B的栅极也被偏压。这样，差分输入级700能够输出两个大致相等的差分电流，即每个差分分支一个电流。也可以根据本说明的说明使用其他的偏压设置。
差分输入级700的多种射地-基地输入级配置允许可调PAD 560根据需要选择开启或者关闭一个或多个射地-基地放大级。如上所述，在放大器的每个差分分支上，必须选择相同数量的射地-基地放大级使其处于活动状态。这种配置允许可调PAD 560开启所需要的射地-基地分支，以满足特定功率输出量。例如，如果需要最大功率输出，则PAD 560输出6dBm，接着可调PAD 560将选择所有射地-基地分支。通过偏压控制电路750来完成射地-基地分支的选择。被选择处于活动状态的射地-基地分支将被偏压；没有被偏压的射地-基地将被关闭。换一种说法，将晶体管730A-D和740A-D中的相应晶体管对偏压/关闭，以提供期望的增益和输出功率。
当发射器500处于低功率模式时，偏压控制电流750A-B将选择0dBm输出所期望的若干射地-基地分支。射地-基地分支中每个晶体管的大小将决定所开启的分支量。例如，射地-基地分支765A-B可被优化以允许功率放大器580输出0dBm左右。在这种情况之下，偏压控制电路750A-B将分别偏压晶体管740A和730A的栅极。这种情况发生时，晶体管710A的栅极上的差分信号输入将驱动晶体管710A和730A，并引起电流通过输出节点760A。类似地，晶体管720A的栅极上的差分信号输入将驱动晶体管720A和740A，并引起电流通过输出节点760B。另外，通过限制当前被偏压的晶体管数量，可调PAD 560可有效地控制从电源导出的电流量。在这种方式之下，通过在低功率模式下降低电流用量可实现节能。
在另一替换实施例中，差分输入级700具有多层射地-基地级，如图7B所示的差分输入级790。差分输入级790具有两层射地-基地级792和794，而不是一层的并行连接的射地-基地级。在这种方式下，通过开启或者关闭任一层中的若干数量的射地-基地分支，或者通过开启或关闭一层或多层中的所有射地-基地分支，可以更精确地控制差分输入级790的功率输出。
图8示出了功率放大器580的增益曲线。线804示出了功率放大器580
处于正常功率模式或者高功率模式下的增益曲线，其中点830为6dBm点。
线806示出了功率放大器580处于低功率模式下的增益曲线，其中点840为0dBm点。这转化为一种总体低功率放大级，而不是图4中放大级所实现的利用较小强度来驱动更强的放大级。
虽然本发明是结合NPN(负极-正极-负极)晶体管来描述的，但是本领域技术人员应知晓，其它类型的晶体管也可用于实现本发明。
总之，尽管上文对本发明各实施例进行说明，但应明白，这仅仅是为了举例，而不是限制。本领域技术人员知悉，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。因此，本发明并不限于在此公开的特定实施例，而包括所有落入到权利要求保护范围的实施例。
交叉参考文档
本申请要求2006年5月19日提交的美国临时申请60/801,399的优先权，该临时申请的全部内容通过参考结合到本说明书中作为本说明书的公开内容。

Claims (10)

1、一种射频发射器，其特征在于，包括：
增益控制级，其用于输出具有预设功率水平的RF信号；以及
可调放大级，其用于接收RF信号，该可调放大级配置为放大RF信号并输出具有输出功率水平的放大信号，其中，所述输出功率水平是可调节的且独立于所接收的RF信号的预设功率水平的任何调节。
2、根据权利要求1所述的射频发射器，其特征在于，所述可调放大级是可调驱动放大器。
3、根据权利要求1所述的射频发射器，其特征在于，所述可调放大级包括：
第一多个射地-基地级，每个射地-基地级具有第一端子和第二端子，所述第一端子与第一节点连接，所述第二端子与第二节点连接；以及
第二多个射地-基地级，每个射地-基地级具有第三端子和第四端子，所述第三端子与第三节点连接，所述第四端子与第四节点连接；
其中，所述第一多个射地-基地级和第二多个射地-基地级中，相同数量的射地-基地级被偏压。
4、根据权利要求3所述的射频发射器，其特征在于，
第一射地-基地级包括：
第一晶体管，其漏极连接到所述第一节点，其栅极连接到偏压控制电路；以及
第二晶体管，其漏极连接到所述第一晶体管的源极，其源极连接到所述第二节点，其栅极连接到第一输入信号；以及
第二射地-基地级包括：
第三晶体管，其漏极连接到所述第三节点，其栅极连接到偏压控制电路；以及
第四晶体管，其漏极连接到所述第三晶体管的源极，其源极连接到所述第四节点，其栅极连接到第二输入信号。
5、根据权利要求4所述的射频发射器，其特征在于，所述第一输入信号是所述RF信号的同相信号部分。
6、根据权利要求4所述的射频发射器，其特征在于，所述第二输入信号与所述第一输入信号异相90°。
7、一种驱动器放大电路，其特征在于，包括：
偏压控制电路；
第一多个射地-基地级，每个射地-基地级具有第一端子、第二端子和第一偏压端子，所述第一端子连接到第一节点，所述第二端子连接到第二节点，所述第一偏压端子连接到所述偏压控制电路；以及
第二多个射地-基地级，每个射地-基地级具有第三端子、第四端子和第二偏压端子，所述第三端子连接到第三节点，所述第四端子连接到第四节点，所述第二偏压端子连接到所述偏压控制电路；
其中，所述第一多个射地-基地级和第二多个射地-基地级中，相同数量的射地-基地级被所述偏压控制电路偏压，以调节所述第一和第三节点上的各自输出电流。
8、根据权利要求7所述的驱动器放大电路，其特征在于，
所述第一多个射地-基地级中的每个射地-基地级包括：
第一晶体管，其漏极连接到第一节点，其栅极连接到偏压控制电路；以及
第二晶体管，其漏极连接到所述第一晶体管的源极，其源极连接到第二节点，其栅极连接到第一输入信号；以及
所述第二多个射地-基地级中的每个射地-基地级包括：
第三晶体管，其漏极连接到第三节点，其栅极连接到偏压控制电路；以及
第四晶体管，其漏极连接到所述第三晶体管的源极，其源极连接到所述第四节点，其栅极连接到第二输入信号。
9、根据权利要求8所述的驱动器放大电路，其特征在于，每个所述驱动器放大器级中的每个晶体管具有相同的大小。
10、根据权利要求7所述的驱动器放大电路，其特征在于，每个所述驱动器放大器级的大小彼此不同。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108023601A (zh) * 2016-11-03 2018-05-11 展讯通信（上海）有限公司 发射机及用户终端

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7474880B2 (en) * 2005-03-24 2009-01-06 Broadcom Corporation Linear and non-linear dual mode transmitter
US7860467B2 (en) * 2006-08-29 2010-12-28 Broadcom Corporation Power control for a dual mode transmitter
US20080102762A1 (en) * 2006-10-30 2008-05-01 Lianjun Liu Methods and apparatus for a hybrid antenna switching system
US7427894B2 (en) * 2006-12-06 2008-09-23 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte Ltd. Dual-mode, dual-load high efficiency RF power amplifier
US8150339B2 (en) * 2007-11-05 2012-04-03 Qualcomm, Incorporated Switchable-level voltage supplies for multimode communications
US8515368B2 (en) * 2007-11-29 2013-08-20 Broadcom Corporation Gain control using a dynamically configurable transformer
US20090153250A1 (en) * 2007-12-12 2009-06-18 Ahmadreza Rofougaran Method and system for scaling supply, device size, and load of a power amplifier
EP2482449B1 (en) * 2011-01-27 2019-03-20 Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) Amplification circuit having optimization of power
US9258153B1 (en) * 2014-11-28 2016-02-09 Keysight Technologies, Inc. Inter-symbol interference (ISI) loss filter device
US10917132B1 (en) * 2019-07-10 2021-02-09 Rockwell Collins, Inc. Switchless transceiver integrated programmable differential topology
US11502738B2 (en) 2021-01-15 2022-11-15 International Business Machines Corporation Transmitter with multiple signal paths

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0775324B2 (ja) * 1989-08-18 1995-08-09 日本電気株式会社 携帯無線機
JPH07297776A (ja) * 1994-04-22 1995-11-10 Oki Electric Ind Co Ltd 通信システム
US5661434A (en) * 1995-05-12 1997-08-26 Fujitsu Compound Semiconductor, Inc. High efficiency multiple power level amplifier circuit
US5673001A (en) * 1995-06-07 1997-09-30 Motorola, Inc. Method and apparatus for amplifying a signal
JPH1022756A (ja) * 1996-07-04 1998-01-23 Mitsubishi Electric Corp 無線送信機およびその送信制御方法
US6148220A (en) * 1997-04-25 2000-11-14 Triquint Semiconductor, Inc. Battery life extending technique for mobile wireless applications
DE69942964D1 (de) * 1998-02-19 2011-01-05 Nippon Telegraph & Telephone Verstärker zur radioübertragung
AU4397699A (en) * 1998-07-07 2000-01-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor amplifier circuit and system
JP3169002B2 (ja) * 1998-12-18 2001-05-21 日本電気株式会社 送信出力制御回路
JP2000278109A (ja) * 1999-03-19 2000-10-06 Fujitsu Ltd 高周波スイッチ、切替型高周波スイッチ、および切替型高周波電力増幅器
US6686957B1 (en) * 1999-03-31 2004-02-03 Cirrus Logic, Inc. Preview mode low resolution output system and method
US6255906B1 (en) * 1999-09-30 2001-07-03 Conexant Systems, Inc. Power amplifier operated as an envelope digital to analog converter with digital pre-distortion
US6968201B1 (en) * 1999-10-06 2005-11-22 Lucent Technologies, Inc. Method and apparatus for controlling reverse link interference rise and power control instability in a wireless system
US6684065B2 (en) * 1999-12-20 2004-01-27 Broadcom Corporation Variable gain amplifier for low voltage applications
CA2405143A1 (en) * 2000-04-07 2001-10-18 The Chief Controller, Research And Development Transmit/receiver module for active phased array antenna
JP3463656B2 (ja) * 2000-07-12 2003-11-05 日本電気株式会社 送信電力増幅装置及びその方法
JP3970623B2 (ja) * 2001-02-28 2007-09-05 シャープ株式会社 可変利得増幅器
US6738432B2 (en) * 2001-03-21 2004-05-18 Ericsson Inc. System and method for RF signal amplification
US20020146993A1 (en) * 2001-04-04 2002-10-10 Charles Persico Bias adjustment for power amplifier
JP3809777B2 (ja) * 2001-05-30 2006-08-16 ソニー株式会社 電力増幅器
JP3928421B2 (ja) * 2001-12-13 2007-06-13 三菱電機株式会社 送信出力の制御装置及び制御方法
US7079818B2 (en) * 2002-02-12 2006-07-18 Broadcom Corporation Programmable mutlistage amplifier and radio applications thereof
WO2004027982A2 (en) * 2002-09-20 2004-04-01 Triquint Semiconductor, Inc. Linear power amplifier with multiple output power levels
US7027783B2 (en) * 2003-02-24 2006-04-11 Sami Vilhonen Method and apparatus providing reduction in transmitter current consumption using signal derived from rectified input signal
JP3907052B2 (ja) * 2003-03-07 2007-04-18 ソニー・エリクソン・モバイルコミュニケーションズ株式会社 通信端末装置及び増幅回路
EP1467481B1 (en) * 2003-04-09 2019-03-06 Sony Mobile Communications Inc Glitch-free controllable RF power amplifier
US6888411B2 (en) * 2003-06-06 2005-05-03 Broadcom Corporation Radio frequency variable gain amplifier with linearity insensitive to gain
US7203511B2 (en) * 2004-01-20 2007-04-10 Broadcom Corporation Control of transmit power of a radio frequency integrated circuit
US8010073B2 (en) * 2004-01-22 2011-08-30 Broadcom Corporation System and method for adjusting power amplifier output power in linear dB steps
DE102004039830B4 (de) * 2004-08-17 2007-11-08 Infineon Technologies Ag Verstärkerschaltung mit einstellbarer wertdiskreter Verstärkung, Verwendung der Verstärkerschaltung und Verfahren zum Betreiben eines wertdiskret einstellbaren Verstärkers
US7477102B1 (en) * 2006-03-17 2009-01-13 Hrl Laboratories, Llc High efficiency linear microwave power amplifier
US7459969B2 (en) * 2006-08-11 2008-12-02 Broadcom Corporation Transmitter power amplifier working at different power supplies
US7860467B2 (en) * 2006-08-29 2010-12-28 Broadcom Corporation Power control for a dual mode transmitter

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108023601A (zh) * 2016-11-03 2018-05-11 展讯通信（上海）有限公司 发射机及用户终端
CN108023601B (zh) * 2016-11-03 2019-06-04 展讯通信（上海）有限公司 发射机及用户终端

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